CN101286524A - 显示器、制造显示器的方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明在此揭示了一种显示器，该显示器包括像素阵列部分，该像素阵列部分构造来包括布置成矩阵的像素，并且每个像素都具有：电光元件；写入晶体管，用于写入视频信号；驱动晶体管，用于根据写入晶体管所写入的视频信号驱动电光元件；以及保持电容器，连接在驱动晶体管的栅极和源极之间，其中保持电容器包括：第一电极；第二电极，设置成面对第一电极的一个表面用于形成第一电容器；以及第三电极，设置成面对第一电极的另一个表面用于形成第二电容器，并且第一电容器和第二电容器彼此并联电连接。

Description

显示器、制造显示器的方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及显示器、制造显示器的方法以及电子设备，且更具体地涉及平面式(平板)显示器、驱动该显示器的方法以及包括该显示器的电子设备，在该显示器中像素每个都包括电光元件并以行和列(以矩阵形式)设置。
背景技术
近年来，在用于图像显示的显示器领域中，通过以矩阵形式设置每个都包括发光元件的像素(像素电路)所获得的平面式显示器正迅速成为主流。作为平面式显示器，有机电致发光(EL)显示器正在被开发和商业化。有机EL显示器包括有机EL元件作为各像素的发光元件。有机EL元件是所谓的电流驱动电光元件，其发光亮度依赖流过该元件的电流值而变化，并且基于响应对有机薄膜施加电场来产生发光的现象。
有机EL显示器具有下面的特征。具体地讲，因为有机EL元件可以由施加低于10V的电压驱动，所以有机EL显示器具有低能耗。此外，因为有机EL元件是自发光元件，所以有机EL显示器与液晶显示器相比提供更高的图像可见性，液晶显示器通过液晶单元对每个包括该液晶单元的像素控制来自光源(背光)的光的强度来显示图像。另外，有机EL显示器不需要有对于液晶显示器而言必需的照明单元，例如背光单元，并且因此有机EL显示器可以易于取得在重量和厚度上的减少。而且，有机EL元件的响应速度非常高以至几微秒，这使得有机EL显示器显示运动图像时没有图像迟延。
作为有机EL显示器的驱动系统，可以采用简单(无源)矩阵系统或者有源矩阵系统，与液晶显示器相类似。然而，尽管简单矩阵系统的显示器的构造简单，但是由于扫描线(即像素数)的增加而减少了发光元件的发光周期，因此简单矩阵系统的显示器涉及难于实现大尺寸和高清晰度的显示器的问题。
因为这个原因，近些年，正在积极开发有源矩阵系统的显示器，其中流过电光元件的电流由有源元件控制，该有源元件例如绝缘栅场效晶体管(典型地，薄膜晶体管(TFT))，并且与该电光元件设置在相同的像素电路中。在有源矩阵系统的显示器中，电光元件在一个帧周期连续发光。这易于实现大尺寸和高清晰度的显示器。
众所周知，有机EL元件的I-V特性(电流-电压特性)随着时间的流逝而变坏(所谓老化)。在包括作为用于以电流驱动有机EL元件的晶体管的N沟道TFT(在下文，称为“驱动晶体管”)的像素电路中，有机EL元件连接到驱动晶体管的源极侧。因此，有机EL元件的I-V特性的老化导致在驱动晶体管的栅-源电压Vgs的变化，这导致有机EL元件发光亮度的变化。
关于这一点，下面将进行更具体的描述。驱动晶体管的源极电位根据驱动晶体管和有机EL元件的工作点来确定。有机EL元件的I-V特性的变坏改变了驱动晶体管和有机EL元件的工作点。因此，即使在施加给驱动晶体管的栅极的电压相同时，驱动晶体管的源极电位也会改变。这改变了驱动晶体管的源极-栅极电压Vgs，其改变了流过驱动晶体管的电流值。结果，流过有机EL元件的电流值也变化，这改变了有机EL元件的发光亮度。
此外，采用多晶硅TFT的像素电路，除了有机EL元件的I-V特性老化外，还涉及驱动晶体管的阈值电压Vth和用作驱动晶体管沟道的半导体薄膜中迁移率μ(在下文，称为“驱动晶体管的迁移率”)随时间的变化，以及由于制造工艺上的偏差引起的像素之间的阈值电压Vth与迁移率μ的差别(在各个驱动晶体管之间晶体管特性的变化)。
如果像素之间的驱动晶体管的阈值电压Vth与迁移率μ不同，那么流过驱动晶体管电流值基于具体像素而产生变化。因此，即使给像素中的驱动晶体管的栅极施加相同的电压时，像素中有机EL元件的发光亮度也发生变化，这导致更低的屏幕均匀性。
为了解决这一问题，已经提出一种构造，目的在于使得有机EL元件的发光亮度保持不变，而不受有机EL元件的I-V特性的老化和驱动晶体管的阈值电压Vth与迁移率μ随时间变化的影响。具体地讲，在该构造中，每个像素电路提供有针对有机EL元件特性变化的补偿功能和针对驱动晶体管阈值电压Vth的变化进行修正(在下文，称为“阈值修正”)与针对驱动晶体管的迁移率μ的变化进行修正(在下文，称为“迁移率修正”)的修正功能(参照例如日本专利申请公开第2006-133542号(在下文称为专利文献1))。
通过这样给每个像素电路提供针对有机EL元件特性变化的补偿功能和针对驱动晶体管阈值电压Vth与迁移率μ的变化的修正功能，有机EL元件的发光亮度可以保持不变，而不受有机EL元件I-V特性的老化和驱动晶体管阈值电压Vth与迁移率μ随时间的变化的影响。
通过下面的系列电路运行实施针对有机EL元件特性变化的补偿功能。首先，当经由信号线提供的视频信号由写入晶体管写入并且保持在连接于驱动晶体管的栅极和源极之间的保持电容器中时，写入晶体管转换到不导电状态，以由此使驱动晶体管的栅极电极与信号线电隔离用于将栅极电极转换到浮置状态。
如果驱动晶体管的栅极电极进入浮置状态，则响应驱动晶体管的源极电位Vs的变化，由于在驱动晶体管的栅极和源极之间保持电容器的连接，驱动晶体管的栅极电位Vg也与源极电位Vs的变化相关联(以跟随的方式)地变化。这是自举(bootstrap)操作。由于该自举操作，驱动晶体管的栅-源电压Vgs可以保持不变。因此，即使在有机EL元件的I-V特性随着时间变化时，有机EL元件的发光亮度也可以保持不变。
在该自举操作中，驱动晶体管的栅极电位Vg的增加量ΔVg与其源极电位Vs的增加量ΔVs的比率(在下文，称为自举比Gbst(bootstrap ratio))是重要因素。具体地讲，如果该自举比Gbst很低，则驱动晶体管的栅-源电压Vgs变得低于在视频信号保持在保持电容器中时所获得的电压。
低自举比Gbst等于栅极电位Vg的增加量ΔVg相对于源极电位Vs的增加量ΔVs而言小的事实。因此，栅-源电压Vgs变得更低。这导致不能保证作为给有机EL元件施加的驱动电流的必要电流，即对应于由写入晶体管写入的视频信号的电流，这导致亮度降低。因此，产生亮度不均衡，其引起图像质量的变坏。
自举比Gbst取决于连接到驱动晶体管栅极的保持电容器的电容和寄生电容器的电容。这些电容器的电容越高，自举比Gbst越高(这一点的详细情况将稍后描述)。寄生电容器的电容取决于连接到驱动晶体管的栅极电极的电路元件，例如晶体管。如果包括在像素电路中的元件数量减少，且因此连接到驱动晶体管的栅极电极的晶体管数量减少，则寄生电容器的电容相应地变得更低。
因此，增加保持电容器的电容能有效地增加自举比Gbst。保持电容器的电容与形成保持电容器且设置成彼此面对的两个金属电极的面积成比例，并且与这两个金属电极之间的距离成反比。因此，保持电容器的电容可以通过增加两个金属电极的面积或者减少两个金属电极之间的距离来增加。因为减少两个金属电极之间的距离存在限制，所以优选尝试增加两个金属电极的面积，即增加保持电容器的尺寸。
然而，因为保持电容器形成在有限像素尺寸的条件下，所以增加保持电容器的尺寸也存在限制。恰恰相反，最近伴随着清晰度增强的对于像素尺寸最小化的趋势，使得难于通过增加保持电容器的尺寸来增加自举比Gbst。
作为另一个方案，预期对应于自举比Gbst的电压降低，可以通过初始设计大的电流作为经由驱动晶体管施加给有机EL元件的驱动电流来保证对应于视频信号的驱动电流，而不是增加自举比Gbst。然而，该方案涉及增加功耗的问题。
发明内容
本发明需要提供一种显示器，以及提供制造该显示器的方法和采用该显示器的电子设备，该显示器允许具有增强的图像质量，而没有通过在有限像素尺寸的条件下的高自举比的设计而增加功耗。
根据本发明的实施例，提供有一种显示器，其包括设置成矩阵的像素，并且每个像素都有：电光元件；写入晶体管，用于写入视频信号；驱动晶体管，用于根据由写入晶体管写入的视频信号来驱动电光元件；以及保持电容器，连接在驱动晶体管的栅极和源极之间。在该显示器中，通过采用第一电极、第二电极和第三电极形成，第二电极设置成面对第一电极的一个表面来形成第一电容器，而第三电极设置成面对第一电极的另一个表面来形成第二电容器，并且第一电容器和第二电容器彼此并联电连接。
根据具有该构造的显示器和包括该显示器的电子设备，通过采用第一、第二和第三电极来形成第一和第二电容器，并且将第一和第二电容器并联电连接，如果第一、第二和第三电极间的距离彼此相等，则与通过采用两个电极形成的保持电容器相比，保持电容器的电容可以增加而不增加保持电容器的尺寸。因此，在有限像素尺寸的条件下可以设计成高自举比。
因为自举比可以设定成很高，所以当驱动晶体管的源极电位升高时，在自举操作中栅极电位的增长量基本上等于源极电位的增长量，并且因此驱动晶体管的栅-源电压没有减少。这允许保证必要的电流作为施加给电光元件的驱动电流，而没有预期电压对应于自举比降低而最初设计大电流作为驱动电流。
根据本发明的实施例，可以在有限像素尺寸的条件下设计高自举比，并且因此可以保证必要电流作为驱动电流施加给电光元件，而没有预期对应于自举比的电压下降而最初设计大电流作为驱动电流。这可以提高图像质量而不增加功耗。
此外，如果设计与通过采用两个电极形成的电容器相同的电容而不试图增加保持电容器的电容，则保持电容器电极的面积可以减小。因此，减少了保持电容器电极的面积与像素的总面积的比率。例如，这能够抑制由于在制造工艺中进入像素中的金属灰尘等发生的短路并因而在像素中发生的故障，这可以提高产量。
附图说明
图1是展示根据本发明一个实施例的有机EL显示器示意性构造的系统构造图；
图2是展示像素(像素电路)具体构造实例的电路图；
图3是展示像素截面结构的一个实例的截面图；
图4是用于说明根据实施例的有机EL显示器运行的时间图；
图5A至5D是在根据实施例的有机EL显示器中电路运行的说明图；
图6A至6D是在根据实施例的有机EL显示器中电路运行的说明图；
图7是用于说明由于驱动晶体管的阈值电压Vth的变化引起的问题的特性图；
图8是用于说明由于驱动晶体管的迁移率μ的变化引起的问题的特性图；
图9A至9C是用于说明与存在/缺少阈值修正和迁移率修正相关联的视频信号的信号电压Vsig与驱动晶体管的漏-源电流Ids之间关系的特性图；
图10是像素的等效电路图；
图11是展示像素中各电路元件连接关系包括保持电容器的电连接的电路图；
图12是展示根据实施例的像素中互连层结构的平面图案示意图；
图13是展示根据本发明一个工作实例的保持电容器结构的截面图；
图14是展示根据相关技术的像素中互连层结构的平面图案示意图；
图15是展示根据本发明一个工作实例的制造保持电容器方法的步骤图；
图16是展示根据本发明另一个工作实例的保持电容器结构的截面图；
图17是展示应用实施例的电视机的透视图；
图18A和18B是展示应用实施例的数码相机的透视图：图18A是前侧视图，而图18B是后侧视图；
图19是展示应用实施例的笔记本个人电脑的透视图；
图20是展示应用实施例的视频摄像机的透视图；和
图21A至21G是展示应用实施例的移动电话的透视图，其中图21A和21B分别是打开状态的主视图和侧视图，而图21C至21G分别是关闭状态的主视图、左侧视图、右侧视图、俯视图和仰视图。
具体实施方式
下面，将参照附图详细描述本发明的实施例。
图1是展示根据本发明一个实施例的有源矩阵显示器示意性构造的系统构造图。作为一个实例，下面的描述将涉及采用有机EL元件作为每个像素(像素电路)的发光元件的有源矩阵有机EL显示器，该有机EL元件是发光亮度根据流过该元件的电流而变化的电流驱动电光元件。
如图1所示，根据本实施例的有机EL显示器10包括像素阵列部分30，其中像素(PXLC)20二维设置在行和列上(以矩阵形式)。此外，有机EL显示器10包括驱动部分，该驱动部分设置在像素阵列部分30的周边中并且驱动各像素20。例如，该驱动部分包括写入扫描电路40、电源扫描电路50和水平驱动电路60作为驱动部分。
在像素阵列部分30中，对应于m行和n列的像素排列，为每个像素行提供扫描线31-1至31-m和电源线32-1至32-m，并且为每个像素列提供信号线33-1至33-n。
像素阵列部分30典型地形成在透明绝缘基板例如玻璃基板上，并且具有平面式面板结构。像素阵列部分30中的每个像素20可以通过采用非晶硅薄膜晶体管(TFT)或者低温多晶硅TFT来形成。在采用低温多晶硅TFT的情况下，扫描电路40、电源扫描电路50和水平驱动电路60也可以安装在其上形成有像素阵列部分30的显示面板(基板)70上。
写入扫描电路40包括移位寄存器，用于与时钟脉冲ck同步依次转移(传递)开始脉冲sp。为了在像素阵列部分30中给像素20写入视频信号，写入扫描电路40依次提供扫描信号WS1至WSm到扫描线31-1至31-m，用于逐行连续扫描像素20(线序扫描)。
电源扫描电路50包括移位寄存器，用于与时钟脉冲ck同步依次转移开始脉冲sp。在与通过写入扫描电路40线序扫描同步中，电源扫描电路50给电源线32-1至32-m提供电源线电位DS1至DSm，它们每一个都在第一电位Vccp和低于第一电位Vccp的第二电位Vini之间切换，以由此控制稍后描述的驱动晶体管22(见图2)的导电状态(ON)/非导电状态(OFF)。
水平驱动电路60适当地选择视频信号的信号电压Vsig和偏移电压Vofs中的任何一个，该视频信号从信号供给源(未示出)提供，且对应于亮度信息，并且该水平驱动电路60通过例如在行单元中的信号线33-1至33-n给在像素阵列单元30中的像素20同时写入视频信号。就是说，水平驱动电路60采用线序写入的驱动形式，其中视频信号的信号电压Vsig同时写入行(线)单元中。
偏移电压Vofs是用作视频信号的信号电压(在下文，将通常简称为“信号电压”)Vsig的参考(例如等于黑电平)的电压。第二电位Vini设定到基本上低于偏移电压Vofs的电位：例如其设定到满足关系Vofs-Vth＞Vini的电位，其中Vth表示驱动晶体管22的阈值电压。
(像素电路)
图2是展示像素(像素电路)20具体构造实例的电路图。如图2所示，像素20包括作为发光元件的有机EL元件21，它是电流驱动电光元件，其发光亮度根据流过该元件的电流而变化。除了有机EL元件21，像素20包括驱动晶体管22、写入晶体管23和保持电容器24。
在该组合中，N沟道TFT用作驱动晶体管22和写入晶体管23。驱动晶体管22和写入晶体管23的导电类型的这种组合只是一个实例，该组合不限于此。
有机EL元件21的阴极电极连接到设置成对所有的像素20公用的公共电源线34。驱动晶体管22的源极电极连接到有机EL元件21的阳极电极，并且驱动晶体管22的漏极电极连接到电源线32(32-1至32-m)。
写入晶体管23的栅极电极连接到扫描线31(31-1至31-m)。写入晶体管23的一个电极(源极电极/漏极电极)连接到信号线33(33-1至33-n)，并且其另一个电极(漏极电极/源极电极)连接到驱动晶体管22的栅极电极。
保持电容器24的一端连接到驱动晶体管22的栅极电极，并且其另一端连接到驱动晶体管22的源极电极(有机EL元件21的阳极电极)。还可以采用这样的构造，其中辅助电容器并联连接到该保持电容器24，以由此补偿保持电容器24电容的不足。
在具有该构造的像素20中，写入晶体管23响应于经由扫描线31从写入扫描电路40施加给写入晶体管23的栅极电极的扫描信号WS进入导电状态。因此，写入晶体管23取样视频信号的信号电压Vsig或者偏移电压Vofs，该视频信号从水平驱动电路60通过信号线33提供且取决于亮度信息，并且写入晶体管23在像素20中写入所取样的电压。该写入的输入信号电压Vsig或者偏移电压Vofs保持在保持电容器24中。
当电源线32(32-1至32-m)的电位DS在第一电位Vccp时，驱动晶体管22由电源线32提供电流，并且给有机EL元件21提供驱动电流，该驱动电流的电流值取决于保持在保持电容器24中的输入信号电压Vsig的电压值，以由此通过该电流驱动有机EL元件21。
(像素结构)
图3是展示像素20截面结构的一个实例的截面图。如图3所示，像素20具有一结构，其中绝缘膜202、绝缘平坦化膜203和窗口绝缘膜204依次形成在玻璃基板201之上，在玻璃基板201上形成由驱动晶体管22和写入晶体管23等组成的像素电路，并且有机EL元件21提供在窗口绝缘膜204的凹槽204A中。
有机EL元件21由阳极电极205、有机层和阴极电极207组成，阳极电极205形成在窗口绝缘膜204的凹槽204A的底部，且由金属等组成，有机层(电子输运层、发光层、空穴输运层/空穴注入层)206形成在阳极电极205上，而阴极电极207以对所有像素公用的方式形成在有机层206上，且由透明导电膜等形成。
在该有机EL元件21中，有机层206通过在阳极电极205之上依次沉积空穴输运层/空穴注入层2061、发光层2062、电子输运层2063和电子注入层(未示出)来形成。在图2的驱动晶体管22的电流驱动下，电流从驱动晶体管22经由阳极电极205流过有机层206。这在有机层206中的发光层2062中引起电子和空穴之间的复合，并且响应该复合而发光。
如图3所示，对于在玻璃基板201之上每个像素形成有机EL元件21，在玻璃基板201上像素电路形成有中间物：绝缘膜202、绝缘平坦化膜203和窗口绝缘膜204，之后，密封基板209通过粘合剂210与钝化膜208的中间物结合，从而有机EL元件21由密封基板209密封。这就完成了显示板70。
(阈值修正功能)
在写入晶体管23进入导电状态后水平驱动电路60给信号线33(33-1至33-m)提供偏移电压Vofs期间，电源扫描电路50将电源线32的电位DS从第二电位Vini切换到第一电位Vccp。由于电源线32电位DS的切换，等于驱动晶体管22阈值电压Vth的电压保持在保持电容器24中。
在保持电容器24中保持等于驱动晶体管22阈值电压Vth的电压是为了下面的原因。
由于驱动晶体管22制造工艺上的偏差和驱动晶体管22随着时间的改变，驱动晶体管22的晶体管特性对于每个像素变化，例如阈值电压Vth和迁移率μ。由于晶体管特性的变化，即使在像素中给驱动晶体管22施加相同的栅极电位时，漏-源电流(驱动电流)Ids在像素之间也有变化，并且该电流变化将呈现为有机EL元件21发光亮度的变化。为了抵消(修正)像素之间的阈值电压Vth变化的影响，等于阈值电压Vth的电压保持在保持电容器24中。
驱动晶体管22的阈值电压Vth的修正如下进行。具体地讲，阈值电压Vth预先保持在保持电容器24中。由于该操作，在由视频信号的信号电压Vsig驱动驱动晶体管22时，驱动晶体管22的阈值电压Vth与保持在保持电容器24中并且等于阈值电压Vth的电压彼此抵消。换言之，进行了阈值电压Vth的修正。
这对应于阈值修正功能。由于该阈值修正功能，即使在像素之间的阈值电压Vth变化和随时间的改变时，有机EL元件21的发光亮度也可以保持不变，而不受该变化和随时间改变的影响。稍后将详细描述阈值修正的原理。
(迁移率修正功能)
图2所示像素20除了上述阈值修正功能外还提供有迁移率修正功能。具体地讲，在水平驱动电路60给信号线33(33-1至33-n)提供视频信号的信号电压Vsig且写入晶体管23响应从写入扫描电路40输出的扫描信号WS(WS1至WSm)而在导电状态期间，即在迁移率修正期间，在保持电容器24中保持输入信号电压Vsig的情形抵消驱动晶体管22的漏-源电流Ids对迁移率μ的依赖的迁移率修正。稍后将描述该迁移率修正的具体原理和操作。
(自举功能)
图2所示像素20还提供有自举功能。具体地讲，在视频信号的信号电压Vsig已经保持在保持电容器24时，写入扫描电路40停止给扫描线31(31-1至31-m)提供扫描信号WS(WS1至WSm)，以由此将写入晶体管23切换到非导电状态，用于将驱动晶体管22的栅极电极与信号线33(33-1至33-n)电隔离。因此，驱动晶体管22的栅极电极进入浮置状态。
如果驱动晶体管22的栅极电极进入浮置状态，则响应驱动晶体管22的源极电位Vs的变化，由于在驱动晶体管22的栅极和源极之间连接保持电容器24(自举操作)，驱动晶体管22的栅极电位Vg也与源极电位Vs的变化相关联(以跟随的方式)地变化。由于该自举操作，即使在有机EL元件21的I-V特性随时间而改变时，有机EL元件21的发光亮度也可以保持不变。
具体地讲，即使在有机EL元件21的I-V特性随时间而改变并且驱动晶体管22的源极电位Vs相应改变时，由于自举操作，驱动晶体管22的栅-漏电压Vgs也保持不变。因此，流过有机EL元件21的电流不改变，并且因此有机EL元件21的发光亮度也保持不变。因此，即使在有机EL元件21的I-V特性随时间而改变时，也允许没有伴随随时间而改变的亮度变坏的图像显示。
(有机EL显示器的电路运行)
接下来，在下面将参照图5和6的运行说明图根据图4的时间图来描述根据本实施例的有机EL显示器10的电路运行。在图5和6的运行说明图中，为了简化附图，写入晶体管23用开关符号表示。此外，因为有机EL元件21具有寄生电容器Cel，所以在这些图中示出了寄生电容器Cel。
在图4的时序图中，在1-H(H表示水平扫描期间)下述电位的改变沿着相同的时间轴示出：扫描线31(31-1至31-m)的电位(扫描信号)WS、电源线32(32-1至32-m)的电位DS和驱动晶体管22的栅极电位Vg与源极电位Vs。
<发光期间>
根据图4的时间图，有机EL元件21在时间t1(发光期间)前为发光状态。在该发光期间中，电源线32的电位DS在较高的电位Vccp(第一电位)，而写入晶体管23在非导电状态。驱动晶体管22在该期间设计成在饱和区域运行。因此，如图5A所示，取决于驱动晶体管22的栅-源电压Vgs的驱动电流(漏-源电流)Ids经由驱动晶体管22从电源线32提供给有机EL元件21。这导致有机EL元件21发光，其亮度取决于驱动电流Ids的电流值。
<阈值修正准备期间>
在时间t1，线序扫描的新场开始，并且如图5B所示，电源线32的电位DS从较高的电位Vccp切换到充分低于信号线33的偏移电压Vofs的电位Vini(第二电位)。在有机EL元件21的阈值电压为Vel并且公共电源线34的电位为Vcath的定义下，如果较低的电位Vini设定成满足关系Vini＜Vel+Vcath，则因为驱动晶体管22的源极电位Vs变为几乎等于较低的电位Vini，所以有机EL元件21进入反偏置状态，且因此其发光停止。
随后，扫描线31的电位WS在时间t2从较低电位侧切换到较高电位侧，从而写入晶体管23进入导电状态，如图5C所示。此时，偏移电压Vofs从水平驱动电路60提供到信号线33。因此，驱动晶体管22的栅极电位Vg变为等于偏移电压Vofs。驱动晶体管22的源极电位Vs在充分低于偏移电压Vofs的电位Vini。
此时，驱动晶体管22的栅-源电压Vgs为Vofs-Vini。此时，除非该电压Vofs-Vini高于驱动晶体管22的阈值电压Vth，否则不能执行上述的阈值修正操作。因此，电位应当设计成满足关系Vofs-Vini＞Vth。以这种方式初始化的固定(设定)驱动晶体管22的栅极电位Vg在偏移电压Vofs并且固定源极电位Vs在较低电位Vini的这种操作对应于阈值修正准备的操作。
<阈值修正期间>
随后，如图5D所示，在电源线32的电位DS在时间t3从较低电位Vini切换到较高电位Vccp上，驱动晶体管22的源极电位Vs开始升高。不久，驱动晶体管22的源极电位Vs达到电位Vofs-Vth。此时，驱动晶体管22的栅-源电压Vgs等于驱动晶体管22的阈值电压Vth，从而等于该阈值电压Vth的电压写入保持电容器24。
在本说明书中，为了方便，用于在保持电容器24中写入等于阈值电压Vth的电压的期间称为阈值修正期间。公共电源线34的电位Vcath设计成在该阈值修正期间有机EL元件21保持在截止状态，以便在阈值修正期间电流不流向有机EL元件21而是专门流向保持电容器24。
随后，扫描线31的电位WS在时间t4切换较低电位侧，从而写入晶体管23进入非导电状态，如图6A所示。此时，驱动晶体管22的栅极电极变为浮置状态。然而，因为栅-源电压Vgs等于驱动晶体管22的阈值电压Vth，驱动晶体管22在截止状态。因此，漏-源电流Ids不流向驱动晶体管22。
<写入期间/迁移率修正期间>
随后，如图6B所示，信号线33的电位在时间t5从偏移电压Vofs切换到视频信号的信号电压Vsig。然后扫描线31的电位WS在时间t6移向较高电位侧。由于该操作，如图6C所示，写入晶体管23进入导电状态，以取样视频信号的信号电压Vsig，并且在像素20中写入该取样电压。
由于写入晶体管23写入信号电压Vsig，驱动晶体管22的栅极电位Vg变为信号电压Vsig。在驱动晶体管22由视频信号的信号电压Vsig的驱动中，驱动晶体管22的阈值电压Vth与保持在保持电容器24中并且等于阈值电压Vth的电压彼此抵消，从而执行了阈值修正。稍后将描述阈值修正的原理。
此时，有机EL元件21在最初的截止状态(高电阻状态)。因此，根据视频信号的信号电压Vsig，通过驱动晶体管22从电源线32提供的电流(漏-源电流Ids)流入有机EL元件21的寄生电容器Cel，并且因此开始寄生电容器Cel的充电。
由于该寄生电容器Cel的充电，驱动晶体管22的源极电位Vs随着时间的流逝而升高。此时，已经修正了驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化，并且驱动晶体管22的漏-源电流Ids取决于驱动晶体管22的迁移率μ。
不久，驱动晶体管22的源极电位Vs升高到电位Vofs-Vth+ΔV。此时，驱动晶体管22的栅-源电压Vgs等于Vsig-Vofs+Vth-ΔV。具体地讲，源极电位Vs的升高量ΔV用作从保持在保持电容器24的电压(Vsig-Vofs+Vth)减去电位ΔV。换言之，该电位升高用作在保持电容器24中释放电荷，其等于负反馈。因此，源极电位Vs的升高量ΔV等于负反馈的反馈量。
通过对驱动晶体管22的栅极输入，即对栅-源电压Vgs，进行流经驱动晶体管22的漏-源电流Ids的负反馈，来执行用于抵消驱动晶体管22的漏-源电流Ids对迁移率μ的依赖的迁移率修正，即用于修正像素到像素的迁移率μ的变化的迁移率修正。
更具体地讲，当视频信号的信号电压Vsig较高时，漏-源电流Ids较大，并且因此负反馈的反馈量(修正量)ΔV的绝对值也较大。因此，进行取决于发光亮度水平的迁移率修正。此外，当视频信号的信号电压Vsig不变时，因为驱动晶体管22的更高的迁移率μ，提供负反馈的反馈量ΔV的更大的绝对值，所以可以消除像素之间的迁移率μ的变化。稍后将描述迁移率修正的原理。
<发光期间>
随后，扫描线31的电位WS在时间t7移向较低的电位侧，从而写入晶体管23进入非导电状态，如图6D所示。这将驱动晶体管22的栅极电极与信号线33隔离。同时，漏-源电流Ids开始流动通过有机EL元件21，这根据漏-源电流Ids升高了有机EL元件21的阳极电位。
有机EL元件21的阳极电位的升高等于驱动晶体管22的源极电位Vs的升高。与驱动晶体管22的源极电位Vs的升高相关联，由于保持电容器24的自举操作，驱动晶体管22的栅极电位Vg也升高。栅极电位Vg的升高量等于源极电位Vs的升高量。因此，在发光期间，驱动晶体管22的栅-源电压Vgs保持恒定在Vsig-Vofs+Vth-ΔV。在时间t8，信号线33的电位从视频信号的信号电压Vsig切换到偏移电压Vofs。
(阈值修正的原理)
下面将描述对驱动晶体管22阈值修正的原理。因为驱动晶体管22设计成在饱和区域运行，所以其运行为恒定电流源。因此，由等式(1)表示的恒定漏-源电流(驱动电流)Ids从驱动晶体管22提供给有机EL元件21。
Ids＝(1/2)·μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)2    (1)
在等式(1)中，W表示驱动晶体管22的沟道宽度，L表示其沟道长度，而Cox表示单位面积的栅极电容。
图7示出了驱动晶体管22相对于栅-源电压Vgs的漏-源电流Ids的特性。如该特性图所示，除非进行针对驱动晶体管22的阈值电压Vth变化的修正，否则相同的电压Vgs提供不同的电流Ids。具体地讲，当阈值电压Vth为Vth1时，对应于栅-源电压Vgs的漏-源电流Ids为Ids1。另一方面，当当阈值电压Vth为Vth2(Vth2＞Vth1)时，对应于栅-源电压Vgs的漏-源电流Ids为Ids2(Ids2＜Ids1)。就是说，如果驱动晶体管22在阈值电压Vth上有变化，则即使在栅-源电压Vgs不变时，漏-源电流Ids也变化。
相反，在具有上述构造的像素(像素电路)20中，驱动晶体管22的栅-源电压Vgs在发光状态中为Vsig-Vofs+Vth-ΔV，如上所述。因此，漏-源电流Ids由等式(2)表示，其通过在等式(1)中用该电压取代Vgs获得。
Ids＝(1/2)·μ(W/L)Cox(Vsig-Vofs-ΔV)2    (2)
就是说，抵消了驱动晶体管22的阈值电压Vth的条件，并且因此从驱动晶体管22提供给有机EL元件21的漏-源电流Ids不取决于驱动晶体管22的阈值电压Vth。结果，即使由于驱动晶体管22在制造工艺上变化和驱动晶体管22随时间改变，当驱动晶体管22的阈值电压Vth变化时，漏-源电流Ids也不变化，并且因此有机EL元件21的发光亮度也不变化。
(迁移率修正的原理)
下面将描述驱动晶体管22迁移率修正的原理。图8示出了像素A和像素B之间比较的特性曲线，像素A中驱动晶体管22的迁移率μ相对高，而像素B中驱动晶体管22的迁移率μ相对低。如果驱动晶体管22由多晶硅薄膜晶体管等形成，则与像素A和像素B之间的迁移率差异一样，像素之间必然产生迁移率μ的变化。
如果，例如在像素A和像素B之间迁移率μ不同的状态下，相同水平的输入信号电压Vsig写入到像素A和B，则没有修正迁移率μ在迁移率μ高的像素A中流过的漏-源电流Ids1’与在迁移率μ低的像素B中流过的漏-源电流Ids2’之间产生很大的差别。由迁移率μ变化引起的在像素之间产生如此大的漏-源电流Ids的差别将降低屏幕的均匀性。
从上述的晶体管特性等式(1)显然可见，越高的迁移率μ提供越大的漏-源电流Ids。因此，迁移率μ越高，负反馈的反馈量越大。如图8所示，高迁移率μ的像素A的反馈量ΔV1大于低迁移率μ的像素B的反馈量ΔV2。因此，通过迁移率修正操作进行驱动晶体管22的漏-源电流Ids的负反馈到输入信号电压Vsig，因为越高的迁移率μ提供越高程度的负反馈，所以可以抑制迁移率μ的变化。
具体地讲，由于对高迁移率μ的像素A通过反馈量ΔV1修正，其中的漏-源电流Ids从Ids1’大大降低到Ids1。另一方面，因为低迁移率μ的像素B的反馈量ΔV2很小，所以其中的漏-源电流Ids的减少不很大：从Ids2’到Ids2。结果，像素A的漏-源电流Ids1和像素B的漏-源电流Ids2变为几乎彼此相等，从而修正了迁移率μ的变化。
概述上面的情况，当像素A和像素B具有不同的迁移率μ时，高迁移率μ的像素A的反馈量ΔV1大于低迁移率μ的像素B的反馈量ΔV2。就是说，在较高迁移率μ的像素中，反馈量ΔV较大，并且因此漏-源电流Ids的减少量较大。因此，通过驱动晶体管22的漏-源电流Ids对输入信号电压Vsig的负反馈，在具有不同迁移率μ的像素中漏-源电流Ids的电流值相等。结果，可以修正迁移率μ上的变化。
关于图9A至9C的使用，下面将描述视频信号的信号电位(取样电位)Vsig与图2所示像素(像素电路)中驱动晶体管22的漏-源电流Ids之间的关系，其中关联存在/缺少阈值修正和迁移率修正。
图9A示出了既没有进行阈值修正也没有进行迁移率修正的情况。图9B示出了没有进行迁移率修正而只进行了阈值修正的情况。图9C示出了进行了阈值修正和迁移率修正的情况。如图9A所示，如果既没有进行阈值修正也没有进行迁移率修正，则由像素A和B之间阈值电压Vth和迁移率μ的变化引起的像素A和B之间出现漏-源电流Ids上很大差别。
相反，如果只进行了阈值修正，则漏-源电流Ids上的变化可以由阈值修正减少到一定程度，如图9B所示。然而，仍然保留像素A和B之间迁移率μ的变化引起的像素A和B之间漏-源电流Ids的差别。
如果进行了阈值修正和迁移率修正，如图9C所示，则可以基本上消除像素A和B之间阈值电压Vth和迁移率μ的变化引起的像素A和B之间漏-源电流Ids的差别。因此，在任何灰阶(grayscale)不出现有机EL元件21的亮度上的变化，这可以提供具有良好图像质量的显示器。
(本实施例的有利效果)
(在自举操作上的问题)
下面将采用展示像素20等效电路的图10描述在自举操作上的问题。
在图10中，Cs表示保持电容器24的电容，Cgs表示驱动晶体管22的栅极和源极之间寄生电容器的电容，Cgd表示驱动晶体管22的栅极和漏极之间寄生电容器的电容，而Cd表示写入晶体管23的栅极和漏/源极之间寄生电容器的电容。如果驱动晶体管22的源极电位Vs的升高量表示为ΔVs，而其栅极电位Vg的升高量表示为ΔVg，则驱动晶体管22的栅极电位Vg的升高量ΔVg与其源极电位Vs的升高量ΔVs的比率，即自举比Gbst，由等式(3)表示。
Gbst＝ΔVg/ΔVs＝{(Cs+Cgs)/(Cs+Cgs+Cgd+Cd)}    (3)
在自举操作中，如果自举比Gbst很低，栅极电位Vg的升高量ΔVg相对于源极电位Vs的升高量ΔVs很小，并且因此栅-源电压Vgs降低，并且变为低于对应于通过写入晶体管23写入的保持在保持电容器24中的信号电压Vsig的电压。
这导致保证必要电流作为施加给有机EL元件21的驱动电流Ids的失败，该必要电流即对应于写入晶体管23写入的视频信号的信号电压Vsig的电流，这导致亮度的降低。因此，产生亮度的不均匀，其引起图像质量的变坏。
从等式(3)明显可见，自举比Gbst由连接到驱动晶体管22栅极的保持电容器24的电容Cs和寄生电容Cgs、Cgd和Cd决定。这些电容Cs、Cgs、Cgd和Cd越高，自举比Gbst越高。
[本实施例的特征]
本实施例的特征是保持电容器24的电容Cs增加而不增加保持电容器24电极的面积，即不增加保持电容器24的尺寸，这是因为上述原因(在相关技术描述中所描述的原因)，以由此在有限像素尺寸的条件下设计出高自举比Gbst来提高图像质量。
具体地讲，在本实施例中，对于保持电容器24，由金属组成的第一电极以这样的方式夹置在都由金属构成的第二和第三电极之间，使得第二和第三电极面对第一电极的各个表面。因此，第一电容器24-1形成在第一和第二电极之间，而第二电容器24-2形成在第一和第三电极之间。这些第一和第二电容器24-1和24-2彼此并联电连接。
图11是展示像素20中各电路元件连接关系包括保持电容器24(第一和第二电容器24-1和24-2)的电连接的电路图。在图11中，与图2相同的部分给出相同的标号。
参照图11，保持电容器24由第一电容器24-1和第二电容器24-2组成，第一电容器24-1形成在第一电极24A和设置成面对电极24A一个表面的第二电极24B之间，而第二电容器24-2形成在第一电极24A和设置成面对电极24A的另一表面的第三电极24C之间。这些第一和第二电容器24-1和24-2彼此并联电连接。
图12是展示像素20中互连层结构的平面图案示意图。参照图11和12，第二电极24B及其互连241由第一金属层形成，该第一金属层与驱动晶体管22的栅极电极的层相同。第一电极24A及其互连242由第二金属层形成，该第二金属层与驱动晶体管22的源极电极和写入晶体管23的另一个电极(漏极电极/源极电极)的层相同。第三电极24C由第三金属层形成，该第三金属层与有机EL元件21的阳极电极的层相同。
第一电极24A的互连242经由用于电连接第一金属层到第二金属层的接触25连接到驱动晶体管22的栅极电极。第二电极24B的互连241经由用于电连接第一金属层到第二金属层的接触26连接到驱动晶体管22的源极电极。在第二金属层中的驱动晶体管22的源极电极经由接触27电连接到在第三金属层中的有机EL元件21的阳极电极。
从该电连接关系明显可见，保持电容器24通过采用第一电极24A、第二电极24B和第三电极24C形成，第一电极24A由第二金属层形成，在与驱动晶体管22的栅极电极电位相同的电位；第二电极24B由第一金属层形成，在与驱动晶体管22的源极电极电位相同的电位；而第三电极24C由第三金属层形成，在与驱动晶体管22的源极电极电位相同的电位。
保持电容器24的第二电极24B与驱动晶体管22的栅极电极尽管都由第一金属层形成，但是它们的电位不同。此外，保持电容器24的第一电极24A与驱动晶体管22的源极电极尽管都由第二金属层形成，但是它们的电位不同。
(本实施例的有利效果)
通过采用第一、第二和第三电极24A、24B和24C来形成第一和第二电容器24-1和24-2，并且彼此并联电连接这些第一和第二电容器24-1和24-2，如果三个电极24A、24B和24C间的距离彼此相等，则保持电容器24的电容Cs与通过采用两个电极形成的保持电容器24相比可以得到提高(原理上，可以是两倍)，而不增加保持电容器24的尺寸。这允许在有限像素尺寸的条件下设计出高自举比Gbst。
因为自举比Gbst可以设定很高，并且理想地可以设定到1，所以当驱动晶体管22的源极电位Vs升高时，在自举操作中栅极电位Vg的升高量ΔVg基本上等于源极电位Vs的升高量ΔVs，并且因此栅-源电压Vgs不减少。这允许保证必要电流作为施加给有机EL元件21的驱动电流Ids。
该特征可以消除除非可以保证对应于写入晶体管23写入的视频信号的信号电压Vsig的驱动电流Ids，否则就会发生的亮度降低和伴随的亮度不均匀，而没有预期对应于自举比Gbst的电压降低来最初设计大电流作为施加给有机EL元件21的驱动电流。因此，可以提高图像质量而不增加功耗。
在有机EL显示器10采用图2所示像素构造的情况下，连接到驱动晶体管22的晶体管只有写入晶体管23。因此，与专利文献1(日本专利申请公开第2006-133542号)等所描述的有机EL显示器相比，连接到驱动晶体管22的晶体管数量更少。因此，连接到驱动晶体管22的栅极电极的寄生电容相应降低，并且因此自举比Gbst倾向于降低。因此，对于采用图2的像素构造的有机EL显示器10，用于增加保持电容器24的电容Cs而不增加保持电容器24的尺寸的技术特别有效。
(本实施例的其它有利效果)
即使不需要增加保持电容器24的电容Cs，通过采用三个电极24A、24B和24C形成第一和第二电容器24-1和24-2，并且将这些第一和第二电容器24-1和24-2彼此并联电连接，如果三个电极24A、24B和24C间的距离彼此相等，则与通过采用两个电极形成的存储电容24相比，保持电容器24的电极面积也可以减少。在原理上，该面积可以减少至一半。
保持电容器24的电极面积可以减少的特征等同于保持电容器24的尺寸可以减少的特征，并且因此可以有助于像素20的最小化。此外，如果保持电容器24的电极面积减少同时保持像素尺寸而没有最小化像素20，则减少了保持电容器24的电极面积与像素20总面积的比率。因此，即使例如在制造工艺中金属灰尘等进入了像素20时，也能够抑制由于金属灰尘等引起的保持电容器24的电极与另一金属互连之间的短路和因此像素20中故障的发生，这可以提高产量。
(工作实例)
下面将描述具体工作实例。图13是沿着图12中的A-A’线的截面图，展示了根据本发明一个工作实例的保持电容器24的结构。在图13中，与图3相同的部分给出相同的标号。
如图13所示，保持电容器24通过采用第二电极24B、第一电极24A和有机EL元件21的阳极电极205形成。第二电极24B由透明绝缘基板例如玻璃基板201上的第一金属层的图案形成。第一电极24A由第二金属层的图案形成，该第二金属层的图案设置在第二电极24B之上，其间有绝缘膜202。阳极电极205由第三金属层的图案形成，该第三金属层的图案设置在第一电极24A之上，其间有绝缘保护膜211。
有机EL元件21的阳极电极205的相对第一电极24A的局部部分(区域)用作第三电极24C。第一电容器24-1形成在第二电极24B和第一电极24A之间，而第二电容器24-2形成在第一电极24A和第三电极24C之间。如上所述，这些第一和第二电容器24-1和24-2彼此并联电连接，以便形成保持电容器24。
本工作实例的特征是，最初提供在绝缘保护膜211和第三金属层之间的绝缘平坦化膜203从第一电极24A面对第三电极24C的区域(由图12中点划线围绕的区域243)部分去除。
对于绝缘平坦化膜203的该部分去除，用于形成绝缘平坦化膜203的构图掩模制造成具有对应于保持电容器24区域提供孔的图案。这允许在形成绝缘平坦化膜203的图案中绝缘平坦化膜203从第一电极24A面对第三电极24C的区域去除，而不增加步骤数量。
通过如此从第一电极24A面对第三电极24C的区域去除绝缘平坦化膜203，两个电极24A和24C之间的距离d1可以减少到等于绝缘保护膜211的膜厚度的值。众所周知，电容与两个电极的面积成比例，而与两个电极之间的距离成反比。
因此，由于第一与第三电极24A和24C之间距离d1的减少，在电极24A和24C之间形成的第二电容器24-2的电容可以增加到与在第一和第二电极24A和24B之间形成的第一电容器24-1的电容几乎相同的电容，与在电极24A和24C之间存在通常厚度为绝缘保护膜211的厚度的几倍的绝缘平坦化膜203的情况不同。
本工作实例将与图14所示的相关技术比较，其中保持电容器24通过采用第二金属层的第一电极24A和相对于第一电极24A的第一金属层的局部部分(第二电极24B)来形成。该比较基于图12所示第一电极24A的面积等于图14所示的第一电极24A的面积的假设。
根据该比较，本工作实例允许保证约为图14所示相关技术的电容两倍的电容作为保持电容器24的电容Cs，这是因为通过从第一电极24A面对第三电极24C的区域去除绝缘平坦化膜203，在第一和第三电极24A和24C之间形成的第二电容器24-2可以增加到与在第一和第二电极24A和24B之间形成的第一电容器24-1的电容几乎相同的电容。
(制造保持电容器的方法)
下面将采用图15所示步骤图描述根据本工作实例制造保持电容器24的方法。在图15中，与图13中相同的部分给出相同的标号。
首先，在透明绝缘基板例如玻璃基板201上，第二电极24B形成为第一金属层的图案(步骤1)，然后绝缘膜202形成来覆盖第二电极24B(步骤2)。随后，第一电极24A形成为第二金属层的图案(步骤3)，然后绝缘保护膜211形成来覆盖第一电极24A(步骤4)。
随后，绝缘平坦化膜203通过用光致抗蚀剂制造构图掩模形成为图案。构图掩模制造成使得该掩模也形成在相对于第一电极24A的区域上，从而绝缘平坦化膜203形成为图案(步骤5)。通过如此形成绝缘平坦化膜203为图案，绝缘平坦化膜203相对于第一电极24A的局部部分可以与形成绝缘平坦化膜203的步骤的同时被去除。
随后，有机EL元件21的阳极电极205形成为第三金属层的图案(步骤6)。此时，因为绝缘平坦化膜203相对于第一电极24A的局部部分被去除，所以阳极电极205在该去除部分中形成在绝缘保护膜211上。阳极电极205下面去除绝缘平坦化膜203的局部部分用作第三电极24C。
如上所述，在形成绝缘平坦化膜203的步骤(步骤5)中，绝缘平坦化膜203从第一电极24A和第三电极24C之间的区域去除。因此，第一电极24A和第三电极24C之间的距离d1可以设定成很小，这可以增加电极24A和24C之间形成的第二电容器24-2的电容，而不增加步骤数量。
(其它工作实例)
在上述工作实例中，绝缘平坦化膜203从第一电极24A面对第三电极24C的区域被去除，来作为实施例的优选模式。然而，如图16所示，绝缘平坦化膜203不是必须从该区域去除。即使在图16的情况下，电容为对应于距离d2的第二电容器24-2可以形成在第一电极24A和第三电极24C之间，其中距离d2等于绝缘平坦化膜203的膜厚度和绝缘保护膜211的膜厚度之和。
此外，通过以上述的第二电容器24-2并联连接到第一电容器24-1的方式进行电连接，对应于第二电容器24-2的存在，可以增加通过在第一电容器24-1与第二电容器24-2之间并联产生的保持电容器24的电容Cs。
[修改实例]
在上述实施例中，作为一个实例，其特征应用于具有像素电路20的有机EL显示器10，该像素电路20的电路构造包括驱动晶体管22、写入晶体管23和保持电容器24，驱动晶体管22用于驱动有机EL元件21；写入晶体管23用于取样视频信号的信号电压Vsig，并且将其写入像素中；而保持电容器24连接在驱动晶体管22的栅极和源极之间，并且保持写入晶体管23写入的信号电压Vsig。然而，本发明不限于该应用实例。
该实施例也可以同样应用于具有任何下述像素电路的有机EL显示器：具有切换晶体管的像素电路，该切换晶体管连接在驱动晶体管22和电源线之间，并且运行为选择性从电源线给驱动晶体管22提供驱动电流；以及还具有这样的切换晶体管的像素电路，该切换晶体管及时进入导电状态，以由此运行为在由电流驱动有机EL元件21之前检测驱动晶体管22的阈值电压Vth，并且在保持电容器24中保持所检测的阈值电压Vth。
此外，在上述实施例中，作为一个实例，驱动方案应用于采用有机EL元件作为像素电路20中的电光元件的有机EL显示器。然而，该实施例不限于该应用实例，而是可以应用于采用发光亮度根据流过元件的电流值而变化的电流驱动电光元件(发光元件)的全部显示器。
[应用实例]
作为一个实例，根据上述实施例的显示器可以应用于图17至21所示各种电子设备。具体地讲，它可以用作任何领域中电子设备的显示器，其显示给其输入的视频信号或者其中产生的视频信号作为图像或者视频，例如数码相机、笔记本个人电脑、以移动电话为代表的便携式终端设备和视频摄像机。
通过上面实施例的描述明显可见，因为在有限的像素尺寸的条件下通过设计高自举比，根据实施例的显示器允许具有提高的图像质量而不增加功耗，所以采用根据实施例的显示器作为任何领域中电子设备的显示器所提供的优点是，在各种电子设备中以低功耗可以显示高质量的图像。
根据实施例的显示器也包括带有密封结构的模块状显示器。这样显示器的实例包括显示模块，其通过将由透明玻璃等组成的对应部分连接到像素阵列部分30而形成。该透明对应部分可以提供有滤色器、保护膜和光遮蔽膜等。该显示模块可以提供有电路部分、柔性印刷电路(FPC)等，用于从外部到像素阵列的信号等的输入或从像素阵列到外部的信号等的输出。
下面将描述应用该实施例的电子设备的实例。
图17是展示应用该实施例的电视机的透视图。该电视机包括由前面板102和滤波器玻璃103等组成的视频显示屏幕101，并且采用根据该实施例的显示器作为视频显示器屏幕101来制造。
图18A和18B是展示应用该实施例的数码相机的透视图：图18A是前侧视图，而图18B是后侧视图。该数码相机包括闪光的发光器111、显示部分112、菜单开关113和关闭按钮114等，并且通过采用根据该实施例的显示器作为显示部分112来制造。
图19是展示应用该实施例的笔记本个人电脑的透视图。该笔记本个人电脑在其主体121中包括操作字符等输入的键盘122，以及用于显示图像的显示部分123等。该笔记本个人电脑通过采用根据该实施例的显示器作为显示部分123来制造。
图20是展示应用该实施例的视频摄像机的透视图。该视频摄像机包括主体131、设置在摄像机前侧上用于捕获目标图像的镜头132、用于成像操作的开始/停止开关133和显示部分134等。视频摄像机通过采用根据该实施例的显示器作为显示部分134来制造。
图21A至21G是展示移动电话的透视图，该移动电话作为应用该实施例的便携式终端设备的实例：图21A和21B分别是开启状态的主视图和侧视图，并且图21C至21G分别是关闭状态的主视图、左侧视图、右侧视图、顶视图和仰视图。该移动电话包括上壳体141、下壳体142、连接(铰链)143、显示器144、子显示器145、图片灯146和相机147等。该移动电话通过采用根据该实施例的显示器作为显示器144和子显示器145来制造。
本领域的技术人员应当理解的是，在权利要求及其等同特征的范围内，可以根据设计需要及其它因素进行各种修改、结合、部分结合和替换。
本发明包含2007年4月9日提交日本专利局的日本专利申请JP2007-101282的相关主题，其全部内容在此引用作为参考。

Claims (6)

1、一种显示器，包括：
像素阵列部分，构造成包括布置成矩阵的像素，并且每个像素都具有：电光元件；写入晶体管，用于写入视频信号；驱动晶体管，用于根据该写入晶体管所写入的该视频信号驱动该电光元件；以及保持电容器，连接在该驱动晶体管的栅极和源极之间，其中
该保持电容器包括第一电极、设置成面对该第一电极的一个表面用于形成第一电容器的第二电极、以及设置成面对该第一电极的另一个表面用于形成第二电容器的第三电极，并且该第一电容器和该第二电容器彼此并联电连接。
2、根据权利要求1所述的显示器，其中
该像素阵列部分具有第一金属层、第二金属层和第三金属层，该第一金属层用于形成该驱动晶体管的栅极电极，该第二金属层用于形成该驱动晶体管的源极电极，并且通过介于中间的绝缘膜提供在该第一金属层之上，而该第三金属层用于形成该电光元件的阳极电极，并且通过介于中间的绝缘保护膜和绝缘平坦化膜提供在该第二金属层之上，
该第一电极由该第二金属层形成，
该第二电极由该第一金属层形成，并且
该第三电极由该第三金属层形成。
3、根据权利要求2所述的显示器，其中
在夹置在该第二金属层和该第三金属层之间的该绝缘保护膜和该绝缘平坦化膜中，该绝缘平坦化膜不位于该第一电极和该第三电极之间。
4、根据权利要求2所述的显示器，其中
该第一电极经由将该第一金属层电连接到该第二金属层的第一接触连接到该驱动晶体管的该栅极电极，并且
该第二电极经由将该第一金属层电连接到该第二金属层的第二接触连接到该驱动晶体管的该源极电极。
5、一种制造显示器的方法，该显示器包括布置成矩阵的像素，并且每个像素都具有：电光元件；写入晶体管，用于写入视频信号；驱动晶体管，用于根据该写入晶体管所写入的该视频信号驱动该电光元件；以及保持电容器，连接在该驱动晶体管的栅极和源极之间，该保持电容器包括第一电极、设置成面对该第一电极的一个表面用于形成第一电容器的第二电极、以及设置成面对该第一电极的另一个表面用于形成第二电容器的第三电极，该第一电容器和该第二电容器彼此并联电连接，该方法包括步骤：
在基板上形成用于形成该驱动晶体管的栅极电极和该第二电极的第一金属层；
在该第一金属层之上通过介于中间的绝缘膜形成用于形成该驱动晶体管的源极电极和该第一电极的第二金属层；
在该第二金属层之上通过介于中间的绝缘保护膜形成绝缘平坦化膜；以及
在该绝缘平坦化膜上形成用于形成该电光元件的阳极电极和该第三电极的第三金属层，其中
在该绝缘平坦化膜的形成中，该绝缘平坦化膜从该第一电极和该第三电极之间的区域去除。
6、一种包括显示器的电子设备，该显示器包括：
像素，构造为布置成矩阵并且每个都具有：电光元件；写入晶体管，用于写入视频信号；驱动晶体管，用于根据该写入晶体管所写入的该视频信号驱动该电光元件；以及保持电容器，连接在该驱动晶体管的栅极和源极之间，其中
该保持电容器包括第一电极、设置成面对该第一电极的一个表面用于形成第一电容器的第二电极、以及设置成面对该第一电极的另一个表面用于形成第二电容器的第三电极，并且该第一电容器和该第二电容器彼此并联电连接。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102208165A (zh) * 2010-03-30 2011-10-05 索尼公司 显示装置和电子设备
CN101727812B (zh) * 2008-10-29 2012-07-11 索尼株式会社 图像显示设备和驱动图像显示设备的方法
CN108511462A (zh) * 2013-12-23 2018-09-07 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置
CN109389944A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 株式会社日本有机雷特显示器 有源矩阵显示装置
CN109643509A (zh) * 2016-09-07 2019-04-16 索尼半导体解决方案公司 显示装置和电子装置
CN110797353A (zh) * 2019-11-12 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN111739905A (zh) * 2019-03-19 2020-10-02 三星显示有限公司 显示装置
CN112489586A (zh) * 2019-09-12 2021-03-12 群创光电股份有限公司 电子装置
WO2022007185A1 (zh) * 2020-07-09 2022-01-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光电路的驱动方法及驱动装置

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008257086A (ja) * 2007-04-09 2008-10-23 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
JP5056265B2 (ja) 2007-08-15 2012-10-24 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP5157825B2 (ja) * 2008-10-29 2013-03-06 ソニー株式会社 有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP5195409B2 (ja) * 2008-12-26 2013-05-08 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の画素レイアウト方法および電子機器
JP4844634B2 (ja) * 2009-01-06 2011-12-28 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法
JP5304257B2 (ja) * 2009-01-16 2013-10-02 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP2012516456A (ja) * 2009-01-30 2012-07-19 富士フイルム株式会社 表示装置およびその駆動制御方法
JP5439837B2 (ja) 2009-02-10 2014-03-12 ソニー株式会社 表示装置
JP5736114B2 (ja) 2009-02-27 2015-06-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法、電子機器の駆動方法
JP2010249935A (ja) * 2009-04-13 2010-11-04 Sony Corp 表示装置
US8743095B2 (en) * 2009-09-30 2014-06-03 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic apparatus and display panel
CN102144293B (zh) 2009-11-27 2015-01-07 松下电器产业株式会社 发光显示装置
WO2011070929A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
JP5720100B2 (ja) * 2010-02-19 2015-05-20 セイコーエプソン株式会社 発光装置、画素回路の駆動方法および電子機器
JP5494115B2 (ja) * 2010-03-29 2014-05-14 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
US20130039455A1 (en) * 2010-04-28 2013-02-14 Satoshi Horiuchi Shift register and display device
JP2012043583A (ja) 2010-08-17 2012-03-01 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
JP5644511B2 (ja) * 2011-01-06 2014-12-24 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置及び電子機器
KR20130068714A (ko) * 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 발광효율이 향상된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
JP6225902B2 (ja) 2012-06-15 2017-11-08 ソニー株式会社 表示装置および半導体装置
TWI469123B (zh) * 2012-08-09 2015-01-11 Au Optronics Corp 顯示面板
KR101942489B1 (ko) * 2012-10-17 2019-01-28 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102079251B1 (ko) * 2013-05-21 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105230123B (zh) 2013-05-21 2020-05-05 株式会社半导体能源研究所 发光装置及照相机
JP2015028918A (ja) 2013-06-27 2015-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、カメラ
JP2015025978A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 駆動回路、表示装置、及び駆動方法
US9939262B2 (en) * 2013-08-20 2018-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and camera
JP6479375B2 (ja) 2013-09-19 2019-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6164059B2 (ja) * 2013-11-15 2017-07-19 ソニー株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の駆動方法
JP6330220B2 (ja) * 2014-03-27 2018-05-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置、電子機器および基板
CN104240639B (zh) * 2014-08-22 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
JP6433234B2 (ja) * 2014-10-14 2018-12-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102312557B1 (ko) * 2014-10-22 2021-10-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160072406A (ko) * 2014-12-15 2016-06-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 패널
CN104536223A (zh) * 2014-12-30 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其阵列基板
CN106157882B (zh) * 2015-04-24 2019-01-15 上海和辉光电有限公司 像素结构
TWI576815B (zh) 2015-12-10 2017-04-01 矽創電子股份有限公司 電源供應系統及方法
CN106022324B (zh) * 2016-08-04 2019-04-30 京东方科技集团股份有限公司 一种纹路识别显示装置
KR102595130B1 (ko) * 2017-12-07 2023-10-26 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR102652448B1 (ko) 2018-03-13 2024-03-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2020191555A1 (zh) * 2019-03-22 2020-10-01 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备、显示装置及像素结构
CN110189698B (zh) * 2019-06-28 2021-04-13 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN110534050B (zh) 2019-09-19 2023-04-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示设备
KR102632710B1 (ko) * 2019-12-10 2024-02-02 엘지디스플레이 주식회사 화소 구동 회로를 포함한 전계발광 표시장치
SG10201913763WA (en) * 2019-12-30 2021-04-29 Sensetime Int Pte Ltd Image processing methods and apparatuses, electronic devices, and storage media
KR102354311B1 (ko) * 2020-02-28 2022-01-24 펌텍코리아(주) 내용물이 외부로 보이는 화장품 용기
KR102448029B1 (ko) * 2020-06-11 2022-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59119390A (ja) * 1982-12-25 1984-07-10 株式会社東芝 薄膜トランジスタ回路
US4914546A (en) * 1989-02-03 1990-04-03 Micrel Incorporated Stacked multi-polysilicon layer capacitor
US5366917A (en) * 1990-03-20 1994-11-22 Nec Corporation Method for fabricating polycrystalline silicon having micro roughness on the surface
JP3093604B2 (ja) * 1994-06-20 2000-10-03 キヤノン株式会社 液晶表示装置
JP2001109404A (ja) 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
US6245602B1 (en) * 1999-11-18 2001-06-12 Xerox Corporation Top gate self-aligned polysilicon TFT and a method for its production
JP2002032057A (ja) 2000-05-08 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US20020032057A1 (en) * 2000-09-11 2002-03-14 Kazuyuki Ebihara Game-program distribution system
JP4137454B2 (ja) * 2001-01-17 2008-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器及び発光装置の作製方法
US6825496B2 (en) * 2001-01-17 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6747217B1 (en) * 2001-11-20 2004-06-08 Unisys Corporation Alternative to through-hole-plating in a printed circuit board
JP3964223B2 (ja) * 2002-02-15 2007-08-22 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ装置
JP2003241587A (ja) 2002-02-20 2003-08-29 Murata Mach Ltd カートリッジ及び画像形成装置
JP3613253B2 (ja) 2002-03-14 2005-01-26 日本電気株式会社 電流制御素子の駆動回路及び画像表示装置
JP3750616B2 (ja) 2002-03-05 2006-03-01 日本電気株式会社 画像表示装置及び該画像表示装置に用いられる制御方法
JP3970110B2 (ja) * 2002-06-27 2007-09-05 カシオ計算機株式会社 電流駆動装置及びその駆動方法並びに電流駆動装置を用いた表示装置
KR100497246B1 (ko) * 2003-04-01 2005-06-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
JP3772889B2 (ja) * 2003-05-19 2006-05-10 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置およびその駆動装置
US7816863B2 (en) 2003-09-12 2010-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing the same
JP4529467B2 (ja) * 2004-02-13 2010-08-25 ソニー株式会社 画素回路および表示装置
KR100573071B1 (ko) * 2004-04-12 2006-04-24 주식회사 효성 폴리에스테르 저 교락 멀티필라멘트 사 및 그 제조 방법
KR100859970B1 (ko) * 2004-05-20 2008-09-25 쿄세라 코포레이션 화상표시장치 및 그 구동방법
KR101026807B1 (ko) * 2004-06-09 2011-04-04 삼성전자주식회사 표시 장치용 구동 장치 및 표시판
JP2006133542A (ja) * 2004-11-08 2006-05-25 Sony Corp 画素回路及び表示装置
JP2006138960A (ja) 2004-11-10 2006-06-01 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法並びに投射表示装置
US7675582B2 (en) * 2004-12-03 2010-03-09 Au Optronics Corporation Stacked storage capacitor structure for a thin film transistor liquid crystal display
JP4923410B2 (ja) 2005-02-02 2012-04-25 ソニー株式会社 画素回路及び表示装置
JP2006215275A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Sony Corp 表示装置
JP2006258923A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP2007005173A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP5647757B2 (ja) 2005-06-30 2015-01-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、発光装置、モジュール、及び電子機器
JP2007012411A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
WO2007013646A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
EP1758072A3 (en) * 2005-08-24 2007-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
CN102176299B (zh) * 2005-12-02 2013-07-17 株式会社半导体能源研究所 发光器件的驱动方法
JP2008257086A (ja) 2007-04-09 2008-10-23 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101727812B (zh) * 2008-10-29 2012-07-11 索尼株式会社 图像显示设备和驱动图像显示设备的方法
CN102208165A (zh) * 2010-03-30 2011-10-05 索尼公司 显示装置和电子设备
CN108511462A (zh) * 2013-12-23 2018-09-07 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示装置
CN109643509B (zh) * 2016-09-07 2021-06-08 索尼半导体解决方案公司 显示装置和电子装置
CN109643509A (zh) * 2016-09-07 2019-04-16 索尼半导体解决方案公司 显示装置和电子装置
US11778862B2 (en) 2016-09-07 2023-10-03 Sony Semiconductor Solutions Corporation Display device and electronic device including capacitors connected to anode electrode of light emitting unit
CN113314574A (zh) * 2016-09-07 2021-08-27 索尼半导体解决方案公司 显示装置
CN113270464A (zh) * 2016-09-07 2021-08-17 索尼半导体解决方案公司 显示装置
CN109389944A (zh) * 2017-08-08 2019-02-26 株式会社日本有机雷特显示器 有源矩阵显示装置
CN111739905A (zh) * 2019-03-19 2020-10-02 三星显示有限公司 显示装置
CN111739905B (zh) * 2019-03-19 2024-05-28 三星显示有限公司 显示装置
CN112489586A (zh) * 2019-09-12 2021-03-12 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110797353A (zh) * 2019-11-12 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
US12027537B2 (en) 2019-11-12 2024-07-02 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
WO2022007185A1 (zh) * 2020-07-09 2022-01-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 发光电路的驱动方法及驱动装置

Also Published As

Publication number Publication date
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US10354581B2 (en) 2019-07-16
US20180254005A1 (en) 2018-09-06

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