CN101276707A - Mems器件和具有所述mems器件的便携式通信终端 - Google Patents

Mems器件和具有所述mems器件的便携式通信终端 Download PDF

Info

Publication number
CN101276707A
CN101276707A CNA2008100872762A CN200810087276A CN101276707A CN 101276707 A CN101276707 A CN 101276707A CN A2008100872762 A CNA2008100872762 A CN A2008100872762A CN 200810087276 A CN200810087276 A CN 200810087276A CN 101276707 A CN101276707 A CN 101276707A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
substrate
fixed electrode
support unit
actuator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008100872762A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101276707B (zh
Inventor
川久保隆
长野利彦
西垣亨彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of CN101276707A publication Critical patent/CN101276707A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101276707B publication Critical patent/CN101276707B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002—Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/001—Structures having a reduced contact area, e.g. with bumps or with a textured surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
    • H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
    • H01G5/18—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes due to change in inclination, e.g. by flexing, by spiral wrapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2041—Beam type
    • H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/01—Switches
    • B81B2201/012—Switches characterised by the shape
    • B81B2201/014—Switches characterised by the shape having a cantilever fixed on one side connected to one or more dimples
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H57/00—Electrostrictive relays; Piezoelectric relays
    • H01H2057/006—Micromechanical piezoelectric relay
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H01H2059/0072—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics with stoppers or protrusions for maintaining a gap, reducing the contact area or for preventing stiction between the movable and the fixed electrode in the attracted position

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)

Abstract

本发明提供一种MEMS器件和具有所述MEMS器件的便携式通信终端。具体地说，提供一种工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件成为可能。一种MEMS器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的支撑单元；设置在所述衬底上的固定电极；致动器，其包括第一电极、形成于所述第一电极上的第一压电膜以及形成于所述第一压电膜上的第二电极，利用所述支撑单元将所述致动器的一端固定到所述衬底上，所述致动器在连接所述支撑单元和所述固定电极的方向上延伸，所述第一电极被设置成面对所述固定电极；以及止动器单元，其设置在连接所述支撑单元和所述固定电极的直线上，并且设置在所述衬底上，以面对所述第一电极。

Description

MEMS器件和具有所述MEMS器件的便携式通信终端
相关申请的交叉引用
本申请基于2007年3月27日在日本提交的在先日本专利申请No.2007-82045并要求享有其优先权权益，在此通过引用并入其全部内容。
技术领域
本发明涉及一种MEMS器件和包括该MEMS器件的便携式通信终端。
背景技术
预计利用了半导体工艺的MEMS(微机电系统)会应用于各种领域中。例如，在高频电路领域中，极有可能将MEMS器件用作RF开关和可变电容器。
用于高频波的MEMS开关被粗略分成DC接触MEMS开关类和电容性开关类，其中DC接触MEMS开关可用于DC和高频波，并且每个都具有互相欧姆接触的两个触点，电容性开关仅可用在10GHz或更高的高频，并且每个都具有两个经由薄电介质膜而彼此接触的接触点。由于消费型便携式无线装置通常使用500MHz到5GHz的频带，因此DC接触MEMS开关使用的越来越多。
作为DC接触MEMS开关的相关驱动机构，大多数采用静电驱动机构。这是因为静电驱动机构材料和结构简单，而且用静电驱动机构易于进行处理。静电驱动机构的典型结构具有形成于衬底上且被电介质膜覆盖的固定电极。用于欧姆接触的接触电极也形成于衬底上，并设置导电活动梁(movable beam)，该导电活动梁利用弱弹簧桥接固定电极的上部和接触电极。在固定电极和活动梁之间施加电压以产生静电力。接触电极和活动梁的活动电极通过静电力彼此吸引，并使它们彼此欧姆接触。通过这种方式打开和闭合开关。
图14示意性地示出了活动梁的弹性力、静电力以及二力之和。为了保持MEMS开关的隔离，必须将活动梁移动2μm到3μm。不过，静电驱动力与接触电极和活动电极之间的距离的平方成反比迅速减小。因此，弹簧常数变得较小，一直需要20V或更大的高电压作为静电驱动电压。在使接触电极和活动梁的活动电极彼此接触时，产生了强接触压力。不过，分离过程仅取决于弹性力，这导致了如下问题：分离力(separation force)非常微弱，接触点是固定的且可靠性低。总地来说，静电驱动的MEMS开关具有接触压力大的优点，但具有驱动电压高且分离力弱的缺点。
同时，已经提出用压电驱动系统作为MEMS驱动机构。压电驱动系统具有活动梁中的电极膜之间插置的压电膜，作为压电驱动机构。在活动梁上设置活动电极，在衬底上设置固定电极。活动梁的弹性力是活动电极和固定电极之间的距离的线性函数。图15示意性地示出了活动梁的弹性力、压电驱动力以及二力之和。压电驱动力总是与电压成正比，较低的电压可以导致压电驱动力的很大变化。不过，驱动力弱，并且接触压力和分离力也相应地较小。总地来说，压电驱动的MEMS开关具有驱动电压低的优点，但有接触压力和分离力弱的缺点。
为了解决这个问题，已经提出了同时采用静电力和压电力的混合驱动机构，结合了静电驱动和压电驱动的优点(参见JP-A 8-506690(特开))。JP-A 8-506690(特开)的图4示出了驱动梁的弹性力、静电驱动力、压电驱动力以及三力之和。如JP-A 8-506690(特开)的图4所示，当活动梁远离固定电极时，主要靠压电力进行驱动。当活动梁靠近固定电极时，主要由静电力进行驱动。因此，可以采用弹簧常数比仅使用两种力之一的情形中所用的弹簧常数更大的驱动梁。不过，仍然有分离力弱的问题。总地来说，同时采用静电和压电力的混合驱动MEMS开关具有驱动电压低且接触压力大的优点，但有分离力较弱的缺点。
发明内容
考虑到这些情况做出了本发明，其目的在于提供一种工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件以及包括该MEMS器件的便携式通信终端。
根据本发明的第一方面的MEMS器件包括：衬底；支撑单元，其设置在所述衬底上；固定电极，其设置在所述衬底上；致动器，其包括第一电极、形成在所述第一电极上的第一压电膜以及形成在所述第一压电膜上的第二电极，利用所述支撑单元将所述致动器的一端固定到所述衬底上，所述致动器在连接所述支撑单元和所述固定电极的方向上延伸，所述第一电极被设置成面对所述固定电极；以及止动器单元，其设置在连接所述支撑单元和所述固定电极的直线上，并且设置在所述衬底上，以面对所述第一电极。
根据本发明的第二方面的MEMS器件包括：衬底；第一和第二支撑单元，其设置在所述衬底上，彼此相隔一定距离；第一固定电极，其设置在所述衬底上的所述第一支撑单元和所述第二支撑单元之间；第二固定电极，其设置在所述衬底上的所述第一固定电极和所述第二支撑单元之间；第一接触电极，其设置在所述第一固定电极和所述第二固定电极之间；第一止动器单元，其设置在连接所述第一支撑单元和所述第二支撑单元的直线上，并且设置在所述衬底上的所述第一固定电极的与所述第一固定电极相反的一侧上；第二止动器单元，其设置在连接所述第一支撑单元和所述第二支撑单元的直线上，并且设置在所述衬底上的所述第二固定电极的与所述第一接触电极相反的一侧上；致动器，其包括第一电极、形成在所述第一电极上的第一压电膜、以及形成在所述第一压电膜上的第二电极，所述致动器具有通过所述第一和第二支撑单元固定到所述衬底上的两个端部；以及第二接触电极，其设置在所述致动器上，以面对所述第一接触电极。
根据本发明的第三方面的MEMS器件包括：衬底；第一和第二支撑单元，其设置在所述衬底上，彼此相隔一定距离；固定电极，其设置在所述衬底上的所述第一支撑单元和所述第二支撑单元之间；第一止动器单元，其设置在连接所述第一支撑单元和所述第二支撑单元的直线上，并且设置在所述衬底上的所述固定电极和所述第一支撑单元之间；第二止动器单元，其设置在连接所述第一支撑单元和所述第二支撑单元的所述直线上，并且设置在所述衬底上的所述固定电极和所述第二支撑单元之间；以及致动器，其包括第一电极、形成在所述第一电极上的第一压电膜、以及形成在所述第一压电膜上的第二电极，所述致动器具有通过所述第一和第二支撑单元固定到所述衬底上的两个端部。
根据本发明的第四方面的MEMS器件包括：衬底；支撑单元，其设置在所述衬底上；固定电极，其设置在所述衬底上；致动器，其包括第一电极、形成在所述第一电极上的第一压电膜以及形成在所述第一压电膜上的第二电极，利用所述支撑单元将所述致动器的一端固定到所述衬底上，所述致动器在连接所述支撑单元和所述固定电极的方向上延伸，所述第一电极被设置成面对所述固定电极；以及止动器单元，其设置在连接所述支撑单元和所述固定电极的直线上，并且设置在所述致动器上，以面对所述衬底。
根据本发明的第五方面的便携式通信终端包括：根据第一到第三方面中的任一个所述的MEMS器件，所述MEMS器件作为RF开关或可变电容器。
附图说明
图1为根据本发明第一实施例的MEMS器件的平面图；
图2为根据第一实施例的MEMS器件的截面图；
图3示出了根据第一实施例的MEMS器件的工作；
图4A到5B为示出了制造根据第一实施例的MEMS器件的流程的截面图；
图6为根据第一实施例的第一变型的MEMS器件的截面图；
图7为根据第一实施例的第二变型的MEMS器件的截面图；
图8为根据第一实施例的第三变型的MEMS器件的截面图；
图9为根据第二实施例的MEMS器件的截面图；
图10为根据第三实施例的MEMS器件的截面图；
图11为根据第四实施例的MEMS器件的截面图；
图12为根据第四实施例的变型的MEMS器件的截面图；
图13为根据第五实施例的便携式通信终端的方框图；
图14示出了常规静电驱动的致动器的工作；
图15示出了常规压电驱动的致动器的工作；
图16示出了作为对比例的静电和压电驱动的混合致动器的工作；
图17为根据第一实施例的第四变型的MEMS器件的平面图；以及
图18为根据第一实施例的第五变型的MEMS器件的截面图。
具体实施方式
以下为参考附图对本发明的实施例的描述。
(第一实施例)
图1为根据本发明第一实施例的MEMS器件的平面图。图2为沿图1的线A-A截取的MEMS器件的截面图。
该实施例的MEMS器件为MEMS开关。在该MEMS开关中，将固定器(anchor)2、止动器(stopper)9、固定电极10和一组RF线12固定在衬底1上。该组RF线12位于离固定器2最远的距离处。止动器9位于固定器2和该组RF线12之间。固定电极10位于止动器9和该组RF线12之间。固定电极10被固定在衬底1上并具有由电介质膜11覆盖的表面。
还设置了一端固定到固定器2的活动梁3。活动梁3为下部电极4、压电膜5、上部电极6和支撑膜7形成的堆叠结构。被固定到固定器2的一端的相对一侧上的顶端为动作端。在动作端设置了一组接触电极13，以面对设置在衬底1上的该组RF线12。当使接触电极13与RF线12接触时产生导电状态。
活动梁3形成一个压电致动器。当在下部电极4和上部电极6之间施加压电驱动电压时，压电膜5膨胀或收缩，而活动梁3向上或向下弯曲。活动梁3还可以充当静电致动器。当在固定电极10和活动梁3的下部电极4之间施加静电驱动电压时，活动梁3被吸引向衬底1。
在该实施例中，从固定器2到止动器9的距离、或从固定器2的末端到止动器9的中心的距离k1大于从止动器9到固定电极10的距离、或从止动器9的中心到固定电极10的中心的距离k2。距离k1也大于从固定电极10到RF线12的距离，或从固定电极10的中心到RF线12的中心的距离k3。距离k1还大于从止动器9到RF线12的距离，或从止动器9的中心到RF线12的中心的距离k4。
现在参考图3，详细描述该实施例的MEMS器件的工作或活动梁的动作。图3示出了根据RF线12和接触电极13之间的距离而产生的弹性力、压电力和静电力以及这些力之和。在未施加静电驱动电压和压电驱动电压的初始状态下，RF线12和接触电极13之间的距离为3μm。然后施加预定电压作为静电或压电驱动电压。在RF线12和接触电极13之间的距离大的情况下，主要靠压电力使活动梁3向下弯曲，并使之与形成于衬底1上的止动器9接触。此时，在活动梁3和覆盖固定电极10的电介质膜11之间以及在RF线12和接触电极13之间形成了小的间隔(在图3所示的情形下为0.5μm)。在活动梁3与止动器9接触之前，弹簧常数小，可以主要靠压电力，以固定器2作为支点进行致动，因为从活动梁3到用作作用点的接触电极13有长的距离。在该实施例中，当活动梁3向下弯曲时，止动器9首先与活动梁3接触。
在与止动器9接触之后，活动梁3与充当新支点的止动器9相互作用。因此，从止动器9到作为作用点的接触电极13之间的距离变得短于从固定器2到接触点13的距离，并且弹簧常数变得更大。不过，在这种状态下，在固定电极10和活动梁3的下部电极之间仅有小的间隔，电介质膜11插置在其间。因此，产生了强大的静电引力，以便将接触电极13压到RF线12上。
在撤除静电或压电驱动电压时，在接触电极13和RF线12之间产生具有大的弹簧常数的强的分离力，可以确定地使接触电极13和RF线12彼此分开。
作为对比例，制造了另一个MEMS器件。该MEMS器件与该实施例具有同样的结构，只是去除了止动器9。图16示出了对比例的MEMS器件的活动梁的动作。更具体而言，在该对比例中，当活动梁远离固定电极时，主要靠压电力驱动该MEMS器件。在活动梁靠近固定电极时，该MEMS器件主要由静电力驱动。因此，可以采用弹簧常数为使用两种力之一的情形中获得的弹簧常数的两倍大的驱动梁。不过，该对比例仍然具有分离力不是非常强的问题。总地来说，采用静电和压电力的混合驱动型MEMS开关具有驱动电压低且接触压力大的优点，但却有分离力较弱的缺点。
如上所述，在根据该实施例的MEMS器件中，在固定器2和固定电极10之间设置止动器9，从而可以执行两阶段操作，在活动梁3与止动器9接触之前致动器具有小的弹簧常数，在接触之后致动器具有大的弹簧常数。因此，能够实现工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件。于是，能够实现接触电阻低且可靠性高的静电驱动DC接触型MEMS开关。优选止动器9的位置相对于固定器2来说更靠近固定电极10。而且，优选从衬底1突出的止动器9的高度大于固定电极10和电介质膜11的总厚度。
现在参考图4A到图5B，描述制造根据该实施例的MEMS器件的方法。
首先，如图4A所示，在具有绝缘表面的衬底1上形成固定器2、止动器9、覆盖有电介质膜11的固定电极10和RF线12。固定器2、止动器9和电介质膜11的优选材料包括诸如硅的氮化物或氧化物膜等的电介质膜。可以通过公知的技术，例如光刻技术或反应离子蚀刻(RIE)技术来形成固定器2、止动器9和电介质膜11。可以由诸如Al等的布线材料或诸如Au等的贵金属来制造固定电极10和RF线12。如果采用Al，可以由RIE形成固定电极10和RF线12。如果采用诸如Au的贵金属，可以通过公知的剥离工艺等来形成固定电极10和RF线12。
如图4B所示，然后在衬底1的表面上形成牺牲层21，并通过公知的CMP(化学机械抛光)技术进行表面抛光和平坦化，直到暴露出固定器2。牺牲层21可以由能在其上针对另一种膜材料进行选择性蚀刻的无机材料、金属材料或有机材料制成。在该实施例中，牺牲层21为多晶硅层。
如图4C所示，在牺牲层21的位于RF线12上方的一个区域中形成沟槽，并在沟槽中形成接触电极13。这里，通过使用用于剥离工艺的抗蚀剂，能够以连续的方式执行如下流程：通过RIE形成沟槽的流程以及通过剥离对接触电极13进行构图的流程。或者，可以通过独立的光刻和蚀刻工艺进行图案化，以形成沟槽和接触电极13。接触电极13的优选材料包括诸如Au等的贵金属。
如图5A所示，在固定器2和牺牲层21上逐个地形成活动梁3的下部电极4、压电膜5、上部电极6和支撑膜7。用200nm厚的Al膜形成下部电极4。压电膜5为膜厚度为500nm的AlN膜，该AlN为c轴取向。用膜厚度为200nm的Au膜形成上部电极6。用膜厚度为600nm的氧化硅层形成支撑膜7。通过溅射技术加工Al、AlN和Au，通过CVD(化学气相淀积)加工氧化硅。然后通过光刻和蚀刻工艺在Al、AlN、Au和氧化硅上进行构图。
如图5B所示，然后利用XeF2气体作为蚀刻气体通过选择性蚀刻除去牺牲层21，形成混合驱动机构3。通过这种方式，制成该实施例的MEMS器件。
(第一变型)
图6为根据该实施例的第一变型的MEMS器件的截面图。该变型的混合致动器是和第一实施例的MEMS开关相同的MEMS开关，只是使止动器9和RF线12的位置互换。更具体而言，RF线12位于固定器2和固定电极10之间。止动器9位于固定电极10的与固定器2相反的一侧。将固定器2、RF线12、固定电极10和止动器9按照该顺序设置。在该变型中，将接触电极13定位成与RF线12相对。
像第一实施例那样，该变型可以提供工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件。于是，能够实现接触电阻低且可靠性高的静电驱动DC接触型MEMS开关。
(第二变型)
图7为根据该实施例的第二变型的MEMS器件的截面图。该变型的混合致动器是和第一实施例的MEMS开关相同的MEMS开关，只是使固定电极10和RF线12的位置互换。更具体而言，RF线12位于止动器9和固定电极10之间。将固定器2、止动器9、RF线12和固定电极10按照该顺序设置。在该变型中，将接触电极13定位成与RF线12相对。
像第一实施例那样，该变型能够提供工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件。于是，能够实现接触电阻低且可靠性高的静电驱动DC接触型MEMS开关。
(第三变型)
图8为根据该实施例的第三变型的MEMS器件的截面图。该变型的混合致动器是和第一变型的MEMS开关相同的MEMS开关，只是使固定电极10和RF线12的位置互换。更具体而言，RF线12位于止动器9和固定电极10之间。将固定器2、固定电极10、RF线12和止动器9按照该顺序设置。在该变型中，将接触电极13设置成与RF线12相对。
像第一变型那样，该变型能够提供工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件。于是，能够实现接触电阻低且可靠性高的静电驱动DC接触型MEMS开关。
作为图17中所示的该实施例的第四变型，可以提供多个止动器9。作为图18中所示的该实施例的第五变型，可以在活动梁3上设置止动器9，使之面对衬底。在第五变型中，当活动梁3向下弯曲时，止动器9首先与衬底1接触。
(第二实施例)
图9为根据本发明第二实施例的MEMS器件的截面图。第一实施例的MEMS器件为MEMS开关，活动梁3为悬臂梁。另一方面，在该实施例的MEMS器件中，活动梁3的两端都得到支撑。因此，在衬底1上设置彼此隔开的一对固定器2a和2b，并在衬底1上的固定器2a和固定器2b之间设置一组RF线12。在衬底1上的固定器2a和RF线12之间设置止动器9a。在衬底1上的止动器9a和RF线12之间设置固定电极10a，固定电极10a具有用电介质膜11a覆盖的表面。此外，在衬底1上的固定器2b和RF线12之间设置止动器9b，并在衬底1上的止动器9b和RF线12之间设置固定电极10b，固定电极10b具有用电介质膜11b覆盖的表面。
像第一实施例的活动梁3那样，该实施例的活动梁3具有由下部电极4、压电膜5、上部电极6和支撑膜7形成的堆叠结构。活动梁3的两端由固定器2a和2b支撑。还在活动梁3的中心设置接触电极13，作为作用点，使之面对RF线12。
如在第一实施例中那样，在该实施例中，从固定器2a到止动器9a的距离大于从止动器9a到固定电极10a的距离、从固定电极10a到RF线12的距离、以及从止动器9a到RF线12的距离。同样地，在该实施例中，从固定器2b到止动器9b的距离大于从止动器9b到固定电极10b的距离、从固定电极10b到RF线12的距离以及从止动器9b到RF线12的距离。
像第一实施例那样，具有以上结构的该实施例能够提供工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件。于是，能够实现接触电阻低且可靠性高的静电驱动DC接触型MEMS开关。
如在第一实施例的每个变型中那样，在实施例中止动器、固定电极和RF线的位置可以互换。
在该实施例中，可以像第一实施例的第四变型那样设置多个止动器9。可以像第一实施例的第五变型那样在活动梁3上设置止动器9，使之面对衬底。在这种情况下，当活动梁3向下弯曲时，止动器9首先与衬底1接触。
(第三实施例)
图10为根据本发明第三实施例的MEMS器件的截面图。该实施例的MEMS器件是与第一实施例的MEMS开关相同的MEMS开关，只是用具有双压电晶片结构的活动梁3A代替第一实施例中具有单晶物(monomorph)结构的活动梁3。该活动梁3A具有由下部电极4、第一压电膜5a、中间电极8、第二压电膜5b和上部电极6形成的堆叠结构。当向下部电极4、中间电极8和上部电极6施加压电驱动电压时，压电膜5a和5b膨胀和收缩，活动梁3A向上和向下弯曲。活动梁3A还充当静电致动器。当在固定电极10和活动梁3A的下部电极4之间施加静电驱动电压时，活动梁3A被吸引向衬底1。
像第一实施例那样，具有以上结构的该实施例能够提供工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件。于是，能够实现接触电阻低且可靠性高的静电驱动DC接触型MEMS开关。
还可以将该实施例的具有双压电晶片结构的活动梁用于第二实施例的MEMS器件和后面描述的第四实施例的MEMS器件中。
如在第一实施例的每个变型中那样，在该实施例中可以互换止动器、固定电极和RF线的位置。
在该实施例中，可以像第一实施例的第四变型那样设置多个止动器9。可以像第一实施例的第五变型那样在活动梁3上设置止动器9，使之面对衬底。在这种情况下，当活动梁3向下弯曲时止动器9首先与衬底1接触。
(第四实施例)
图11为根据本发明第四实施例的MEMS器件的截面图。该实施例的MEMS器件是可变电容器，与第一实施例的MEMS器件相同，只是省去了RF线12和接触电极13。因此，如在第一实施例中那样，在该实施例中，从固定器2到止动器9的距离大于从止动器9到固定电极10的距离。
如在第一实施例中那样，在该实施例的可变电容器中，在固定器2和固定电极10之间设置止动器9，从而可以执行致动器的两阶段操作，在活动梁3与止动器9接触之前致动器具有小的弹簧常数，而在接触之后致动器具有大的弹簧常数。因此，能够实现工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件。于是，能够实现接触容量大且可靠性高的可变电容器。在该实施例中，可以将止动器9和固定电极10的位置彼此互换。
虽然在该实施例中活动梁是悬臂梁型的，活动梁可以两端都得到支撑。在这种情况下，在固定器2a和2b之间的中点处设置表面覆盖有电介质膜11的固定电极10，并在固定电极10的两侧设置止动器9a和9b，如图12所示。
在该实施例中，可以像第一实施例的第四变型那样设置多个止动器9。可以像第一实施例的第五变型那样在活动梁3上设置止动器9，使之面对衬底。在这种情况下，当活动梁3向下弯曲时止动器9首先与衬底1接触。
(第五实施例)
图13为根据本发明第五实施例的便携式通信终端的方框图。该实施例的便携式通信终端包括可变天线(variable antenna)100、天线开关105、滤波器列110、可变低噪声放大器120、滤波器列130、正交解调器140、基带电路150、正交调制器160、激励放大器170、滤波器列180和可变功率放大器190。可变低噪声放大器120、滤波器列130和正交解调器140形成接收电路。正交调制器160、激励放大器170、滤波器列180和可变功率放大器190形成发射电路。可变低噪声放大器120具有两个可变匹配箱和低噪声放大器，而可变功率放大器具有两个可变匹配箱和功率放大器。
将第一到第三实施例之一的混合致动器用作天线开关105和滤波器列110和130的每个中的RF开关。将第四实施例的可变电容器用于可变天线100、可变低噪声放大器120和可变功率放大器190。
如上所述，在该实施例中采用了高可靠性的RF开关和可变电容器。因此，能够获得高可靠性的便携式通信终端。
如前所述，本发明的每个实施例都可以提供工作电压低、接触压力大且分离力大的MEMS器件。因此，可以提供工作电压低且接触电阻低的DC接触型高可靠性的MEMS开关和工作电压低且容量变化率大的高可靠性的可变电容器。
接触电极13可以是具有接触线或接触面的电极。RF线12并非必须是直线型的，而是可以是焊盘型(pad type)的等。在以上实施例中，每组RF线由两条RF线形成。不过，每组RF线可以由单条RF线或超过两条RF线形成。而且，RF线12并非必须是RF线，而可以是DC线。
本领域的技术人员将很容易想到其他优点和变型。因此，本发明在其更宽方面不限于这里所示出和所描述的具体细节和代表性实施例。因此，可以不脱离如所附权利要求及其等同物所限定的总的发明思想的精神和范围做出各种变型。

Claims (15)

1、一种MEMS器件，包括：
衬底；
支撑单元，其设置在所述衬底上；
固定电极，其设置在所述衬底上；
致动器，其包括第一电极、形成在所述第一电极上的第一压电膜以及形成在所述第一压电膜上的第二电极，利用所述支撑单元将所述致动器的一端固定到所述衬底上，所述致动器在连接所述支撑单元和所述固定电极的方向上延伸，所述第一电极被设置成面对所述固定电极；以及
止动器单元，其设置在连接所述支撑单元和所述固定电极的直线之上，并且设置在所述衬底上，以便面对所述第一电极。
2、根据权利要求1所述的器件，其中，从所述支撑单元到所述止动器单元的距离大于从所述止动器单元到所述固定电极的距离。
3、根据权利要求1所述的器件，其中，所述致动器还包括形成在所述第二电极上的第二压电膜和形成在所述第二压电膜上的第三电极。
4、根据权利要求1所述的器件，还包括：
第一接触电极，其设置在所述衬底上；以及
第二接触电极，其设置在所述致动器上，以便面对所述第一接触电极，
其中：
所述止动器单元设置在所述支撑单元和所述固定电极之间；并且
所述第一接触电极设置在连接所述支撑单元和所述固定电极的所述直线上，并且设置在所述固定电极的与所述止动器单元相反的一侧上。
5、根据权利要求1所述的器件，还包括：
第一接触电极，其设置在所述衬底上；以及
第二接触电极，其设置在所述致动器上，以便面对所述第一接触电极，
其中：
所述固定电极设置在所述支撑单元和所述止动器单元之间；并且
所述第一接触电极设置在连接所述支撑单元和所述固定电极的所述直线上，并且设置在所述固定电极的与所述止动器单元相反的一侧上。
6、根据权利要求1所述的器件，还包括：
第一接触电极，其设置在所述衬底上的所述止动器单元和所述固定电极之间；以及
第二接触电极，其设置在所述致动器上，以便面对所述第一接触电极。
7、根据权利要求4所述的器件，其中，从所述支撑单元到所述止动器单元的距离大于从所述止动器单元到所述第一接触电极的距离。
8、一种MEMS器件，包括：
衬底；
第一和第二支撑单元，其设置在所述衬底上，彼此相隔一定距离；
第一固定电极，其设置在所述衬底上的所述第一支撑单元和所述第二支撑单元之间；
第二固定电极，其设置在所述衬底上的所述第一固定电极和所述第二支撑单元之间；
第一接触电极，其设置在所述第一固定电极和所述第二固定电极之间；
第一止动器单元，其设置在连接所述第一支撑单元和所述第二支撑单元的直线之上，并且设置在所述衬底上的所述第一固定电极的与所述第一接触电极相反的一侧上；
第二止动器单元，其设置在连接所述第一支撑单元和所述第二支撑单元的直线之上，并且设置在所述衬底上的所述第二固定电极的与所述第一接触电极相反的一侧上；
致动器，其包括第一电极、形成在所述第一电极上的第一压电膜、以及形成在所述第一压电膜上的第二电极，所述致动器具有通过所述第一和第二支撑单元固定到所述衬底上的两个端部；以及
第二接触电极，其设置在所述致动器上，以便面对所述第一接触电极。
9、根据权利要求8所述的器件，其中：
从所述第一支撑单元到所述第一止动器单元的距离大于从所述第一止动器单元到所述第一接触电极的距离；并且
从所述第二支撑单元到所述第二止动器单元的距离大于从所述第二止动器单元到所述第一接触电极的距离。
10、根据权利要求8所述的器件，其中，所述致动器还包括形成在所述第二电极上的第二压电膜和形成在所述第二压电膜上的第三电极。
11、一种MEMS器件，包括：
衬底；
第一和第二支撑单元，其设置在所述衬底上，彼此相隔一定距离；
固定电极，其设置在所述衬底上的所述第一支撑单元和所述第二支撑单元之间；
第一止动器单元，其设置在连接所述第一支撑单元和所述第二支撑单元的直线之上，并且设置在所述衬底上的所述固定电极和所述第一支撑单元之间；
第二止动器单元，其设置在连接所述第一支撑单元和所述第二支撑单元的所述直线之上，并且设置在所述衬底上的所述固定电极和所述第二支撑单元之间；以及
致动器，其包括第一电极、形成在所述第一电极上的第一压电膜、以及形成在所述第一压电膜上的第二电极，所述致动器具有通过所述第一和第二支撑单元固定到所述衬底上的两个端部。
12、根据权利要求11所述的器件，其中：
从所述第一支撑单元到所述第一止动器单元的距离大于从所述第一止动器单元到所述固定电极的距离；并且
从所述第二支撑单元到所述第二止动器单元的距离大于从所述第二止动器单元到所述固定电极的距离。
13、根据权利要求11所述的器件，其中，所述致动器还包括形成在所述第二电极上的第二压电膜和形成在所述第二压电膜上的第三电极。
14、一种MEMS器件，包括：
衬底；
支撑单元，其设置在所述衬底上；
固定电极，其设置在所述衬底上；
致动器，其包括第一电极、形成在所述第一电极上的第一压电膜以及形成在所述第一压电膜上的第二电极，利用所述支撑单元将所述致动器的一端固定到所述衬底上，所述致动器在连接所述支撑单元和所述固定电极的方向上延伸，所述第一电极被设置成面对所述固定电极；以及
止动器单元，其设置在连接所述支撑单元和所述固定电极的直线之上，并且设置在所述致动器上，以便面对所述衬底。
15、一种包括根据权利要求1所述的MEMS器件的便携式通信终端，所述MEMS器件作为RF开关或可变电容器。
CN2008100872762A 2007-03-27 2008-03-26 Mems器件和具有所述mems器件的便携式通信终端 Expired - Fee Related CN101276707B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007082045A JP2008238330A (ja) 2007-03-27 2007-03-27 Ｍｅｍｓ装置およびこのｍｅｍｓ装置を有する携帯通信端末
JP082045/2007 2007-03-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101276707A true CN101276707A (zh) 2008-10-01
CN101276707B CN101276707B (zh) 2011-10-05

Family

ID=39793064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100872762A Expired - Fee Related CN101276707B (zh) 2007-03-27 2008-03-26 Mems器件和具有所述mems器件的便携式通信终端

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7772745B2 (zh)
JP (1) JP2008238330A (zh)
KR (1) KR100983441B1 (zh)
CN (1) CN101276707B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101533740A (zh) * 2007-12-20 2009-09-16 通用电气公司 具有导电机械停止器的mems微开关
CN102334275A (zh) * 2009-03-27 2012-01-25 阿尔卑斯电气株式会社 致动装置及输入装置
CN102543440A (zh) * 2010-10-15 2012-07-04 索尼公司 可变电容装置、天线模块及通信装置
CN103502908A (zh) * 2011-01-18 2014-01-08 拜耳知识产权有限责任公司 无框致动器设备、系统和方法
CN103732526A (zh) * 2011-06-07 2014-04-16 维斯普瑞公司 用于在集成了cmos的mems电容性器件中优化电流密度的系统和方法
CN103873009A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 太阳诱电株式会社 压电薄膜谐振器
CN104025373A (zh) * 2012-12-27 2014-09-03 英特尔公司 混合射频组件
CN105492371A (zh) * 2013-06-25 2016-04-13 美国亚德诺半导体公司 用于有源电路封装的微型机电系统(mems)装置防静摩擦的装置和方法
CN107801343A (zh) * 2017-09-29 2018-03-13 复旦大学 一种板级组装器件
CN109983556A (zh) * 2016-09-29 2019-07-05 卡文迪什动力有限公司 具有近零冲击着陆的mems rf开关
CN111817497A (zh) * 2020-07-10 2020-10-23 深圳市汇顶科技股份有限公司 控制装置和运动机构
WO2021237769A1 (zh) * 2020-05-26 2021-12-02 瑞声声学科技(深圳)有限公司 一种mems电容式开关

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4580826B2 (ja) * 2005-06-17 2010-11-17 株式会社東芝 マイクロメカニカルデバイス、マイクロスイッチ、容量可変キャパシタ、高周波回路及び光学スイッチ
WO2009006318A1 (en) 2007-06-29 2009-01-08 Artificial Muscle, Inc. Electroactive polymer transducers for sensory feedback applications
US20090135541A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Actuator and electronic circuit based thereon
WO2009067222A1 (en) * 2007-11-19 2009-05-28 Xcom Wireless, Inc. Microfabricated cantilever slider with asymmetric spring constant
JP2009194291A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Toshiba Corp アクチュエータ
JP2009291030A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Toshiba Corp Ｍｅｍｓ可変キャパシタ
FI20086138A0 (fi) * 2008-11-27 2008-11-27 Valtion Teknillinen Menetelmä äänen tuottamiseksi
JP5407842B2 (ja) * 2009-12-24 2014-02-05 富士通株式会社 可変インダクタおよびチューナブル高周波デバイス
JP5506035B2 (ja) * 2010-02-23 2014-05-28 富士フイルム株式会社 アクチュエータの製造方法
JP5418316B2 (ja) 2010-03-11 2014-02-19 富士通株式会社 Ｍｅｍｓデバイス
JPWO2011132532A1 (ja) * 2010-04-23 2013-07-18 株式会社村田製作所 圧電アクチュエータおよび圧電アクチュエータの製造方法
JP4874419B1 (ja) * 2010-12-03 2012-02-15 株式会社アドバンテスト スイッチ装置および試験装置
KR20140008416A (ko) 2011-03-01 2014-01-21 바이엘 인텔렉쳐 프로퍼티 게엠베하 변형가능한 중합체 장치 및 필름을 제조하기 위한 자동화 제조 방법
WO2012131911A1 (ja) * 2011-03-29 2012-10-04 富士通株式会社 電子デバイスとその製造方法
JP5394436B2 (ja) * 2011-05-13 2014-01-22 株式会社アドバンテスト スイッチ装置、伝送路切り替え装置、製造方法、および試験装置
JP5485951B2 (ja) * 2011-07-26 2014-05-07 株式会社アドバンテスト スイッチ装置
JP5491465B2 (ja) * 2011-07-26 2014-05-14 株式会社アドバンテスト スイッチ装置、スイッチ装置の製造方法、伝送路切替装置、および試験装置
JP5466674B2 (ja) * 2011-07-26 2014-04-09 株式会社アドバンテスト スイッチ装置、伝送路切替装置、および試験装置
KR101241613B1 (ko) 2011-11-24 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 커패시터
US9048809B2 (en) 2012-01-03 2015-06-02 International Business Machines Corporation Method of manufacturing switchable filters
WO2013108705A1 (ja) * 2012-01-16 2013-07-25 アルプス電気株式会社 微小可動機構及び可変容量コンデンサ
US9876160B2 (en) 2012-03-21 2018-01-23 Parker-Hannifin Corporation Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices
TW201403899A (zh) 2012-04-12 2014-01-16 Bayer Materialscience Ag 具有改良性能之ｅａｐ傳感器
WO2013192143A1 (en) 2012-06-18 2013-12-27 Bayer Intellectual Property Gmbh Stretch frame for stretching process
US9102517B2 (en) * 2012-08-22 2015-08-11 International Business Machines Corporation Semiconductor structures provided within a cavity and related design structures
JP2014052263A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 外力検出装置及び外力検出センサー
WO2014066576A1 (en) 2012-10-24 2014-05-01 Bayer Intellectual Property Gmbh Polymer diode
CN105009293B (zh) * 2013-03-14 2018-10-23 英特尔公司 基于纳米线的机械开关器件
US10081535B2 (en) 2013-06-25 2018-09-25 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for shielding and biasing in MEMS devices encapsulated by active circuitry
DE102014202763B4 (de) 2014-02-14 2016-11-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikro-Elektro-Mechanisches System und Verfahren zum Herstellen desselben
JP2015176877A (ja) * 2014-03-13 2015-10-05 株式会社東芝 Ｍｅｍｓ装置
US9604841B2 (en) 2014-11-06 2017-03-28 Analog Devices, Inc. MEMS sensor cap with multiple isolated electrodes
US10048348B2 (en) * 2015-08-05 2018-08-14 Teradyne, Inc. MEM relay assembly for calibrating automated test equipment
US10302455B2 (en) * 2015-10-09 2019-05-28 Bellutech Llc Modules, systems, and methods for monitoring environmental conditions
US9704757B1 (en) * 2016-02-25 2017-07-11 International Business Machines Corporation Fabrication of semiconductor structures
US20170283249A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Intel Corporation Piezoelectric package-integrated switching devices
DE102017200111B3 (de) * 2017-01-05 2018-03-15 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Schallwandleranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren
JP6943130B2 (ja) * 2017-10-11 2021-09-29 セイコーエプソン株式会社 Ｍｅｍｓデバイス、慣性計測装置、移動体測位装置、携帯型電子機器、電子機器、および移動体
US11011323B2 (en) 2017-12-02 2021-05-18 Bellutech Llc Sensing devices, sensors, and methods for monitoring environmental conditions

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE33691E (en) * 1984-12-21 1991-09-17 General Electric Company Piezoelectric ceramic switching devices and systems and method of making the same
US4670682A (en) * 1984-12-21 1987-06-02 General Electric Company Piezoelectric ceramic switching devices and systems and method of making the same
ATE156934T1 (de) 1993-02-18 1997-08-15 Siemens Ag Mikromechanisches relais mit hybridantrieb
US6057520A (en) * 1999-06-30 2000-05-02 Mcnc Arc resistant high voltage micromachined electrostatic switch
US6504118B2 (en) * 2000-10-27 2003-01-07 Daniel J Hyman Microfabricated double-throw relay with multimorph actuator and electrostatic latch mechanism
KR100738064B1 (ko) 2001-02-27 2007-07-12 삼성전자주식회사 비선형적 복원력의 스프링을 가지는 ｍｅｍｓ 소자
US6731492B2 (en) * 2001-09-07 2004-05-04 Mcnc Research And Development Institute Overdrive structures for flexible electrostatic switch
WO2003028059A1 (en) * 2001-09-21 2003-04-03 Hrl Laboratories, Llc Mems switches and methods of making same
JP2003242873A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Fujitsu Component Ltd マイクロリレー
US6621392B1 (en) 2002-04-25 2003-09-16 International Business Machines Corporation Micro electromechanical switch having self-aligned spacers
GB0320405D0 (en) * 2003-08-30 2003-10-01 Qinetiq Ltd Micro electromechanical system switch
JP2005160028A (ja) * 2003-10-27 2005-06-16 Nec Tokin Corp 撓み振動型エキサイタ
JP4109182B2 (ja) * 2003-11-10 2008-07-02 株式会社日立メディアエレクトロニクス 高周波ｍｅｍｓスイッチ
US7283024B2 (en) 2003-12-18 2007-10-16 Intel Corporation MEMS switch stopper bumps with adjustable height
ATE408241T1 (de) * 2003-12-22 2008-09-15 Nxp Bv Elektronische einrichtung
JP2006093463A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Toshiba Corp 圧電ｍｅｍｓ素子及びチューナブルフィルタ
JP2006179252A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Fujitsu Component Ltd スイッチデバイス
JP2006294866A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Toshiba Corp 半導体装置
JP4580826B2 (ja) * 2005-06-17 2010-11-17 株式会社東芝 マイクロメカニカルデバイス、マイクロスイッチ、容量可変キャパシタ、高周波回路及び光学スイッチ
KR100726436B1 (ko) * 2005-07-27 2007-06-11 삼성전자주식회사 정전기력 및 압전력에 의해 구동되는 멤스 스위치
JP4834443B2 (ja) * 2006-03-31 2011-12-14 株式会社東芝 圧電駆動型ｍｅｍｓアクチュエータ
JP4316590B2 (ja) * 2006-06-23 2009-08-19 株式会社東芝 圧電駆動型ｍｅｍｓアクチュエータ
US7495368B2 (en) * 2006-08-31 2009-02-24 Evigia Systems, Inc. Bimorphic structures, sensor structures formed therewith, and methods therefor
JP4220541B2 (ja) * 2006-09-22 2009-02-04 株式会社東芝 Ｍｅｍｓ装置

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101533740B (zh) * 2007-12-20 2013-11-13 通用电气公司 具有导电机械停止器的mems微开关
CN101533740A (zh) * 2007-12-20 2009-09-16 通用电气公司 具有导电机械停止器的mems微开关
CN102334275B (zh) * 2009-03-27 2014-10-29 阿尔卑斯电气株式会社 致动装置及输入装置
CN102334275A (zh) * 2009-03-27 2012-01-25 阿尔卑斯电气株式会社 致动装置及输入装置
CN102543440A (zh) * 2010-10-15 2012-07-04 索尼公司 可变电容装置、天线模块及通信装置
CN103502908A (zh) * 2011-01-18 2014-01-08 拜耳知识产权有限责任公司 无框致动器设备、系统和方法
CN103732526B (zh) * 2011-06-07 2016-04-06 维斯普瑞公司 用于在集成了cmos的mems电容性器件中优化电流密度的系统和方法
CN103732526A (zh) * 2011-06-07 2014-04-16 维斯普瑞公司 用于在集成了cmos的mems电容性器件中优化电流密度的系统和方法
CN103873009A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 太阳诱电株式会社 压电薄膜谐振器
US9374060B2 (en) 2012-12-18 2016-06-21 Taiyo Yuden Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator
CN103873009B (zh) * 2012-12-18 2017-07-11 太阳诱电株式会社 压电薄膜谐振器
CN104025373A (zh) * 2012-12-27 2014-09-03 英特尔公司 混合射频组件
US9251984B2 (en) 2012-12-27 2016-02-02 Intel Corporation Hybrid radio frequency component
CN104025373B (zh) * 2012-12-27 2017-08-11 英特尔公司 混合射频组件
CN105492371A (zh) * 2013-06-25 2016-04-13 美国亚德诺半导体公司 用于有源电路封装的微型机电系统(mems)装置防静摩擦的装置和方法
CN109983556B (zh) * 2016-09-29 2021-03-23 卡文迪什动力有限公司 具有近零冲击着陆的mems rf开关
CN109983556A (zh) * 2016-09-29 2019-07-05 卡文迪什动力有限公司 具有近零冲击着陆的mems rf开关
US11417487B2 (en) 2016-09-29 2022-08-16 Qorvo Us, Inc. MEMS RF-switch with near-zero impact landing
CN107801343B (zh) * 2017-09-29 2020-03-27 复旦大学 一种板级组装器件
CN107801343A (zh) * 2017-09-29 2018-03-13 复旦大学 一种板级组装器件
WO2021237769A1 (zh) * 2020-05-26 2021-12-02 瑞声声学科技(深圳)有限公司 一种mems电容式开关
CN111817497A (zh) * 2020-07-10 2020-10-23 深圳市汇顶科技股份有限公司 控制装置和运动机构
CN111817497B (zh) * 2020-07-10 2022-01-21 深圳市汇顶科技股份有限公司 控制装置和运动机构

Also Published As

Publication number Publication date
KR100983441B1 (ko) 2010-09-20
KR20080087730A (ko) 2008-10-01
US20080238257A1 (en) 2008-10-02
JP2008238330A (ja) 2008-10-09
US7772745B2 (en) 2010-08-10
CN101276707B (zh) 2011-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101276707B (zh) Mems器件和具有所述mems器件的便携式通信终端
JP3808052B2 (ja) 微細電気機械的スイッチ（ｍｅｍｓ）の製造方法
US7280014B2 (en) Micro-electro-mechanical switch and a method of using and making thereof
KR100726436B1 (ko) 정전기력 및 압전력에 의해 구동되는 멤스 스위치
JP3890952B2 (ja) 容量可変型キャパシタ装置
US7545081B2 (en) Piezoelectric RF MEMS device and method of fabricating the same
US6731492B2 (en) Overdrive structures for flexible electrostatic switch
US8018308B2 (en) Downward type MEMS switch and method for fabricating the same
EP3650698B1 (en) Micro channel structure
JP4879760B2 (ja) マイクロスイッチング素子およびマイクロスイッチング素子製造方法
KR20030073432A (ko) 멤스소자 및 그의 제작방법
CN101983412A (zh) Mems开关及其制造方法
JP4820816B2 (ja) 微小電気機械素子およびこれを用いた電気機械スイッチ
EP1672661A2 (en) MEMS switch and method of fabricating the same
US7960900B2 (en) Assembly of a microswitch and of an acoustic resonator
CN103843089A (zh) 具有可动电极的可动电气设备
JP4721045B2 (ja) 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器
US9287050B2 (en) MEMS and method of manufacturing the same
US20140284730A1 (en) Mems device and method of manufacturing the same
KR100323715B1 (ko) 마이크로 스위치 및 그 제조방법
KR100520891B1 (ko) 잔류응력 및 압전구동력을 이용한 초소형 전기 기계시스템 고주파 스위치
CN102456485A (zh) 一种适用于高频应用的微机电开关和制造方法
KR100773005B1 (ko) 격벽 작동형 마이크로 전기 기계 스위치
JP2010123353A (ja) Ｍｅｍｓスイッチ
JP2008300301A (ja) マイクロスイッチ及びその駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20111005

Termination date: 20140326