JP5407842B2 - 可変インダクタおよびチューナブル高周波デバイス - Google Patents

Description

本発明は、基板上に形成される可変インダクタおよびチューナブル高周波デバイスに関する。

近年、携帯電話をはじめとする移動体通信機器の市場が拡大している。そして、移動体通信機器は、ユーザへ多様なサービスを提供することが求められ、より高機能化してきている。

それに伴って、移動体通信機器が使用する周波数は、次第にＧＨｚ以上の高い周波数にシフトし、多チャンネル化していく傾向にある。

その場合に、移動体通信機器に搭載される周波数フィルターなどの信号処理回路を複数の周波数に対応させる必要がある。

そのようなニーズから、例えば、小型通過帯域可変フィルターなどのＭＥＭＳデバイスが開発されている。小型通過帯域可変フィルターは、基本的にはインダクタ（コイル）とキャパシタ（コンデンサ）とを組み合わせた回路で構成されており、通過させたい周波数帯域の電磁波を共振回路によって抽出するものである。

さて、従来の小型通過帯域可変フィルターにおける共振回路は、可変でない固定のインダクタと可変キャパシタとで構成されることが一般的であった。

本来、キャパシタだけでなくインダクタも可変のものを用いて共振回路を構成する方が、設計自由度が高まるので好ましいが、Ｑ値が高く性能のよい可変インダクタを製造することは容易でなく、その開発手法がいまだ十分に確立されていなかったことなどが理由である。

そうした中で、回路に接続するコイル部分を切り替えられるようにしてインダクタンスを変えられるようにしたＭＥＭＳインダクタが提案されている（特許文献１）
その他にも、ＭＥＭＳプロセスによって作製される立体コイルが提案されている（特許文献２）。

特開２００８−１６６５９３ 特開２００５−２４３９０

さて、特許文献１に記載されているＭＥＭＳインダクタは、基板をくり抜くようにしてらせん状に巻かれたコイルの内部に信号線およびインダクタを切り替えるためのスイッチング素子が設けられている。そのため、これらとコイルとの間に生じる寄生（浮遊）容量が問題となる。また、スイッチング動作がコイルと信号線とを直接に接触させまたは離間させる、いわゆるホットスイッチによって行われるため、接触部分の耐久性も問題となる。

本発明は、このような問題点に鑑み、インダクタンスの調整が容易でかつ性能のよい可変インダクタなどを提供することを目的とする。

ここで述べる可変インダクタは、基板上に形成される可変インダクタであって、第１の信号線路と、複数の信号端子を有する第２の信号線路と、一層が渦巻状に巻かれて多層に形成されその巻き軸方向が前記基板の表面に対して垂直である複数のコイルと、前記信号端子とコイル端子とを１組として各組ごとに当該信号端子および当該コイル端子と対向するように配置された接点部材を含む第１の可動部材を変位させて当該接点部材を当該信号端子および当該コイル端子と接触または離間させることにより、各組ごとに当該信号端子と当該コイル端子とを接続または非接続とするための複数のスイッチと、を有し、前記複数のコイルは、互いに直列接続されることにより、一方の端部、他方の端部、および少なくとも１箇所の中間部が設けられ、前記一方の端部は前記第１の信号線路と接続され、前記他方の端部および前記中間部は、前記複数の信号端子の近傍にそれぞれ配置された前記複数のコイル端子とそれぞれ接続されてなる。

本発明によれば、インダクタンスの調整が容易でかつ性能のよい可変インダクタなどを提供することができる。

第一の実施形態における共振回路デバイスの構成例を示す斜視図である。 可変インダクタの一部を拡大して示す斜視図である。 可変インダクタの一部を拡大して示す平面図である。 信号端子およびコイル端子の変形例を示す平面図である。 スイッチの一部を拡大して示す図である。 可変キャパシタの一部を拡大して示す図である。 共振回路デバイスの等価回路図である。 ７個のスイッチを有する可変インダクタの等価回路図である。 共振回路デバイスの作製過程の例を示す図である。 共振回路デバイスの作製過程の例を示す図である。 共振回路デバイスの作製過程の例を示す図である。 共振回路デバイスの作製過程の例を示す図である。 第二の実施形態における共振回路デバイスの構成例を示す斜視図である。 整合回路デバイスの構成例を示す斜視図である。 整合回路デバイスの等価回路図である。

〔第一の実施形態〕
図１は、第一の実施形態における共振回路デバイス１０の構成例を示す斜視図である。図２は可変インダクタ３の一部を拡大して示す斜視図である。図３は可変インダクタ３の一部を拡大して示す平面図である。図４は、信号端子２ｃＴおよびコイル端子３２の変形例を示す平面図である。図５（ａ）はスイッチ４の一部を拡大して示す斜視図、図５（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。図６（ａ）は可変キャパシタ５の一部を拡大して示す斜視図、図６（ｂ）はそのＣ−Ｃ断面図である。

なお、各斜視図においては、可変インダクタ３などの動作をわかりやすくするために、細部を簡略化して示している箇所があり、その平面図および断面図と正確には一致しない箇所もある。

また、「基板１の表面」と説明する場合に、基板１の表面に形成されている各部材を含めた表面を指すことがある。例えば、基板１の表面に形成されている絶縁層１００を含めた表面を指すことがある。

図１に示すように、共振回路デバイス１０は、シリコン、ガラス、またはＬＴＣＣなどからなる基板１（図５および図６など参照）上に、信号線路２、スイッチ４−１〜４−３を有する可変インダクタ３、および可変キャパシタ５−１、５−２などが形成されてなる。

信号線路２は、基板１の表面に形成されており、いわゆるマイクロストリップラインである。

信号線路２は、高周波（ＲＦ）信号が入力される信号線路２ａ、高周波信号が出力される信号線路２ｇ、およびその間の信号線路２ｂ〜２ｆなどからなる。すなわち、信号線路２ａにおいて、信号線路２ｂ、２ｃの経路と信号線路２ｄ、２ｅ、２ｆの経路とに分岐し、信号線路２ｇにおいて、分岐した両経路が合流している。

以降において、信号線路２ｂ〜２ｆを「支線路２ｓ」と呼称することがある。

信号線路２ａは信号端子２ａＴを有しており、信号端子２ａＴの両脇にはグランド端子ＧＴａ、ＧＴｂが設けられている。つまり、高周波信号の入力端は、３端子が一列に並んだ、いわゆるＧＳＧ（Ｇｒｏｕｎｄ−Ｓｉｇｎａｌ−Ｇｒｏｕｎｄ）入力形式である。同様に、信号線路２ｇは信号端子２ｇＴを有しており、信号端子２ｇＴの両脇にはグランド端子ＧＴｃ、ＧＴｄが設けられている。グランド端子ＧＴａ〜ＧＴｄは、基板１の内部などに設けられたＲＦグランド（高周波信号についてのグランド）に接続されている。なお、グランド端子ＧＴａ〜ＧＴｄの形状によっては、これら自体をＲＦグランドとすることもできる。

なお、高周波信号の入力側および出力側を、本実施形態とは逆となるように接続してもよい。すなわち、信号線路２ｇを入力側とし、信号線路２ａを出力側としてもよい。

信号線路２ｂと信号線路２ｃとの間には、可変インダクタ３が挿入されている。ただし、信号線路２ｃは３つの信号端子２ｃＴ−１〜２ｃＴ−３を有しており、信号端子２ｃＴ−１、２ｃＴ−２、２ｃＴ−３が、それぞれ可変インダクタ３のスイッチ４−１、４−２、４−３を介して可変インダクタ３と接続されるようになっている。

信号線路２ｄと信号線路２ｅとの間には、可変キャパシタ５−１が挿入されており、信号線路２ｅと信号線路２ｆとの間には、可変キャパシタ５−２が挿入されている。

信号端子２ｃＴ−１〜２ｃＴ−３のいずれかがスイッチ４−１〜４−３を介して可変インダクタ３と接続されると、可変インダクタ３と可変キャパシタ５−１、５−２とが信号線路２によって接続され、並列型の共振回路が構成される。

以降において、３つの信号端子２ｃＴ−１〜２ｃＴ−３に共通する事項を説明する際には、単に「信号端子２ｃＴ」と表記する。同様に、３つのスイッチ４−１〜４−３に共通する事項を説明する際には、単に「スイッチ４」と表記し、２つの可変キャパシタ５−１〜５−２に共通する事項を説明する際には、単に「可変キャパシタ５」と表記する。その他の要素についても同様である。

可変インダクタ３は、コイル３１、コイル端子３２−１〜３２−３、およびスイッチ４−１〜４−３などを備える。

図２および図３を参照して、コイル３１は、金属線材がスパイラル状に所定の回数巻かれて筒状に形成されている。コイル３１の巻き軸方向は、基板１の表面に対して平行である。コイル３１の一巻きは、コイル横辺３１ａ、コイル上辺３１ｂ、コイル横辺３１ｃ、コイル下辺３１ｄの順で方形状に巻かれており、コイル下辺３１ｄは傾斜して次の一巻きのコイル横辺３１ａに接続されている。

コイル３１は、コイル下辺３１ｄのみが基板１の表面に接した状態で形成されている。コイル横辺３１ａ、３１ｃおよびコイル上辺３１ｂは、基板１に接することなく基板１の上方に形成されている。つまり、コイル３１のおよそ３／４に渡る部分は空中に形成される。よって、コイル３１と基板１および基板１上に形成されている各種素子との間の寄生容量を低く抑えることができる。そのため、コイル３１のＱ値を高くすることができる。

さらに寄生容量を減らしたい場合には、コイル３１を固定するためにコイル３１の両端部のみを基板１の表面に接した状態で形成して、スパイラル状に巻かれたその他の部分を基板１に接することなく基板１の上方に形成するとよい。つまり、コイル３１を基板１の表面から浮かせた状態で形成するとよい。

図１に戻って、コイル３１の一方の端部３１Ａは、信号線路２ｂと接続されている。また、コイル３１の中間部３１Ｂ、３１Ｃ、および他方の端部３１Ｄは、それぞれ、コイル３１の外側に引き出されるように設けられているコイル端子３２−１、３２−２、３２−３と接続されている。

図２および図３を参照して、信号端子２ｃＴは、その線幅方向の片側が切り欠かれた細長の直線状の先端部２ｃＴａを有している。同様に、コイル端子３２も、その線幅方向の片側が切り欠かれた細長の直線状の先端部３２ａを有している。本実施形態では、信号端子２ｃＴは、図３において線幅方向の左側が切り欠かれた先端部２ｃＴａを有しており、コイル端子３２は、図３において線幅方向の右側が切り欠かれた先端部３２ａを有している。信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａの高さおよびコイル端子３２の先端部３２ａの高さは互いに同程度である。

信号端子２ｃＴ−１およびコイル端子３２−１は、先端部２ｃＴａと先端部３２ａとが互いに相手方の切り欠かれた部分に入り込むように配置されている。よって、先端部２ｃＴａと先端部３２ａとは、その側面が所定の距離を隔てて互いに対向する。信号端子２ｃＴ−２とコイル端子３２−２との配置関係、および信号端子２ｃＴ−３とコイル端子３２−３との配置関係についても、信号端子２ｃＴ−１とコイル端子３２−１との配置関係と同様である。

図４（ａ）に示すように、信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａは、信号端子２ｃＴの他の部分と同じ線幅であってもよい。コイル端子３２の先端部３２ａについても同様である。また、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａは、信号端子２ｃＴの他の部分と同一直線上に存在しなくてもよい。コイル端子３２の先端部３２ａについても同様である。このように、信号端子２ｃＴおよびコイル端子３２は、少なくとも両者の先端部２ｃＴａおよび先端部３２ａの側面同士が所定の距離を隔てて互いに対向するように配置されていればよい。

図２および図３を参照して、スイッチ４は、信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａとコイル端子３２の先端部３２ａとを一組とする固定接点部ＴＳ、一対の引出電極４１ａ、４１ｂ、一対の駆動電極４２ａ、４２ｂ、一対のブリッジ柱部４３ａ、４３ｂ、およびブリッジ梁部４４を備えている。

スイッチ４は、ブリッジ柱部４３ａ、４３ｂによって両端部を支持されたブリッジ梁部４４が、固定接点部ＴＳおよび駆動電極４２ａ、４２ｂの上方を跨ぐように形成されている。つまり、ブリッジ梁部４４は、固定接点部ＴＳおよび駆動電極４２ａ、４２ｂの上面と空隙を介して対向する。

引出電極４１ａ、４１ｂは、金またはアルミニウムなどの金属材料からなり、矩形状部分と線状部分とを備えて基板１の表面に形成されている。矩形状部分は、コイル端子３２が設けられている側と反対側のコイル３１の外側に設けられている。線状部分は、２つのコイル下辺３１ｄの間を通って、駆動電極４２ａ、４２ｂに接続されるように延びている。矩形状部分には、スイッチ４を駆動させるための駆動電圧を印加可能になっている。

駆動電極４２ａ、４２ｂは、金またはアルミニウムなどの金属材料からなり、固定接点部ＴＳの両脇に設けられ、基板１の表面に形成されている。駆動電極４２ａ、４２ｂには、それぞれ引出電極４１ａ、４１ｂを介して、スイッチ４を駆動させるための駆動電圧が供給される。

なお、本実施形態では、引出電極４１ａ、４１ｂが別個に独立して設けられ、駆動電極４２ａ、４２ｂにそれぞれ異なる電圧を供給できるようになっている。これを、後述する可変キャパシタ５のように、駆動電極４２ａ、４２ｂに接続される引出電極を共通に設け、駆動電極４２ａ、４２ｂに互いに同じ電圧を供給するようにしてもよい。

図５（ｂ）を参照して、ブリッジ柱部４３ａは、シード層１０１の表面に積層して形成されている、第１柱層４３１ａ、グランド電極４３２ａ、および第２柱層４３３ａなどからなる。また、ブリッジ柱部４３ｂは、シード層１０１の表面に積層して形成されている、第１柱層４３１ｂ、グランド電極４３２ｂ、および第２柱層４３３ｂからなる。

また、信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａおよびコイル端子３２の先端部３２ａも、シード層１０１の表面に形成されている。

シード層１０１は、製造過程により上層を形成する際に必要となる金属層であり、例えばＴｉ／Ａｕ膜である。シード層１０１は、基板１の表面に形成されている絶縁層１００の表面に形成されている。

第１柱層４３１ａ、４３１ｂは、それぞれブリッジ柱部４３ａ、４３ｂの下部側を占めている金属層であり、例えば、Ａｕ膜をメッキ成長させることにより形成される。第１柱層４３１ａ、４３１ｂの高さは、コイル下辺３１ｄおよび固定接点部ＴＳの高さと同程度である。

グランド電極４３２ａ、４３２ｂは、ブリッジ梁部４４の所定の領域の電位をグランド層６ａの電位とするための電極であり、例えばＴｉ／Ａｕ膜である。グランド電極４３２ａは、第１柱層４３１ａと第２柱層４３３ａとの間、第２柱層４３３ａの内側壁、およびブリッジ梁部４４の下部側にかけて形成されている。また、グランド電極４３２ｂは、第１柱層４３１ｂと第２柱層４３３ｂとの間、第２柱層４３３ｂの内側壁、およびブリッジ梁部４４の下部側にかけて形成されている。

グランド電極４３２ａは、ビア４０２ａ、シード層１０１、および第１柱層４３１ａなどを挟んで、基板１の裏面または内部などに形成されているグランド層６ａと接続されている。また、グランド電極４３２ｂは、ビア４０２ｂ、シード層１０１、および第１柱層４３１ｂなどを挟んで、グランド層６ａと接続されている。グランド層６ａは、ＲＦグランドとは別個に設けられているＤＣグランド（駆動電圧についてのグランド）である。よって、グランド電極４３２ａ、４３２ｂは、ＤＣグランドに接続されているが、ＲＦグランドに接続されていない。ただし、ＤＣグランドとＲＦグランドとは、同じ電位となるように直接にまたはチョークコイルなどを介して接続されることもあるし、異なる電位となるように接続されることもある。

駆動電極４２ａ、４２ｂには、グランド層６ａおよびグランド電極４３２ａ、４３２ｂなどに対して正または負の電圧が駆動電圧として印加される。

第２柱層４３３ａ、４３３ｂは、それぞれブリッジ柱部４３ａ、４３ｂの上部側を占めている金属層であり、例えば、Ａｕ膜をメッキ成長させることにより形成される。第２柱層４３３ａ、４３３ｂの高さは、コイル横辺３１ａ、３１ｃの高さと同程度としてもよい。

このように、ブリッジ柱部４３ａ、４３ｂは、導電性の各部材が接合されて形成されており、各部材はいずれもグランド層６ａの電位となる。

ブリッジ梁部４４は、グランド電極４３２ａ、４３２ｂ、可動接点層４４１、および絶縁層４４２からなる。

可動接点層４４１は、固定接点部ＴＳと接触して信号端子２ｃＴとコイル端子３２との間を導通させるための金属層であり、例えばＡｕ膜である。可動接点層４４１は、固定接点部ＴＳの上面と空隙を介して対向するように、ブリッジ梁部４４の下部側の中央寄りに形成されている。

グランド電極４３２ａは、ブリッジ柱部４３ａからブリッジ梁部４４の下部側に延伸して、駆動電極４２ａの上面と空隙を介して対向するように形成されている。また、グランド電極４３２ｂは、ブリッジ柱部４３ｂからブリッジ梁部４４の下部側に延伸して、駆動電極４２ｂの上面と空隙を介して対向するように形成されている。

絶縁層４４２は、可動接点層４４１とグランド電極４３２ａ、４３２ｂとを絶縁するための絶縁層または高抵抗層であり、例えばＡｌ₂Ｏ₃膜である。絶縁層４４２は、ブリッジ梁部４４の下部側に形成されている、可動接点層４４１とグランド電極４３２ａ、４３２ｂとの間を埋めるとともに、それらの上面を覆うように形成されている。絶縁層４４２によって、可動接点層４４１とグランド電極４３２ａ、４３２ｂとは、一体化され、かつ絶縁されている。

このような構造において、駆動電極４２ａ、４２ｂに直流の駆動電圧が供給されると、駆動電極４２ａとグランド電極４３２ａとの間、および駆動電極４２ｂとグランド電極４３２ｂとの間に静電引力が作用する。これにより、ブリッジ梁部４４が基板１の側へ引き寄せられ、可動接点層４４１は固定接点部ＴＳに接触した状態となる。よって、信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａとコイル端子３２の先端部３２ａとが可動接点層４４１を介して接続され、信号端子２ｃＴとコイル端子３２とが導通する。この状態で駆動電圧の供給が止められると、可動接点層４４１は再び固定接点部ＴＳから離間した状態となる。つまり、スイッチ４において、可動接点層４４１が固定接点部ＴＳに接触した状態がオン時の状態であり、固定接点部ＴＳから離間した状態がオフ時の状態である。

このように、本実施形態では、駆動電極４２ａ、４２ｂが基板１に固定された固定電極として機能し、グランド電極４３２ａ、４３２ｂが固定電極に対して可動する可動電極として機能する。

なお、駆動電極４２ａ、４２ｂにそれぞれ供給される駆動電圧は、同じ電圧であっても異なる電圧であってもよく、ブリッジ梁部４４を構成するグランド電極４３２ａ、４３２ｂ、可動接点層４４１、および絶縁層４４２の材質または寸法などに応じて調整される。

以上のように、スイッチ４は、信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａおよびコイル端子３２の先端部３２ａを内部に取り込む構成となっている。ただし、両先端部の形状が工夫されているため、スイッチ４が占有するスペースを小さくすることが可能となっている。そのため、スイッチ４をコイル３１の外側に配置することが可能となっている。スイッチ４がコイル３１の外側に配置されることにより、スイッチ４とコイル３１との間に生じる寄生容量が低減される。よって、可変インダクタ３は、Ｑ値が高く性能面で優れている。

また、スイッチ４の、駆動電極４２ａ、４２ｂおよびグランド電極４３２ａ、４３２ｂと、可動接点層４４１と、信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａおよびコイル端子３２の先端部３２ａとは、互いに電気的に分離されている。つまり、スイッチ４の駆動系は共振回路デバイス１０に共鳴（伝播）する高周波信号から電気的に分離されており、スイッチ４はいわゆるコールドスイッチとなっている。このため、高周波信号が流れている最中（ホット状態）で使用しても問題がない。よって、スイッチング動作を高周波信号の影響を受けずに行うことが可能であるため制御がしやすく、接触部分の耐久性も良好である。

図６（ａ）を参照して、可変キャパシタ５は、端部電極５０、引出電極５１、一対の駆動電極５２ａ、５２ｂ、一対のブリッジ柱部５３ａ、５３ｂ、およびブリッジ梁部５４を備えている。

可変キャパシタ５は、ブリッジ柱部５３ａ、５３ｂによって両端部を支持されたブリッジ梁部５４が、端部電極５０および駆動電極５２ａ、５２ｂの上方を跨ぐように形成されている。つまり、ブリッジ梁部５４は、端部電極５０および駆動電極５２ａ、５２ｂの上面と空隙を介して対向する。

端部電極５０は、支線路２ｓの端部が電極として用いられているものであり、基板１の表面に形成されている。つまり、支線路２ｓの端部と一体的に形成されている。ただし、支線路２ｓの端部と分離して形成され、支線路２ｓの端部と接続されていてもよい。

引出電極５１は、金またはアルミニウムなどの金属材料からなり、矩形状部分と線状部分とを備えて基板１の表面に形成されている。線状部分は、途中から２本に分岐し、駆動電極４２ａ、４２ｂにそれぞれ接続されるように延びている。矩形状部分には、可変キャパシタ５を駆動させるための駆動電圧を印加可能になっている。

駆動電極５２ａ、５２ｂは、金またはアルミニウムなどの金属材料からなり、端部電極５０の両脇に設けられ、基板１の表面に形成されている。駆動電極５２ａ、５２ｂには、引出電極５１を介して、可変キャパシタ５を駆動させるための駆動電圧が供給される。

なお、本実施形態では、駆動電極５２ａ、５２ｂに接続される引出電極５１が共通に設けられ、駆動電極５２ａ、５２ｂに互いに同じ電圧を供給するようになっている。これを、前述したスイッチ４のように、駆動電極５２ａ、５２ｂに接続される引出電極を別個に設け、駆動電極５２ａ、５２ｂにそれぞれ異なる電圧を供給できるようにしてもよい。

図６（ｂ）を参照して、ブリッジ柱部５３ａは、シード層１０１の表面に積層して形成されている、第１柱層５３１ａ、グランド電極５３２、および第２柱層５３３ａなどからなる。また、ブリッジ柱部５３ｂは、シード層１０１の表面に積層して形成されている、第１柱層５３１ｂ、グランド電極５３２、および第２柱層５３３ｂからなる。

また、端部電極５０も、シード層１０１の表面に形成されている。

第１柱層５３１ａ、５３１ｂは、それぞれブリッジ柱部５３ａ、５３ｂの下部側を占めている金属層であり、例えば、Ａｕ膜をメッキ成長させることにより形成される。第１柱層５３１ａ、５３１ｂの高さは、コイル下辺３１ｄおよび端部電極５０の高さと同程度である。

グランド電極５３２は、ブリッジ梁部５４の所定の領域の電位をグランド層６ｂの電位とするための電極であり、例えばＴｉ／Ａｕ膜である。グランド電極５３２は、第１柱層５３１ａと第２柱層５３３ａとの間、第２柱層５３３ａの内側壁、ブリッジ梁部５４、第２柱層５３３ｂの内側壁、第１柱層５３１ｂと第２柱層５３３ｂとの間にかけて形成されている。

グランド電極５３２は、ビア５０２ａ、５０２ｂ、シード層１０１、および第１柱層５３１ａ、５３１ｂなどを挟んで、基板１の裏面または内部などに形成されているグランド層６ｂと接続されている。グランド層６ｂは、ＤＣグランド（駆動電圧についてのグランド）である。よって、グランド電極５３２は、ＤＣグランドに接続されている。ただし、ＤＣグランドは、ＲＦグランドと共通に設けられることがある。また、ＤＣグランドとＲＦグランドとは、同じ電位となるように直接にまたはチョークコイルなどを介して接続されることもあるし、異なる電位となるように接続されることもある。

駆動電極５２ａ、５２ｂには、グランド層６ｂおよびグランド電極５３２などに対して正または負の電圧が駆動電圧として印加される。

第２柱層５３３ａ、５３３ｂは、それぞれブリッジ柱部５３ａ、５３ｂの上部側を占めている金属層であり、例えば、Ａｕ膜をメッキ成長させることにより形成される。第２柱層５３３ａ、５３３ｂの高さは、コイル横辺３１ａ、３１ｃの高さと同程度としてもよい。

このように、ブリッジ柱部５３ａ、５３ｂは導電性の各部材が接合されて形成されており、各部材はいずれもグランド層６ｂの電位となる。各部材のうちのいずれかの部材は、ブリッジ梁部４４の下方に延びて端部電極５０として用いられている支線路２ｓの端部とは別の支線路２ｓの端部と接続される。よって、この別の支線路２ｓもまた、グランド層６ｂの電位となる。例えば、図１において、可変キャパシタ５−１のブリッジ柱部５３ｂおよび可変キャパシタ５−２のブリッジ柱部５３ｂは、信号線路２ｅの両端部と接続されている。よって、信号線路２ｅは、グランド層６ｂの電位となっている。

ブリッジ梁部５４は、グランド電極５３２からなる。

グランド電極５３２は、ブリッジ柱部５３ａ、５３ｂから延伸して、端部電極５０の上面と空隙を介して対向するように形成されている。

このような構造において、駆動電極５２ａ、５２ｂに直流の駆動電圧が供給されると、駆動電極５２ａ、５２ｂとグランド電極５３２との間に静電引力が作用する。これにより、ブリッジ梁部５４（グランド電極５３２）が基板１の側へ引き寄せられて、グランド電極５３２と端部電極５０との間の距離が狭まる。グランド電極５３２と端部電極５０との間の距離が狭まるほど、両者の間の静電容量は大きくなる。逆に、グランド電極５３２と端部電極５０との間の距離が広がるほど、両者の間の静電容量は小さくなる。つまり、駆動電極５２ａ、５２ｂに供給される駆動電圧の値によって、静電容量が可変となる。

このように、本実施形態では、駆動電極５２ａ、５２ｂおよび端部電極５０が基板１に固定された固定電極として機能し、グランド電極５３２が固定電極に対して可動する可動電極として機能する。

なお、グランド電極５３２が端部電極５０に接触して、両者が短絡してしまうのを避けるため、駆動電極５２ａ、５２ｂに供給される駆動電圧は、所定の値を超えないように設定される。ただし、端部電極５０の上面に絶縁層を形成するなどして短絡を防止するための措置を別途施しておいてもよい。

ところで、コイル３１、スイッチ４、および可変キャパシタ５は、後述するように半導体製造工程において同時進行で形成可能なように、共通する構成部分を多くしておくことが望ましい。そのため、本実施形態では、コイル下辺３１ｄの高さ、信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａの高さ、コイル端子３２の先端部３２ａの高さ、端部電極５０の高さ、スイッチ４の第１柱層４３１ａ、４３１ｂの高さ、および可変キャパシタ５の第１柱層５３１ａ、５３１ｂの高さは、互いに同程度となっている。また、スイッチ４の第２柱層４３３ａ、４３３ｂの高さ、および可変キャパシタ５の第２柱層５３３ａ、５３３ｂの高さも、互いに同程度となっている。このような関係から、特に、スイッチ４と可変キャパシタ５とは、互いに類似した構造を有している。

図７は、共振回路デバイス１０の等価回路図である。

図７に示すように、共振回路デバイス１０は、いわゆるＬＣフィルタ回路であり、スイッチ４−１〜４−３のいずれかを駆動することにより、可変インダクタ３のインダクタンスを変化させられるようになっている。また、可変キャパシタ５−１、５−２のブリッジ梁部５４を変位することにより、その静電容量を変化させられるようになっている。よって、共振回路デバイス１０は、共振インピーダンスが調整可能なチューナブル高周波デバイスの全部または一部として適用可能である。

図８はスイッチ４−１〜４−７を有する可変インダクタ３´の等価回路図である。

これまでに説明した可変インダクタ３のインダクタンスは、オンにされたスイッチ４に対応するコイル端子３２とコイル３１の一方の端部３１Ａとの間に接続されているコイルの一部分が持つインダクタンスとなる。すなわち、可変インダクタ３のインダクタンスは、可変インダクタ３が有するスイッチ４−１〜４−３のうちのいずれか１つのスイッチが選択的にオンにされることにより変化する。よって、可変インダクタ３のインダクタンスは、可変インダクタ３が有するスイッチ４の個数分変化させることが可能である。

図８（ａ）に示す可変インダクタ３´は、スイッチ４−１〜４−７を有している。よって、可変インダクタ３´のインダクタンスは、７つの値に変化させることが可能である。ここで、スイッチ４−１〜４−７にそれぞれ対応するコイル端子３２−１〜３２−７は、コイル３１の２巻き分のコイル部分３０１〜３０７の間隔で設けられている。この場合、コイル３１は、コイル部分３０１〜３０７が直列接続されてなる、と捉えることができる。

図８（ｂ）に示すように、可変インダクタ３´のスイッチ４−１を駆動してオンの状態とした場合、可変インダクタ３´のインダクタンスは、コイル部分３０１が持つインダクタンスとなる。

図８（ｃ）に示すように、可変インダクタ３´のスイッチ４−５を駆動してオンの状態とした場合、可変インダクタ３´のインダクタンスは、コイル部分３０１〜３０５が持つインダクタンスとなる。コイル部分３０１〜３０５が持つインダクタンスは、直列接続されたコイル部分３０１〜３０５の合成インダクタンスであり、コイル部分３０１が持つインダクタンスのおよそ５倍である。

以上のように、共振回路デバイス１０においては、可変インダクタ３によって、キャパシタンスだけでなくインダクタンスも可変になっている。しかも、可変インダクタ３に設けられるスイッチ４の個数や配置などを調整することにより、インダクタンスの可変幅を調整できるようになっている。よって、共振回路デバイス１０は、高周波信号処理回路などに適用する場合に、選択周波数、選択周波数幅、およびインピーダンスマッチングなどの設計自由度が高く性能面で優れている。

以下、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いた、共振回路デバイス１０の作製方法の概略を説明する。

共振回路デバイス１０における、コイル３１、スイッチ４、および可変キャパシタ５は、基板１上に同時進行で作製される。

図９ないし図１２は共振回路デバイス１０の作製過程の例を示す図であり、左側の列には図２のＡ−Ａ断面におけるコイル３１の作製過程の例が、真ん中の列には図５（ａ）のＢ−Ｂ断面におけるスイッチ４の作製過程の例が、右側の列には図６（ａ）のＣ−Ｃ断面における可変キャパシタ５の作製過程の例が、それぞれ示されている。

図９（ａ）に示すように、基板１の表面に、Ａｕ膜などの金属薄膜をスパッタによって成膜し、駆動電極４２ａ、４２ｂ、５２ａ、５２ｂを形成する。その他、フォトリソ技術を用いてレジストをパターニングして、電極などに接続される配線パターンをエッチングまたはイオンミリングなどによって形成する。また、基板１を貫通してグランド層６ａと電気的に連結されたビア４０２ａ、４０２ｂの上面および基板１を貫通してグランド層６ｂと電気的に連結されたビア５０２ａ、５０２ｂの上面に、配線パターンをパターニングする。

次に、基板１の表面に形成された金属薄膜および配線パターンなどの上面を含む基板１の表面全面に、ＳｉＯ２膜などの絶縁層１００をＣＶＤなどによって成膜する。なお、ビア４０２ａ、４０２ｂ、５０２ａ、５０２ｂの上面の絶縁層１００は、エッチングによって除去しておく。次に、絶縁層１００の表面全面に、メッキのためのシード層１０１となるＴｉ／Ａｕ薄膜を成膜する。

コイル下辺３１ｄ、第１柱層４３１ａ、４３１ｂ、５３１ａ、５３１ｂ、先端部３２ａ、２ｃＴａ、および端部電極５０などを形成しない部分のシード層１０１をレジストで保護する（凹パターンを作製する）。電気メッキを行い、レジストで保護されていない箇所について所定の高さまでＡｕメッキを成長させて、コイル下辺３１ｄ、第１柱層４３１ａ、４３１ｂ、５３１ａ、５３１ｂ、先端部３２ａ、２ｃＴａ、および端部電極５０などを形成する。以降において、ここで形成した部分を「第１回メッキ部分」と呼称することがある。

図９（ｂ）に移って、レジストを除去した後、第１回メッキ部分以外の表面に残っているシード層１０１をイオンミリングによって除去する。さらに、駆動電極４２ａ、４２ｂ、５２ａ、５２ｂの上面の絶縁層１００をエッチングによって除去して、駆動電極４２ａ、４２ｂ、５２ａ、５２ｂを露出させる。

図９（ｃ）に移って、表面全面にメッキのためのシード層となるＴｉ／Ｃｕ薄膜を成膜し、第１回メッキ部分のシード層をレジストで保護する。電気メッキを行い、レジストで保護されていない箇所について所定の高さまでＣｕメッキを成長させて、犠牲層１０２を形成する。犠牲層１０２の高さは、第１回メッキ部分の高さと同程度とする。レジストを除去した後、犠牲層１０２以外の表面に残っているシード層をイオンミリングによって除去する。

図１０（ａ）に移って、表面全面にメッキのためのシード層となるＴｉ／Ｃｕ薄膜を成膜し、コイル横辺３１ａ、３１ｃ、および第２柱層４３３ａ、４３３ｂ、５３３ａ、５３３ｂなどを形成しようとする部分のシード層をレジストで保護する。電気メッキを行い、レジストで保護されていない箇所について所定の高さまでＣｕメッキを成長させて、犠牲層１０３を形成する。レジストを除去した後、犠牲層１０３以外の表面に残っているシード層をイオンミリングによって除去する。

図１０（ｂ）に移って、表面全面にメッキのためのシード層１０４となるＴｉ／Ａｕ薄膜を成膜し、コイル横辺３１ａ、３１ｃ、および第２柱層４３３ａ、４３３ｂ、５３３ａ、５３３ｂなどを形成しない部分のシード層１０４をレジストで保護する。電気メッキを行い、レジストで保護されていない箇所について所定の高さまでＡｕメッキを成長させて、コイル横辺３１ａ、３１ｃ、および第２柱層４３３ａ、４３３ｂ、５３３ａ、５３３ｂなどを形成する。

図１０（ｃ）に移って、レジストを除去した後、スイッチ４の領域のシード層１０４については、第２柱層４３３ａ寄り、中央寄り、および第２柱層４３３ｂ寄りの３つのブロックのシード層１０４ａ〜１０４ｃに切り分ける形でパターニング・エッチングして残す。シード層１０４ａ〜１０４ｃは、それぞれスイッチ４のグランド電極４３２ａ、可動接点層４４１、グランド電極４３２ｂとなる。可変キャパシタ５の領域のシード層１０４については、１つのブロックのシード層１０４ｄの形でパターニング・エッチングして残す。シード層１０４ｄは、可変キャパシタ５のグランド電極５３２となる。コイル３１を含むその他の領域のシード層１０４については、イオンミリングによって除去する。

図１１（ａ）に移って、スイッチ４の領域の表面全面に、Ａｌ₂Ｏ₃膜などの絶縁層１０５、またはノンドープｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜などの高抵抗層１０５をＣＶＤなどによって成膜する。ここでのパターニングは、成膜後にエッチングしてもよいし、レジストを用いたリフトオフ法を用いてもよい。絶縁層１０５または高抵抗層１０５は、スイッチ４の絶縁層４４２となる。

以降に説明する工程は、主としてコイル横辺３１ａ、３１ｃを形成する工程、すなわち、コイル３１の高さ方向を形成する工程である。

図１１（ｂ）に示すように、既に形成されたＡｕを保護した上で、コイル３１の領域の表面全面にメッキのためのシード層となるＣｕ薄膜を成膜し、コイル横辺３１ａ、３１ｃを形成しようとする部分のシード層をレジストで保護する。なお、ここでの被成膜面はほぼ金属で覆われているため、Ｔｉなどの密着層は必要ない。電気メッキを行い、レジストで保護されていない箇所について所定の高さまでＣｕメッキを成長させて、犠牲層１０６を形成する。その後、レジストを除去する。

図１１（ｃ）に移って、コイル横辺３１ａ、３１ｃを形成しない部分、すなわち犠牲層１０６をレジストで保護する。なお、ここでの被メッキ面は先のシード層であるＣｕ薄膜で覆われているため、新たなシード層は必要ない。電気メッキを行い、レジストで保護されていない箇所について所定の高さまでＡｕメッキを成長させて、コイル横辺３１ａ、３１ｃを形成する。

図１２（ａ）に移って、コイル３１が所望の高さになるまで、犠牲層１０７を形成する工程（図１１（ｂ）に示す工程と同様の工程）、およびコイル横辺３１ａ、３１ｃを形成する工程（図１１（ｃ）に示す工程と同様の工程）を繰り返し行う。その後、不要なＣｕシード層をイオンミリングによって除去する。

なお、本実施形態では、図１２（ａ）に示すように、スイッチ４および可変キャパシタ５の上方にも、数回のＣｕメッキが施されて数段の犠牲層１０６、１０７が形成されているが、最低限、スイッチ４のブリッジ梁部４４の上面および可変キャパシタ５のブリッジ梁部５４の上面に一段分の犠牲層１０６があればよい。この一段分の犠牲層１０６は、最終工程で不要なＣｕシード層を除去する際に、スイッチ４のブリッジ梁部４４および可変キャパシタ５のブリッジ梁部５４を保護する役割を果たす。ただし、基板１上の占有面積を考慮した場合に、なるべく広範囲に渡って均一に犠牲層が形成されるほうが局所的な応力分布が平均化されるため、最終段まで犠牲層を形成するほうが無難である。

図１２（ｂ）に移って、基板をＣｕエッチャントに浸し、Ｃｕ犠牲層を除去することで、コイル３１、スイッチ４、および可変キャパシタ５などが最終的な形で形成されて、共振回路デバイス１０は完成する。

以上、共振回路デバイス１０の作製方法の概略を説明したが、本作製方法は一実施形態であり、作製方法および用いられる材料などは他にも選択の余地がある。
〔第二の実施形態〕
図１３は、第二の実施形態における共振回路デバイス１１の構成例を示す斜視図である。図１４は、共振回路デバイス１１の変形例である整合回路デバイス１２の構成例を示す斜視図である。図１５は、整合回路デバイス１２の等価回路図である。

以下、共振回路デバイス１１について、第一の実施形態の共振回路デバイス１０と相違する点を中心に説明する。共振回路デバイス１０と共通する構成要素については、先に示した図面で用いたものと同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。

図１３に示すように、共振回路デバイス１１は、図示しないシリコンなどからなる基板１上に、信号線路２、スイッチ４−１〜４−３を有する可変インダクタ７、および可変キャパシタ５−１〜５−３などが形成されてなる。

信号線路２ｂと信号線路２ｃとの間には、可変インダクタ７が挿入されている。ただし、信号線路２ｃは３つの信号端子２ｃＴ−１〜２ｃＴ−３を有しており、信号端子２ｃＴ−１、２ｃＴ−２、２ｃＴ−３が、それぞれ可変インダクタ７のスイッチ４−１、４−２、４−３を介して可変インダクタ７と接続されるようになっている。

信号線路２ｄと信号線路２ｅとの間には、可変キャパシタ５−１が挿入されており、信号線路２ｅと信号線路２ｆとの間には、可変キャパシタ５−２が挿入されており、信号線路２ｆと信号線路２ｇとの間には、可変キャパシタ５−３が挿入されている。

信号線路２ｅ、２ｇは、所望の共振回路を構成するために適宜ＲＦグランドと接続される。例えば、信号線路２ｅがＲＦグラントと接続されている場合に、信号端子２ｃＴ−１〜２ｃＴ−３のいずれかがスイッチ４−１〜４−３を介して可変インダクタ７と接続されると、可変インダクタ７および可変キャパシタ５−１〜５−３によってπ型の共振回路が構成される。また、信号線路２ｇがＲＦグラントと接続されている場合には、可変インダクタ７および可変キャパシタ５−１〜５−３によって並列共振回路が構成される。また、信号線路２ｅ、２ｇのいずれもがＲＦグラントと接続されていない場合にも、可変インダクタ７および可変キャパシタ５−１〜５−３によって並列共振回路が構成される。

可変インダクタ７は、コイル７１−１〜７１−３、コイル端子７２−１〜７２−３、およびスイッチ４−１〜４−３などによって構成されている。

コイル７１−１は、第１コイル部７１ａ−１、連結部７１ｂ−１、および第２コイル部７１ｃ−１などからなる。同様に、コイル７１−２は、第１コイル部７１ａ−２、連結部７１ｂ−２、および第２コイル部７１ｃ−２などからなる。また、コイル７１−３は、第１コイル部７１ａ−３、連結部７１ｂ−３、および第２コイル部７１ｃ−３などからなる。

第１コイル部７１ａは、金属線材が所定の回数巻かれて渦巻状に形成されている。第１コイル部７１ａは、基板１の表面に接した状態で形成されている。

第２コイル部７１ｃも、金属線材が所定の回数巻かれて渦巻状に形成されている。第２コイル部７１ｃは、基板１に接することなく基板１の上方に形成されている。

第１コイル部７１ａおよび第２コイル部７１ｃの巻き軸方向は、基板１の表面に対して垂直である。

連結部７１ｂは、金属線材からなり、第１コイル部７１ａの一方の端部と第２コイル部７１ｃの一方の端部とを基板１に垂直な方向において連結している。よって、第１コイル部７１ａと第２コイル部７１ｃとは、基板１に垂直な方向において所定の距離を隔てて互いに対向する。

このように、コイル７１のおよそ１／２に渡る部分は空中に形成される。よって、コイル７１と基板１および基板１上に形成されている各種素子との間の寄生容量を低く抑えることができる。そのため、コイル７１のＱ値を高くすることができる。

さらに寄生容量を減らしたい場合には、第１コイル部７１ａを固定するために第１コイル部７１ａの他方（連結部７１ｂに連結されていない方）の端部のみを基板１の表面に接した状態で形成して、渦巻状に巻かれたその他の部分を基板１に接することなく基板１の上方に形成するとよい。つまり、第１コイル部７１ａを基板１の表面から浮かせた状態で形成するとよい。

なお、本実施形態では、コイル７１は、第１コイル部７１ａおよび第２コイル部７１ｃの２層からなる構造であるが、より多層からなる構造にしてもよい。

第１コイル部７１ａ−１の他方の端部は、信号線路２ｂと接続されている。また、第２コイル部７１ｃ−１の他方の端部および第１コイル部７１ａ−２の他方の端部は、コイル端子７２−１と接続されている。また、第２コイル部７１ｃ−２の他方の端部および第１コイル部７１ａ−３の他方の端部は、コイル端子７２−２と接続されている。また、第２コイル部７１ｃ−３の他方の端部は、コイル端子７２−３と接続されている。コイル端子７２−１〜７２−３は、コイル７１−１〜７１−３が並んだ列の外側に引き出されるように設けられている。

コイル端子７２は、共振回路デバイス１０におけるコイル端子３２と同様の先端部７２ａを有している。信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａとコイル端子７２の先端部７２ａとの配置関係については、共振回路デバイス１０における信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａとコイル端子３２の先端部３２ａとの配置関係と同様である。

スイッチ４は、信号端子２ｃＴの先端部２ｃＴａとコイル端子７２の先端部７２ａとを一組とする固定接点部ＴＳなどを備え、固定接点部ＴＳなどの上方を跨ぐように形成されている。形成されているスイッチ４の個数は、可変インダクタ７に設けられるコイル７１の個数と同数である。

以上のように、スイッチ４がコイル７１の外側に配置されることにより、スイッチ４とコイル７１との間に生じる寄生容量が低減される。よって、可変インダクタ７は、Ｑ値が高く性能面で優れている。

共振回路デバイス１１においても、可変インダクタ７によって、キャパシタンスだけでなくインダクタンスも可変になっている。しかも、可変インダクタ７に設けられるコイル７１の層数やコイル７１およびスイッチ４の個数などを調整することにより、インダクタンスの可変幅を調整できるようになっている。よって、共振回路デバイス１１も、高周波信号処理回路などに適用する場合に、選択周波数、選択周波数幅、およびインピーダンスマッチングなどの設計自由度が高く性能面で優れている。

共振回路デバイス１１は、ＭＥＭＳ技術を用いて作製可能であり、共振回路デバイス１０の作製方法と類似の方法によって作製可能である。よって、共振回路デバイス１１における、コイル７１、スイッチ４、および可変キャパシタ５は、基板１上に同時進行で作製される。

上述の実施形態において、共振回路デバイス１０、１１の全体または一部の構造、形状、材料、および適用などは、本発明の主旨に沿って適宜変更可能である。

例えば、共振回路デバイス１１における可変インダクタ７および可変キャパシタ５などの組み合わせ方を一部変更して、図１４に示すような整合回路デバイス１２とすることが可能である。

すなわち、図１４において、整合回路デバイス１２は、可変インダクタ７、可変キャパシタ５−１〜５−３、および可変キャパシタ５−４〜５−６などによってπ型の整合回路が構成されており、インピーダンスチューナーとして動作させることが可能である。

図１５に示すように、整合回路デバイス１２は、スイッチ４−１〜４−３のいずれかを駆動することにより、可変インダクタ７のインダクタンスを変化させられるようになっている。また、可変キャパシタ５−１〜５−６のブリッジ梁部５４を変位することにより、その静電容量を変化させられるようになっている。よって、整合回路デバイス１２は、整合インピーダンスが調整可能なチューナブル高周波デバイスの全部または一部として適用可能である。

また、上述の実施形態では、スイッチ４において、固定電極としての駆動電極４２ａ、４２ｂにＤＣグランドを基準とする駆動電圧が印加され、固定電極に対して可動する可動電極としてのグランド電極４３２ａ、４３２ｂがＤＣグランドに接続されていた。これを、可動電極にＤＣグランドを基準とする駆動電圧が印加され、固定電極がＤＣグランドに接続されるようにしてもよい。可変キャパシタ５においても、同様である。

１ 基板
２ 信号線路
２ａＴ 信号端子（入力端子）
２ｂ 信号線路（第１の信号線路）
２ｃ 信号線路（第２の信号線路）
２ｄ 信号線路（第３の信号線路）
２ｅ 信号線路（第４の信号線路）
２ｇＴ 信号端子（出力端子）
２ｃＴ 信号端子
２ｃＴａ 先端部
３ 可変インダクタ
３１ コイル
３２ コイル端子
３２ａ 先端部
４ スイッチ
４４ ブリッジ梁部（第１の可動部材）
４４１ 可動接点層（接点部材）
５ 可変キャパシタ
５０ 端部電極（固定電極）
５４ ブリッジ梁部（第２の可動部材）
５３２ グランド電極（可動電極）
７ 可変インダクタ
７１ コイル
７２ コイル端子
７２ａ 先端部
１０ 共振回路デバイス（チューナブル高周波デバイス）
１１ 共振回路デバイス（チューナブル高周波デバイス）
１２ 整合回路デバイス（チューナブル高周波デバイス）

Claims (7)

1. 基板上に形成される可変インダクタであって、
   第１の信号線路と、
   複数の信号端子を有する第２の信号線路と、
   一層が渦巻状に巻かれて多層に形成されその巻き軸方向が前記基板の表面に対して垂直である複数のコイルと、
   前記信号端子とコイル端子とを１組として各組ごとに当該信号端子および当該コイル端子と対向するように配置された接点部材を含む第１の可動部材を変位させて当該接点部材を当該信号端子および当該コイル端子と接触または離間させることにより、各組ごとに当該信号端子と当該コイル端子とを接続または非接続とするための複数のスイッチと、
   を有し、
   前記複数のコイルは、互いに直列接続されることにより、一方の端部、他方の端部、および少なくとも１箇所の中間部が設けられ、前記一方の端部は前記第１の信号線路と接続され、前記他方の端部および前記中間部は、前記複数の信号端子の近傍にそれぞれ配置された前記複数のコイル端子とそれぞれ接続されてなる、
   可変インダクタ。
2. 前記信号端子および前記コイル端子は、それぞれ直線状の先端部を有し、当該信号端子の当該先端部と当該コイル端子の当該先端部とが所定の距離を隔てて互いに対向するように配置されており、
   前記接点部材は、前記信号端子の前記先端部および前記コイル端子の前記先端部と接触するように配置されている、
   請求項１記載の可変インダクタ。
3. 前記信号端子の前記先端部は、当該信号端子の幅方向の片側が切り欠かれた形状であり、
   前記コイル端子の前記先端部は、当該コイル端子の幅方向の片側が切り欠かれた形状であり、
   前記信号端子および前記コイル端子は、当該信号端子の前記先端部と当該コイル端子の前記先端部とが互いに入り込むように配置されている、
   請求項２記載の可変インダクタ。
4. 前記複数のコイルのそれぞれは、前記基板の表面に接した状態で形成された最下層の第１コイル部、前記第１コイル部に対し基板に垂直な方向において所定の距離を隔てて互いに対向する第２コイル部、および前記第１コイル部と前記第２コイル部とを連結する連結部を有する、
   請求項１ないし３のいずれかに記載の可変インダクタ。
5. 前記複数のスイッチのうちのいずれか１つのスイッチのみが選択的にオンされる、
   請求項１ないし４のいずれかに記載の可変インダクタ。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の可変インダクタと、
   前記基板上に形成される可変キャパシタと、を備え、
   前記可変キャパシタは、
   第３の信号線路と、
   第４の信号線路と、
   前記第３の信号線路と接続された固定電極と、
   前記第４の信号線路と接続され、前記固定電極と対向するように配置された可動電極と、
   前記可動電極を含む第２の可動部材を変位させて当該可動電極と前記固定電極との間の距離を変化させることにより、当該可動電極と当該固定電極との間の静電容量を可変とするための容量可変手段と、
   を有する、
   チューナブル高周波デバイス。
7. さらに、信号が入力される入力端子と、
   信号が出力される出力端子と、
   信号のグランドとなる信号グランドと、
   を備え、
   前記可変インダクタは、前記第１の信号線路および前記第２の信号線路を介して、前記入力端子と前記出力端子との間に接続されており、
   前記可変キャパシタの１つは、前記第３の信号線路および前記第４の信号線路を介して、前記入力端子と前記信号グランドとの間に接続されており、
   前記可変キャパシタの他の１つは、前記第３の信号線路および前記第４の信号線路を介して、前記出力端子と前記信号グランドとの間に接続されている、
   請求項６記載のチューナブル高周波デバイス。

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