JP2011134872A - 可変インダクタおよびチューナブル高周波デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】可変インダクタ3に、一方の端部が第1の信号線路2bと接続されたコイル31と、コイル31の他方の端部および少なくとも1箇所の中間部にそれぞれ接続され、複数の信号端子2cTの近傍にそれぞれ配置された複数のコイル端子32と、信号端子2cTとコイル端子32とを1組として各組ごとに信号端子2cTおよびコイル端子32と対向するように配置された接点部材441を含む第1の可動部材44を変位させて接点部材441を信号端子2cTおよびコイル端子32と接触または離間させることにより、各組ごとに信号端子2cTとコイル端子32とを接続または非接続とするための複数のスイッチ4と、を設ける。
【選択図】図1
Description
その他にも、MEMSプロセスによって作製される立体コイルが提案されている(特許文献2)。
図1は、第一の実施形態における共振回路デバイス10の構成例を示す斜視図である。図2は可変インダクタ3の一部を拡大して示す斜視図である。図3は可変インダクタ3の一部を拡大して示す平面図である。図4は、信号端子2cTおよびコイル端子32の変形例を示す平面図である。図5(a)はスイッチ4の一部を拡大して示す斜視図、図5(b)はそのB−B断面図である。図6(a)は可変キャパシタ5の一部を拡大して示す斜視図、図6(b)はそのC−C断面図である。
〔第二の実施形態〕
図13は、第二の実施形態における共振回路デバイス11の構成例を示す斜視図である。図14は、共振回路デバイス11の変形例である整合回路デバイス12の構成例を示す斜視図である。図15は、整合回路デバイス12の等価回路図である。
2 信号線路
2aT 信号端子(入力端子)
2b 信号線路(第1の信号線路)
2c 信号線路(第2の信号線路)
2d 信号線路(第3の信号線路)
2e 信号線路(第4の信号線路)
2gT 信号端子(出力端子)
2cT 信号端子
2cTa 先端部
3 可変インダクタ
31 コイル
32 コイル端子
32a 先端部
4 スイッチ
44 ブリッジ梁部(第1の可動部材)
441 可動接点層(接点部材)
5 可変キャパシタ
50 端部電極(固定電極)
54 ブリッジ梁部(第2の可動部材)
532 グランド電極(可動電極)
7 可変インダクタ
71 コイル
72 コイル端子
72a 先端部
10 共振回路デバイス(チューナブル高周波デバイス)
11 共振回路デバイス(チューナブル高周波デバイス)
12 整合回路デバイス(チューナブル高周波デバイス)
Claims (8)
- 基板上に形成される可変インダクタであって、
第1の信号線路と、
複数の信号端子を有する第2の信号線路と、
一方の端部が前記第1の信号線路と接続されたコイルと、
前記コイルの他方の端部および少なくとも1箇所の中間部にそれぞれ接続され、前記複数の信号端子の近傍にそれぞれ配置された複数のコイル端子と、
前記信号端子と前記コイル端子とを1組として各組ごとに当該信号端子および当該コイル端子と対向するように配置された接点部材を含む第1の可動部材を変位させて当該接点部材を当該信号端子および当該コイル端子と接触または離間させることにより、各組ごとに当該信号端子と当該コイル端子とを接続または非接続とするための複数のスイッチと、
を有する可変インダクタ。
- 前記信号端子および前記コイル端子は、それぞれ直線状の先端部を有し、当該信号端子の当該先端部と当該コイル端子の当該先端部とが所定の距離を隔てて互いに対向するように配置されており、
前記接点部材は、前記信号端子の前記先端部および前記コイル端子の前記先端部と接触するように配置されている、
請求項1記載の可変インダクタ。
- 前記信号端子の前記先端部は、当該信号端子の幅方向の片側が切り欠かれた形状であり、
前記コイル端子の前記先端部は、当該コイル端子の幅方向の片側が切り欠かれた形状であり、
前記信号端子および前記コイル端子は、当該信号端子の前記先端部と当該コイル端子の前記先端部とが互いに入り込むように配置されている、
請求項2記載の可変インダクタ。
- 前記コイルは、一巻きが方形状に形成され全体として筒状に巻かれており、巻き軸方向が前記基板の表面に対して平行であり、かつ当該方形状の下辺が前記基板の表面に接した状態で形成されている、
請求項1ないし3のいずれかに記載の可変インダクタ。
- 前記コイルは、一層が渦巻状に巻かれて一層または多層に形成されており、巻き軸方向が前記基板の表面に対して垂直であり、かつ最下層が前記基板の表面に接した状態で形成されている、
請求項1ないし3のいずれかに記載の可変インダクタ。
- 前記複数のスイッチのうちのいずれか1つのスイッチのみが選択的にオンされる、
請求項1ないし5のいずれかに記載の可変インダクタ。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載の可変インダクタと、
前記基板上に形成される可変キャパシタと、を備え、
前記可変キャパシタは、
第3の信号線路と、
第4の信号線路と、
前記第3の信号線路と接続された固定電極と、
前記第4の信号線路と接続され、前記固定電極と対向するように配置された可動電極と、
前記可動電極を含む第2の可動部材を変位させて当該可動電極と前記固定電極との間の距離を変化させることにより、当該可動電極と当該固定電極との間の静電容量を可変とするための容量可変手段と、
を有する、
チューナブル高周波デバイス。
- さらに、信号が入力される入力端子と、
信号が出力される出力端子と、
信号のグランドとなる信号グランドと、
を備え、
前記可変インダクタは、前記第1の信号線路および前記第2の信号線路を介して、前記入力端子と前記出力端子との間に接続されており、
前記可変キャパシタの1つは、前記第3の信号線路および前記第4の信号線路を介して、前記入力端子と前記信号グランドとの間に接続されており、
前記可変キャパシタの他の1つは、前記第3の信号線路および前記第4の信号線路を介して、前記出力端子と前記信号グランドとの間に接続されている、
請求項7記載のチューナブル高周波デバイス。
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