JP4721045B2 - 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 - Google Patents
可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4721045B2 JP4721045B2 JP2005195089A JP2005195089A JP4721045B2 JP 4721045 B2 JP4721045 B2 JP 4721045B2 JP 2005195089 A JP2005195089 A JP 2005195089A JP 2005195089 A JP2005195089 A JP 2005195089A JP 4721045 B2 JP4721045 B2 JP 4721045B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching
- mover
- stator
- movable element
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical group [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Wsi Inorganic materials 0.000 description 1
- AXQKVSDUCKWEKE-UHFFFAOYSA-N [C].[Ge].[Si] Chemical compound [C].[Ge].[Si] AXQKVSDUCKWEKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Contacts (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Thermally Actuated Switches (AREA)
Description
t1>t2…(2)
次に、図20を参照して、本発明のスイッチング素子を搭載した通信装置の構成について説明する。図20は、電子機器としての通信装置のブロック構成を表している。なお、本発明のスイッチング素子を搭載した半導体デバイスおよびモジュールは、上記通信装置により具現化されるので、以下、合わせて説明する。
Claims (14)
- 半導体基板上に、
信号を伝送するための信号線路と、
前記信号線路を機械的に継断するための継断手段と、
前記継断手段を切り替えると共に、前記継断手段の切り替え後の状態を保持するための切替手段と、
前記継断手段の切り替え後の状態を保持するための保持手段と
を備え、
前記継断手段、切替手段および保持手段は、それぞれ、互いに対向配置された一組の可動子および固定子を有し、
前記切替手段の可動子は、第1弾性部を介して前記継断手段の可動子と接続され、
前記保持手段の可動子は、第2弾性部を介して切替手段の可動子と接続され、
前記継断手段の可動子および固定子の少なくとも一方は、対向面に擬似球状の接触点を有する
可動素子。 - 前記切替手段の可動子および固定子の少なくとも一方は、対向面に擬似球状の接触点を有する
請求項1に記載の可動素子。 - 前記継断手段の固定子と前記継断手段の可動子との間隙の大きさをg1、前記切替手段の固定子と前記切替手段の可動子との間隙の大きさをg2とすると、以下の式を満たす
請求項1または請求項2に記載の可動素子。
g1<g2…(1) - 前記継断手段の固定子の厚さをt1、前記切替手段の固定子の厚さをt2とすると、以下の式を満たす
請求項1または請求項2に記載の可動素子。
t1>t2…(2) - 前記継断手段の固定子と前記継断手段の可動子との間隙の大きさをg1、前記切替手段の固定子と前記切替手段の可動子との間隙の大きさをg2、前記継断手段の固定子の厚さをt1、前記切替手段の固定子の厚さをt2とすると、以下の式をそれぞれ満たす
請求項1または請求項2に記載の可動素子。
g1<g2…(1)
t1>t2…(2) - 前記切替手段の固定子および可動子は薄膜コイルと絶縁性材料からなる平板とを含んでそれぞれ構成され、
前記継断手段の固定子および可動子は導電性材料または誘電体材料を含んでそれぞれ構成される
請求項1または請求項2に記載の可動素子。 - 前記信号線路は、複数の回路が並列に構成された並列回路を有し、
前記並列回路を構成するそれぞれの回路は、前記継断手段および切替手段を少なくとも一組有する
請求項1または請求項2に記載の可動素子。 - 前記保持手段の固定子および可動子は、導電性材料を含んでそれぞれ構成される
請求項1または請求項2に記載の可動素子。 - 前記切替手段は、電磁アクチュエータにより構成され、
前記保持手段は、静電アクチュエータにより構成される
請求項8に記載の可動素子。 - 前記信号線路は、複数の回路が並列に構成された並列回路を有し、
前記並列回路を構成するそれぞれの回路は、前記継断手段、切替手段および保持手段を少なくとも一組有する
請求項1または請求項2に記載の可動素子。 - 第1の素子と第2の素子とに接続された可動素子を内蔵する半導体デバイスであって、
前記可動素子は、
半導体基板上に、
前記第1の素子から前記第2の素子へ信号を伝送するための信号線路と、
前記信号線路を機械的に継断するための継断手段と、
前記継断手段を切り替えると共に、前記継断手段の切り替え後の状態を保持するための切替手段と、
前記継断手段の切り替え後の状態を保持するための保持手段と
を備え、
前記継断手段、切替手段および保持手段は、それぞれ、互いに対向配置された一組の可動子および固定子を有し、
前記切替手段の可動子は、第1弾性部を介して前記継断手段の可動子と接続され、
前記保持手段の可動子は、第2弾性部を介して切替手段の可動子と接続され、
前記継断手段の可動子および固定子の少なくとも一方は、対向面に擬似球状の接触点を有する
半導体デバイス。 - 前記第1の素子、第2の素子、および可動素子は、一連の機能を構成する複数の素子が一体的に形成されたSoC(System on a Chip) 内に形成されている
請求項11に記載の半導体デバイス。 - 半導体デバイスを内蔵するモジュールであって、
前記半導体デバイスは、
第1の素子と、
第2の素子と、
前記第1の素子と前記第2の素子とに接続された可動素子と
を備え、
前記可動素子は、
半導体基板上に、
前記第1の素子から前記第2の素子へ信号を伝送するための信号線路と、
前記信号線路を機械的に継断するための継断手段と、
前記継断手段を切り替えると共に、前記継断手段の切り替え後の状態を保持するための切替手段と、
前記継断手段の切り替え後の状態を保持するための保持手段と
を有し、
前記継断手段、切替手段および保持手段は、それぞれ、互いに対向配置された一組の可動子および固定子を有し、
前記切替手段の可動子は、第1弾性部を介して前記継断手段の可動子と接続され、
前記保持手段の可動子は、第2弾性部を介して切替手段の可動子と接続され、
前記継断手段の可動子および固定子の少なくとも一方は、対向面に擬似球状の接触点を有する
モジュール。 - 半導体デバイスを内蔵する電子機器であって、
前記半導体デバイスは、
第1の素子と、
第2の素子と、
前記第1の素子と前記第2の素子とに接続された可動素子と
を備え、
前記可動素子は、
半導体基板上に、
前記第1の素子から前記第2の素子へ信号を伝送するための信号線路と、
前記信号線路を機械的に継断するための継断手段と、
前記継断手段を切り替えると共に、前記継断手段の切り替え後の状態を保持するための切替手段と、
前記継断手段の切り替え後の状態を保持するための保持手段と
を有し、
前記継断手段、切替手段および保持手段は、それぞれ、互いに対向配置された一組の可動子および固定子を有し、
前記切替手段の可動子は、第1弾性部を介して前記継断手段の可動子と接続され、
前記保持手段の可動子は、第2弾性部を介して切替手段の可動子と接続され、
前記継断手段の可動子および固定子の少なくとも一方は、対向面に擬似球状の接触点を有する
電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005195089A JP4721045B2 (ja) | 2005-07-04 | 2005-07-04 | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005195089A JP4721045B2 (ja) | 2005-07-04 | 2005-07-04 | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007012558A JP2007012558A (ja) | 2007-01-18 |
JP4721045B2 true JP4721045B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=37750752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005195089A Expired - Fee Related JP4721045B2 (ja) | 2005-07-04 | 2005-07-04 | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4721045B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4867007B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2012-02-01 | 国立大学法人 鹿児島大学 | Memsスイッチ及び携帯無線端末機器 |
JP5412031B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2014-02-12 | ローム株式会社 | Memsセンサ |
JP4687749B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2011-05-25 | パナソニック電工株式会社 | 自動変速機用コントロールスイッチ |
JP4871389B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2012-02-08 | 株式会社東芝 | 静電アクチュエータ |
JP6180796B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-08-16 | 株式会社ヴァレオジャパン | スイッチ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05172846A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-07-13 | Hitachi Ltd | マイクロセンサ及びそれを用いた制御システム |
JP2001143595A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-05-25 | Motorola Inc | マイクロ・エレクトロメカニカルrfスイッチをベースにした折り返しバネとその製造方法 |
WO2002061781A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Advantest Corporation | Commutateur et dispositif de circuit integre |
JP2002326197A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-11-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 非線形的復原力のバネを有するmems素子 |
JP2003136493A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-14 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 静電駆動デバイス |
JP2003181799A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-02 | Omron Corp | 接点支持機構、接点開閉器、計測装置及び無線機 |
JP2004363961A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Sony Corp | 高周波信号フィルタ装置および電子機器 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002100276A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微小機械スイッチ |
-
2005
- 2005-07-04 JP JP2005195089A patent/JP4721045B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05172846A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-07-13 | Hitachi Ltd | マイクロセンサ及びそれを用いた制御システム |
JP2001143595A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-05-25 | Motorola Inc | マイクロ・エレクトロメカニカルrfスイッチをベースにした折り返しバネとその製造方法 |
WO2002061781A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Advantest Corporation | Commutateur et dispositif de circuit integre |
JP2002326197A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-11-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 非線形的復原力のバネを有するmems素子 |
JP2003136493A (ja) * | 2001-10-25 | 2003-05-14 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 静電駆動デバイス |
JP2003181799A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-02 | Omron Corp | 接点支持機構、接点開閉器、計測装置及び無線機 |
JP2004363961A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Sony Corp | 高周波信号フィルタ装置および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007012558A (ja) | 2007-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101276707B (zh) | Mems器件和具有所述mems器件的便携式通信终端 | |
TWI309107B (en) | Micro-resonator, frequency filter and communication apparatus | |
JP4721045B2 (ja) | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 | |
JP4879760B2 (ja) | マイクロスイッチング素子およびマイクロスイッチング素子製造方法 | |
JP2011182311A (ja) | 伝送線路 | |
JP4586642B2 (ja) | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 | |
KR101074562B1 (ko) | 미소 공진기 및 그 제조 방법, 및 전자 기기 | |
US7420439B2 (en) | Micro-resonator, band-pass filter, semiconductor device and communication apparatus | |
JP2008236386A (ja) | 電気機械素子とその製造方法、並びに共振器 | |
JP2006247820A (ja) | 可動素子並びに半導体デバイスおよび電子機器 | |
JP2008021532A (ja) | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 | |
JP4552768B2 (ja) | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 | |
JP2007281715A (ja) | 振動子 | |
JP5598653B2 (ja) | 有接点スイッチ | |
JP4692739B2 (ja) | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵するモジュールおよび電子機器 | |
TWI443702B (zh) | 分流開關,半導體裝置,模組及電子裝置 | |
JP2006231439A (ja) | 微小機械素子とその製造方法、半導体装置、ならびに通信装置 | |
JP2006328955A (ja) | エネルギー変換素子およびそれを備えた静電駆動素子、並びに電子機器 | |
JP2006346787A (ja) | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 | |
JP2010282788A (ja) | 有接点スイッチ、半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 | |
JP2006351385A (ja) | 静電駆動素子およびそれを備えた電子機器 | |
JP5098769B2 (ja) | スイッチング装置、スイッチング素子、および通信機器 | |
JP2010278895A (ja) | 伝送線路素子および電子機器 | |
JP2009117903A (ja) | フィルタ素子、半導体デバイスおよび電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080501 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100812 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110310 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110323 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |