JP2003136493A - 静電駆動デバイス - Google Patents
静電駆動デバイスInfo
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- JP2003136493A JP2003136493A JP2001327804A JP2001327804A JP2003136493A JP 2003136493 A JP2003136493 A JP 2003136493A JP 2001327804 A JP2001327804 A JP 2001327804A JP 2001327804 A JP2001327804 A JP 2001327804A JP 2003136493 A JP2003136493 A JP 2003136493A
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- fixed electrode
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- electrode substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロマシニング技術を採用して製造した
静電駆動デバイスにおける可動電極板の固定電極基板に
対する張り付きを固定電極基板の可動電極板に対向する
面に絶縁材料より成る微小球を介在させることにより防
止する静電駆動デバイスを提供する。 【解決手段】 固定電極基板８とアンカー部１１および
フレクチュア２１を介して固定電極基板に取り付け結合
される可動電極板２とを有し、可動電極板２と固定電極
基板８との間に電圧を印加して可動電極板２を静電駆動
する静電駆動デバイスにおいて、固定電極基板８の可動
電極板２に対向する表面に絶縁材料より成る微小球１
３’を介在させ、微小球１３’はエポキシ樹脂により構
成した静電駆動デバイス。
静電駆動デバイスにおける可動電極板の固定電極基板に
対する張り付きを固定電極基板の可動電極板に対向する
面に絶縁材料より成る微小球を介在させることにより防
止する静電駆動デバイスを提供する。 【解決手段】 固定電極基板８とアンカー部１１および
フレクチュア２１を介して固定電極基板に取り付け結合
される可動電極板２とを有し、可動電極板２と固定電極
基板８との間に電圧を印加して可動電極板２を静電駆動
する静電駆動デバイスにおいて、固定電極基板８の可動
電極板２に対向する表面に絶縁材料より成る微小球１
３’を介在させ、微小球１３’はエポキシ樹脂により構
成した静電駆動デバイス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、静電駆動デバイ
スに関し、特に、マイクロマシニング技術を採用して製
造した静電駆動デバイスにおける可動電極板の固定電極
基板に対する張り付きを固定電極基板の可動電極板に対
向する面に絶縁材料より成る微小球を介在させることに
より防止する静電駆動デバイスに関する。
スに関し、特に、マイクロマシニング技術を採用して製
造した静電駆動デバイスにおける可動電極板の固定電極
基板に対する張り付きを固定電極基板の可動電極板に対
向する面に絶縁材料より成る微小球を介在させることに
より防止する静電駆動デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】静電駆動デバイスの一態様である光スイ
ッチの従来例を図３を参照して説明する。図３（ａ）は
従来例を上から視た図、図３（ｂ）は図３（ａ）の線ｂ
−ｂ’に沿った断面を示す図である。図３において１０
は支持フレーム、１１はアンカー部、２１はフレクチュ
ア、２は可動電極板、８は固定電極基板、８３は電極、
８４は接地電極である。これらの構成部材はシリコンよ
り成る原材料基板に順次に薄膜成膜技術およびエッチン
グ技術を含むマイクロマシニング技術を適用することに
より製造される。ここで、可動電極板２はフレクチュア
２１およびアンカー部１１を介して支持フレーム１０に
電気機械的に結合している。フレクチュア２１は図示さ
れる通りの枠形に構成されている。１２は原材料基板を
貫通して形成された座ぐり孔である。即ち、原材料基板
は、図３に示される通りの支持フレーム１０に加工さ
れ、支持フレーム１０に一体に、左方のアンカー部１１
およびフレクチュア２１、可動電極板２、右方のフレク
チュア２１およびアンカー部１１が形成される。そし
て、可動電極板２の上面にミラー３を形成する。別体に
製造された固定電極基板８を表面に形成される酸化被膜
８５を介して工程８の支持フレーム１０に電気絶縁状態
に接合一体化する。
ッチの従来例を図３を参照して説明する。図３（ａ）は
従来例を上から視た図、図３（ｂ）は図３（ａ）の線ｂ
−ｂ’に沿った断面を示す図である。図３において１０
は支持フレーム、１１はアンカー部、２１はフレクチュ
ア、２は可動電極板、８は固定電極基板、８３は電極、
８４は接地電極である。これらの構成部材はシリコンよ
り成る原材料基板に順次に薄膜成膜技術およびエッチン
グ技術を含むマイクロマシニング技術を適用することに
より製造される。ここで、可動電極板２はフレクチュア
２１およびアンカー部１１を介して支持フレーム１０に
電気機械的に結合している。フレクチュア２１は図示さ
れる通りの枠形に構成されている。１２は原材料基板を
貫通して形成された座ぐり孔である。即ち、原材料基板
は、図３に示される通りの支持フレーム１０に加工さ
れ、支持フレーム１０に一体に、左方のアンカー部１１
およびフレクチュア２１、可動電極板２、右方のフレク
チュア２１およびアンカー部１１が形成される。そし
て、可動電極板２の上面にミラー３を形成する。別体に
製造された固定電極基板８を表面に形成される酸化被膜
８５を介して工程８の支持フレーム１０に電気絶縁状態
に接合一体化する。
【０００３】図４を参照して以上の従来例の可動電極板
の製造の仕方を具体的に説明する。 （工程１） 上面に酸化シリコン膜６を介して単結晶シ
リコン薄膜７が接合された単結晶シリコン基板より成る
原材料基板１を準備する。 （工程２） 単結晶シリコン薄膜７を可動電極板２、フ
レクチュア２１、電極８３の形状にパターニングする。 （工程３） 原材料基板１の全表面を酸化して酸化シリ
コン膜６’を形成する。
の製造の仕方を具体的に説明する。 （工程１） 上面に酸化シリコン膜６を介して単結晶シ
リコン薄膜７が接合された単結晶シリコン基板より成る
原材料基板１を準備する。 （工程２） 単結晶シリコン薄膜７を可動電極板２、フ
レクチュア２１、電極８３の形状にパターニングする。 （工程３） 原材料基板１の全表面を酸化して酸化シリ
コン膜６’を形成する。
【０００４】（工程４） 原材料基板１の上面の酸化シ
リコン膜６、６’の内の電極８３を形成する部分８３’
と、下面の酸化シリコン膜６、６’の内の工程７におい
て原材料基板１を貫通エッチングして座ぐり孔１２を形
成する部分１２’を除去する。 （工程５） 原材料基板１の上面全面に金／クロム２層
膜８０を成膜する。 （工程６） 電極８３の形状に金／クロム２層膜８０を
パターニングする。 （工程７） ＫＯＨ溶液により原材料基板１を貫通エッ
チングして座ぐり孔１２を形成し、原材料基板１から支
持フレーム１０が形成される。
リコン膜６、６’の内の電極８３を形成する部分８３’
と、下面の酸化シリコン膜６、６’の内の工程７におい
て原材料基板１を貫通エッチングして座ぐり孔１２を形
成する部分１２’を除去する。 （工程５） 原材料基板１の上面全面に金／クロム２層
膜８０を成膜する。 （工程６） 電極８３の形状に金／クロム２層膜８０を
パターニングする。 （工程７） ＫＯＨ溶液により原材料基板１を貫通エッ
チングして座ぐり孔１２を形成し、原材料基板１から支
持フレーム１０が形成される。
【０００５】（工程８） 可動電極板２およびフレクチ
ュア２１に対応する領域の酸化シリコン膜６、６’を除
去し、フレクチュア２１を介して支持フレーム１０に取
り付けられた可動電極板２を構成する。なお、ミラー３
の形成工程は省略したが、当該特許出願人の出願に係わ
る特願２０００−７０５７０号明細書において、ミラー
の形成をも含めた更に詳細な製造工程の説明がなされて
いる。更に、固定電極基板８を別体に製造し、これを表
面に形成される酸化被膜８５を介して工程８において構
成された支持フレーム１０に電気絶縁状態に接合一体化
する。
ュア２１に対応する領域の酸化シリコン膜６、６’を除
去し、フレクチュア２１を介して支持フレーム１０に取
り付けられた可動電極板２を構成する。なお、ミラー３
の形成工程は省略したが、当該特許出願人の出願に係わ
る特願２０００−７０５７０号明細書において、ミラー
の形成をも含めた更に詳細な製造工程の説明がなされて
いる。更に、固定電極基板８を別体に製造し、これを表
面に形成される酸化被膜８５を介して工程８において構
成された支持フレーム１０に電気絶縁状態に接合一体化
する。
【０００６】ここで、先の図３を参照して以上の光スイ
ッチによる光のスイッチング動作を説明する。４は出射
側光ファイバ或は光導波路であり、５および５’は入射
側光ファイバ或いは光導波路である。図示される状態
は、出射側光ファイバ４を介して伝送されてきた光がそ
の端面から出射して空間を伝播し、ミラー３において反
射し、入射側光ファイバ５に入射、伝送される状態を示
す。この状態を定常状態とし、ここで、先の両電極間に
電圧を印加して両電極間に吸引する向きの静電力が発生
すると、可動電極板２は下向きに駆動され、フレクチュ
ア２１が変形することにより下方に変位する。可動電極
板２が下方に変位することによりこの上面に形成されて
いるミラー３も下方に変位し、ミラー３は出射側光ファ
イバ４端面から出射する光の光路から下方に変位して外
れる。これにより遮断されていた空間伝播光は直進して
入射側光ファイバ５’に入射し、これを介して伝送され
る。入射側光ファイバ５に対する反射光は消失する。以
上の通り、入射側光ファイバ５と入射側光ファイバ５’
に対して光路の切り替えを光導波路を介することなしに
空間的に実施することができる。
ッチによる光のスイッチング動作を説明する。４は出射
側光ファイバ或は光導波路であり、５および５’は入射
側光ファイバ或いは光導波路である。図示される状態
は、出射側光ファイバ４を介して伝送されてきた光がそ
の端面から出射して空間を伝播し、ミラー３において反
射し、入射側光ファイバ５に入射、伝送される状態を示
す。この状態を定常状態とし、ここで、先の両電極間に
電圧を印加して両電極間に吸引する向きの静電力が発生
すると、可動電極板２は下向きに駆動され、フレクチュ
ア２１が変形することにより下方に変位する。可動電極
板２が下方に変位することによりこの上面に形成されて
いるミラー３も下方に変位し、ミラー３は出射側光ファ
イバ４端面から出射する光の光路から下方に変位して外
れる。これにより遮断されていた空間伝播光は直進して
入射側光ファイバ５’に入射し、これを介して伝送され
る。入射側光ファイバ５に対する反射光は消失する。以
上の通り、入射側光ファイバ５と入射側光ファイバ５’
に対して光路の切り替えを光導波路を介することなしに
空間的に実施することができる。
【０００７】以上の光スイッチにおいて、可動電極板２
はその板厚が極く薄く、この可動電極板２をアンカー部
１１に連結するフレクチュア２１の厚さも極く薄くて弾
性復元力が小さい。そして、可動電極板２の下面は平滑
であり、これに対向する固定電極基板８の上面も平滑で
ある。これらの条件の元で、可動電極板２の下面が下方
に変位して固定電極基板８の上面に接触すると、可動電
極板２の下面と固定電極基板８の上面との間にファン・
デル・ワールス力が作用して両者は相互に吸着し、瞬時
には復元せず動作を円滑に行なわない場合が生ずる。即
ち、可動電極板２と固定電極基板８が張り付いた場合、
可動電極板２と固定電極基板８の間の電圧を無印加とし
ても、可動電極板２が元の位置に瞬時には復帰しない張
り付き現象が生起する。
はその板厚が極く薄く、この可動電極板２をアンカー部
１１に連結するフレクチュア２１の厚さも極く薄くて弾
性復元力が小さい。そして、可動電極板２の下面は平滑
であり、これに対向する固定電極基板８の上面も平滑で
ある。これらの条件の元で、可動電極板２の下面が下方
に変位して固定電極基板８の上面に接触すると、可動電
極板２の下面と固定電極基板８の上面との間にファン・
デル・ワールス力が作用して両者は相互に吸着し、瞬時
には復元せず動作を円滑に行なわない場合が生ずる。即
ち、可動電極板２と固定電極基板８が張り付いた場合、
可動電極板２と固定電極基板８の間の電圧を無印加とし
ても、可動電極板２が元の位置に瞬時には復帰しない張
り付き現象が生起する。
【０００８】ところで、対向する面の何れか一方、一例
として固定電極基板８側に突起を形成して可動電極板２
と固定電極基板８の間の接触面積を低減することにより
相互吸着を阻止する先行例、或いは従来例が開発されて
いる。この一例を図５、図６および図７を参照して説明
する。図５（ａ）は固定電極基板８と可動電極板２とを
接合して構成した静電駆動デバイスを上から視た図、図
５（ｂ）は固定電極基板８を上から視た図である。図６
（ａ）は図５（ｂ）における線ｃ−ｃ’に沿った断面に
関する図、図６（ｂ）は図５（ｂ）における線ｂ−ｂ’
に沿った断面に関する図である。図７（ａ）は図５
（ｂ）における線ｃ−ｃ’に沿った断面に関する図、図
７（ｂ）は図５（ｂ）における線ｂ−ｂ’に沿った断面
に関する図である。
として固定電極基板８側に突起を形成して可動電極板２
と固定電極基板８の間の接触面積を低減することにより
相互吸着を阻止する先行例、或いは従来例が開発されて
いる。この一例を図５、図６および図７を参照して説明
する。図５（ａ）は固定電極基板８と可動電極板２とを
接合して構成した静電駆動デバイスを上から視た図、図
５（ｂ）は固定電極基板８を上から視た図である。図６
（ａ）は図５（ｂ）における線ｃ−ｃ’に沿った断面に
関する図、図６（ｂ）は図５（ｂ）における線ｂ−ｂ’
に沿った断面に関する図である。図７（ａ）は図５
（ｂ）における線ｃ−ｃ’に沿った断面に関する図、図
７（ｂ）は図５（ｂ）における線ｂ−ｂ’に沿った断面
に関する図である。
【０００９】（工程１）原材料基板として上下両面に酸
化シリコン被膜８５’を形成した単結晶シリコン基板
８’を準備する。 （工程２）単結晶シリコン基板８’の上面の酸化シリコ
ン被膜８５’をエッチング除去して突起１３の形状にパ
ターニング１３’する。 （工程３）パターニング１３’をマスクとして単結晶シ
リコン基板８’の上面をエッチングし、突起１３を形成
する。
化シリコン被膜８５’を形成した単結晶シリコン基板
８’を準備する。 （工程２）単結晶シリコン基板８’の上面の酸化シリコ
ン被膜８５’をエッチング除去して突起１３の形状にパ
ターニング１３’する。 （工程３）パターニング１３’をマスクとして単結晶シ
リコン基板８’の上面をエッチングし、突起１３を形成
する。
【００１０】（工程４）突起１３の上面に残存する酸化
シリコン被膜より成るパターニング１３’を除去する。 （工程５）工程４に続いて、単結晶シリコン基板８’の
上下両面に絶縁被膜８５を酸化形成する。 （工程６）単結晶シリコン基板８’の上面の絶縁被膜８
５の内の接地電極８４を形成する形成領域８６を除去す
る。
シリコン被膜より成るパターニング１３’を除去する。 （工程５）工程４に続いて、単結晶シリコン基板８’の
上下両面に絶縁被膜８５を酸化形成する。 （工程６）単結晶シリコン基板８’の上面の絶縁被膜８
５の内の接地電極８４を形成する形成領域８６を除去す
る。
【００１１】（工程７）形成領域８６を含む上面の絶縁
被膜８５上面に金およびクロムの２層より成る金／クロ
ム薄膜層８７’を成膜形成する。 （工程８）金／クロム薄膜層８７’をエッチング除去し
て接地電極８４の形状にパターニングする。
被膜８５上面に金およびクロムの２層より成る金／クロ
ム薄膜層８７’を成膜形成する。 （工程８）金／クロム薄膜層８７’をエッチング除去し
て接地電極８４の形状にパターニングする。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】以上の通りにして対向
する面の何れか一方、一例として固定電極基板８側に絶
縁性の突起を形成し、可動電極板２と固定電極基板８の
間の接触面積を低減して両者間の張り付きを防止するこ
とはできる。しかし、固定電極基板の可動電極板に対向
する面に絶縁性突起を形成するには、原材料基板である
単結晶シリコン基板に突起を形成してこれに絶縁膜を形
成する上述した通りの複雑なマイクロマシニング技術を
固定電極基板の原材料基板に適用して形成する必要があ
る。この種の接触面積の低減の仕方に関する文献は特開
平１０−２５６５６３号公報、特願２０００−７０５７
０号明細書、特願２００１−２２７６１３号明細書その
他、多数存在する。
する面の何れか一方、一例として固定電極基板８側に絶
縁性の突起を形成し、可動電極板２と固定電極基板８の
間の接触面積を低減して両者間の張り付きを防止するこ
とはできる。しかし、固定電極基板の可動電極板に対向
する面に絶縁性突起を形成するには、原材料基板である
単結晶シリコン基板に突起を形成してこれに絶縁膜を形
成する上述した通りの複雑なマイクロマシニング技術を
固定電極基板の原材料基板に適用して形成する必要があ
る。この種の接触面積の低減の仕方に関する文献は特開
平１０−２５６５６３号公報、特願２０００−７０５７
０号明細書、特願２００１−２２７６１３号明細書その
他、多数存在する。
【００１３】この発明は、固定電極基板の可動電極板に
対向する面に絶縁材料より成る微小球を介在させるとい
う簡易な構成により可動電極板の固定電極基板に対する
張り付きを防止する上述の問題を解消した静電駆動デバ
イスを提供するものである。
対向する面に絶縁材料より成る微小球を介在させるとい
う簡易な構成により可動電極板の固定電極基板に対する
張り付きを防止する上述の問題を解消した静電駆動デバ
イスを提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１：固定電極基板
８とアンカー部１１およびフレクチュア２１を介して固
定電極基板に取り付け結合される可動電極板２とを有
し、可動電極板２と固定電極基板８との間に電圧を印加
して可動電極板２を静電駆動する静電駆動デバイスにお
いて、固定電極基板８の可動電極板２に対向する表面に
絶縁材料より成る微小球１３’を介在させた静電駆動デ
バイスを構成した。そして、請求項２：請求項１に記載
される静電駆動デバイスにおいて、微小球１３’はエポ
キシ樹脂により構成した静電駆動デバイスを構成した。
８とアンカー部１１およびフレクチュア２１を介して固
定電極基板に取り付け結合される可動電極板２とを有
し、可動電極板２と固定電極基板８との間に電圧を印加
して可動電極板２を静電駆動する静電駆動デバイスにお
いて、固定電極基板８の可動電極板２に対向する表面に
絶縁材料より成る微小球１３’を介在させた静電駆動デ
バイスを構成した。そして、請求項２：請求項１に記載
される静電駆動デバイスにおいて、微小球１３’はエポ
キシ樹脂により構成した静電駆動デバイスを構成した。
【００１５】また、請求項３：請求項１および請求項２
の内の何れかに記載される静電駆動デバイスにおいて、
可動電極板２の上面にミラー３を位置決め固定した静電
駆動デバイスを構成した。
の内の何れかに記載される静電駆動デバイスにおいて、
可動電極板２の上面にミラー３を位置決め固定した静電
駆動デバイスを構成した。
【００１６】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１の実
施例を参照して説明する。以下、この発明による固定電
極基板８の製造の仕方について説明する。 （工程１） 上下両表面に酸化シリコン膜６を形成した
単結晶シリコン基板より成る原材料基板１を準備する。 （工程２） 上表面の酸化シリコン膜６の内の接地電極
８４を形成すべき形成領域８６を除去する。
施例を参照して説明する。以下、この発明による固定電
極基板８の製造の仕方について説明する。 （工程１） 上下両表面に酸化シリコン膜６を形成した
単結晶シリコン基板より成る原材料基板１を準備する。 （工程２） 上表面の酸化シリコン膜６の内の接地電極
８４を形成すべき形成領域８６を除去する。
【００１７】（工程３） 形成領域８６を含む酸化シリ
コン膜６の上面に金／クロム２層膜８７’を成膜形成す
る。 （工程４） 金／クロム２層膜８７’を接地電極８４の
形状にパターニングする。即ち、金／クロム２層膜８
７’を形成領域８６を除いて除去する。 （工程５） 直径３〜２０μｍのエポキシ樹脂微小球１
３’を混合した揮発性液体を露出せしめられた酸化シリ
コン膜６の表面に噴霧し、乾燥させる。ここで、エポキ
シ樹脂微小球１３’は液晶基板作成用のスペーサが利用
され、揮発性液体としては代替フロンが使用される。
コン膜６の上面に金／クロム２層膜８７’を成膜形成す
る。 （工程４） 金／クロム２層膜８７’を接地電極８４の
形状にパターニングする。即ち、金／クロム２層膜８
７’を形成領域８６を除いて除去する。 （工程５） 直径３〜２０μｍのエポキシ樹脂微小球１
３’を混合した揮発性液体を露出せしめられた酸化シリ
コン膜６の表面に噴霧し、乾燥させる。ここで、エポキ
シ樹脂微小球１３’は液晶基板作成用のスペーサが利用
され、揮発性液体としては代替フロンが使用される。
【００１８】以上の通りにして、表面に従来例の突起１
３に相当するエポキシ樹脂微小球１３’が付着せしめら
れた固定電極基板８を製造することができる。ここで、
実施例において、可動電極板２およびフレクチュア２１
を含む支持フレーム１０は図３および図４を参照して図
示説明された従来例と同様のものを使用する。図２はエ
ポキシ樹脂微小球１３’が付着せしめられた固定電極基
板８と支持フレーム１０より成る静電駆動デバイスを説
明する図である。図２（ａ）は支持フレーム１０と固定
電極基板８とを接合して構成した静電駆動デバイスを上
から視た図、図２（ｂ）は固定電極基板を上から視た
図、図２（ｃ）は図２（ａ）における線ｃ−ｃ’に沿っ
た断面を示す図、図２（ｄ）は図２（ｂ）における線ａ
−ａ’に沿った断面を示す図、図２（ｅ）は図２（ｂ）
における線ｅ−ｅ’に沿った断面を示す図である。
３に相当するエポキシ樹脂微小球１３’が付着せしめら
れた固定電極基板８を製造することができる。ここで、
実施例において、可動電極板２およびフレクチュア２１
を含む支持フレーム１０は図３および図４を参照して図
示説明された従来例と同様のものを使用する。図２はエ
ポキシ樹脂微小球１３’が付着せしめられた固定電極基
板８と支持フレーム１０より成る静電駆動デバイスを説
明する図である。図２（ａ）は支持フレーム１０と固定
電極基板８とを接合して構成した静電駆動デバイスを上
から視た図、図２（ｂ）は固定電極基板を上から視た
図、図２（ｃ）は図２（ａ）における線ｃ−ｃ’に沿っ
た断面を示す図、図２（ｄ）は図２（ｂ）における線ａ
−ａ’に沿った断面を示す図、図２（ｅ）は図２（ｂ）
における線ｅ−ｅ’に沿った断面を示す図である。
【００１９】図２において、接地電極８４は単結晶シリ
コンより成る固定電極基板８に接続している。静電駆動
デバイスは、電極８３と接地電極８４との間にフレクチ
ュア２１を介して電圧を印加して両電極間に吸引する向
きの静電力が発生すると、可動電極板２は下向きに駆動
され、フレクチュア２１が変形することにより下方に変
位する。ところで、可動電極板２の上面にミラー３を位
置決め固定することにより静電駆動デバイスを光スイッ
チとすることができる。ここで、固定電極基板８にはそ
の表面にエポキシ樹脂微小球１３’が付着形成せしめら
れているので、可動電極板２は固定電極基板８に静電吸
着した時このエポキシ樹脂微小球１３’に係合接触す
る。以上の通り、固定電極基板８の表面に絶縁材料より
成る微小球より成る微小突起或いは粗面を形成すること
にっより、可動電極板の固定電極基板に対する張り付き
を確実に阻止することができる。
コンより成る固定電極基板８に接続している。静電駆動
デバイスは、電極８３と接地電極８４との間にフレクチ
ュア２１を介して電圧を印加して両電極間に吸引する向
きの静電力が発生すると、可動電極板２は下向きに駆動
され、フレクチュア２１が変形することにより下方に変
位する。ところで、可動電極板２の上面にミラー３を位
置決め固定することにより静電駆動デバイスを光スイッ
チとすることができる。ここで、固定電極基板８にはそ
の表面にエポキシ樹脂微小球１３’が付着形成せしめら
れているので、可動電極板２は固定電極基板８に静電吸
着した時このエポキシ樹脂微小球１３’に係合接触す
る。以上の通り、固定電極基板８の表面に絶縁材料より
成る微小球より成る微小突起或いは粗面を形成すること
にっより、可動電極板の固定電極基板に対する張り付き
を確実に阻止することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明によれ
ば、固定電極基板の可動電極板に対向する表面に絶縁材
料より成る微小球を介在させることにより、従来例にお
いて必要とされた最終的に固定電極基板８となるべき単
結晶シリコン基板より成る原材料基板１に多工程のマイ
クロマシニング技術を適用して突起１３を形成し、突起
１３表面に絶縁被膜を形成するという煩雑な工程を採用
しないで可動電極板の固定電極基板に対する張り付きを
防止する微小突起或いは粗面を形成することができる。
これにより、固定電極基板８を簡略に加工製造すること
ができるに到った分だけ、静電駆動デバイスの製造コス
トの低減につながる。
ば、固定電極基板の可動電極板に対向する表面に絶縁材
料より成る微小球を介在させることにより、従来例にお
いて必要とされた最終的に固定電極基板８となるべき単
結晶シリコン基板より成る原材料基板１に多工程のマイ
クロマシニング技術を適用して突起１３を形成し、突起
１３表面に絶縁被膜を形成するという煩雑な工程を採用
しないで可動電極板の固定電極基板に対する張り付きを
防止する微小突起或いは粗面を形成することができる。
これにより、固定電極基板８を簡略に加工製造すること
ができるに到った分だけ、静電駆動デバイスの製造コス
トの低減につながる。
【図１】実施例の固定電極基板の製造工程を説明する
図。
図。
【図２】実施例を説明する図。
【図３】従来例の動作を説明する図。
【図４】可動電極板の製造の仕方を説明する図。
【図５】従来例を説明する図。
【図６】従来例の固定電極基板の製造工程を説明する
図。
図。
【図７】図６の続き。
１１ アンカー部 １３’微小球
２ 可動電極板 ２１ フレクチュア
８ 固定電極基板
フロントページの続き
(72)発明者 則松 俊英
東京都渋谷区道玄坂１丁目21番２号 日本
航空電子工業株式会社内
(72)発明者 伊巻 理
東京都渋谷区道玄坂１丁目21番２号 日本
航空電子工業株式会社内
Ｆターム(参考） 2H041 AA14 AB14 AC06 AZ08
Claims (3)
- 【請求項１】 固定電極基板とアンカー部およびフレク
チュアを介して固定電極基板に取り付け結合される可動
電極板とを有し、可動電極板と固定電極基板との間に電
圧を印加して可動電極板を静電駆動する静電駆動デバイ
スにおいて、 固定電極基板の可動電極板に対向する表面に絶縁材料よ
り成る微小球を介在させたことを特徴とする静電駆動デ
バイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載される静電駆動デバイス
において、 微小球はエポキシ樹脂により構成したことを特徴とする
静電駆動デバイス。 - 【請求項３】 請求項１および請求項２の内の何れかに
記載される静電駆動デバイスにおいて、 可動電極板の上面にミラーを位置決め固定したことを特
徴とする静電駆動デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327804A JP2003136493A (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 静電駆動デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001327804A JP2003136493A (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 静電駆動デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003136493A true JP2003136493A (ja) | 2003-05-14 |
Family
ID=19143974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001327804A Pending JP2003136493A (ja) | 2001-10-25 | 2001-10-25 | 静電駆動デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003136493A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012558A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Sony Corp | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 |
| JP2009160677A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Yamaha Corp | Ｍｅｍｓおよびｍｅｍｓ製造方法 |
| CN104671186A (zh) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 英飞凌科技股份有限公司 | Mems器件 |
-
2001
- 2001-10-25 JP JP2001327804A patent/JP2003136493A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012558A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Sony Corp | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 |
| JP4721045B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 |
| JP2009160677A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Yamaha Corp | Ｍｅｍｓおよびｍｅｍｓ製造方法 |
| CN104671186A (zh) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 英飞凌科技股份有限公司 | Mems器件 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040405 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041019 |