JPH07218845A - ミラーデバイス及びその製造方法 - Google Patents
ミラーデバイス及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07218845A JPH07218845A JP852394A JP852394A JPH07218845A JP H07218845 A JPH07218845 A JP H07218845A JP 852394 A JP852394 A JP 852394A JP 852394 A JP852394 A JP 852394A JP H07218845 A JPH07218845 A JP H07218845A
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- JP
- Japan
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- mirror device
- substrate
- film
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電型ミラーデバイスにおいて、ミリメート
ルオーダーに小型化、集積化が可能で且つ従来のミラー
デバイスに比べて広い範囲にわたって反射光の振れ角を
制御することのできるミラーデバイスを提供する。 【構成】 ミラーが配設された反射層３、該反射層を支
持する支持部材５、基板１上に設けられた絶縁膜６と該
支持部材５との間にあって該支持部材の一端を支持する
片持ち梁４、基板上に設けられた絶縁膜と該支持部材の
他の一端とを接続する吸着膜２を設けてなるミラーデバ
イス。
ルオーダーに小型化、集積化が可能で且つ従来のミラー
デバイスに比べて広い範囲にわたって反射光の振れ角を
制御することのできるミラーデバイスを提供する。 【構成】 ミラーが配設された反射層３、該反射層を支
持する支持部材５、基板１上に設けられた絶縁膜６と該
支持部材５との間にあって該支持部材の一端を支持する
片持ち梁４、基板上に設けられた絶縁膜と該支持部材の
他の一端とを接続する吸着膜２を設けてなるミラーデバ
イス。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体プロセス技術を利
用した微小なミラーデバイス及びその製造方法に関する
ものである。
用した微小なミラーデバイス及びその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロマシーニング技術を用いること
により微小なミラーが作製され、こうしたミラーを多数
基板上に配列し、動作させる空間光変調素子がＵＳＰ４
３１７６１１等に提案されている。
により微小なミラーが作製され、こうしたミラーを多数
基板上に配列し、動作させる空間光変調素子がＵＳＰ４
３１７６１１等に提案されている。
【０００３】図８に従来のミラーデバイスの代表的な１
例を示す。従来のミラーデバイスはいずれも基板１上に
片持ち梁４あるいは両持ち梁により支持された反射層３
を有し、この反射層３と基板１又は基板上に配置した電
極７との間に電圧を印加して、静電引力により前記反射
層３を支持する梁４をたわませ、反射層３に設置されて
いるミラーに入射した光の反射方向を変化させるもので
ある。
例を示す。従来のミラーデバイスはいずれも基板１上に
片持ち梁４あるいは両持ち梁により支持された反射層３
を有し、この反射層３と基板１又は基板上に配置した電
極７との間に電圧を印加して、静電引力により前記反射
層３を支持する梁４をたわませ、反射層３に設置されて
いるミラーに入射した光の反射方向を変化させるもので
ある。
【０００４】しかしながら、このようなミラーデバイス
は印加電圧の増加とともに反射層３が急激に基板側に吸
着されるために反射光の振れ角を広い範囲で自由に制御
することは難しく、電圧がＯＮ又はＯＦＦの２値状態で
しか使用されることができないという、欠点があった。
は印加電圧の増加とともに反射層３が急激に基板側に吸
着されるために反射光の振れ角を広い範囲で自由に制御
することは難しく、電圧がＯＮ又はＯＦＦの２値状態で
しか使用されることができないという、欠点があった。
【０００５】一方、スキャナに使用されているポリゴン
ミラーや電磁コイル式ミラーが角度制御可能なミラーデ
バイスとして実用化されているが、これらのミラーはミ
リメートルオーダーの微小なデバイスや、ミラーを多数
配置したデバイスへの利用は困難である。
ミラーや電磁コイル式ミラーが角度制御可能なミラーデ
バイスとして実用化されているが、これらのミラーはミ
リメートルオーダーの微小なデバイスや、ミラーを多数
配置したデバイスへの利用は困難である。
【０００６】本発明の目的は、静電型ミラーデバイスに
おいて、ミリメートルオーダーに小型化が可能で且つ従
来のミラーデバイスに比べて広い範囲にわたって反射光
の振れ角を制御することのできるミラーデバイスを提供
することにある。
おいて、ミリメートルオーダーに小型化が可能で且つ従
来のミラーデバイスに比べて広い範囲にわたって反射光
の振れ角を制御することのできるミラーデバイスを提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、ミラーが配設された反射層、該反射層を支持する
支持部材、基板上に設けられた絶縁膜と該支持部材との
間にあって該支持部材の一端を支持する片持ち梁、基板
上に設けられた絶縁膜と該支持部材の他の一端とを接続
する吸着膜を設けてなるミラーデバイスである。
明は、ミラーが配設された反射層、該反射層を支持する
支持部材、基板上に設けられた絶縁膜と該支持部材との
間にあって該支持部材の一端を支持する片持ち梁、基板
上に設けられた絶縁膜と該支持部材の他の一端とを接続
する吸着膜を設けてなるミラーデバイスである。
【０００８】また本発明のミラーデバイスは、吸着膜が
導電性可撓性薄膜であることを含むものである。
導電性可撓性薄膜であることを含むものである。
【０００９】また本発明のミラーデバイスは、基板と絶
縁膜との間に電極を設け、該電極上の絶縁膜に吸着膜の
一端を接続してなるものを含むものである。
縁膜との間に電極を設け、該電極上の絶縁膜に吸着膜の
一端を接続してなるものを含むものである。
【００１０】また本発明のミラーデバイスは、支持部材
と吸着膜とが一体に形成されてなることを含むものであ
る。
と吸着膜とが一体に形成されてなることを含むものであ
る。
【００１１】また本発明は、基板上に絶縁膜を形成する
工程、該絶縁膜上にフォトレジストを塗布、露光及び現
像して一端が傾斜したレジスト層を形成する工程、該傾
斜面上に吸着膜を形成する工程を有する上記ミラーデバ
イスの製造方法である。
工程、該絶縁膜上にフォトレジストを塗布、露光及び現
像して一端が傾斜したレジスト層を形成する工程、該傾
斜面上に吸着膜を形成する工程を有する上記ミラーデバ
イスの製造方法である。
【００１２】また、本発明の製造方法は、基板上に絶縁
膜を形成する工程、該絶縁膜上にフォトレジストを塗
布、露光及び現像して一端が傾斜したレジスト層を形成
する工程、該傾斜面上に吸着膜を形成する工程、該傾斜
面を除くレジスト層上に支持部材を形成する工程、該支
持部材上に反射層を形成する工程、吸着膜が形成された
側とは反対側の一部を残してレジスト層を除去する工程
とを有することを含むものである。
膜を形成する工程、該絶縁膜上にフォトレジストを塗
布、露光及び現像して一端が傾斜したレジスト層を形成
する工程、該傾斜面上に吸着膜を形成する工程、該傾斜
面を除くレジスト層上に支持部材を形成する工程、該支
持部材上に反射層を形成する工程、吸着膜が形成された
側とは反対側の一部を残してレジスト層を除去する工程
とを有することを含むものである。
【００１３】また本発明の製造方法は、吸着膜及び支持
部材を形成する工程において、吸着膜と支持部材とを一
体に形成することを含むものである。
部材を形成する工程において、吸着膜と支持部材とを一
体に形成することを含むものである。
【００１４】また本発明の製造方法は、基板上に電極を
設ける工程を有することを含むものである。
設ける工程を有することを含むものである。
【００１５】
【作用】図１に本発明ミラーデバイスの１態様を示す。
【００１６】ミラーが配設された反射層３は支持部材５
により支持され、該支持部材５は片持ち梁４を介して基
板１上方に支持されている。該片持ち梁４は絶縁膜６が
設けられた基板１上に設けられている。該支持部材のも
う一方の端は吸着膜２により基板１上の絶縁膜６に接続
されている。また、基板１と絶縁膜６との間には電極７
が設けられ、絶縁膜６と吸着膜２とが電極位置上方で接
続されている。
により支持され、該支持部材５は片持ち梁４を介して基
板１上方に支持されている。該片持ち梁４は絶縁膜６が
設けられた基板１上に設けられている。該支持部材のも
う一方の端は吸着膜２により基板１上の絶縁膜６に接続
されている。また、基板１と絶縁膜６との間には電極７
が設けられ、絶縁膜６と吸着膜２とが電極位置上方で接
続されている。
【００１７】図２は上記ミラーデバイスにおいて電極７
に電圧が印加された状態を示す模式図である。電極７に
電圧が印加されると静電力により吸着膜２が電極方向に
引き付けられ、これに伴い支持部材５がたわみ、反射層
３が傾斜する。吸着膜２の電極面上へのはり付き面積は
印加電圧により変化させることができる。反射層の傾き
角度ははり付き面積に依存するので、反射層の傾き角度
を電極への印加電圧で制御することができる。電圧は基
板に配置した電極に印加してもよいし、吸着膜２に印加
してもよい。
に電圧が印加された状態を示す模式図である。電極７に
電圧が印加されると静電力により吸着膜２が電極方向に
引き付けられ、これに伴い支持部材５がたわみ、反射層
３が傾斜する。吸着膜２の電極面上へのはり付き面積は
印加電圧により変化させることができる。反射層の傾き
角度ははり付き面積に依存するので、反射層の傾き角度
を電極への印加電圧で制御することができる。電圧は基
板に配置した電極に印加してもよいし、吸着膜２に印加
してもよい。
【００１８】基板１としてはシリコン、ガラス、石英等
の無機物あるいはポリイミド、ポリカーボネート等の有
機物基板等を挙げることができる。
の無機物あるいはポリイミド、ポリカーボネート等の有
機物基板等を挙げることができる。
【００１９】電極７としてはＡｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、
Ｗ、Ｓｉ合金等を挙げることができる。
Ｗ、Ｓｉ合金等を挙げることができる。
【００２０】絶縁膜６としては、酸化シリコン、窒化シ
リコン等を挙げることができる。
リコン等を挙げることができる。
【００２１】片持ち梁４としては、フォトレジストを露
光現像してパターニングしたものが好ましい。
光現像してパターニングしたものが好ましい。
【００２２】吸着膜２としては、可撓性を有する導電材
料あるいは導電材料と絶縁材料との積層膜、例えばＡ
ｌ、Ａｌ合金、あるいはこれらと酸化シリコン、窒化シ
リコンとの積層膜等を使用することが好ましい。吸着膜
の厚さは０．０５ミクロン〜１ミクロン、好ましくは
０．０７ミクロン〜０．５ミクロン、更に好ましくは
０．１ミクロン〜０．３ミクロンとするのが好適であ
る。
料あるいは導電材料と絶縁材料との積層膜、例えばＡ
ｌ、Ａｌ合金、あるいはこれらと酸化シリコン、窒化シ
リコンとの積層膜等を使用することが好ましい。吸着膜
の厚さは０．０５ミクロン〜１ミクロン、好ましくは
０．０７ミクロン〜０．５ミクロン、更に好ましくは
０．１ミクロン〜０．３ミクロンとするのが好適であ
る。
【００２３】支持部材５としてはＡｌ、Ｓｉ、Ｎｉ等の
金属薄膜、ＳｉＯ2等の酸化物膜、ＳｉＮ等の窒化物膜
等を挙げることができる。支持部材の厚さは薄い方が低
い印加電圧で動作させることができるが、元の位置に戻
る応答速度は遅くなる。このような理由から支持部材の
厚さは０．０７ミクロン〜２ミクロン、好ましくは０．
１ミクロン〜１ミクロン、更に好ましくは０．１ミクロ
ン〜０．５ミクロンとすることが好適である。
金属薄膜、ＳｉＯ2等の酸化物膜、ＳｉＮ等の窒化物膜
等を挙げることができる。支持部材の厚さは薄い方が低
い印加電圧で動作させることができるが、元の位置に戻
る応答速度は遅くなる。このような理由から支持部材の
厚さは０．０７ミクロン〜２ミクロン、好ましくは０．
１ミクロン〜１ミクロン、更に好ましくは０．１ミクロ
ン〜０．５ミクロンとすることが好適である。
【００２４】吸着膜２と支持部材５とは同一の薄膜であ
ってもよいし、機械特性に合わせ別々の材料や厚さを採
用してもよい。
ってもよいし、機械特性に合わせ別々の材料や厚さを採
用してもよい。
【００２５】反射層としては、反射率の高いＡｌ、Ａ
ｇ、Ｃｕ等の金属膜が好ましく、吸着膜の機械的な補強
を兼ね、光を反射する反射面の表面性を保持する機能を
有するものである。
ｇ、Ｃｕ等の金属膜が好ましく、吸着膜の機械的な補強
を兼ね、光を反射する反射面の表面性を保持する機能を
有するものである。
【００２６】以下、本発明のミラーデバイスを製造する
方法を説明する。
方法を説明する。
【００２７】図４は、本発明の製造工程の１例を示す工
程図である。
程図である。
【００２８】まず、基板１上に電極７を形成し（工程
（ａ））、その上に絶縁膜６を形成する（工程
（ｂ））。次に、水平方向及び垂直方向にエッチング選
択比のあるポジ型レジストを絶縁膜６上に塗布し、図中
向かって左斜め上方向から直進性の良いシンクロトロン
放射光で露光するか又は露光強度に分布をもたせるマス
クを使用して上方から露光して、現像することによりレ
ジストに傾斜面９を形成することができる（工程
（ｃ））。
（ａ））、その上に絶縁膜６を形成する（工程
（ｂ））。次に、水平方向及び垂直方向にエッチング選
択比のあるポジ型レジストを絶縁膜６上に塗布し、図中
向かって左斜め上方向から直進性の良いシンクロトロン
放射光で露光するか又は露光強度に分布をもたせるマス
クを使用して上方から露光して、現像することによりレ
ジストに傾斜面９を形成することができる（工程
（ｃ））。
【００２９】次に傾斜面が形成されたレジスト上に吸着
膜及び支持部材となる薄膜を形成する。この例において
は吸着膜２と支持部材５を同一材料で一体に形成してい
る（工程（ｄ））。
膜及び支持部材となる薄膜を形成する。この例において
は吸着膜２と支持部材５を同一材料で一体に形成してい
る（工程（ｄ））。
【００３０】次いで、リフトオフ用レジストを全面に塗
布し、パターン形成した後、支持部材５上に反射層を形
成し、リフトオフ用レジストを剥離する（工程
（ｅ））。
布し、パターン形成した後、支持部材５上に反射層を形
成し、リフトオフ用レジストを剥離する（工程
（ｅ））。
【００３１】更に、吸着膜及び支持部材を形成する薄膜
をパターニングした後、片持ち梁となる一部を残してレ
ジストを除去する（工程（ｆ））。
をパターニングした後、片持ち梁となる一部を残してレ
ジストを除去する（工程（ｆ））。
【００３２】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
【００３３】実施例１ 断面構造が図１で表され、平面構造が図５で表されるミ
ラーデバイスを上記製造方法に則って製造した。
ラーデバイスを上記製造方法に則って製造した。
【００３４】Ｓｉ基板上に電極７としてＡｌを約０．１
μｍ蒸着した。次いで、絶縁層６としてＳｉＯ2を１．
５μｍスパッタ蒸着した。次に、フォトレジスト（シプ
レイ社の商品名ＴＦ２０）を８μｍ塗布した。次に、光
透過量分布を持つマスクによりフォトレジストを露光
し、前記レジストの専用現像液で現像して傾斜面９を持
つレジスト層１４を形成した。次に、レジスト層１４上
に吸着膜２及び支持部材５として導電性、可撓性を有す
るＡｌを０．２μｍスパッタ法により積層した。次に、
リフトオフ用レジストを全面に塗布してパターン形成を
した後、反射層３としてＡｌを２０μｍ角、厚さ０．２
μｍにスパッタ蒸着し、リフトオフ用レジストを剥離し
た。吸着膜２と支持部材５のパターニングを行った後、
酸素プラズマにより支持部材を支える梁部分（底面積が
５ミクロン×２０ミクロン）を残してレジスト層を除去
した。
μｍ蒸着した。次いで、絶縁層６としてＳｉＯ2を１．
５μｍスパッタ蒸着した。次に、フォトレジスト（シプ
レイ社の商品名ＴＦ２０）を８μｍ塗布した。次に、光
透過量分布を持つマスクによりフォトレジストを露光
し、前記レジストの専用現像液で現像して傾斜面９を持
つレジスト層１４を形成した。次に、レジスト層１４上
に吸着膜２及び支持部材５として導電性、可撓性を有す
るＡｌを０．２μｍスパッタ法により積層した。次に、
リフトオフ用レジストを全面に塗布してパターン形成を
した後、反射層３としてＡｌを２０μｍ角、厚さ０．２
μｍにスパッタ蒸着し、リフトオフ用レジストを剥離し
た。吸着膜２と支持部材５のパターニングを行った後、
酸素プラズマにより支持部材を支える梁部分（底面積が
５ミクロン×２０ミクロン）を残してレジスト層を除去
した。
【００３５】上記のように作製したミラーデバイスの反
射層に入射する入射光に対する反射光の触れ角を測定し
た。測定結果を図７に示した。図７から本発明のミラー
デバイスにおいては印加電圧を変えることにより広い範
囲で触れ角を制御することが可能であることが判る。
射層に入射する入射光に対する反射光の触れ角を測定し
た。測定結果を図７に示した。図７から本発明のミラー
デバイスにおいては印加電圧を変えることにより広い範
囲で触れ角を制御することが可能であることが判る。
【００３６】このようなミラーデバイスを基板上に複数
個配置し、動作させることにより空間光変調器として用
いることができる。
個配置し、動作させることにより空間光変調器として用
いることができる。
【００３７】実施例２断面構造が図３で表され、平面構
造が図６で表されるミラーデバイスを上記製造方法に則
って製造した。
造が図６で表されるミラーデバイスを上記製造方法に則
って製造した。
【００３８】低抵抗Ｓｉ基板１の表面を熱酸化し、０．
１μｍのＳｉＯ2膜８を形成した。次に、フォトレジス
トとしてＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）を厚さ
５０μｍに塗布した。次に、シンクロトロン放射光を基
板面に対し２５℃の角度で照射してＰＭＭＡ層を露光
し、現像液ＯＥＢＲ１０００（商品名、東京応化社製）
で現像して傾斜面９を持つレジスト層を形成した。次
に、レジスト層上に吸着膜２及び支持部材５としてＡｌ
−Ｔｉ合金を０．１２μｍスパッタ蒸着した。次に、反
射層３としてＡｌを１００μｍ×７０μｍ、厚さ０．３
μｍにスパッタ蒸着した。吸着膜２と支持部材５のパタ
ーニングを行った。ｏ−ジクロルベンゼンにより支持部
材を支える梁部分（底面積５０ミクロン×２０ミクロ
ン）を残してＰＭＭＡ層を除去した。
１μｍのＳｉＯ2膜８を形成した。次に、フォトレジス
トとしてＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）を厚さ
５０μｍに塗布した。次に、シンクロトロン放射光を基
板面に対し２５℃の角度で照射してＰＭＭＡ層を露光
し、現像液ＯＥＢＲ１０００（商品名、東京応化社製）
で現像して傾斜面９を持つレジスト層を形成した。次
に、レジスト層上に吸着膜２及び支持部材５としてＡｌ
−Ｔｉ合金を０．１２μｍスパッタ蒸着した。次に、反
射層３としてＡｌを１００μｍ×７０μｍ、厚さ０．３
μｍにスパッタ蒸着した。吸着膜２と支持部材５のパタ
ーニングを行った。ｏ−ジクロルベンゼンにより支持部
材を支える梁部分（底面積５０ミクロン×２０ミクロ
ン）を残してＰＭＭＡ層を除去した。
【００３９】作製したミラーデバイスのＡｌ−Ｔｉ吸着
膜に電圧を印加することにより最大変位３０゜が得られ
た。印加電圧と逆符号のパルス状電圧を印加することに
より、反射光の振れ角が変位０゜となるように反射層を
すばやく初期位置に戻すことでき、応答性が向上した。
膜に電圧を印加することにより最大変位３０゜が得られ
た。印加電圧と逆符号のパルス状電圧を印加することに
より、反射光の振れ角が変位０゜となるように反射層を
すばやく初期位置に戻すことでき、応答性が向上した。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、静
電型ミラーデバイスにおいて、ミリメートルオーダーに
小型化、集積化が可能で且つ従来のミラーデバイスに比
べて広い範囲にわたって反射光の振れ角を制御すること
のできるミラーデバイスを提供することができる。
電型ミラーデバイスにおいて、ミリメートルオーダーに
小型化、集積化が可能で且つ従来のミラーデバイスに比
べて広い範囲にわたって反射光の振れ角を制御すること
のできるミラーデバイスを提供することができる。
【図１】本発明ミラーデバイスの１態様を示す模式断面
図である。
図である。
【図２】図１で示されるミラーデバイスに電圧が印加さ
れた状態を示す模式断面図である。
れた状態を示す模式断面図である。
【図３】本発明ミラーデバイスの他の態様を示す模式断
面図である。
面図である。
【図４】本発明に係るミラーデバイスの製造工程の１例
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図５】図１で示されるミラーデバイスの平面図であ
る。
る。
【図６】図３で示されるミラーデバイスの平面図であ
る。
る。
【図７】実施例１で作製したミラーデバイスに電圧を印
加したときの印加電圧と反射光の振れ角との関係を示す
グラフである。
加したときの印加電圧と反射光の振れ角との関係を示す
グラフである。
【図８】従来のミラーデバイスの代表的な１例を示す模
式断面図である。
式断面図である。
１ 基板 ２ 吸着膜 ３ 反射層 ４ 片持ち梁 ５ 支持部材 ６ 絶縁膜 ７ 電極 ８ 絶縁膜 ９ 傾斜面 １０ 入射光 １１ 反射光 １２ エッチング用の孔 １４ レジスト層
Claims (8)
- 【請求項１】 ミラーが配設された反射層、該反射層を
支持する支持部材、基板上に設けられた絶縁膜と該支持
部材との間にあって該支持部材の一端を支持する片持ち
梁、基板上に設けられた絶縁膜と該支持部材の他の一端
とを接続する吸着膜を設けてなるミラーデバイス。 - 【請求項２】 吸着膜が導電性可撓性薄膜である請求項
１に記載のミラーデバイス。 - 【請求項３】 基板と絶縁膜との間に電極を設け、該電
極上の絶縁膜に吸着膜の一端を接続してなる請求項１又
は２に記載のミラーデバイス。 - 【請求項４】 支持部材と吸着膜とが一体に形成されて
なる請求項１乃至３いずれか一に記載のミラーデバイ
ス。 - 【請求項５】 基板上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁
膜上にフォトレジストを塗布、露光及び現像して一端が
傾斜したレジスト層を形成する工程、該傾斜面上に吸着
膜を形成する工程を有する請求項１に記載のミラーデバ
イスの製造方法。 - 【請求項６】 基板上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁
膜上にフォトレジストを塗布、露光及び現像して一端が
傾斜したレジスト層を形成する工程、該傾斜面上に吸着
膜を形成する工程、該傾斜面を除くレジスト層上に支持
部材を形成する工程、該支持部材上に反射層を形成する
工程、吸着膜が形成された側とは反対側の一部を残して
レジスト層を除去する工程とを有する請求項５に記載の
製造方法。 - 【請求項７】 吸着膜及び支持部材を形成する工程にお
いて、吸着膜と支持部材とを一体に形成することを特徴
とする請求項６に記載の製造方法。 - 【請求項８】 基板上に電極を設ける工程を有する請求
項５乃至７いずれか一に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP852394A JPH07218845A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | ミラーデバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP852394A JPH07218845A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | ミラーデバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07218845A true JPH07218845A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11695509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP852394A Pending JPH07218845A (ja) | 1994-01-28 | 1994-01-28 | ミラーデバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07218845A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002214550A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-07-31 | Ricoh Co Ltd | 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する光情報処理装置及びその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 |
| JP2002296521A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Ricoh Co Ltd | 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 |
| JP2005518657A (ja) * | 2001-09-27 | 2005-06-23 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 外装コーテッドｍｅｍｓ素子 |
| US6947195B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-09-20 | Ricoh Company, Ltd. | Optical modulator, optical modulator manufacturing method, light information processing apparatus including optical modulator, image formation apparatus including optical modulator, and image projection and display apparatus including optical modulator |
-
1994
- 1994-01-28 JP JP852394A patent/JPH07218845A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002214550A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-07-31 | Ricoh Co Ltd | 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する光情報処理装置及びその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 |
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