JP2003039392A - 静電駆動デバイス - Google Patents
静電駆動デバイスInfo
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- JP2003039392A JP2003039392A JP2001227613A JP2001227613A JP2003039392A JP 2003039392 A JP2003039392 A JP 2003039392A JP 2001227613 A JP2001227613 A JP 2001227613A JP 2001227613 A JP2001227613 A JP 2001227613A JP 2003039392 A JP2003039392 A JP 2003039392A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固定電極基板表面に第２の電極領域と第１の
電極領域を電気絶縁状態で形成し、可動電極板の固定電
極基板への貼り付きを防止する静電駆動デバイスを提供
する。 【解決手段】 マイクロマシニング技術で製造され、固
定電極基板８と、アンカー部１１とフレクチュア２１を
介して固定電極基板８に取り付け結合される可動電極板
２とを有し、固定電極基板８の表面に互いに絶縁された
第１の電極領域８７および第２の電極領域８８を形成し
た静電駆動デバイス。
電極領域を電気絶縁状態で形成し、可動電極板の固定電
極基板への貼り付きを防止する静電駆動デバイスを提供
する。 【解決手段】 マイクロマシニング技術で製造され、固
定電極基板８と、アンカー部１１とフレクチュア２１を
介して固定電極基板８に取り付け結合される可動電極板
２とを有し、固定電極基板８の表面に互いに絶縁された
第１の電極領域８７および第２の電極領域８８を形成し
た静電駆動デバイス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は静電駆動デバイス
に関し、特に、マイクロマシニング技術を適用して製造
した静電駆動デバイスにおいて、可動電極板の固定電極
基板に対する貼り付きを防止する静電駆動デバイスに関
する。
に関し、特に、マイクロマシニング技術を適用して製造
した静電駆動デバイスにおいて、可動電極板の固定電極
基板に対する貼り付きを防止する静電駆動デバイスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図１３を参照して説明する。図
１３は静電駆動デバイスを光スイッチとして例示してい
る。図１３（ａ）は従来例を上から視た図、図１３
（ｂ）は図１３（ａ）の線ｂ−ｂ’に沿った断面を示す
図である。図１３において、１０は支持フレーム、１１
はアンカー部、２１はフレクチュア、２は可動電極板、
８は固定電極基板、８３は電極、８４は接地電極であ
る。これら構成部材はシリコンより成る原材料基板に順
次に薄膜成膜技術およびエッチング技術を含むマイクロ
マシニング技術を適用することにより製造される。ここ
で、可動電極板２はフレクチュア２１およびアンカー部
１１を介して支持フレーム１０に電気機械的に結合して
いる。フレクチュア２１は図示される通りの枠形に構成
されている。１２は原材料基板を貫通して形成された座
ぐり孔である。即ち、原材料基板は、図１３に示される
通りの支持フレーム１０に加工され、この支持フレーム
１０に一体に、左方のアンカー部１１およびフレクチュ
ア２１、可動電極板２、右方のフレクチュア２１および
アンカー部１１が形成される。そして、可動電極板２の
上面にミラー３を形成する。
１３は静電駆動デバイスを光スイッチとして例示してい
る。図１３（ａ）は従来例を上から視た図、図１３
（ｂ）は図１３（ａ）の線ｂ−ｂ’に沿った断面を示す
図である。図１３において、１０は支持フレーム、１１
はアンカー部、２１はフレクチュア、２は可動電極板、
８は固定電極基板、８３は電極、８４は接地電極であ
る。これら構成部材はシリコンより成る原材料基板に順
次に薄膜成膜技術およびエッチング技術を含むマイクロ
マシニング技術を適用することにより製造される。ここ
で、可動電極板２はフレクチュア２１およびアンカー部
１１を介して支持フレーム１０に電気機械的に結合して
いる。フレクチュア２１は図示される通りの枠形に構成
されている。１２は原材料基板を貫通して形成された座
ぐり孔である。即ち、原材料基板は、図１３に示される
通りの支持フレーム１０に加工され、この支持フレーム
１０に一体に、左方のアンカー部１１およびフレクチュ
ア２１、可動電極板２、右方のフレクチュア２１および
アンカー部１１が形成される。そして、可動電極板２の
上面にミラー３を形成する。
【０００３】図１４を参照して支持フレームおよび可動
電極板の製造の仕方を説明する。 （工程１） 上面に酸化シリコン膜６を介して単結晶シ
リコン薄膜７が接合された単結晶シリコン基板より成る
原材料基板１を準備する。 （工程２） 単結晶シリコン薄膜７を可動電極板２、フ
レクチュア２１、電極８３の形状にパターニングする。 （工程３） 原材料基板１の全表面を酸化して酸化シリ
コン膜６’を形成する。
電極板の製造の仕方を説明する。 （工程１） 上面に酸化シリコン膜６を介して単結晶シ
リコン薄膜７が接合された単結晶シリコン基板より成る
原材料基板１を準備する。 （工程２） 単結晶シリコン薄膜７を可動電極板２、フ
レクチュア２１、電極８３の形状にパターニングする。 （工程３） 原材料基板１の全表面を酸化して酸化シリ
コン膜６’を形成する。
【０００４】（工程４） 原材料基板１の上面の酸化シ
リコン膜６、６’の内の電極８３を形成する部分８３’
と、下面の酸化シリコン膜６、６’の内の工程７におい
て原材料基板１を貫通エッチングして座ぐり孔１２を形
成する部分１２’を除去する。 （工程５） 原材料基板１の上面全面に金／クロム２層
膜８０を成膜する。 （工程６） 電極８３の形状に金／クロム２層膜８０を
パターニングする。 （工程７） ＫＯＨ溶液により原材料基板１を貫通エッ
チングして座ぐり孔１２を形成し、原材料基板１から支
持フレーム１０が形成される。
リコン膜６、６’の内の電極８３を形成する部分８３’
と、下面の酸化シリコン膜６、６’の内の工程７におい
て原材料基板１を貫通エッチングして座ぐり孔１２を形
成する部分１２’を除去する。 （工程５） 原材料基板１の上面全面に金／クロム２層
膜８０を成膜する。 （工程６） 電極８３の形状に金／クロム２層膜８０を
パターニングする。 （工程７） ＫＯＨ溶液により原材料基板１を貫通エッ
チングして座ぐり孔１２を形成し、原材料基板１から支
持フレーム１０が形成される。
【０００５】（工程８） 可動電極板２およびフレクチ
ュア２１に対応する領域の酸化シリコン膜６、６’を除
去し、フレクチュア２１を介して支持フレーム１０に取
り付けられた可動電極板２を構成する。なお、ミラー３
の形成工程は省略したが、当該特許出願人の出願に係わ
る特願２０００−７０５７０号明細書において、ミラー
の形成をも含めた更に詳細な製造工程の説明がなされて
いる。更に、固定電極基板８は別体に製造され、表面に
形成される酸化被膜８５を介して支持フレーム１０に電
気絶縁状態に接合一体化される。
ュア２１に対応する領域の酸化シリコン膜６、６’を除
去し、フレクチュア２１を介して支持フレーム１０に取
り付けられた可動電極板２を構成する。なお、ミラー３
の形成工程は省略したが、当該特許出願人の出願に係わ
る特願２０００−７０５７０号明細書において、ミラー
の形成をも含めた更に詳細な製造工程の説明がなされて
いる。更に、固定電極基板８は別体に製造され、表面に
形成される酸化被膜８５を介して支持フレーム１０に電
気絶縁状態に接合一体化される。
【０００６】次に、図３を参照して以上の光スイッチに
よるスイッチング動作を説明する。４は出射側光ファイ
バ或は光導波路であり、５’は入射側光ファイバ或いは
光導波路である。図示される状態は、出射側光ファイバ
４を介して伝送されてきた光がその端面から出射して空
間を伝播し、ミラー３において反射し、入射側光ファイ
バ５に入射して伝送される状態を示す。この状態を定常
状態とし、ここで、先の両電極間に電圧を印加して両電
極間に吸引する向きの静電力が発生すると、可動電極板
２は下向きに駆動され、フレクチュア２１が変形するこ
とにより下方に変位する。可動電極板２が下方に変位す
ることによりこの上面に形成されているミラー３も下方
に変位し、ミラー３は出射側光ファイバ４端面から出射
する光の光路から下方に変位して外れる。これにより、
遮断されていた空間伝播光は直進して入射側光ファイバ
５’に入射し、これを介して伝送される。入射側光ファ
イバ５に対する反射光は消失する。以上の通り、入射側
光ファイバ５と入射側光ファイバ５’に対して光路の切
り替えを光導波路を介することなしに空間的に実施する
ことができる。
よるスイッチング動作を説明する。４は出射側光ファイ
バ或は光導波路であり、５’は入射側光ファイバ或いは
光導波路である。図示される状態は、出射側光ファイバ
４を介して伝送されてきた光がその端面から出射して空
間を伝播し、ミラー３において反射し、入射側光ファイ
バ５に入射して伝送される状態を示す。この状態を定常
状態とし、ここで、先の両電極間に電圧を印加して両電
極間に吸引する向きの静電力が発生すると、可動電極板
２は下向きに駆動され、フレクチュア２１が変形するこ
とにより下方に変位する。可動電極板２が下方に変位す
ることによりこの上面に形成されているミラー３も下方
に変位し、ミラー３は出射側光ファイバ４端面から出射
する光の光路から下方に変位して外れる。これにより、
遮断されていた空間伝播光は直進して入射側光ファイバ
５’に入射し、これを介して伝送される。入射側光ファ
イバ５に対する反射光は消失する。以上の通り、入射側
光ファイバ５と入射側光ファイバ５’に対して光路の切
り替えを光導波路を介することなしに空間的に実施する
ことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上の光スイッチにお
いて、可動電極板２はその板厚が極く薄く、この可動電
極板２をアンカー部１１に連結するフレクチュア２１の
厚さも極く薄くて弾性復元力が小さい。そして、可動電
極板２の下面は平滑であり、これに対向する固定電極基
板８の上面も平滑である。これらの条件の元で、可動電
極板２の下面が下方に変位して固定電極基板８の上面に
接触すると、可動電極板２の下面と固定電極基板８の上
面との間にファン・デル・ワールス力が作用して両者は
相互に吸着し、瞬時には復元せず動作を円滑に行なわな
い場合が生ずる。即ち、可動電極板２と固定電極基板８
がファン・デル・ワールス力により貼り付いた場合、可
動電極板２と固定電極基板８の間の電圧を無印加として
も可動電極板２が元の位置に瞬時には復帰しない貼り付
き現象が生起する。ところで、対向する面の何れか一方
に突起を形成して可動電極板２と固定電極基板８の間の
接触面積を低減することにより、この相互吸着を阻止す
る従来例或いは先行例が開発されている。これを図１５
に示す。
いて、可動電極板２はその板厚が極く薄く、この可動電
極板２をアンカー部１１に連結するフレクチュア２１の
厚さも極く薄くて弾性復元力が小さい。そして、可動電
極板２の下面は平滑であり、これに対向する固定電極基
板８の上面も平滑である。これらの条件の元で、可動電
極板２の下面が下方に変位して固定電極基板８の上面に
接触すると、可動電極板２の下面と固定電極基板８の上
面との間にファン・デル・ワールス力が作用して両者は
相互に吸着し、瞬時には復元せず動作を円滑に行なわな
い場合が生ずる。即ち、可動電極板２と固定電極基板８
がファン・デル・ワールス力により貼り付いた場合、可
動電極板２と固定電極基板８の間の電圧を無印加として
も可動電極板２が元の位置に瞬時には復帰しない貼り付
き現象が生起する。ところで、対向する面の何れか一方
に突起を形成して可動電極板２と固定電極基板８の間の
接触面積を低減することにより、この相互吸着を阻止す
る従来例或いは先行例が開発されている。これを図１５
に示す。
【０００８】図１５において、図１３における部材と共
通する部材には共通する参照符号を付与している。図１
５（ａ）は従来例を上から視た図、図１５（ｂ）は図１
５（ａ）の線ｂ−ｂ’に沿った断面を示す図、図１５
（ｃ）は固定電極基板を上から視た図である（詳細は、
特開平１０−２５６５６３号公報、特願２０００−７０
５７０号明細書、参照）。ここで、図１５に示される通
り、対向する面の何れか一方である固定電極基板８の表
面に突起１３をマトリクス状に形成して可動電極板２と
固定電極基板８の間の接触面積を低減する構造を採用し
ても、固定電極基板８と可動電極板２の間に電圧印加中
に両者の間の絶縁被膜８５が帯電し、この帯電により可
動電極板２に静電吸引力が作用して電圧を無印加とした
時にもその瞬間に可動電極板２が元の位置に復帰せず、
復帰に時間遅れが発生する。この場合、固定電極基板８
の表面全面に絶縁被膜８５を形成しないで、可動電極板
２と接触する突起１３のみを絶縁体により構成すること
により酸化被膜８５が帯電したことの影響を低減するこ
とはできるが、影響を皆無とすることはできない。
通する部材には共通する参照符号を付与している。図１
５（ａ）は従来例を上から視た図、図１５（ｂ）は図１
５（ａ）の線ｂ−ｂ’に沿った断面を示す図、図１５
（ｃ）は固定電極基板を上から視た図である（詳細は、
特開平１０−２５６５６３号公報、特願２０００−７０
５７０号明細書、参照）。ここで、図１５に示される通
り、対向する面の何れか一方である固定電極基板８の表
面に突起１３をマトリクス状に形成して可動電極板２と
固定電極基板８の間の接触面積を低減する構造を採用し
ても、固定電極基板８と可動電極板２の間に電圧印加中
に両者の間の絶縁被膜８５が帯電し、この帯電により可
動電極板２に静電吸引力が作用して電圧を無印加とした
時にもその瞬間に可動電極板２が元の位置に復帰せず、
復帰に時間遅れが発生する。この場合、固定電極基板８
の表面全面に絶縁被膜８５を形成しないで、可動電極板
２と接触する突起１３のみを絶縁体により構成すること
により酸化被膜８５が帯電したことの影響を低減するこ
とはできるが、影響を皆無とすることはできない。
【０００９】固定電極基板８の表面に絶縁被膜８５を形
成しないものとすると、帯電の問題は生じないが、吸引
時に可動電極板２と固定電極基板８が接触導通して通電
が発生し、電気回路的に好ましくない。この発明は、第
１の電極領域を第２の電極領域と電気絶縁状態で形成
し、可動電極板と第２の電極領域の間が電圧無印加の状
態において可動電極板と第１の電極領域と第２の電極領
域とを同電位に接続する電圧駆動回路を具備して可動電
極板の固定電極基板への貼り付きを防止する静電駆動デ
バイスを提供するものである。
成しないものとすると、帯電の問題は生じないが、吸引
時に可動電極板２と固定電極基板８が接触導通して通電
が発生し、電気回路的に好ましくない。この発明は、第
１の電極領域を第２の電極領域と電気絶縁状態で形成
し、可動電極板と第２の電極領域の間が電圧無印加の状
態において可動電極板と第１の電極領域と第２の電極領
域とを同電位に接続する電圧駆動回路を具備して可動電
極板の固定電極基板への貼り付きを防止する静電駆動デ
バイスを提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１：マイクロマシ
ニング技術で製造され、固定電極基板８と、アンカー部
１１とフレクチュア２１を介して固定電極基板８に取り
付け結合される可動電極板２とを有し、固定電極基板８
の表面に互いに絶縁された第１の電極領域８７および第
２の電極領域８８を形成した静電駆動デバイスを構成し
た。そして、請求項２：請求項１に記載される静電駆動
デバイスにおいて、第１の電極領域８７は、第２の電極
領域８８と比較して可動電極板２に対して相対的に突出
している静電駆動デバイスを構成した。
ニング技術で製造され、固定電極基板８と、アンカー部
１１とフレクチュア２１を介して固定電極基板８に取り
付け結合される可動電極板２とを有し、固定電極基板８
の表面に互いに絶縁された第１の電極領域８７および第
２の電極領域８８を形成した静電駆動デバイスを構成し
た。そして、請求項２：請求項１に記載される静電駆動
デバイスにおいて、第１の電極領域８７は、第２の電極
領域８８と比較して可動電極板２に対して相対的に突出
している静電駆動デバイスを構成した。
【００１１】また、請求項３：請求項２に記載される静
電駆動デバイスにおいて、固定電極基板８の上面に突起
１３をマトリクス状に形成し、第２の電極領域８８を固
定電極基板８自体とし、第１の電極領域８７を絶縁被膜
８５により固定電極基板８と絶縁した状態でライン状に
突起１３間を連結して形成した静電駆動デバイスを構成
した。更に、請求項４：請求項２に記載される静電駆動
デバイスにおいて、固定電極基板８の上面に突起１３を
マトリクス状に形成し、第２の電極領域８８を固定電極
基板８自体とし、第１の電極領域８７を絶縁被膜８５に
より固定電極基板８と絶縁した状態で面状に可動電極板
２に対向して形成した静電駆動デバイスを構成した。
電駆動デバイスにおいて、固定電極基板８の上面に突起
１３をマトリクス状に形成し、第２の電極領域８８を固
定電極基板８自体とし、第１の電極領域８７を絶縁被膜
８５により固定電極基板８と絶縁した状態でライン状に
突起１３間を連結して形成した静電駆動デバイスを構成
した。更に、請求項４：請求項２に記載される静電駆動
デバイスにおいて、固定電極基板８の上面に突起１３を
マトリクス状に形成し、第２の電極領域８８を固定電極
基板８自体とし、第１の電極領域８７を絶縁被膜８５に
より固定電極基板８と絶縁した状態で面状に可動電極板
２に対向して形成した静電駆動デバイスを構成した。
【００１２】ここで、請求項５：請求項１に記載される
静電駆動デバイスにおいて、第１の電極領域８７に対向
する可動電極板２下面に固定電極基板８に対して相対的
に突出した部分を形成した静電駆動デバイスを構成し
た。そして、請求項６：請求項１ないし請求項５の内の
何れかに記載される静電駆動デバイスにおいて、可動電
極板２と第２の電極領域８８の間が電圧無印加の状態に
おいて可動電極板２と第１の電極領域８７と第２の電極
領域８８とを同電位に接続する電圧駆動回路を具備する
静電駆動デバイスを構成した。
静電駆動デバイスにおいて、第１の電極領域８７に対向
する可動電極板２下面に固定電極基板８に対して相対的
に突出した部分を形成した静電駆動デバイスを構成し
た。そして、請求項６：請求項１ないし請求項５の内の
何れかに記載される静電駆動デバイスにおいて、可動電
極板２と第２の電極領域８８の間が電圧無印加の状態に
おいて可動電極板２と第１の電極領域８７と第２の電極
領域８８とを同電位に接続する電圧駆動回路を具備する
静電駆動デバイスを構成した。
【００１３】また、請求項７：請求項６に記載される静
電駆動デバイスにおいて、電圧駆動回路は、可動電極板
２は切り替えスイッチＳＷ１を介して第２の電極領域８
８に直接接続すると共に切り替えスイッチＳＷ１と電源
Ｅとを介して第２の電極領域８８に接続し、可動電極板
２は、更に、単極双投スイッチＳＷ２を介して第１の電
極領域８７に接続するものである静電駆動デバイスを構
成した。更に、請求項８：請求項７に記載される静電駆
動デバイスにおいて、第２の電極領域８８および第１の
電極領域８７は回動軸に直交する方向に偏位して固定電
極基板８の表面に絶縁分離して形成されるものである静
電駆動デバイスを構成した。
電駆動デバイスにおいて、電圧駆動回路は、可動電極板
２は切り替えスイッチＳＷ１を介して第２の電極領域８
８に直接接続すると共に切り替えスイッチＳＷ１と電源
Ｅとを介して第２の電極領域８８に接続し、可動電極板
２は、更に、単極双投スイッチＳＷ２を介して第１の電
極領域８７に接続するものである静電駆動デバイスを構
成した。更に、請求項８：請求項７に記載される静電駆
動デバイスにおいて、第２の電極領域８８および第１の
電極領域８７は回動軸に直交する方向に偏位して固定電
極基板８の表面に絶縁分離して形成されるものである静
電駆動デバイスを構成した。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図の実施
例を参照して説明する。図１および図２を参照して第１
の実施例を説明するに、図１（ａ）は第１の実施例を上
から視た図、図１（ｂ）は固定電極基板を上から視た
図、図２（ｃ）は図１における線ａ−ａ’に沿った厚さ
方向断面を示す図、図２（ｄ）は図１における線ｂ−
ｂ’に沿った厚さ方向断面を示す図、図２（ｅ）は図１
における線ｃ−ｃ’に沿った厚さ方向断面を示す図であ
る。図１および図２において、図１５および図１３にお
ける部材と共通する部材には共通する参照符号を付与す
る。
例を参照して説明する。図１および図２を参照して第１
の実施例を説明するに、図１（ａ）は第１の実施例を上
から視た図、図１（ｂ）は固定電極基板を上から視た
図、図２（ｃ）は図１における線ａ−ａ’に沿った厚さ
方向断面を示す図、図２（ｄ）は図１における線ｂ−
ｂ’に沿った厚さ方向断面を示す図、図２（ｅ）は図１
における線ｃ−ｃ’に沿った厚さ方向断面を示す図であ
る。図１および図２において、図１５および図１３にお
ける部材と共通する部材には共通する参照符号を付与す
る。
【００１５】図１および図２において、第１の実施例
は、先の従来例と同様に、フレクチュア２１を介して可
動電極板２が取り付けられた支持フレーム１０と固定電
極基板８とを接合して構成されている。固定電極基板８
の上面には突起１３がマトリクス状に形成される。そし
て、この固定電極基板８の突起１３を含む上面には酸化
シリコン被膜より成る絶縁被膜８５が形成される。金／
クロム２層膜より成る第１の電極領域８７は絶縁被膜８
５により固定電極基板８と絶縁された状態にあり、突起
１３上端間にライン状に亘って連結して形成されてい
る。可動電極板２が固定電極基板８に静電吸着した時
は、可動電極板２はこの突起１３の上部のみと接触す
る。ここで、単結晶シリコンより成る固定電極基板８自
体が第２の電極領域８８を構成している。金／クロム２
層膜より成る第１の電極領域８７は固定電極基板８のエ
ッジにおいて第２の電極パッド８９に接続すると共に、
固定電極基板８自体より成る第２の電極領域８８はエッ
ジにおいて接地電極８４に接続している。
は、先の従来例と同様に、フレクチュア２１を介して可
動電極板２が取り付けられた支持フレーム１０と固定電
極基板８とを接合して構成されている。固定電極基板８
の上面には突起１３がマトリクス状に形成される。そし
て、この固定電極基板８の突起１３を含む上面には酸化
シリコン被膜より成る絶縁被膜８５が形成される。金／
クロム２層膜より成る第１の電極領域８７は絶縁被膜８
５により固定電極基板８と絶縁された状態にあり、突起
１３上端間にライン状に亘って連結して形成されてい
る。可動電極板２が固定電極基板８に静電吸着した時
は、可動電極板２はこの突起１３の上部のみと接触す
る。ここで、単結晶シリコンより成る固定電極基板８自
体が第２の電極領域８８を構成している。金／クロム２
層膜より成る第１の電極領域８７は固定電極基板８のエ
ッジにおいて第２の電極パッド８９に接続すると共に、
固定電極基板８自体より成る第２の電極領域８８はエッ
ジにおいて接地電極８４に接続している。
【００１６】ここで、静電駆動デバイスを解放および吸
着状態に切り換え駆動する電圧駆動回路を概念図３を参
照して説明する。図３（ａ）は解放状態を示す図であ
る。ここで、ＳＷ１は切り替えスイッチであり、ＳＷ２
はオンオフスイッチである。可動電極板２に接続する電
極８３は、切り替えスイッチＳＷ１を介して固定電極基
板８に直接接続すると共に、切り替えスイッチＳＷ１お
よび電源Ｅを介して固定電極基板８に接続する。可動電
極板２に接続する電極８３は、更に、オンオフスイッチ
ＳＷ２を介して第１の電極領域８７に接続する。
着状態に切り換え駆動する電圧駆動回路を概念図３を参
照して説明する。図３（ａ）は解放状態を示す図であ
る。ここで、ＳＷ１は切り替えスイッチであり、ＳＷ２
はオンオフスイッチである。可動電極板２に接続する電
極８３は、切り替えスイッチＳＷ１を介して固定電極基
板８に直接接続すると共に、切り替えスイッチＳＷ１お
よび電源Ｅを介して固定電極基板８に接続する。可動電
極板２に接続する電極８３は、更に、オンオフスイッチ
ＳＷ２を介して第１の電極領域８７に接続する。
【００１７】図３（ｂ）は、オンオフスイッチＳＷ２の
可動接点ｂと固定接点ハを常に接続状態としておき、切
り替えスイッチＳＷ１の可動接点ａを固定接点ロから固
定接点イに切り替え接触せしめることにより、電源Ｅを
可動電極板２と固定電極基板８の間に接続した吸着状態
を実現したところを示している。ここで、切り替えスイ
ッチＳＷ１の可動接点ａを固定接点イから固定接点ロに
切り替えて可動電極板２と固定電極基板８の間を電圧無
印加とした瞬間、可動電極板２と固定電極基板８の間は
切り替えスイッチＳＷ１を介して同電位となる。そし
て、可動電極板２はオンオフスイッチＳＷ２を介して常
に第１の電極領域８７に接続しているので可動電極板２
と第１の電極領域８７は同電位である。結局、可動電極
板２と固定電極基板８および第１の電極領域８７の３者
は同電位となる。従って、可動電極板２と固定電極基板
８の間を電圧無印加とした瞬間において、可動電極板２
は同電位の第１の電極領域８７に対向しているので絶縁
被膜８５の帯電による影響は受けない。
可動接点ｂと固定接点ハを常に接続状態としておき、切
り替えスイッチＳＷ１の可動接点ａを固定接点ロから固
定接点イに切り替え接触せしめることにより、電源Ｅを
可動電極板２と固定電極基板８の間に接続した吸着状態
を実現したところを示している。ここで、切り替えスイ
ッチＳＷ１の可動接点ａを固定接点イから固定接点ロに
切り替えて可動電極板２と固定電極基板８の間を電圧無
印加とした瞬間、可動電極板２と固定電極基板８の間は
切り替えスイッチＳＷ１を介して同電位となる。そし
て、可動電極板２はオンオフスイッチＳＷ２を介して常
に第１の電極領域８７に接続しているので可動電極板２
と第１の電極領域８７は同電位である。結局、可動電極
板２と固定電極基板８および第１の電極領域８７の３者
は同電位となる。従って、可動電極板２と固定電極基板
８の間を電圧無印加とした瞬間において、可動電極板２
は同電位の第１の電極領域８７に対向しているので絶縁
被膜８５の帯電による影響は受けない。
【００１８】図３（ｃ）は、切り替えスイッチＳＷ１の
可動接点ａを固定接点ロから固定接点イに切り替え接触
せしめて電源Ｅを可動電極板２と固定電極基板８の間に
接続すると同時に、オンオフスイッチＳＷ２の可動接点
ｂを固定接点ハから解放して吸着状態を実現したところ
を示している。この吸着状態において、第１の電極領域
８７は電源Ｅから浮動状態にある。従って、可動電極板
２から放射される電気力線は、可動電極板２と等しい大
面積の第１の電極領域８７および絶縁被膜８５を介して
固定電極基板８に到達することができる。図３（ｃ）の
電圧駆動回路も可動電極板２と固定電極基板８の間を電
圧無印加とした瞬間において、可動電極板２は同電位の
第１の電極領域８７に対向しているので絶縁被膜８５の
帯電による影響は殆ど受けない点で、図３（ｂ）の電圧
駆動回路と同等である。
可動接点ａを固定接点ロから固定接点イに切り替え接触
せしめて電源Ｅを可動電極板２と固定電極基板８の間に
接続すると同時に、オンオフスイッチＳＷ２の可動接点
ｂを固定接点ハから解放して吸着状態を実現したところ
を示している。この吸着状態において、第１の電極領域
８７は電源Ｅから浮動状態にある。従って、可動電極板
２から放射される電気力線は、可動電極板２と等しい大
面積の第１の電極領域８７および絶縁被膜８５を介して
固定電極基板８に到達することができる。図３（ｃ）の
電圧駆動回路も可動電極板２と固定電極基板８の間を電
圧無印加とした瞬間において、可動電極板２は同電位の
第１の電極領域８７に対向しているので絶縁被膜８５の
帯電による影響は殆ど受けない点で、図３（ｂ）の電圧
駆動回路と同等である。
【００１９】図３（ｃ）の電圧駆動回路は、図３（ｂ）
の電圧駆動回路と比較して駆動電圧を低くすることがで
きる。通常、固定電極基板８の接地電極８４を接地し、
可動電極板２側の電極８３および電極パッド８９に電圧
を印加する。図４および図５をも参照して第１の実施例
の固定電極基板の製造の仕方を説明する。図４（ａ）は
図１における線ｃ−ｃ’に沿った断面を示す図、図４
（ｂ）は図１における線ｂ−ｂ’に沿った断面を示す図
である。図５（ａ）は図１における線ｃ−ｃ’に沿った
断面を示す図、図５（ｂ）は図１における線ｂ−ｂ’に
沿った断面を示す図である。
の電圧駆動回路と比較して駆動電圧を低くすることがで
きる。通常、固定電極基板８の接地電極８４を接地し、
可動電極板２側の電極８３および電極パッド８９に電圧
を印加する。図４および図５をも参照して第１の実施例
の固定電極基板の製造の仕方を説明する。図４（ａ）は
図１における線ｃ−ｃ’に沿った断面を示す図、図４
（ｂ）は図１における線ｂ−ｂ’に沿った断面を示す図
である。図５（ａ）は図１における線ｃ−ｃ’に沿った
断面を示す図、図５（ｂ）は図１における線ｂ−ｂ’に
沿った断面を示す図である。
【００２０】（工程１）原材料基板として上下両面に酸
化シリコン被膜８５’を形成した単結晶シリコン基板
８’を準備する。 （工程２）単結晶シリコン基板８’の上面の酸化シリコ
ン被膜８５’をエッチング除去して突起１３の形状にパ
ターニング１３’する。 （工程３）パターニング１３’をマスクとして単結晶シ
リコン基板８’の上面をエッチングし、突起１３を形成
する。
化シリコン被膜８５’を形成した単結晶シリコン基板
８’を準備する。 （工程２）単結晶シリコン基板８’の上面の酸化シリコ
ン被膜８５’をエッチング除去して突起１３の形状にパ
ターニング１３’する。 （工程３）パターニング１３’をマスクとして単結晶シ
リコン基板８’の上面をエッチングし、突起１３を形成
する。
【００２１】（工程４）突起１３の上面に残存する酸化
シリコン被膜より成るパターニング１３’を除去する。 （工程５）工程４に続いて、単結晶シリコン基板８’の
上下両面に絶縁被膜８５を酸化形成する。 （工程６）単結晶シリコン基板８’の上面の絶縁被膜８
５の内の接地電極８４を形成する形成領域８６を除去す
る。
シリコン被膜より成るパターニング１３’を除去する。 （工程５）工程４に続いて、単結晶シリコン基板８’の
上下両面に絶縁被膜８５を酸化形成する。 （工程６）単結晶シリコン基板８’の上面の絶縁被膜８
５の内の接地電極８４を形成する形成領域８６を除去す
る。
【００２２】（工程７）形成領域８６を含む上面の絶縁
被膜８５上面に金およびクロムの２層より成る金／クロ
ム薄膜層８７’を成膜形成する。 （工程８）金／クロム薄膜層８７’をエッチング除去
し、マトリクス状に配列される突起１３を一方方向に亘
ってライン状に平行に延伸連結する第１の電極領域８
７、第２の電極パッド８９、および接地電極８４の形状
にパターニングする。
被膜８５上面に金およびクロムの２層より成る金／クロ
ム薄膜層８７’を成膜形成する。 （工程８）金／クロム薄膜層８７’をエッチング除去
し、マトリクス状に配列される突起１３を一方方向に亘
ってライン状に平行に延伸連結する第１の電極領域８
７、第２の電極パッド８９、および接地電極８４の形状
にパターニングする。
【００２３】（工程９）形成領域８６を含む上面の絶縁
被膜８５の内の可動電極板２に対向する領域を除去して
第２の電極領域８８を露出する。この場合、突起１３間
を連結するライン状の第１の電極領域８７に位置する絶
縁被膜８５は、上側の金／クロム薄膜層８７がマスクと
なり残存する。この残存する絶縁被膜８５により、第１
の電極領域８７は固定電極基板８から絶縁された状態と
される。図６および図７を参照して第２の実施例を説明
する。第２の実施例において第１の実施例における部材
と共通する部材には共通する参照符号を付与している。
図６（ａ）は第２の実施例を上から視た図、図６（ｂ）
は固定電極基板を上から視た図、図７（ｃ）は図６にお
ける線ａ−ａ’に沿った断面を示す図、そして、図７
（ｄ）は図６における線ｂ−ｂ’に沿った断面を示す
図、図７（ｅ）は図６における線ｃ−ｃ’に沿った断面
を示す図である。
被膜８５の内の可動電極板２に対向する領域を除去して
第２の電極領域８８を露出する。この場合、突起１３間
を連結するライン状の第１の電極領域８７に位置する絶
縁被膜８５は、上側の金／クロム薄膜層８７がマスクと
なり残存する。この残存する絶縁被膜８５により、第１
の電極領域８７は固定電極基板８から絶縁された状態と
される。図６および図７を参照して第２の実施例を説明
する。第２の実施例において第１の実施例における部材
と共通する部材には共通する参照符号を付与している。
図６（ａ）は第２の実施例を上から視た図、図６（ｂ）
は固定電極基板を上から視た図、図７（ｃ）は図６にお
ける線ａ−ａ’に沿った断面を示す図、そして、図７
（ｄ）は図６における線ｂ−ｂ’に沿った断面を示す
図、図７（ｅ）は図６における線ｃ−ｃ’に沿った断面
を示す図である。
【００２４】この第２の実施例も、フレクチュア２１を
介して可動電極板２が取り付けられた支持フレーム１０
と固定電極基板８とを接合して構成されている。固定電
極基板８には突起１３が形成されている。この突起１３
を含む固定電極基板８の上面には、絶縁被膜８５を介し
て金／クロム２層膜より成る第１の電極領域８７が形成
される。そして、第１の電極領域８７は、第１の実施例
においてはライン状に突起１３間を連結して形成されて
いたが、この第２の実施例においては、可動電極板２と
ほぼ同等の形状面積を有して可動電極板２に対向形成さ
れている。第２の電極領域８８は、第１の実施例と同様
に、単結晶シリコンより成る固定電極基板８自体が構成
する。可動電極板２は、静電吸着時において、この突起
１３に形成される第１の電極領域８７の先端部の第１の
電極領域８７に係合接触する。
介して可動電極板２が取り付けられた支持フレーム１０
と固定電極基板８とを接合して構成されている。固定電
極基板８には突起１３が形成されている。この突起１３
を含む固定電極基板８の上面には、絶縁被膜８５を介し
て金／クロム２層膜より成る第１の電極領域８７が形成
される。そして、第１の電極領域８７は、第１の実施例
においてはライン状に突起１３間を連結して形成されて
いたが、この第２の実施例においては、可動電極板２と
ほぼ同等の形状面積を有して可動電極板２に対向形成さ
れている。第２の電極領域８８は、第１の実施例と同様
に、単結晶シリコンより成る固定電極基板８自体が構成
する。可動電極板２は、静電吸着時において、この突起
１３に形成される第１の電極領域８７の先端部の第１の
電極領域８７に係合接触する。
【００２５】この第２の実施例は、先に図３を参照して
説明された電圧駆動回路の内の図３（ｃ）の電圧駆動回
路により駆動される。図３（ｂ）の電圧駆動回路に依っ
ては駆動することはできない。図３（ｃ）は、切り替え
スイッチＳＷ１の可動接点ａを固定接点ロから固定接点
イに切り替え接触せしめて電源Ｅを可動電極板２と固定
電極基板８の間に接続すると同時に、オンオフスイッチ
ＳＷ２の可動接点ｂを固定接点ハから解放して吸着状態
を実現したところを示している。この吸着状態におい
て、第１の電極領域８７は電源Ｅから浮動状態にある。
従って、可動電極板２から放射される電気力線は、可動
電極板２と等しい大面積の第１の電極領域８７および絶
縁被膜８５を介して固定電極基板８に到達することがで
きる。図３（ｃ）の電圧駆動回路も、可動電極板２と固
定電極基板８の間を電圧無印加とした瞬間において、可
動電極板２は同電位の第１の電極領域８７に対向してい
るので絶縁被膜８５の帯電による影響は受けない。
説明された電圧駆動回路の内の図３（ｃ）の電圧駆動回
路により駆動される。図３（ｂ）の電圧駆動回路に依っ
ては駆動することはできない。図３（ｃ）は、切り替え
スイッチＳＷ１の可動接点ａを固定接点ロから固定接点
イに切り替え接触せしめて電源Ｅを可動電極板２と固定
電極基板８の間に接続すると同時に、オンオフスイッチ
ＳＷ２の可動接点ｂを固定接点ハから解放して吸着状態
を実現したところを示している。この吸着状態におい
て、第１の電極領域８７は電源Ｅから浮動状態にある。
従って、可動電極板２から放射される電気力線は、可動
電極板２と等しい大面積の第１の電極領域８７および絶
縁被膜８５を介して固定電極基板８に到達することがで
きる。図３（ｃ）の電圧駆動回路も、可動電極板２と固
定電極基板８の間を電圧無印加とした瞬間において、可
動電極板２は同電位の第１の電極領域８７に対向してい
るので絶縁被膜８５の帯電による影響は受けない。
【００２６】図８および図９をも参照して第２の実施例
の固定電極基板の製造の仕方を説明する。図８（ａ）は
図６における線ｃ−ｃ’に沿った断面を示す図、図８
（ｂ）は図６における線ｂ−ｂ’に沿った断面を示す図
である。図９（ａ）は図６における線ｃ−ｃ’に沿った
断面を示す図、図９（ｂ）は図６における線ｂ−ｂ’に
沿った断面を示す図である。 （工程１）原材料基板として上下両面に酸化シリコン被
膜８５’を形成した単結晶シリコン基板８’を準備す
る。
の固定電極基板の製造の仕方を説明する。図８（ａ）は
図６における線ｃ−ｃ’に沿った断面を示す図、図８
（ｂ）は図６における線ｂ−ｂ’に沿った断面を示す図
である。図９（ａ）は図６における線ｃ−ｃ’に沿った
断面を示す図、図９（ｂ）は図６における線ｂ−ｂ’に
沿った断面を示す図である。 （工程１）原材料基板として上下両面に酸化シリコン被
膜８５’を形成した単結晶シリコン基板８’を準備す
る。
【００２７】（工程２）単結晶シリコン基板８’の上面
の酸化シリコン被膜８５’をエッチング除去して突起１
３の形状にパターニング１３’する。 （工程３）パターニング１３’をマスクとして単結晶シ
リコン基板８’の上面をエッチングし、突起１３を形成
する。 （工程４）突起１３の上面に残存する酸化シリコン被膜
より成るパターニング１３’を除去する。
の酸化シリコン被膜８５’をエッチング除去して突起１
３の形状にパターニング１３’する。 （工程３）パターニング１３’をマスクとして単結晶シ
リコン基板８’の上面をエッチングし、突起１３を形成
する。 （工程４）突起１３の上面に残存する酸化シリコン被膜
より成るパターニング１３’を除去する。
【００２８】（工程５）工程４に続いて、単結晶シリコ
ン基板８’の上下両面に絶縁被膜８５を酸化形成する。 （工程６）単結晶シリコン基板８’の上面の絶縁被膜８
５の内の接地電極８４を形成する形成領域８６を除去す
る。 （工程７）形成領域８６を含む上面の絶縁被膜８５上面
に金およびクロムの２層より成る金／クロム薄膜層８
７’を成膜形成する。
ン基板８’の上下両面に絶縁被膜８５を酸化形成する。 （工程６）単結晶シリコン基板８’の上面の絶縁被膜８
５の内の接地電極８４を形成する形成領域８６を除去す
る。 （工程７）形成領域８６を含む上面の絶縁被膜８５上面
に金およびクロムの２層より成る金／クロム薄膜層８
７’を成膜形成する。
【００２９】（工程８）金／クロム薄膜層８７’をエッ
チング除去して、可動電極板２とほぼ同等の形状面積を
有して可動電極板２に対向する第１の電極領域８７、第
２の電極パッド８９、および接地電極８４の形状にパタ
ーニングする。図１０を参照して第３の実施例を説明す
る。第１および第２の実施例は突起１３を固定電極基板
８側に形成した実施例であるが、第３の実施例は突起１
３を可動電極板２側に形成した例である。図１０におい
て、図１および図２における部材と共通する部材には共
通する参照符号を付与している。ここで、２は可動電極
板、１３は突起、８は固定電極基板、８４は接地電極、
８７は第１の電極領域５は絶縁被膜、８９は電極パッド
である。この実施例も、図３（ｂ）および図３（ｃ）双
方の電圧駆動回路を使用して駆動することができる。可
動電極板２と固定電極基板８間を電圧無印加の状態で可
動電極板２と固定電極基板８および第１の電極領域８７
の３者は同電位とすることができ、従って、可動電極板
２と固定電極基板８の間を電圧無印加とした瞬間におい
て、可動電極板２は同電位の第１の電極領域８７に対向
しているので絶縁被膜８５の帯電による影響は受けな
い。
チング除去して、可動電極板２とほぼ同等の形状面積を
有して可動電極板２に対向する第１の電極領域８７、第
２の電極パッド８９、および接地電極８４の形状にパタ
ーニングする。図１０を参照して第３の実施例を説明す
る。第１および第２の実施例は突起１３を固定電極基板
８側に形成した実施例であるが、第３の実施例は突起１
３を可動電極板２側に形成した例である。図１０におい
て、図１および図２における部材と共通する部材には共
通する参照符号を付与している。ここで、２は可動電極
板、１３は突起、８は固定電極基板、８４は接地電極、
８７は第１の電極領域５は絶縁被膜、８９は電極パッド
である。この実施例も、図３（ｂ）および図３（ｃ）双
方の電圧駆動回路を使用して駆動することができる。可
動電極板２と固定電極基板８間を電圧無印加の状態で可
動電極板２と固定電極基板８および第１の電極領域８７
の３者は同電位とすることができ、従って、可動電極板
２と固定電極基板８の間を電圧無印加とした瞬間におい
て、可動電極板２は同電位の第１の電極領域８７に対向
しているので絶縁被膜８５の帯電による影響は受けな
い。
【００３０】図１１を参照して第４の実施例を説明す
る。この第４の実施例は、図６および図７の第２の実施
例において、固定電極基板８側に形成した突起１３を削
除して代わりに可動電極板２の下面に形成した例であ
る。第４の実施例も、図３（ｂ）の電圧駆動回路を使用
して駆動することができる。図１２を参照して第５の実
施例を説明する。この第５の実施例は、可動電極板２が
両フレクチュア２１の連結片２１１を通る軸を回動軸と
して回動傾斜する実施例である。
る。この第４の実施例は、図６および図７の第２の実施
例において、固定電極基板８側に形成した突起１３を削
除して代わりに可動電極板２の下面に形成した例であ
る。第４の実施例も、図３（ｂ）の電圧駆動回路を使用
して駆動することができる。図１２を参照して第５の実
施例を説明する。この第５の実施例は、可動電極板２が
両フレクチュア２１の連結片２１１を通る軸を回動軸と
して回動傾斜する実施例である。
【００３１】先の実施例の第２の電極領域８８は、第２
Ａの電極領域８８Ａと第２Ｂの電極領域８８Ｂに２分割
され、固定電極基板８の絶縁被膜８５の表面の中央部に
回動軸に関して対称に左右に分離して形成取り付けられ
ている。第２Ａの電極領域８８Ａと第２Ｂの電極領域８
８Ｂはそれぞれの接地電極８４に電気的に接続してい
る。そして、第１の電極領域８７は、第１Ａの電極領域
８７Ａと第１Ｂの電極領域８７Ｂに２分割され、固定電
極基板８の絶縁被膜８５の表面において第２の電極領域
８８の外側に左右に分離して形成取り付けられている。
第１Ａの電極領域８７Ａと第１Ｂの電極領域８７Ｂはそ
れぞれの電極パッド８９に電気的に接続している。
Ａの電極領域８８Ａと第２Ｂの電極領域８８Ｂに２分割
され、固定電極基板８の絶縁被膜８５の表面の中央部に
回動軸に関して対称に左右に分離して形成取り付けられ
ている。第２Ａの電極領域８８Ａと第２Ｂの電極領域８
８Ｂはそれぞれの接地電極８４に電気的に接続してい
る。そして、第１の電極領域８７は、第１Ａの電極領域
８７Ａと第１Ｂの電極領域８７Ｂに２分割され、固定電
極基板８の絶縁被膜８５の表面において第２の電極領域
８８の外側に左右に分離して形成取り付けられている。
第１Ａの電極領域８７Ａと第１Ｂの電極領域８７Ｂはそ
れぞれの電極パッド８９に電気的に接続している。
【００３２】第５の実施例の駆動の仕方について説明す
るに、第２の電極領域８８および第１の電極領域８７は
フレクチュア２１を通る回動軸に直交する方向に偏位し
て固定電極基板８の絶縁被膜８５の表面に分離して形成
されるものである。具体的に説明するに、第２Ａの電極
領域８８Ａと第１Ａの電極領域８７Ａとが一方の電極領
域の組を構成し、第２Ｂの電極領域８８Ｂと第１Ｂの電
極領域８７Ｂとが他方の電極領域の組を構成して、何れ
か一方の電極領域の組に対して、可動電極板２との間に
電位を印加、開放して動作させる。双方の電極領域の組
を同時に動作させることはしない。
るに、第２の電極領域８８および第１の電極領域８７は
フレクチュア２１を通る回動軸に直交する方向に偏位し
て固定電極基板８の絶縁被膜８５の表面に分離して形成
されるものである。具体的に説明するに、第２Ａの電極
領域８８Ａと第１Ａの電極領域８７Ａとが一方の電極領
域の組を構成し、第２Ｂの電極領域８８Ｂと第１Ｂの電
極領域８７Ｂとが他方の電極領域の組を構成して、何れ
か一方の電極領域の組に対して、可動電極板２との間に
電位を印加、開放して動作させる。双方の電極領域の組
を同時に動作させることはしない。
【００３３】ここで、図３（ｂ）の電圧駆動回路を使用
して駆動する。一方の電極領域の組である第２Ａの電極
領域８８Ａと第１Ａの電極領域８７Ａに対して、可動電
極板２との間に電位を印加、開放して動作させるものと
する。可動電極板２と第２Ａの電極領域８８Ａとの間に
電位が印加されて、可動電極板２が固定電極基板８側に
静電的に引き寄せられる場合、第２Ａの電極領域８８Ａ
は両フレクチュア２１の連結片２１１を通る回動軸に関
して固定電極基板８の全表面の内の片側に変位して形成
されているので、可動電極板２の内の第２Ａの電極領域
８８Ａに対向する領域が偏って固定電極基板８側に引き
寄せられ、可動電極板２は図１２（ｃ）の左側の矢印の
向きに回動して傾斜する。可動電極板２が回動傾斜した
場合、可動電極板２は可動電極板２の傾斜した縁辺部が
第１Ａの電極領域８７Ａに接触して停止状態となる。こ
の図３（ｂ）の電圧駆動回路を使用する場合、可動電極
板２と第１Ａの電極領域８７ＡはオンオフスイッチＳＷ
２により接続されて同電位とされているので、可動電極
板２が第１Ａの電極領域８７Ａに静電気的に吸着するこ
とはない。
して駆動する。一方の電極領域の組である第２Ａの電極
領域８８Ａと第１Ａの電極領域８７Ａに対して、可動電
極板２との間に電位を印加、開放して動作させるものと
する。可動電極板２と第２Ａの電極領域８８Ａとの間に
電位が印加されて、可動電極板２が固定電極基板８側に
静電的に引き寄せられる場合、第２Ａの電極領域８８Ａ
は両フレクチュア２１の連結片２１１を通る回動軸に関
して固定電極基板８の全表面の内の片側に変位して形成
されているので、可動電極板２の内の第２Ａの電極領域
８８Ａに対向する領域が偏って固定電極基板８側に引き
寄せられ、可動電極板２は図１２（ｃ）の左側の矢印の
向きに回動して傾斜する。可動電極板２が回動傾斜した
場合、可動電極板２は可動電極板２の傾斜した縁辺部が
第１Ａの電極領域８７Ａに接触して停止状態となる。こ
の図３（ｂ）の電圧駆動回路を使用する場合、可動電極
板２と第１Ａの電極領域８７ＡはオンオフスイッチＳＷ
２により接続されて同電位とされているので、可動電極
板２が第１Ａの電極領域８７Ａに静電気的に吸着するこ
とはない。
【００３４】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明によれ
ば、静電吸着時に電流が生じることはなく、電圧無印加
時においては、可動電極板と固定電極基板の間の互いに
対向する表面は全て同電位の導体とすることができるの
で、絶縁被膜の帯電による影響は可動電極板に及ばな
い。これにより、絶縁被膜の帯電による元の状態への復
帰の遅れを防止することができるし、第１の電極領域お
よび第２の電極領域を固定電極基板の表面に互いに絶縁
して形成した静電駆動デバイス全般において固定電極基
板に対する可動電極板の吸着を阻止することができる。
ば、静電吸着時に電流が生じることはなく、電圧無印加
時においては、可動電極板と固定電極基板の間の互いに
対向する表面は全て同電位の導体とすることができるの
で、絶縁被膜の帯電による影響は可動電極板に及ばな
い。これにより、絶縁被膜の帯電による元の状態への復
帰の遅れを防止することができるし、第１の電極領域お
よび第２の電極領域を固定電極基板の表面に互いに絶縁
して形成した静電駆動デバイス全般において固定電極基
板に対する可動電極板の吸着を阻止することができる。
【図１】第１の実施例を説明する図。
【図２】図１の続き。
【図３】電圧駆動回路を説明する図。
【図４】第１の実施例の固定電極基板の製造の仕方を説
明する図。
明する図。
【図５】図４の続き。
【図６】第２の実施例を説明する図。
【図７】図６の続き。
【図８】第２の実施例の固定電極基板の製造の仕方を説
明する図。
明する図。
【図９】図８の続き。
【図１０】第３の実施例を説明する図。
【図１１】第４の実施例を説明する図。
【図１２】第５の実施例を説明する図。
【図１３】従来例を説明する図。
【図１４】可動電極板を説明する図。
【図１５】他の従来例を説明する図。
１１ アンカー部 １３ 突起
２ 可動電極板 ２１ フレクチュア
８ 固定電極基板 ８５ 絶縁被膜
８７ 第１の電極領域 ８８ 第２の電極領域
Claims (8)
- 【請求項１】 マイクロマシニング技術で製造され、固
定電極基板と、アンカー部およびフレクチュアを介して
固定電極基板に取り付け結合される可動電極板とを有
し、固定電極基板の表面に互いに絶縁された第１の電極
領域および第２の電極領域を形成したことを特徴とする
静電駆動デバイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載される静電駆動デバイス
において、 第１の電極領域は、第２の電極領域と比較して可動電極
板に対して相対的に突出していることを特徴とする静電
駆動デバイス。 - 【請求項３】 請求項２に記載される静電駆動デバイス
において、 固定電極基板の上面に突起をマトリクス状に形成し、第
２の電極領域を固定電極基板自体とし、 第１の電極領域を絶縁被膜により固定電極基板と絶縁し
た状態でライン状に突起間を連結して形成したことを特
徴とする静電駆動デバイス。 - 【請求項４】 請求項２に記載される静電駆動デバイス
において、 固定電極基板の上面に突起をマトリクス状に形成し、第
２の電極領域を固定電極基板自体とし、 第１の電極領域を絶縁被膜により固定電極基板と絶縁し
た状態で面状に可動電極板に対向して形成したことを特
徴とする静電駆動デバイス。 - 【請求項５】 請求項１に記載される静電駆動デバイス
において、 第１の電極領域に対向する可動電極板下面の領域に固定
電極基板に対して相対的に突出した部分を形成したこと
を特徴とする静電駆動デバイス。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項５の内の何れかに
記載される静電駆動デバイスにおいて、 可動電極板と第２の電極領域の間が電圧無印加の状態に
おいて可動電極板と第１の電極領域と第２の電極領域と
を同電位に接続する電圧駆動回路を具備することを特徴
とする静電駆動デバイス。 - 【請求項７】 請求項６に記載される静電駆動デバイス
において、 電圧駆動回路は、可動電極板は切り替えスイッチを介し
て第２の電極領域に直接接続すると共に切り替えスイッ
チと電源とを介して第２の電極領域に接続し、可動電極
板は、更に、オンオフスイッチを介して第１の電極領域
に接続するものであることを特徴とする静電駆動デバイ
ス。 - 【請求項８】 請求項７に記載される静電駆動デバイス
において、 第２の電極領域および第１の電極領域は回動軸に直交す
る方向に偏位して固定電極基板の表面に絶縁分離して形
成されるものであることを特徴とする静電駆動デバイ
ス。
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2001
- 2001-07-27 JP JP2001227613A patent/JP3668935B2/ja not_active Expired - Fee Related
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