JPH02250023A - 複合型半導体レーザ装置の製造法 - Google Patents
複合型半導体レーザ装置の製造法Info
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- JPH02250023A JPH02250023A JP1070856A JP7085689A JPH02250023A JP H02250023 A JPH02250023 A JP H02250023A JP 1070856 A JP1070856 A JP 1070856A JP 7085689 A JP7085689 A JP 7085689A JP H02250023 A JPH02250023 A JP H02250023A
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- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えばレーザビームプリンタ（以下ＬＢＰ）
などに使用される複合型半導体レーザ装置の製造法に関
する。
などに使用される複合型半導体レーザ装置の製造法に関
する。
従来の技術
従来の複合型半導体レーザ装置としては、例えば日経エ
レクトロニクス１９８８年１月１３日号（１０４〜１０
５ページ）に光デイスク用のピックアップとして示され
ている。
レクトロニクス１９８８年１月１３日号（１０４〜１０
５ページ）に光デイスク用のピックアップとして示され
ている。
第５図はこの従来の複合型半導体レーザ装置の構成図で
あり、１はｎ型Ｓｉにより形成される基板、２はＳｉＯ
２により構成されるバッファ層、３はガラスで構成され
る導波層、４はＳｉＮで形成される集光用の回折格子パ
ターンである。また５は外付けされた半導体レーザ、６
〜８はフォトダイオード、１０は導波型ビームスプリッ
タであり、１１が光ディスクである。
あり、１はｎ型Ｓｉにより形成される基板、２はＳｉＯ
２により構成されるバッファ層、３はガラスで構成され
る導波層、４はＳｉＮで形成される集光用の回折格子パ
ターンである。また５は外付けされた半導体レーザ、６
〜８はフォトダイオード、１０は導波型ビームスプリッ
タであり、１１が光ディスクである。
以上のように構成された従来の複合型半導体レーザ装置
においては、図に示すように外付けの半導体レーザ５か
ら導波層３内を進んできたレーザ光が回折格子パターン
４によって上方に回折され光デイスク１１上で焦点を結
ぶ。同時に基板１側に回折されたレーザ光も、高屈折率
のバッファ層２で反射されて光デイスク１１上に進む。
においては、図に示すように外付けの半導体レーザ５か
ら導波層３内を進んできたレーザ光が回折格子パターン
４によって上方に回折され光デイスク１１上で焦点を結
ぶ。同時に基板１側に回折されたレーザ光も、高屈折率
のバッファ層２で反射されて光デイスク１１上に進む。
光ディスク１１から反射したレーザ光は導波型ビームス
プリッタによって４個のフォトダイオード６〜９へと導
かれる。このように従来は複合型といっても半導体レー
ザは外付けであり、その位置精度が悪いと効率の低下に
つながる。
プリッタによって４個のフォトダイオード６〜９へと導
かれる。このように従来は複合型といっても半導体レー
ザは外付けであり、その位置精度が悪いと効率の低下に
つながる。
また、ＬＢＰにおいては特に図を用いて説明はしないが
、一般に半導体レーザからのレーザ光を、高速で回転す
るポリゴンミラーで反射させて感光体上をスキャンする
光学系が使用される。この場合も、半導体レーザとポリ
ゴンミラーの位置関係を精密に管理する必要がある。
、一般に半導体レーザからのレーザ光を、高速で回転す
るポリゴンミラーで反射させて感光体上をスキャンする
光学系が使用される。この場合も、半導体レーザとポリ
ゴンミラーの位置関係を精密に管理する必要がある。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、前記のような構成では半導体レーザ５を
Ｓｔ基板１に取り付ける際や、ＬＢＰにおいて半導体レ
ーザとポリゴンミラーの位置関係を精密に管理して組み
立てたり調整したりするのに多大なコストがかかるだけ
でなく、衝撃などによって位置精度が低下してしまうこ
とも考えられる。また光学系を構成する部品が多くなり
、占有スペースも大きくなってしまい装置全体のコスト
ダウンや小型化の障害になるという問題点を有していた
。
Ｓｔ基板１に取り付ける際や、ＬＢＰにおいて半導体レ
ーザとポリゴンミラーの位置関係を精密に管理して組み
立てたり調整したりするのに多大なコストがかかるだけ
でなく、衝撃などによって位置精度が低下してしまうこ
とも考えられる。また光学系を構成する部品が多くなり
、占有スペースも大きくなってしまい装置全体のコスト
ダウンや小型化の障害になるという問題点を有していた
。
本発明はかかる点に鑑み、コストが極端に安く、位置精
度も極めて高く、占有スペースも極限まで小さくできる
複合型半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目
的とする。
度も極めて高く、占有スペースも極限まで小さくできる
複合型半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目
的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、半導体レーザと、可動体を、同一基板上に半
導体製造プロセスを用いて形成した複合型半導体レーザ
であることを第１の特徴とする。
導体製造プロセスを用いて形成した複合型半導体レーザ
であることを第１の特徴とする。
また、同一基板上に半導体レーザと、可動体と、半導体
レーザと可動体との間に光導波路を半導体製造プロセス
を用いて形成して、半導体レーザから出たレーザ光を可
動体まで導くようにしたことを第２の特徴とする。
レーザと可動体との間に光導波路を半導体製造プロセス
を用いて形成して、半導体レーザから出たレーザ光を可
動体まで導くようにしたことを第２の特徴とする。
さらに、同一基板上に半導体レーザと、可動体と、半導
体レーザの駆動回路部と、可動体の駆動回路部とを半導
体製造プロセスを用いて形成したことを第３の特徴とす
る。
体レーザの駆動回路部と、可動体の駆動回路部とを半導
体製造プロセスを用いて形成したことを第３の特徴とす
る。
作用
本発明は前記した構成の第１の特徴により、一つの基板
上に半導体レーザと、例えばポリゴンミラーのような可
動体を、エツチングやリソグラフィなどの半導体製造プ
ロセスを用いて形成するので、従来の機構部品をもＩＣ
と同じ状況で製造できるため、コストが極端に安く、位
置精度も極めて高く、占有スペースも極限まで小さくで
きる複合型半導体レーザ装置を得ることができ、第２の
特徴により、一つの基板上に半導体レーザと、例えばポ
リゴンミラーのような可動体と、半導体レーザと可動体
との間に光導波路を工１．チングやリングラフィなどの
半導体製造プロセスを用いて形成するので、半導体レー
ザから可動体までレーザ光が高効率で導かれるだけでな
く、従来の機構部品をもＩＣと同じ状況で製造できるた
め、コストが極端に安く、位置精度も極めて高く、占有
スペースも極限まで小さくできる複合型半導体レーザ装
置を得ることができ、 第３の特徴により、一つの基板上に半導体レーザと、例
えばポリゴンミラーのような可動体と、半導体レーザの
駆動回路部と、可動体の駆動回路部とを半導体製造プロ
セスを用いて形成するので、従来の機構部品をも含み、
さらに駆動回路まで一体にしたＩＣが製造できるため、
コストが極端に安く、位置精度も極めて高く、占有スペ
ースも極限まで小さくできる複合型半導体レーザ装置を
得ることができる。
上に半導体レーザと、例えばポリゴンミラーのような可
動体を、エツチングやリソグラフィなどの半導体製造プ
ロセスを用いて形成するので、従来の機構部品をもＩＣ
と同じ状況で製造できるため、コストが極端に安く、位
置精度も極めて高く、占有スペースも極限まで小さくで
きる複合型半導体レーザ装置を得ることができ、第２の
特徴により、一つの基板上に半導体レーザと、例えばポ
リゴンミラーのような可動体と、半導体レーザと可動体
との間に光導波路を工１．チングやリングラフィなどの
半導体製造プロセスを用いて形成するので、半導体レー
ザから可動体までレーザ光が高効率で導かれるだけでな
く、従来の機構部品をもＩＣと同じ状況で製造できるた
め、コストが極端に安く、位置精度も極めて高く、占有
スペースも極限まで小さくできる複合型半導体レーザ装
置を得ることができ、 第３の特徴により、一つの基板上に半導体レーザと、例
えばポリゴンミラーのような可動体と、半導体レーザの
駆動回路部と、可動体の駆動回路部とを半導体製造プロ
セスを用いて形成するので、従来の機構部品をも含み、
さらに駆動回路まで一体にしたＩＣが製造できるため、
コストが極端に安く、位置精度も極めて高く、占有スペ
ースも極限まで小さくできる複合型半導体レーザ装置を
得ることができる。
実施例
第１図は本発明の第１の特徴による実施例における複合
型半導体レーザ装置の構成図を示すものである。第１図
において、２１はＳｉ基板、２２はこのＳｉ基板２１上
に形成されたＧａＡｌＡｓ半導体レーザである。Ｓｉ基
板上に化合物半導体レーザを形成する技術は、例えばＣ
ｈｏｎｇらの論文（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
、 ５１ （４）、 ２７ Ｊｕｌｙ １９８７）に
も示されているように、すでに公知であるので特に説明
はしない。
型半導体レーザ装置の構成図を示すものである。第１図
において、２１はＳｉ基板、２２はこのＳｉ基板２１上
に形成されたＧａＡｌＡｓ半導体レーザである。Ｓｉ基
板上に化合物半導体レーザを形成する技術は、例えばＣ
ｈｏｎｇらの論文（Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ
、 ５１ （４）、 ２７ Ｊｕｌｙ １９８７）に
も示されているように、すでに公知であるので特に説明
はしない。
一方、２３はその下方に羽根形状部２４を備えた正八角
形のポリゴンミラーであり、矢印に示すように軸２５を
中心として回転できるが、これもＳｉ基板２１上に形成
したものである。。また２８〜３１はＳｉ基板２１上に
形成された電極である。配線部分及び制御回路部分など
は図には示していないが、これらの回路を同じＳｉ基板
２１上に形成することはきわめて容易であり、説明は省
略する。
形のポリゴンミラーであり、矢印に示すように軸２５を
中心として回転できるが、これもＳｉ基板２１上に形成
したものである。。また２８〜３１はＳｉ基板２１上に
形成された電極である。配線部分及び制御回路部分など
は図には示していないが、これらの回路を同じＳｉ基板
２１上に形成することはきわめて容易であり、説明は省
略する。
第２図に断面図を示す。図に示すようにＳｉ基板２１上
にＧａＡｌＡｓ半導体レーザ２２及び電極２７．３０（
他も同じ構成）、軸２５が固定されており羽根形状部２
４が一体となったポリゴンミラー２５が回転可能な状態
で保持されているのである。
にＧａＡｌＡｓ半導体レーザ２２及び電極２７．３０（
他も同じ構成）、軸２５が固定されており羽根形状部２
４が一体となったポリゴンミラー２５が回転可能な状態
で保持されているのである。
以上のように構成された複合型半導体レーザ装置におい
て、以下その動作を説明する。ポリゴンミラー２３の回
転には、それぞれ対抗する一対の電極（例えば２７と３
０）間に電圧を印加し、静電力によって羽根形状部２４
を吸引する。この動作を電極を順次切り替木ながら続け
ることによって羽根形状部２４を回転させ、ポリゴンミ
ラー２３を回転させるのである。この結果ＧａＡｌＡｓ
半導体レーザ２２の活性化層２２ａから出たレーザ光は
、第１図及び第２図の矢印のごとく進んでポリゴンミラ
ー２３にて反射され、偏向されることになる。普通半導
体レーザから出るレーザ光はかなりの広がりを持ってい
る。そのため、それを修正するためコリメータレンズが
一般に半導体レーザとポリゴンミラーとの間に用いられ
る。しかし本発明によれば、ＧａＡ ＩＡｓ半導体レー
ザ２２とポリゴンミラー２３との距離が極端に短くでき
（せいぜい１ｍｍ〜２ｍｍＬ はとんど問題にならな
い。
て、以下その動作を説明する。ポリゴンミラー２３の回
転には、それぞれ対抗する一対の電極（例えば２７と３
０）間に電圧を印加し、静電力によって羽根形状部２４
を吸引する。この動作を電極を順次切り替木ながら続け
ることによって羽根形状部２４を回転させ、ポリゴンミ
ラー２３を回転させるのである。この結果ＧａＡｌＡｓ
半導体レーザ２２の活性化層２２ａから出たレーザ光は
、第１図及び第２図の矢印のごとく進んでポリゴンミラ
ー２３にて反射され、偏向されることになる。普通半導
体レーザから出るレーザ光はかなりの広がりを持ってい
る。そのため、それを修正するためコリメータレンズが
一般に半導体レーザとポリゴンミラーとの間に用いられ
る。しかし本発明によれば、ＧａＡ ＩＡｓ半導体レー
ザ２２とポリゴンミラー２３との距離が極端に短くでき
（せいぜい１ｍｍ〜２ｍｍＬ はとんど問題にならな
い。
次に第３図（ａ）〜（ｊ）を用いてポリゴンミラー２３
などの可動部の形成方法を説明する。しかし、一般的な
半導体製造方法を用いるので、個々の手法の詳しい説明
は省略し、製造のプロセスを示すことにする。
などの可動部の形成方法を説明する。しかし、一般的な
半導体製造方法を用いるので、個々の手法の詳しい説明
は省略し、製造のプロセスを示すことにする。
（ａ）まずＳｉ基板２１上に酸化膜層３２を成長させ、
エツチングにて羽根形状部２４の基板側接触部を小さく
するための凹部を形成する。
エツチングにて羽根形状部２４の基板側接触部を小さく
するための凹部を形成する。
（ｂ）次に酸化膜層３２上に羽根形状部２４となる多結
晶Ｓｉ層をデポジットする。
晶Ｓｉ層をデポジットする。
（Ｃ）再び酸化膜層３３ａ、３３ｂを羽根形状部２４で
ある多結晶Ｓｔ層２４の上に形成する。
ある多結晶Ｓｔ層２４の上に形成する。
（ｄ）次に電極２７．３０となるメタル（例えばＡＩ）
を酸化膜層３３ ａ、 ３３ ｂ上に蒸着する。
を酸化膜層３３ ａ、 ３３ ｂ上に蒸着する。
（ｅ）さらに酸化膜層３４ａ、３４ｂを電極２７．３０
上に形成する。
上に形成する。
（ｆ）今度はポリゴンミラー２３となるメタル（例えば
ＡＩ）を多結晶Ｓｉ層の羽根形状部２４及び酸化膜層３
４ ａ、 Ｑ ｄ ｂ上に蒸着する。
ＡＩ）を多結晶Ｓｉ層の羽根形状部２４及び酸化膜層３
４ ａ、 Ｑ ｄ ｂ上に蒸着する。
（ｇ）ここでエツチングにて中心部にＳｉ基板２１にま
で達する孔２３ａを開ける。
で達する孔２３ａを開ける。
（ｈ）次に孔２３ａの周囲などに酸化膜層３５を形成す
る。
る。
（ｉ）エツチングにて酸化膜層３５の中心に孔３５ａを
開ける。
開ける。
（ｊ）！後に孔３５ａの部分に軸２５をメタルで形成す
る。
る。
この状態で緩衝フッ酸で酸化膜を溶かせば、第２図に示
したような可動部品が形成できる。
したような可動部品が形成できる。
以上のようにこの実施例によれば、同一基板上に半導体
レーザとポリゴンミラーを、半導体製造プロセスを用い
て形成することにより、コストを極端に安く、位置精度
も極めて高く、占有スペースも極限まで小さくすること
ができる。
レーザとポリゴンミラーを、半導体製造プロセスを用い
て形成することにより、コストを極端に安く、位置精度
も極めて高く、占有スペースも極限まで小さくすること
ができる。
なお、この実施例においてポリゴンミラー２３は静電気
によって駆動されるモータであるとしたが、他に駆動源
を設けて、それからの伝達力や空気流などで駆動しても
よい。
によって駆動されるモータであるとしたが、他に駆動源
を設けて、それからの伝達力や空気流などで駆動しても
よい。
第４図は本発明の第２の特徴による実施例における複合
型半導体レーザ装置の構成断面図を示すものである。第
４図において、第１の特徴における実施例と異なるのは
、Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ半導体レーザ２２の活性化層
２２ａとポリゴンミラー２３との間に電極の位相を変え
てスペースを設け、Ｓｉｏ２により構成されるバッファ
層３６、及びガラスで構成される導波層３７を形成した
ことである。
型半導体レーザ装置の構成断面図を示すものである。第
４図において、第１の特徴における実施例と異なるのは
、Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ半導体レーザ２２の活性化層
２２ａとポリゴンミラー２３との間に電極の位相を変え
てスペースを設け、Ｓｉｏ２により構成されるバッファ
層３６、及びガラスで構成される導波層３７を形成した
ことである。
もちろんこれらもＳｔ基板２１上に他の部品と同じよう
に半導体製造方法を用いて形成されるので、その位置精
度は極めて高い。そしてＧａＡｌＡｓ半導体レーザ２２
の活性化層２２ａを出たレーザ光は、導波層３７内を進
んでポリゴンミラー２３に達することになる。
に半導体製造方法を用いて形成されるので、その位置精
度は極めて高い。そしてＧａＡｌＡｓ半導体レーザ２２
の活性化層２２ａを出たレーザ光は、導波層３７内を進
んでポリゴンミラー２３に達することになる。
なお導波層３７には、回折格子パターンによるコリメー
タ機能を容易に付加することができるが、この機能によ
ってさらにレーザ光の広がりを押さえて、シャープな光
束としてポリゴンミラー２３へ到達させることが可能に
なり、より高効率な光学系を実現することができる。
タ機能を容易に付加することができるが、この機能によ
ってさらにレーザ光の広がりを押さえて、シャープな光
束としてポリゴンミラー２３へ到達させることが可能に
なり、より高効率な光学系を実現することができる。
以上のようにこの実施例の複合型半導体レーザ装置によ
れば、同一の基板上に半導体レーザとポリゴンミラーと
、半導体レーザと可動体との間の先導波路を半導体製造
プロセスを用いて形成することにより、半導体レーザか
ら可動体までレーザ光が高効率で導かれるだけでなく、
コストをか極端に安く、位置精度も極めて高く、占有ス
ペースも極限まで小さくすることができる。
れば、同一の基板上に半導体レーザとポリゴンミラーと
、半導体レーザと可動体との間の先導波路を半導体製造
プロセスを用いて形成することにより、半導体レーザか
ら可動体までレーザ光が高効率で導かれるだけでなく、
コストをか極端に安く、位置精度も極めて高く、占有ス
ペースも極限まで小さくすることができる。
また、本発明の第３の特徴による実施例は第１の特徴に
よる実施例の説明において言及しているので省略すが、
一つの基板上に半導体レーザと、ポリゴンミラーと、半
導体レーザの駆動回路部と、ポリゴンミラーの駆動回路
部とを半導体製造プロセスを用いて形成することにより
、従来の機構部品をも含み、さらに駆動回路まで一体に
したＩＣが製造できるため、コストが極端に安く、位置
精度も極めて高く、占有スペースも極限まで小さくでき
る複合型半導体レーザ装置を得ることができる。
よる実施例の説明において言及しているので省略すが、
一つの基板上に半導体レーザと、ポリゴンミラーと、半
導体レーザの駆動回路部と、ポリゴンミラーの駆動回路
部とを半導体製造プロセスを用いて形成することにより
、従来の機構部品をも含み、さらに駆動回路まで一体に
したＩＣが製造できるため、コストが極端に安く、位置
精度も極めて高く、占有スペースも極限まで小さくでき
る複合型半導体レーザ装置を得ることができる。
発明の詳細
な説明したように、本発明の第１の特徴によれば、一つ
の基板上に半導体レーザと、例えばポリゴンミラーのよ
うな可動体を、エツチングやリングラフィなどの半導体
製造プロセスを用いて形成するので、従来の機構部品を
もＩＣと同じ状況で製造できるため、コストが極端に安
く、位置精度も極めて高く、占有スペースも極限まで小
さくできる複合型半導体レーザ装置を得ることができる
。
の基板上に半導体レーザと、例えばポリゴンミラーのよ
うな可動体を、エツチングやリングラフィなどの半導体
製造プロセスを用いて形成するので、従来の機構部品を
もＩＣと同じ状況で製造できるため、コストが極端に安
く、位置精度も極めて高く、占有スペースも極限まで小
さくできる複合型半導体レーザ装置を得ることができる
。
また、第２の特徴によれば、一つの基板上に半導体レー
ザと、例えばポリゴンミラーのような可動体と、半導体
レーザと可動体との間に光導波路ヲエッチングやリング
ラフィなどの半導体製造プロセスを用いて形成するので
、半導体レーザから可動体までレーザ光が高効率で導か
れるだけでなく、従来の機構部品をもＩＣと同じ状況で
製造できるため、コストが極端に安く、位置精度も極め
て高く、占有スペースも極限まで小さくできる複合型半
導体レーザ装置を得ることができる。
ザと、例えばポリゴンミラーのような可動体と、半導体
レーザと可動体との間に光導波路ヲエッチングやリング
ラフィなどの半導体製造プロセスを用いて形成するので
、半導体レーザから可動体までレーザ光が高効率で導か
れるだけでなく、従来の機構部品をもＩＣと同じ状況で
製造できるため、コストが極端に安く、位置精度も極め
て高く、占有スペースも極限まで小さくできる複合型半
導体レーザ装置を得ることができる。
さらに、第３の特徴によれば、一つの基板上に半導体レ
ーザと、例えばポリゴンミラーのような可動体と、半導
体レーザの駆動回路部と、可動体の駆動回路部とを半導
体製造プロセスを用いて形成するので、従来の機構部品
をも含み、さらに駆動回路まで一体にしたＩＣが製造で
きるため、コストが極端に安く、位置精度も椙めて高く
、占有スペースも極限まで小さくできる複合型半導体し
−ザ装置を得ることがモきる。
ーザと、例えばポリゴンミラーのような可動体と、半導
体レーザの駆動回路部と、可動体の駆動回路部とを半導
体製造プロセスを用いて形成するので、従来の機構部品
をも含み、さらに駆動回路まで一体にしたＩＣが製造で
きるため、コストが極端に安く、位置精度も椙めて高く
、占有スペースも極限まで小さくできる複合型半導体し
−ザ装置を得ることがモきる。
第１図は本発明の一実施例の製造法になる複合型半導体
レーザ装置の構成図、第２図は同装置の断面図、第３図
は同実施例における可動部の製造説明図、第４図は本発
明の第２の実施例の製造法になる複合型半導体レーザ装
置の構成断面図、第５図は従来の複合型半導体レーザ装
置の構成図である。 ２１＝Ｓｉ基板、２２ ・Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ半導
体レーザ、２３・・・ポリゴンミラー ２４・・・羽根
形状部、２５・・・軸、 ２６〜３１・・・電極、 ３
６・・・バッファ層、３７・・・導波層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名Ｚ／ −−
−ＳＬ基板 ？２’−−− ６ａ、ＡｌＡｓ 半導３本レーデ２３−
ボーノゴンミラー ２４・−ｖＩ ネ隘形１大部 ｚ５・−軸 Ｚｆ −−−Ｓｉ基板 ２４−Ｖ町ネ隘杉イ大゛部 （り鑓ｈル５Ｌ１） ３と ？！ Ｊ乙ａ。 Ｚｆ ２／−−３Ｌ：幕板 ２Ｓ−ポリゴンミラー（メダル） 四艮−乳 ２４・−１１祁ｄ秒４大部（多１告晶３４）２７、３ｏ
−２極（メダル） ３Ｚ、３３ａ、 ３３ｂ、 ３４１Ｌ、 ３４ｂ−酸化
俣漕３２（Ｌ−一凹帥 Ｚｆン 第 ３ 図 第 ３ 図 ｚｔ °＝ ｓｔ 、幕板 ２４− 町−Ｉ才隘形埒入部 （＃縛ｋＳＬ／１） ２７．３θ−ｔ ａ （メタルノ ３２、３３ａ、３３ｂ、３４ａ、３４ｂ ”−？化膜眉
３ＺＬ−ｕ部 ｃｄ−ン ２１−−− Ｓｉ基板 ｚ３・−ボ′ワゴンミラー（メタ２す ２４・−羽椹〕彩１大＊（夛縛品Ｓｉ、３）２５−
輌 ｚ７．シー １糧（メダル） ３２、３：３ａ、、３３ｂ、 ３４４Ｌ、 ３４ｂ、
３５−買上化１３２山−［！！］帥 （ｊ）
レーザ装置の構成図、第２図は同装置の断面図、第３図
は同実施例における可動部の製造説明図、第４図は本発
明の第２の実施例の製造法になる複合型半導体レーザ装
置の構成断面図、第５図は従来の複合型半導体レーザ装
置の構成図である。 ２１＝Ｓｉ基板、２２ ・Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ半導
体レーザ、２３・・・ポリゴンミラー ２４・・・羽根
形状部、２５・・・軸、 ２６〜３１・・・電極、 ３
６・・・バッファ層、３７・・・導波層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名Ｚ／ −−
−ＳＬ基板 ？２’−−− ６ａ、ＡｌＡｓ 半導３本レーデ２３−
ボーノゴンミラー ２４・−ｖＩ ネ隘形１大部 ｚ５・−軸 Ｚｆ −−−Ｓｉ基板 ２４−Ｖ町ネ隘杉イ大゛部 （り鑓ｈル５Ｌ１） ３と ？！ Ｊ乙ａ。 Ｚｆ ２／−−３Ｌ：幕板 ２Ｓ−ポリゴンミラー（メダル） 四艮−乳 ２４・−１１祁ｄ秒４大部（多１告晶３４）２７、３ｏ
−２極（メダル） ３Ｚ、３３ａ、 ３３ｂ、 ３４１Ｌ、 ３４ｂ−酸化
俣漕３２（Ｌ−一凹帥 Ｚｆン 第 ３ 図 第 ３ 図 ｚｔ °＝ ｓｔ 、幕板 ２４− 町−Ｉ才隘形埒入部 （＃縛ｋＳＬ／１） ２７．３θ−ｔ ａ （メタルノ ３２、３３ａ、３３ｂ、３４ａ、３４ｂ ”−？化膜眉
３ＺＬ−ｕ部 ｃｄ−ン ２１−−− Ｓｉ基板 ｚ３・−ボ′ワゴンミラー（メタ２す ２４・−羽椹〕彩１大＊（夛縛品Ｓｉ、３）２５−
輌 ｚ７．シー １糧（メダル） ３２、３：３ａ、、３３ｂ、 ３４４Ｌ、 ３４ｂ、
３５−買上化１３２山−［！！］帥 （ｊ）
Claims (7)
- （１）半導体レーザと可動体を、同一基板上に半導体製
造プロセスを用いて形成したことを特徴とする複合型半
導体レーザ装置の製造法。 - （２）半導体レーザから出たレーザ光を可動体に導く構
成であることを特徴とする請求項１記載の複合型半導体
レーザ装置の製造法。 - （３）可動体は軸を中心にして回転可能で、かつこの軸
に垂直な面が多角形である多角柱構造部を有し、半導体
レーザから出たレーザ光を前記可動体の前記多角柱構造
部の周囲の各面で反射させて偏向することを特徴とする
請求項１または２記載の複合型半導体レーザ装置の製造
法。 - （４）可動体が、静電気によって駆動されるモータであ
り、基板上に形成された電極と、この電極に電圧を印加
した際に、前記印加された電極に吸引される前記可動体
に設けた羽根形状部から構成されることを特徴とする請
求項１、２または３記載の複合型半導体レーザ装置の製
造法。 - （５）可動体は羽根形状部と多角柱構造部とから構成さ
れ、その回転中心である軸に対する放射方向の大きさが
、前記多角柱構造部より前記羽根形状部の方が大きく、
前記羽根形状部の位置に対応して電極を配置することに
より、前記多角柱構造部と前記電極とが前記軸の方向で
重ならないように構成したことを特徴とする請求項１、
２、３または４記載の複合型半導体レーザ装置の製造法
。 - （６）半導体レーザと可動体との間に設けた光導波路に
コリメータ機能を持たせたことを特徴とする請求項２、
３、４または５記載の複合型半導体レーザ装置の製造法
。 - （７）同一基板上に半導体レーザと、可動体と、前記半
導体レーザの駆動回路部と、前記可動体の駆動回路部と
を半導体製造プロセスを用いて形成したことを特徴とす
る複合型半導体レーザ装置の製造法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1070856A JP2722630B2 (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 複合型半導体レーザ装置の製造法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP1070856A JP2722630B2 (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 複合型半導体レーザ装置の製造法 |
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|---|---|
| JPH02250023A true JPH02250023A (ja) | 1990-10-05 |
| JP2722630B2 JP2722630B2 (ja) | 1998-03-04 |
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ID=13443625
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| JP1070856A Expired - Fee Related JP2722630B2 (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 複合型半導体レーザ装置の製造法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2722630B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04156508A (ja) * | 1990-10-20 | 1992-05-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光偏向器および光ビーム走査装置 |
| JP2002196273A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-07-12 | Datalogig Spa | 光学コードを読取るレーザモジュール |
| US6657765B2 (en) | 2001-03-01 | 2003-12-02 | Ricoh Company, Ltd. | Optical deflecting unit, optical scanning unit, image forming apparatus, and method of producing optical unit |
| US7131590B2 (en) | 2000-10-26 | 2006-11-07 | Datalogic S.P.A. | Laser module for reading optical codes |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6932271B2 (en) | 2000-01-27 | 2005-08-23 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scan module, optical scanner, optical scan method, image generator and image reader |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62189408A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Hitachi Ltd | 光集積回路 |
| JPS63209031A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Hitachi Ltd | 集積型光ヘツド |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP1070856A patent/JP2722630B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62189408A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Hitachi Ltd | 光集積回路 |
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| JPH04156508A (ja) * | 1990-10-20 | 1992-05-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光偏向器および光ビーム走査装置 |
| JP2002196273A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-07-12 | Datalogig Spa | 光学コードを読取るレーザモジュール |
| US7131590B2 (en) | 2000-10-26 | 2006-11-07 | Datalogic S.P.A. | Laser module for reading optical codes |
| US7533822B2 (en) | 2000-10-26 | 2009-05-19 | Datalogic S.P.A. | Laser scanner for reading optical codes |
| US7823786B2 (en) | 2000-10-26 | 2010-11-02 | Datalogic S.P.A. | Laser scanner for reading optical codes |
| US6657765B2 (en) | 2001-03-01 | 2003-12-02 | Ricoh Company, Ltd. | Optical deflecting unit, optical scanning unit, image forming apparatus, and method of producing optical unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2722630B2 (ja) | 1998-03-04 |
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