JPS63209031A

JPS63209031A - 集積型光ヘツド

Info

Publication number: JPS63209031A
Application number: JP62040297A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Shimada; 智嶋田; Shinji Oyama; 大山　眞司; Manabu Sato; 学佐藤; Masahiko Ibamoto; 正彦射場本; Yoshio Sato; 佐藤　美雄; Nobuyoshi Tsuboi; 坪井　信義; Norifumi Miyamoto; 詔文宮本; Hiroyuki Minemura; 浩行峯邑; Hiroaki Koyanagi; 小柳　広明
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-02-25
Filing date: 1987-02-25
Publication date: 1988-08-30
Anticipated expiration: 2009-03-23
Also published as: JPH0622065B2; EP0280208A3; EP0280208A2; US4937808A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は光ヘッドに係り、特に、小形で情報への高速ア
クセスが可能な集積型光ヘッドに関する。

〔従来の技術〕

従来、集積型光ｌ＼ラッドついては特開昭６０−１２９
９３８号公報の装置が提案されている。これは光ディス
クからの反射光を導波路上に形成した屈曲型回折格子に
より取込み、検出器で受光することにより焦点誤差信号
およびトラッキング信号を検出することが特徴であるが
、これらの信号をもとに光スポットを最適位置に焦点合
せするアクチュエータについて開示されていない。

また、特願昭５９−１８４７７６号には、光導路上に形
成した回折格子によりレーザ光源からの光を整形し、屈
曲型回折格子から出射し、光ディスクからの反射光をホ
トセンサで検出する光ヘッドが示されている。しかし、
センサの信号をもとに光デイスク上への焦点制御やトラ
ッキング制御を行うアクチュエータは従来型のフォース
モータコイルが用いられているので情報へのアクセス速
度は改良されずこの系で制約される。また光ヘッドの形
状サイズもこのアクチュエータで制約される。

光ディスクは、磁気ディスクに比べて、記録密度が数１
０倍と大きく、光ヘッドが記録媒体に非接触であるため
寿命が長い特長がある反面、従来の光ヘッドは大型で応
答速度の点で不利であった。

また、゛記録容量を増加するには多重のディスクに対し
て光ヘッドがアクセスする必要があり、薄形化が望まれ
ていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術は、これらの■情報への高速アクセス、■
多数枚ディスクへのアクセスの点で配慮がされておらず
、光ヘッドの焦点制御装置の応答速度が遅い、形状が大
きいのでディスク間隔が広くなる、光ファイル装置全体
が大きくなるという問題があった。さらに、集積型光ヘ
ッドは、各要素の効率が悪いため検出器の信号が不足し
、確実な焦点制御を妨げていた。

本発明の第１の目的は、焦点制御速度が速く情報へのア
クセス時間が小さい光ヘッドを提供することである。ま
た本発明の第２の目的は、多重ディスクへのアクセスが
可能な薄型で軽量の光ヘッドを提供することにある。本
発明の第３の目的はこれを解決し、正確に情報の記録、
読取りができる集積型光ヘッドを提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記第１．第２の目的は、光ヘッドを構成する要素を一
枚の基板上に集積小型化することにより達成される。特
に、焦点制御装置とトラッキング制御装置をも前記基板
上に構成し、小形化で固有振動数の大きい圧電素子アク
チュエータ付きマイクロレンズを高速応答の焦点制御装
置として用いることにより達成される。これはシリコン
や水晶などの結晶基板を微細加工し、各要素及び光ビー
ム制御装置を一枚の基板上に組込む技術により達成され
る。すなわち、光ヘツドシステムから見て各要素の材料
特性が光学的、電気的１機械的に摺入れる必要があり、
製造プロセスから見れば化学的性質も合った材料構成を
とることにより達成される。

また、第３の目的は集積型光ヘッドの要素間の結合効率
向上、対物レンズをフレーズ化することによる出射効率
の向上、及び回折格子により光検出器へより多く光を入
射させる等の方策により達成される。

〔作用〕

従来、光ヘッドの各要素を一枚の基板上に集積化する提
案がなされていたにも係わらず、上記問題点を解決でき
なかった理由は、焦点制御装置が集積化できなかったこ
とにある。本発明は、この焦点制御装置を基板上に集積
形成するもので、これは基板の一部に設けるレンズ要素
を薄く加工し可撓性を与え、この一部に圧電膜を形成し
たアクチュエータ付レンズ要素である。それによって、
回転する光ディスクの上下動に応じてレンズ要素を上下
させ、記録媒体上にレーザ光を集束合焦させるので、こ
こに高品質な情報を安定して記録させることができる。

これは、レーザ光を１μｍ径の情報ビット内に集中させ
る光記録独自の高エネルギー密度記録にとって必須の技
術である。すなわちディスクの上下動により焦点がずれ
るとエネルギー密度がたちまち低下して記録媒体は何の
変化も呈することなく情報を記録させることができなく
なるからである。既に記録された情報を読出し、再生す
る場合についても同様に、情報ビットの反射光量変化を
正確に検出できないので読取りエラーを発生する原因に
なる。以上はディスク上下動に対応する制御であるが、
ディスクが偏芯して回転する場合に生じるトラックずれ
についても同じ理由で焦点制御が必要である。本発明は
アクチュエータ付レンズを傾ける動作によりレーザ光を
偏向させトラックずれに追随して情報ビットにレーザ光
を合焦させる制御を行う。それによって情報ビットに常
に焦点を合せることができるので正確に情報を読出し再
生することができる。

〔実施例〕

第１図は１本発明の集積型光ヘッドの一実施例の全体構
成である。Ｓｉ単結晶板の材料からなる基板１は、ヘッ
ド支持板ｌａ上に固着されている。

光導波路１００の上には、半導体レーザ光源７の出射光
を整形するコリメートレンズ１０．光を偏向するための
表面弾性波素子を用いたビーム偏向器３．整形された光
を空気中に出射させ、ディスク９の記録媒体上に絞り込
む対物レンズ２、この反射光を再び導波路１００中に導
びき、その一部を反射させるビームスプリッタ４、さら
にこの光を光検出器６に入射させる結合レンズ５などの
要素が形成されている。光検出器６は基板１がＳｉ単結
晶の場合は、第５図（ｃ）に示すように、この中にｐ型
不純物（例えば硼素）とｎ型不純物（例えば、りん）に
よりｐｎ接合もしくはｐｉｎ接合（ｉは不純物の少ない
Ｓｉ純粋層）からなるホトダイオード群である。また、
Ｓｉ単結晶中１に光検出器６の信号増幅器８が作られる
。また８１は、半導体レーザ光源７の駆動回路である。

これら電気信号の取出し、電流供給はヘッド支持基板１
ａ上に固着された薄膜プリント板１ｂからボンディング
ワイヤ１ｃを通じて授受される。

まず全体の動作を説明する。本発明の集積型光ヘッドは
前記構成となっているので次のように動作する。半導体
レーザ光源から出射した光は一旦導波路１００内に入射
する。半導体レーザ７からの出射光は発散光となり導波
路１００内を拡がりながらアクチュエータ付コリメート
レンズ１０に入射し、平行ビームに整形され、対物レン
ズ２に入射する。対物レンズ２は導波路１００上に屈曲
回折格子をフレーズ加工した構造をもち、導波路上の光
を空気中に出射、集光させる機能をもつ要素である（詳
細は後述）。対物レンズ２により出射された光は、光デ
ィスク９に形成された記録媒体９２上に焦点を合せ絞り
込まれる。このエネルギーにより記録媒体が屈折率など
の物理的変化を起しその部分の反射率が変化する。光は
再び対物レンズ２を通って導波路１００上を戻り、ビー
ムスプリッタ４で分けられ、その一部が結合レンズ５を
通じて光検出器６に入射するので、前記反射率の変化を
電気信号として増幅器８から薄膜リード線１ｂを介して
取出すことができる。光ディスク９は６００〜１８００
ｒｐｍで回転しており、それについて記録媒体９２の位
置も上下に振れている。また、情報ビット９０を記録す
るべき１へラックも左右に変動している。これに対応し
て光ビームを制御して所望の位置に情報を記録させる必
要がある（第２図（ｄ）参照）。まず光ディスク９が上
下に振れた場合、光検出器６からのフォーカス誤差信号
ＦＡＩの大きさに応じ、オートフォーカスサーボ回路８
０１の出力でアクチュエータ付しンズ皿を上下に変位さ
せ、対物レンズ２から出射する光の焦点きよりを制御し
再び記録媒体９２に焦点を合せる。誤差信号ＦＡＩが大
きい場合はヘッド支持板の圧電アクチュエータで粗調整
する。また、トラックずれに対してはトラッキング誤差
信号ＴＡＩ、ＴＡ２の大きさにより、オートトラッキン
グサーボ回路８０２の出力でアクチュエータ付レンズ１
０を傾斜させ、記録媒体９２に入射する光をディスク９
の半径方向に移動し、トラックずれを矯正する。これら
のずれ、誤差検知は後述する４つのホトセンサ群からな
る光検出器６により行う。トラック間に渡ってヘッドを
動かす場合には、復調回路８００からの出力を受は回転
制御回路８０３の出力によりモータＭを必要量だけ動か
す。偏向器３は、対物レンズ２に入射する光ビームを高
周波で、わずかの角度だけ偏向させる。これで導波路１
００内に表面弾性波を立て、屈折率分布による回折格子
を生じさせ、光ビームをブラック角だけ偏向する。光デ
ィスク９には円周状のトラック溝が刻ってあり、光ビー
ムは。

約１００ｋＨｚの高周波で溝幅くらいに偏向されている
。その反射光は４個のホトセンサ群からなる光検出器６
により常にモニターされているので。

光ビームが溝を外れないようその出力電圧を増幅しアク
チュエータ付きレンズ１０圧電素子にフィードバックし
その傾きを変化させて光ビームがトラックの中央に来る
よう制御する。従って基板１を動かさないで、焦点位置
の制御が可能であり、従って高速応答のオートフォーカ
ス、トラッキングができる。この本発明の集積型光ヘッ
ドは、厚みが１ｍ以下と極めて薄いのでヘッド支持板１
ａの先端部に固着され、第１図（ｂ）に示すようにして
多重のディスク基板９の間隙の中Ａ部に侵入させること
ができ、より大容量の情報処理を行うことができる。必
要であれば、Ａ部拡大（ｉｔ）に示すようにヘッド支持
板１ａの上下に集積型光ヘッドＬＡ、ＩＢを２個固着し
、上下の光ディスク９Ａ、９Ｂに同時に又は時分割的に
アクセスしさらに情報処理の効率化を図ることができる
。９５は光ディスクの回転軸、９６は軸受、９７はモー
タである。１ｄはヘッド支持板をディスク間のほぼ中央
に粗調整するため、その根元の上下に固着された圧電素
子、１ｅはフォースモータコイル、１ｆはこれを動かす
磁石である。

次に本発明の集積型光ヘッドの各要素について構造と作
用を詳細に説明する。前記コリメートレンズ１０は第２
図にその詳細を示すように導波路１００の一部に形成さ
れ、光の減衰を防ぐため設けたバッファ層１１１の上に
アクチュエータである圧電膜１４０，１４１を被着し、
可撓性を与えるため基板の一部を加工除去したアクチュ
エータ付コリメートレンズである。まず基本的に光を導
波させるには、導波層の屈折率ｎｆが基板に比べて大き
いことが必要である。これらは第２図（ａ）のプロセス
で製作される。

（ｉ）結晶方位が（１１１）、（１１０）而または、（
１００）面を有するＳｉ単結晶基板１の表面を鏡面仕上
げする。

（ｎ）深さｙ、半径Ｒの凹面鏡１ｏを加工する。

（ｉｉｉ）熱酸化膜１１１　（ＳｉＯｚ、ｎ＝１．４６
）を約２μｍ形成しバッファ層１１１を形成する。

（ｉｖ）スパッタ法により、カルコゲナイドガラス（Ａ
ＳＺＳ３．ｎ＝２．５）を約１μｍ被着させ導波層１２
を形成する。この上に同じ手法でバッファ層（ＳｉＯｚ
）を２μｍ形成する。

（ｖ）下面の熱酸化膜は凹面鏡の下部だけ、エツチング
法で除去しく１ｌｌａ）、熱酸化膜をマスクとしてＳｉ
基板をエツチング除去する。硝酸エツチングのようにウ
ェット法か弗化塩素を用いるドライ法を用いて等方的エ
ツチングを行い１円形の穴１１１を加工し、導波レンズ
１１を形成する。

この時レンズの機械的強度を考慮して、この下にＳｉ基
板の一部をわずかに残しておいてもよい。

（ｖｉ）導波レンズ１１の上面には第２図（ｂ）に示す
圧電膜アクチュエータを形成する。まず、Ｔｉ、次にＡ
ｕまたはｐｔの電極１３０，１３１を約１μｍの厚さに
蒸着する０次にＰｂＴｉ０ａ又はＺｎＯからなる圧電膜
１４０，１４１を２〜１０μｍの厚さにスパッタで被着
させる。スパッタ条件は少しの酸素を含むアルゴンガス
を用い。

１０−１Ｔｏｒｒの真空雰囲気で行う、基板温度は５０
０℃が望ましい。低いと結晶構造がくずれ、強誘電性を
失うからである。膜により最適なプロセス条件を用いる
必要がある。そして、前記Ａｕまたはｐｔの電極１５０
，１５１をこの上に蒸着する。

これらの膜は、写真食剣法を用いて導波レンズ１１の中
央部と周辺部に分けて形成し、各々から電極パッド１３
０１，１５０１，１３１１．１５１１を引出す。

この圧電アクチュエータ付レンズの機能を説明する。導
波レンズ１１の中央部に形成した圧電膜１４０の下部電
極１３０に負の、上部電極１５０に正の電圧を印加する
と圧電膜１４０は上向きに分極を起し１機械的に収縮す
る。逆に、周辺部に形成した圧電膜１４１の下部電極１
３１に正の電圧を、上部電極に負の電圧を加えると圧電
膜は伸びる。この量は１００ｖの電圧を印加した場合、
歪量で約１０−４オーダである。導波レンズ１１は、中
央部が圧縮、周辺部が引張歪を受けることになるので第
２図（ｂ）に示す如く下方に凸となる変形を起す、つま
り同図（ｃ）の破線位置から実線の位置まで導波レンズ
１１を撓ませる。レンズ中心部の変位ｙは導波レンズ手
前から入射する平行光の焦点きよりｆを変化させる。こ
の関係は次式で与えられる。

ここで、Ｒ：導波レンズの半径ｙ：同中心部の深さ導波レンズ１１の中心部が下方に変位する（つまり、ｙ
が大きくなる）と、この式から焦点きよりｆが小さくな
る。第２図（ｃ）の例ではｆｘがｆｏとなる。これを第
１図（ａ）のアクチュエータレンズ１０の機能について
言えば、この場合は光源７とアクチュエータレンズ１０
のきよりか一定なので、導波レンズ１１が下方へ動くと
レンズを通過後の平行ビームを拡げる作用をする。上方
へ動くと平行ビームが絞られ、収束光として対物レンズ
２に入射する結果、レンズから出射するビームの焦点制
御を行うことができる。すなわち。

光ディスク９が回転し、上下動を生じても光ヘッドの基
板１を動かさないで光ディスク９に形成された記録媒体
９２に焦点を合せてレーザ光線を絞り込むことができる
。このアクチュエータ付レンズ１０は、小形軽量で固有
振動数が数１０ｋＨｚと高いので高速で焦点制御を行う
ことができる。

記録媒体９２の高感度が達成されると光ディスク９を高
速回転させ、単位時間当りの情報記録速度（含む読取り
速度）が大きくなるが、この場合にも本発明の集積型光
ヘッドを用いることにより応答することができる。

第３図は１表面弾性波素子主を用いたビーム偏向器であ
る。第４図の光検出器と併せ、トラッキング作用につい
て説明する０表面弾性波素子−β−は導波路１００の上
にＺｎＯなどの膜圧型素子３がスパッタリングにより形
成される。その上部には。

くし形電極３２、これに電圧を供給するためのポンディ
ングパッド３２１が蒸着されている。先端部３１はくし
形電極３２により発生した表面弾性波が導波路１ｏｏに
有効に伝播するようになだらかな傾斜部３１を形成させ
る。光ビームの偏向角θＢは次式で与えられる。

２二でλ：光ビームの波長ｎ：導波路の屈折率Ａ：表面弾性波の波長表面弾性波の波長Ａは、導波路の伝播速度Ｖと励振周波
数ｆによって決まり、導波路がＡｓｚＳａの場合ｖ＝２
．６ｋｍ／ｓ、ｆ＝１００ｋＨｚでθＢ＝０．０７＠　
の偏向を行うことができる。ビームがトラック中央にあ
る場合には、ディスク９からの反射光は光軸対称のガウ
ス分布をする。分波器４で反射され、結合レンズ５でホ
トセンサ群に入射する光も光軸対称となる故、第４図（
ｂ）に示すように、４個のホトセンサ６１１，６１２゜
６２１．６２２の出力はほぼ等しい、６１．６２は、導
波層１２の上にＳｉＮなとの高屈折層で作った屈曲型グ
レーティングで作った反射器である。

これは第４図（ｃ）に示すようにバッファ層の下（Ｓｉ
基板１）に形成したホトセンサ群へ、より多くの光を入
射させる作用をする。これによって大きいセンサ出力が
得られる。ディスク９上のトラックがビーム中心からず
れた場合、端部にあたる光はディスク上で散乱光となる
ので、ホトセンサに戻ってこない、つまり、光軸中心に
対し、その強度が非対称となるため、第４図（ｄ）に示
すように１強度中心がＡからＢ点に移る。従ってホトセ
ンサ６１１と６１２の出力および６２１と６２２の出力
には差が生じ、第３図（ｃ）に示すトラッキング誤差信
号ＴＡＩ、ＴＡ２となる。ディスクが下り、焦点ずれが
生じた場合、光検出器６１１〜６１２への戻り光の焦点
Ａが第４図（ｅ）に示すように６点にずれる。するとホ
トセンサ６１１．６１２に入射する光が増え、６２１゜
６２２に入射する光は減る。第３図（ｃ）に示すように
、増幅器８・２，８３でその差をとり、８５で絶対和を
とることによりフォーカス誤差信号ＦＡを得る。フォー
カス制御については第２図（ｄ）により既に説明した。

アクチュエータ付レンズの別の実施例を第５図に示す、
（ａ）は外観構造図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は機能説
明図、（ｄ）は製作プロセス図である。１はＳｉ単結晶
基板で、その上には光導波路１００が形成されている。

Ｓｉ基板の裏側は高部２１１を囲む環状凹欠部２１１ａ
を有し、その表側には高部２１１上に形成した対物レン
ズ２１を動かすための圧電膜アクチュエータ２４０゜２
４１．２４０’　、２４１’が形成されている。

これらは第５図（ｄ）のように製作される。

（ｉ）結晶方位が（１００）面を有するＳｉ単結晶基板
の表面を鏡面仕上げする。

（ｉｔ）熱酸化膜（Ｓｉｆｔ、ｎ＝１．４６）を約２μ
ｍバッファ層として形成する。スパッタ法により、カル
コゲナイドガラス層（ＡｓｚＳｓ、ｎ＝２．５）を約１
μｍ積層させ、上部バッファ層を２μｍ形成する。

（■）中心部の上部バッファ層を除去し、鋸歯状（フレ
ーズ）断面をもつ屈曲格子を微細加工し、対物レンズ２
１を形成する（後述）。

（ｉｖ）Ａｕ、またはｐｔ電極膜を約ｉ　ｐ’ｍ蒸着し
、この上にＺｎＯをスパッタリングで約１０μｍ積層し
、さらに上にＡｕ、Ｐｔ電極膜を蒸着する。

（ｖ）最後に、対物レンズ２１を中心にし、裏の周辺部
に環状凹欠部２１１ａを形成する。これは、（ｉｖ　）
の段階で裏面の酸化膜を環状に除き、残る部分をマスク
としてアルカルエツチング（ＫＯＩ−Ｉ水溶液＋イソプ
ロピルアルコール）法でシリコンを加工する。この方法
は、（１００）面に直角に速く加工が進み、（１００）
面は加工後も平担となる異方性エツチングの手法である
。

（■）の鋸歯状断面の加工は次のようにして行う。

（ａ）電子ビーム用レジスト膜をスピンコードで約１μ
ｍ被着させる。

（ｂ）第５図、（ｅ）に示す屈曲格子の鋸歯状断面に応
じて電子ビームの照射量を増減させる（レジストの架橋
量を制御する）、これを現像し、レジスト膜に鋸歯状断
面の屈曲格子を加工する。

（Ｃ）これをマスクにして、イオンミリング法（ドライ
エツチング）によりカルコゲナイドガラス層に鋸歯状断
面の屈曲格子を転写加工する。

本発明の対物レンズは、屈曲型回折格子にフレーズ効果
を持たせ効率を向上させたレンズである。

第５図（８）を見ればわかるように、導波層から出射し
た光波を空間の一点に集めるため格子周期が小さいもの
種基板法線と出射光波のなす角θを小さくする。また出
射方向と垂直になるようにフレーズをつける。対物レン
ズは第５図（ｅ）のような断面であり、屈曲の形状につ
いては位相整合条件から導かれる曲線の形状である。こ
のように鋸歯状断面に加工された屈曲格子は、導波路中
の光を高効率で空中に出射集光させる機能がある。

第５図（ａ）、（Ｑ）を用いて作用を説明する。

光ディスク９は回転により上下方向の変動を生じるので
、記録媒体上に合わせたレーザ光の焦点がずれる。それ
故これに応じて対物レンズ２１を上下させ、常に焦点を
合せる機能が必要である。ディスクが下った場合（１ｉ
）は内側の圧電膜２４１゜２４１′は収縮し、外側の圧
電膜２４０，２４０’は伸張するように電圧を加え、対
物レンズを設けた高部２１１を焦点が合うまで下方に動
かす、焦点検知の方法は第４図で説明した通り行う。デ
ィスクが上った場合は、逆の動作を行う。次にトラッキ
ングは（ｍ）のように行う、トラックを右にずれた場合
、対物レンズの右が下るように、圧電膜２４０，２４１
を収縮、２４０，２４１’　を伸張させる。トラッキン
グずれの検知については第４図で述べた方法で行う０本
発明例の特徴は、対物レンズ２１が肉厚の高部２１１に
形成されている故、高部２１１が変位してもレンズ自身
の変形がないので、これに基因する収差が生じないこと
である。

第６図は、波長変換器７１を用いた本発明の実施例であ
る。半導体レーザ７は、現在ＧａＡ　Ｑ　Ａｓ合金糸の
ものが用いられており、その波長λは約０．８μｍであ
る。この場合、記録ドツトの太きさｄは対物レンズの開
口数ＮＡから決められる。

λ ＮＡ＝０．５とすればｄ＝１．６μｍが記録密度の限界
を決める。そこで、半導体レーザの波長を短い側に変換
する第２次高周波発生器７１を用いれば、記録密度を向
上させることができる。この要素は、非線形光学効果を
利用するもので出力は低下するか、高密度化のニーズが
大きいため現在さかんに開発中である。ＬｉＮｂ０ａな
どで効果が確認されており、本発明では、半導体レーザ
７の出口に挿入する例を示しているが、基板１をし１Ｎ
ｂｏａで作る場合は、その一部に一体化して形成させる
。

本発明の効果は、レーザ光の波長を短くすることにより
、記録密度を向上させ得ることである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、光ヘツド各要素を一枚の基板上に集積
化し、特に、アクチュエータレンズ要素を基板上に形成
させたことにより、基板全体を動の時間で情報への高速
アクセスができる効果がある。

さらに、集積化光ヘッドを構成する各要素の効率と感度
を向上させたので、情報の記録、読取り精度を高くする
効果がある。

また、基板全体を動かす従来の焦点制御装置をなくした
ので１第１０以上の小形化が達成され、これにより、多
重ディスクへのアクセスができる光ヘッドを実現できる
。これらにより、従来に比べて数１０倍と大容量の情報
処理ができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）ないしくｃ）は本発明の集積型光ヘッドの
一実施例な示す図、第２図（ａ）ないしくｄ）はアクチ
ュエータ付コリメートレンズの一実施例を示す図、第３
図（ａ）ないしくＣ）は弾性表面波素子を用いたビーム
偏向要素の外観及び断面構造図、第４図（ａ）ないしく
ｅ）はアクチュエータ付対物レンズの一実施例を示す構
造断面図と動作説明図並びに製造プロセス図、第５図（
ａ）ないしくｅ）は光検出器を用いた焦点ずれ、トラッ
クずれ検出要素の構造及び動作説明図、第６図はレーザ
光源の短波長化要素を有する集積型光ヘッドの外観図。１・・・基板、ｌａ・・・ヘッド支持板、１ｄ・・・圧
電素子。２・・・アクチュエータ付対物レンズ、３・・・偏向器
、４・・・ビームスプリッタ、５・・・結合レンズ、６
・・・光検出器、７・・・半導体レーザ光源、８・・・
電気信号処理回路、９・・・光ディスク、１０・・・ア
クチュエータ付コリメートレンズ、７１・・・短波長化
素子、９０第１図（α）ｑθ 第１　図（ｂ）（Ｃ）Ａ＃槁大（ｉ　）　　　　　　　　　　（ｉｉ　）第２口（α）ｌｌｌＯくＣ）（ｄ）第３０（ｂ）第３図（Ｃ）幻Ｃ１））　　　　　　　　　（Ｃ）纂４図（ｄ）（ｅ）第５図＜Ｃ＞第５　口（ｉ）（ｅ）

Claims

【特許請求の範囲】１、一枚の基板とその上に形成した光導波層、該基板上
の一部に形成した半導体レーザ光源、コリメートレンズ
、ビームスプリッタ、対物レンズ、結合レンズおよび光
検出器からなる光ヘッドにおいて、コリメートレンズま
たは対物レンズを形成した部分を可撓性とし、圧電素子
によつて可動自在としたことを特徴とする集積型光ヘッ
ド。２、前記コリメートレンズを凹型または凸型の可撓性円
板とし、その中央領域と周辺領域に分けて駆動極性が異
なる圧電素子を形成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の集積型光ヘッド。３、前記対物レンズの周辺部を薄くして可撓性を与え、
対物レンズに近い部分と遠い部分に分けて駆動極性が異
なる圧電素子を形成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の集積型光ヘッド。４、前記対物レンズがフレーズ加工した屈曲回折格子か
らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の集
積型光ヘッド。５、前記基板上の一部に表面弾性波素子を形成し、前記
光導波層を通過する光ビームを偏向させることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の集積型光ヘッド。