JP3131994B2 - 記録情報読取装置 - Google Patents
記録情報読取装置Info
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- JP3131994B2 JP3131994B2 JP02301650A JP30165090A JP3131994B2 JP 3131994 B2 JP3131994 B2 JP 3131994B2 JP 02301650 A JP02301650 A JP 02301650A JP 30165090 A JP30165090 A JP 30165090A JP 3131994 B2 JP3131994 B2 JP 3131994B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1356—Double or multiple prisms, i.e. having two or more prisms in cooperation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、情報の記録された記録媒体から、原情報を
読み取る記録情報読取装置に関する。
読み取る記録情報読取装置に関する。
背景技術 互いに90度異なる方向の偏光面をもつ２つの直線偏光
の一方は透過し、他方は反射する偏光ビームスプリッタ
は、光の分離器又は進行方向変換器として光学応用製品
に多く使用されている。このような偏光ビームスプリッ
タは、ウォラストンプリズムのように方解石又は水晶等
により形成することができるが、プリズムに誘電体をコ
ーティングして形成することもできる。
の一方は透過し、他方は反射する偏光ビームスプリッタ
は、光の分離器又は進行方向変換器として光学応用製品
に多く使用されている。このような偏光ビームスプリッ
タは、ウォラストンプリズムのように方解石又は水晶等
により形成することができるが、プリズムに誘電体をコ
ーティングして形成することもできる。
第５図は、プリズムによる従来の偏光ビームスプリッ
タの構造を示している。第５図において、偏光ビームス
プリッタ１は、２個の直角プリズム1a及び1bの傾斜面を
誘電体膜でコーティングして、その傾斜面同志を接着し
て形成される。このプリズム１は、その接着面（以下、
誘電体膜と称する）1cが、図の縦方向に偏光面を有する
直線偏光（以下、Ｓ偏光と称する）を透過させ、横方向
に偏光面を有する直線偏光（以下、Ｐ偏光と称する）を
反射させるように組み合わされている。さらに誘電体膜
1cは、入射光Ａの入射方向に対して45度の角度になるよ
うに配置されている。
タの構造を示している。第５図において、偏光ビームス
プリッタ１は、２個の直角プリズム1a及び1bの傾斜面を
誘電体膜でコーティングして、その傾斜面同志を接着し
て形成される。このプリズム１は、その接着面（以下、
誘電体膜と称する）1cが、図の縦方向に偏光面を有する
直線偏光（以下、Ｓ偏光と称する）を透過させ、横方向
に偏光面を有する直線偏光（以下、Ｐ偏光と称する）を
反射させるように組み合わされている。さらに誘電体膜
1cは、入射光Ａの入射方向に対して45度の角度になるよ
うに配置されている。
今、Ｓ偏光Ａがプリズム１に入射するとこれを透過
し、その後1/4波長板２を透過してミラー３で反射す
る。ミラー３で反射した反射光は、再び1/4波長板２を
透過してプリズム１に戻る。この1/4波長板２は、透過
する光の1/4の光路長の厚さをもち、図のように２回透
過すると直線偏光の偏光面を90度変換する性質をもつ。
従って、反射光はＰ偏光となり、誘電体膜1cで反射し
て、Ｐ偏光Ｂが図に示すようにＳ偏光Ａの入射方向とは
直角の方向に反射する。
し、その後1/4波長板２を透過してミラー３で反射す
る。ミラー３で反射した反射光は、再び1/4波長板２を
透過してプリズム１に戻る。この1/4波長板２は、透過
する光の1/4の光路長の厚さをもち、図のように２回透
過すると直線偏光の偏光面を90度変換する性質をもつ。
従って、反射光はＰ偏光となり、誘電体膜1cで反射し
て、Ｐ偏光Ｂが図に示すようにＳ偏光Ａの入射方向とは
直角の方向に反射する。
第６図は、光ディスクプレーヤ装置の光ピックアップ
（記録情報読取装置）に第５図の偏光ビームスプリッタ
を用いた例である。第６図において、ディスク４のトラ
ックには情報が記録されていて、レーザービームを照射
することによって、その情報を読み取ることができる。
（記録情報読取装置）に第５図の偏光ビームスプリッタ
を用いた例である。第６図において、ディスク４のトラ
ックには情報が記録されていて、レーザービームを照射
することによって、その情報を読み取ることができる。
レーザーダイオード５から発射された発散光である入
射ビームは、コリメータレンズ６によって発散光から平
行光束になりプリズム１に入射する。この入射ビームＡ
はＳ偏光になっていて、プリズム１を透過した後1/4波
長板２を経てトラッキング調整ミラー７で反射し、対物
レンズ８で収束してディスク４を照射する。
射ビームは、コリメータレンズ６によって発散光から平
行光束になりプリズム１に入射する。この入射ビームＡ
はＳ偏光になっていて、プリズム１を透過した後1/4波
長板２を経てトラッキング調整ミラー７で反射し、対物
レンズ８で収束してディスク４を照射する。
ディスク４のトラックは、記録された情報（例えば、
１又は０）に応じてその点の反射率が異なる。従って、
トラック上の読取点にレーザービームを照射して、反射
する反射光を検出すれば記録情報を読み取ることができ
る。トラッキング調整ミラー７は、レーザービームが正
確にトラック上をトラッキングするために回転自在に設
けられて、トラッキングサーボ手段（図示せず）によっ
てトラッキングがなされる。
１又は０）に応じてその点の反射率が異なる。従って、
トラック上の読取点にレーザービームを照射して、反射
する反射光を検出すれば記録情報を読み取ることができ
る。トラッキング調整ミラー７は、レーザービームが正
確にトラック上をトラッキングするために回転自在に設
けられて、トラッキングサーボ手段（図示せず）によっ
てトラッキングがなされる。
ディスク４で反射した戻りビームＢは、対物レンズ８
によって再び平行光束となって、トラッキング調整ミラ
ー７、1/4波長板２を経てプリズム１に戻る。戻りビー
ムＢは1/4波長板２によりＰ偏光になっているのでプリ
ズム１の誘電体膜1cで入射ビームＡと直角方向に反射す
る。
によって再び平行光束となって、トラッキング調整ミラ
ー７、1/4波長板２を経てプリズム１に戻る。戻りビー
ムＢは1/4波長板２によりＰ偏光になっているのでプリ
ズム１の誘電体膜1cで入射ビームＡと直角方向に反射す
る。
プリズム１から出たこの戻りビームＢはフォトダイオ
ード等の光電変換素子を含む受光部（図示せず）によっ
て電気信号に変換され、ディスク４に記録された原情報
が得られる。
ード等の光電変換素子を含む受光部（図示せず）によっ
て電気信号に変換され、ディスク４に記録された原情報
が得られる。
ところが、このような従来の光ピックアップは、製造
及び部品の組立・調整に手間がかかり、また原理的に３
次元構造のため小型化、特に薄型化が困難であるという
問題があった。さらに、トラッキング調整用のミラーを
機械的に動かさねばならず、光束のトラッキング動作が
得られないという欠点があった。
及び部品の組立・調整に手間がかかり、また原理的に３
次元構造のため小型化、特に薄型化が困難であるという
問題があった。さらに、トラッキング調整用のミラーを
機械的に動かさねばならず、光束のトラッキング動作が
得られないという欠点があった。
発明の目的 そこで本発明の目的は、組立・調整の必要がなく、か
つ２次元的構造のため小型化が容易で、しかも波動工学
を応用した高速のトラッキングが可能な記録情報読取装
置を提供することにある。
つ２次元的構造のため小型化が容易で、しかも波動工学
を応用した高速のトラッキングが可能な記録情報読取装
置を提供することにある。
発明の構成 本発明による偏光ビームスプリッタは、ニオブ酸リチ
ウムからなる基板上にチタンを拡散して得られるチタン
拡散層と、チタン拡散層の一部にプロトン交換を施すこ
とによって形成されるプロトン交換層とからなり、チタ
ン拡散層とプロトン交換層との境界面が、一定の偏光面
を有した直線偏光波を入射ビームとして透過するととも
に、直線偏光波とは偏光面が90度異なった直線偏光波を
反射ビームとして反射するような偏光ビームスプリッタ
であって、反射ビームが境界面において反射するよう
に、入射光の境界面に対する入射角、および屈折角を設
定することを特徴とする。また、本発明による情報読取
装置は、直線偏光波の入射ビームを発射する光源と、入
射ビームを記録媒体に向けて集束する対物レンズと、入
射ビームを対物レンズに中継する中継手段と、対物レン
ズを経た、入射ビームとは偏光面が90度異なった戻りビ
ームを入射ビームから分離する偏光ビームスプリッタ
と、偏光ビームスプリッタによって分離された戻りビー
ムを受光する受光手段とを有する記録情報読取装置であ
って、偏光ビームスプリッタは、ニオブ酸リチウムから
なる基板上にチタンを拡散して得られるチタン拡散層
と、チタン拡散層の一部にプロトン交換を施すことによ
って形成されるプロトン交換層との境界面からなり、境
界面は、入射ビームを透過するとともに、戻りビームが
境界面において、受光手段の方向に反射するように、入
射光の境界面に対する入射角、および屈折角を設定した
偏光ビームスプリッタであることを特徴とする。また、
中継手段は、基板内に形成された入射ビームを平行光束
とするコリメータレンズと、平行光束を回折しつつ偏光
ビームスプリッタに中継する表面波電極からなり、対物
レンズはチタン拡散層内に形成されたことを特徴とす
る。
ウムからなる基板上にチタンを拡散して得られるチタン
拡散層と、チタン拡散層の一部にプロトン交換を施すこ
とによって形成されるプロトン交換層とからなり、チタ
ン拡散層とプロトン交換層との境界面が、一定の偏光面
を有した直線偏光波を入射ビームとして透過するととも
に、直線偏光波とは偏光面が90度異なった直線偏光波を
反射ビームとして反射するような偏光ビームスプリッタ
であって、反射ビームが境界面において反射するよう
に、入射光の境界面に対する入射角、および屈折角を設
定することを特徴とする。また、本発明による情報読取
装置は、直線偏光波の入射ビームを発射する光源と、入
射ビームを記録媒体に向けて集束する対物レンズと、入
射ビームを対物レンズに中継する中継手段と、対物レン
ズを経た、入射ビームとは偏光面が90度異なった戻りビ
ームを入射ビームから分離する偏光ビームスプリッタ
と、偏光ビームスプリッタによって分離された戻りビー
ムを受光する受光手段とを有する記録情報読取装置であ
って、偏光ビームスプリッタは、ニオブ酸リチウムから
なる基板上にチタンを拡散して得られるチタン拡散層
と、チタン拡散層の一部にプロトン交換を施すことによ
って形成されるプロトン交換層との境界面からなり、境
界面は、入射ビームを透過するとともに、戻りビームが
境界面において、受光手段の方向に反射するように、入
射光の境界面に対する入射角、および屈折角を設定した
偏光ビームスプリッタであることを特徴とする。また、
中継手段は、基板内に形成された入射ビームを平行光束
とするコリメータレンズと、平行光束を回折しつつ偏光
ビームスプリッタに中継する表面波電極からなり、対物
レンズはチタン拡散層内に形成されたことを特徴とす
る。
発明の作用 本発明による記録情報読取装置においては、上記構成
により以下の作用を行なう。
により以下の作用を行なう。
光源から発した入射ビームが、コリメータレンズで平
行光束となり、表面波電極からの弾性表面波によって回
折し、境界面で屈折した対物レンズで集束し、記録媒体
を照射する。
行光束となり、表面波電極からの弾性表面波によって回
折し、境界面で屈折した対物レンズで集束し、記録媒体
を照射する。
その記録媒体で反射した戻りビームが、前記境界面で
入射ビームの方向とは異なる方向に反射して受光部に入
射する。
入射ビームの方向とは異なる方向に反射して受光部に入
射する。
実施例 以下、第１ないし第４図を参照して本発明の実施例を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図（ａ）ないし（ｅ）は偏光ビームスプリッタの
製造工程を示している。同図（ａ）は強誘電体であるＹ
−cutニオブ酸リチウム（LiNbO3）基板（以下、単に基
板と略称する）である。
製造工程を示している。同図（ａ）は強誘電体であるＹ
−cutニオブ酸リチウム（LiNbO3）基板（以下、単に基
板と略称する）である。
この基板の一方の表面は鏡面状に研磨されていてこの
研磨面が光路となる。同図（ｂ）はこの研磨面にスパッ
タリング等によりチタンを蒸着して、約200Åの厚さの
薄膜チタンを形成したものである。同図（ｃ）は上記薄
膜チタンを1000℃程度の温度で加熱して基板の内部に拡
散させてチタン拡散層を形成したものである。
研磨面が光路となる。同図（ｂ）はこの研磨面にスパッ
タリング等によりチタンを蒸着して、約200Åの厚さの
薄膜チタンを形成したものである。同図（ｃ）は上記薄
膜チタンを1000℃程度の温度で加熱して基板の内部に拡
散させてチタン拡散層を形成したものである。
次に、このチタン拡散層の表面の１部の領域をタンタ
ル等の耐酸性の金属で同図（ｄ）に示すようにマスクし
て、安息香酸、ピロリン酸等によってマスクされてない
領域をプロトン交換する。同図（ｅ）は、上記マスクに
よってプロトン交換されなかったチタン拡散領域（以
下、チタン領域と称する）とチタン拡散後プロトン交換
によって形成された領域（以下、プロトン交換領域と称
する）とが境界面で２分された様子を示している。
ル等の耐酸性の金属で同図（ｄ）に示すようにマスクし
て、安息香酸、ピロリン酸等によってマスクされてない
領域をプロトン交換する。同図（ｅ）は、上記マスクに
よってプロトン交換されなかったチタン拡散領域（以
下、チタン領域と称する）とチタン拡散後プロトン交換
によって形成された領域（以下、プロトン交換領域と称
する）とが境界面で２分された様子を示している。
チタン領域、プロトン交換領域及び基板は、光線を略
Ｘ線上または略Ｘ−Ｙ平面上を伝搬させた場合、それぞ
れ常光線と異常光線に対する屈折率が異なる。本実施例
では次のようになっている。チタン領域の常光線に対す
る屈折率noは2.29であり、異常光線に対する屈折率neは
2.21である。プロトン交換領域のnoは2.246で、neは2.3
3である。また、基板のnoは2.286であり、neは2.20であ
る。
Ｘ線上または略Ｘ−Ｙ平面上を伝搬させた場合、それぞ
れ常光線と異常光線に対する屈折率が異なる。本実施例
では次のようになっている。チタン領域の常光線に対す
る屈折率noは2.29であり、異常光線に対する屈折率neは
2.21である。プロトン交換領域のnoは2.246で、neは2.3
3である。また、基板のnoは2.286であり、neは2.20であ
る。
第１図（ａ）ないし（ｅ）の工程によって形成された
偏光ビームスプリッタ９の構造の断面図を第２図（ａ）
及び（ｂ）に示す。同図で基板9dの面にチタン領域9bと
プロトン交換領域9aとが境界面9cで２分されている。
偏光ビームスプリッタ９の構造の断面図を第２図（ａ）
及び（ｂ）に示す。同図で基板9dの面にチタン領域9bと
プロトン交換領域9aとが境界面9cで２分されている。
このような偏光ビームスプリッタ９を第３図に示す。
この図は偏光ビームスプリッタ９を拡散薄膜側から見た
図であり、基板（図示せず）の材料にはＹカット・Ｘ方
向伝搬のニオブ酸リチウムが用いられている。これは上
記材料が偏光ビームスプリッタで問題になるスプリアス
（不要な成分）が少ないためである。
この図は偏光ビームスプリッタ９を拡散薄膜側から見た
図であり、基板（図示せず）の材料にはＹカット・Ｘ方
向伝搬のニオブ酸リチウムが用いられている。これは上
記材料が偏光ビームスプリッタで問題になるスプリアス
（不要な成分）が少ないためである。
第３図において、Ｓ偏光（TEモード）である入射ビー
ムＡは偏光ビームスプリッタ９の境界面9cに対して、θ
１の入射角でプロトン交換領域9aに入射する。この入射
ビームＡは境界面9cにおいて図のＸ方向に屈折しつつチ
タン領域9bを透過する。このときの境界面9cと屈折ビー
ムとのなす角度を、θ２とする。
ムＡは偏光ビームスプリッタ９の境界面9cに対して、θ
１の入射角でプロトン交換領域9aに入射する。この入射
ビームＡは境界面9cにおいて図のＸ方向に屈折しつつチ
タン領域9bを透過する。このときの境界面9cと屈折ビー
ムとのなす角度を、θ２とする。
チタン領域9bから出た屈折ビームは、1/4波長板２を
透過して直線偏光から円偏光に変り、ミラー３で反射す
る。反射後再び1/4波長板２を透過して、円偏光がチタ
ン領域9bから出た直線偏光とは偏光面が90度変り、即ち
Ｐ偏光となってチタン領域9bに戻る。ビームは境界面9c
に対して、屈折率大なる領域から小なる領域へ入射する
ことから、この戻りビームＢが全反射するためのθ２の
範囲は、次の式を満足する必要がある。
透過して直線偏光から円偏光に変り、ミラー３で反射す
る。反射後再び1/4波長板２を透過して、円偏光がチタ
ン領域9bから出た直線偏光とは偏光面が90度変り、即ち
Ｐ偏光となってチタン領域9bに戻る。ビームは境界面9c
に対して、屈折率大なる領域から小なる領域へ入射する
ことから、この戻りビームＢが全反射するためのθ２の
範囲は、次の式を満足する必要がある。
０＜θ２≦OCS-1（n oP/n oT） 常光線に対するプロトン交換領域9a及びチタン領域9b
の屈折率は、 n oP＝2.246、n oT＝2.29 であり、異常光線に対する各々の屈折率は、 n eP＝2.33、n eT＝2.21 であるから、全反射角即ち屈折角θ２は上式より、 ０＜θ２≦11.2゜ となる。なお、θ２は第３図に示す如く境界面9cとＸ方
向とのなす角でもあり、即ち偏光ビームスプリッタ９の
屈折及び戻りビームの光路との変位角を表わしている。
又、入射角θ１は、 18.5゜＜θ１≦21.5゜ となる。この式の18.5゜の数値は、θ２が０となる条件
より求めたものである。
の屈折率は、 n oP＝2.246、n oT＝2.29 であり、異常光線に対する各々の屈折率は、 n eP＝2.33、n eT＝2.21 であるから、全反射角即ち屈折角θ２は上式より、 ０＜θ２≦11.2゜ となる。なお、θ２は第３図に示す如く境界面9cとＸ方
向とのなす角でもあり、即ち偏光ビームスプリッタ９の
屈折及び戻りビームの光路との変位角を表わしている。
又、入射角θ１は、 18.5゜＜θ１≦21.5゜ となる。この式の18.5゜の数値は、θ２が０となる条件
より求めたものである。
従って、入射角θ１及び偏光ビームスプリッタ９の上
記変位角を適切に選ぶことにより、入射ビームＡを透過
して、戻りビームＢを入射ビームＡの方向とは異なる方
向に反射することができる。
記変位角を適切に選ぶことにより、入射ビームＡを透過
して、戻りビームＢを入射ビームＡの方向とは異なる方
向に反射することができる。
第４図（ａ）は偏光ビームスプリッタ９にさらにコリ
メータレンズ10及び表面波電極11をプロトン交換領域側
に、対物レンズとしてのグレーティングレンズ12をチタ
ン領域側に形成し、さらにレーザーダイオード５をプロ
トン交換流域側面に、1/4波長板13をグレーティングレ
ンズ12の上部に及び受光部14をチタン領域側面に固着し
て形成した光ピックアップ15を示している。又、同図
（ｂ）は上記光ピックアップ15のＸ軸方向の断面図及び
ディスク４との位置関係を示している。
メータレンズ10及び表面波電極11をプロトン交換領域側
に、対物レンズとしてのグレーティングレンズ12をチタ
ン領域側に形成し、さらにレーザーダイオード５をプロ
トン交換流域側面に、1/4波長板13をグレーティングレ
ンズ12の上部に及び受光部14をチタン領域側面に固着し
て形成した光ピックアップ15を示している。又、同図
（ｂ）は上記光ピックアップ15のＸ軸方向の断面図及び
ディスク４との位置関係を示している。
第４図（ａ）において、レーザーダイオード５から発
してプロトン交換領域9aに入射したＳ偏光である入射ビ
ームＡは、コリメータレンズ10によって平行光束とな
る。表面波電極11には外部信号源（図示せず）からトラ
ッキング制御信号が入力されている。このトラッキング
制御信号によって表面波電極11から弾性表面波が発射さ
れる。コリメータレンズ10から出た平行光束は弾性表面
波によってブラッグ回折を生じ、回折光束となって、同
図に示す如く、境界面9cに入射角θ１の角度で入射す
る。
してプロトン交換領域9aに入射したＳ偏光である入射ビ
ームＡは、コリメータレンズ10によって平行光束とな
る。表面波電極11には外部信号源（図示せず）からトラ
ッキング制御信号が入力されている。このトラッキング
制御信号によって表面波電極11から弾性表面波が発射さ
れる。コリメータレンズ10から出た平行光束は弾性表面
波によってブラッグ回折を生じ、回折光束となって、同
図に示す如く、境界面9cに入射角θ１の角度で入射す
る。
この回折光束は境界面9cで屈折して、屈折光束がチタ
ン領域9bの中を図のＸ方向に進行する。屈折光束はグレ
ーティングレンズ12によって集束し、1/4波長板13を経
てディスク４を照射する。ディスク４で反射し、ディス
ク４に記録された記録情報を担う戻りビームＢは、1/4
波長板13を経てグレーティングレンズ12によって平行光
束となる。
ン領域9bの中を図のＸ方向に進行する。屈折光束はグレ
ーティングレンズ12によって集束し、1/4波長板13を経
てディスク４を照射する。ディスク４で反射し、ディス
ク４に記録された記録情報を担う戻りビームＢは、1/4
波長板13を経てグレーティングレンズ12によって平行光
束となる。
この戻りビームＢはＰ偏光になっているので、境界面
9cで反射して受光部14に入射して、電気信号に変換され
記録情報が得られることになる。
9cで反射して受光部14に入射して、電気信号に変換され
記録情報が得られることになる。
上記したように、コリメータレンズ10から出た平行光
束は、弾性表面波によって即ちトラッキング制御信号に
よって回折される。このトラッキング制御信号のトラッ
キングエラー信号に応じて回折角度を変えることによ
り、グレーティングレンズ12からディスク４に照射する
位置を調整して高速のトラッキングを行なうことができ
る。
束は、弾性表面波によって即ちトラッキング制御信号に
よって回折される。このトラッキング制御信号のトラッ
キングエラー信号に応じて回折角度を変えることによ
り、グレーティングレンズ12からディスク４に照射する
位置を調整して高速のトラッキングを行なうことができ
る。
なお、本実施例では、レーザーダイオード５、1/4波
長板13及び受光部14は偏光ビームスプリッタ９に固着し
たが、偏光ビームスプリッタ９の内部に形成した光ピッ
クアップ15全体を一体化するようにしても良い。
長板13及び受光部14は偏光ビームスプリッタ９に固着し
たが、偏光ビームスプリッタ９の内部に形成した光ピッ
クアップ15全体を一体化するようにしても良い。
また、1/4波長板13は水晶等の複屈折をもつ結晶が多
く使われるが、これに限ることなく直線偏光の偏光面を
90度異なる方向に変換するものであれば良い。
く使われるが、これに限ることなく直線偏光の偏光面を
90度異なる方向に変換するものであれば良い。
発明の効果 以上説明したように、本発明による記録情報読取装置
においては、ニオブ酸リチウムからなる基板上にチタン
を拡散して、そのチタン拡散層の一部にプロトン交換層
を形成し、それら２つの層の境界面を偏光ビームスプリ
ッタとする。さらに同一の基板上にコリメータ及び対物
レンズ並びに表面波電極等を形成する。
においては、ニオブ酸リチウムからなる基板上にチタン
を拡散して、そのチタン拡散層の一部にプロトン交換層
を形成し、それら２つの層の境界面を偏光ビームスプリ
ッタとする。さらに同一の基板上にコリメータ及び対物
レンズ並びに表面波電極等を形成する。
このようにして形成した偏光ビームスプリッタに光
源、受光手段等を固着する。
源、受光手段等を固着する。
その光源から発した入射ビームが、コリメータレンズ
で平行光束となり、表面波電極からの弾性表面波によっ
て回折し、境界面で屈折して対物レンズで集束し、記録
媒体を照射する。
で平行光束となり、表面波電極からの弾性表面波によっ
て回折し、境界面で屈折して対物レンズで集束し、記録
媒体を照射する。
その記録媒体で反射した戻りビームが、前記境界面で
入射ビームの方向とは異なる方向に反射して受光手段に
入射する。
入射ビームの方向とは異なる方向に反射して受光手段に
入射する。
上記作用の結果、薄型の基板に一体化した構造のため
組立・調整の必要がなく、かつ２次元的構造の軽量、小
型で信頼性の高い記録情報読取装置を得ることができる
のである。
組立・調整の必要がなく、かつ２次元的構造の軽量、小
型で信頼性の高い記録情報読取装置を得ることができる
のである。
また、同一基板上に偏光ビームスプリッタ及びレンズ
等の光学部品を一体化して形成できるので、記録情報読
取装置の光集積回路化が可能となる。
等の光学部品を一体化して形成できるので、記録情報読
取装置の光集積回路化が可能となる。
さらに、弾性表面波によってトラッキング動作を行な
うので、機械的なものに比して高速トラッキングの記録
情報読取装置を得ることができるのである。
うので、機械的なものに比して高速トラッキングの記録
情報読取装置を得ることができるのである。
なお、上記実施例では、Ｙ−cut LiNbO3を基板と
し、光線が略Ｘ線上あるいは略Ｘ−Ｙ平面上を伝搬する
場合について述べたが、Ｚ−cut LiNbO3を基板とした
場合、光線はＸ−Ｙ平面上を伝搬するため、第３図にお
ける入射光ＡをTMモードとすれば、出射光はTEモードと
して得ることができ、同様に偏光ビームスプリッタとし
て機能する。
し、光線が略Ｘ線上あるいは略Ｘ−Ｙ平面上を伝搬する
場合について述べたが、Ｚ−cut LiNbO3を基板とした
場合、光線はＸ−Ｙ平面上を伝搬するため、第３図にお
ける入射光ＡをTMモードとすれば、出射光はTEモードと
して得ることができ、同様に偏光ビームスプリッタとし
て機能する。
第１図（ａ）ないし（ｅ）は本発明の偏光ビームスプリ
ッタの製造方法を示す図、第２図（ａ）及び（ｂ）は第
１図（ｅ）に示す偏光ビームスプリッタの断面図、第３
図は本発明の偏光ビームスプリッタ、第４図（ａ）及び
（ｂ）は本発明の偏光ビームスプリッタを応用した光ピ
ックアップ、第５図は従来の偏光ビームスプリッタの構
造図、第６図は従来の偏光ビームスプリッタを用いた光
ピックアップである。 主要部分の符号の説明 ５……レーザーダイオード ９……偏光ビームスプリッタ 9a……プロトン交換領域 9b……チタン領域 9c……境界面 9d……ニオブ酸リチウム基板 10……コリメータレンズ 11……表面波電極 12……グレーティングレンズ 13……1/4波長板 14……受光部 15……光ピックアップ
ッタの製造方法を示す図、第２図（ａ）及び（ｂ）は第
１図（ｅ）に示す偏光ビームスプリッタの断面図、第３
図は本発明の偏光ビームスプリッタ、第４図（ａ）及び
（ｂ）は本発明の偏光ビームスプリッタを応用した光ピ
ックアップ、第５図は従来の偏光ビームスプリッタの構
造図、第６図は従来の偏光ビームスプリッタを用いた光
ピックアップである。 主要部分の符号の説明 ５……レーザーダイオード ９……偏光ビームスプリッタ 9a……プロトン交換領域 9b……チタン領域 9c……境界面 9d……ニオブ酸リチウム基板 10……コリメータレンズ 11……表面波電極 12……グレーティングレンズ 13……1/4波長板 14……受光部 15……光ピックアップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/135
Claims (3)
- 【請求項１】ニオブ酸リチウムからなる基板上にチタン
を拡散して得られるチタン拡散層と、前期チタン拡散層
の一部にプロトン交換を施すことによって形成されるプ
ロトン交換層とからなり、前記チタン拡散層と前記プロ
トン交換層との境界面が、一定の偏光面を有した直線偏
光波を入射ビームとして透過するとともに、前記直線偏
光波とは偏光面が90度異なった直線偏光波を反射ビーム
として反射するような偏光ビームスプリッタであって、 前記反射ビームが前記境界面において反射するように、
前記入射光の前記境界面に対する入射角、および屈折角
を設定することを特徴とする偏光ビームスプリッタ。 - 【請求項２】直線偏光波の入射ビームを発射する光源
と、前記入射ビームを記録媒体に向けて集束する対物レ
ンズと、前記入射ビームを対物レンズに中継する中継手
段と、前記対物レンズを経た、前記入射ビームとは偏光
面が90度異なった戻りビームを前記入射ビームから分離
する偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッ
タによって分離された戻りビームを受光する受光手段と
を有する記録情報読取装置であって、 前記偏光ビームスプリッタは、ニオブ酸リチウムからな
る基板上にチタンを拡散して得られるチタン拡散層と、
前記チタン拡散層の一部にプロトン交換を施すことによ
って形成されるプロトン交換層との境界面からなり、前
記境界面は、前記入射ビームを透過するとともに、前記
戻りビームが前記境界面において、前記受光手段の方向
に反射するように、前記入射光の前記境界面に対する入
射角、および屈折角を設定した偏光ビームスプリッタで
あることを特徴とする記録情報再生装置。 - 【請求項３】前記中継手段は、前記基板内に形成された
前期入射ビームを平行光束とするコリメータレンズと、
前記平行光束を回折しつつ前記偏光ビームスプリッタに
中継する表面波電極からなり、 前記対物レンズは前記チタン拡散層内に形成されたこと
を特徴とする請求項２記載の記録情報読取装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02301650A JP3131994B2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 記録情報読取装置 |
| US07/710,476 US5168489A (en) | 1990-11-07 | 1991-06-05 | Recorded data reader employing a polarized beam splitter |
| EP19910109267 EP0484625A3 (en) | 1990-11-07 | 1991-06-06 | Recorded data reader |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02301650A JP3131994B2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 記録情報読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298831A JPH04298831A (ja) | 1992-10-22 |
| JP3131994B2 true JP3131994B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=17899493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02301650A Expired - Fee Related JP3131994B2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 記録情報読取装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5168489A (ja) |
| EP (1) | EP0484625A3 (ja) |
| JP (1) | JP3131994B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE19942420A1 (de) * | 1999-09-06 | 2001-03-08 | Zeiss Carl Jena Gmbh | Optischer Strahlenteiler zur Polarisationstrennung von monochromatischem Licht |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4779259A (en) * | 1985-04-25 | 1988-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head assembly with efficient light source coupling surface and method of construction |
| JPS6289250A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光デイスク用ピツクアツプ |
| EP0259832A3 (en) * | 1986-09-09 | 1989-03-15 | Hitachi, Ltd. | Optical head |
| JP2572050B2 (ja) * | 1986-11-05 | 1997-01-16 | シャープ株式会社 | 導波路型光ヘツド |
| JPH0622065B2 (ja) * | 1987-02-25 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | 集積型光ヘツド |
| US5070488A (en) * | 1988-06-29 | 1991-12-03 | Atsuko Fukushima | Optical integrated circuit and optical apparatus |
-
1990
- 1990-11-07 JP JP02301650A patent/JP3131994B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-06-05 US US07/710,476 patent/US5168489A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-06 EP EP19910109267 patent/EP0484625A3/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5168489A (en) | 1992-12-01 |
| JPH04298831A (ja) | 1992-10-22 |
| EP0484625A3 (en) | 1992-09-30 |
| EP0484625A2 (en) | 1992-05-13 |
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