JPS61287041A - 光学式ピツクアツプ装置 - Google Patents
光学式ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS61287041A JPS61287041A JP60127618A JP12761885A JPS61287041A JP S61287041 A JPS61287041 A JP S61287041A JP 60127618 A JP60127618 A JP 60127618A JP 12761885 A JP12761885 A JP 12761885A JP S61287041 A JPS61287041 A JP S61287041A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- optical system
- optical
- pickup device
- focus detection
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は光ディスクに記録された情報を光学的に検出す
る光学系ピックアップのレーザスポットを、常時、正確
に光ディスクの記録情報面上に位置させるよう゛にした
光学式ピックアップ装置に関する。
る光学系ピックアップのレーザスポットを、常時、正確
に光ディスクの記録情報面上に位置させるよう゛にした
光学式ピックアップ装置に関する。
「従来の技術」
従来の、この種の光学式ピックアップ装置として第６図
で示すものがあった０図面において、Ａは光学的に情報
が記録された光ディスクで、Ｂは光ディスクＡの情報を
読取るためのレーザを発生する半導体レーザ、Ｃは偏光
プリズム、Ｄは１７４波長板、Ｅは上記のレーザを光デ
ィスクＡの記録情報面上に所定のスポットサイズで集光
する対物レンズである。
で示すものがあった０図面において、Ａは光学的に情報
が記録された光ディスクで、Ｂは光ディスクＡの情報を
読取るためのレーザを発生する半導体レーザ、Ｃは偏光
プリズム、Ｄは１７４波長板、Ｅは上記のレーザを光デ
ィスクＡの記録情報面上に所定のスポットサイズで集光
する対物レンズである。
次に、偏光プリズムＣの右側に配置する検出光学系は、
非点収差法の焦点検出系で、Ｆは非点収差を発生させる
シントリカルレンズ、Ｇはフォトダイオード等の光検出
器である。
非点収差法の焦点検出系で、Ｆは非点収差を発生させる
シントリカルレンズ、Ｇはフォトダイオード等の光検出
器である。
次に１作用について説明する。半導体レーザＢから発射
されたＰ偏光の光は、偏光プリズムＣの偏光膜を通過し
、１／４波長板りによって位相差π／２を与えられ、直
線偏光から円偏光に変えられる。そして、この円偏光は
対物レンズＥにより、光ディスクＡの信号面に所定のス
ポットサイズで集晃される０次いで、光ディスクＡの信
号面からの反射光は１円偏光の回転方向が、入射時と逆
方向となり、再び１／４波長板りを通過することによっ
て、９０°偏光方向の回転した直線偏光（Ｓ偏光）の光
となり、偏光プリズムＣの偏光面で検出光学系の方向に
反射される。
されたＰ偏光の光は、偏光プリズムＣの偏光膜を通過し
、１／４波長板りによって位相差π／２を与えられ、直
線偏光から円偏光に変えられる。そして、この円偏光は
対物レンズＥにより、光ディスクＡの信号面に所定のス
ポットサイズで集晃される０次いで、光ディスクＡの信
号面からの反射光は１円偏光の回転方向が、入射時と逆
方向となり、再び１／４波長板りを通過することによっ
て、９０°偏光方向の回転した直線偏光（Ｓ偏光）の光
となり、偏光プリズムＣの偏光面で検出光学系の方向に
反射される。
検出光学系では上記のＳ偏光の光をシントリカルレンズ
Ｆにより、光検出器Ｇ上にスポット形状に集光させ、光
ディスクＡの上下変動に対応した非点収差を発生させ、
焦点エラー信号を得る。そして、この焦点エラー信号に
より光ピツクアップを常時、正しい位置に制御するので
ある。
Ｆにより、光検出器Ｇ上にスポット形状に集光させ、光
ディスクＡの上下変動に対応した非点収差を発生させ、
焦点エラー信号を得る。そして、この焦点エラー信号に
より光ピツクアップを常時、正しい位置に制御するので
ある。
「発明が解決しようとする問題点」
しかし、従来の光学式ピックアップ装置は上記のように
構成されているので、焦点エラー信号の焦点検出光学系
が、入射光軸に対して垂直方向に長く延びたかたちとな
り、光ピツクアップの小型化を困難にする欠点があった
。
構成されているので、焦点エラー信号の焦点検出光学系
が、入射光軸に対して垂直方向に長く延びたかたちとな
り、光ピツクアップの小型化を困難にする欠点があった
。
「問題を解決するための手段」
本発明は上記のような欠点を解決するために成されたも
ので、焦点検出光学系において、偏光プリズムにシリト
リカルレンズを接着すると共に。
ので、焦点検出光学系において、偏光プリズムにシリト
リカルレンズを接着すると共に。
シリトリカルレンズの曲面に形成した反射膜により光路
を検出光学系の方向に折り曲げて小型化を可能にした光
学式ピックアップ装置を提供するのが目的である。
を検出光学系の方向に折り曲げて小型化を可能にした光
学式ピックアップ装置を提供するのが目的である。
「発明の構成」
以下１本発明を図面の実施例に基づいて説明する。第１
図は本発明に係る光学式ピックアップ装置の概略構成図
で、第２図は同要部の斜視図を示す０図面において、ｌ
は光学的に情報が記録された光ディスクで、２は該光デ
ィスクｌの情報を読 □取るためのレーザを発生
する半導体レーザ、３は偏光プリズム、４は１７４波長
板、５は上記の光ディスク１の情報面上にレーザを所定
のスポットサイズに絞り込むための対物レンズである。
図は本発明に係る光学式ピックアップ装置の概略構成図
で、第２図は同要部の斜視図を示す０図面において、ｌ
は光学的に情報が記録された光ディスクで、２は該光デ
ィスクｌの情報を読 □取るためのレーザを発生
する半導体レーザ、３は偏光プリズム、４は１７４波長
板、５は上記の光ディスク１の情報面上にレーザを所定
のスポットサイズに絞り込むための対物レンズである。
次に、焦点検出光学系であるが、６は偏光プリズム３の
右側面に接着された１７４波長板、７はシリトリカルレ
ンズで、その平面側は１／４波長板６に接着されている
。また、シリトリカルレンズ７の曲面側には、反射８８
が形成されている。
右側面に接着された１７４波長板、７はシリトリカルレ
ンズで、その平面側は１／４波長板６に接着されている
。また、シリトリカルレンズ７の曲面側には、反射８８
が形成されている。
９は偏光プリズム３の左側に配置された光検出、器であ
る。なお、上記の反射１１８は金属薄膜（アルミニウム
薄膜）または高反射率の得られる誘電体薄膜を蒸着また
はスパッタリング法で形成す ′る。
る。なお、上記の反射１１８は金属薄膜（アルミニウム
薄膜）または高反射率の得られる誘電体薄膜を蒸着また
はスパッタリング法で形成す ′る。
「発明の作用」
次に、上記の実施例の作用について説明する。
半導体レーザ２から発射された直線偏光（Ｐ偏光）の光
は、偏光プリズム３の偏光膜を通過し、１／４波長板４
によって直線偏光から円偏光に変えられる。この円偏光
は対物レンズ５によって光ディスク１の信号面に集光さ
れる０次いで、光ディスク１の信号面で反射された反射
光は、入射時と逆回転方向の円偏光に変換される。そし
て、この円偏光は再び、１７４波長板４を通過すること
によって、今度は９０°偏光方向の回転した直線偏光（
Ｓ偏光）の光となり、偏光プリズム３の偏光膜で反射さ
れ焦点検出光学系に導入される。
は、偏光プリズム３の偏光膜を通過し、１／４波長板４
によって直線偏光から円偏光に変えられる。この円偏光
は対物レンズ５によって光ディスク１の信号面に集光さ
れる０次いで、光ディスク１の信号面で反射された反射
光は、入射時と逆回転方向の円偏光に変換される。そし
て、この円偏光は再び、１７４波長板４を通過すること
によって、今度は９０°偏光方向の回転した直線偏光（
Ｓ偏光）の光となり、偏光プリズム３の偏光膜で反射さ
れ焦点検出光学系に導入される。
そして、焦点検出光学系において上記のＳ偏光の光は、
ｌ／４波長板６により円偏光に変換され、シリトリカル
レンズ７の反射膜８により反射されて入射時と逆回転と
なる。この逆回転した円偏光は、再び、１／４波長板６
を通過することにより入射時と９０＠偏光方向の回転し
た直線偏光（Ｐ偏光）の光に変換されて偏光プリズムの
偏光膜を通過し、左側の光検出器９に到達する。
ｌ／４波長板６により円偏光に変換され、シリトリカル
レンズ７の反射膜８により反射されて入射時と逆回転と
なる。この逆回転した円偏光は、再び、１／４波長板６
を通過することにより入射時と９０＠偏光方向の回転し
た直線偏光（Ｐ偏光）の光に変換されて偏光プリズムの
偏光膜を通過し、左側の光検出器９に到達する。
このようにして、反射光はシリトリカルレンズ７を通過
して非点収差を光検出器９上のスポット ”に発
生し、焦点エラー信号を得ることができる。
して非点収差を光検出器９上のスポット ”に発
生し、焦点エラー信号を得ることができる。
「他の実施例」
第３図乃至第５図は本発明に係る光学式ピックアップ装
置の他の実施例である。この実施例においては、上記の
実施例の対物レンズ５の代りに厚みの薄いマイクロフレ
ネルレンズ１０を使用したものである。マイクロフレネ
ルレンズｌＯはフレネルゾーンプレート、グレーティン
グレンズ、計算器ホログラム、フレネル輪体等ともよば
れ、電子通信学会論文集１９８１年１０月ＶＯＬ、Ｊ８
４−Ｃ，Ｎ。
置の他の実施例である。この実施例においては、上記の
実施例の対物レンズ５の代りに厚みの薄いマイクロフレ
ネルレンズ１０を使用したものである。マイクロフレネ
ルレンズｌＯはフレネルゾーンプレート、グレーティン
グレンズ、計算器ホログラム、フレネル輪体等ともよば
れ、電子通信学会論文集１９８１年１０月ＶＯＬ、Ｊ８
４−Ｃ，Ｎ。
、１０ １３５２頁〜６５７頁、電気通信学会論文集１
８８３年１月ＶＯＬ、Ｊ８Ｂ−ＣＪｏ、１８５頁〜９１
頁に詳しい。
８８３年１月ＶＯＬ、Ｊ８Ｂ−ＣＪｏ、１８５頁〜９１
頁に詳しい。
１０ａはマイクロフレネルレンズ１０に形成されたレン
ズパターンで１図面では平面視が同心円状で、断面形状
が鋸歯形状（ブレーズドタイプ）の効率改善型が示され
ている。このレンズパターン１０ａは紫外線硬化型樹脂
（フォトポリマー）やフォトレジスト、電子線レジスト
等により形成され、厚さは数ＩＬｍである。
ズパターンで１図面では平面視が同心円状で、断面形状
が鋸歯形状（ブレーズドタイプ）の効率改善型が示され
ている。このレンズパターン１０ａは紫外線硬化型樹脂
（フォトポリマー）やフォトレジスト、電子線レジスト
等により形成され、厚さは数ＩＬｍである。
１１はレンズ基板で、このレンズ基板１１は上記の１／
４波長板４の上にスペーサ１２を介して接着されており
、レンズ基板１１の裏面には、上記のマイクロフレネル
レンズ１０が取付けられている。ここで、レンズ基板１
１はガラスまたはプラスチック製で、厚さは０．３〜１
．ｏｗｍのものが使用されている。
４波長板４の上にスペーサ１２を介して接着されており
、レンズ基板１１の裏面には、上記のマイクロフレネル
レンズ１０が取付けられている。ここで、レンズ基板１
１はガラスまたはプラスチック製で、厚さは０．３〜１
．ｏｗｍのものが使用されている。
また、スペーサ１２は金属板あるいはプラスチックシー
トなどにより形成されているが、このスペーサ１２の厚
みはレンズパターンｌＯａの厚みより少し厚く設定し、
該レンズパターンｌｏａと１／４波長板４との間に空気
層１３を形成して、レンズパターンＬＯａとの屈折率差
を大きくしている。
トなどにより形成されているが、このスペーサ１２の厚
みはレンズパターンｌＯａの厚みより少し厚く設定し、
該レンズパターンｌｏａと１／４波長板４との間に空気
層１３を形成して、レンズパターンＬＯａとの屈折率差
を大きくしている。
なお、図面ではマイクロフレネルレンズｌＯは、該レン
ズパターンｌＯａ面を保護するために、偏光プリズム３
側に向けて配置しであるが、光デイスク１偏に向けても
よい、この場合はマイクロフレネルレンズ１０は１／４
波長板４の上に直接接着し、スペーサ１２は不用となり
、空気層１３はレンズパターン１０ａの上部にできる。
ズパターンｌＯａ面を保護するために、偏光プリズム３
側に向けて配置しであるが、光デイスク１偏に向けても
よい、この場合はマイクロフレネルレンズ１０は１／４
波長板４の上に直接接着し、スペーサ１２は不用となり
、空気層１３はレンズパターン１０ａの上部にできる。
なお、マイクロフレネルレンズ１０の代すに薄板状のホ
ログラムレンズを使用してもよい、その他の点について
は、上記の実施例と同様である。
ログラムレンズを使用してもよい、その他の点について
は、上記の実施例と同様である。
この実施例では、対物レンズ５の代りに厚みの薄いマイ
クロフレネルレンズ１０を使用したので、偏光プリズム
３から光ディスクｌまでの間隔を大幅に短縮することが
できる。このため光ピツクアップの光軸方向のサイズを
小さくすることができる。
クロフレネルレンズ１０を使用したので、偏光プリズム
３から光ディスクｌまでの間隔を大幅に短縮することが
できる。このため光ピツクアップの光軸方向のサイズを
小さくすることができる。
「発明の効果Ｊ
本発明は叙上のように、光ディスクｌに記録された信号
を読取る光学式ピックアップ装置の焦点検出光学系にお
いて、シリンドリカルレンズ７の平面側を偏光プリズム
３偏に接着すると共に、その曲面に反射１１１Ｂを形成
し、該反射膜８による反射側に焦点検出光学系を配置し
たので、入射光軸に対して垂直方向に長く延びた焦点検
出光学系を短縮することができる。
を読取る光学式ピックアップ装置の焦点検出光学系にお
いて、シリンドリカルレンズ７の平面側を偏光プリズム
３偏に接着すると共に、その曲面に反射１１１Ｂを形成
し、該反射膜８による反射側に焦点検出光学系を配置し
たので、入射光軸に対して垂直方向に長く延びた焦点検
出光学系を短縮することができる。
第１図は本発明に係る光点制御を適用した光学式ピー、
クアップ装置の概略構成図で、第２図は同要部の斜視図
、第３図は光学式ピックアップ装置の他の実施例を示す
概略構成図、第４図は同要部の拡大縦断面図、第５図は
同要部の一部を分解した斜視図、Ｎ４６図は従来の光学
式ピックアップ装置の概略構成図を示す。 ■・・・光ディスク・ ２・・・半導体レーザ、 ３・・・偏光プリズム。 ４．６・・・１／４波長板、 ７・・・シリンドリカルレンズ、 ８・・・反射膜、 ９・・・光検出器、 １０−−マイクロフレネルレンズ。 第５図 ４ 第６図 へ
クアップ装置の概略構成図で、第２図は同要部の斜視図
、第３図は光学式ピックアップ装置の他の実施例を示す
概略構成図、第４図は同要部の拡大縦断面図、第５図は
同要部の一部を分解した斜視図、Ｎ４６図は従来の光学
式ピックアップ装置の概略構成図を示す。 ■・・・光ディスク・ ２・・・半導体レーザ、 ３・・・偏光プリズム。 ４．６・・・１／４波長板、 ７・・・シリンドリカルレンズ、 ８・・・反射膜、 ９・・・光検出器、 １０−−マイクロフレネルレンズ。 第５図 ４ 第６図 へ
Claims (2)
- （１）光ディスクに記録された信号を読取る光学式ピッ
クアップの焦点検出光学系において、シリンドリカルレ
ンズの平面側を偏光プリズム側に接着すると共に、その
曲面に反射膜を形成し、該反射膜による反射側に焦点検
出光学系を配置したことを特徴とする光学式ピックアッ
プ装置。 - （２）光ディスクの記録情報面上にレーザを所定のスポ
ットサイズで集光する対物レンズにマイクロフレネルレ
ンズあるいはホログラムレンズなどの薄板形状レンズを
使用し、それを偏光プリズム側に接着したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光学式ピックアップ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60127618A JPS61287041A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 光学式ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60127618A JPS61287041A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 光学式ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61287041A true JPS61287041A (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=14964540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60127618A Pending JPS61287041A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 光学式ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61287041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63279439A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ヘッド |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683849A (en) * | 1979-12-11 | 1981-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information reader |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP60127618A patent/JPS61287041A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683849A (en) * | 1979-12-11 | 1981-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information reader |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63279439A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学ヘッド |
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