JP2658818B2 - 複屈折回折格子型偏光子及び光ヘッド装置 - Google Patents
複屈折回折格子型偏光子及び光ヘッド装置Info
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- JP2658818B2 JP2658818B2 JP5227379A JP22737993A JP2658818B2 JP 2658818 B2 JP2658818 B2 JP 2658818B2 JP 5227379 A JP5227379 A JP 5227379A JP 22737993 A JP22737993 A JP 22737993A JP 2658818 B2 JP2658818 B2 JP 2658818B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光ファイバー通信用
光源モジュールや、光ディスク用光ヘッドに使われる複
屈折回折格子型偏光子とそれを用いた光ヘッド装置に関
する。
光源モジュールや、光ディスク用光ヘッドに使われる複
屈折回折格子型偏光子とそれを用いた光ヘッド装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】偏光子、特に偏光ビームスプリッタは、
直交する偏光間での光の伝搬方向を異ならしめることに
よって特定の偏光を得る素子である。従来、偏光ビーム
スプリッタとしては、グラントムソンプリズムやロッシ
ョンプリズムなど、複屈折の大きな結晶のはり合わせ面
における偏光による透過ないしは反射の違いを利用し、
光路を分離するもの、またはガラスなどの等方性光学媒
質でできたプリズムは合わせ型ビームスプリッタのはり
合わせ面に誘電体多層膜を設け、この誘電体多層膜の偏
光による干渉の違いを利用して、光を反射ないし透過さ
せるものが多く使用されている。しかしながら、これら
の素子は大型であること、生産性が低いこと、価格が高
いことなどの欠点がある。また、上記バルク型の偏光子
は偏光子機能のみ持ち、光ディスク用光ヘッドに用いた
場合、焦点誤差検出機能及びトラック誤差検出機能など
の複合化が難しく光ヘッドの小型化が困難である。
直交する偏光間での光の伝搬方向を異ならしめることに
よって特定の偏光を得る素子である。従来、偏光ビーム
スプリッタとしては、グラントムソンプリズムやロッシ
ョンプリズムなど、複屈折の大きな結晶のはり合わせ面
における偏光による透過ないしは反射の違いを利用し、
光路を分離するもの、またはガラスなどの等方性光学媒
質でできたプリズムは合わせ型ビームスプリッタのはり
合わせ面に誘電体多層膜を設け、この誘電体多層膜の偏
光による干渉の違いを利用して、光を反射ないし透過さ
せるものが多く使用されている。しかしながら、これら
の素子は大型であること、生産性が低いこと、価格が高
いことなどの欠点がある。また、上記バルク型の偏光子
は偏光子機能のみ持ち、光ディスク用光ヘッドに用いた
場合、焦点誤差検出機能及びトラック誤差検出機能など
の複合化が難しく光ヘッドの小型化が困難である。
【0003】一方、近年小型で生産性が高く、偏光子機
能以外にも機能を複合化できる偏光子として、特開昭6
3−314502号公報に記載されている複屈折回折格
子型偏光子が知られている。図7は、この複屈折回折格
子型偏光子の断面図である。複屈折結晶であるニオブ酸
リチウム基板1のX板、あるいはY板に安息香酸による
プロトン交換を施すと、一例として光ディスク装置に一
般的に用いられる0.78μmの波長の光に対しては基
板の結晶光学軸に平行な偏光の光である異常光に対する
屈折率は約0.12増加し、その光学軸に垂直な偏光の
光である常光に対する屈折率は約0.04減少する。そ
こでプロトン交換を施した交換領域2と施さない非交換
領域を周期的に配置した格子にすると回折格子として作
用する。この格子に交換領域2を通過する常光と非交換
領域を通過する常光の位相差を相殺するために交換領域
2上に適当な厚さの位相補償膜3を形成すると、常光に
対してはこの格子は回折格子としては働かず、常光を回
折せずに透過させることができる。つまり、この格子は
単なる透明基板に見える。上記の常光に対する位相差相
殺条件を満足させながら交換領域2の深さを変えること
により異常光に対する位相差がπでかつプロトン交換領
域2と交換されていない領域の幅が等しいときは、異常
光は完全に回折される。これらの位相関係は次式で与え
られる。
能以外にも機能を複合化できる偏光子として、特開昭6
3−314502号公報に記載されている複屈折回折格
子型偏光子が知られている。図7は、この複屈折回折格
子型偏光子の断面図である。複屈折結晶であるニオブ酸
リチウム基板1のX板、あるいはY板に安息香酸による
プロトン交換を施すと、一例として光ディスク装置に一
般的に用いられる0.78μmの波長の光に対しては基
板の結晶光学軸に平行な偏光の光である異常光に対する
屈折率は約0.12増加し、その光学軸に垂直な偏光の
光である常光に対する屈折率は約0.04減少する。そ
こでプロトン交換を施した交換領域2と施さない非交換
領域を周期的に配置した格子にすると回折格子として作
用する。この格子に交換領域2を通過する常光と非交換
領域を通過する常光の位相差を相殺するために交換領域
2上に適当な厚さの位相補償膜3を形成すると、常光に
対してはこの格子は回折格子としては働かず、常光を回
折せずに透過させることができる。つまり、この格子は
単なる透明基板に見える。上記の常光に対する位相差相
殺条件を満足させながら交換領域2の深さを変えること
により異常光に対する位相差がπでかつプロトン交換領
域2と交換されていない領域の幅が等しいときは、異常
光は完全に回折される。これらの位相関係は次式で与え
られる。
【0004】{Δne ・Tp +(nd −no u t )・T
d }・2π/λ=π {Δno ・Tp +(nd −no u t )・Td }・2π/
λ=0 ここでnd 、Td は位相補償膜3の屈折率及び厚さ、T
p はプロトン交換領域2の深さ、Δne 、Δno はプロ
トン領域2の異常光、常光の屈折率変化量、no u t は
ホログラム基板外の屈折率すなわち空気層ではno u t
=1である。またλは光の波長である。
d }・2π/λ=π {Δno ・Tp +(nd −no u t )・Td }・2π/
λ=0 ここでnd 、Td は位相補償膜3の屈折率及び厚さ、T
p はプロトン交換領域2の深さ、Δne 、Δno はプロ
トン領域2の異常光、常光の屈折率変化量、no u t は
ホログラム基板外の屈折率すなわち空気層ではno u t
=1である。またλは光の波長である。
【0005】またプロトン交換領域2と位相補償膜3を
交互に配置し、異常光に対してプロトン交換領域2を通
過する光と誘電体の位相補償膜3を通過する光の位相差
を0、常光に対してはその位相差をπとして、かつプロ
トン交換領域2と位相補償膜3の幅を等しくすることに
よっても偏光機能が実現できる。この場合は異常光が回
折されずに透過し、常光が完全に回折される。
交互に配置し、異常光に対してプロトン交換領域2を通
過する光と誘電体の位相補償膜3を通過する光の位相差
を0、常光に対してはその位相差をπとして、かつプロ
トン交換領域2と位相補償膜3の幅を等しくすることに
よっても偏光機能が実現できる。この場合は異常光が回
折されずに透過し、常光が完全に回折される。
【0006】また、この複屈折回折格子型偏光子を光ヘ
ッド装置に利用している例として、特開平3−2913
7号公報、特開平3−29129号公報に記載されてい
るホログラム素子がある。これらのホログラム素子は図
7に示す断面構造をとりながら、格子パターンは光ヘッ
ドの焦点誤差信号、トラック誤差信号を検出するために
図8に示すように回折方向が異なる複数の格子領域から
形成されている。同様な格子パターンとして図9のよう
に格子領域が分割されたパターンもある。
ッド装置に利用している例として、特開平3−2913
7号公報、特開平3−29129号公報に記載されてい
るホログラム素子がある。これらのホログラム素子は図
7に示す断面構造をとりながら、格子パターンは光ヘッ
ドの焦点誤差信号、トラック誤差信号を検出するために
図8に示すように回折方向が異なる複数の格子領域から
形成されている。同様な格子パターンとして図9のよう
に格子領域が分割されたパターンもある。
【0007】図10は特開平3−29129号公報記載
のビデオディスク、追記型光ディスクと書き替え型の相
変化光ディスク用の光ヘッド装置である。半導体レーザ
10から出射した光は、ホログラム素子16に常光とし
て入射し回折されずに透過して、コリメーティングレン
ズ11、1/4波長板13、対物レンズ12を通過後、
光ディスク14上に集光する。光ディスク14からの戻
り光は逆の経路を通り、ホログラム素子16に再入射す
る。この戻り光はその偏光面が1/4波長板13により
元の偏光に対して90度回転しており、ホログラム素子
16に対して異常光として入射するため完全に回折さ
れ、+1次回折光50及び−1次回折光51が第1光検
出器30と第2光検出器31で受光される。図11は光
検出器に入射した回折光の状態を示す図である。図8の
ホログラム上の領域A5と領域B6から回折光は11に
示す収束点40と41に収束する。焦点誤差信号は図8
のホログラムパターン上の分割線9がナイフエッヂとし
て働き、これらの回折光よりダブルナイフエッヂ法で検
出する。トラック誤差信号は図11の収束点42、43
に収束する領域C7と領域D8からの回折光の差からプ
ッシュプル法で検出する。記録信号は第2光検出器31
で受光した光あるいは、第1光検出器30及び第2光検
出器31で受光した光量の和より検出する。さらに、高
次の回折光を受光することにより一層信号量を大きくす
ることができる。
のビデオディスク、追記型光ディスクと書き替え型の相
変化光ディスク用の光ヘッド装置である。半導体レーザ
10から出射した光は、ホログラム素子16に常光とし
て入射し回折されずに透過して、コリメーティングレン
ズ11、1/4波長板13、対物レンズ12を通過後、
光ディスク14上に集光する。光ディスク14からの戻
り光は逆の経路を通り、ホログラム素子16に再入射す
る。この戻り光はその偏光面が1/4波長板13により
元の偏光に対して90度回転しており、ホログラム素子
16に対して異常光として入射するため完全に回折さ
れ、+1次回折光50及び−1次回折光51が第1光検
出器30と第2光検出器31で受光される。図11は光
検出器に入射した回折光の状態を示す図である。図8の
ホログラム上の領域A5と領域B6から回折光は11に
示す収束点40と41に収束する。焦点誤差信号は図8
のホログラムパターン上の分割線9がナイフエッヂとし
て働き、これらの回折光よりダブルナイフエッヂ法で検
出する。トラック誤差信号は図11の収束点42、43
に収束する領域C7と領域D8からの回折光の差からプ
ッシュプル法で検出する。記録信号は第2光検出器31
で受光した光あるいは、第1光検出器30及び第2光検
出器31で受光した光量の和より検出する。さらに、高
次の回折光を受光することにより一層信号量を大きくす
ることができる。
【0008】図12は特開平3−29137号公報記載
の光磁気ディスク用の光ヘッド装置である。半導体レー
ザ10からの出射光はコリメーティングレンズ11、偏
光ビームスプリッタ18、対物レンズ12を通過後、光
磁気ディスク15上に集光する。光磁気ディスク15か
らの戻り光は逆の光路をたどり、偏光ビームスプリッタ
18により光軸外に分離され、レンズ19で収束光とな
りホログラム素子17で異常光成分が回折され、第1、
第2、第3光検出器32、33、34で受光される。こ
の偏光ビームスプリッタ18は半導体レーザ10からP
偏光光を一部反射、及び透過させ、それに直交するS偏
光光即ち、光磁気ディスク15の反射時のカー効果によ
って生じたわずかな偏光光を全て反射する偏光特性を持
つ。記録信号は差動検出法を用いてホロブラム素子17
の偏光子機能により偏光分離された0次回折光と1次回
折光より検出する。+1次回折光52と−1次回折光5
4の和と0次回折光53の差より検出する場合は、戻り
光の偏光方向とホログラム素子の結晶光学軸が約42度
の角度をなせば光量がバランスして記録信号が小さなノ
イズで検出できる。−1次回折光54と0次回折光53
の差より検出する場合は、約32度に設定すればよい。
図13は光検出器に入射する回折光の状態を説明するた
めの図である。焦点及びトラック誤差信号は第1光検出
器32に入射する+1次回折光52を用いて図11と同
じように検出する。
の光磁気ディスク用の光ヘッド装置である。半導体レー
ザ10からの出射光はコリメーティングレンズ11、偏
光ビームスプリッタ18、対物レンズ12を通過後、光
磁気ディスク15上に集光する。光磁気ディスク15か
らの戻り光は逆の光路をたどり、偏光ビームスプリッタ
18により光軸外に分離され、レンズ19で収束光とな
りホログラム素子17で異常光成分が回折され、第1、
第2、第3光検出器32、33、34で受光される。こ
の偏光ビームスプリッタ18は半導体レーザ10からP
偏光光を一部反射、及び透過させ、それに直交するS偏
光光即ち、光磁気ディスク15の反射時のカー効果によ
って生じたわずかな偏光光を全て反射する偏光特性を持
つ。記録信号は差動検出法を用いてホロブラム素子17
の偏光子機能により偏光分離された0次回折光と1次回
折光より検出する。+1次回折光52と−1次回折光5
4の和と0次回折光53の差より検出する場合は、戻り
光の偏光方向とホログラム素子の結晶光学軸が約42度
の角度をなせば光量がバランスして記録信号が小さなノ
イズで検出できる。−1次回折光54と0次回折光53
の差より検出する場合は、約32度に設定すればよい。
図13は光検出器に入射する回折光の状態を説明するた
めの図である。焦点及びトラック誤差信号は第1光検出
器32に入射する+1次回折光52を用いて図11と同
じように検出する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の複屈折回
折格子型偏光子は、透過型のため格子層の形成には、プ
ロトン交換領域を深く、位相補償膜を厚くする必要があ
るため長い作製時間を要した。さらに、この素子を上記
の従来の光ヘッド装置に利用した場合は一層の小型化が
困難であった。本発明の目的は、短時間で格子層が形成
可能な複屈折回折格子型偏光子とそれを利用した一層の
小型化が可能な光ヘッド装置を提供することにある。
折格子型偏光子は、透過型のため格子層の形成には、プ
ロトン交換領域を深く、位相補償膜を厚くする必要があ
るため長い作製時間を要した。さらに、この素子を上記
の従来の光ヘッド装置に利用した場合は一層の小型化が
困難であった。本発明の目的は、短時間で格子層が形成
可能な複屈折回折格子型偏光子とそれを利用した一層の
小型化が可能な光ヘッド装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の複屈折回折格子
型偏光子は光学異方性を持つ結晶板の主面に周期的に設
けられたイオン交換領域と誘電対から成る回折格子の表
面に全反射膜が形成されていることを特徴とする。
型偏光子は光学異方性を持つ結晶板の主面に周期的に設
けられたイオン交換領域と誘電対から成る回折格子の表
面に全反射膜が形成されていることを特徴とする。
【0011】前記回折格子と反対の面の全面あるいは一
部の領域に偏光ビームスプリッタ層が設けられているこ
とを特徴とする。
部の領域に偏光ビームスプリッタ層が設けられているこ
とを特徴とする。
【0012】本発明の光ヘッド装置は光源と、前記光源
からの光を記録媒体上に絞り込む結像レンズ系と、前記
記録媒体からの戻り光の偏光を前記光源からの光の偏光
と直交するように変換する4分の1波長板と、前記光源
からの光を前記結像レンズ系へ反射し前記戻り光を回折
するホロブラム素子と、前記回折された光を受光する光
検出器から構成され、前記ホログラム素子は光学異方性
を持つ結晶板の主面に周期的に設けられたイオン交換領
域と誘電対から成る回折格子の表面に全反射膜が形成さ
れていることを特徴とする。
からの光を記録媒体上に絞り込む結像レンズ系と、前記
記録媒体からの戻り光の偏光を前記光源からの光の偏光
と直交するように変換する4分の1波長板と、前記光源
からの光を前記結像レンズ系へ反射し前記戻り光を回折
するホロブラム素子と、前記回折された光を受光する光
検出器から構成され、前記ホログラム素子は光学異方性
を持つ結晶板の主面に周期的に設けられたイオン交換領
域と誘電対から成る回折格子の表面に全反射膜が形成さ
れていることを特徴とする。
【0013】本発明の光ヘッド装置は光源と、前記光源
からの光を記録媒体上に絞り込む結像レンズ系と、前記
光源からの光を前記結像レンズ系へ反射し前記記録媒体
からの戻り光を回折及び反射するホログラム素子と、前
記回折及び反射された光を受光する光検出器から構成さ
れ、前記ホログラム素子は光学異方性を持つ結晶板の主
面に周期的に設けられたイオン交換領域と誘電体から成
る回折格子の表面に全反射膜が形成されており、前記回
折格子と反対の面の一部の領域に偏光ビームスプリッタ
層が設けられていることを特徴とする。
からの光を記録媒体上に絞り込む結像レンズ系と、前記
光源からの光を前記結像レンズ系へ反射し前記記録媒体
からの戻り光を回折及び反射するホログラム素子と、前
記回折及び反射された光を受光する光検出器から構成さ
れ、前記ホログラム素子は光学異方性を持つ結晶板の主
面に周期的に設けられたイオン交換領域と誘電体から成
る回折格子の表面に全反射膜が形成されており、前記回
折格子と反対の面の一部の領域に偏光ビームスプリッタ
層が設けられていることを特徴とする。
【0014】本発明の光ヘッド装置は、光源と、前記光
源からの光を記録媒体上に絞り込む結像レンズ系と、前
記光源からの光の一部を前記結像レンズ系へ反射し、前
記記録媒体からの戻り光の一部を透過させる偏光ビーム
スプリッタと、前記の偏光ビームスプリッタを透過した
前記記録媒体からの戻り光を反射回折するホログラム素
子と前記反射回折された光を受光する光検出器から構成
され、前記偏光ビームスプリッタは、偏光分離する面の
一部の領域に偏光ビームスプリッタ層が形成されてお
り、前記ホログラム素子は光学異方性を持つ結晶板の主
面に周期的に設けられたイオン交換領域と誘電体から成
る回折格子の面に全反射膜を形成し、前記回折格子の反
対の面と前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面が接着
されていることを特徴とする。
源からの光を記録媒体上に絞り込む結像レンズ系と、前
記光源からの光の一部を前記結像レンズ系へ反射し、前
記記録媒体からの戻り光の一部を透過させる偏光ビーム
スプリッタと、前記の偏光ビームスプリッタを透過した
前記記録媒体からの戻り光を反射回折するホログラム素
子と前記反射回折された光を受光する光検出器から構成
され、前記偏光ビームスプリッタは、偏光分離する面の
一部の領域に偏光ビームスプリッタ層が形成されてお
り、前記ホログラム素子は光学異方性を持つ結晶板の主
面に周期的に設けられたイオン交換領域と誘電体から成
る回折格子の面に全反射膜を形成し、前記回折格子の反
対の面と前記偏光ビームスプリッタの偏光分離面が接着
されていることを特徴とする。
【0015】
【作用】本発明の複屈折回折格子型偏光子の作用・原理
は次の通りである。本発明の複屈折回折格子型偏光子で
は図1に示すような反射型の構造をとっている。この構
造では光が格子層を往復するため従来の透過型の構造に
比べ、必要なプロトン交換領域2及び位相補償膜3の格
子層の厚さを半分以下にすることが可能となる。従来の
技術で述べたように異常光が回折し、常光が反射するに
はプロトン交換領域2を通過する光とプロトン交換のな
い領域を通過する光の位相差が異常光でπ、常光で0で
あればよい。その時の位相関係は次式で表される。
は次の通りである。本発明の複屈折回折格子型偏光子で
は図1に示すような反射型の構造をとっている。この構
造では光が格子層を往復するため従来の透過型の構造に
比べ、必要なプロトン交換領域2及び位相補償膜3の格
子層の厚さを半分以下にすることが可能となる。従来の
技術で述べたように異常光が回折し、常光が反射するに
はプロトン交換領域2を通過する光とプロトン交換のな
い領域を通過する光の位相差が異常光でπ、常光で0で
あればよい。その時の位相関係は次式で表される。
【0016】 (Δne ・2Tp +’nd ・2Td ’)・2π/λ=π (Δno ・2Tp +’nd ・2Td ’)・2π/λ=o これによりTp 、Td は次のように求められる。
【0017】 Tp ’=λ/{4・(Δne −Δno )} Td ’=−Δno /nd ・Tp ’ この時のプロトン交換領域2の深さ及び誘電体の位相補
償膜3の厚さは、前記の従来の技術で述べた透過型の場
合に比べるとその関係は次式のようになる。
償膜3の厚さは、前記の従来の技術で述べた透過型の場
合に比べるとその関係は次式のようになる。
【0018】Tp ’=Tp /2 Td ’<Td /2 格子に光が斜入射する場合は垂直入射に比べ光路長が長
くなるので、より一層のプロトン交換領域2及び位相補
償膜3の薄型化可能となる。
くなるので、より一層のプロトン交換領域2及び位相補
償膜3の薄型化可能となる。
【0019】
【実施例】図1は本発明の複屈折回折格子型偏光子の第
1の実施例の断面図である。位相補償膜3としてニオブ
酸リチウム基板1とほぼ同じ2.2の屈折率の誘電体膜
を用いている。0.78μmの波長の光に対しては、従
来の透過型の構造では位相補償膜の厚さが約800n
m、プロトン交換層の深さが約2.4μm必要であるが
本発明の反射型の構造では約200nmの厚さの位相補
償膜と、約1.2μmの深さのプロトン交換領域により
偏光子機能が実現できる。この誘電体膜としてはNb2
O5 ,TiO2 ,Ta2 O5 などがある。全反射膜4と
しては金属膜あるいは誘電体の多層反射膜がある。
1の実施例の断面図である。位相補償膜3としてニオブ
酸リチウム基板1とほぼ同じ2.2の屈折率の誘電体膜
を用いている。0.78μmの波長の光に対しては、従
来の透過型の構造では位相補償膜の厚さが約800n
m、プロトン交換層の深さが約2.4μm必要であるが
本発明の反射型の構造では約200nmの厚さの位相補
償膜と、約1.2μmの深さのプロトン交換領域により
偏光子機能が実現できる。この誘電体膜としてはNb2
O5 ,TiO2 ,Ta2 O5 などがある。全反射膜4と
しては金属膜あるいは誘電体の多層反射膜がある。
【0020】図2は本発明の複屈折回折格子型偏光子の
第2の実施例を示す断面図である。複屈折回折格子型偏
光子の透過型の構造として従来の技術で述べたように特
開平4−292853号に記載されているプロトン交換
領域と誘電体の位相補償膜が交互に配置された構造であ
り、図2の実施例はこれを反射型にしたものである。
第2の実施例を示す断面図である。複屈折回折格子型偏
光子の透過型の構造として従来の技術で述べたように特
開平4−292853号に記載されているプロトン交換
領域と誘電体の位相補償膜が交互に配置された構造であ
り、図2の実施例はこれを反射型にしたものである。
【0021】図3(a)は本発明の光ヘッド装置の第1
の実施例の図で、ビデオディスク、追記型光ディスクと
書き替え型の相変化光ディスク用の光ヘッド装置であ
る。ホログラム素子20は裏面が上で述べた反射型の複
屈折回折格子型偏光子の構造となっており、その格子パ
ターンは焦点及びトラック誤差信号検出用に従来の技術
で述べた図8または図9に示すパターンとなっている。
光源の半導体レーザ10からの光はホログラム素子20
にこの格子層で回折されずに反射される偏光で入射す
る。その反射光はコリメーティングレンズ11でコリメ
ートされ、1/4波長板13、対物レンズ12を通過
後、光ディスク14上に集光される。光ディスク14で
反射された戻り光は逆の光路をとおりホログラム素子2
0に再入射する。この時の偏光は1/4波長板13の往
復の通過により元の偏方向から90度回転しているため
ホログラム素子20により回折され、その回折光は第1
及び第2光検出器35、36で受光される。図3(b)
は各光検出器での回折光の状態を示しており、従来の技
術で述べた方法と同様にして焦点、トラック誤差信号及
び記録信号を検出する。
の実施例の図で、ビデオディスク、追記型光ディスクと
書き替え型の相変化光ディスク用の光ヘッド装置であ
る。ホログラム素子20は裏面が上で述べた反射型の複
屈折回折格子型偏光子の構造となっており、その格子パ
ターンは焦点及びトラック誤差信号検出用に従来の技術
で述べた図8または図9に示すパターンとなっている。
光源の半導体レーザ10からの光はホログラム素子20
にこの格子層で回折されずに反射される偏光で入射す
る。その反射光はコリメーティングレンズ11でコリメ
ートされ、1/4波長板13、対物レンズ12を通過
後、光ディスク14上に集光される。光ディスク14で
反射された戻り光は逆の光路をとおりホログラム素子2
0に再入射する。この時の偏光は1/4波長板13の往
復の通過により元の偏方向から90度回転しているため
ホログラム素子20により回折され、その回折光は第1
及び第2光検出器35、36で受光される。図3(b)
は各光検出器での回折光の状態を示しており、従来の技
術で述べた方法と同様にして焦点、トラック誤差信号及
び記録信号を検出する。
【0022】図4(a)は本発明の光ヘッド装置の第2
の実施例の図で、上記の第1の実施例の半導体レーザと
光検出器をモジュール60内に一体化している。図4
(b)はそのモジュール60の図である。半導体レーザ
チップ25から出射した光は、ミラー24で反射されホ
ログラム素子20へ向かう。また、ホログラム素子20
から戻り光は光検出素子群27に入射して上で述べたよ
うに焦点及びトラック誤差信号及び記録信号が検出され
る。
の実施例の図で、上記の第1の実施例の半導体レーザと
光検出器をモジュール60内に一体化している。図4
(b)はそのモジュール60の図である。半導体レーザ
チップ25から出射した光は、ミラー24で反射されホ
ログラム素子20へ向かう。また、ホログラム素子20
から戻り光は光検出素子群27に入射して上で述べたよ
うに焦点及びトラック誤差信号及び記録信号が検出され
る。
【0023】図5(a)は本発明の光ヘッド装置の第3
の実施例の図で、光磁気ディスク用の光ヘッド装置であ
る。このホログラム素子21は裏面に反射格子層22、
表面に一部の領域に偏光ビームスプリッタ層23が形成
されている。この反射格子層22は上に述べた反射型の
複屈折回折格子型偏光子の構造をしており、その格子パ
ターンは焦点及びトラック誤差信号検出用に従来の技術
で述べた図8または図9に示すパターンとなっている。
表面の偏光ビームスプリッタ層23は特定の偏光をほと
んど透過させ、それに直交する偏光は一定の光量比で透
過及び反射させる偏光特性を有し、表面への誘電体多層
膜の形成あるいは上記のような偏光特性を持った偏光ビ
ームスプリッタ基板を表面に張り付けることによって形
成可能である。光源の半導体レーザ10からの光はホロ
グラム素子21の偏光ビームスプリッタ層23で上記の
一部反射される偏光入射する。その反射光は、コリメー
テイングレンズ11でコリメートされ、対物レンズ12
を通過後、光磁気ディスク15上に集光される。光磁気
ディスク15で反射された戻り光は逆の光路をとおりホ
ログラム素子21に再入射する。偏光ビームスプリッタ
層23に於いて戻り光のうち元の偏光は一部透過し、そ
れに直交する偏光即ち、光磁気ディスク15面での反射
時のカー効果により生じたわずかな偏光はほとんど透過
する。偏光ビームスプリッタ層23を透過してきたこれ
らの光は裏面の反射格子層22により回折及び反射さ
れ、その回折光及び反射光は光検出器37で受光され
る。
の実施例の図で、光磁気ディスク用の光ヘッド装置であ
る。このホログラム素子21は裏面に反射格子層22、
表面に一部の領域に偏光ビームスプリッタ層23が形成
されている。この反射格子層22は上に述べた反射型の
複屈折回折格子型偏光子の構造をしており、その格子パ
ターンは焦点及びトラック誤差信号検出用に従来の技術
で述べた図8または図9に示すパターンとなっている。
表面の偏光ビームスプリッタ層23は特定の偏光をほと
んど透過させ、それに直交する偏光は一定の光量比で透
過及び反射させる偏光特性を有し、表面への誘電体多層
膜の形成あるいは上記のような偏光特性を持った偏光ビ
ームスプリッタ基板を表面に張り付けることによって形
成可能である。光源の半導体レーザ10からの光はホロ
グラム素子21の偏光ビームスプリッタ層23で上記の
一部反射される偏光入射する。その反射光は、コリメー
テイングレンズ11でコリメートされ、対物レンズ12
を通過後、光磁気ディスク15上に集光される。光磁気
ディスク15で反射された戻り光は逆の光路をとおりホ
ログラム素子21に再入射する。偏光ビームスプリッタ
層23に於いて戻り光のうち元の偏光は一部透過し、そ
れに直交する偏光即ち、光磁気ディスク15面での反射
時のカー効果により生じたわずかな偏光はほとんど透過
する。偏光ビームスプリッタ層23を透過してきたこれ
らの光は裏面の反射格子層22により回折及び反射さ
れ、その回折光及び反射光は光検出器37で受光され
る。
【0024】図5(b)は光検出器37での回折光の状
態を示している。回折光のうち+1次回折光より従来の
技術で述べた方法と同様にして焦点及びトラック誤差信
号を検出する。記録信号も従来の技術で述べたようにし
て上記の戻り光の偏光方向とホログラム素子21の結晶
光学軸とを適当な角度に設定することにより0次回折光
と−1次回折光あるいは、0次回折光と±1次回折光の
差動検出できる。また、より高次回折光を受光すること
によって記録信号の増大を図ることも可能である。
態を示している。回折光のうち+1次回折光より従来の
技術で述べた方法と同様にして焦点及びトラック誤差信
号を検出する。記録信号も従来の技術で述べたようにし
て上記の戻り光の偏光方向とホログラム素子21の結晶
光学軸とを適当な角度に設定することにより0次回折光
と−1次回折光あるいは、0次回折光と±1次回折光の
差動検出できる。また、より高次回折光を受光すること
によって記録信号の増大を図ることも可能である。
【0025】図6(a)は本発明の光ヘッド装置の第4
の実施例の図で、上記の第3の実施例の半導体レーザと
光検出器をモジュール61内に一体化している。図6
(b)はそのモジュール61の図である。半導体レーザ
チップ25から出射した光はミラー24で反射されホロ
グラム素子21へ向かう。また、ホログラム素子からの
戻り光は光検出素子群26に入射して上で述べたように
焦点及びトラック誤差信号及び記録信号が検出される。
の実施例の図で、上記の第3の実施例の半導体レーザと
光検出器をモジュール61内に一体化している。図6
(b)はそのモジュール61の図である。半導体レーザ
チップ25から出射した光はミラー24で反射されホロ
グラム素子21へ向かう。また、ホログラム素子からの
戻り光は光検出素子群26に入射して上で述べたように
焦点及びトラック誤差信号及び記録信号が検出される。
【0026】さらに、図14は本発明の第5の実施例の
図で、上記の第3及び第4の実施例に於いてホログラム
素子21に偏光ビームスプリッタ層23を形成する代わ
りに、三角プリズム70の斜面に偏光ビームスプリッタ
層71を形成し、ホログラム素子72の格子層と反対の
面をこの斜面に張りつけた場合である。ホログラム素子
72と三角プリズム70をつける方法として、接着剤を
注入する方法がある。例えばプリズム70に使われるガ
ラスの屈折率と同等の屈折率の透明なもの例えば光硬化
性樹脂などを用いると、ホログラム素子、プリズム間の
反射損が軽減され、また境界での屈折による影響も小さ
くなる。信号の検出方法は上記と同じである。
図で、上記の第3及び第4の実施例に於いてホログラム
素子21に偏光ビームスプリッタ層23を形成する代わ
りに、三角プリズム70の斜面に偏光ビームスプリッタ
層71を形成し、ホログラム素子72の格子層と反対の
面をこの斜面に張りつけた場合である。ホログラム素子
72と三角プリズム70をつける方法として、接着剤を
注入する方法がある。例えばプリズム70に使われるガ
ラスの屈折率と同等の屈折率の透明なもの例えば光硬化
性樹脂などを用いると、ホログラム素子、プリズム間の
反射損が軽減され、また境界での屈折による影響も小さ
くなる。信号の検出方法は上記と同じである。
【0027】
【発明の効果】本発明の複屈折回折格子型偏光子は反射
型構造をとることにより製造時間を短縮することがで
き、素子の低コストを図ることができる。また、本発明
の光ヘッド装置では反射型の複屈折回折格子型偏光子を
用いるため光ヘッド装置の小型化が実現でき、さらに光
源と光検出器をモジュール化することにより光ヘッド装
置の一層の小型化が実現できる。
型構造をとることにより製造時間を短縮することがで
き、素子の低コストを図ることができる。また、本発明
の光ヘッド装置では反射型の複屈折回折格子型偏光子を
用いるため光ヘッド装置の小型化が実現でき、さらに光
源と光検出器をモジュール化することにより光ヘッド装
置の一層の小型化が実現できる。
【図1】本発明の複屈折回折格子型偏光子の第1の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図2】本発明の複屈折回折格子型偏光子の第2の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図3】本発明の光ヘッド装置の第1の実施例を示す図
である。
である。
【図4】本発明の光ヘッド装置の第2の実施例を示す図
である。
である。
【図5】本発明の光ヘッド装置の第3の実施例を示す図
である。
である。
【図6】本発明の光ヘッド装置の第4の実施例を示す図
である。
である。
【図7】従来のホログラム素子の断面図である。
【図8】従来のホログラム素子の格子パターンを示す図
である。
である。
【図9】従来のホログラム素子の格子パターンを示す図
である。
である。
【図10】従来の光ヘッド装置を示す図である。
【図11】光検出器に入射する回折光の状態を示す図で
ある。
ある。
【図12】従来の光ヘッド装置を示す図である。
【図13】光検出器に入射する回折光の状態を示す図で
ある。
ある。
【図14】本発明の光ヘッド装置の第5の実施例を示す
図である。
図である。
1 ニオブ酸リチウム基板 2 プロトン交換領域 3 位相補償膜 4 全反射膜 5 領域A 6 領域B 7 領域C 8 領域D 9 分割線 10 半導体レーザ 11 コリメーティングレンズ 12 対物レンズ 13 1/4波長板 14 光ディスク 15 光磁気ディスク 16、17、20、21、72 ホログラム素子 18 偏光ビームスプリッタ 19 レンズ 22 反射格子層 23、71 偏光ビームスプリッタ層 24 ミラー 25 半導体レーザチップ 26、27 光検出素子群 30、31、32、33、34、35、36、37 光
検出器 40、41、42、43 収束点 50、51、52、53、54 回折光 60、61 モジュール 70 三角プリズム
検出器 40、41、42、43 収束点 50、51、52、53、54 回折光 60、61 モジュール 70 三角プリズム
Claims (5)
- 【請求項1】 光学異方性を持つ結晶板の主面に、周期
的に設けられたイオン交換領域と誘電体とから成る回折
格子の表面に全反射膜が形成されていることを特徴とす
る複屈折回折格子型偏光子。 - 【請求項2】 前記回折格子と反対の面の全面あるいは
一部の領域に偏光ビームスプリッタ層が設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の複屈折回折格子型偏光
子。 - 【請求項3】 光源と、前記光源からの光を記録媒体上
に絞り込む結像レンズ系と、前記記録媒体からの戻り光
の偏光を前記光源からの光の偏光と直交するように変換
する4分の1波長板と、前記光源からの光を前記結像レ
ンズ系へ反射し前記戻り光を回折するホログラム素子
と、前記回折された光を受光する光検出器から構成さ
れ、前記ホログラム素子は光学異方性を持つ結晶板の主
面に周期的に設けられたイオン交換領域と誘電体から成
る回折格子の表面に全反射膜が形成されていることを特
徴とする光ヘッド装置。 - 【請求項4】 光源と、前記光源からの光を記録媒体上
に絞り込む結像レンズ系と、前記光源からの光を前記結
像レンズ系へ反射し前記記録媒体からの戻り光を回折及
び反射するホログラム素子と、前記回折及び反射された
光を受光する光検出器から構成され、前記ホログラム素
子は光学異方性を持つ結晶板の主面に周期的に設けられ
たイオン交換領域と誘電体から成る回折格子の表面に全
反射膜が形成されており、前記回折格子と反対の面の一
部の領域に偏光ビームスプリッタ層が設けられているこ
とを特徴とする光ヘッド装置。 - 【請求項5】 光源と、前記光源からの光を記録媒体上
に絞り込む結像レンズ系と、前記光源からの光の一部を
前記結像レンズ系へ反射し、前記記録媒体からの戻り光
の一部を透過させる偏光ビームスプリッタと、前記の偏
光ビームスプリッタを透過した前記記録媒体からの戻り
光を反射回折するホログラム素子と、前記反射回折され
た光を受光する光検出器から構成され、前記偏光ビーム
スプリッタは、偏光分離する面の一部の領域に偏光ビー
ムスプリッタ層が形成されており、前記ホログラム素子
は光学異方性を持つ結晶板の主面に周期的に設けられた
イオン交換領域と誘電体から成る回折格子の面に全反射
膜を形成し、前記回折格子の反対の面と前記偏光ビーム
スプリッタの偏光分離面が接着されていることを特徴と
する光ヘッド装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5227379A JP2658818B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-09-13 | 複屈折回折格子型偏光子及び光ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5-33862 | 1993-02-24 | ||
JP3386293 | 1993-02-24 | ||
JP5227379A JP2658818B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-09-13 | 複屈折回折格子型偏光子及び光ヘッド装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06308309A JPH06308309A (ja) | 1994-11-04 |
JP2658818B2 true JP2658818B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=26372637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5227379A Expired - Lifetime JP2658818B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-09-13 | 複屈折回折格子型偏光子及び光ヘッド装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2658818B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3660415B2 (ja) * | 1995-02-07 | 2005-06-15 | 富士通株式会社 | 光学記憶装置用光学デバイス |
JP2001014717A (ja) | 1999-04-28 | 2001-01-19 | Matsushita Electronics Industry Corp | 光学装置 |
KR100501293B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2005-07-18 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | Cd 및 dvd와 호환 가능한 홀로그래픽 디지털 데이터재생시스템 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5827890A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Hitachi Ltd | ポンプ自動給水装置 |
JPS6355501A (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-10 | Nec Corp | 回折格子型光偏光板 |
JPS63314502A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-12-22 | Nec Corp | 複屈折回折格子型光偏光板 |
JP2703930B2 (ja) * | 1988-06-29 | 1998-01-26 | 日本電気株式会社 | 複屈折回折格子型偏光子 |
JPH04219701A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-08-10 | Omron Corp | 偏光依存型グレーティング素子およびその作製方法ならびにそれを用いた光ヘッド装置 |
-
1993
- 1993-09-13 JP JP5227379A patent/JP2658818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06308309A (ja) | 1994-11-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970506 |