JPH0954973A - 光ヘッド装置 - Google Patents
光ヘッド装置Info
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- JPH0954973A JPH0954973A JP8049781A JP4978196A JPH0954973A JP H0954973 A JPH0954973 A JP H0954973A JP 8049781 A JP8049781 A JP 8049781A JP 4978196 A JP4978196 A JP 4978196A JP H0954973 A JPH0954973 A JP H0954973A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザの出力を過度に大きくしなくて
も、２種の厚さのディスクに対し、記録・再生を高いＳ
／Ｎで行うことができるようにする。 【構成】 モジュール１内には波長６３５ｎｍの半導体
レーザと受光素子が内蔵され、モジュール２内には波長
７８５ｎｍの半導体レーザと受光素子が内蔵されてい
る。モジュール１からの出射光は波長フィルタ３を透過
しコリメータレンズ４で平行光化され、ホログラム光学
素子５を透過し、対物レンズ６によりディスク７上に集
光される。その反射光は逆の光路を辿りモジュール１内
の受光素子により検出される。モジュール２からの出射
光は波長フィルタ３により反射されコリメータレンズ４
で平行光化され、ホログラム光学素子５による−１次回
折光は発散光として対物レンズ６に入射しディスク８上
に集光される。その反射光は逆の光路を辿りモジュール
２内の受光素子により検出される。
も、２種の厚さのディスクに対し、記録・再生を高いＳ
／Ｎで行うことができるようにする。 【構成】 モジュール１内には波長６３５ｎｍの半導体
レーザと受光素子が内蔵され、モジュール２内には波長
７８５ｎｍの半導体レーザと受光素子が内蔵されてい
る。モジュール１からの出射光は波長フィルタ３を透過
しコリメータレンズ４で平行光化され、ホログラム光学
素子５を透過し、対物レンズ６によりディスク７上に集
光される。その反射光は逆の光路を辿りモジュール１内
の受光素子により検出される。モジュール２からの出射
光は波長フィルタ３により反射されコリメータレンズ４
で平行光化され、ホログラム光学素子５による−１次回
折光は発散光として対物レンズ６に入射しディスク８上
に集光される。その反射光は逆の光路を辿りモジュール
２内の受光素子により検出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に対し
記録や再生を行うための光ヘッド装置、特に二種類の異
なる基板厚さの光記録媒体に対し記録あるいは再生を行
うための光へツド装置に関するものである。
記録や再生を行うための光ヘッド装置、特に二種類の異
なる基板厚さの光記録媒体に対し記録あるいは再生を行
うための光へツド装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ディジタルビデオディスク等の大
容量光ディスクの規格化が進められている。ディジタル
ビデオディスクの規格の一つに、基板厚さ０．６ｍｍの
ディスクを用いるものがある。これに対し、従来のコン
パクトディスク等の規格では、基板厚さ１．２ｍｍのデ
ィスクを用いる。そこで、ディジタルビデオディスクと
コンパクトディスクの両方を再生できる光ヘッド装置が
望まれている。しかし、通常の光ヘッド装置において
は、対物レンズがある基板厚さのディスクに対して球面
収差を打ち消すように設計されているため、別の基板厚
さのディスクに対しては球面収差が残留し、正しく再生
することができない。
容量光ディスクの規格化が進められている。ディジタル
ビデオディスクの規格の一つに、基板厚さ０．６ｍｍの
ディスクを用いるものがある。これに対し、従来のコン
パクトディスク等の規格では、基板厚さ１．２ｍｍのデ
ィスクを用いる。そこで、ディジタルビデオディスクと
コンパクトディスクの両方を再生できる光ヘッド装置が
望まれている。しかし、通常の光ヘッド装置において
は、対物レンズがある基板厚さのディスクに対して球面
収差を打ち消すように設計されているため、別の基板厚
さのディスクに対しては球面収差が残留し、正しく再生
することができない。
【０００３】ディジタルビデオディスクとコンパクトデ
ィスクの両方を再生できる従来の光ヘッド装置として、
オプティカルレビュー第１巻第１号の２７頁〜２９頁に
記載された例がある。図２２に従来の光ヘッド装置の構
成を示す。光学系中にホログラム光学素子１４５を設
け、透過光（０次光）を基板厚さ０．６ｍｍのディスク
の再生に用い、＋１次回折光を基板厚さ１．２ｍｍのデ
ィスクの再生に用いる。半導体レーザ１４３からの出射
光はハーフミラー１４４で約半分が反射され、コリメー
タレンズ４で平行光化されてホログラム光学素子１４５
に入射する。ホログラム光学素子１４５の透過光は平行
光として対物レンズ６に入射し、基板厚さ０．６ｍｍの
ディスク７上に集光される。ディスク７からの反射光は
対物レンズ６を逆向きに透過し、再びホログラム光学素
子１４５で透過光と＋１次回折光に分けられる。一方、
ホログラム光学素子１４５の＋１次回折光は発散光とし
て対物レンズ６に入射し、基板厚さ１．２ｍｍのディス
ク８上に集光される。ディスク８からの反射光は対物レ
ンズ６を逆向きに透過し、再びホログラム光学素子１４
５で透過光と＋１次回折光に分けられる。ディスク７か
らの反射光のうちホログラム光学素子１４５の透過光、
およびディスク８からの反射光のうちホログラム光学素
子１４５の＋１次回折光は、共にコリメータレンズ４に
平行光として入射する。コリメータレンズ４の透過光は
ハーフミラー１４４を約半分が透過し、凹レンズ１４６
を透過して光検出器１４７で受光される。光検出器１４
７は４分割受光部を有し、フォーカス誤差信号はハーフ
ミラー１４４で生じる非点収差を用いた非点収差法、ト
ラック／誤差信号はプッシュプル法によりそれぞれ検出
される。また、再生信号は４分割受光部の出力の和から
検出される。
ィスクの両方を再生できる従来の光ヘッド装置として、
オプティカルレビュー第１巻第１号の２７頁〜２９頁に
記載された例がある。図２２に従来の光ヘッド装置の構
成を示す。光学系中にホログラム光学素子１４５を設
け、透過光（０次光）を基板厚さ０．６ｍｍのディスク
の再生に用い、＋１次回折光を基板厚さ１．２ｍｍのデ
ィスクの再生に用いる。半導体レーザ１４３からの出射
光はハーフミラー１４４で約半分が反射され、コリメー
タレンズ４で平行光化されてホログラム光学素子１４５
に入射する。ホログラム光学素子１４５の透過光は平行
光として対物レンズ６に入射し、基板厚さ０．６ｍｍの
ディスク７上に集光される。ディスク７からの反射光は
対物レンズ６を逆向きに透過し、再びホログラム光学素
子１４５で透過光と＋１次回折光に分けられる。一方、
ホログラム光学素子１４５の＋１次回折光は発散光とし
て対物レンズ６に入射し、基板厚さ１．２ｍｍのディス
ク８上に集光される。ディスク８からの反射光は対物レ
ンズ６を逆向きに透過し、再びホログラム光学素子１４
５で透過光と＋１次回折光に分けられる。ディスク７か
らの反射光のうちホログラム光学素子１４５の透過光、
およびディスク８からの反射光のうちホログラム光学素
子１４５の＋１次回折光は、共にコリメータレンズ４に
平行光として入射する。コリメータレンズ４の透過光は
ハーフミラー１４４を約半分が透過し、凹レンズ１４６
を透過して光検出器１４７で受光される。光検出器１４
７は４分割受光部を有し、フォーカス誤差信号はハーフ
ミラー１４４で生じる非点収差を用いた非点収差法、ト
ラック／誤差信号はプッシュプル法によりそれぞれ検出
される。また、再生信号は４分割受光部の出力の和から
検出される。
【０００４】対物レンズ６は、対物レンズ６からの出射
光が厚さ０．６ｍｍの基板を透過する際に生じる球面収
差を打ち消す球面収差を有し、ホログラム光学素子１４
５は、ホログラム光学素子１４５の＋１次回折光に対
し、対物レンズ６からの出射光が厚さ１．２ｍｍの基板
を透過する際に生じる球面収差と対物レンズ６が有する
球面収差の和を打ち消す球面収差を有する。従って、ホ
ログラム光学素子１４５の透過光は対物レンズ６により
ディスク７上に無収差で集光され、ホログラム光学素子
１４５の＋１次回折光は対物レンズ６によりディスク８
上に無収差で集光される。図２３はホログラム光学素子
１４５の平面図である。ホログラム光学素子１４５は同
心円状の干渉縞のパタンを有し、＋１次回折光に対して
は、上に述べた球面収差補正と共に凹レンズとしての働
きをする。従って、対物レンズ６に対し、＋１次回折光
のディスク８上の集光位置を透過光のディスク７上の集
光位置より遠ざけることができ、対物レンズ６からディ
スク７、８の表面までの距離をほぼ等しくすることがで
きる。
光が厚さ０．６ｍｍの基板を透過する際に生じる球面収
差を打ち消す球面収差を有し、ホログラム光学素子１４
５は、ホログラム光学素子１４５の＋１次回折光に対
し、対物レンズ６からの出射光が厚さ１．２ｍｍの基板
を透過する際に生じる球面収差と対物レンズ６が有する
球面収差の和を打ち消す球面収差を有する。従って、ホ
ログラム光学素子１４５の透過光は対物レンズ６により
ディスク７上に無収差で集光され、ホログラム光学素子
１４５の＋１次回折光は対物レンズ６によりディスク８
上に無収差で集光される。図２３はホログラム光学素子
１４５の平面図である。ホログラム光学素子１４５は同
心円状の干渉縞のパタンを有し、＋１次回折光に対して
は、上に述べた球面収差補正と共に凹レンズとしての働
きをする。従って、対物レンズ６に対し、＋１次回折光
のディスク８上の集光位置を透過光のディスク７上の集
光位置より遠ざけることができ、対物レンズ６からディ
スク７、８の表面までの距離をほぼ等しくすることがで
きる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２２に示す従来の光
ヘッド装置には、ホログラム光学素子１４５で入射光が
透過光と＋１次回折光に分けられるため、各々の光に対
する利用効率が低下するという問題があった。図２４は
ホログラム光学素子１４５の断面図である。図２４
（ａ）は断面が矩形状の場合であり、＋１次回折光と同
じ効率で不要な−１次回折光が生じる。図２４（ｂ）は
断面が鋸歯状の場合であり、＋１次回折光の効率が増加
して不要な−１次回折光の効率は減少する。このとき、
鋸歯領域の高さを２ｈ、屈折率をｎ、入射光の波長をλ
とすると、透過率η0 、＋１次回折効率η+1は以下の式
で与えられる。 η0 ＝ｓｉｎ2 φ／φ2 （１） η+1＝ｓｉｎ2 φ／（φ−π）2 （２） 但し、 φ＝２π（ｎ−１）ｈ／λ （３） φ＝π／２のときη0 とη+1は等しく、η0 ＝η+1＝
０．４０５となる。この場合の往復の利用効率は、η0 2
＝η+1 2 ＝０．１６４となる。従って、半導体レーザ１
４３の出力が通常の光ヘッド装置と同じであるとする
と、光検出器１４７の受光量は通常の光ヘッド装置の
０．１６４倍しか得られず、再生信号のＳ／Ｎが低下す
る。光検出器１４７の受光量が通常の光へツド装置と同
じであるためには、半導体レーザ１４３の出力を通常の
光ヘッド装置の６．１０倍に高める必要がある。ディス
ク７、８の再生だけでなく記録を行うためには、半導体
レーザ１４３の出力をさらに高める必要があり、事実上
不可能である。
ヘッド装置には、ホログラム光学素子１４５で入射光が
透過光と＋１次回折光に分けられるため、各々の光に対
する利用効率が低下するという問題があった。図２４は
ホログラム光学素子１４５の断面図である。図２４
（ａ）は断面が矩形状の場合であり、＋１次回折光と同
じ効率で不要な−１次回折光が生じる。図２４（ｂ）は
断面が鋸歯状の場合であり、＋１次回折光の効率が増加
して不要な−１次回折光の効率は減少する。このとき、
鋸歯領域の高さを２ｈ、屈折率をｎ、入射光の波長をλ
とすると、透過率η0 、＋１次回折効率η+1は以下の式
で与えられる。 η0 ＝ｓｉｎ2 φ／φ2 （１） η+1＝ｓｉｎ2 φ／（φ−π）2 （２） 但し、 φ＝２π（ｎ−１）ｈ／λ （３） φ＝π／２のときη0 とη+1は等しく、η0 ＝η+1＝
０．４０５となる。この場合の往復の利用効率は、η0 2
＝η+1 2 ＝０．１６４となる。従って、半導体レーザ１
４３の出力が通常の光ヘッド装置と同じであるとする
と、光検出器１４７の受光量は通常の光ヘッド装置の
０．１６４倍しか得られず、再生信号のＳ／Ｎが低下す
る。光検出器１４７の受光量が通常の光へツド装置と同
じであるためには、半導体レーザ１４３の出力を通常の
光ヘッド装置の６．１０倍に高める必要がある。ディス
ク７、８の再生だけでなく記録を行うためには、半導体
レーザ１４３の出力をさらに高める必要があり、事実上
不可能である。
【０００６】図２２に示す従来の光ヘッド装置には、半
導体レーザの波長に関する課題もある。ディジタルビデ
オディスクの規格では、波長６３５ｎｍ〜６５５ｎｍの
半導体レーザを用いるのに対し、従来のコンパクトディ
スクの規格では、波長７８５ｎｍの半導体レーザを用い
る。従来の光ヘッド装置には、コンパクトディスクに比
べて高密度なディジタルビデオディスクを再生するた
め、波長７８５ｎｍに比べて集光スポット径を小さくで
きる波長６３５ｎｍ〜６５５ｎｍの半導体レーザを用い
る必要がある。一方、コンパクトディスクの一種とし
て、ＣＤ−Ｒと呼ばれる追記型コンパクトディスクがあ
る。これは記録媒体として有機色素を用いたものであ
り、波長７８５ｎｍでは７０％以上の高い反射率が得ら
れるが、波長６３５ｎｍ〜６５５ｎｍでは１０％程度の
非常に低い反射率しか得られない。このため、従来の光
ヘッド装置では、追記型コンパクトディスクの再生は不
可能である。
導体レーザの波長に関する課題もある。ディジタルビデ
オディスクの規格では、波長６３５ｎｍ〜６５５ｎｍの
半導体レーザを用いるのに対し、従来のコンパクトディ
スクの規格では、波長７８５ｎｍの半導体レーザを用い
る。従来の光ヘッド装置には、コンパクトディスクに比
べて高密度なディジタルビデオディスクを再生するた
め、波長７８５ｎｍに比べて集光スポット径を小さくで
きる波長６３５ｎｍ〜６５５ｎｍの半導体レーザを用い
る必要がある。一方、コンパクトディスクの一種とし
て、ＣＤ−Ｒと呼ばれる追記型コンパクトディスクがあ
る。これは記録媒体として有機色素を用いたものであ
り、波長７８５ｎｍでは７０％以上の高い反射率が得ら
れるが、波長６３５ｎｍ〜６５５ｎｍでは１０％程度の
非常に低い反射率しか得られない。このため、従来の光
ヘッド装置では、追記型コンパクトディスクの再生は不
可能である。
【０００７】したがって、本発明の解決すべき課題は、
二種類の異なる基板厚さのディスクに対し、 半導体レーザの出力を増大させることなく、再生信
号のＳ／Ｎを一種類の基板厚さのディスクを扱う場合と
同程度に維持することができ、 追記型コンパクトディスクをも含めて再生を行うこ
とができると共に、記録をも行うことのできる光ヘッド
装置を提供できるようにすることである。
二種類の異なる基板厚さのディスクに対し、 半導体レーザの出力を増大させることなく、再生信
号のＳ／Ｎを一種類の基板厚さのディスクを扱う場合と
同程度に維持することができ、 追記型コンパクトディスクをも含めて再生を行うこ
とができると共に、記録をも行うことのできる光ヘッド
装置を提供できるようにすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、光ヘッド
装置が、 異なる波長で発振する二つの半導体レーザと、 一方の波長の光を透過させると共に、他方の波長の
光を反射する光合波手段と、 一方の波長の光をほぼ１００％透過させると共に、
他方の波長の光の−１次または＋１次回折光を高効率で
取り出すことのできるホログラム光学素子と、を備える
ことによって解決することができる。
装置が、 異なる波長で発振する二つの半導体レーザと、 一方の波長の光を透過させると共に、他方の波長の
光を反射する光合波手段と、 一方の波長の光をほぼ１００％透過させると共に、
他方の波長の光の−１次または＋１次回折光を高効率で
取り出すことのできるホログラム光学素子と、を備える
ことによって解決することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の光ヘッド装置は、第一の
波長で発振する第一の半導体レーザと、第二の波長で発
振する第二の半導体レーザと、前記第一の半導体レーザ
からの出射光と前記第二の半導体レーザからの出射光を
合波することのできる光合波手段と、それぞれの半導体
レーザの出射光を第一または第二の光記録媒体に導くホ
ログラム光学素子および対物レンズと、前記光合波手段
の前記ホログラム光学素子と対向する側に設けられた前
記第一および第二の半導体レーザの出射光の光記録媒体
からの反射光を受光する光検出部と、を備え、前記ホロ
グラム光学素子による前記第一の半導体レーザの透過光
および前記第二の半導体レーザの−１次回折光を用いる
ことにより、あるいは、前記ホログラム光学素子による
前記第一の半導体レーザの＋１次回折光および前記第二
の半導体レーザの透過光を用いることにより、前記第一
の半導体レーザの出射光を第一の光記録媒体に導き、前
記第二の半導体レーザの出射光を前記第一半導体レーザ
より厚い第二の光記録媒体に導き、それぞれの光記録媒
体に対して再生または再生および記録を行うことができ
るようにしたものである。
波長で発振する第一の半導体レーザと、第二の波長で発
振する第二の半導体レーザと、前記第一の半導体レーザ
からの出射光と前記第二の半導体レーザからの出射光を
合波することのできる光合波手段と、それぞれの半導体
レーザの出射光を第一または第二の光記録媒体に導くホ
ログラム光学素子および対物レンズと、前記光合波手段
の前記ホログラム光学素子と対向する側に設けられた前
記第一および第二の半導体レーザの出射光の光記録媒体
からの反射光を受光する光検出部と、を備え、前記ホロ
グラム光学素子による前記第一の半導体レーザの透過光
および前記第二の半導体レーザの−１次回折光を用いる
ことにより、あるいは、前記ホログラム光学素子による
前記第一の半導体レーザの＋１次回折光および前記第二
の半導体レーザの透過光を用いることにより、前記第一
の半導体レーザの出射光を第一の光記録媒体に導き、前
記第二の半導体レーザの出射光を前記第一半導体レーザ
より厚い第二の光記録媒体に導き、それぞれの光記録媒
体に対して再生または再生および記録を行うことができ
るようにしたものである。
【００１０】そして、より好ましくは、前記対物レンズ
は、前記ホログラム光学素子からの透過光が該透過光が
導かれる光記録媒体の基板を透過する際に生じる球面収
差を打ち消す球面収差を有し、前記ホログラム光学素子
は、該ホログラム光学素子の＋１次回折光または−１次
回折光に対し、前記対物レンズからの出射光が該出射光
が導かれる光記録媒体の基板を透過する際に生じる球面
収差と前記対物レンズが有する球面収差との和を打ち消
す球面収差を有するものである。
は、前記ホログラム光学素子からの透過光が該透過光が
導かれる光記録媒体の基板を透過する際に生じる球面収
差を打ち消す球面収差を有し、前記ホログラム光学素子
は、該ホログラム光学素子の＋１次回折光または−１次
回折光に対し、前記対物レンズからの出射光が該出射光
が導かれる光記録媒体の基板を透過する際に生じる球面
収差と前記対物レンズが有する球面収差との和を打ち消
す球面収差を有するものである。
【００１１】本発明の光ヘッド装置は、上述したよう
に、二つの異なる波長の半導体レーザとホログラム光学
素子を有し、一方の半導体レーザから出射したホログラ
ム光学素子の透過光を用いて一方のディスクを再生し、
他方の半導体レーザから出射したホログラム光学素子の
＋１次回折光または−１次回折光を用いて一方のディス
クとは基板厚さの異なる他方のディスクを再生する。ホ
ログラム光学素子の透過率および±１次回折効率は入射
光の波長に依存するため、一方の半導体レーザの波長に
対しては１００％に近い透過率が得られ、他方の半導体
レーザの波長に対しては高い＋１次回折効率または−１
次回折効率が得られるような設計を行うことにより、再
生信号のＳ／Ｎは通常と同程度となり、半導体レーザの
出力も通常と同程度で済み、再生だけでなく記録を行う
ことも可能になる。また、一方の半導体レーザの波長を
７８５ｎｍにすることにより、追記型コンパクトディス
クの再生も可能となる。
に、二つの異なる波長の半導体レーザとホログラム光学
素子を有し、一方の半導体レーザから出射したホログラ
ム光学素子の透過光を用いて一方のディスクを再生し、
他方の半導体レーザから出射したホログラム光学素子の
＋１次回折光または−１次回折光を用いて一方のディス
クとは基板厚さの異なる他方のディスクを再生する。ホ
ログラム光学素子の透過率および±１次回折効率は入射
光の波長に依存するため、一方の半導体レーザの波長に
対しては１００％に近い透過率が得られ、他方の半導体
レーザの波長に対しては高い＋１次回折効率または−１
次回折効率が得られるような設計を行うことにより、再
生信号のＳ／Ｎは通常と同程度となり、半導体レーザの
出力も通常と同程度で済み、再生だけでなく記録を行う
ことも可能になる。また、一方の半導体レーザの波長を
７８５ｎｍにすることにより、追記型コンパクトディス
クの再生も可能となる。
【００１２】
【実施例】次に、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。 ［第一の実施例］図１に、本発明の光ヘッド装置の第一
の実施例の構成を示す。モジュール１およびモジュール
２には、半導体レーザと、ディスクからの反射光を受光
する検出光学系が内蔵されている。モジュール１内の半
導体レーザの波長は６３５ｎｍ、モジュール２内の半導
体レーザの波長は７８５ｎｍである。波長フィルタ３
は、波長６３５ｎｍの光をほぼ完全に透過させ、波長７
８５ｎｍの光をほぼ完全に反射させる働きをする。モジ
ュール１内の半導体レーザからの出射光は波長フィルタ
３を透過し、コリメータレンズ４で平行光化されてホロ
グラム光学素子５に入射する。ホログラム光学素子５の
透過光は平行光として対物レンズ６に入射し、基板厚さ
０．６ｍｍのディスク７上に集光される。ディスク７か
らの反射光は対物レンズ６を逆向きに透過し、再びホロ
グラム光学素子５に入射する。ホログラム光学素子５の
透過光はコリメータレンズ４に平行光として入射する。
コリメータレンズ４の透過光は波長フィルタ３を透過
し、モジュール１内の検出光学系で受光される。
て説明する。 ［第一の実施例］図１に、本発明の光ヘッド装置の第一
の実施例の構成を示す。モジュール１およびモジュール
２には、半導体レーザと、ディスクからの反射光を受光
する検出光学系が内蔵されている。モジュール１内の半
導体レーザの波長は６３５ｎｍ、モジュール２内の半導
体レーザの波長は７８５ｎｍである。波長フィルタ３
は、波長６３５ｎｍの光をほぼ完全に透過させ、波長７
８５ｎｍの光をほぼ完全に反射させる働きをする。モジ
ュール１内の半導体レーザからの出射光は波長フィルタ
３を透過し、コリメータレンズ４で平行光化されてホロ
グラム光学素子５に入射する。ホログラム光学素子５の
透過光は平行光として対物レンズ６に入射し、基板厚さ
０．６ｍｍのディスク７上に集光される。ディスク７か
らの反射光は対物レンズ６を逆向きに透過し、再びホロ
グラム光学素子５に入射する。ホログラム光学素子５の
透過光はコリメータレンズ４に平行光として入射する。
コリメータレンズ４の透過光は波長フィルタ３を透過
し、モジュール１内の検出光学系で受光される。
【００１３】一方、モジュール２内の半導体レーザから
の出射光は波長フィルタ３で反射され、コリメータレン
ズ４で平行光化されてホログラム光学素子５に入射す
る。ホログラム光学素子５の−１次回折光は発散光とし
て対物レンズ６に入射し、基板厚さ１．２ｍｍのディス
ク８上に集光される。ディスク８からの反射光は対物レ
ンズ６を逆向きに透過し、再びホログラム光学素子５に
入射する。ホログラム光学素子５の−１次回折光はコリ
メータレンズ４に平行光として入射する。コリメータレ
ンズ４の透過光は波長フィルタ３で反射され、モジュー
ル２内の検出光学系で受光される。ホログラム光学素子
５と対物レンズ６は、アクチュエータで一体駆動され
る。
の出射光は波長フィルタ３で反射され、コリメータレン
ズ４で平行光化されてホログラム光学素子５に入射す
る。ホログラム光学素子５の−１次回折光は発散光とし
て対物レンズ６に入射し、基板厚さ１．２ｍｍのディス
ク８上に集光される。ディスク８からの反射光は対物レ
ンズ６を逆向きに透過し、再びホログラム光学素子５に
入射する。ホログラム光学素子５の−１次回折光はコリ
メータレンズ４に平行光として入射する。コリメータレ
ンズ４の透過光は波長フィルタ３で反射され、モジュー
ル２内の検出光学系で受光される。ホログラム光学素子
５と対物レンズ６は、アクチュエータで一体駆動され
る。
【００１４】対物レンズ６は、波長６３５ｎｍの対物レ
ンズ６からの出射光が厚さ０．６ｍｍの基板を透過する
際に生じる球面収差を打ち消す球面収差を有し、ホログ
ラム光学素子５は、ホログラム光学素子５の−１次回折
光に対し、波長７８５ｎｍの対物レンズ６からの出射光
が厚さ１．２ｍｍの基板を透過する際に生じる球面収差
と対物レンズ６が有する球面収差の和を打ち消す球面収
差を有する。従って、波長６３５ｎｍのホログラム光学
素子５の透過光は対物レンズ６によりディスク７上に無
収差で集光され、波長７８５ｎｍのホログラム光学素子
５の−１次回折光は対物レンズ６によりディスク８上に
無収差で集光される。ホログラム光学素子５は、図２３
に示すホログラム光学素子１４５と同様に同心円状の干
渉縞のパタンを有し、−１次回折光に対しては、上に述
べた球面収差補正と共に凹レンズとしての働きをする。
従って、対物レンズ６に対し、−１次回折光のディスク
８上の集光位置を透過光のディスク７上の集光位置より
遠ざけることができ、対物レンズ６からディスク７、８
の表面までの距離をほぼ等しくすることができる。
ンズ６からの出射光が厚さ０．６ｍｍの基板を透過する
際に生じる球面収差を打ち消す球面収差を有し、ホログ
ラム光学素子５は、ホログラム光学素子５の−１次回折
光に対し、波長７８５ｎｍの対物レンズ６からの出射光
が厚さ１．２ｍｍの基板を透過する際に生じる球面収差
と対物レンズ６が有する球面収差の和を打ち消す球面収
差を有する。従って、波長６３５ｎｍのホログラム光学
素子５の透過光は対物レンズ６によりディスク７上に無
収差で集光され、波長７８５ｎｍのホログラム光学素子
５の−１次回折光は対物レンズ６によりディスク８上に
無収差で集光される。ホログラム光学素子５は、図２３
に示すホログラム光学素子１４５と同様に同心円状の干
渉縞のパタンを有し、−１次回折光に対しては、上に述
べた球面収差補正と共に凹レンズとしての働きをする。
従って、対物レンズ６に対し、−１次回折光のディスク
８上の集光位置を透過光のディスク７上の集光位置より
遠ざけることができ、対物レンズ６からディスク７、８
の表面までの距離をほぼ等しくすることができる。
【００１５】図２はホログラム光学素子５の断面の拡大
図である。断面を矩形状でなく図のように４レベルの階
段状にすることにより、−１次回折光の効率が増加して
不要な＋１次回折光の効率は減少する。図２（ａ）はガ
ラス基板９上にＳｉＯ2 １０を堆積させて作製した場合
であり、図２（ｂ）はガラス基板１４をエッチングして
作製した場合である。どちらも作製には２枚のフォトマ
スクを用いる。図２（ａ）では、１枚目のフォトマスク
を用いて領域１１部の堆積を行い、２枚目のフォトマス
クを用いて領域１２、１３部の堆積を行う。図２（ｂ）
では、１枚目のフォトマスクを用いて領域１５部のエッ
チングを行い、２枚目のフォトマスクを用いて領域１
６、１７部のエッチングを行う。
図である。断面を矩形状でなく図のように４レベルの階
段状にすることにより、−１次回折光の効率が増加して
不要な＋１次回折光の効率は減少する。図２（ａ）はガ
ラス基板９上にＳｉＯ2 １０を堆積させて作製した場合
であり、図２（ｂ）はガラス基板１４をエッチングして
作製した場合である。どちらも作製には２枚のフォトマ
スクを用いる。図２（ａ）では、１枚目のフォトマスク
を用いて領域１１部の堆積を行い、２枚目のフォトマス
クを用いて領域１２、１３部の堆積を行う。図２（ｂ）
では、１枚目のフォトマスクを用いて領域１５部のエッ
チングを行い、２枚目のフォトマスクを用いて領域１
６、１７部のエッチングを行う。
【００１６】このとき、各段の高さまたは深さをｈ／
２、屈折率をｎ、入射光の波長をλとすると、透過率η
0 、＋１次回折効率η+1、−１次回折効率η-1は以下の
式で与えられる。 η0 ＝ｃｏｓ2 （φ／２）ｃｏｓ2 （φ／４） （４） η+1＝（８／π2 ）ｓｉｎ2 （φ／２）ｃｏｓ2 ［（φ−π）／４］ （５） η-1＝（８／π2 ）ｓｉｎ2 （φ／２）ｃｏｓ2 ［（φ＋π）／４］ （６） 但し、 φ＝２π（ｎ−１）ｈ／λ （７） 例えばｈ＝２．７６μｍ、ｎ＝１．４６のとき、λ＝６
３５ｎｍに対してはφ＝４πであるからη0 ＝１、η+1
＝０、η-1＝０となり、λ＝７８５ｎｍに対してはφ＝
３．２３πであるからη0 ＝０．０８５、η+1＝０．０
２３、η-1＝０．６８６となる。この場合の往復の利用
効率は、λ＝６３５ｎｍに対してはη0 2＝１となり、λ
＝７８５ｎｍに対してはη-1 2 ＝０．４７１となる。
２、屈折率をｎ、入射光の波長をλとすると、透過率η
0 、＋１次回折効率η+1、−１次回折効率η-1は以下の
式で与えられる。 η0 ＝ｃｏｓ2 （φ／２）ｃｏｓ2 （φ／４） （４） η+1＝（８／π2 ）ｓｉｎ2 （φ／２）ｃｏｓ2 ［（φ−π）／４］ （５） η-1＝（８／π2 ）ｓｉｎ2 （φ／２）ｃｏｓ2 ［（φ＋π）／４］ （６） 但し、 φ＝２π（ｎ−１）ｈ／λ （７） 例えばｈ＝２．７６μｍ、ｎ＝１．４６のとき、λ＝６
３５ｎｍに対してはφ＝４πであるからη0 ＝１、η+1
＝０、η-1＝０となり、λ＝７８５ｎｍに対してはφ＝
３．２３πであるからη0 ＝０．０８５、η+1＝０．０
２３、η-1＝０．６８６となる。この場合の往復の利用
効率は、λ＝６３５ｎｍに対してはη0 2＝１となり、λ
＝７８５ｎｍに対してはη-1 2 ＝０．４７１となる。
【００１７】従って、波長６３５ｎｍに関しては、ディ
スク７の再生信号のＳ／Ｎは通常と同程度であり、モジ
ュール１内の半導体レーザの出力も通常と同程度で済
み、ディスク７の再生だけでなく記録を行うことも可能
である。一方、波長７８５ｎｍに関しては、モジュール
２内の半導体レーザの出力が通常の光ヘッド装置と同じ
であるとすると、モジュール２内の検出光学系の受光量
は通常の光ヘッド装置の０．４７１倍になるが、この程
度であればディスク８の再生信号のＳ／Ｎは殆んど低下
しない。また、モジュール２内の検出光学系の受光量が
通常の光ヘッド装置と同じであるためには、モジュール
２内の半導体レーザの出力を通常の光ヘッド装置の２．
１２倍に高める必要があるが、この程度であれば容易に
実現可能である。また、モジュール２内の半導体レーザ
の波長は７８５ｎｍであるため、ディスク８が追記型コ
ンパクトディスクの場合にも再生が可能である。
スク７の再生信号のＳ／Ｎは通常と同程度であり、モジ
ュール１内の半導体レーザの出力も通常と同程度で済
み、ディスク７の再生だけでなく記録を行うことも可能
である。一方、波長７８５ｎｍに関しては、モジュール
２内の半導体レーザの出力が通常の光ヘッド装置と同じ
であるとすると、モジュール２内の検出光学系の受光量
は通常の光ヘッド装置の０．４７１倍になるが、この程
度であればディスク８の再生信号のＳ／Ｎは殆んど低下
しない。また、モジュール２内の検出光学系の受光量が
通常の光ヘッド装置と同じであるためには、モジュール
２内の半導体レーザの出力を通常の光ヘッド装置の２．
１２倍に高める必要があるが、この程度であれば容易に
実現可能である。また、モジュール２内の半導体レーザ
の波長は７８５ｎｍであるため、ディスク８が追記型コ
ンパクトディスクの場合にも再生が可能である。
【００１８】図３はホログラム光学素子５の断面の全体
図である。対物レンズ６の有効径を２ａとしたとき、干
渉縞のパタンはこれより小さい直径２ｂの領域内にのみ
形成されている。直径２ｂの領域外では、波長６３５ｎ
ｍ、７８５ｎｍの光はホログラム光学素子５を完全に透
過する。従って、波長６３５ｎｍの光は、直径２ａの領
域内の全体にわたってホログラム光学素子５を１００％
透過し、波長７８５ｎｍの光は、直軽２ｂの領域内では
ホログラム光学素子５で−１次回折光として６８．８％
が回折され、直径２ｂの領域外では全く回折されない。
対物レンズ６の焦点距離をｆとすると、波長６３５ｎ
ｍ、７８５ｎｍの光に対する実効的な開口数は、それぞ
れａ／ｆ、ｂ／ｆで与えられる。例えばｆ＝２．６ｍ
ｍ、ａ＝１．５６ｍｍ、ｂ＝１．１７ｍｍとすると、ａ
／ｆ＝０．６、ｂ／ｆ＝０．４５となる。
図である。対物レンズ６の有効径を２ａとしたとき、干
渉縞のパタンはこれより小さい直径２ｂの領域内にのみ
形成されている。直径２ｂの領域外では、波長６３５ｎ
ｍ、７８５ｎｍの光はホログラム光学素子５を完全に透
過する。従って、波長６３５ｎｍの光は、直径２ａの領
域内の全体にわたってホログラム光学素子５を１００％
透過し、波長７８５ｎｍの光は、直軽２ｂの領域内では
ホログラム光学素子５で−１次回折光として６８．８％
が回折され、直径２ｂの領域外では全く回折されない。
対物レンズ６の焦点距離をｆとすると、波長６３５ｎ
ｍ、７８５ｎｍの光に対する実効的な開口数は、それぞ
れａ／ｆ、ｂ／ｆで与えられる。例えばｆ＝２．６ｍ
ｍ、ａ＝１．５６ｍｍ、ｂ＝１．１７ｍｍとすると、ａ
／ｆ＝０．６、ｂ／ｆ＝０．４５となる。
【００１９】［第二の実施例］図４に、本発明の光ヘッ
ド装置の第二の実施例の構成を示す。モジュール１およ
びモジュール２には、半導体レーザと、ディスクからの
反射光を受光する検出光学系が内蔵されている。モジュ
ール１内の半導体レーザの波長は６３５ｎｍ、モジュー
ル２内の半導体レーザの波長は７８５ｎｍである。波長
フィルタ３は、波長６３５ｎｍの光をほぼ完全に透過さ
せ、波長７８５ｎｍの光をほぼ完全に反射させる働きを
する。モジュール１内の半導体レーザからの出射光は波
長フィルタ３を透過し、コリメータレンズ４で平行光化
されてホログラム光学素子１８に入射する。ホログラム
光学素子１８の＋１次回折光は収束光として対物レンズ
１９に入射し、基板厚さ０．６ｍｍのディスク７上に集
光される。ディスク７からの反射光は対物レンズ１９を
逆向きに透過し、再びホログラム光学素子１８に入射す
る。ホログラム光学素子１８の＋１次回折光はコリメー
タレンズ４に平行光として入射する。コリメータレンズ
４の透過光は波長フィルタ３を透過し、モジュール１内
の検出光学系で受光される。一方、モジュール２内の半
導体レーザからの出射光は波長フィルタ３で反射され、
コリメータレンズ４で平行光化されてホログラム光学素
子１８に入射する。ホログラム光学素子１８の透過光は
平行光として対物レンズ１９に入射し、基板厚さ１．２
ｍｍのディスク８上に集光される。ディスク８からの反
射光は対物レンズ１９を逆向きに透過し、再びホログラ
ム光学素子１８に入射する。ホログラム光学素子１８の
透過光はコリメータレンズ４に平行光として入射する。
コリメータレンズ４の透過光は波長フィルタ３で反射さ
れ、モジュール２内の検出光学系で受光される。ホログ
ラム光学素子１８と対物レンズ１９は、アクチュエータ
で一体駆動される。
ド装置の第二の実施例の構成を示す。モジュール１およ
びモジュール２には、半導体レーザと、ディスクからの
反射光を受光する検出光学系が内蔵されている。モジュ
ール１内の半導体レーザの波長は６３５ｎｍ、モジュー
ル２内の半導体レーザの波長は７８５ｎｍである。波長
フィルタ３は、波長６３５ｎｍの光をほぼ完全に透過さ
せ、波長７８５ｎｍの光をほぼ完全に反射させる働きを
する。モジュール１内の半導体レーザからの出射光は波
長フィルタ３を透過し、コリメータレンズ４で平行光化
されてホログラム光学素子１８に入射する。ホログラム
光学素子１８の＋１次回折光は収束光として対物レンズ
１９に入射し、基板厚さ０．６ｍｍのディスク７上に集
光される。ディスク７からの反射光は対物レンズ１９を
逆向きに透過し、再びホログラム光学素子１８に入射す
る。ホログラム光学素子１８の＋１次回折光はコリメー
タレンズ４に平行光として入射する。コリメータレンズ
４の透過光は波長フィルタ３を透過し、モジュール１内
の検出光学系で受光される。一方、モジュール２内の半
導体レーザからの出射光は波長フィルタ３で反射され、
コリメータレンズ４で平行光化されてホログラム光学素
子１８に入射する。ホログラム光学素子１８の透過光は
平行光として対物レンズ１９に入射し、基板厚さ１．２
ｍｍのディスク８上に集光される。ディスク８からの反
射光は対物レンズ１９を逆向きに透過し、再びホログラ
ム光学素子１８に入射する。ホログラム光学素子１８の
透過光はコリメータレンズ４に平行光として入射する。
コリメータレンズ４の透過光は波長フィルタ３で反射さ
れ、モジュール２内の検出光学系で受光される。ホログ
ラム光学素子１８と対物レンズ１９は、アクチュエータ
で一体駆動される。
【００２０】対物レンズ１９は、波長７８５ｎｍの対物
レンズ１９からの出射光が厚さ１．２ｍｍの基板を透過
する際に生じる球面収差を打ち消す球面収差を有し、ホ
ログラム光学素子１８は、ホログラム光学素子１８の＋
１次回折光に対し、波長６３５ｎｍの対物レンズ１９か
らの出射光が厚さ０．６ｍｍの基板を透過する際に生じ
る球面収差と対物レンズ１９が有する球面収差の和を打
ち消す球面収差を有する。従って、波長６３５ｎｍのホ
ログラム光学素子１８の＋１次回折光は対物レンズ１９
によりディスク７上に無収差で集光され、波長７８５ｎ
ｍのホログラム光学素子１８の透過光は対物レンズ１９
によりディスク８上に無収差で集光される。ホログラム
光学素子１８は、図２３に示すホログラム光学素子１４
５と同様に同心円状の干渉縞のパタンを有し、＋１次回
折光に対しては、上に述べた球面収差補正と共に凸レン
ズとしての働きをする。従って、対物レンズ１９に対
し、＋１次回折光のディスク７上の集光位置を透過光の
ディスク８上の集光位置より近づけることができ、対物
レンズ１９からディスク７、８の表面までの距離をほぼ
等しくすることができる。
レンズ１９からの出射光が厚さ１．２ｍｍの基板を透過
する際に生じる球面収差を打ち消す球面収差を有し、ホ
ログラム光学素子１８は、ホログラム光学素子１８の＋
１次回折光に対し、波長６３５ｎｍの対物レンズ１９か
らの出射光が厚さ０．６ｍｍの基板を透過する際に生じ
る球面収差と対物レンズ１９が有する球面収差の和を打
ち消す球面収差を有する。従って、波長６３５ｎｍのホ
ログラム光学素子１８の＋１次回折光は対物レンズ１９
によりディスク７上に無収差で集光され、波長７８５ｎ
ｍのホログラム光学素子１８の透過光は対物レンズ１９
によりディスク８上に無収差で集光される。ホログラム
光学素子１８は、図２３に示すホログラム光学素子１４
５と同様に同心円状の干渉縞のパタンを有し、＋１次回
折光に対しては、上に述べた球面収差補正と共に凸レン
ズとしての働きをする。従って、対物レンズ１９に対
し、＋１次回折光のディスク７上の集光位置を透過光の
ディスク８上の集光位置より近づけることができ、対物
レンズ１９からディスク７、８の表面までの距離をほぼ
等しくすることができる。
【００２１】図５はホログラム光学素子１８の断面の拡
大図である。断面を矩形状でなく図のように４レベルの
階段状にすることにより、＋１次回折光の効率が増加し
て不要な−１次回折光の効率は減少する。図５（ａ）は
ガラス基板２０上にＳｉＯ2２１を堆積させて作製した
場合であり、図５（ｂ）はガラス基板２５をエッチング
して作製した場合である。どちらも作製には２枚のフォ
トマスクを用いる。図５（ａ）では、１枚目のフォトマ
スクを用いて領域２２部の堆積を行い、２枚目のフォト
マスクを用いて領域２３、２４部の堆積を行う。図５
（ｂ）では、１枚目のフォトマスクを用いて領域２６部
のエッチングを行い、２枚目のフォトマスクを用いて領
域２７、２８部のエッチングを行う。このとき、各段の
高さまたは深さをｈ／２、屈折率をｎ、入射光の波長を
λとすると、透過率η0 、＋１次回折効率η+1、−１次
回折効率η-1は（４）〜（７）式で与えられる。例えば
ｈ＝３．４５μｍ、ｎ＝１．４６のとき、λ＝６３５ｎ
ｍに対してはφ＝５πであるからη0 ＝０、η+1＝０．
８１１、η-1＝０となり、λ＝７８５ｎｍに対してはφ
＝４．０４πであるからη0 ＝０．９９５、η+1＝０．
００２、η-1＝０．００１となる。この場合の往復の利
用効率は、λ＝６３５ｎｍに対してはη+1 2 ＝０．６５
８となり、λ＝７８５ｎｍに対してはη0 2＝０．９９０
となる。
大図である。断面を矩形状でなく図のように４レベルの
階段状にすることにより、＋１次回折光の効率が増加し
て不要な−１次回折光の効率は減少する。図５（ａ）は
ガラス基板２０上にＳｉＯ2２１を堆積させて作製した
場合であり、図５（ｂ）はガラス基板２５をエッチング
して作製した場合である。どちらも作製には２枚のフォ
トマスクを用いる。図５（ａ）では、１枚目のフォトマ
スクを用いて領域２２部の堆積を行い、２枚目のフォト
マスクを用いて領域２３、２４部の堆積を行う。図５
（ｂ）では、１枚目のフォトマスクを用いて領域２６部
のエッチングを行い、２枚目のフォトマスクを用いて領
域２７、２８部のエッチングを行う。このとき、各段の
高さまたは深さをｈ／２、屈折率をｎ、入射光の波長を
λとすると、透過率η0 、＋１次回折効率η+1、−１次
回折効率η-1は（４）〜（７）式で与えられる。例えば
ｈ＝３．４５μｍ、ｎ＝１．４６のとき、λ＝６３５ｎ
ｍに対してはφ＝５πであるからη0 ＝０、η+1＝０．
８１１、η-1＝０となり、λ＝７８５ｎｍに対してはφ
＝４．０４πであるからη0 ＝０．９９５、η+1＝０．
００２、η-1＝０．００１となる。この場合の往復の利
用効率は、λ＝６３５ｎｍに対してはη+1 2 ＝０．６５
８となり、λ＝７８５ｎｍに対してはη0 2＝０．９９０
となる。
【００２２】従って、波長６３５ｎｍに関しては、モジ
ュール１内の半導体レーザの出力が通常の光へツド装置
と同じであるとすると、モジュール１内の検出光学系の
受光量は通常の光ヘッド装置の０．６５８倍になるが、
この程度であればディスク７の再生信号のＳ／Ｎは殆ん
ど低下しない。また、モジュール１内の検出光学系の受
光量が通常の光へツド装置と同じであるためには、モジ
ュール１内の半導体レーザの出力を通常の光ヘッド装置
の１．５２倍に高める必要があるが、この程度であれば
容易に実現可能である。一方、波長７８５ｎｍに関して
は、ディスク８の再生信号のＳ／Ｎは通常と同程度であ
り、モジュール２内の半導体レーザの出力も通常と同程
度で済み、ディスク８の再生だけでなく記録を行うこと
も可能である。また、モジュール２内の半導体レーザの
波長は７８５ｎｍであるため、ディスク８が追記型コン
パクトディスクの場合にも再生が可能である。
ュール１内の半導体レーザの出力が通常の光へツド装置
と同じであるとすると、モジュール１内の検出光学系の
受光量は通常の光ヘッド装置の０．６５８倍になるが、
この程度であればディスク７の再生信号のＳ／Ｎは殆ん
ど低下しない。また、モジュール１内の検出光学系の受
光量が通常の光へツド装置と同じであるためには、モジ
ュール１内の半導体レーザの出力を通常の光ヘッド装置
の１．５２倍に高める必要があるが、この程度であれば
容易に実現可能である。一方、波長７８５ｎｍに関して
は、ディスク８の再生信号のＳ／Ｎは通常と同程度であ
り、モジュール２内の半導体レーザの出力も通常と同程
度で済み、ディスク８の再生だけでなく記録を行うこと
も可能である。また、モジュール２内の半導体レーザの
波長は７８５ｎｍであるため、ディスク８が追記型コン
パクトディスクの場合にも再生が可能である。
【００２３】図６はホログラム光学素子１８の断面の全
体図である。対物レンズ１９の有効径を２ａとしたと
き、干渉縞のパタンは直径２ａの領域内の全体にわたっ
て形成されている。また、波長フィルタ膜２９および位
相補償膜３０が、これより小さい直径２ｂの領域外にの
み形成されている。波長フィルタ膜２９は、波長６３５
ｎｍの光をほぼ完全に透過させ、波長７８５ｎｍの光を
ほぼ完全に反射させる働きをする。位相補償膜３０は、
波長６３５ｎｍに対し、波長フィルタ膜２９および位相
補償膜３０を通る光と空気中を通る光の位相差を２πに
調整する働きをする。すなわち、直径２ｂの領域外で
は、波長６３５ｎｍの光はホログラム光学素子１８を完
全に透過し、波長７８５ｎｍの光はホログラム光学素子
１８で完全に反射される。従って、波長６３５ｎｍの光
は、直径２ａの領域内の全体にわたってホログラム光学
素子１８で＋１次回折光として８１．１％が回折され、
波長7８５ｎｍの光は、直径２ｂの領域内ではホログラ
ム光学素子１８を９９．５％が透過し、直径２ｂの領域
外では全く透過しない。対物レンズ１９の焦点距離をｆ
とすると、波長６３５ｎｍ、７８５ｎｍの光に対する実
効的な開口数は、それぞれａ／ｆ、ｂ／ｆで与えられ
る。例えばｆ＝２．６ｍｍ、ａ＝１．５６ｍｍ、ｂ＝
１．１７ｍｍとすると、ａ／ｆ＝０．８、ｂ／ｆ＝＝
０．４５となる。
体図である。対物レンズ１９の有効径を２ａとしたと
き、干渉縞のパタンは直径２ａの領域内の全体にわたっ
て形成されている。また、波長フィルタ膜２９および位
相補償膜３０が、これより小さい直径２ｂの領域外にの
み形成されている。波長フィルタ膜２９は、波長６３５
ｎｍの光をほぼ完全に透過させ、波長７８５ｎｍの光を
ほぼ完全に反射させる働きをする。位相補償膜３０は、
波長６３５ｎｍに対し、波長フィルタ膜２９および位相
補償膜３０を通る光と空気中を通る光の位相差を２πに
調整する働きをする。すなわち、直径２ｂの領域外で
は、波長６３５ｎｍの光はホログラム光学素子１８を完
全に透過し、波長７８５ｎｍの光はホログラム光学素子
１８で完全に反射される。従って、波長６３５ｎｍの光
は、直径２ａの領域内の全体にわたってホログラム光学
素子１８で＋１次回折光として８１．１％が回折され、
波長7８５ｎｍの光は、直径２ｂの領域内ではホログラ
ム光学素子１８を９９．５％が透過し、直径２ｂの領域
外では全く透過しない。対物レンズ１９の焦点距離をｆ
とすると、波長６３５ｎｍ、７８５ｎｍの光に対する実
効的な開口数は、それぞれａ／ｆ、ｂ／ｆで与えられ
る。例えばｆ＝２．６ｍｍ、ａ＝１．５６ｍｍ、ｂ＝
１．１７ｍｍとすると、ａ／ｆ＝０．８、ｂ／ｆ＝＝
０．４５となる。
【００２４】ホログラム光学素子５は、プラスチックま
たはガラスによる一体成形で作製することも可能であ
る。ホログラム光学素子１８も、波長フィルタ膜２９以
外の部分は、プラスチックまたはガラスによる一体成形
で作製することも可能である。さらに、ホログラム光学
素子５、１８を、それぞれ対物レンズ６、１９上に直接
形成することも可能である。
たはガラスによる一体成形で作製することも可能であ
る。ホログラム光学素子１８も、波長フィルタ膜２９以
外の部分は、プラスチックまたはガラスによる一体成形
で作製することも可能である。さらに、ホログラム光学
素子５、１８を、それぞれ対物レンズ６、１９上に直接
形成することも可能である。
【００２５】図７に、本発明の光ヘッド装置の実施例に
用いる波長フィルタの構成を示す。図７（ａ）に示す波
長フィルタ３は、二つのガラスのブロックを誘電体多層
膜３４を介して貼り合わせたものである。波長６３５ｎ
ｍの入射光３１は、誘電体多層膜３４に入射角４５度で
入射し、ほぼ完全に透過して直進する。一方、波長７８
５ｎｍの入射光３２は、誘電体多層膜３４に入射角４５
度で入射し、ほぼ完全に反射されて進行方向が９０度曲
げられる。図７（ｂ）に示す波長フィルタ３３は、三つ
のガラスのブロックを誘電体多層膜３５、３６を介して
貼り合わせたものである。波長６３５ｎｍの入射光３１
は、誘電体多層膜３５に入射角２２．５度で入射し、ほ
ぼ完全に透過して直進する。一方、波長７８５ｎｍの入
射光３２は、誘電体多層膜３５、３６に入射角２２．５
度で入射し、二回ほぼ完全に反射されて進行方向が９０
度曲げられる。一般に、波長フィルタは誘電体多層膜へ
の入射角が小さいほど設計が容易である。
用いる波長フィルタの構成を示す。図７（ａ）に示す波
長フィルタ３は、二つのガラスのブロックを誘電体多層
膜３４を介して貼り合わせたものである。波長６３５ｎ
ｍの入射光３１は、誘電体多層膜３４に入射角４５度で
入射し、ほぼ完全に透過して直進する。一方、波長７８
５ｎｍの入射光３２は、誘電体多層膜３４に入射角４５
度で入射し、ほぼ完全に反射されて進行方向が９０度曲
げられる。図７（ｂ）に示す波長フィルタ３３は、三つ
のガラスのブロックを誘電体多層膜３５、３６を介して
貼り合わせたものである。波長６３５ｎｍの入射光３１
は、誘電体多層膜３５に入射角２２．５度で入射し、ほ
ぼ完全に透過して直進する。一方、波長７８５ｎｍの入
射光３２は、誘電体多層膜３５、３６に入射角２２．５
度で入射し、二回ほぼ完全に反射されて進行方向が９０
度曲げられる。一般に、波長フィルタは誘電体多層膜へ
の入射角が小さいほど設計が容易である。
【００２６】図７に示す波長フィルタ３、３３は、波長
６３５ｎｍの光をほぼ完全に透過させ、波長７８５ｎｍ
の光をほぼ完全に反射させるように設計が行われている
が、波長７８５ｎｍの光をほぼ完全に透過させ、波長６
３５ｎｍの光をほぼ完全に反射させるように設計を行う
ことも可能である。これを用いる場合は、図１および図
４のモジュール１内の半導体レーザの波長を７８５ｎ
ｍ、モジュール２内の半導体レーザの波長を６３５ｎｍ
とすればよい。また、半導体レーザからの出射光の偏光
方向とディスクからの反射光の偏光方向が同じ場合は、
波長フィルタの代わりに偏光ビームスプリッタを用いる
ことも可能である。例えば、波長６３５ｎｍの光は偏光
ビームスプリッタにＰ偏光として入射させ、波長７８５
ｎｍの光は偏光ビームスプリッタにＳ偏光として入射さ
せれば、前者はほぼ完全に透過し、後者はほぼ完全に反
射される。
６３５ｎｍの光をほぼ完全に透過させ、波長７８５ｎｍ
の光をほぼ完全に反射させるように設計が行われている
が、波長７８５ｎｍの光をほぼ完全に透過させ、波長６
３５ｎｍの光をほぼ完全に反射させるように設計を行う
ことも可能である。これを用いる場合は、図１および図
４のモジュール１内の半導体レーザの波長を７８５ｎ
ｍ、モジュール２内の半導体レーザの波長を６３５ｎｍ
とすればよい。また、半導体レーザからの出射光の偏光
方向とディスクからの反射光の偏光方向が同じ場合は、
波長フィルタの代わりに偏光ビームスプリッタを用いる
ことも可能である。例えば、波長６３５ｎｍの光は偏光
ビームスプリッタにＰ偏光として入射させ、波長７８５
ｎｍの光は偏光ビームスプリッタにＳ偏光として入射さ
せれば、前者はほぼ完全に透過し、後者はほぼ完全に反
射される。
【００２７】図８に、本発明の光ヘッド装置の実施例を
再生専用型のディスクに適用した場合のモジュールの構
成を示す。このモジュールは、半導体レーザ３７、光検
出器３８を収納したパッケージ３９と、パッケージ３９
の窓部にスペーサ４２を挟んで設けられた回折格子４
０、ホログラム光学素子４１から構成される。回折格子
４０およびホログラム光学素子４１は、ガラス基板上に
ＳｉＯ2 でパタンが形成された構造であり、入射光の一
部を透過、一部を回折させる働きをする。半導体レーザ
３７からの出射光は、回折格子４０で透過光と±１次回
折光の三つの光に分けられ、それぞれホログラム光学素
子４１を約５０％が透過してディスクに向かう。ディス
クで反射された三つの光は、それぞれホログラム光学素
子４１で±１次回折光として約４０％が回折され、回折
格子４０を透過して光検出器３８で受光される。
再生専用型のディスクに適用した場合のモジュールの構
成を示す。このモジュールは、半導体レーザ３７、光検
出器３８を収納したパッケージ３９と、パッケージ３９
の窓部にスペーサ４２を挟んで設けられた回折格子４
０、ホログラム光学素子４１から構成される。回折格子
４０およびホログラム光学素子４１は、ガラス基板上に
ＳｉＯ2 でパタンが形成された構造であり、入射光の一
部を透過、一部を回折させる働きをする。半導体レーザ
３７からの出射光は、回折格子４０で透過光と±１次回
折光の三つの光に分けられ、それぞれホログラム光学素
子４１を約５０％が透過してディスクに向かう。ディス
クで反射された三つの光は、それぞれホログラム光学素
子４１で±１次回折光として約４０％が回折され、回折
格子４０を透過して光検出器３８で受光される。
【００２８】図９に、図８のモジュールにおける半導体
レーザ３７の光検出器３８への実装形態を示す。図９
（ａ）はガラスのミラーを用いた場合である。半導体レ
ーザ３７は、光検出器３８上にヒートシンク４３を介し
て設置されている。半導体レーザ３７から側方に出射さ
れた光は、ガラスのミラー４４で反射されて上方に向か
う。一方、図９（ｂ）は光検出器にエッチングで形成さ
れたミラーを用いた場合である。半導体レーザ３７は、
光検出器３８にエッチングで形成された凹部に設置され
ている。半導体レーザ３７から側方に出射された光は、
光検出器３８にエッチングで形成されたミラーで反射さ
れて上方に向かう。
レーザ３７の光検出器３８への実装形態を示す。図９
（ａ）はガラスのミラーを用いた場合である。半導体レ
ーザ３７は、光検出器３８上にヒートシンク４３を介し
て設置されている。半導体レーザ３７から側方に出射さ
れた光は、ガラスのミラー４４で反射されて上方に向か
う。一方、図９（ｂ）は光検出器にエッチングで形成さ
れたミラーを用いた場合である。半導体レーザ３７は、
光検出器３８にエッチングで形成された凹部に設置され
ている。半導体レーザ３７から側方に出射された光は、
光検出器３８にエッチングで形成されたミラーで反射さ
れて上方に向かう。
【００２９】図１０（ａ）に回折格子４０、図１０
（ｂ）にホログラム光学素子４１の干渉縞のパタンをそ
れぞれ示す。回折格子４０は中心付近の領域４５にのみ
パタンを有する。半導体レーザ３７からの出射光は領域
４５の内部を通り、ディスクからの反射光は領域４５の
外部を通る。また、ホログラム光学素子４１はオフアク
シスの同心円状のパタンを有し、＋１次回折光に対して
は凸レンズ、−１次回折光に対しては凹レンズとしての
働きをする。
（ｂ）にホログラム光学素子４１の干渉縞のパタンをそ
れぞれ示す。回折格子４０は中心付近の領域４５にのみ
パタンを有する。半導体レーザ３７からの出射光は領域
４５の内部を通り、ディスクからの反射光は領域４５の
外部を通る。また、ホログラム光学素子４１はオフアク
シスの同心円状のパタンを有し、＋１次回折光に対して
は凸レンズ、−１次回折光に対しては凹レンズとしての
働きをする。
【００３０】図１１に、光検出器３８の受光部のパタン
と、受光部上の光スポットの配置を示す。往路の回折格
子４０の透過光のうち、復路のホログラム光学素子４１
の＋１次回折光は、３分割された受光部４６〜４８上に
光スポット５６を形成し、復路のホログラム光学素子４
１の−１次回折光は、３分割された受光部４９〜５１上
に光スポット５７を形成する。また、往路の回折格子４
０の＋１次回折光のうち、復路のホログラム光学素子４
１の±１次回折光は、それぞれ受光部５２、５３上に光
スポット５８、５９を形成し、往路の回折格子４０の−
１次回折光のうち、復路のホログラム光学素子４１の±
１次回折光は、それぞれ受光部５４、５５上に光スポッ
ト６０、６１を形成する。受光部４６〜４８、５２、５
４は集光点の後方に位置しており、受光部４９〜５１、
５３、５５は集光点の前方に位置している。受光部４６
〜５５からの出力をそれぞれＶ４６〜Ｖ５５で表わす
と、フォーカス誤差信号は公知のスポットサイズ法によ
り、（Ｖ４６＋Ｖ４８＋Ｖ５０）−（Ｖ４７＋Ｖ４９＋
Ｖ５１）の演算から得られ、トラック誤差信号は公知の
３ビーム法により、（Ｖ５２＋Ｖ５３）−（Ｖ５４＋Ｖ
５５）の演算から得られる。また、ディスクの再生信号
は、Ｖ４６＋Ｖ４７＋Ｖ４８＋Ｖ４９＋Ｖ５０＋Ｖ５１
の演算から得られる。
と、受光部上の光スポットの配置を示す。往路の回折格
子４０の透過光のうち、復路のホログラム光学素子４１
の＋１次回折光は、３分割された受光部４６〜４８上に
光スポット５６を形成し、復路のホログラム光学素子４
１の−１次回折光は、３分割された受光部４９〜５１上
に光スポット５７を形成する。また、往路の回折格子４
０の＋１次回折光のうち、復路のホログラム光学素子４
１の±１次回折光は、それぞれ受光部５２、５３上に光
スポット５８、５９を形成し、往路の回折格子４０の−
１次回折光のうち、復路のホログラム光学素子４１の±
１次回折光は、それぞれ受光部５４、５５上に光スポッ
ト６０、６１を形成する。受光部４６〜４８、５２、５
４は集光点の後方に位置しており、受光部４９〜５１、
５３、５５は集光点の前方に位置している。受光部４６
〜５５からの出力をそれぞれＶ４６〜Ｖ５５で表わす
と、フォーカス誤差信号は公知のスポットサイズ法によ
り、（Ｖ４６＋Ｖ４８＋Ｖ５０）−（Ｖ４７＋Ｖ４９＋
Ｖ５１）の演算から得られ、トラック誤差信号は公知の
３ビーム法により、（Ｖ５２＋Ｖ５３）−（Ｖ５４＋Ｖ
５５）の演算から得られる。また、ディスクの再生信号
は、Ｖ４６＋Ｖ４７＋Ｖ４８＋Ｖ４９＋Ｖ５０＋Ｖ５１
の演算から得られる。
【００３１】図１２に、本発明の光ヘッド装置の実施例
を追記型のディスクまたは書換型の相変化ディスクに適
用した場合のモジュールの構成を示す。このモジュール
は、半導体レーザ６２、光検出器６３を収納したパッケ
ージ６４と、パッケージ６４の窓部に設けられた偏光性
ホログラム光学素子６５、１／４波長板６６から構成さ
れる。偏光性ホログラム光学素子６５は、図１３に示す
ように、複屈折性を有するニオブ酸リチウム基板６７上
にプロトン交換領域６８と位相補償膜６９でパタンが形
成された構造であり、入射光のうち常光は全て透過さ
せ、異常光は全て回折させる働きをする。半導体レーザ
６２からの出射光は、偏光性ホログラム光学素子６５に
常光として入射して全て透過し、１／４波長板６６で直
線偏光から円偏光に変換されてディスクに向かう。ディ
スクからの反射光は、１／４波長板６６で円偏光から直
線偏光に変換され、偏光性ホログラム光学素子６５に異
常光として入射し、±１次回折光として約８０％が回折
されて光検出器６３で受光される。半導体レーザ６２の
光検出器６３への実装形態は図９と同様である。
を追記型のディスクまたは書換型の相変化ディスクに適
用した場合のモジュールの構成を示す。このモジュール
は、半導体レーザ６２、光検出器６３を収納したパッケ
ージ６４と、パッケージ６４の窓部に設けられた偏光性
ホログラム光学素子６５、１／４波長板６６から構成さ
れる。偏光性ホログラム光学素子６５は、図１３に示す
ように、複屈折性を有するニオブ酸リチウム基板６７上
にプロトン交換領域６８と位相補償膜６９でパタンが形
成された構造であり、入射光のうち常光は全て透過さ
せ、異常光は全て回折させる働きをする。半導体レーザ
６２からの出射光は、偏光性ホログラム光学素子６５に
常光として入射して全て透過し、１／４波長板６６で直
線偏光から円偏光に変換されてディスクに向かう。ディ
スクからの反射光は、１／４波長板６６で円偏光から直
線偏光に変換され、偏光性ホログラム光学素子６５に異
常光として入射し、±１次回折光として約８０％が回折
されて光検出器６３で受光される。半導体レーザ６２の
光検出器６３への実装形態は図９と同様である。
【００３２】図１４に偏光性ホログラム光学素子６５の
干渉縞のパタンを示す。偏光性ホログラム光学素子６５
は四つの領域７０〜７３に分割されている。また、偏光
性ホログラム光学素子６５の光学軸７４は、半導体レー
ザ６２からの出射光の偏光方向と垂直な方向に設定され
ている。図１５に、光検出器６３の受光部のパタンと、
受光部上の光スポットの配置を示す。偏光性ホログラム
光学素子６５の領域７０からの＋１次回折光は、２分割
された受光部７５、７６の分割線上に光スポット８３を
形成し、領域７０からの−１次回折光は受光部８２上に
光スポット８７を形成する。偏光性ホログラム光学素子
６５の領域７１からの＋１次回折光は、２分割された受
光部７７、７８の分割線上に光スポット８４を形成し、
領域７１からの−１次回折光は受光部８１上に光スポッ
ト８８を形成する。また、偏光性ホログラム光学素子６
５の領域７２からの±１次回折光は、それぞれ受光部７
９、８２上に光スポット８５、８９を形成し、領域７３
からの±１次回折光は、それぞれ受光部８０、８１上に
光スポット８６、９０を形成する。受光部７５〜８２か
らの出力をそれぞれＶ７５〜Ｖ８２で表わすと、フォー
カス誤差信号は公知のフーコー法により、（Ｖ７５＋Ｖ
７８）−（Ｖ７６＋Ｖ７７）の演算から得られ、トラッ
ク誤差信号は公知のプッシュプル法により、Ｖ７９−Ｖ
８０の演算から得られる。また、ディスクの再生信号
は、Ｖ８１＋Ｖ８２の演算から得られる。
干渉縞のパタンを示す。偏光性ホログラム光学素子６５
は四つの領域７０〜７３に分割されている。また、偏光
性ホログラム光学素子６５の光学軸７４は、半導体レー
ザ６２からの出射光の偏光方向と垂直な方向に設定され
ている。図１５に、光検出器６３の受光部のパタンと、
受光部上の光スポットの配置を示す。偏光性ホログラム
光学素子６５の領域７０からの＋１次回折光は、２分割
された受光部７５、７６の分割線上に光スポット８３を
形成し、領域７０からの−１次回折光は受光部８２上に
光スポット８７を形成する。偏光性ホログラム光学素子
６５の領域７１からの＋１次回折光は、２分割された受
光部７７、７８の分割線上に光スポット８４を形成し、
領域７１からの−１次回折光は受光部８１上に光スポッ
ト８８を形成する。また、偏光性ホログラム光学素子６
５の領域７２からの±１次回折光は、それぞれ受光部７
９、８２上に光スポット８５、８９を形成し、領域７３
からの±１次回折光は、それぞれ受光部８０、８１上に
光スポット８６、９０を形成する。受光部７５〜８２か
らの出力をそれぞれＶ７５〜Ｖ８２で表わすと、フォー
カス誤差信号は公知のフーコー法により、（Ｖ７５＋Ｖ
７８）−（Ｖ７６＋Ｖ７７）の演算から得られ、トラッ
ク誤差信号は公知のプッシュプル法により、Ｖ７９−Ｖ
８０の演算から得られる。また、ディスクの再生信号
は、Ｖ８１＋Ｖ８２の演算から得られる。
【００３３】図１６に、本発明の光ヘッド装置の実施例
を書換型の光磁気ディスクに適用した場合のモジュール
の構成を示す。このモジュールは、半導体レーザ９１、
光検出器９２、マイクロプリズム９３、９４を収納した
パッケージ９５と、パッケージ９５の窓部にスペーサ９
８を挟んで設けられた偏光性回折格子９６、ホログラム
光学素子９７から構成される。偏光性回折格子９６は、
図１３に示す偏光性ホログラム光学素子６５と同様の構
造であり、入射光のうち常光は一部を透過、一部を回折
させ、異常光は全て回折させる働きをする。半導体レー
ザ９１からの出射光は、ホログラム光学素子９７を約８
０％が透過し、偏光性回折格子９６に常光として入射
し、約９０％が透過してディスクに向かう。ディスクか
らの反射光のうち、常光成分の約８％と異常光成分の約
８０％は偏光性回折格子９６で±１次回折光として回折
され、＋１次回折光はマイクロプリズム９３、−１次回
折光はマイクロプリズム９４を介して光検出器９２で受
光される。また、常光成分の約９０％は偏光性回折格子
９６を透過してホログラム光学素子９７に入射し、±１
次回折光として約１６％が回折されて光検出器９２で受
光される。半導体レーザ９１の光検出器９２への実装形
態は図９と同様である。
を書換型の光磁気ディスクに適用した場合のモジュール
の構成を示す。このモジュールは、半導体レーザ９１、
光検出器９２、マイクロプリズム９３、９４を収納した
パッケージ９５と、パッケージ９５の窓部にスペーサ９
８を挟んで設けられた偏光性回折格子９６、ホログラム
光学素子９７から構成される。偏光性回折格子９６は、
図１３に示す偏光性ホログラム光学素子６５と同様の構
造であり、入射光のうち常光は一部を透過、一部を回折
させ、異常光は全て回折させる働きをする。半導体レー
ザ９１からの出射光は、ホログラム光学素子９７を約８
０％が透過し、偏光性回折格子９６に常光として入射
し、約９０％が透過してディスクに向かう。ディスクか
らの反射光のうち、常光成分の約８％と異常光成分の約
８０％は偏光性回折格子９６で±１次回折光として回折
され、＋１次回折光はマイクロプリズム９３、−１次回
折光はマイクロプリズム９４を介して光検出器９２で受
光される。また、常光成分の約９０％は偏光性回折格子
９６を透過してホログラム光学素子９７に入射し、±１
次回折光として約１６％が回折されて光検出器９２で受
光される。半導体レーザ９１の光検出器９２への実装形
態は図９と同様である。
【００３４】図１７（ａ）に偏光性回折格子９６、図１
７（ｂ）にホログラム光学素子９７の干渉縞のパタンを
それぞれ示す。偏光性回折格子９６の光学軸９９は、半
導体レーザ９１からの出射光の偏光方向と垂直な方向に
設定されている。また、ホログラム光学素子９７は中心
付近にのみパタンを有し、四つの領域１００〜１０３に
分割されている。ディスクからの反射光のうち、偏光性
回折格子９６の透過光は領域１００〜１０３の内部を通
り、偏光性回折格子９６の±１次回折光は領域１００〜
１０３の外部を通る。ホログラム光学素子９７の領域１
００、１０１はオフアクシスの同心円状のパタンを有
し、＋１次回折光に対しては凸レンズ、−１次回折光に
対しては凹レンズとしての働きをする。
７（ｂ）にホログラム光学素子９７の干渉縞のパタンを
それぞれ示す。偏光性回折格子９６の光学軸９９は、半
導体レーザ９１からの出射光の偏光方向と垂直な方向に
設定されている。また、ホログラム光学素子９７は中心
付近にのみパタンを有し、四つの領域１００〜１０３に
分割されている。ディスクからの反射光のうち、偏光性
回折格子９６の透過光は領域１００〜１０３の内部を通
り、偏光性回折格子９６の±１次回折光は領域１００〜
１０３の外部を通る。ホログラム光学素子９７の領域１
００、１０１はオフアクシスの同心円状のパタンを有
し、＋１次回折光に対しては凸レンズ、−１次回折光に
対しては凹レンズとしての働きをする。
【００３５】図１８にマイクロプリズム９３の構成を示
す。マイクロプリズム９３は、三つのガラスのブロック
を誘電体多層膜１０７、１０８を介して貼り合わせたも
のである。入射光１０４のＰ偏光成分は誘電体多層膜１
０７をほぼ完全に透過して透過光１０５となり、入射光
１０４のＳ偏光成分は誘電体多層膜１０７、１０８で二
回ほぼ完全に反射されて反射光１０６となる。マイクロ
プリズム９４の構成も同様である。図１９に、光検出器
９２の受光部のパタンと、受光部上の光スポットの配置
を示す。偏光性回折格子９６からの＋１次回折光は、マ
イクロプリズム９３を検光子として透過光と反射光に分
離され、透過光は受光部１０９上に光スポット１２３、
反射光は受光部１１０上に光スポット１２４をそれぞれ
形成する。また、偏光性回折格子９６からの−１次回折
光は、マイクロプリズム９４を検光子として透過光と反
射光に分離され、透過光は受光部１１１上に光スポット
１２５、反射光は受光部１１２上に光スポット１２６を
それぞれ形成する。一方、ホログラム光学素子９７の領
域１００、１０１からの＋１次回折光は、３分割された
受光部１１３〜１１５上にそれぞれ光スポット１２７、
１２８を形成し、領域１００、１０１からの−１次回折
光は、３分割された受光部１１６〜１１８上にそれぞれ
光スポット１２９、１３０を形成する。受光部１１３〜
１１５は集光点の後方に位置しており、受光部１１６〜
１１８は集光点の前方に位置している。また、ホログラ
ム光学素子９７の領域１０２からの±１次回折光は、そ
れぞれ受光部１１９、１２２上に光スポット１３１、１
３３を形成し、領域１０３からの±１次回折光は、それ
ぞれ受光部１２０、１２１上に光スポット１３２、１３
４を形成する。受光部１０９〜１２２からの出力をそれ
ぞれＶ１０９〜Ｖ１２２で表わすと、フォーカス誤差信
号は公知のスポットサイズ法により、（Ｖ１１３＋Ｖ１
１５＋Ｖ１１７）−（Ｖ１１４＋Ｖ１１６＋Ｖ１１８）
の演算から得られ、トラック誤差信号は公知のプッシュ
プル法により、（Ｖ１１９＋Ｖ１２２）−（Ｖ１２０＋
Ｖ１２１）の演算から得られる。また、ディスクの再生
信号は、（Ｖ１０９＋Ｖ１１１）−（Ｖ１１０＋Ｖ１１
２）の演算から得られる。
す。マイクロプリズム９３は、三つのガラスのブロック
を誘電体多層膜１０７、１０８を介して貼り合わせたも
のである。入射光１０４のＰ偏光成分は誘電体多層膜１
０７をほぼ完全に透過して透過光１０５となり、入射光
１０４のＳ偏光成分は誘電体多層膜１０７、１０８で二
回ほぼ完全に反射されて反射光１０６となる。マイクロ
プリズム９４の構成も同様である。図１９に、光検出器
９２の受光部のパタンと、受光部上の光スポットの配置
を示す。偏光性回折格子９６からの＋１次回折光は、マ
イクロプリズム９３を検光子として透過光と反射光に分
離され、透過光は受光部１０９上に光スポット１２３、
反射光は受光部１１０上に光スポット１２４をそれぞれ
形成する。また、偏光性回折格子９６からの−１次回折
光は、マイクロプリズム９４を検光子として透過光と反
射光に分離され、透過光は受光部１１１上に光スポット
１２５、反射光は受光部１１２上に光スポット１２６を
それぞれ形成する。一方、ホログラム光学素子９７の領
域１００、１０１からの＋１次回折光は、３分割された
受光部１１３〜１１５上にそれぞれ光スポット１２７、
１２８を形成し、領域１００、１０１からの−１次回折
光は、３分割された受光部１１６〜１１８上にそれぞれ
光スポット１２９、１３０を形成する。受光部１１３〜
１１５は集光点の後方に位置しており、受光部１１６〜
１１８は集光点の前方に位置している。また、ホログラ
ム光学素子９７の領域１０２からの±１次回折光は、そ
れぞれ受光部１１９、１２２上に光スポット１３１、１
３３を形成し、領域１０３からの±１次回折光は、それ
ぞれ受光部１２０、１２１上に光スポット１３２、１３
４を形成する。受光部１０９〜１２２からの出力をそれ
ぞれＶ１０９〜Ｖ１２２で表わすと、フォーカス誤差信
号は公知のスポットサイズ法により、（Ｖ１１３＋Ｖ１
１５＋Ｖ１１７）−（Ｖ１１４＋Ｖ１１６＋Ｖ１１８）
の演算から得られ、トラック誤差信号は公知のプッシュ
プル法により、（Ｖ１１９＋Ｖ１２２）−（Ｖ１２０＋
Ｖ１２１）の演算から得られる。また、ディスクの再生
信号は、（Ｖ１０９＋Ｖ１１１）−（Ｖ１１０＋Ｖ１１
２）の演算から得られる。
【００３６】図１および図４に示す本発明の光ヘッド装
置の実施例は、いずれも小型化のために半導体レーザと
検出光学系を内蔵した二個のモジュールを用いた構成で
あるが、半導体レーザと検出光学系を別々に設けた二組
のブロックを用いた構成も可能である。
置の実施例は、いずれも小型化のために半導体レーザと
検出光学系を内蔵した二個のモジュールを用いた構成で
あるが、半導体レーザと検出光学系を別々に設けた二組
のブロックを用いた構成も可能である。
【００３７】［第三の実施例］図２０に、本発明の光ヘ
ッド装置の第三の実施例の構成を示す。モジュール１３
６には、半導体レーザと、ディスクからの反射光を受光
する検出光学系が内蔵されている。半導体レーザ１３５
の波長は６３５ｎｍ、モジュール１３６内の半導体レー
ザの波長は７８５ｎｍである。波長フィルタ１３７は、
波長６３５ｎｍのＰ偏光をほぼ完全に透過させ、波長６
３５ｎｍのＳ偏光および波長７８５ｎｍの光をほぼ完全
に反射させる働きをする。１／４波長板１３８は波長６
３５ｎｍに対して最適設計されている。
ッド装置の第三の実施例の構成を示す。モジュール１３
６には、半導体レーザと、ディスクからの反射光を受光
する検出光学系が内蔵されている。半導体レーザ１３５
の波長は６３５ｎｍ、モジュール１３６内の半導体レー
ザの波長は７８５ｎｍである。波長フィルタ１３７は、
波長６３５ｎｍのＰ偏光をほぼ完全に透過させ、波長６
３５ｎｍのＳ偏光および波長７８５ｎｍの光をほぼ完全
に反射させる働きをする。１／４波長板１３８は波長６
３５ｎｍに対して最適設計されている。
【００３８】半導体レーザ１３５からの出射光は、波長
フィルタ１３７にＰ偏光として入射して全て透過し、コ
リメータレンズ４で平行光化され、１／４波長板１３８
で直線偏光から円偏光に変換されてホログラム光学素子
５に入射する。ホログラム光学素子５の透過光は平行光
として対物レンズ６に入射し、基板厚さ０．６ｍｍのデ
ィスク７上に集光される。ディスク７からの反射光は対
物レンズ６を逆向きに透過し、再びホログラム光学素子
５に入射する。ホログラム光学素子５の透過光は、１／
４波長板１３８で円偏光から直線偏光に変換され、コリ
メータレンズ４に平行光として入射する。コリメータレ
ンズ４の透過光は、波長フィルタ１３７にＳ偏光として
入射して全て反射され、モジュール１３８内の検出光学
系で受光される。一方、モジュール１３８内の半導体レ
ーザからの出射光は波長フィルタ１３７で反射され、コ
リメータレンズ４で平行光化され、１／４波長板１３８
で直線偏光から楕円偏光に変換されてホログラム光学素
子５に入射する。ホログラム光学素子５の−１次回折光
は発散光として対物レンズ６に入射し、基板厚さ１．２
ｍｍのディスク８上に集光される。ディスク８からの反
射光は対物レンズ６を逆向きに透過し、再びホログラム
光学素子５に入射する。ホログラム光学素子５の−１次
回折光は、１／４波長板１３８で楕円偏光から別の楕円
偏光に変換され、コリメータレンズ４に平行光として入
射する。コリメータレンズ４の透過光は波長フィルタ１
３７で反射され、モジュール１３６内の検出光学系で受
光される。ホログラム光学素子５と対物レンズ６は、ア
クチュエータで一体駆動される。モジュール１３６の構
成は、図１２に示すモジュールの構成から１／４波長板
６６を除去したものである。
フィルタ１３７にＰ偏光として入射して全て透過し、コ
リメータレンズ４で平行光化され、１／４波長板１３８
で直線偏光から円偏光に変換されてホログラム光学素子
５に入射する。ホログラム光学素子５の透過光は平行光
として対物レンズ６に入射し、基板厚さ０．６ｍｍのデ
ィスク７上に集光される。ディスク７からの反射光は対
物レンズ６を逆向きに透過し、再びホログラム光学素子
５に入射する。ホログラム光学素子５の透過光は、１／
４波長板１３８で円偏光から直線偏光に変換され、コリ
メータレンズ４に平行光として入射する。コリメータレ
ンズ４の透過光は、波長フィルタ１３７にＳ偏光として
入射して全て反射され、モジュール１３８内の検出光学
系で受光される。一方、モジュール１３８内の半導体レ
ーザからの出射光は波長フィルタ１３７で反射され、コ
リメータレンズ４で平行光化され、１／４波長板１３８
で直線偏光から楕円偏光に変換されてホログラム光学素
子５に入射する。ホログラム光学素子５の−１次回折光
は発散光として対物レンズ６に入射し、基板厚さ１．２
ｍｍのディスク８上に集光される。ディスク８からの反
射光は対物レンズ６を逆向きに透過し、再びホログラム
光学素子５に入射する。ホログラム光学素子５の−１次
回折光は、１／４波長板１３８で楕円偏光から別の楕円
偏光に変換され、コリメータレンズ４に平行光として入
射する。コリメータレンズ４の透過光は波長フィルタ１
３７で反射され、モジュール１３６内の検出光学系で受
光される。ホログラム光学素子５と対物レンズ６は、ア
クチュエータで一体駆動される。モジュール１３６の構
成は、図１２に示すモジュールの構成から１／４波長板
６６を除去したものである。
【００３９】［第四の実施例］図２１に、本発明の光ヘ
ッド装置の第四の実施例の構成を示す。モジュール１３
９には、半導体レーザと、ディスクからの反射光を受光
する検出光学系が内蔵されている。モジュール１３９内
の半導体レーザの波長は６３５ｎｍ、半導体レーザ１４
０の波長は７８５ｎｍである。波長フィルタ１４１は、
波長６３５ｎｍの光および波長７８５ｎｍのＰ偏光をほ
ぼ完全に透過させ、波長７８５ｎｍのＳ偏光をほぼ完全
に反射させる働きをする。１／４波長板１４２は波長７
８５ｎｍに対して最適設計されている。
ッド装置の第四の実施例の構成を示す。モジュール１３
９には、半導体レーザと、ディスクからの反射光を受光
する検出光学系が内蔵されている。モジュール１３９内
の半導体レーザの波長は６３５ｎｍ、半導体レーザ１４
０の波長は７８５ｎｍである。波長フィルタ１４１は、
波長６３５ｎｍの光および波長７８５ｎｍのＰ偏光をほ
ぼ完全に透過させ、波長７８５ｎｍのＳ偏光をほぼ完全
に反射させる働きをする。１／４波長板１４２は波長７
８５ｎｍに対して最適設計されている。
【００４０】モジュール１３９内の半導体レーザからの
出射光は波長フィルタ１４１を透過し、コリメータレン
ズ４で平行光化され、１／４波長板１４２で直線偏光か
ら楕円偏光に変換されてホログラム光学素子５に入射す
る。ホログラム光学素子５の透過光は平行光として対物
レンズ６に入射し、基板厚さ０．６ｍｍのディスク７上
に集光される。ディスク７からの反射光は対物レンズ６
を逆向きに透過し、再びホログラム光学素子５に入射す
る。ホログラム光学素子５の透過光は、１／４波長板１
４２で楕円偏光から別の楕円偏光に変換され、コリメー
タレンズ４に平行光として入射する。コリメータレンズ
４の透過光は波長フィルタ１４１を透過し、モジュール
１３９内の検出光学系で受光される。
出射光は波長フィルタ１４１を透過し、コリメータレン
ズ４で平行光化され、１／４波長板１４２で直線偏光か
ら楕円偏光に変換されてホログラム光学素子５に入射す
る。ホログラム光学素子５の透過光は平行光として対物
レンズ６に入射し、基板厚さ０．６ｍｍのディスク７上
に集光される。ディスク７からの反射光は対物レンズ６
を逆向きに透過し、再びホログラム光学素子５に入射す
る。ホログラム光学素子５の透過光は、１／４波長板１
４２で楕円偏光から別の楕円偏光に変換され、コリメー
タレンズ４に平行光として入射する。コリメータレンズ
４の透過光は波長フィルタ１４１を透過し、モジュール
１３９内の検出光学系で受光される。
【００４１】一方、半導体レーザ１４０からの出射光
は、波長フィルタ１４１にＳ偏光として入射して全て反
射され、コリメータレンズ４で平行光化され、１／４波
長板１４２で直線偏光から円偏光に変換されてホログラ
ム光学素子５に入射する。ホログラム光学素子５の−１
次回折光は発散光として対物レンズ６に入射し、基板厚
さ１．２ｍｍのディスク８上に集光される。ディスク８
からの反射光は対物レンズ６を逆向きに透過し、再びホ
ログラム光学素子５に入射する。ホログラム光学素子５
の−１次回折光は、１／４波長板１４２で円偏光から直
線偏光に変換され、コリメータレンズ４に平行光として
入射する。コリメータレンズ４の透過光は、波長フィル
タ１４１にＰ偏光として入射して全て透過し、モジュー
ル１３９内の検出光学系で受光される。ホログラム光学
素子５と対物レンズ６は、アクチュエータで一体駆動さ
れる。モジュール１３９の構成は、図１２に示すモジュ
ールの構成から１／４波長板６６を除去したものであ
る。
は、波長フィルタ１４１にＳ偏光として入射して全て反
射され、コリメータレンズ４で平行光化され、１／４波
長板１４２で直線偏光から円偏光に変換されてホログラ
ム光学素子５に入射する。ホログラム光学素子５の−１
次回折光は発散光として対物レンズ６に入射し、基板厚
さ１．２ｍｍのディスク８上に集光される。ディスク８
からの反射光は対物レンズ６を逆向きに透過し、再びホ
ログラム光学素子５に入射する。ホログラム光学素子５
の−１次回折光は、１／４波長板１４２で円偏光から直
線偏光に変換され、コリメータレンズ４に平行光として
入射する。コリメータレンズ４の透過光は、波長フィル
タ１４１にＰ偏光として入射して全て透過し、モジュー
ル１３９内の検出光学系で受光される。ホログラム光学
素子５と対物レンズ６は、アクチュエータで一体駆動さ
れる。モジュール１３９の構成は、図１２に示すモジュ
ールの構成から１／４波長板６６を除去したものであ
る。
【００４２】図２０および図２１に示す本発明の光ヘッ
ド装置の実施例は、いずれも小型化のために半導体レー
ザと検出光学系を内蔵した一個のモジュールと一個の半
導体レーザを用いた構成であるが、半導体レーザと検出
光学系を別々に設けた一組のブロックと一個の半導体レ
ーザを用いた構成も可能である。
ド装置の実施例は、いずれも小型化のために半導体レー
ザと検出光学系を内蔵した一個のモジュールと一個の半
導体レーザを用いた構成であるが、半導体レーザと検出
光学系を別々に設けた一組のブロックと一個の半導体レ
ーザを用いた構成も可能である。
【００４３】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明の光ヘッド
装置は、二つの異なる波長の半導体レーザとホログラム
光学素子を有し、一方の半導体レーザから出射したホロ
グラム光学素子の透過光を用いて一方のディスクを記録
・再生し、他方の半導体レーザから出射したホログラム
光学素子の＋１次回折光または−１次回折光を用いて一
方のディスクとは厚さの異なる他方のディスクを記録・
再生するものであり、そしてホログラム光学素子の透過
率および±１次回折効率は入射光の波長に依存している
ため、一方の半導体レーザの波長に対しては１００％に
近い透過率が得られ、他方の半導体レーザの波長に対し
ても高い＋１次または−１次回折効率が得られるように
設計を行うことにより、再生信号のＳ／Ｎは通常と同程
度となり、半導体レーザの出力も通常と同程度で済み、
再生だけでなく記録を行うことも可能な光へツド装置を
実現することができる。また、本発明によれば、一方の
半導体レーザの波長を７８５ｎｍにすることにより、追
記型コンパクトディスクの再生も可能な光ヘッド装置を
実現することができる。
装置は、二つの異なる波長の半導体レーザとホログラム
光学素子を有し、一方の半導体レーザから出射したホロ
グラム光学素子の透過光を用いて一方のディスクを記録
・再生し、他方の半導体レーザから出射したホログラム
光学素子の＋１次回折光または−１次回折光を用いて一
方のディスクとは厚さの異なる他方のディスクを記録・
再生するものであり、そしてホログラム光学素子の透過
率および±１次回折効率は入射光の波長に依存している
ため、一方の半導体レーザの波長に対しては１００％に
近い透過率が得られ、他方の半導体レーザの波長に対し
ても高い＋１次または−１次回折効率が得られるように
設計を行うことにより、再生信号のＳ／Ｎは通常と同程
度となり、半導体レーザの出力も通常と同程度で済み、
再生だけでなく記録を行うことも可能な光へツド装置を
実現することができる。また、本発明によれば、一方の
半導体レーザの波長を７８５ｎｍにすることにより、追
記型コンパクトディスクの再生も可能な光ヘッド装置を
実現することができる。
【図１】本発明の光ヘッド装置の第一の実施例の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の光ヘッド装置の第一の実施例に用いる
ホログラム光学素子の断面の拡大図である。
ホログラム光学素子の断面の拡大図である。
【図３】本発明の光ヘッド装置の第一の実施例に用いる
ホログラム光学素子の断面の全体図である。
ホログラム光学素子の断面の全体図である。
【図４】本発明の光ヘッド装置の第二の実施例の構成を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明の光ヘッド装置の第二の実施例に用いる
ホログラム光学素子の断面の拡大図である。
ホログラム光学素子の断面の拡大図である。
【図６】本発明の光ヘッド装置の第二の実施例に用いる
ホログラム光学素子の断面の全体図である。
ホログラム光学素子の断面の全体図である。
【図７】本発明の光ヘッド装置の第一および第二の実施
例に用いる波長フィルタの構成を示す図である。
例に用いる波長フィルタの構成を示す図である。
【図８】本発明の光ヘッド装置の実施例を再生専用型の
ディスクに適用した場合のモジュールの構成を示す図で
ある。
ディスクに適用した場合のモジュールの構成を示す図で
ある。
【図９】本発明の光ヘッド装置の実施例に用いる図８の
モジュールにおける、半導体レーザの光検出器への実装
形態を示す図である。
モジュールにおける、半導体レーザの光検出器への実装
形態を示す図である。
【図１０】本発明の光ヘッド装置の実施例に用いる図８
のモジュールにおける、回折格子およびホログラム光学
素子の干渉縞のパタンを示す図である。
のモジュールにおける、回折格子およびホログラム光学
素子の干渉縞のパタンを示す図である。
【図１１】本発明の光ヘッド装置の実施例に用いる図８
のモジュールにおける、光検出器の受光部のパタンと受
光部上の光スポットの配置を示す図である。
のモジュールにおける、光検出器の受光部のパタンと受
光部上の光スポットの配置を示す図である。
【図１２】本発明の光ヘッド装置の実施例を追記型のデ
ィスクまたは書換型の相変化ディスクに適用した場合の
モジュールの構成を示す図である。
ィスクまたは書換型の相変化ディスクに適用した場合の
モジュールの構成を示す図である。
【図１３】本発明の光ヘッド装置の実施例に用いる図１
２のモジュールにおける、偏光性ホログラム光学素子の
構造を示す図である。
２のモジュールにおける、偏光性ホログラム光学素子の
構造を示す図である。
【図１４】本発明の光ヘッド装置の実施例に用いる図１
２のモジュールにおける、偏光性ホログラム光学素子の
干渉縞のパタンを示す図である。
２のモジュールにおける、偏光性ホログラム光学素子の
干渉縞のパタンを示す図である。
【図１５】本発明の光ヘッド装置の実施例に用いる図１
２のモジュールにおける、光検出器の受光部のパタンと
受光部上の光スポットの配置を示す図である。
２のモジュールにおける、光検出器の受光部のパタンと
受光部上の光スポットの配置を示す図である。
【図１６】本発明の光ヘッド装置の実施例を書換型の光
磁気ディスクに適用した場合のモジュールの構成を示す
図である。
磁気ディスクに適用した場合のモジュールの構成を示す
図である。
【図１７】本発明の光ヘッド装置の実施例に用いる図１
８のモジュールにおける、偏光性回折格子およびホログ
ラム光学素子の干渉縞のパタンを示す図である。
８のモジュールにおける、偏光性回折格子およびホログ
ラム光学素子の干渉縞のパタンを示す図である。
【図１８】本発明の光ヘッド装置の実施例に用いる図１
６のモジュールにおける、マイクロプリズムの構成を示
す図である。
６のモジュールにおける、マイクロプリズムの構成を示
す図である。
【図１９】本発明の光ヘッド装置の実施例に用いる図１
６のモジュールにおける、光検出器の受光部のパタンと
受光部上の光スポットの配置を示す図である。
６のモジュールにおける、光検出器の受光部のパタンと
受光部上の光スポットの配置を示す図である。
【図２０】本発明の光ヘッド装置の第三の実施例の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２１】本発明の光ヘッド装置の第四の実施例の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２２】従来の光ヘッド装置の構成を示す図である。
【図２３】従来の光ヘッド装置に用いるホログラム光学
素子の平面図である。
素子の平面図である。
【図２４】従来の光ヘッド装置に用いるホログラム光学
素子の断面図である。
素子の断面図である。
１、２ モジュール ３ 波長フィルタ ４ コリメータレンズ ５ ホログラム光学素子 ６ 対物レンズ ７、８ ディスク ９ ガラス基板 １０ ＳｉＯ2 １１〜１３ 領域 １４ ガラス基板 １５〜１７ 領域 １８ ホログラム光学素子 １９ 対物レンズ ２０ ガラス基板 ２１ ＳｉＯ2 ２２〜２４ 領域 ２５ ガラス基板 ２６〜２８ 領域 ２９ 波長フィルタ膜 ３０ 位相補償膜 ３１、３２ 入射光 ３３ 波長フィルタ ３４〜３６ 誘電体多層膜 ３７ 半導体レーザ ３８ 光検出器 ３９ パッケージ ４０ 回折格子 ４１ ホログラム光学素子 ４２ スペーサ ４３ ヒートシンク ４４ ミラー ４５ 領域 ４６〜５５ 受光部 ５６〜６１ 光スポット ６２ 半導体レーザ ６３ 光検出器 ６４ パッケージ ６５ 偏光性ホログラム光学素子 ６６ １／４波長板 ６７ ニオブ酸リチウム基板 ６８ プロトン交換領域 ６９ 位相補償膜 ７０〜７３ 領域 ７４ 光学軸 ７５〜８２ 受光部 ８３〜９０ 光スポット ９１ 半導体レーザ ９２ 光検出器 ９３、９４ マイクロプリズム ９５ パッケージ ９６ 偏光性回折格子 ９７ ホログラム光学素子 ９８ スペーサ ９９ 光学軸 １００〜１０３ 領域 １０４ 入射光 １０５ 透過光 １０６ 反射光 １０７、１０８ 誘電体多層膜 １０９〜１２２ 受光部 １２３〜１３４ 光スポット １３５ 半導体レーザ １３６ モジュール １３７ 波長フィルタ １３８ １／４波長板 １３９ モジュール １４０ 半導体レーザ １４１ 波長フィルタ １４２ １／４波長板 １４３ 半導体レーザ １４４ ハーフミラー １４５ ホログラム光学素子 １４６ 凹レンズ １４７ 光検出器
Claims (10)
- 【請求項１】 第一の波長で発振する第一の半導体レー
ザと、第二の波長で発振する第二の半導体レーザと、前
記第一の半導体レーザからの出射光と前記第二の半導体
レーザからの出射光を合波することのできる光合波手段
と、それぞれの半導体レーザの出射光を第一または第二
の光記録媒体に導くホログラム光学素子および対物レン
ズと、前記光合波手段の前記ホログラム光学素子と対向
する側に設けられた、前記第一および第二の半導体レー
ザの出射光の光記録媒体からの反射光を受光する光検出
部と、を備え、前記ホログラム光学素子による前記第一
の半導体レーザの透過光および前記第二の半導体レーザ
の−１次回折光を用いることにより、あるいは、前記ホ
ログラム光学素子による前記第一の半導体レーザの＋１
次回折光および前記第二の半導体レーザの透過光を用い
ることにより、前記第一の半導体レーザの出射光を第一
の光記録媒体に導き、前記第二の半導体レーザの出射光
を前記第一の光記録媒体より厚い第二の光記録媒体に導
き、それぞれの光記録媒体に対して再生または再生およ
び記録を行うことを特徴とする光ヘッド装置。 - 【請求項２】 前記対物レンズは、前記ホログラム光学
素子からの透過光が該透過光が導かれる光記録媒体の基
板を透過する際に生じる球面収差を打ち消す球面収差を
有し、前記ホログラム光学素子は、該ホログラム光学素
子の＋１次回折光または−１次回折光に対し、前記対物
レンズからの出射光が該出射光が導かれる光記録媒体の
基板を透過する際に生じる球面収差と前記対物レンズが
有する球面収差との和を打ち消す球面収差を有している
ことを特徴とする請求項１記載の光ヘッド装置。 - 【請求項３】 前記ホログラム光学素子は、基板上の干
渉縞パタンが前記対物レンズの有効径より小さい直径の
領域内にのみ形成されていることを特徴とする請求項１
記載の光ヘッド装置。 - 【請求項４】 前記ホログラム光学素子は、基板上の干
渉縞パタンが前記対物レンズの有効径とほぼ同じ直径の
領域内に形成され、前記干渉縞パタンが形成された面と
反対の基板面に位相補償膜および波長フィルタ膜が前記
対物レンズの有効径より小さい直径の領域外にのみ形成
されていることを特徴とする請求項１記載の光ヘッド装
置。 - 【請求項５】 前記ホログラム光学素子は、同心円状の
干渉縞パタンを有し該干渉縞パタンの断面形状が階段状
になされていることを特徴とする請求項１記載の光ヘッ
ド装置。 - 【請求項６】 前記光合波手段は、第一の半導体レーザ
の出射光の光記録媒体からの反射光および第二の半導体
レーザの出射光の光記録媒体からの反射光を分波する機
能を有しており、前記光検出部が第一の半導体レーザの
出射光の光記録媒体からの反射光と第二の半導体レーザ
の出射光の光記録媒体からの反射光とを別個の受光素子
にて検出するものであることを特徴とする請求項１記載
の光ヘッド装置。 - 【請求項７】 前記光合波手段が、何れか一方の半導体
レーザの出射光およびその光記録媒体からの反射光を透
過させ、何れか他方の半導体レーザの出射光およびその
光記録媒体からの反射光を反射するものであることを特
徴とする請求項６記載の光ヘッド装置。 - 【請求項８】 前記光合波手段が偏光ビームスプリッタ
によって構成され、何れか一方の半導体レーザの出射光
がＳ偏光として、何れか他方の半導体レーザの出射光が
Ｐ偏光として該光合波手段に入射されることを特徴とす
る請求項６記載の光ヘッド装置。 - 【請求項９】 前記光検出部が第一の半導体レーザの出
射光の光記録媒体からの反射光と第二の半導体レーザの
出射光の光記録媒体からの反射光とを同一の受光素子に
て検出するものであることを特徴とする請求項１記載の
光ヘッド装置。 - 【請求項１０】 前記光合波手段が、何れか一方の半導
体レーザからの出射光をＰ偏光として透過させ、該何れ
か一方の半導体レーザからの出射光の光記録媒体からの
反射光をＳ偏光として反射し、何れか他方の半導体レー
ザの出射光を反射するものであることを特徴とする請求
項９記載の光ヘッド装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8049781A JP3047351B2 (ja) | 1995-06-05 | 1996-03-07 | 光ヘッド装置 |
| DE69627752T DE69627752T2 (de) | 1995-06-05 | 1996-06-05 | Optische Wiedergabekopfvorrichtung für verschiedene Plattentypen |
| US08/658,373 US5696750A (en) | 1995-06-05 | 1996-06-05 | Optical head apparatus for different types of disks |
| EP96109087A EP0747893B1 (en) | 1995-06-05 | 1996-06-05 | Optical head apparatus for different types of disks |
| EP01106424A EP1109164B1 (en) | 1995-06-05 | 1996-06-05 | Optical head apparatus for different types of disks |
| DE69635559T DE69635559T2 (de) | 1995-06-05 | 1996-06-05 | Optische Wiedergabekopfvorrichtung für verschiedene Plattentypen |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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