JPS63191329A - 集積型光ピックアップ装置 - Google Patents
集積型光ピックアップ装置Info
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- JPS63191329A JPS63191329A JP62229245A JP22924587A JPS63191329A JP S63191329 A JPS63191329 A JP S63191329A JP 62229245 A JP62229245 A JP 62229245A JP 22924587 A JP22924587 A JP 22924587A JP S63191329 A JPS63191329 A JP S63191329A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1384—Fibre optics
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0908—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only
- G11B7/0912—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only by push-pull method
-
- G—PHYSICS
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
る光ディスク装置のキイーコンポーネントである集積型
光ピックアップに関する。
光ピックアップに関する。
〈従来技術〉
通常、集積型光ピックアップは、多数枚のレンヒー
ズ系、Ｉ−ムスプリンタおよび光検出器の組合せから構
成されている。
成されている。
しかし、従来のピックアップでは、ピックアップの組立
調整の繁雑さからコストアップを招いており、又ピック
アップが大型化するためアクセスの時間が長くなるとい
う欠点があった。
調整の繁雑さからコストアップを招いており、又ピック
アップが大型化するためアクセスの時間が長くなるとい
う欠点があった。
この対策として滅厚等は集積型光ピックアップを発表し
ている（電気通信学会技術研究報告。
ている（電気通信学会技術研究報告。
０ＱＥ８５−７２（１９８６）４０頁の図１参照）。
しかし、この発表された構成でろ、集光グレーティグカ
ップラの集光特性が光源の波長に依存するため、光源の
絶対波長の制御を必要としており、光源として半導体レ
ーザを使用するかぎりにおいて極めて困難で実現性に乏
しいものである。
ップラの集光特性が光源の波長に依存するため、光源の
絶対波長の制御を必要としており、光源として半導体レ
ーザを使用するかぎりにおいて極めて困難で実現性に乏
しいものである。
体層からなる光導波路が形成され、この光導波路の両端
付近に半導体レーザと光ディスクが配設され、上記半導
体レーザからのレーザ光によって上記光導波路に即して
形成される光路に、上記半導体レーケ側から順にビーム
スプリッタとモードインデックスレンズが設けられ、上
記半導体レーザカラのレーザ光が上記ビームスプリッタ
およびモードインデックスレンズを通り上記光ディスク
で反射された後、再度上記モードインデックスレンズを
通り上記ビームスプリッタで方向変換されるレーザ光に
よって上記光導波路上に形成される光路に回折格子が設
けられ、さらにこの回折格子で２分割されるレーザ光に
よって上記光導波路上に形成される光路にそれぞれ光検
出器を設けてなることを特徴とする集積型光ピックアッ
プである。
付近に半導体レーザと光ディスクが配設され、上記半導
体レーザからのレーザ光によって上記光導波路に即して
形成される光路に、上記半導体レーケ側から順にビーム
スプリッタとモードインデックスレンズが設けられ、上
記半導体レーザカラのレーザ光が上記ビームスプリッタ
およびモードインデックスレンズを通り上記光ディスク
で反射された後、再度上記モードインデックスレンズを
通り上記ビームスプリッタで方向変換されるレーザ光に
よって上記光導波路上に形成される光路に回折格子が設
けられ、さらにこの回折格子で２分割されるレーザ光に
よって上記光導波路上に形成される光路にそれぞれ光検
出器を設けてなることを特徴とする集積型光ピックアッ
プである。
すなわち、この発明は半導体レーザからのレーザ光を光
デイスク面上に集光するためのモードインデックスレン
ズを光導波路上に形成することによって、レーザ光の絶
対波長が変動しても光デイスク上のピットに最適な形状
のスポット径を有するビームを正確に照射できるように
し、厳密なレーザ光の絶対波長の制ａｌ不要にしようと
するものである。
デイスク面上に集光するためのモードインデックスレン
ズを光導波路上に形成することによって、レーザ光の絶
対波長が変動しても光デイスク上のピットに最適な形状
のスポット径を有するビームを正確に照射できるように
し、厳密なレーザ光の絶対波長の制ａｌ不要にしようと
するものである。
本発明において、ビームスプリッタは、光ディスク面で
反射されて再度モードインデックスレンズを通ったレー
ザ光を方向変換する。回折格子は、上記ビームスプリッ
タで方向変換されたレーザ光を２つの光に分割する機能
を有する。光検出器は、上記回折格子により２分割され
たレーザ光をそれぞれ入力するよう配設される。
反射されて再度モードインデックスレンズを通ったレー
ザ光を方向変換する。回折格子は、上記ビームスプリッ
タで方向変換されたレーザ光を２つの光に分割する機能
を有する。光検出器は、上記回折格子により２分割され
たレーザ光をそれぞれ入力するよう配設される。
〈実施例〉
第１図は本発明の１実施例を示す集積型光ピックアップ
装置の構成図である。また第２図は第１図におけるＡ−
Ａ断面図、第３図は第１図におけるＢ−Ｂ断面図、第４
図は第１図におけるＣ−Ｃ断面図、である。
装置の構成図である。また第２図は第１図におけるＡ−
Ａ断面図、第３図は第１図におけるＢ−Ｂ断面図、第４
図は第１図におけるＣ−Ｃ断面図、である。
本実施例の集積型光ピックアップは主な基本構成トシて
ビームスプリッタ１、モードインデックスレンズとして
ルネプルグレンズ２、回折格子（グレーティング）３．
２つの第１および第２光検出器４および５、半導体レー
ザ７を具備して構成される。
ビームスプリッタ１、モードインデックスレンズとして
ルネプルグレンズ２、回折格子（グレーティング）３．
２つの第１および第２光検出器４および５、半導体レー
ザ７を具備して構成される。
ピックアップデバイスを作製するには、まず、ガラス基
板２０上の全面にＳｉ３Ｎ４膜を１μｍ、 Ｎさで蒸着
し、光導波路６を形成する。ビームスフ。
板２０上の全面にＳｉ３Ｎ４膜を１μｍ、 Ｎさで蒸着
し、光導波路６を形成する。ビームスフ。
リッタ１は第２図に示すように、幅ｄ＝１間、長さ１．
５Ｈで通常のホ） ＩＪソゲラフで光導波路６をメサエ
ッチして除去することにより、凹部を形成する。この透
過型ビームスプリッタ１は凹部の界面で光を反射するも
のであるが、これに限らず、他のビームスプリッタでも
可能である。
５Ｈで通常のホ） ＩＪソゲラフで光導波路６をメサエ
ッチして除去することにより、凹部を形成する。この透
過型ビームスプリッタ１は凹部の界面で光を反射するも
のであるが、これに限らず、他のビームスプリッタでも
可能である。
次に第１、第２光検出器４，５を形成するため第４図に
示すように、光導波路６上にＰ側電極１０として窓を有
する電極、あるいは透明＠極を形成する。この電極１０
はＡＪ又はＩＴＯ膜からなる。
示すように、光導波路６上にＰ側電極１０として窓を有
する電極、あるいは透明＠極を形成する。この電極１０
はＡＪ又はＩＴＯ膜からなる。
そして、この電極１０の上へ化学的気相堆積（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ）法
により順にＰ型、Ｎ型のポリシリコンをそれぞれ２μｍ
厚ずつ成長させる。次いで、電極１１を形成する。この
＠極１１はＡ６からなる。そして、このＰ型、Ｎ型のポ
リシリコン層を通常のホトリソグラフ法によりエツチン
グし、５００μｍ角の大きさのＰ−Ｎ接合部分だけを残
してこれを第１、第２光検出器４，５とする。この両光
検出器４および５をそれぞれ構成する１対のフォトダイ
オード素子４ ａ。
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ）法
により順にＰ型、Ｎ型のポリシリコンをそれぞれ２μｍ
厚ずつ成長させる。次いで、電極１１を形成する。この
＠極１１はＡ６からなる。そして、このＰ型、Ｎ型のポ
リシリコン層を通常のホトリソグラフ法によりエツチン
グし、５００μｍ角の大きさのＰ−Ｎ接合部分だけを残
してこれを第１、第２光検出器４，５とする。この両光
検出器４および５をそれぞれ構成する１対のフォトダイ
オード素子４ ａ。
４ｂおよび１対のフォトダイオード素子５ ａ 、５ｂ
ばそれぞれ２分割されてなりフォトダイオード間の間隔
は１０μｍである。
ばそれぞれ２分割されてなりフォトダイオード間の間隔
は１０μｍである。
次に、光導波路６上にＡＳ２Ｓ３（硫化ひ素）をシャド
ウマスク法で蒸着し、嬉２図に示すような半球状の断面
を持つルネグルグレンズ２を形成する。このレンズの中
心の厚さは１１１ｍで直径りは１．５ｆｆ、焦点距離は
３朋である。この除、ルネプルグレンズ２は光源である
半導体レーザ７との距離Ｈが３．Ｏｆｆに設定されて配
設される。このレンズはルネブルグレンズ２に限らず、
Ｔｉ（チタン）を半球状に拡赦して形成するジオデシッ
クレンズなど他のモードインデックスレンズでもよい。
ウマスク法で蒸着し、嬉２図に示すような半球状の断面
を持つルネグルグレンズ２を形成する。このレンズの中
心の厚さは１１１ｍで直径りは１．５ｆｆ、焦点距離は
３朋である。この除、ルネプルグレンズ２は光源である
半導体レーザ７との距離Ｈが３．Ｏｆｆに設定されて配
設される。このレンズはルネブルグレンズ２に限らず、
Ｔｉ（チタン）を半球状に拡赦して形成するジオデシッ
クレンズなど他のモードインデックスレンズでもよい。
次に、回折格子（グレーティング）３を形成するため、
Ａｓ２Ｓ３ Ｔｈ１μｍ蒸着する。次いで干渉露光法に
より、第３図に示すようなピッチ４μｍを有して配設さ
れたピットからなる透過型グレーティングを形成する。
Ａｓ２Ｓ３ Ｔｈ１μｍ蒸着する。次いで干渉露光法に
より、第３図に示すようなピッチ４μｍを有して配設さ
れたピットからなる透過型グレーティングを形成する。
幅りは２０μｍである。回折格子としては、この透過型
グレーティングの代わりに他のビームスプリッタでも構
成可能である。
グレーティングの代わりに他のビームスプリッタでも構
成可能である。
このようにしてピックアップデバイスが作製される。
以上の構成のピックアップデバイスに半導体レーザ７を
固定して、光ディスク９のトランク方向および光軸方向
に移動可能な台（図示せず）に搭載し、光ディスク９の
主面に対して直角にこのピックアップデバイスを配置す
る。この際、半導体レーザ７とルネブルグレンズ２との
距離Ｈは３．０鱈に設定されている。
固定して、光ディスク９のトランク方向および光軸方向
に移動可能な台（図示せず）に搭載し、光ディスク９の
主面に対して直角にこのピックアップデバイスを配置す
る。この際、半導体レーザ７とルネブルグレンズ２との
距離Ｈは３．０鱈に設定されている。
次に、このピックアップにおけるレーザ光の進路につい
て説明する。まず、半導体レーザ７から出射された波長
０．７８μｍのレーザ光は光導波路６へ入射される。そ
して、レーザ光はビームスプリッタ１を通過した後に、
ルネプルグレンズ２に入射する。その後、レーザ光は光
ディスク９のピット情報を読み出してルネブルグレンズ
２からビームスプリッタ１へと戻シ、グレーティング３
に入射する。そして、レーザ光はグレーティング３によ
って２分割され、一方の光は第１光検出器４に入射して
焦点サーボ信号が得られ、他方の１次回折光は他方の第
２光検出器５に入射してトラッキング信号を発生させる
。
て説明する。まず、半導体レーザ７から出射された波長
０．７８μｍのレーザ光は光導波路６へ入射される。そ
して、レーザ光はビームスプリッタ１を通過した後に、
ルネプルグレンズ２に入射する。その後、レーザ光は光
ディスク９のピット情報を読み出してルネブルグレンズ
２からビームスプリッタ１へと戻シ、グレーティング３
に入射する。そして、レーザ光はグレーティング３によ
って２分割され、一方の光は第１光検出器４に入射して
焦点サーボ信号が得られ、他方の１次回折光は他方の第
２光検出器５に入射してトラッキング信号を発生させる
。
このように本実施例によれば、半導体レーザ７からのレ
ーザ光を光ディスク９面上に集光する際に、その集光が
ルネブルグレンズによってなされているため、レーザ光
の絶対波長が変動しても、従来のように集光特性がレー
ザ光の波長に依存することはなく、光ディスクのピット
に最適な形状のスポット径を正確に照射でき、厳密なレ
ーザ光の絶対波長の制御が不必要になる。−また、グレ
ーティングを用いた焦魚サーボ信号検出方法では、電気
的方法によって、光検出器の零点補正が可能であり、レ
ーザ光の絶対波長が変動しても、焦点サーボ信号の検出
は可能である。上記実施例において基板２０としては、
ガラスやＳｉ等が用いられ、大きさは例えば縦５Ｍ、横
３鱈、局さ１朋のものが挙げられる。ｌた光導波路とし
ては、ＧａＡｊｌ’ＡｓやＧａ Ｉ ｎＡ６Ｐ等からな
る半導体層、あるいはＳｉ３Ｎ４やＳｉ０２等からなる
絶縁体層が挙げられ、具体的には例えばＳｉ３Ｎ４の膜
厚は０．５μｒｒＬ〜２゜０μｍが好箇しぐ１μｍがよ
り好ブしｒ０基板２０の外側には半導体レーザ７、レー
ザ光の光路の対向空間には光ディスク９がその主光ディ
スク９としてはピット深さが１．０．１５８μ展モード
インデツクスレンズ２がそれぞれ光導波路内および光導
波路上に介設されるが、このビームスプリッタ１として
は、例えばＳｉ３Ｎ、膜からなる光導波路をホトリソグ
ラフによりメサエッチして除去することによって幅１ｆ
ｌ、厚さ１μｍ、長さ１．５Ｈに形成される透過型ビー
ムスプリッタが用いられる。他に回折格子型ビームスブ
リットも適用可能である。モードインデックスレンズ２
としては、ルネブルグレンズやジオデシックレンズ等が
挙げられる。前者のルネプルグレンズは、例えば、Ｓｉ
ａＮ４からなる光導波路上にＡｓ２Ｓ３を蒸着して形成
され、中心の厚さが１μｍで、直径が１．５ｆｆである
。また、後者のジオデシックレンズは例えばＴｉを半球
状に拡散して光導波路上に凹みを設けた状態にて形成さ
れる。
ーザ光を光ディスク９面上に集光する際に、その集光が
ルネブルグレンズによってなされているため、レーザ光
の絶対波長が変動しても、従来のように集光特性がレー
ザ光の波長に依存することはなく、光ディスクのピット
に最適な形状のスポット径を正確に照射でき、厳密なレ
ーザ光の絶対波長の制御が不必要になる。−また、グレ
ーティングを用いた焦魚サーボ信号検出方法では、電気
的方法によって、光検出器の零点補正が可能であり、レ
ーザ光の絶対波長が変動しても、焦点サーボ信号の検出
は可能である。上記実施例において基板２０としては、
ガラスやＳｉ等が用いられ、大きさは例えば縦５Ｍ、横
３鱈、局さ１朋のものが挙げられる。ｌた光導波路とし
ては、ＧａＡｊｌ’ＡｓやＧａ Ｉ ｎＡ６Ｐ等からな
る半導体層、あるいはＳｉ３Ｎ４やＳｉ０２等からなる
絶縁体層が挙げられ、具体的には例えばＳｉ３Ｎ４の膜
厚は０．５μｒｒＬ〜２゜０μｍが好箇しぐ１μｍがよ
り好ブしｒ０基板２０の外側には半導体レーザ７、レー
ザ光の光路の対向空間には光ディスク９がその主光ディ
スク９としてはピット深さが１．０．１５８μ展モード
インデツクスレンズ２がそれぞれ光導波路内および光導
波路上に介設されるが、このビームスプリッタ１として
は、例えばＳｉ３Ｎ、膜からなる光導波路をホトリソグ
ラフによりメサエッチして除去することによって幅１ｆ
ｌ、厚さ１μｍ、長さ１．５Ｈに形成される透過型ビー
ムスプリッタが用いられる。他に回折格子型ビームスブ
リットも適用可能である。モードインデックスレンズ２
としては、ルネブルグレンズやジオデシックレンズ等が
挙げられる。前者のルネプルグレンズは、例えば、Ｓｉ
ａＮ４からなる光導波路上にＡｓ２Ｓ３を蒸着して形成
され、中心の厚さが１μｍで、直径が１．５ｆｆである
。また、後者のジオデシックレンズは例えばＴｉを半球
状に拡散して光導波路上に凹みを設けた状態にて形成さ
れる。
回折格子としては、例えば光導波路上に形成された透過
型グレーティングが挙げられる。この透過型グレーティ
ングはＳｉ３Ｎ、膜からなる光導波路上にＡｓ、、Ｓ３
を蒸着し、その後、干渉露光法によシ幅２０μｍで、ピ
ッチ４μｍにて配設されたピットから構成される。
型グレーティングが挙げられる。この透過型グレーティ
ングはＳｉ３Ｎ、膜からなる光導波路上にＡｓ、、Ｓ３
を蒸着し、その後、干渉露光法によシ幅２０μｍで、ピ
ッチ４μｍにて配設されたピットから構成される。
光検出器４．５は、光ディスク９から焦点サーボ信号を
検出する第１光検出器４およびトラッキング信号を検出
する第２光検出器５とからなり、第２光検出器５は回折
格子３によって２分割されたレーザ光のうち１次回折光
を入射するよう配設される。具体的には、光検出器は前
述した如くＳｉ３Ｎｎ膜からなる光導波路上に形成され
たフォトダイオードからなフ、第１および第２光検出器
はそれぞれ２個のフォトダイオードから構成され、各１
対のフォトダイオードは間隔１０μｒｒＬを有して２分
割されてなる。
検出する第１光検出器４およびトラッキング信号を検出
する第２光検出器５とからなり、第２光検出器５は回折
格子３によって２分割されたレーザ光のうち１次回折光
を入射するよう配設される。具体的には、光検出器は前
述した如くＳｉ３Ｎｎ膜からなる光導波路上に形成され
たフォトダイオードからなフ、第１および第２光検出器
はそれぞれ２個のフォトダイオードから構成され、各１
対のフォトダイオードは間隔１０μｒｒＬを有して２分
割されてなる。
尚、本実施例においては、モードインデックスレンズ２
を光ディスク９のトラック方向および光軸方向に駆動す
る光ピックアップ駆動手段を更に備えており、ピックア
ップデバイスは光ディスク９の主面に対して直角に配設
される。焦点距離３３、ＯＨの間隔！有して配設され、
光ディスク面上に１μｍのヌポット径を集光するもので
ある。
を光ディスク９のトラック方向および光軸方向に駆動す
る光ピックアップ駆動手段を更に備えており、ピックア
ップデバイスは光ディスク９の主面に対して直角に配設
される。焦点距離３３、ＯＨの間隔！有して配設され、
光ディスク面上に１μｍのヌポット径を集光するもので
ある。
〈発明の効果〉
本発明によれば、集光がルネプルグレンズによってなさ
れたるため、厳密な絶対波長の制細か不必要になる。ま
たグレーディングを用いたサーボ官号検出方法では、電
気的方法によって光検出器の零点補正が可能であり、絶
対波長が変動しても、サーボ信号の検出は可能である。
れたるため、厳密な絶対波長の制細か不必要になる。ま
たグレーディングを用いたサーボ官号検出方法では、電
気的方法によって光検出器の零点補正が可能であり、絶
対波長が変動しても、サーボ信号の検出は可能である。
第１図は本発明の一実施例を示す集積型光ピックアップ
の構成説明図である。第２図、第３図、第４図はそれぞ
れ第１図の断面図である。 ｌ・・・ビームスプリッタ、 ２・・・ルネプルグレン
ズ、 ３・・・グレーディング（回折格子）、４．５・
・・光検出器、 ６・・・光導波路、 ７・・・半導体
レーザ、 ８・・・レーザ光、 ９・・・光ディスク。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第２図 第３凶 第４図
の構成説明図である。第２図、第３図、第４図はそれぞ
れ第１図の断面図である。 ｌ・・・ビームスプリッタ、 ２・・・ルネプルグレン
ズ、 ３・・・グレーディング（回折格子）、４．５・
・・光検出器、 ６・・・光導波路、 ７・・・半導体
レーザ、 ８・・・レーザ光、 ９・・・光ディスク。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第２図 第３凶 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に半導体層もしくは絶縁体層からなる光導波
路が形成され、該光導波路の両端位置に半導体レーザと
光ディスクが配設され、該半導体レーザからのレーザ光
によって前記光導波路に即して形成される光路に、前記
半導体レーザ側から順次ビームスプリッタとモードイン
デックスレンズが設けられ、前記光ディスクで反射され
た後、前記ビームスプリッタで方向変換される前記半導
体レーザのレーザ光によって前記光導波路に形成される
光路に回折格子が設けられ、該回折格子で２分割される
レーザ光によって前記光導波路に形成される光路にそれ
ぞれ光検出器が配設されていることを特徴とする集積型
光ピックアップ装置。 ２、モードインデックスレンズがルネブルグレンズであ
る特許請求の範囲第１項記載の集積型光ピックアップ装
置。 ３、モードインデックスレンズが光導波路上に凹みを設
けてなるジオデシックレンズである特許請求の範囲第１
項記載の集積型光ピックアップ装置。 ４、基板がガラスで、導波路が基板上に蒸着されたＳｉ
＿３Ｎ＿４膜である特許請求の範囲第１項記載の集積型
光ピックアップ装置。 ５、Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜が１μｍの厚みを有する特許請求
の範囲第４項記載の集積型光ピックアップ装置。 ６、ルネブルグレンズがＳｉ＿３Ｎ＿４からなる光導波
路上にＡｓ＿２Ｓ＿３膜を蒸着して形成されている特許
請求の範囲第２項記載の集積型光ピックアップ装置。 ７、ルネブルグレンズは中心の厚さが１μｍで、直径が
１．５ｍｍのものからなり、かつ焦点距離は３ｍｍで、
前記半導体レーザとは３．０ｍｍの間隔を有して配設さ
れ、前記光ディスク上に１μｍのスポット径を集光する
ものである特許請求の範囲第２項又は第６項記載の集積
型光ピックアップ装置。 ８、ジオデシックレンズはチタンを半球状に拡散して形
成されたものである特許請求の範囲第３項記載の集積型
光ピックアップ装置。 ９、ビームスプリッタが光導波路に形成された凹部から
なる特許請求の範囲第１項記載の集積型光ピックアップ
装置。 １０、ビームスプリッタはＳｉ＿３Ｎ＿４膜からなる光
導波路をホトリソグラフによりメサエツチして除去する
ことによって形成されてなる特許請求の範囲第１項記載
の集積型光ピックアップ装置。 １１、回折格子は光導波路に形成された透過型回折格子
である特許請求の範囲第１項記載の集積型光ピックアッ
プ装置。 １２、回折格子はＳｉ＿３Ｎ＿４膜からなる光導波路に
Ａｓ＿２Ｓ＿３を蒸着した後、干渉露光法で成形されて
なる特許請求の範囲第１１項記載の集積型光ピックアッ
プ装置。 １３、光検出器は、光ディスクから焦点サーボ信号を検
出する第１光検出器およびトラッキング信号を検出する
第２光検出器からなる特許請求の範囲第１項記載の集積
型光ピックアップ装置。 １４、第２光検出器は、回折格子によって２分割された
レーザ光のうち１次回折光を入射するように配設されて
いる特許請求の範囲第１３項記載の集積型光ピックアッ
プ装置。 １５、光検出器は光導波路に形成されたフォトダイオー
ドからなる特許請求の範囲第１項記載の集積型光ピック
アップ装置。 １６、第１および第２光検出器はそれぞれ２個１対のフ
ォトダイオードから構成され、各１対のフォトダイオー
ドは間隔１０μｍを有して分割されてなる特許請求の範
囲第１５項記載の集積型光ピックアップ装置。 １７、回折格子は幅２０μｍでピッチ４μｍにて配設さ
れたピットからなる特許請求の範囲第１１項記載の集積
型光ピックアップ装置。 １８、モードインデックスレンズを光ディスクのトラッ
クを横切る方向および光軸方向に駆動制御する光ピック
アップ駆動手段を備えてなる特許請求の範囲第１項記載
の集積型光ピックアップ装置。 １９、半導体レーザはＧａＡｌＡｓ系、ＩｎＧａＡｌＰ
系又はＩｎＧａＡｓＰ系である特許請求の範囲第１項記
載の集積型光ピックアップ装置。
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