JPS6192439A - 光学式情報記録再生装置 - Google Patents
光学式情報記録再生装置Info
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- JPS6192439A JPS6192439A JP59213801A JP21380184A JPS6192439A JP S6192439 A JPS6192439 A JP S6192439A JP 59213801 A JP59213801 A JP 59213801A JP 21380184 A JP21380184 A JP 21380184A JP S6192439 A JPS6192439 A JP S6192439A
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- JP
- Japan
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- luminous flux
- light
- optical
- condensing
- becomes
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、情報の記録されたディスクから光学的に情
報を再生したシ、ディスクに光学的に情報を記録再生す
る光学式情報記録再生装置に関するもので、特にその自
動焦点調整轡構に関するものである。
報を再生したシ、ディスクに光学的に情報を記録再生す
る光学式情報記録再生装置に関するもので、特にその自
動焦点調整轡構に関するものである。
第４図（ａ） 、 （ｂ）は例えばＰ’ｒｘ ｉ ｌ
ｉ ｐ８ Ｔｅ Ｑｈ ｎ ｉ Ｑ ａ ｌ ＲＢＶｉ
ｅｗ。
ｉ ｐ８ Ｔｅ Ｑｈ ｎ ｉ Ｑ ａ ｌ ＲＢＶｉ
ｅｗ。
Ｖｏｌｕｍｅ ４０．１９８２． Ｎｏ、６ ｐｉｓｏ
に記載された従来の代表的な光学式情報再生装置を
示す構成図であり、第５図ないし第８図はこの従来装置
の動作原理を説明するための説明図である。第４図にお
いて、（１）は半導体レーザ、（２）は半導体レーザ（
１）よυ′出射された光束、（３）はその反射面（４Ｊ
により照射光束（５）と反射光束（６）を分離するビー
ムスプリッタ、（７ンは、ｑ６射光束（５）を平行光束
（８）にするコリメートレンズ、（９）は平行光束（８
）をディスク叫上の情報面（ロ）に光スポット叩）とし
て集光する対物レンズ、ｏ３）は情報面０１）上に作ら
れた情報単位を成すピットで、例えば、幅０．４〜０．
５μｍ、長さ数μｍで、その深さは０．１μｍ程度であ
る。０４）はピッ） （ＩＢＪが直列に並んでいる情報
トラック、Ｑ５）は対物レンズ（９）を対物レンズの焦
点位置からの情報面Ｃ１１）のずれ量を°示す信号（以
下フォーカスずれ信号と呼称する）によりＹ方向に動か
し対物レンズの焦点位置に絶えず情報面α℃がくる（以
下合焦状態と呼称する）ように制御するフォーカシング
アクチュエータ、（１６）は反射光束（６）を２つの光
束０７）とμｓ）に分けるウェッジプリズム、α偵は２
つの光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）よりなる光検知
器で、（１９ａ）、 （１９ｂ）はそれぞれ２つの素子
Ｄ工とＤ２１ Ｄ３ とＤ４よりｍ成され、Ｄ工とＤ２
及びＤ３とＤ４の間隔は５〜１０μｍである。またＡ工
＋ Ａ２＋ Ａ５＋ Ａ４はそれぞれ光検知器α９の４
つの素子Ｄ工ｌ Ｄ２１ Ｄ３１ Ｄ＆の出力である。
に記載された従来の代表的な光学式情報再生装置を
示す構成図であり、第５図ないし第８図はこの従来装置
の動作原理を説明するための説明図である。第４図にお
いて、（１）は半導体レーザ、（２）は半導体レーザ（
１）よυ′出射された光束、（３）はその反射面（４Ｊ
により照射光束（５）と反射光束（６）を分離するビー
ムスプリッタ、（７ンは、ｑ６射光束（５）を平行光束
（８）にするコリメートレンズ、（９）は平行光束（８
）をディスク叫上の情報面（ロ）に光スポット叩）とし
て集光する対物レンズ、ｏ３）は情報面０１）上に作ら
れた情報単位を成すピットで、例えば、幅０．４〜０．
５μｍ、長さ数μｍで、その深さは０．１μｍ程度であ
る。０４）はピッ） （ＩＢＪが直列に並んでいる情報
トラック、Ｑ５）は対物レンズ（９）を対物レンズの焦
点位置からの情報面Ｃ１１）のずれ量を°示す信号（以
下フォーカスずれ信号と呼称する）によりＹ方向に動か
し対物レンズの焦点位置に絶えず情報面α℃がくる（以
下合焦状態と呼称する）ように制御するフォーカシング
アクチュエータ、（１６）は反射光束（６）を２つの光
束０７）とμｓ）に分けるウェッジプリズム、α偵は２
つの光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）よりなる光検知
器で、（１９ａ）、 （１９ｂ）はそれぞれ２つの素子
Ｄ工とＤ２１ Ｄ３ とＤ４よりｍ成され、Ｄ工とＤ２
及びＤ３とＤ４の間隔は５〜１０μｍである。またＡ工
＋ Ａ２＋ Ａ５＋ Ａ４はそれぞれ光検知器α９の４
つの素子Ｄ工ｌ Ｄ２１ Ｄ３１ Ｄ＆の出力である。
しかして、■は上記出力値からへ〇−ｈ２ｆ演算する差
動増幅器、嬶）は同じ＜ Ａ４−Ａ３を演算する差動増
幅器、舛）は差動増幅器（イ））と（２１１の出力を加
算することによりフォーカスずれ１ぎ号（Ａ□＋Ａ４）
−（Ａ２＋Ａ、）を出力する加算器、Ｓｆは加算器−）
の出力であるフォーカスずれ量に比例した信号で、この
信号によってフォーカシングアクチュエータμｓ）は制
御され、む１報面（１１）が絶えず対物レンズ（９）の
合焦位置にあるよう制御される。（転））はＡ工＋Ａ２
を演算する加算器、い１骨よＡ３＋Ａ、を演シーする加
算器、防）は加算器Ｅｅｌ、Ｇｚ１１１の出力を差動増
幅することにより情報トラック（１４，１と光スポット
（１２１のずれ量を示す信号（以下トラックずれ信号と
呼称する） （Ａ□＋Ａ２）−（Ａ３＋Ａ４）を出力す
る差動増幅器、（２６１は再生元学系全体をＸ方向に動
かすトラッキングアクチュエータ、Ｓ、は差動増幅器回
の出力であるトラックずれ信号で、これによりトラッキ
ングアクチュエータ嘆）を制御し、ＩＲ報トラックＣｌ
４）上に元スポット（１２１が絶えず照射されるように
する０また、頃）は加算器幽１． （２引の出力を加算
する加算器で、その出力Ｓ１はディスクσ０）の情報を
再生した電気信号であり、Ｓｌを情報処理することによ
って目的とするＴＶ信号、オーディオ信号等を得ること
ができる。そして１２８）はディスク１ｉＯ）を回転さ
せるモータ、剛は上記各信号Ｓｆ、Ｓ、、日１を得るた
めの電子回路を示す。
動増幅器、嬶）は同じ＜ Ａ４−Ａ３を演算する差動増
幅器、舛）は差動増幅器（イ））と（２１１の出力を加
算することによりフォーカスずれ１ぎ号（Ａ□＋Ａ４）
−（Ａ２＋Ａ、）を出力する加算器、Ｓｆは加算器−）
の出力であるフォーカスずれ量に比例した信号で、この
信号によってフォーカシングアクチュエータμｓ）は制
御され、む１報面（１１）が絶えず対物レンズ（９）の
合焦位置にあるよう制御される。（転））はＡ工＋Ａ２
を演算する加算器、い１骨よＡ３＋Ａ、を演シーする加
算器、防）は加算器Ｅｅｌ、Ｇｚ１１１の出力を差動増
幅することにより情報トラック（１４，１と光スポット
（１２１のずれ量を示す信号（以下トラックずれ信号と
呼称する） （Ａ□＋Ａ２）−（Ａ３＋Ａ４）を出力す
る差動増幅器、（２６１は再生元学系全体をＸ方向に動
かすトラッキングアクチュエータ、Ｓ、は差動増幅器回
の出力であるトラックずれ信号で、これによりトラッキ
ングアクチュエータ嘆）を制御し、ＩＲ報トラックＣｌ
４）上に元スポット（１２１が絶えず照射されるように
する０また、頃）は加算器幽１． （２引の出力を加算
する加算器で、その出力Ｓ１はディスクσ０）の情報を
再生した電気信号であり、Ｓｌを情報処理することによ
って目的とするＴＶ信号、オーディオ信号等を得ること
ができる。そして１２８）はディスク１ｉＯ）を回転さ
せるモータ、剛は上記各信号Ｓｆ、Ｓ、、日１を得るた
めの電子回路を示す。
次に動作について説明する。半導体レーザ（１）の出射
光束（２）は対物レンズ（９）によりディスク１１０）
上の情報トラック０４）に集光される。また、情報トラ
ックＣｌ４１上の情報を読み取った反射光は、再び対物
レンズ（９）により平行光束にされ、コリメートレンズ
（γ）により収束する反射光束（６ンになり、ウェッジ
プリズムα６）により２つの光束（１７） 、μｓ）に
分けられる。
光束（２）は対物レンズ（９）によりディスク１１０）
上の情報トラック０４）に集光される。また、情報トラ
ックＣｌ４１上の情報を読み取った反射光は、再び対物
レンズ（９）により平行光束にされ、コリメートレンズ
（γ）により収束する反射光束（６ンになり、ウェッジ
プリズムα６）により２つの光束（１７） 、μｓ）に
分けられる。
しかして、光束（５）と（１８）の集光点には、それぞ
れ２分割された光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）が置
かれており、光検知器（１９ａ）、 （１９１：＋）の
出力に基いて信号Ｓｆ。
れ２分割された光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）が置
かれており、光検知器（１９ａ）、 （１９１：＋）の
出力に基いて信号Ｓｆ。
Ｓ、、Ｓｉを得ることができ、補正信号となるＳｆ。
Ｓｔによりそれぞれフォーカシングアクチュエータμｓ
）、トラッキングアクチュエータ■１を制御し、フォー
カスずれ、トラックずれを補正することができる。
）、トラッキングアクチュエータ■１を制御し、フォー
カスずれ、トラックずれを補正することができる。
すなわち、ディスク（１０）はモータｔ２８）により回
転しており、ディスクのそれ等により回転に伴なってＹ
方向への位置ずれを生じる（代表的には３００〜５００
μｍの位１ｉ’ｔ’、ずれを生じる）。一方、対物レン
ズ（９）によシ集光された光スポラ） （１２１は１〜
２μｍの大きさで、その焦点深度も１〜２μｍのオーダ
ーであるので、このままではディスク回転により焦点ず
れが生じることになり、これらフォーカス及びトラック
ずれは以下の方法によって補正される。
転しており、ディスクのそれ等により回転に伴なってＹ
方向への位置ずれを生じる（代表的には３００〜５００
μｍの位１ｉ’ｔ’、ずれを生じる）。一方、対物レン
ズ（９）によシ集光された光スポラ） （１２１は１〜
２μｍの大きさで、その焦点深度も１〜２μｍのオーダ
ーであるので、このままではディスク回転により焦点ず
れが生じることになり、これらフォーカス及びトラック
ずれは以下の方法によって補正される。
第５図は対物レンズ（９）の焦点付近において、ディス
ク叫の情報面（１１１が合焦位置にある場合（第５図（
ｂ））、及び合焦位置より前後にずれた場合（第５図（
−）と（Ｃ）’）の光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）
上光束を示す。ここで、ディスク（１０）の情報面α刀
が合焦点位置にある場合（以下合焦点状態と呼称する）
、反射光束集光点に置かれた検知器上光束は第５図（ｂ
）に示すようになり、そのとき光検知器（１９ａ）と（
ｉ９ｂ）は、Ｄ工とＤ２及びり、とＤ４に入射する光強
度が等しくなるように配置されている〇一方、ディスク
α０）の情報面（１１）が合焦位置より前後にずれた場
合、光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）上の光束は、第
５図（ａ）と（Ｃ）に示すようになる０従って加算器μ
）の出力Ｓ。
ク叫の情報面（１１１が合焦位置にある場合（第５図（
ｂ））、及び合焦位置より前後にずれた場合（第５図（
−）と（Ｃ）’）の光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）
上光束を示す。ここで、ディスク（１０）の情報面α刀
が合焦点位置にある場合（以下合焦点状態と呼称する）
、反射光束集光点に置かれた検知器上光束は第５図（ｂ
）に示すようになり、そのとき光検知器（１９ａ）と（
ｉ９ｂ）は、Ｄ工とＤ２及びり、とＤ４に入射する光強
度が等しくなるように配置されている〇一方、ディスク
α０）の情報面（１１）が合焦位置より前後にずれた場
合、光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）上の光束は、第
５図（ａ）と（Ｃ）に示すようになる０従って加算器μ
）の出力Ｓ。
は、フォーカスずれに対して第６図に示すようになり、
公知のように出力Ｓ、で７オーカシングアクチユエータ
□□□）を制御し、絶えず対物レンズの焦点ずれを補正
することができる。
公知のように出力Ｓ、で７オーカシングアクチユエータ
□□□）を制御し、絶えず対物レンズの焦点ずれを補正
することができる。
また、ディスフケ０）は通常回転中心とディスク中心が
取付誤差等により一致していないことが多く、そのため
回転によりトラックずれが生じる。第７図は対物レンズ
（９）の焦点付近の光スポラ） （１２１が情報トラッ
クα４）の中心上に、ｆ）る場合（第７図（ａ））と！
ずれた場合（第７図（ｂ）と（Ｃ））のウェッジプリズ
ム（１６）直後の反射光束光強度を示すもので、第７図
（ａ）のように情報トラック＜１４＋の中心に光スポッ
ト（旧が照射された場合（以下合トラック状態と呼称す
る）には、ウェッジプリズムαｔ＋）＠後の光束分亜は
２分割光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）と交差する左
右方向に対称となるが、第７図（ｂ）、（Ｃ）に示すよ
うに情報トラック（１４）の中心からずれた位置に元ス
ポット（１２１が照射された場合には、ウェッジプリズ
ム０６）直後の光束分布は左右方向に非対称で、かつ光
スポット化）の情報トラック０４）からのずれる方向に
より強くなる左右方向も異なる。従って、情報トランク
（１４）と光スポット（頂のずれ（以下トラックすれと
呼称する）により差動増幅器＠）の出力Ｓ、は第７図に
示すように変化するので、公知のようにこの出力Ｓ。
取付誤差等により一致していないことが多く、そのため
回転によりトラックずれが生じる。第７図は対物レンズ
（９）の焦点付近の光スポラ） （１２１が情報トラッ
クα４）の中心上に、ｆ）る場合（第７図（ａ））と！
ずれた場合（第７図（ｂ）と（Ｃ））のウェッジプリズ
ム（１６）直後の反射光束光強度を示すもので、第７図
（ａ）のように情報トラック＜１４＋の中心に光スポッ
ト（旧が照射された場合（以下合トラック状態と呼称す
る）には、ウェッジプリズムαｔ＋）＠後の光束分亜は
２分割光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）と交差する左
右方向に対称となるが、第７図（ｂ）、（Ｃ）に示すよ
うに情報トラック（１４）の中心からずれた位置に元ス
ポット（１２１が照射された場合には、ウェッジプリズ
ム０６）直後の光束分布は左右方向に非対称で、かつ光
スポット化）の情報トラック０４）からのずれる方向に
より強くなる左右方向も異なる。従って、情報トランク
（１４）と光スポット（頂のずれ（以下トラックすれと
呼称する）により差動増幅器＠）の出力Ｓ、は第７図に
示すように変化するので、公知のようにこの出力Ｓ。
でトラッキングアクチュエータ１２ＢＩを制御し、絶え
ず合トラック状態に光スポット（ｌａ ７＆：制御する
ことができる。
ず合トラック状態に光スポット（ｌａ ７＆：制御する
ことができる。
従来の光学式情報記録再生装置は以上のように構成され
ているので、集光、合焦検出、及びトラッキング検出な
どの機能を持たせるためには複数のレンズ等の光学部品
から成る光学系を必要とし、その光学系調整は容易では
ない等の問題点があった０ この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、光学部品点数を減らすとともに、小型、軽量
化、及び高信頼化できる光学式情報再生装置を得ること
を目的とする。
ているので、集光、合焦検出、及びトラッキング検出な
どの機能を持たせるためには複数のレンズ等の光学部品
から成る光学系を必要とし、その光学系調整は容易では
ない等の問題点があった０ この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、光学部品点数を減らすとともに、小型、軽量
化、及び高信頼化できる光学式情報再生装置を得ること
を目的とする。
この発明に係る光学式情報再生装置は、ＩＫＥＥＪｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ’
Ｗｓ、 ＱＦｌｉ−１７（１９８１）ｐ１２５７〜ｐ
１２６３に報告されているように光導波路上を伝搬する
導波光を回折格子にょシ回折させ外部の点に収束される
装置に半導体レーザ及びフォーカスセンサ、トラッキン
グセンサ等の信号検知を行なう光学素子等を同一基板上
にモノリンツクに、形成して組込んだものである。
ｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ’
Ｗｓ、 ＱＦｌｉ−１７（１９８１）ｐ１２５７〜ｐ
１２６３に報告されているように光導波路上を伝搬する
導波光を回折格子にょシ回折させ外部の点に収束される
装置に半導体レーザ及びフォーカスセンサ、トラッキン
グセンサ等の信号検知を行なう光学素子等を同一基板上
にモノリンツクに、形成して組込んだものである。
この発明においては、同一基板上に光学素子をモノリシ
ックに形成することにょジ、集光機構、信号検知機構、
フォーカスセンサ、及ヒトラッキングセンサを構成する
ことができるようにしたので、光学系調整がなくなると
ともに光学部品点数も大幅に減少する。
ックに形成することにょジ、集光機構、信号検知機構、
フォーカスセンサ、及ヒトラッキングセンサを構成する
ことができるようにしたので、光学系調整がなくなると
ともに光学部品点数も大幅に減少する。
以下、この発明の一実施例の構成を従来構成と同一部分
は同一符号を附して示す第１図（ａ） 、 （ｋｌにつ
いて説明する。図において、鴎はシリコン（Ｓｉ）基板
、間はシリコン基板上に形成された１〜２μｍ厚のＳｉ
Ｏ２膜、囮は５１０２膜上に形成された淳さ１〜２μｍ
の薄膜状の光導波路で、例えばコーニング社の１７０５
９ガラスで作成しており、半纏体レーザ（１）はその出
射光束が光導波路上に入射するよう結合されて、光導波
路中の光束は薄膜中を伝搬するようになっている。（６
））は光導波路中に注入された半導体レーザ（１）の拡
散光束、暦ノは拡散光束（６））を平行な光束四にする
厚さ１〜２μｍのＳｉＮ膜でなる格子状のコリメート素
子、知）はディスク叫への照射＾（とディスク叫の情報
を読み取った反射光束囮を分離する部さ１〜２μｍの５
ｉｌＪ膜でなる格子状のビームスプリット素子、１０）
は照射光束＋１ｒ１１を光スポット（彼に集光する厚さ
１〜２μｍのＳｉＮ膜でなるグレーティング型の集光素
子、ｗｏｒは反射光束１１８１を２光束に分けるととも
に別の点に集光するグレーティング型の光束分離集光素
子で厚さ１〜２μｍの８１Ｎ膜でできている。
は同一符号を附して示す第１図（ａ） 、 （ｋｌにつ
いて説明する。図において、鴎はシリコン（Ｓｉ）基板
、間はシリコン基板上に形成された１〜２μｍ厚のＳｉ
Ｏ２膜、囮は５１０２膜上に形成された淳さ１〜２μｍ
の薄膜状の光導波路で、例えばコーニング社の１７０５
９ガラスで作成しており、半纏体レーザ（１）はその出
射光束が光導波路上に入射するよう結合されて、光導波
路中の光束は薄膜中を伝搬するようになっている。（６
））は光導波路中に注入された半導体レーザ（１）の拡
散光束、暦ノは拡散光束（６））を平行な光束四にする
厚さ１〜２μｍのＳｉＮ膜でなる格子状のコリメート素
子、知）はディスク叫への照射＾（とディスク叫の情報
を読み取った反射光束囮を分離する部さ１〜２μｍの５
ｉｌＪ膜でなる格子状のビームスプリット素子、１０）
は照射光束＋１ｒ１１を光スポット（彼に集光する厚さ
１〜２μｍのＳｉＮ膜でなるグレーティング型の集光素
子、ｗｏｒは反射光束１１８１を２光束に分けるととも
に別の点に集光するグレーティング型の光束分離集光素
子で厚さ１〜２μｍの８１Ｎ膜でできている。
上記構成を備える光学式情報記録再生装置（（おいて、
半導体レーザ（１）の出射光は光導波路数１に拡散光東
側として出射され、該拡散光東側はコリメート素子温１
により平行光束ｆｉ５１になる。そして、この平行光束
１４６１はビームスプリット素子Ｍを透過し照射光束８
７＋となり、集光素子（ト）ノにより集光され光スポッ
ト（功になる。
半導体レーザ（１）の出射光は光導波路数１に拡散光東
側として出射され、該拡散光東側はコリメート素子温１
により平行光束ｆｉ５１になる。そして、この平行光束
１４６１はビームスプリット素子Ｍを透過し照射光束８
７＋となり、集光素子（ト）ノにより集光され光スポッ
ト（功になる。
しかして、情報面α℃の情報を読み取った反射光は再び
集光素子（ト））により光導波路に中を伝搬する平行光
束になり、ビームスプリット素子部）により光束（３）
）と分離され反射光束ｉｉ８＋となる。反射光束１！８
１は光束分離集光素子１５０１により収束する２つの光
束（５１ａ）、 （５１ｂ） Ｉ雰けられる。光束（ｓ
ｌａ）、 （５１ｂ）は光検知器（１９ａ）、 （１９
ｂ）に入射し、集光素子（ト））の焦点位置に情報面０
υがくる場合にちょうど光束（５１ａ）。
集光素子（ト））により光導波路に中を伝搬する平行光
束になり、ビームスプリット素子部）により光束（３）
）と分離され反射光束ｉｉ８＋となる。反射光束１！８
１は光束分離集光素子１５０１により収束する２つの光
束（５１ａ）、 （５１ｂ） Ｉ雰けられる。光束（ｓ
ｌａ）、 （５１ｂ）は光検知器（１９ａ）、 （１９
ｂ）に入射し、集光素子（ト））の焦点位置に情報面０
υがくる場合にちょうど光束（５１ａ）。
（５１ｂ）の集光位置に光検知器（１９ａ）、 （１９
ｂ） カ置かれており、光検知器入射光強度は検知素子
Ｄ□とＤ２及びＤ３とＤ４に入射する光強度が相等しい
ようになっている。
ｂ） カ置かれており、光検知器入射光強度は検知素子
Ｄ□とＤ２及びＤ３とＤ４に入射する光強度が相等しい
ようになっている。
そのとき光検知器上の光束は、集光素子（ト）フの合焦
位置からのずれに応じて、第２図（ａ）〜（ｃ）のよう
に光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）の分割線方向に押
しっぷされたような形状で変化する。すなわち（ａ）は
情報面が合焦位置より近づいた場合、（ｂ）は合焦位置
にある場合、（Ｃ）は合焦位置より遠ざかった場合をそ
れぞれ示す。従って従来装置の場合と同様に焦点ずれに
対する出力Ｂ、は第５図のように変化し、従来装置の場
合と同様に焦点制御を行なうことが可能となる。
位置からのずれに応じて、第２図（ａ）〜（ｃ）のよう
に光検知器（１９ａ）、 （１９ｂ）の分割線方向に押
しっぷされたような形状で変化する。すなわち（ａ）は
情報面が合焦位置より近づいた場合、（ｂ）は合焦位置
にある場合、（Ｃ）は合焦位置より遠ざかった場合をそ
れぞれ示す。従って従来装置の場合と同様に焦点ずれに
対する出力Ｂ、は第５図のように変化し、従来装置の場
合と同様に焦点制御を行なうことが可能となる。
また出力Ｓ工からは従来装置と類似の原理により、第８
図に示すセンサ特性を得ることができる。
図に示すセンサ特性を得ることができる。
なおコリメート素子１１４１、ビームスプリット素子部
、集光素子１１りｌ、及び光束分離集光素子１５０）は
、例えばガラスｔ’ｔａＯ上にＳｉＮの薄膜をＯＶ Ｄ
（ｃｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ）で形成し、フォトレジスト膜を塗布し、上記光
学素子の部分に７オトレジストが残るよう電子ビーム露
光し、プラズマエツチングにて光学素子部以外のＳｉＮ
膜をプラズマエツチングすれば作成することができる
。
、集光素子１１りｌ、及び光束分離集光素子１５０）は
、例えばガラスｔ’ｔａＯ上にＳｉＮの薄膜をＯＶ Ｄ
（ｃｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ ）で形成し、フォトレジスト膜を塗布し、上記光
学素子の部分に７オトレジストが残るよう電子ビーム露
光し、プラズマエツチングにて光学素子部以外のＳｉＮ
膜をプラズマエツチングすれば作成することができる
。
なお、上記実施例では、光検知器を薄膜当波路の端面に
配置する＋ｔｒｔ成としたが、第５図（ａ） 、 （１
）Ｊに示すように、ｎ型シリコン基板（叩上に不純物を
拡散することによりＰ層を形成しモノリシックに光検知
器（６］Ｊを形成しても良い。また、上記実施例では、
ディスク上の情報を再生する装置に適用した例を示した
が、例えばＴ ｅ ０２などを蒸着したディスク上の薄
膜に、記録情報信号で変調したハイパワー半導体レーザ
を照射し、情報の記録を行なう記録装置に適用しても良
い。
配置する＋ｔｒｔ成としたが、第５図（ａ） 、 （１
）Ｊに示すように、ｎ型シリコン基板（叩上に不純物を
拡散することによりＰ層を形成しモノリシックに光検知
器（６］Ｊを形成しても良い。また、上記実施例では、
ディスク上の情報を再生する装置に適用した例を示した
が、例えばＴ ｅ ０２などを蒸着したディスク上の薄
膜に、記録情報信号で変調したハイパワー半導体レーザ
を照射し、情報の記録を行なう記録装置に適用しても良
い。
以上のようにこの発明によれば、装置構成に複数の光学
部品を必要としなく、調整も不要となり、装置が安価に
でき、信頼性の高いものが得られる効果がある。
部品を必要としなく、調整も不要となり、装置が安価に
でき、信頼性の高いものが得られる効果がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はこの発明の一実施例による
光学式情報再生装置を示す構成図、第２図（ａ）〜（Ｃ
）はこの発明の光学式情報記録再生装置の合焦ずれ検出
原理を示す説明図、第６図（ａ） 、 （ｂ）はこの発
明の他の実施例を示す構成図、第４図（ａ）、（ｂ）は
従来の光学式情報再生装置を示す構成図、第５図（ａ）
〜（Ｃ）と第６図は従来装置の合焦ずれ検出原理を示す
説明図、第７図（ａ）〜（Ｃ）は従来装置のトラックず
れ検出（５）１は光導波路、（・お）は拡散光束、１１
４）はコリメート素子、（１５ｊは平行光束、（＋（Ｉ
Ｉはビームスプリット素子、ゆ１ｊは照射光束、ｆ１８
）は反射光束、は９）は集光素子、！５０１は光束分離
集光素子、（噛はｎ梨シリコン基板、ｔｏｏｋ。 （６１＆）、 （６１ｂ）は光検知器である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
光学式情報再生装置を示す構成図、第２図（ａ）〜（Ｃ
）はこの発明の光学式情報記録再生装置の合焦ずれ検出
原理を示す説明図、第６図（ａ） 、 （ｂ）はこの発
明の他の実施例を示す構成図、第４図（ａ）、（ｂ）は
従来の光学式情報再生装置を示す構成図、第５図（ａ）
〜（Ｃ）と第６図は従来装置の合焦ずれ検出原理を示す
説明図、第７図（ａ）〜（Ｃ）は従来装置のトラックず
れ検出（５）１は光導波路、（・お）は拡散光束、１１
４）はコリメート素子、（１５ｊは平行光束、（＋（Ｉ
Ｉはビームスプリット素子、ゆ１ｊは照射光束、ｆ１８
）は反射光束、は９）は集光素子、！５０１は光束分離
集光素子、（噛はｎ梨シリコン基板、ｔｏｏｋ。 （６１＆）、 （６１ｂ）は光検知器である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）シリコン基板上にＳｉＯ＿２膜を形成すると共に
、このＳｉＯ＿２膜上に薄膜状の光導波路を形成し、か
つ該薄膜状光導波路上に、半導体レーザからの拡散光束
を平行光束にする格子状のコリメート素子と、ディスク
への照射光とディスクの情報を読取った反射光束を分離
する格子状のビームスプリット素子と、照射光束を光ス
ポットに集光するグレーテイング型の集光素子と、ディ
スクからの反射光を第１と第２の収束光に集光する光束
分離集光素子とを極薄のＳｉＮ膜で形成し同一基板上に
モノリシックに形成して成り、上記第１と第２の収束光
の集光位置にそれぞれ２つの検知領域から成る第１と第
２の光検知器を備えたことを特徴とする光学式情報記録
再生装置。 - （２）上記光導波路をｎ型シリコン基板上に形成すると
ともに上記シリコン基板上にＰ型領域を形成することに
より上記光検知器をシリコン基板上にモノリシックに形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
学式情報記録再生装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213801A JP2507983B2 (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 光学式情報記録再生装置 |
| DE3546796A DE3546796C2 (ja) | 1984-10-01 | 1985-09-30 | |
| DE19853534776 DE3534776A1 (de) | 1984-10-01 | 1985-09-30 | Kopfanordnung fuer eine optische scheibe |
| US06/781,993 US4718052A (en) | 1984-10-01 | 1985-09-30 | Head assembly for optical disc |
| DE3546795A DE3546795C2 (ja) | 1984-10-01 | 1985-09-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213801A JP2507983B2 (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | 光学式情報記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192439A true JPS6192439A (ja) | 1986-05-10 |
| JP2507983B2 JP2507983B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=16645268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213801A Expired - Lifetime JP2507983B2 (ja) | 1984-10-01 | 1984-10-12 | 光学式情報記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2507983B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62283430A (ja) * | 1986-05-31 | 1987-12-09 | Sony Corp | 光学ヘツド |
| JPS63183636A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-07-29 | Hitachi Ltd | 薄膜光導波路型光ヘツド |
| JPH0210527A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Hitachi Ltd | 光集積回路 |
| JPH03125338A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘッド装置 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP59213801A patent/JP2507983B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62283430A (ja) * | 1986-05-31 | 1987-12-09 | Sony Corp | 光学ヘツド |
| JPS63183636A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-07-29 | Hitachi Ltd | 薄膜光導波路型光ヘツド |
| JPH0210527A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Hitachi Ltd | 光集積回路 |
| JPH03125338A (ja) * | 1989-10-11 | 1991-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘッド装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2507983B2 (ja) | 1996-06-19 |
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