JPH04146681A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH04146681A JPH04146681A JP2270737A JP27073790A JPH04146681A JP H04146681 A JPH04146681 A JP H04146681A JP 2270737 A JP2270737 A JP 2270737A JP 27073790 A JP27073790 A JP 27073790A JP H04146681 A JPH04146681 A JP H04146681A
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- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
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- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光通信に用いる可変波長光源、特にその様
な光源として利用できる半導体レーザ装置に関するもの
である。
な光源として利用できる半導体レーザ装置に関するもの
である。
従来、光通信用の可変波長光源としては、たとえば昭和
６３年電子情報通信学会春季全国大会論文集における村
上民地３氏による論文「外部グレーティングを用いた広
帯域波長可変・狭スペクトル光源の開発」に開示された
ような、外部共振器付可変波長半導体レーザ装置が提案
されている。
６３年電子情報通信学会春季全国大会論文集における村
上民地３氏による論文「外部グレーティングを用いた広
帯域波長可変・狭スペクトル光源の開発」に開示された
ような、外部共振器付可変波長半導体レーザ装置が提案
されている。
第２図は、その様な外部共振器付可変波長半導体レーザ
装置の基本的な構成を示す図であって、図中、１は半導
体レーザ素子、ａは半導体レーザ素子１の前端面より出
射した光束、ｂは半導体レーザ素子１の後端面より出射
した光束、２は光束すを平行光に変換するコリメートレ
ンズ、３は平行光に変換された光束を受けてこれを反射
させる回折格子、４は回折格子３を回転させて入射平行
光に対するその角度を変えるためのステッピングモータ
、Ｃは回折格子により生ずる回折光である。
装置の基本的な構成を示す図であって、図中、１は半導
体レーザ素子、ａは半導体レーザ素子１の前端面より出
射した光束、ｂは半導体レーザ素子１の後端面より出射
した光束、２は光束すを平行光に変換するコリメートレ
ンズ、３は平行光に変換された光束を受けてこれを反射
させる回折格子、４は回折格子３を回転させて入射平行
光に対するその角度を変えるためのステッピングモータ
、Ｃは回折格子により生ずる回折光である。
この装置の動作時に、半導体レーザ素子ｌの後端面から
出射した光束すは、半値全角にして約ｌＯ°〜４５°程
度の広がりを持った拡散光束としてコリメートレンズ２
に入射し、そこで光波面が変換されて平行光束となり、
回折格子３に入射する０回折格子３は、この平行光束の
入射に伴なって回折光を発生させる。周知の様に、回折
格子では、その格子ピッチ、光の波長、光の入射角およ
び出射角の間には一定の関係があり、回折光は入射光の
波長に応じて回折格子からの出射角を異にするので、上
記の格子ピッチ、光の入射角などの条件を適切に選定す
れば、相異なる波長をもつ複数の入射光の中から希望す
る波長の光を選択的に入射光と同一方向へ反射させるこ
とができる。従って、この原理を利用して、ステッピン
グモータ４により回折格子３を回転させることにより、
光束すの回折格子３に対する入射角を可変とすることで
、希望する任意波長の回折光Ｃを回折格子３で選択し入
射方向と同一方向に戻すことができる。選択された特定
波長をもつ戻された回折光Ｃはコリメートレンズ２を通
過することにより集中光束に変換され、半導体レーザ素
子１の後端面（すなわち光束すの出射面）に入射し、更
に無反射コーティングにより反射率が１％以下にされて
いるこの後端面を介して半導体レーザ素子１の共振器内
に入射する。回折光Ｃは、その波長が回折格子３により
特定値に選択されているので、共振器内ではこの選択さ
れた波長をもつ光が増幅されて単一波長の発振が起生じ
、半導体レーザ素子の前端面から出射する光束ａはその
選択された波長をもつものとなる。この波長は、前述の
原理に従って、ステッピングモータ４により回折格子３
を回転させ、この格子に対する光束すの入射角を変化さ
せることによって、選択的に変化させることができる。
出射した光束すは、半値全角にして約ｌＯ°〜４５°程
度の広がりを持った拡散光束としてコリメートレンズ２
に入射し、そこで光波面が変換されて平行光束となり、
回折格子３に入射する０回折格子３は、この平行光束の
入射に伴なって回折光を発生させる。周知の様に、回折
格子では、その格子ピッチ、光の波長、光の入射角およ
び出射角の間には一定の関係があり、回折光は入射光の
波長に応じて回折格子からの出射角を異にするので、上
記の格子ピッチ、光の入射角などの条件を適切に選定す
れば、相異なる波長をもつ複数の入射光の中から希望す
る波長の光を選択的に入射光と同一方向へ反射させるこ
とができる。従って、この原理を利用して、ステッピン
グモータ４により回折格子３を回転させることにより、
光束すの回折格子３に対する入射角を可変とすることで
、希望する任意波長の回折光Ｃを回折格子３で選択し入
射方向と同一方向に戻すことができる。選択された特定
波長をもつ戻された回折光Ｃはコリメートレンズ２を通
過することにより集中光束に変換され、半導体レーザ素
子１の後端面（すなわち光束すの出射面）に入射し、更
に無反射コーティングにより反射率が１％以下にされて
いるこの後端面を介して半導体レーザ素子１の共振器内
に入射する。回折光Ｃは、その波長が回折格子３により
特定値に選択されているので、共振器内ではこの選択さ
れた波長をもつ光が増幅されて単一波長の発振が起生じ
、半導体レーザ素子の前端面から出射する光束ａはその
選択された波長をもつものとなる。この波長は、前述の
原理に従って、ステッピングモータ４により回折格子３
を回転させ、この格子に対する光束すの入射角を変化さ
せることによって、選択的に変化させることができる。
従来の外部共振器付可変波長半導体レーザ装置は、以上
のように構成されているので、回折格子を回転させるた
めの、ステッピングモータ、動力伝達系を必要とし、し
かもそれらには高い精度が要求されるため、構造が複雑
化し、大型化すると共に高価になるなどの問題があった
。
のように構成されているので、回折格子を回転させるた
めの、ステッピングモータ、動力伝達系を必要とし、し
かもそれらには高い精度が要求されるため、構造が複雑
化し、大型化すると共に高価になるなどの問題があった
。
この発明は、上記の様な問題点を解決するために創案さ
れたものであって、半導体レーザ素子の発振波長を可変
とするための回折格子の機械的駆動系を省き、電気的に
制御可能として、装置全体の構造を簡単にしかも小型化
することを目的とするものである。
れたものであって、半導体レーザ素子の発振波長を可変
とするための回折格子の機械的駆動系を省き、電気的に
制御可能として、装置全体の構造を簡単にしかも小型化
することを目的とするものである。
この発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の後
端面からの出射光を導波層に導き、この導波層に形成さ
れている波面変換素子によって波面変換した後、光空間
変調素子を通過させることによりそこからの出射角を変
化させ、続いて回折格子に入射させて所要の回折作用を
与え、特定波長の回折光を再び上記光空間変調素子に戻
し、更に光波面変換素子を介してその光波面を変換して
半導体レーザ素子の後端面に入射させるように構成され
ている。
端面からの出射光を導波層に導き、この導波層に形成さ
れている波面変換素子によって波面変換した後、光空間
変調素子を通過させることによりそこからの出射角を変
化させ、続いて回折格子に入射させて所要の回折作用を
与え、特定波長の回折光を再び上記光空間変調素子に戻
し、更に光波面変換素子を介してその光波面を変換して
半導体レーザ素子の後端面に入射させるように構成され
ている。
この発明の装置における光空間変調素子は、半導体レー
ザ素子から光波面変換素子を介して入射する平行光束の
出射角を電気的に可変とし、回折格子に入射する光束の
入射角を変化させることによって１回折格子から半導体
レーザ素子側に戻る回折光の波長を選択的に変えるよう
に働く。
ザ素子から光波面変換素子を介して入射する平行光束の
出射角を電気的に可変とし、回折格子に入射する光束の
入射角を変化させることによって１回折格子から半導体
レーザ素子側に戻る回折光の波長を選択的に変えるよう
に働く。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、１は半導体レーザ素子でたとえばＧａ
ＩｎＡｓＰ系材料から成るものである、ａ′は半導体レ
ーザ素子１の前端面より出射する光束、５は基板でたと
えばニオブ酸リチウム（Ｌ １Ｎｂ０３）のような圧電
材料から成り、その端面に近い一生表面上に半導体レー
ザ素子ｌを支持している。６は基板５上に形成された導
波層で、たとえばチタニウム（Ｔｉ）を拡散させたＬｉ
ＮｂＯ３の如き圧電材料から成り、その一端面が上記半
導体レーザ素子の後端面に対接している。ｂ′は半導体
レーザ素子ｌの後端面より出射して導波層６の端面に入
射し導波される光束、２０は導波層６に形成されたフレ
ネルレンズであって拡散する形で入射する光束ｂ′を平
行光束に変換する光波面変換素子を構成している。この
フレネルレンズは、導波層にエツチングにより設けた複
数の開孔により形成することができる。また、光波面変
換素子としては導波層中に不純物を拡散して形成される
ジオデシック形レンズ等も使用できる。７は導波層６上
に形成された表面弾性波（ＳＡＷと略称する）トランス
ジューサであって、蒸着により形成されたインクデジタ
ル構造の１対の金属電極より成り、両電極間には高周波
電源（図示省Ｗ８）からＳＡＷの周波数を電気的に制御
するための高周波電気信号が供給される。８は５ＡＷ）
ランスジューサ７によって導波層６に発生した表面弾性
波（ＳＡＷ）で波面を多数の平行線で示す。この部分は
光空間変調素子として働く。９は超音波吸収体であって
トランスジューサ７により発生したＳＡＷを吸収してそ
の反射を阻止するように働く。３０は導波層６に形成さ
れた回折格子で、たとえばブレーズド格子であり、導波
層６にエツチングにより鋸歯状開孔配列として形成でき
る。Ｃ′は回折格子３０による回折光である。
ＩｎＡｓＰ系材料から成るものである、ａ′は半導体レ
ーザ素子１の前端面より出射する光束、５は基板でたと
えばニオブ酸リチウム（Ｌ １Ｎｂ０３）のような圧電
材料から成り、その端面に近い一生表面上に半導体レー
ザ素子ｌを支持している。６は基板５上に形成された導
波層で、たとえばチタニウム（Ｔｉ）を拡散させたＬｉ
ＮｂＯ３の如き圧電材料から成り、その一端面が上記半
導体レーザ素子の後端面に対接している。ｂ′は半導体
レーザ素子ｌの後端面より出射して導波層６の端面に入
射し導波される光束、２０は導波層６に形成されたフレ
ネルレンズであって拡散する形で入射する光束ｂ′を平
行光束に変換する光波面変換素子を構成している。この
フレネルレンズは、導波層にエツチングにより設けた複
数の開孔により形成することができる。また、光波面変
換素子としては導波層中に不純物を拡散して形成される
ジオデシック形レンズ等も使用できる。７は導波層６上
に形成された表面弾性波（ＳＡＷと略称する）トランス
ジューサであって、蒸着により形成されたインクデジタ
ル構造の１対の金属電極より成り、両電極間には高周波
電源（図示省Ｗ８）からＳＡＷの周波数を電気的に制御
するための高周波電気信号が供給される。８は５ＡＷ）
ランスジューサ７によって導波層６に発生した表面弾性
波（ＳＡＷ）で波面を多数の平行線で示す。この部分は
光空間変調素子として働く。９は超音波吸収体であって
トランスジューサ７により発生したＳＡＷを吸収してそ
の反射を阻止するように働く。３０は導波層６に形成さ
れた回折格子で、たとえばブレーズド格子であり、導波
層６にエツチングにより鋸歯状開孔配列として形成でき
る。Ｃ′は回折格子３０による回折光である。
次に上記装置の動作について説明する。半導体レーザ素
子１の後端面より出射した光束ｂ′は、導波層６の端面
に入射して拡散光束の形でフレネルレンズ２０に到達し
、そこで波面変換されて平行光束となり、５ＡＷ）ラン
スジューサ７で発生させた５ＡＷ８に入射する。５ＡＷ
８の伝播により、導波層６には機械的歪みが加わり、光
弾性効果により導波層６の屈折率が周期的に変化して導
波層内部に屈折率変調型のグレーティング（回折格子）
が発生する。この回折格子に、ブラー、グ（Ｂｒａｇｇ
）の条件を満たす角度で光束ｂ′が入射すると、単一
骨壷会の回折光が生ずる。このとき、回折光の出射角（
入射角と同じ）をθ、光の波長を入、ＳＡＷの周波数を
ｆ、位相速度をＶ、導波層の屈折率をＮｅとすると、 θ′−，（入／Ｎｅｖ） ・ｆ の関係が成立ち、出射角は近似的にＳＡＷの周波数に比
例する。従って、５ＡＷ８の周波数を、すなわち５ＡＷ
）ランスジューサ７に印加する高周波電気信号の周波数
を、変化させることにより、５ＡＷ８から出射する回折
光の出射角θを変化させることができる。こうして、５
ＡＷ８は光空間変調作用を行なう。
子１の後端面より出射した光束ｂ′は、導波層６の端面
に入射して拡散光束の形でフレネルレンズ２０に到達し
、そこで波面変換されて平行光束となり、５ＡＷ）ラン
スジューサ７で発生させた５ＡＷ８に入射する。５ＡＷ
８の伝播により、導波層６には機械的歪みが加わり、光
弾性効果により導波層６の屈折率が周期的に変化して導
波層内部に屈折率変調型のグレーティング（回折格子）
が発生する。この回折格子に、ブラー、グ（Ｂｒａｇｇ
）の条件を満たす角度で光束ｂ′が入射すると、単一
骨壷会の回折光が生ずる。このとき、回折光の出射角（
入射角と同じ）をθ、光の波長を入、ＳＡＷの周波数を
ｆ、位相速度をＶ、導波層の屈折率をＮｅとすると、 θ′−，（入／Ｎｅｖ） ・ｆ の関係が成立ち、出射角は近似的にＳＡＷの周波数に比
例する。従って、５ＡＷ８の周波数を、すなわち５ＡＷ
）ランスジューサ７に印加する高周波電気信号の周波数
を、変化させることにより、５ＡＷ８から出射する回折
光の出射角θを変化させることができる。こうして、５
ＡＷ８は光空間変調作用を行なう。
進行方向を変えられて５ＡＷ８から出射する光束ｂ′は
、更に導波層６内を進行して回折格子３゜に入射し、回
折光Ｃ′が生じる０回折格子は、従来の技術で述べたよ
うに、その波長選択機能に従い、入射光束に応じて単一
波長を有する回折光Ｃ′を入射光束ｂ′と同一方向に戻
すことができる０回折光Ｃ′の波長は、回折格子３０に
入射する光束ｂ′の入射角により変化する。すなわち、
光の波長を入、回折格子への入射角をθ′、回折格子の
ピッチをｄ、導波層の屈折率をＮｅとするとき、 ｄ ｓｉｎ θ＝入／２Ｎｅ の関係があるので、５ＡＷ８の周波数を変化させること
で回折格子３０に対する光束ｂ′の入射角θ′を変えて
、回折光Ｃ′の波長を変化させ所望波長の光を選択する
ことができる。
、更に導波層６内を進行して回折格子３゜に入射し、回
折光Ｃ′が生じる０回折格子は、従来の技術で述べたよ
うに、その波長選択機能に従い、入射光束に応じて単一
波長を有する回折光Ｃ′を入射光束ｂ′と同一方向に戻
すことができる０回折光Ｃ′の波長は、回折格子３０に
入射する光束ｂ′の入射角により変化する。すなわち、
光の波長を入、回折格子への入射角をθ′、回折格子の
ピッチをｄ、導波層の屈折率をＮｅとするとき、 ｄ ｓｉｎ θ＝入／２Ｎｅ の関係があるので、５ＡＷ８の周波数を変化させること
で回折格子３０に対する光束ｂ′の入射角θ′を変えて
、回折光Ｃ′の波長を変化させ所望波長の光を選択する
ことができる。
こうして選択された波長を持つ回折光Ｃ′は、再び５Ａ
Ｗ８を所定の入射角および出射角をもって通過し、フレ
ネルレンズ２０により波面変換されて集中光束となり、
半導体レーザ素子１の後端面に入射する。従って、半導
体レーザ素子ｌでは、上記選択された波長でレーザ発振
が起って持続することとなり、前端面からはその波長の
強い光束ａ′が出射される。
Ｗ８を所定の入射角および出射角をもって通過し、フレ
ネルレンズ２０により波面変換されて集中光束となり、
半導体レーザ素子１の後端面に入射する。従って、半導
体レーザ素子ｌでは、上記選択された波長でレーザ発振
が起って持続することとなり、前端面からはその波長の
強い光束ａ′が出射される。
以上の様な構成を有するこの発明の半導体レーザ装置は
、光空間変調素子と回折格子とを組合せ使用して回折格
子に対する入射光束の入射角を光空間変調素子により電
気的に変化させるようにしたので、従来装置におけるよ
うな回折格子回転用の機械的駆動系を使用する必要が無
くなり、全体として構造を簡単にかつ小型化することが
できる。
、光空間変調素子と回折格子とを組合せ使用して回折格
子に対する入射光束の入射角を光空間変調素子により電
気的に変化させるようにしたので、従来装置におけるよ
うな回折格子回転用の機械的駆動系を使用する必要が無
くなり、全体として構造を簡単にかつ小型化することが
できる。
更に、光空間変調素子と回折格子の両者の波長選択作用
によって高精度の波長選択性が得られる。
によって高精度の波長選択性が得られる。
第１図はこの発明による半導体レーザ装置の一実施例構
造を示す斜視図、第２図は従来の外部共振器付可変波長
半導体レーザ装置の基本的な構成を示す斜視図である。 １・・・・半導体レーザ素子、５・・・・基板、６・・
・・導波層、７・・・・光空間変調度を構成する表面弾
性波トランスジューサ、８・・・・表面弾性波、９・・
・・超音波吸収体、２０・・・・波面変換素子を構成す
るフレネルレンズ、３０・・・・回折格子、ａ′・・・
・レーザより放射される光束、ｂ′・・・・光束、Ｃ・
・・・回析光。 代 理 人 大 岩 増 雄第 図 半導体レーリ゛素子 基 板 ４過層 ＳＡＷ ）ラノ久ノユーリ ５ＡＷｉ＆ｉｔｉ憎・はｉ） 超音−ｉｔｍｑ又イ木 フレネルレンズ゛ 口１斤格子 丸木 光束 口駈光
造を示す斜視図、第２図は従来の外部共振器付可変波長
半導体レーザ装置の基本的な構成を示す斜視図である。 １・・・・半導体レーザ素子、５・・・・基板、６・・
・・導波層、７・・・・光空間変調度を構成する表面弾
性波トランスジューサ、８・・・・表面弾性波、９・・
・・超音波吸収体、２０・・・・波面変換素子を構成す
るフレネルレンズ、３０・・・・回折格子、ａ′・・・
・レーザより放射される光束、ｂ′・・・・光束、Ｃ・
・・・回析光。 代 理 人 大 岩 増 雄第 図 半導体レーリ゛素子 基 板 ４過層 ＳＡＷ ）ラノ久ノユーリ ５ＡＷｉ＆ｉｔｉ憎・はｉ） 超音−ｉｔｍｑ又イ木 フレネルレンズ゛ 口１斤格子 丸木 光束 口駈光
Claims (1)
- （１）半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の後
端面よりの出射光束が入射するように基板上に形成され
た導波層とを具備し、上記導波層には上記入射した光束
を平行化するための光波面変換素子、平行化された上記
光束を受入れてその進行方向を電気的に偏向する光空間
変調素子およびこの光空間変調素子からの出射光束を入
射させその回折光を光空間変調素子に向けて投射する回
折格子とが形成されていて、上記導波層に入射した上記
レーザ素子からの出射光束を、上記光波面変換素子、光
空間変調素子を介して単一波長の光束のみを選択して回
折格子に導き更にこの回折格子から上記と逆経路を通し
て上記半導体レーザ素子に帰還させることにより、上記
選択された単一波長の光束を上記半導体レーザ素子の前
端面から出射させることを特徴とする、半導体レーザ装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2270737A JPH04146681A (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 半導体レーザ装置 |
| EP19910305870 EP0480562A3 (en) | 1990-10-08 | 1991-06-28 | Semiconductor laser device |
| US07/724,771 US5173915A (en) | 1990-10-08 | 1991-07-02 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2270737A JPH04146681A (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04146681A true JPH04146681A (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=17490270
Family Applications (1)
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| JP2270737A Pending JPH04146681A (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 半導体レーザ装置 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992933A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Nec Corp | 波長可変半導体レーザ |
| JP2007234786A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sun Tec Kk | 波長可変レーザ光源 |
| JP2015040820A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 株式会社島津製作所 | ガス分析装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05173046A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Sony Corp | 光導波路装置 |
| JP3119223B2 (ja) * | 1997-12-18 | 2000-12-18 | 日本電気株式会社 | 外部鏡型波長可変レーザ |
| CN103138153A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-06-05 | 哈尔滨工业大学 | 基于双空间光调制器的可调谐外腔半导体激光器 |
| CN103151706A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-06-12 | 哈尔滨工业大学 | 基于空间光调制器的可调谐外腔半导体激光器 |
| US9893816B2 (en) * | 2016-03-25 | 2018-02-13 | Intel Corporation | Dynamic beam steering optoelectronic packages |
| CN112600620A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-04-02 | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 | 一种大范围一对多单向激光通信装置及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305581A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発振波長可変型半導体レ−ザ装置 |
| JPH01293683A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Hitachi Ltd | 波長可変半導体レーザ |
| JPH02244784A (ja) * | 1988-11-23 | 1990-09-28 | Stc Plc | 多重チャンネル空胴レーザー |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4274706A (en) * | 1979-08-30 | 1981-06-23 | Hughes Aircraft Company | Wavelength multiplexer/demultiplexer for optical circuits |
| JPS57142621A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-03 | Canon Inc | Thin film waveguide type optical deflector |
| JPS60119522A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Canon Inc | 導波路型光変調または偏向器 |
| JPS60229890A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-15 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | オイルタンカ− |
| US4778991A (en) * | 1985-09-30 | 1988-10-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light beam scanning read-out apparatus and recording apparatus |
| US4776661A (en) * | 1985-11-25 | 1988-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated optical device |
| US4707835A (en) * | 1986-06-17 | 1987-11-17 | Honeywell Inc. | Rapid wavelength switching of IR lasers with Bragg cells |
| JP2539406B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 固体光ピツクアツプ |
| JPH0622065B2 (ja) * | 1987-02-25 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | 集積型光ヘツド |
| JPH02188729A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-24 | Sharp Corp | 光学素子の回析格子製造方法 |
| JPH02271586A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH03179327A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-08-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 導波路型音響光学素子 |
| US5003550A (en) * | 1990-03-09 | 1991-03-26 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Integrated laser-amplifier with steerable beam |
| US5050488A (en) * | 1990-12-21 | 1991-09-24 | American Standard Inc. | Method of locking a pivotable assembly for shipping |
-
1990
- 1990-10-08 JP JP2270737A patent/JPH04146681A/ja active Pending
-
1991
- 1991-06-28 EP EP19910305870 patent/EP0480562A3/en not_active Withdrawn
- 1991-07-02 US US07/724,771 patent/US5173915A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305581A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発振波長可変型半導体レ−ザ装置 |
| JPH01293683A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Hitachi Ltd | 波長可変半導体レーザ |
| JPH02244784A (ja) * | 1988-11-23 | 1990-09-28 | Stc Plc | 多重チャンネル空胴レーザー |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992933A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Nec Corp | 波長可変半導体レーザ |
| JP2007234786A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sun Tec Kk | 波長可変レーザ光源 |
| JP2015040820A (ja) * | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 株式会社島津製作所 | ガス分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0480562A3 (en) | 1992-06-10 |
| EP0480562A2 (en) | 1992-04-15 |
| US5173915A (en) | 1992-12-22 |
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