JPS60133776A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS60133776A JPS60133776A JP58239933A JP23993383A JPS60133776A JP S60133776 A JPS60133776 A JP S60133776A JP 58239933 A JP58239933 A JP 58239933A JP 23993383 A JP23993383 A JP 23993383A JP S60133776 A JPS60133776 A JP S60133776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- rod lens
- diffraction grating
- wavelength
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単一の波長で発振し、この発振波長を制御する
ことが可能な半導体レーザ装置に関するものである。
ことが可能な半導体レーザ装置に関するものである。
従来技術に係るこの種の半導体レーザ装置は、第１図（
ａ）に示すように１半導体結晶１のへき開面２を利用し
て光共振器を構成していた。半導体結晶１の長さ２ｔ、
活性層の屈折率′ｆｒｎとすると、この光共振器の共振
波長は２ ＝二をｍ ｒｔｘ 満たすものである。但しｍは整数。なお、図中４杜リー
ド線である。
ａ）に示すように１半導体結晶１のへき開面２を利用し
て光共振器を構成していた。半導体結晶１の長さ２ｔ、
活性層の屈折率′ｆｒｎとすると、この光共振器の共振
波長は２ ＝二をｍ ｒｔｘ 満たすものである。但しｍは整数。なお、図中４杜リー
ド線である。
一方、第１図（ｂ）Ｋ示すように、半導体結晶は広い増
幅範囲Ｌｉ持っているため、従来の半導体レーザ装置で
は複数の波長で発振を行っていた。このため、分散のあ
る伝送媒体を通過した時、波長によって伝播速度が異な
るため、信号波形形状が変化し、信号が正しく伝送さｎ
ないといった欠点があった。なお、第１図か）中実線は
利得曲線を、また点線は損失を夫々示している。
幅範囲Ｌｉ持っているため、従来の半導体レーザ装置で
は複数の波長で発振を行っていた。このため、分散のあ
る伝送媒体を通過した時、波長によって伝播速度が異な
るため、信号波形形状が変化し、信号が正しく伝送さｎ
ないといった欠点があった。なお、第１図か）中実線は
利得曲線を、また点線は損失を夫々示している。
上述のように、光源が複数個の波長で発振している場合
、伝送媒体の分散のために、信号波形が変化し、長距離
の通信が不可能圧なる。現在光通信に使用さ扛ている半
導体レーザが１０個程度の波長で発振している現状を考
えると、光通信システムの設計にあたっては、伝送媒体
の分散特性を正確に把握することが不可欠であった。
、伝送媒体の分散のために、信号波形が変化し、長距離
の通信が不可能圧なる。現在光通信に使用さ扛ている半
導体レーザが１０個程度の波長で発振している現状を考
えると、光通信システムの設計にあたっては、伝送媒体
の分散特性を正確に把握することが不可欠であった。
本発明は、上記従来技術の欠点に鑑み、単一の波長で発
振し、この発振波長が制御可能な半導体レーザ装置を提
供することを目的とする。
振し、この発振波長が制御可能な半導体レーザ装置を提
供することを目的とする。
かかる目的を達成する本発明は、回折格子付ロッドレン
ズ全半導体レーザテップに近接させて配置し、圧電素子
の伸縮を利用してロッドレンズの位置を変えて回折格子
へのレーザ光の入射角を変化きせる点をその債暫思想の
基礎とするものである。
ズ全半導体レーザテップに近接させて配置し、圧電素子
の伸縮を利用してロッドレンズの位置を変えて回折格子
へのレーザ光の入射角を変化きせる点をその債暫思想の
基礎とするものである。
以下本発明の実施例全図面に基づき詳細に説明する。第
２図は本発明の原理図であって、１５は半導体レーザチ
ップ、６は活性層、７は光出射口、８は反射防止膜、９
は分布型の屈折率分布をもつロッドレンズ、１Ｏはロッ
ドレンズ９の焦点、１１はロッドレンズ９の焦点面、１
２はロッドレンズ９の中心軸、１３は回折格子である。
２図は本発明の原理図であって、１５は半導体レーザチ
ップ、６は活性層、７は光出射口、８は反射防止膜、９
は分布型の屈折率分布をもつロッドレンズ、１Ｏはロッ
ドレンズ９の焦点、１１はロッドレンズ９の焦点面、１
２はロッドレンズ９の中心軸、１３は回折格子である。
半導体レーザチップ５、ロッドレンズ９および回折格子
１３は、ロッドレンズ９の傾斜端面の傾斜方向と回折格
子１３のルーリング方向１４が一致するとともにロッド
レンズ９の中心軸１２を含み回折格子１３に垂直な平面
と焦点面１１の交線上に光出射口３が位置するように配
置されている。
１３は、ロッドレンズ９の傾斜端面の傾斜方向と回折格
子１３のルーリング方向１４が一致するとともにロッド
レンズ９の中心軸１２を含み回折格子１３に垂直な平面
と焦点面１１の交線上に光出射口３が位置するように配
置されている。
このような配置になっているので、ロッドレンズ９に入
射したレーザ光１５は、中心軸１２て回折格子１３に入
射する。ここで、ｆはロッドレンズ９の焦点距離であ、
！０．ｃｌ：光出射ロアと中心軸１２の距離である。な
お、図中１３８は回折格子１３の法線である。
射したレーザ光１５は、中心軸１２て回折格子１３に入
射する。ここで、ｆはロッドレンズ９の焦点距離であ、
！０．ｃｌ：光出射ロアと中心軸１２の距離である。な
お、図中１３８は回折格子１３の法線である。
ところで、第３図に示すように、回折格子１３の入射角
αと回折角βの間には、 λ＝ Ａ （ｓｉｎα−１−ｓｉｎβ） −・−のの関
係がある。ことで、λは光の波長、Ａは回折格子固有の
定数である。また、ロッドレンズ９の傾斜端面の傾斜角
？？とすると ｔ（ 角度で、回折格子１３に入射したとすると、回入射方向
に回折される。ところで、上述したように本実施例の配
置では、レーザ図１５は平行光線となって回折格子１３
＆Ｃ入射するので、入射方向に回折さｎた光は、光出射
ロアに戻るよで回折格子１３に入射した波長λＮλ０の
光＃：Ｊ：、０式よシ、回折角βＮαとなシ、入射方向
に二回折さｎず光出射ロアに戻らない。さらに、半導体
レーザチップ５０片端面には反射防止膜８が付けらｎて
いるので、第１図のように半導体し一ザテッブ５内で光
共振器は形成さｎない。半導体レーザテップ５の反射防
止膜８の付いてい数倍にしてやると、λ。のみが共振波
長となる。
αと回折角βの間には、 λ＝ Ａ （ｓｉｎα−１−ｓｉｎβ） −・−のの関
係がある。ことで、λは光の波長、Ａは回折格子固有の
定数である。また、ロッドレンズ９の傾斜端面の傾斜角
？？とすると ｔ（ 角度で、回折格子１３に入射したとすると、回入射方向
に回折される。ところで、上述したように本実施例の配
置では、レーザ図１５は平行光線となって回折格子１３
＆Ｃ入射するので、入射方向に回折さｎた光は、光出射
ロアに戻るよで回折格子１３に入射した波長λＮλ０の
光＃：Ｊ：、０式よシ、回折角βＮαとなシ、入射方向
に二回折さｎず光出射ロアに戻らない。さらに、半導体
レーザチップ５０片端面には反射防止膜８が付けらｎて
いるので、第１図のように半導体し一ザテッブ５内で光
共振器は形成さｎない。半導体レーザテップ５の反射防
止膜８の付いてい数倍にしてやると、λ。のみが共振波
長となる。
したがって、λ０が半導体レーザテップ５の増幅範囲に
入るように、ψまたはｄｉ調整してやると、本実施例の
半導体レーザ装置はλ。のみの単一の波長で発振する。
入るように、ψまたはｄｉ調整してやると、本実施例の
半導体レーザ装置はλ。のみの単一の波長で発振する。
第４図は本実施例の構成例であって、半導体レーザチッ
プ５およびロッドレンズ９は、共通の部材１４に１それ
ぞれ、ヒートシンク１吋Ｆと圧電素子１６を介して固定
されている。圧電素子１６は、中心軸１２の方向および
光出射ロアから中心軸１２に下した垂線の方向の２方向
に伸縮するようＫなっていゐ。
プ５およびロッドレンズ９は、共通の部材１４に１それ
ぞれ、ヒートシンク１吋Ｆと圧電素子１６を介して固定
されている。圧電素子１６は、中心軸１２の方向および
光出射ロアから中心軸１２に下した垂線の方向の２方向
に伸縮するようＫなっていゐ。
本実施例装置はこのような構成になっているので、圧電
素子１６の印加電圧１７を変化させて、圧電素子１６を
中心軸１２の垂直方向に伸縮させてやると光出射ロアと
中心軸１２の距離ｄが変化するので、■式の回折格子１
３への入さｎて光出射ロアに戻る光の波長λ０＝２Ａ・
が可能になる。さらに、圧電素子１６を中心軸１２の方
向に伸縮させることにより、半導体し一ザデッブ５の反
射防止膜８の付いていない端なるようにしてやｎばλ０
が共振波長となシ、半導体レーザ装置は波長λ０で発振
する。このように、本発明の半導体レーザ装ｆは、単一
の波長で発振し、且つ圧電素子１６を伸縮させてやるこ
とによシ、半導体レーザが増幅利得をもつ波長範囲で発
振波長を制御することが可能である。
素子１６の印加電圧１７を変化させて、圧電素子１６を
中心軸１２の垂直方向に伸縮させてやると光出射ロアと
中心軸１２の距離ｄが変化するので、■式の回折格子１
３への入さｎて光出射ロアに戻る光の波長λ０＝２Ａ・
が可能になる。さらに、圧電素子１６を中心軸１２の方
向に伸縮させることにより、半導体し一ザデッブ５の反
射防止膜８の付いていない端なるようにしてやｎばλ０
が共振波長となシ、半導体レーザ装置は波長λ０で発振
する。このように、本発明の半導体レーザ装ｆは、単一
の波長で発振し、且つ圧電素子１６を伸縮させてやるこ
とによシ、半導体レーザが増幅利得をもつ波長範囲で発
振波長を制御することが可能である。
以上説明したように、本半導体レーザ装置は単一波長で
発振し、１つその発振波長が選択できることから、長距
離通信用の光源の他に光ファイバの損失や分散の波長依
存性等光学部品特性の波長依存性を、−個のレーザ装置
で測定できる利点を有している。
発振し、１つその発振波長が選択できることから、長距
離通信用の光源の他に光ファイバの損失や分散の波長依
存性等光学部品特性の波長依存性を、−個のレーザ装置
で測定できる利点を有している。
第５図は本発明を分散測定装置に用い九場合の一実施例
であって、レーザ駆動回路１８によシ、本発明の半導体
レーザ装置１９が正弦波で変調され、変調ざｎたレーザ
光２ｏは、被測定物２１を通過後、受光回路２２に入シ
、復調される。ベクトルボルトメータ２３Ｆｉ、レーザ
駆動回路１８の変調信号Ｓ１と受光回路２２の復調信号
８２間の位相差θを測定する。圧電素子制御器２４によ
り、半導体レーザ装［１９の発振波長を変えてやると、
被測定物２１の分散にょシ、レーザ駆動回路１Ｂの変調
信号８里と受光回路２２の復調信号８２間の位相差θが
変化するので、ベクトルボルトメータ２３によって両信
号間の位相差を測定してやれば、被測定物２１の分散を
測定してやることができる。
であって、レーザ駆動回路１８によシ、本発明の半導体
レーザ装置１９が正弦波で変調され、変調ざｎたレーザ
光２ｏは、被測定物２１を通過後、受光回路２２に入シ
、復調される。ベクトルボルトメータ２３Ｆｉ、レーザ
駆動回路１８の変調信号Ｓ１と受光回路２２の復調信号
８２間の位相差θを測定する。圧電素子制御器２４によ
り、半導体レーザ装［１９の発振波長を変えてやると、
被測定物２１の分散にょシ、レーザ駆動回路１Ｂの変調
信号８里と受光回路２２の復調信号８２間の位相差θが
変化するので、ベクトルボルトメータ２３によって両信
号間の位相差を測定してやれば、被測定物２１の分散を
測定してやることができる。
なお、本例では正弦波変調を行なったが、他の変調、例
えばパルス変調を行なってやって変調信号と後部信号の
遅延時間を測るととＫｊ、多分散測定を行なうことがで
きる。
えばパルス変調を行なってやって変調信号と後部信号の
遅延時間を測るととＫｊ、多分散測定を行なうことがで
きる。
以上説明したように、本発明の半導体レーザ装置は、単
一の波長で発振するので、伝送媒体の分散の影響を受け
ず、長距離通信用の光源として使用できる利点がある。
一の波長で発振するので、伝送媒体の分散の影響を受け
ず、長距離通信用の光源として使用できる利点がある。
さらに１発振波長を制御できることから、光ファイバの
損失や分散の波長依存性の他、ＹＩＧ等の電気・磁気光
学結晶の特性の波長依存性を一個のレーザ装置で測定で
きる利点がある。
損失や分散の波長依存性の他、ＹＩＧ等の電気・磁気光
学結晶の特性の波長依存性を一個のレーザ装置で測定で
きる利点がある。
第１図は従来の半導体レーザ装置の概念図、第２図は本
発明の実施例に係る半導体レーザ装置の原理図、第３図
は回折格子の特性図、第４図は本発明の実施例装置の構
成図、第５図は本発明の応用例である分散測定装置の構
成図である。 図 面 中、 ５は半導体レーザテップ、 ６は活性層、 ７は光出射口、 ８は反射防止膜、 ９はロッドレンズ、 １０はロッドレンズの焦点、 １１はロッドレンズの焦点面、 １２はロッドレンズの中心軸、 １３１ｊ回折格子、 １４け部材、 １ダＧはヒートシンク、 １６は圧電素子、 １８はレーザ駆動回路、 １９１ｊ半導体レーザ装置、 ２０はレーザ光、 ２１は被測定物、 ２２は受光回路、 ２３はベクトルボルトメータ、 ２４は圧電素子制御器である。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士光石士部 （他１名）
発明の実施例に係る半導体レーザ装置の原理図、第３図
は回折格子の特性図、第４図は本発明の実施例装置の構
成図、第５図は本発明の応用例である分散測定装置の構
成図である。 図 面 中、 ５は半導体レーザテップ、 ６は活性層、 ７は光出射口、 ８は反射防止膜、 ９はロッドレンズ、 １０はロッドレンズの焦点、 １１はロッドレンズの焦点面、 １２はロッドレンズの中心軸、 １３１ｊ回折格子、 １４け部材、 １ダＧはヒートシンク、 １６は圧電素子、 １８はレーザ駆動回路、 １９１ｊ半導体レーザ装置、 ２０はレーザ光、 ２１は被測定物、 ２２は受光回路、 ２３はベクトルボルトメータ、 ２４は圧電素子制御器である。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士光石士部 （他１名）
Claims (1)
- 一端面が中心軸に対して斜めに切ら扛た傾斜端面となっ
ている分布型の屈折率分布をもつロッドレンズと、傾斜
端面の傾斜方向とルーリング方向とが一致するよう傾斜
端面に固着ｇｎた回折格子と、一端面に反射防止膜を有
する半導体レーザチップと、半導体レーザチップの前記
一端面と前記ロッドレンズの他端面と含向い合わせ、ロ
ッドレンズの中心軸を含み回折格子に垂直な平面とロッ
ドレンズの焦点面の交線の近傍に前記半導体レーザチッ
プの一端面側の光出射口が占位するようこの半導体レー
ザチップを直接、またロッドレンズを圧電素子を介して
固着している部材とを有することを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58239933A JPS60133776A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58239933A JPS60133776A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60133776A true JPS60133776A (ja) | 1985-07-16 |
Family
ID=17051986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58239933A Pending JPS60133776A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60133776A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63129686A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型発光装置 |
| JPH0340479A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型発光装置 |
| JPH04302602A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-26 | Matsuyama Jusharyo Kogyo Kk | 鉄道道床バラストの積載装置 |
| US5731753A (en) * | 1993-06-09 | 1998-03-24 | Siemens Matsushita Comp. Gmbh & Co. Kg | Ceramic resonator, for microwave ceramic filters, having at least one chamfer which provides for overtone suppression |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4992987A (ja) * | 1972-06-28 | 1974-09-04 | ||
| JPS5279889A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Nec Corp | Semiconductor laser device for high speed modulation |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP58239933A patent/JPS60133776A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4992987A (ja) * | 1972-06-28 | 1974-09-04 | ||
| JPS5279889A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Nec Corp | Semiconductor laser device for high speed modulation |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63129686A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型発光装置 |
| JPH0340479A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型発光装置 |
| JPH04302602A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-26 | Matsuyama Jusharyo Kogyo Kk | 鉄道道床バラストの積載装置 |
| US5731753A (en) * | 1993-06-09 | 1998-03-24 | Siemens Matsushita Comp. Gmbh & Co. Kg | Ceramic resonator, for microwave ceramic filters, having at least one chamfer which provides for overtone suppression |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4273445A (en) | Interferometer gyroscope formed on a single plane optical waveguide | |
| US5333144A (en) | Diode laser device having a reflecting feedback element, and apparatus using the device | |
| US7239442B2 (en) | Optical frequency comb generator | |
| JPS60501829A (ja) | 結合変調器を有する半導体レ−ザ | |
| US4286232A (en) | Laser with distributed reflector | |
| JP2000353856A (ja) | 半導体レーザモジュ−ル | |
| JPS63500756A (ja) | 誘電体光導波素子、光ファイバ増幅器および光信号波長選択方法ならびに誘電体光導波素子の製造方法 | |
| US5471490A (en) | Device in which electromagnetic radiation is raised in frequency and apparatus for optically scanning an information plane, comprising such a device | |
| US5004342A (en) | Measuring device having a laser and a ring resonator | |
| JPS6290618A (ja) | 光変調装置 | |
| US7103075B2 (en) | Solid laser apparatus | |
| US5007694A (en) | Light wavelength converter | |
| EP0726627B1 (en) | Laser device | |
| JPH0381318B2 (ja) | ||
| JPH05249526A (ja) | 光学発振器 | |
| US3887885A (en) | Electrooptic modulator | |
| JPS60133776A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US5173915A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH08510571A (ja) | 電磁放射の周波数を上昇させる装置 | |
| JPH0472163B2 (ja) | ||
| JPS622293B2 (ja) | ||
| JPS6354235B2 (ja) | ||
| KR100269378B1 (ko) | 더블유디엠(wdm)의 광필터 | |
| KR960003866B1 (ko) | 제 2 고조파 발생장치(Second Harmonic Generator) | |
| JPS60179709A (ja) | 光結合装置 |