JPS622293B2 - - Google Patents
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- JPS622293B2 JPS622293B2 JP4941381A JP4941381A JPS622293B2 JP S622293 B2 JPS622293 B2 JP S622293B2 JP 4941381 A JP4941381 A JP 4941381A JP 4941381 A JP4941381 A JP 4941381A JP S622293 B2 JPS622293 B2 JP S622293B2
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- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
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- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、入射光束に対し出射光束の位置を変
化させることのできる低損失で特性の安定した光
偏向器に関するものである。
化させることのできる低損失で特性の安定した光
偏向器に関するものである。
従来、この種の装置は、音響光学素子を利用す
る回折偏向法を使用したものや、電気光学結晶と
複屈折プリズムを組合せたもの等が用いられてお
り、第１図又は第２図に示すように構成されてい
た。
る回折偏向法を使用したものや、電気光学結晶と
複屈折プリズムを組合せたもの等が用いられてお
り、第１図又は第２図に示すように構成されてい
た。
第１図ａは、Raman―Nath回折を用いたも
の、第１図ｂはBragg反射を用いるものである。
図中、１は高周波電源、２は超音波トランスデユ
ーサー、３は媒質、４は媒質端面、５は入射光
束、６，６′は１次回折光束、７，７′は２次回折
光束、８は透過光束である。これらの装置の動作
を以下に説明する。高周波電源１と超音波トラン
スデユーサー２により媒質３中に発射された超音
波は、端面４より反射され定在波を生じる。その
結果、媒質３中に超音波の波長に応じて密度の疎
密を生じ、これにより、媒質３中の屈折率は周期
的に変化し回折格子が形成される。入射光束５
は、この回折格子により回折されるが、この際、
高周波電源の周波数を変化させれば、屈折率の変
化の周期つまり回折格子の格子間隔が変り、これ
に応じて回折光６，６′，７，７′の方向が変化
し、光の偏向が行われる。第１図ａの装置におい
ては、透過光束８が多量に存在し、偏向される光
束６，６′，７，７′の量が少なく損失が大きいと
いう欠点を有する。また、第１図ｂの装置におい
ては、低損失に回折を行うためBragg反射を用い
ており、入射角をBragg反射を生ずる角度に精密
に調整しなければ、損失が増大するという欠点を
有する。
の、第１図ｂはBragg反射を用いるものである。
図中、１は高周波電源、２は超音波トランスデユ
ーサー、３は媒質、４は媒質端面、５は入射光
束、６，６′は１次回折光束、７，７′は２次回折
光束、８は透過光束である。これらの装置の動作
を以下に説明する。高周波電源１と超音波トラン
スデユーサー２により媒質３中に発射された超音
波は、端面４より反射され定在波を生じる。その
結果、媒質３中に超音波の波長に応じて密度の疎
密を生じ、これにより、媒質３中の屈折率は周期
的に変化し回折格子が形成される。入射光束５
は、この回折格子により回折されるが、この際、
高周波電源の周波数を変化させれば、屈折率の変
化の周期つまり回折格子の格子間隔が変り、これ
に応じて回折光６，６′，７，７′の方向が変化
し、光の偏向が行われる。第１図ａの装置におい
ては、透過光束８が多量に存在し、偏向される光
束６，６′，７，７′の量が少なく損失が大きいと
いう欠点を有する。また、第１図ｂの装置におい
ては、低損失に回折を行うためBragg反射を用い
ており、入射角をBragg反射を生ずる角度に精密
に調整しなければ、損失が増大するという欠点を
有する。
第２図は電気光学結晶と複屈折プリズムを用い
たものであり、９は電気光学結晶、１０は複屈折
プリズム、１１，１２は出射光束である。本装置
の動作を以下に述べる。入射光束５は、電気光学
結晶９を通過するが、通過後の偏光面は、結晶９
に電圧を印加する場合と印加しない場合で90゜異
なる。この互いに90゜異なる２つの偏光面を有す
る光束は、複屈折プリズム１０を通過後、偏光面
に応じて、それぞれ出射光束１１，１２となる。
この際、入射光束５の偏光面と電気光学結晶９の
結晶軸のなす角度、印加する電圧値等、及び、複
屈折プリズム１０の結晶軸と電気光学結晶９の結
晶軸のなす角度が厳密に適正な値にならなけれ
ば、前記の効果は得られず、２つの出射光束１
１，１２を同時に生じ、損失が増大する等の欠点
を生じる。
たものであり、９は電気光学結晶、１０は複屈折
プリズム、１１，１２は出射光束である。本装置
の動作を以下に述べる。入射光束５は、電気光学
結晶９を通過するが、通過後の偏光面は、結晶９
に電圧を印加する場合と印加しない場合で90゜異
なる。この互いに90゜異なる２つの偏光面を有す
る光束は、複屈折プリズム１０を通過後、偏光面
に応じて、それぞれ出射光束１１，１２となる。
この際、入射光束５の偏光面と電気光学結晶９の
結晶軸のなす角度、印加する電圧値等、及び、複
屈折プリズム１０の結晶軸と電気光学結晶９の結
晶軸のなす角度が厳密に適正な値にならなけれ
ば、前記の効果は得られず、２つの出射光束１
１，１２を同時に生じ、損失が増大する等の欠点
を生じる。
本発明は、これらの欠点を除去するため、透過
媒質と反射媒質との両方若しくは一方に屈折率を
変化させることのできる素材を用いた光導波路形
の偏向器を構成することにより、入射光束の入射
角度あるいは偏光方向に依らず安定な偏向効果と
低損失な性能とを得ることができるようにしたも
ので、以下図面について詳細に説明する。
媒質と反射媒質との両方若しくは一方に屈折率を
変化させることのできる素材を用いた光導波路形
の偏向器を構成することにより、入射光束の入射
角度あるいは偏光方向に依らず安定な偏向効果と
低損失な性能とを得ることができるようにしたも
ので、以下図面について詳細に説明する。
第３図は、本発明を説明する図であつて、１３
は光束が通過する透過媒質、１４，１４′は光束
を反射させるための反射媒質、１５，１５′は透
過媒質と反射媒質との境界面、１６はグースヘン
ヒエンシフトによる実効的境界面、１７は出射光
束、１８は出射面、１９はスクリーン、２０は出
射光束１７がスクリーン１９と交わる点、２１は
幾何光学的に反射された光束である。本発明の動
作を以下に詳しく説明する。透過媒質１３の屈折
率n0と反射媒質１４の屈折率ｎは、通常、次式の
関係を満足するよう選ばれる。
は光束が通過する透過媒質、１４，１４′は光束
を反射させるための反射媒質、１５，１５′は透
過媒質と反射媒質との境界面、１６はグースヘン
ヒエンシフトによる実効的境界面、１７は出射光
束、１８は出射面、１９はスクリーン、２０は出
射光束１７がスクリーン１９と交わる点、２１は
幾何光学的に反射された光束である。本発明の動
作を以下に詳しく説明する。透過媒質１３の屈折
率n0と反射媒質１４の屈折率ｎは、通常、次式の
関係を満足するよう選ばれる。
ｎ＜n0 (1)
入射光束５は、境界面１５で反射されながら透
過媒質２の中に進行する。
過媒質２の中に進行する。
θ＜θc≒√２（−0）0 (2)
ここに、θは光束が境界面１５となす角、θc
は臨界角である。θが(2)式の条件を満足する場合
には、光束は境界面１５で全反射される。この
際、いわゆるグースヘンヒエンシフトにより光束
は、実効的には、境界面１５を越えて、反射媒質
３の中へｇの深さまで侵入した後反射される。こ
の結果、光束は境界面で幾何学的に反射された場
合（第３図中では破線で示してある。）と比べる
と１回の反射につきｌだけ横ずれを生じる。この
横ずれは、境界面１５における全反射のたびに加
算され、透過媒質１３から再び空中へ出射する直
前では大きな値となる。出射光束１７は、出射面
１８から距離Ｚだけ離れたスクリーン１９上にス
ポツト２０を生じる。このスポツトは、幾何光学
的に反射された横ずれのない光束２１とスクリー
ン１９とが交わる位置よりＹだけ離れた位置に生
じる。
は臨界角である。θが(2)式の条件を満足する場合
には、光束は境界面１５で全反射される。この
際、いわゆるグースヘンヒエンシフトにより光束
は、実効的には、境界面１５を越えて、反射媒質
３の中へｇの深さまで侵入した後反射される。こ
の結果、光束は境界面で幾何学的に反射された場
合（第３図中では破線で示してある。）と比べる
と１回の反射につきｌだけ横ずれを生じる。この
横ずれは、境界面１５における全反射のたびに加
算され、透過媒質１３から再び空中へ出射する直
前では大きな値となる。出射光束１７は、出射面
１８から距離Ｚだけ離れたスクリーン１９上にス
ポツト２０を生じる。このスポツトは、幾何光学
的に反射された横ずれのない光束２１とスクリー
ン１９とが交わる位置よりＹだけ離れた位置に生
じる。
このＹは、グースヘンヒエンシフトにより生じ
る実効的反射面１６と境界面１５との距離ｇ（(3)
式で与えられる。）に関係する。
る実効的反射面１６と境界面１５との距離ｇ（(3)
式で与えられる。）に関係する。
ｇ＝λ／４π｜ｄδ／ｄθ｜ (3)
ここで、δは全反射にともなう光波の位相変化
量、λは透過媒質中の光波長である。
量、λは透過媒質中の光波長である。
しかし、角度θが小さい（θ≪1rad）場合に
は、ｇは光の偏光状態、入射角等によらず(4)式で
近似できる。
は、ｇは光の偏光状態、入射角等によらず(4)式で
近似できる。
ｇ≒λ／４θｃ (4)
このとき、スクリーン上のスポツトの変位Ｙ
は、(5)式により与えられる。
は、(5)式により与えられる。
Ｙ＝Ｌλ／２Ｄ・θ／θｃ (5)
ここにＬ，Ｄはそれぞれ透過媒質の長さと幅で
ある。
ある。
すなわち、スクリーン上のスポツトの変位は、
入射角を一定とすれば臨界角θcにより変化す
る。臨界角θcは(2)式より分るように透過媒質１
３と反射媒質１４，１４′の屈折率に依存する。
入射角を一定とすれば臨界角θcにより変化す
る。臨界角θcは(2)式より分るように透過媒質１
３と反射媒質１４，１４′の屈折率に依存する。
本発明の一つの実施例としては、媒質１３とし
てKDPやLiTaO3のような電気光学結晶を用い、
媒質１４，１４′に石英ガラスを用いて結晶成長
若しくは張り合せ等の方法により光導波路を構成
し、第３図における紙面に垂直方向に電界を印加
する構成とした。
てKDPやLiTaO3のような電気光学結晶を用い、
媒質１４，１４′に石英ガラスを用いて結晶成長
若しくは張り合せ等の方法により光導波路を構成
し、第３図における紙面に垂直方向に電界を印加
する構成とした。
通常、電界をかけるための電極は、光導波路の
上下に密着して設けるが、離して設けてもよい。
印加する電界の強度を変え、媒質１３の屈折率を
変化させる。これにより、臨界角θcの値が変わ
る。臨界角θcを変えれば、Ｙの値が変わり光ビ
ームが偏向される。この際、第３図における媒質
１３，１４，１４′の紙面に垂直な方向の厚さを
薄くする（例えば10μｍ程度。）ことにより低い
電圧で大きな屈折率変化を得ることができる。い
ま、Ｄ＝２mm、Ｌ＝50mm、θ＝1/60rad（≒１
゜）とし、印加する電界の強度を変えることによ
りθcを1/60rad（≒１°）から1/6rad（≒10゜）
の範囲で変化させると、ヘリウムネオンレーザ光
（λ０＝0.633μｍ）に対してＹの変化量△Ｙは
4.6μｍになる。
上下に密着して設けるが、離して設けてもよい。
印加する電界の強度を変え、媒質１３の屈折率を
変化させる。これにより、臨界角θcの値が変わ
る。臨界角θcを変えれば、Ｙの値が変わり光ビ
ームが偏向される。この際、第３図における媒質
１３，１４，１４′の紙面に垂直な方向の厚さを
薄くする（例えば10μｍ程度。）ことにより低い
電圧で大きな屈折率変化を得ることができる。い
ま、Ｄ＝２mm、Ｌ＝50mm、θ＝1/60rad（≒１
゜）とし、印加する電界の強度を変えることによ
りθcを1/60rad（≒１°）から1/6rad（≒10゜）
の範囲で変化させると、ヘリウムネオンレーザ光
（λ０＝0.633μｍ）に対してＹの変化量△Ｙは
4.6μｍになる。
前記の実施例においては、媒質１３として電気
光学結晶を用い、媒質１４，１４′として石英ガ
ラスを用いているが、媒質１４，１４′に電気光
学結晶を用い、媒質１３に屈折率が電気光学結晶
より大きい光学ガラスを用いて構成した導波路に
おいても、同様に電界を印加することにより、臨
界角θcの変化を生じ、同様の偏向効果を得るこ
とができる。
光学結晶を用い、媒質１４，１４′として石英ガ
ラスを用いているが、媒質１４，１４′に電気光
学結晶を用い、媒質１３に屈折率が電気光学結晶
より大きい光学ガラスを用いて構成した導波路に
おいても、同様に電界を印加することにより、臨
界角θcの変化を生じ、同様の偏向効果を得るこ
とができる。
更に、媒質１３及び媒質１４，１４′ともに電
気光学結晶を用い、両媒質に独立に電界を印加、
制御し、両媒質の屈折率を独立に制御することに
よつても同様の効果を得ることができる。
気光学結晶を用い、両媒質に独立に電界を印加、
制御し、両媒質の屈折率を独立に制御することに
よつても同様の効果を得ることができる。
また、媒質に加える圧力を変化させて媒質の屈
折率を変える方法を用いても電界を印加し媒質の
屈折率を変える場合と同様に偏向効果を得ること
ができる。
折率を変える方法を用いても電界を印加し媒質の
屈折率を変える場合と同様に偏向効果を得ること
ができる。
本発明の第１の利点は、効率の悪い回折格子等
を用いず第３図に示す構造の光導波路における全
反射の際に生じるグースヘンヒエンシフトを利用
して、偏向効果を得ているため、原理的に無損失
であることである。第２の利点は、本発明によれ
ば、光束の出射方向は変化せず、臨界角θcの変
化を一定の値に定めれば、距離Ｚを任意に選んで
も、受光位置の変化△Ｙを一定に保てること、ま
た光束の伝搬角度θも臨界角θc以下という制限
以外の条件はなく、偏光面も任意であり自由度が
大きく、装置に対する精密な調整が不要なことで
ある。
を用いず第３図に示す構造の光導波路における全
反射の際に生じるグースヘンヒエンシフトを利用
して、偏向効果を得ているため、原理的に無損失
であることである。第２の利点は、本発明によれ
ば、光束の出射方向は変化せず、臨界角θcの変
化を一定の値に定めれば、距離Ｚを任意に選んで
も、受光位置の変化△Ｙを一定に保てること、ま
た光束の伝搬角度θも臨界角θc以下という制限
以外の条件はなく、偏光面も任意であり自由度が
大きく、装置に対する精密な調整が不要なことで
ある。
以上説明した様に、本発明の装置を用いれば、
入射光束の方向、偏光状態等にかかわりなく、精
密な調整を施さなくても低損失で安定した偏向効
果が得られるという利点がある。
入射光束の方向、偏光状態等にかかわりなく、精
密な調整を施さなくても低損失で安定した偏向効
果が得られるという利点がある。
第１図は、音響光学素子を用いた従来の偏向器
でａはRaman―Nath回折を、ｂはBragg反射を用
いる装置。第２図は、電気光学結晶と複屈折プリ
ズムを用いたデイジタル光偏向器。第３図は本発
明の１実施例である。 １…高周波電源、２…超音波トランスデユーサ
ー、３…媒質、４…媒質端面、５…入射光束、
６，６′…１次回折光束、７，７′…２次回折光
束、８…透過光束、９…電気光学結晶、１０…複
屈折プリズム、１１，１２…出射光束、１３…透
過媒質、１４，１４′…反射媒質、１５，１５′…
境界面、１６…グースヘンヒエンシフトによる実
効的境界面、１７…出射光束、１８…出射面、１
９…スクリーン、２０…出射光束とスクリーンの
交点、２１…幾何光学的に反射された光束。
でａはRaman―Nath回折を、ｂはBragg反射を用
いる装置。第２図は、電気光学結晶と複屈折プリ
ズムを用いたデイジタル光偏向器。第３図は本発
明の１実施例である。 １…高周波電源、２…超音波トランスデユーサ
ー、３…媒質、４…媒質端面、５…入射光束、
６，６′…１次回折光束、７，７′…２次回折光
束、８…透過光束、９…電気光学結晶、１０…複
屈折プリズム、１１，１２…出射光束、１３…透
過媒質、１４，１４′…反射媒質、１５，１５′…
境界面、１６…グースヘンヒエンシフトによる実
効的境界面、１７…出射光束、１８…出射面、１
９…スクリーン、２０…出射光束とスクリーンの
交点、２１…幾何光学的に反射された光束。
Claims (1)
- １ 光束を通過させるための透過媒質と該透過媒
質の側面に密接して設けられた光束を反射させる
ための反射媒質とより構成される光導波路からな
り、前記２つの媒質の屈折率の差を変化させるこ
とにより前記光束が前記両媒質の境界面で全反射
する際のグースヘンヒエンシフト量を変化させ、
前記光導波路より出射する光束の位置を変化させ
ることを特徴とする光偏向器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4941381A JPS57164717A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Polarizer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4941381A JPS57164717A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Polarizer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57164717A JPS57164717A (en) | 1982-10-09 |
| JPS622293B2 true JPS622293B2 (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=12830367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4941381A Granted JPS57164717A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Polarizer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57164717A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6418300A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Printed board |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4338066B2 (ja) | 1998-03-31 | 2009-09-30 | コーニング インコーポレイテッド | 無機可視光反射偏光子 |
| KR101108641B1 (ko) | 2010-02-05 | 2012-01-31 | 중앙대학교 산학협력단 | 음의 구스-한센 시프트를 이용한 광소자 |
-
1981
- 1981-04-03 JP JP4941381A patent/JPS57164717A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6418300A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Printed board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57164717A (en) | 1982-10-09 |
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