KR101108641B1 - 음의 구스-한센 시프트를 이용한 광소자 - Google Patents

음의 구스-한센 시프트를 이용한 광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101108641B1
KR101108641B1 KR1020100010712A KR20100010712A KR101108641B1 KR 101108641 B1 KR101108641 B1 KR 101108641B1 KR 1020100010712 A KR1020100010712 A KR 1020100010712A KR 20100010712 A KR20100010712 A KR 20100010712A KR 101108641 B1 KR101108641 B1 KR 101108641B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical waveguide
optical
electric field
light
reflecting layer
Prior art date
Application number
KR1020100010712A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110091072A (ko
Inventor
최영완
오금윤
김두근
김홍승
Original Assignee
중앙대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 중앙대학교 산학협력단 filed Critical 중앙대학교 산학협력단
Priority to KR1020100010712A priority Critical patent/KR101108641B1/ko
Priority to JP2010231867A priority patent/JP2011164577A/ja
Priority to US12/904,328 priority patent/US20110194801A1/en
Priority to CN2010105289132A priority patent/CN102147537A/zh
Publication of KR20110091072A publication Critical patent/KR20110091072A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101108641B1 publication Critical patent/KR101108641B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/008—Surface plasmon devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1226—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths involving surface plasmon interaction
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12107—Grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
    • G02B6/2861—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers using fibre optic delay lines and optical elements associated with them, e.g. for use in signal processing, e.g. filtering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 음의 구스-한센 시프트(negative Goos-Hanchen shift)를 이용하여 광속도를 지연하는 광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광소자는 광 도파로와, 광 도파로의 일측에 형성되어 있는 제1 반사층과, 광 도파로의 타측에 형성되어 있는 제2 반사층을 구비한다. 그리고 제1 반사층 및 상기 제2 반사층 중 적어도 하나는 음의 구스-한센 시프트(negative Goos-Hanchen shift) 특성을 나타내는 물질로 이루어진다.

Description

음의 구스-한센 시프트를 이용한 광소자{Optical device using negative Goos-Hanchen shift}
본 발명은 광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 음의 구스-한센 시프트(negative Goos-Hanchen shift)를 이용하여 광속도를 지연하는 광소자에 관한 것이다.
컴퓨터 및 정보 기기들의 발달로 인하여 정보의 양의 증가는 기하급수적으로 증가하고 있으며, 현재의 전기적 통신망, 컴퓨터 등과 같은 기술력의 발전 속도를 넘어, 이미 포화상태에 이르게 되었다. 따라서 방대한 양의 정보를 보다 빠르게 처리할 수 있는 통신기술이 필요로 하게 되었다. 빛은 전자파와 달리 전자파간섭효과를 배제하기 때문에 평행정보처리가 가능하다는 장점이 있다. 전자소자보다 월등히 빠른 광소자를 이용하여 광 컴퓨터, 광 네트워크에 대한 기술개발이 이루어지고 있으며, 다양한 광소자에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
한편, 빛은 초당 약 30만 km의 빠른 속도로 매질을 따라 전파되는데, 우리가 사용하는 광 회로에서 신호를 전달하는 수단으로 빛을 사용하기 때문에 신호의 전달 속도는 빛의 속도와 같다고 말할 수 있다. 이러한 회로의 설계에서 설계자의 필요에 의해 신호의 전달 속도를 변화시킬 필요성이 있으나, 종래의 광속도 지연소자는 원하는 만큼 광속도가 지연되도록 조절할 수 없을 뿐 아니라, 지연되는 광속도 역시 수십 나노초(ns) 정도로 매우 미비하였다. 따라서 광속도의 지연 정도를 조절할 수 있고 지연 속도를 크게 늘릴 수 있는 광속도 지연 소자에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다.
광속도 지연소자에 대한 연구는 간섭 변조기를 이용한 위상 조절방법, 링 공진기를 이용한 속도 지연방법, 광결정 구조의 비선형성을 이용한 방법 등이 제시되고 있다. 특히, 광결정 구조를 이용하는 광속도 지연소자에 대해 많은 연구가 이루어지고 있다.
광결정 구조를 이용한 광속도 지연소자는 주파수 대역폭의 영향과 고차 분산을 고려하여 느린 빛의 군속도를 갖도록 광결정 도파로를 구성한다. 광결정 도파로의 분산 특성 곡선을 살펴보면, 코어와 클래딩을 지나는 빛의 분산특성 곡선들의 사이에서 비선형적인 분산 특성을 보이는 영역을 확인할 수 있고, 이를 이용하여 빛의 군속도가 느린 광속도 지연소자를 제작할 수 있다. 그러나 이러한 광결정 도파로는 제조공정이 매우 복잡하여 제조하는 것이 용이치 않으며, 한번 제조된 소자는 지연 특성을 조절할 수 없다는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 음의 구스-한센 시프트(negative Goos-Hanchen shift)를 이용하여 광속도를 지연하는 새로운 개념의 광소자를 제공하는 데에 있다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 광소자는 입사된 빛을 가이드하여 출사하는 광 도파로; 상기 광 도파로의 일측에 형성되어 있는 제1 반사층; 및 상기 광 도파로의 타측에 형성되어 있는 제2 반사층;을 포함하며, 상기 제1 반사층 및 상기 제2 반사층 중 적어도 하나는 음의 구스-한센 시프트(negative Goos-Hanchen shift) 특성을 나타내는 물질로 이루어진다.
상기 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내는 물질은 노블 메탈(noble metal)일 수 있다.
상기 제1 반사층 및 상기 제2 반사층 중 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내는 물질로 이루어진 반사층은 상기 광 도파로와 마주보는 일면에 패턴(pattern)이 형성되어 있을 수 있으며, 상기 패턴은 상기 광 도파로 내의 빛의 진행방향과 직교하는 방향을 갖는 라인 형태의 요철이 주기적으로 형성되어 있는 라인 패턴(line pattern)일 수 있다.
상기 광 도파로는 전기장의 변화에 의해 굴절률이 변하는 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 광 도파로는 CdTe와 같은 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로 이루어질 수 있다.
상기 광 도파로에 전기장을 인가하는 전기장 인가수단을 더 구비하여,상기 전기장 인가수단을 통해 상기 광 도파로에 전기장을 인가하여, 상기 광 도파로를 진행하는 빛의 속도를 조절할 수 있다.
본 발명에 따르면, 광 도파로의 양측에 음의 구스-한센 시프트(negative Goos-Hanchen shift)특성을 나타내는 물질로 이루어진 반사층을 형성함으로써, 광 도파로를 진행하는 광속도를 지연시킬 수 있다. 특히, 반사층에 라인 형태의 요철이 주기적으로 형성되어 있는 라인 패턴을 형성함으로써, 구스-한센 시프트를 더 큰 음의 값을 갖도록 할 수 있다. 그리고 광 도파로가 전기장의 인가에 따라 굴절률이 변하는 물질로 이루어지도록 하여, 전기장을 인가하여 빛의 군속도를 조절할 수 있게 된다.
도 1은 구스-한센 시프트(Goos-Hanchen shift)를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 광소자에 대한 바람직한 일 실시예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 광소자에 구비되는 반사층의 일 예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명은 음의 구스-한센 시프트(negative Goos-Hanchen shift)를 이용한 광소자이다. 본 발명을 설명하기에 앞서, 구스-한센 시프트에 대해 먼저 살펴본다.
도 1은 구스-한센 시프트(Goos-Hanchen shift)를 설명하기 위한 도면이다.
도 1(a)에 나타낸 바와 같이, 제1 매질에서 진행하던 빛이 굴절률이 서로 다른 제2 매질을 만나게 되면, 제1 매질과 제2 매질의 경계면에서 반사하게 된다. 이때, 입사되는 빛이 반사되는 지점이 입사된 빛이 제1 매질과 제2 매질의 경계면과 만나는 지점이 아닐 수 있다.
보다 상세히 살펴보면, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 입사되는 빛(110)이 반사되는 지점은 입사된 빛이 제1 매질과 제2 매질의 경계면과 만나는 지점(120)보다 앞쪽 지점(130)이거나 뒤쪽 지점(140)일 수 있다. 즉, 빛이 입사된 지점(110)보다 앞쪽 지점(130)이거나 뒤쪽 지점(140)으로부터 반사된 빛(150, 160)이 진행하게 된다. 이를 구스-한센 효과라고 하며, 입사된 빛(110)이 제1 매질과 제2 매질의 경계면과 만나는 지점(120)과 반사된 빛이 진행하는 지점(130, 140)의 사이의 거리를 구스-한센 시프트라고 한다. 이때, 앞쪽 지점(130)으로부터 반사된 빛(150)이 진행하는 경우를 양의 구스-한센 시프트(positive Goos-Hanchen shift)라고 하며, 뒤쪽 지점(140)으로부터 반사된 빛(160)이 진행하는 경우를 음의 구스-한센 시프트(negative Goos-Hanchen shift)라고 한다.
입사된 빛이 양의 구스-한센 시프트하여 반사될 것인가, 음의 구스-한센 시프트하여 반사될 것인가는 제2 매질에 의해 결정되는데, 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내는 물질은 금(Au), 은(Ag)와 같은 노블 메탈(noble metal)이 대표적이다. 그리고 어느 정도 구스-한센 시프트가 일어날 것인가는 제2 매질의 구성 물질 외에, 입사된 빛의 파장, 입사 각도, 제2 매질 표면 형상 등에 의해 변화하게 된다.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 음의 구스-한센 시프트를 이용한 광소자의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 광소자에 대한 바람직한 일 실시예를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 광소자에 구비되는 반사층의 일 예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 광소자(200)는 광 도파로(210), 제1 반사층(220), 제2 반사층(230) 및 전기장 인가수단(240)을 구비한다.
광 도파로(210)는 내부로 입사된 빛을 가이드하여 외부로 출사한다. 광 도파로(210)는 전기장의 변화에 의해 굴절률이 변하는 물질로 이루어질 수 있는데, 바람직하게는 kerr 상수가 큰 물질로 이루어져 외부 전기장의 변화에 의해 굴절률이 상대적으로 많이 변하는 물질로 이루어진다. 광 도파로(210)가 전기장의 변화에 의해 굴절률이 변하는 물질로 이루어지면, 외부에서 전기장이 인가되었을 때, 전기-광학적 효과(electro-optic effect)에 의해 광 도파로(210) 내부에서 진행되는 빛의 군속도를 굴절률의 변화로 조절할 수 있게 된다. 따라서 광 도파로(210) 내부를 진행하는 빛의 군속도를 조절하기 용이하게 된다. 특히, kerr 상수가 큰 물질로 광 도파로(210)가 이루어지면, 빛의 군속도를 조절하기 더욱 용이하게 된다. 이를 위해, 광 도파로(210)는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 CdTe로 이루어질 수 있다.
제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)은 각각 광 도파로(210)의 일측과 타측에 형성되어, 광 도파로(210) 내부를 진행하는 빛을 반사시킨다. 제1 반사층(220) 및 제2 반사층(230) 중 적어도 하나는 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내는 물질로 이루어진다. 본 실시예에서는 제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)이 모두 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내는 물질로 이루어진 경우를 나타내었다. 제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)이 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내도록, 제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)은 금, 은과 같은 노블 메탈(noble metal)로 이루어질 수 있다.
그리고 제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)은 음의 구스-한센 시프트 정도를 크게 하기 위해, 광 도파로(210)를 향해 있는 면에 패턴(pattern)이 형성될 수 있다. 여기서, 패턴은 격자(grating)와 같이 일면에 요철이 형성되어 있는 형태를 의미한다. 제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)에 형성되어 있는 패턴은 도 3에 도시된 바와 같이, 라인 형태의 요철이 주기적으로 형성되어 있는 라인 패턴(line pattern)일 수 있다. 이때, 각 라인의 형성 방향은 도 3에 나타낸 바와 같이 빛의 진행 방향과 직교하는 방향으로 형성하여야 음의 구스-한센 시프트 정도를 더욱 크게 할 수 있다. 음의 구스-한센 시프트 정도는 입사되는 빛의 파장, 입사각, 패턴의 형상 등에 의해 조절이 가능하다. 여기서 패턴의 형상은 상술한 바와 같이 라인 패턴인 것이 바람직하고, 라인 패턴의 요철 높이를 조절하여 음의 구스-한센 시프트 정도를 조절할 수 있다.
이와 같이, 제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)을 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내는 물질로 구성하면, 광 도파로(210) 내부를 진행하는 빛의 군속도를 지연시킬 수 있다. 예컨대, 도 2의 참조번호 250으로 표시된 것과 같이 빛이 광 도파로(210) 내에 입사되는 경우를 가정한다. 제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)이음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내지 않는 물질로 구성된 경우에는 점선으로 표시된 참조번호 260과 같이 빛이 광 도파로(210) 내를 진행하게 된다. 그러나 제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)이 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내는 물질로 구성된 경우에는 실선으로 표시된 참조번호 270과 같이 빛이 광 도파로(210) 내를 진행하게 된다. 즉, 제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)이 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내는 물질로 구성되면, 그렇지 않은 경우에 비해 보다 뒤쪽에서 반사를 하게 되므로, 빛의 전체 진행 경로가 길어지게 된다. 따라서 광 도파로(210)를 진행하는 빛의 군속도는 지연되는 효과를 나타내게 된다.
전기장 인가수단(240)은 광 도파로(210)에 전기장을 인가하는 것으로, 전기장 인가수단(240)을 이용하여 광 도파로(210)에 전기장을 인가함으로써, 광 도파로(210)의 굴절률을 변화시킬 수 있다. 제1 반사층(220)과 제2 반사층(230)이 모두 금속으로 이루어지므로, 전기장 인가수단(240)은 광 도파로(210)에 전기장을 인가하기 위하여 복잡한 구조를 가질 필요가 없다. 전기장을 인가하여 광 도파로(210)의 굴절률을 변화시키면, 상술한 바와 같이, 전기-광학적 효과(electro-optic effect)에 의해 광 도파로(210) 내부에서 진행되는 빛의 군속도를 조절할 수 있다. 그리고 광 도파로(210)의 굴절률의 변화를 통해 음의 구스-한센 시프트 정도를 조절할 수 있다. 즉, 전기장 인가수단(240)을 통해 광 도파로(210)에 전기장을 인가함으로써, 광 도파로(210) 내를 진행하는 빛의 군속도를 조절할 수 있게 된다.
종래의 광결정 구조 등을 이용한 광속도 지연소자는 소자 제작 후, 빛의 군속도를 조절할 수 없지만, 본 발명에 따른 광소자(200)는 소자 제작 후에도 광 도파로(210)에 전기장을 인가하여 빛의 군속도를 조절할 수 있게 된다. 그리고 본 발명에 따른 광소자(200)는 빛의 파장, 입사각, 패턴의 형상, 인가되는 전기장의 세기 등을 조절하여, 빛이 지연되는 시간을 종래의 광속도 지연소자에 비해 현저히 길게 할 수 있다. 본 발명에 따른 광소자(200)는 OPCB(optical printed circuit board), 광집접화회로(photonic integrated circuit) 등에서 광속도를 조절가능한 소자로 이용될 수 있으며, 광네트워크, 광통신, 광컴퓨터 시스템 등으로의 응용이 가능하다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

Claims (9)

  1. 입사된 빛을 가이드하여 출사하는 광 도파로;
    상기 광 도파로의 일측에 형성되어 있는 제1 반사층; 및
    상기 광 도파로의 타측에 형성되어 있는 제2 반사층;을 포함하며,
    상기 제1 반사층 및 상기 제2 반사층 중 적어도 하나는 음의 구스-한센 시프트(negative Goos-Hanchen shift) 특성을 나타내는 물질로 이루어지고,
    상기 제1 반사층 및 상기 제2 반사층 중 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내는 물질로 이루어진 반사층은 상기 광 도파로와 마주보는 일면에 패턴(pattern)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광지연소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 음의 구스-한센 시프트 특성을 나타내는 물질은 노블 메탈(noble metal)인 것을 특징으로 하는 광지연소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광 도파로는 전기장의 변화에 의해 굴절률이 변하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광지연소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 패턴은 상기 광 도파로 내의 빛의 진행방향과 직교하는 방향을 갖는 라인 형태의 요철이 주기적으로 형성되어 있는 라인 패턴(line pattern)인 것을 특징으로 하는 광지연소자.
  5. 입사된 빛을 가이드하여 출사하는 광 도파로;
    상기 광 도파로의 일측에 형성되어 있는 제1 반사층; 및
    상기 광 도파로의 타측에 형성되어 있는 제2 반사층;을 포함하며,
    상기 제1 반사층 및 상기 제2 반사층 중 적어도 하나는 음의 구스-한센 시프트(negative Goos-Hanchen shift) 특성을 나타내는 물질로 이루어지고,
    상기 광 도파로는 전기장의 변화에 의해 굴절률이 변하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광지연소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 광 도파로는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 광지연소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체는 CdTe인 것을 특징으로 하는 광지연소자.
  8. 제3항 또는 제5항에 있어서,
    상기 광 도파로에 전기장을 인가하는 전기장 인가수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 광지연소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전기장 인가수단을 통해 상기 광 도파로에 전기장을 인가하여, 상기 광 도파로를 진행하는 빛의 속도를 조절하는 것을 특징으로 하는 광지연소자.
KR1020100010712A 2010-02-05 2010-02-05 음의 구스-한센 시프트를 이용한 광소자 KR101108641B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100010712A KR101108641B1 (ko) 2010-02-05 2010-02-05 음의 구스-한센 시프트를 이용한 광소자
JP2010231867A JP2011164577A (ja) 2010-02-05 2010-10-14 負のグース−ヘンシェンシフトを利用した光素子
US12/904,328 US20110194801A1 (en) 2010-02-05 2010-10-14 Optical device using negative goos-hanchen shift
CN2010105289132A CN102147537A (zh) 2010-02-05 2010-10-25 利用负的古斯-汉欣位移的光学元件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100010712A KR101108641B1 (ko) 2010-02-05 2010-02-05 음의 구스-한센 시프트를 이용한 광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110091072A KR20110091072A (ko) 2011-08-11
KR101108641B1 true KR101108641B1 (ko) 2012-01-31

Family

ID=44353789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100010712A KR101108641B1 (ko) 2010-02-05 2010-02-05 음의 구스-한센 시프트를 이용한 광소자

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20110194801A1 (ko)
JP (1) JP2011164577A (ko)
KR (1) KR101108641B1 (ko)
CN (1) CN102147537A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103837935B (zh) * 2014-03-24 2016-08-17 冉茂武 级联光波导滤波器
CN105628650B (zh) * 2014-12-31 2018-07-24 电子科技大学 一种折射率检测方法及检测装置
CN105204115B (zh) * 2015-10-10 2018-02-16 浙江大学 一种基于对称金属包覆波导的中红外波段可调光延时器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57164717A (en) 1981-04-03 1982-10-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Polarizer
JP2002006244A (ja) 2000-06-08 2002-01-09 Agilent Technol Inc 効率的な反射結合を行なうための導波路の配置と角度の決定

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8727212D0 (en) * 1987-11-20 1987-12-23 Secr Defence Optical beam steering device
JP3507659B2 (ja) * 1996-06-11 2004-03-15 株式会社東芝 光機能素子
US6005707A (en) * 1997-11-21 1999-12-21 Lucent Technologies Inc. Optical devices comprising polymer-dispersed crystalline materials

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57164717A (en) 1981-04-03 1982-10-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Polarizer
JP2002006244A (ja) 2000-06-08 2002-01-09 Agilent Technol Inc 効率的な反射結合を行なうための導波路の配置と角度の決定

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
논문1

Also Published As

Publication number Publication date
CN102147537A (zh) 2011-08-10
US20110194801A1 (en) 2011-08-11
JP2011164577A (ja) 2011-08-25
KR20110091072A (ko) 2011-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mendis et al. Plastic ribbon THz waveguides
CN106662766B (zh) 光波导元件
US6721085B2 (en) Optical modulator and design method therefor
US20210026068A1 (en) Silicon-based integrated optically adjustable delay line based on optical phased array
US9377580B2 (en) Surface plasmon polariton device including discontinuous waveguide separated by gap, and apparatus and method for generating surface plasmon polariton signal using same
JP2004093905A (ja) 光変調器
CN102213797A (zh) 波导型偏振器
CN209928057U (zh) 横电偏振器
KR101108641B1 (ko) 음의 구스-한센 시프트를 이용한 광소자
US20050196092A1 (en) Optical modulator and communications system
WO2006088093A1 (ja) 光変調器
US8380015B2 (en) Optical control device
Wang et al. Photonic crystal slow light Mach–Zehnder interferometer modulator for optical interconnects
JP2015138145A (ja) 光変調器
JP4948185B2 (ja) 平面光波回路
KR20180079009A (ko) 비가역 광투과 소자 및 이를 포함하는 광학 장치
WO2012111689A1 (ja) 光ゲートスイッチ
JP4812476B2 (ja) 光変調器
JP6226496B2 (ja) 偏光子及び偏光変調システム
JP5795500B2 (ja) 光位相変調器
US6711323B1 (en) Wide deflection-angle optical switches and method of fabrication
WO2022216307A1 (en) Silicon based optical coupling with tapered bridge
Salehi et al. New double V‐groove plasmonic waveguide for electro‐optic modulator
CN114185221A (zh) 一种调制器和调制方法
KR20040017535A (ko) 저 유전율 기판을 이용한 저전압 광 변조기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150417

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160119

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170104

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee