JPS6354235B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6354235B2 JPS6354235B2 JP16890382A JP16890382A JPS6354235B2 JP S6354235 B2 JPS6354235 B2 JP S6354235B2 JP 16890382 A JP16890382 A JP 16890382A JP 16890382 A JP16890382 A JP 16890382A JP S6354235 B2 JPS6354235 B2 JP S6354235B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- semiconductor laser
- light
- single mode
- light emitting
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 13
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000002419 bulk glass Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は、光フアイバジヤイロケータ，光位相
変調通信方式等のように、光の位相を利用する技
術に用いて好適な単一モード半導体レーザダイオ
ードに関するものである。
変調通信方式等のように、光の位相を利用する技
術に用いて好適な単一モード半導体レーザダイオ
ードに関するものである。
(b) 技術の背景
近年ジヤイロケータを光フアイバと半導体レー
ザダイオードを用いて構成することが行なわれて
来ている。
ザダイオードを用いて構成することが行なわれて
来ている。
この光フアイバジヤイロは、第１図にその原理
を示すように、レーザダイオードLDからのレー
ザ光をハーフミラーHFにより２分岐し、光フア
イバのループLPの両端から入射し、光フアイバ
ループLPを右回りに伝搬した光と、左回りに伝
搬した光を再びハーフミラーHFにて合成して位
相差検出器PDに入射し、その位相差から回転速
度を指示する装置である。
を示すように、レーザダイオードLDからのレー
ザ光をハーフミラーHFにより２分岐し、光フア
イバのループLPの両端から入射し、光フアイバ
ループLPを右回りに伝搬した光と、左回りに伝
搬した光を再びハーフミラーHFにて合成して位
相差検出器PDに入射し、その位相差から回転速
度を指示する装置である。
このように光の位相差を用いるため、レーザダ
イオードは発光波長を安定させることが要求され
ている。
イオードは発光波長を安定させることが要求され
ている。
(c) 従来技術及び問題点
従来、このため発光波長の良いレーザダイオー
ドLDを選択して用い、又伝送用光フアイバTFの
端面Ｆからの反射光により発光波長が変動するの
を防止するためにアイソレータISOを配置してい
る。ところが、このアイソレータISOは完全に反
射光を阻止できず、又アイソレータISOの端面に
おいて反射が生じるため、どうしても発光波長が
変動してしまう欠点があつた。
ドLDを選択して用い、又伝送用光フアイバTFの
端面Ｆからの反射光により発光波長が変動するの
を防止するためにアイソレータISOを配置してい
る。ところが、このアイソレータISOは完全に反
射光を阻止できず、又アイソレータISOの端面に
おいて反射が生じるため、どうしても発光波長が
変動してしまう欠点があつた。
位相情報を用いるジヤイロ等では、この変動が
無視できない。
無視できない。
(d) 発明の目的
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、発
光波長を精度よく制御できるようにした単一モー
ド半導体レーザダイオードを提供することを目的
とする。
光波長を精度よく制御できるようにした単一モー
ド半導体レーザダイオードを提供することを目的
とする。
(e) 発明の構成
上記目的は、半導体レーザダイオードにおい
て、該半導体レーザダイオードの前方発光面側
に、単一モードフアイバの両端面に反射膜M2，
M3を設けた第１のエタロンSMFと、該半導体レ
ーザダイオードの後方発光端面側に反射面M1を
設け、該後方発光端面と該反射面で構成する第２
のエタロンを設け、前記第１のエタロンの伝送路
側反射面M3と前記半導体レーザダイオードの後
方発光端面側の前記反射面M1の間隔を発光波長
λのｎ倍（ｎは整数）としたことを特徴とする半
導体レーザダイオードによつて達成れれる。
て、該半導体レーザダイオードの前方発光面側
に、単一モードフアイバの両端面に反射膜M2，
M3を設けた第１のエタロンSMFと、該半導体レ
ーザダイオードの後方発光端面側に反射面M1を
設け、該後方発光端面と該反射面で構成する第２
のエタロンを設け、前記第１のエタロンの伝送路
側反射面M3と前記半導体レーザダイオードの後
方発光端面側の前記反射面M1の間隔を発光波長
λのｎ倍（ｎは整数）としたことを特徴とする半
導体レーザダイオードによつて達成れれる。
(f) 発明の実施例
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。第
３図は本発明の実施例を示す図で、図中、Ｐはペ
ルチエ素子、Ｓはステム、BGはバルクガラス、
SMFはシングルモードフアイバ、M1，M2，M3
は反射面、TFは伝送用光フアイバ、Ｌはレンズ
である。
３図は本発明の実施例を示す図で、図中、Ｐはペ
ルチエ素子、Ｓはステム、BGはバルクガラス、
SMFはシングルモードフアイバ、M1，M2，M3
は反射面、TFは伝送用光フアイバ、Ｌはレンズ
である。
本発明においては、縦モードのロツキングをよ
り精度よく行なうために、レーザダイオードLD
の後方発光面にはバルクガラスBGを、前方発光
面には両端面は反射面M2，M3によりエタロンを
構成したシングルモードフアイバSMFを配置し
た。
り精度よく行なうために、レーザダイオードLD
の後方発光面にはバルクガラスBGを、前方発光
面には両端面は反射面M2，M3によりエタロンを
構成したシングルモードフアイバSMFを配置し
た。
この構成によれば、バルクガラスBGの反射前
M1とレーザダイオードLDとの間で、１つのエタ
ロンが構成され、シングルモードフアイバSMF
の反射面M2とM3との間でもう１つのエタロンが
構成される。レーザダイオード自身も１つのエタ
ロンを構成しているので、都合３つのエタロンが
直列に配置されたことになる。そして、反射面
M1とM3の間隔は発光波長λのｎ倍とする。
M1とレーザダイオードLDとの間で、１つのエタ
ロンが構成され、シングルモードフアイバSMF
の反射面M2とM3との間でもう１つのエタロンが
構成される。レーザダイオード自身も１つのエタ
ロンを構成しているので、都合３つのエタロンが
直列に配置されたことになる。そして、反射面
M1とM3の間隔は発光波長λのｎ倍とする。
作用について説明すると、レーザダイオード
LDからは、あるスペクトラム幅をもつたレーザ
光が出射する。そして、このレーザ光は各スペク
トラム毎に出射角度が異なつており、従つてバル
クガラスBGの反射面M1に入射する角度も異なつ
ている。この入射角度によつて反射面M1から反
射する光と反射しない光に分けられる。これによ
り、レーザダイオードLDにフイードバツクされ
る光のスペクトラムは、レーザダイオードから出
射する光に比較して狭くなる。
LDからは、あるスペクトラム幅をもつたレーザ
光が出射する。そして、このレーザ光は各スペク
トラム毎に出射角度が異なつており、従つてバル
クガラスBGの反射面M1に入射する角度も異なつ
ている。この入射角度によつて反射面M1から反
射する光と反射しない光に分けられる。これによ
り、レーザダイオードLDにフイードバツクされ
る光のスペクトラムは、レーザダイオードから出
射する光に比較して狭くなる。
このようにしてスペクトラムの幅が狭くなつた
レーザダイオードLDからの光は、シングルモー
ドフアイバSMFに入射する。そして、シングル
モードフアイバSMFでは反射面M2，M3間で反
射が繰り返えされ、シングルモードフアイバ
SMFの長さによつて定まる波長だけが反射面
M2，M3を透過し、反射面M2を介してレーザダ
イオードにフイードバツクし、一方反射面M3を
介して伝送用光フアイバTFに入射する。
レーザダイオードLDからの光は、シングルモー
ドフアイバSMFに入射する。そして、シングル
モードフアイバSMFでは反射面M2，M3間で反
射が繰り返えされ、シングルモードフアイバ
SMFの長さによつて定まる波長だけが反射面
M2，M3を透過し、反射面M2を介してレーザダ
イオードにフイードバツクし、一方反射面M3を
介して伝送用光フアイバTFに入射する。
以上の構成により実施した結果を第４図ａに示
す。
す。
第４図ｂは、第２図の構成によるレーザダイオ
ードからの発光スペクトラムを示す図である。図
から明らかな如く、従来においては100Åの範囲
でいくつも縦モードが発生しているが、本発明に
よれば縦モードが１つとなつている。
ードからの発光スペクトラムを示す図である。図
から明らかな如く、従来においては100Åの範囲
でいくつも縦モードが発生しているが、本発明に
よれば縦モードが１つとなつている。
次に、シングルモードフアイバSMFの長さに
対する反射面の透過率について実験した結果を説
明する。使用したシングルモードフアイバSMF
の長さは５mmを中心として、その長さを変化させ
た。そして、反射面M2，M3の反射率は95％で、
使用波成は1.305μmである。その結果を第５図に
示す。
対する反射面の透過率について実験した結果を説
明する。使用したシングルモードフアイバSMF
の長さは５mmを中心として、その長さを変化させ
た。そして、反射面M2，M3の反射率は95％で、
使用波成は1.305μmである。その結果を第５図に
示す。
図において、横軸はシングルモードフアイバの
長さ（mm），縦軸は透過損である。そして、最大
の透過損（31.8dB）を与える長さＡ点は、
5.00143（mm）で、最小の透過損（0.00091dB）を
与える長さＢ点は5.000756（mm）であつた。又図
から明らかな如く、長さを変えることにより周期
的に透過損が変化する。
長さ（mm），縦軸は透過損である。そして、最大
の透過損（31.8dB）を与える長さＡ点は、
5.00143（mm）で、最小の透過損（0.00091dB）を
与える長さＢ点は5.000756（mm）であつた。又図
から明らかな如く、長さを変えることにより周期
的に透過損が変化する。
図から最大の透過損を与える長さと、最小の透
過損を与える長さの差Ｄは、 Ｄ＝λ／4n＝Ａ−Ｂ／３≒0.225μm となる。
過損を与える長さの差Ｄは、 Ｄ＝λ／4n＝Ａ−Ｂ／３≒0.225μm となる。
(g) 発明の効果
以上の如く本発明の構成によれば、単一のモー
ドのレーザ光を得ることが可能となる。しかも、
そのレベルの調整はシングルモードフアイバの長
さの微調整で可能となる。
ドのレーザ光を得ることが可能となる。しかも、
そのレベルの調整はシングルモードフアイバの長
さの微調整で可能となる。
第１図は光フアイバジヤイロの一例を示す図、
第２図は従来の構成を示す図、第３図は本発明の
構成例を示す図、第４図は第３図の構成例を用い
て実験結果を示す図、第５図はシングルモードフ
アイバの長さと透過損との関係を示す図である。 図中、LDはレーザダイオード、BGはバルクガ
ラス、SMFはシングルモードフアイバ、TFは伝
送用フアイバ、M1，M2は反射面である。
第２図は従来の構成を示す図、第３図は本発明の
構成例を示す図、第４図は第３図の構成例を用い
て実験結果を示す図、第５図はシングルモードフ
アイバの長さと透過損との関係を示す図である。 図中、LDはレーザダイオード、BGはバルクガ
ラス、SMFはシングルモードフアイバ、TFは伝
送用フアイバ、M1，M2は反射面である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体レーザダイオードにおいて、該半導体
レーザダイオードの前方発光面側に、単一モード
フアイバの両端面に反射膜M2，M3を設けた第１
のエタロンSMFと、 該半導体レーザダイオードの後方発光端面側に
反射面M1を設け、 該後方発光端面と該反射面で構成する第２のエ
タロンを設け、 前記第１のエタロンの伝送路側反射面M3と前
記半導体レーザダイオードの後方発光端面側の前
記反射面M1の間隔を発光波長λのｎ倍（ｎは整
数）としたことを特徴とする半導体レーザダイオ
ード。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168903A JPS5958886A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 単一モ−ド半導体レ−ザダイオ−ド |
| CA000437093A CA1238970A (en) | 1982-09-28 | 1983-09-20 | Fiber-optic gyro |
| DE8383305763T DE3382205D1 (de) | 1982-09-28 | 1983-09-27 | Kreisel mit optischem faden. |
| EP83305763A EP0107373B1 (en) | 1982-09-28 | 1983-09-27 | Fibre optic gyroscope |
| KR8304554A KR870001832B1 (en) | 1982-09-28 | 1983-09-28 | Fiber-optic gyro |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168903A JPS5958886A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 単一モ−ド半導体レ−ザダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958886A JPS5958886A (ja) | 1984-04-04 |
| JPS6354235B2 true JPS6354235B2 (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=15876695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168903A Granted JPS5958886A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 単一モ−ド半導体レ−ザダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958886A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109405849A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-01 | 武汉长盈通光电技术有限公司 | 一种光纤环粘环方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2664439A1 (fr) * | 1990-07-06 | 1992-01-10 | Alsthom Cge Alcatel | Laser semi-conducteur a reflecteur externe. |
| EP0553994A1 (en) * | 1992-01-29 | 1993-08-04 | AT&T Corp. | Compact optical pulse source |
| KR20040047254A (ko) * | 2002-11-29 | 2004-06-05 | 한국전자통신연구원 | 에탈론 필터가 집적된 파장가변 레이저 다이오드 광학기구 |
| CN103983261B (zh) * | 2014-04-28 | 2017-02-15 | 北京大学 | 基于矢量空间分析的光纤陀螺仪及信号处理方法 |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP57168903A patent/JPS5958886A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109405849A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-01 | 武汉长盈通光电技术有限公司 | 一种光纤环粘环方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5958886A (ja) | 1984-04-04 |
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