JP3451395B2 - 光スイッチおよびその製造方法 - Google Patents
光スイッチおよびその製造方法Info
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- JP3451395B2 JP3451395B2 JP29503798A JP29503798A JP3451395B2 JP 3451395 B2 JP3451395 B2 JP 3451395B2 JP 29503798 A JP29503798 A JP 29503798A JP 29503798 A JP29503798 A JP 29503798A JP 3451395 B2 JP3451395 B2 JP 3451395B2
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- Japan
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光スイッチおよ
びその製造方法に関し、特に、空間的に光路を切り替え
る光スイッチおよびその製造方法に関する。
びその製造方法に関し、特に、空間的に光路を切り替え
る光スイッチおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図２を参照して説明する。図２
において、１は半導体基板例えばシリコン基板である。
このシリコン基板１の上面には６により示される光導波
路が複数本形成されている。この複数本の光導波路６は
互いに平行に、或は方向を異にしてシリコン基板１の上
面に形成されている。シリコン基板１の上面に形成され
る光導波路６の延伸方向に光Ｌを放射し、その一方の端
面に対して光Ｌを入射すると、入射光は光導波路６を光
路としてこれを介して伝送し、他方の端面に到達し、こ
こから放射されて入射側光ファイバ５、５’に入射する
に到る。
において、１は半導体基板例えばシリコン基板である。
このシリコン基板１の上面には６により示される光導波
路が複数本形成されている。この複数本の光導波路６は
互いに平行に、或は方向を異にしてシリコン基板１の上
面に形成されている。シリコン基板１の上面に形成され
る光導波路６の延伸方向に光Ｌを放射し、その一方の端
面に対して光Ｌを入射すると、入射光は光導波路６を光
路としてこれを介して伝送し、他方の端面に到達し、こ
こから放射されて入射側光ファイバ５、５’に入射する
に到る。
【０００３】ここで、シリコン基板１を図２に示される
黒色の上下方向の矢印の方向に駆動することにより、放
射される光Ｌの入射される光路である光導波路６を上側
或は下側の何れかに切り替えることにより、放射される
光Ｌの伝送される入射側光ファイバは５或いは５’に切
り替えられる。
黒色の上下方向の矢印の方向に駆動することにより、放
射される光Ｌの入射される光路である光導波路６を上側
或は下側の何れかに切り替えることにより、放射される
光Ｌの伝送される入射側光ファイバは５或いは５’に切
り替えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上の光スイッチは、
シリコン基板１の上面に形成される光導波路６を光路と
し、これを切り替えるタイプの光スイッチであるので、
光路を構成する光導波路６の伝送特性が光波長および偏
波に依存して変化すると共に、光伝送損失も比較的に大
きい。この発明は、上述の問題を解消した空間的に光路
を切り替える光スイッチおよびその製造方法を提供する
ものである。
シリコン基板１の上面に形成される光導波路６を光路と
し、これを切り替えるタイプの光スイッチであるので、
光路を構成する光導波路６の伝送特性が光波長および偏
波に依存して変化すると共に、光伝送損失も比較的に大
きい。この発明は、上述の問題を解消した空間的に光路
を切り替える光スイッチおよびその製造方法を提供する
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】シリコン基板１に座ぐり
部１２を形成し、左右に１対或いは上下左右に合計２対
形成したフレクチュア部２１を介してシリコン基板１に
結合される可動板２を座ぐり部１２に形成し、可動板２
の上面に直角に入射光に関して４５°傾斜してミラー３
を形成し、可動板２の下面に一方の電極を形成し、この
一方の電極と座ぐり部２１領域の下方に設置される他方
の電極との間に発生する静電吸引力により可動板２とミ
ラー３とが下方に垂直に変位する構成とした光スイッチ
を構成した。
部１２を形成し、左右に１対或いは上下左右に合計２対
形成したフレクチュア部２１を介してシリコン基板１に
結合される可動板２を座ぐり部１２に形成し、可動板２
の上面に直角に入射光に関して４５°傾斜してミラー３
を形成し、可動板２の下面に一方の電極を形成し、この
一方の電極と座ぐり部２１領域の下方に設置される他方
の電極との間に発生する静電吸引力により可動板２とミ
ラー３とが下方に垂直に変位する構成とした光スイッチ
を構成した。
【０００６】そして、数μｍの厚さのシリコン基板１を
準備し、シリコン基板１の上面に薄膜成膜技術、フォト
リソグラフィ技術、エッチング技術を適用してシリコン
基板１上面の中央部に可動板２形成領域とフレクチュア
部２１形成領域を形成し、可動板２形成領域にフォトリ
ソグラフィ技術およびメッキ技術を適用してミラー３を
形成し、シリコン基板１の下面をエッチング除去して可
動板２とフレクチュア部２１を形成する光スイッチの製
造方法において、シリコン基板１の上面全面にＳｉＯ2
被膜を形成し、可動板２がシリコン基板１に固定される
ところであるアンカー部２３が形成されるべき領域に対
応するＳｉＯ2 被膜のみをフォトリソグラフィ技術とエ
ッチング技術を適用して除去し、シリコン基板１上面の
ＳｉＯ2被膜の上面に露出領域を含めポリシリコン膜を
成膜し、ポリシリコン膜にフォトリソグラフィ技術とエ
ッチング技術を適用してアンカー部１１、結合部２１
２、フレクチュア部２１、結合部２１２、可動板２を形
成する領域を形成し、シリコン基板１上面全面に比較的
に厚みの大なるレジストを塗布し、可動板２形成領域の
上面にミラー形状のパターンニングをし、Ｎｉメッキ液
に浸してミラー３を形成し、シリコン基板１全体をＳｉ
Ｏ2 膜で被覆し、シリコン基板１の下面にフォトリソグ
ラフィ技術とエッチング技術を適用して座ぐり部１２を
形成するに必要な形状のＳｉＯ2 膜を除去し、ＫＯＨ溶
液に浸して可動板２が上下移動する座ぐり部１２を形成
する光スイッチの製造方法を構成した。
準備し、シリコン基板１の上面に薄膜成膜技術、フォト
リソグラフィ技術、エッチング技術を適用してシリコン
基板１上面の中央部に可動板２形成領域とフレクチュア
部２１形成領域を形成し、可動板２形成領域にフォトリ
ソグラフィ技術およびメッキ技術を適用してミラー３を
形成し、シリコン基板１の下面をエッチング除去して可
動板２とフレクチュア部２１を形成する光スイッチの製
造方法において、シリコン基板１の上面全面にＳｉＯ2
被膜を形成し、可動板２がシリコン基板１に固定される
ところであるアンカー部２３が形成されるべき領域に対
応するＳｉＯ2 被膜のみをフォトリソグラフィ技術とエ
ッチング技術を適用して除去し、シリコン基板１上面の
ＳｉＯ2被膜の上面に露出領域を含めポリシリコン膜を
成膜し、ポリシリコン膜にフォトリソグラフィ技術とエ
ッチング技術を適用してアンカー部１１、結合部２１
２、フレクチュア部２１、結合部２１２、可動板２を形
成する領域を形成し、シリコン基板１上面全面に比較的
に厚みの大なるレジストを塗布し、可動板２形成領域の
上面にミラー形状のパターンニングをし、Ｎｉメッキ液
に浸してミラー３を形成し、シリコン基板１全体をＳｉ
Ｏ2 膜で被覆し、シリコン基板１の下面にフォトリソグ
ラフィ技術とエッチング技術を適用して座ぐり部１２を
形成するに必要な形状のＳｉＯ2 膜を除去し、ＫＯＨ溶
液に浸して可動板２が上下移動する座ぐり部１２を形成
する光スイッチの製造方法を構成した。
【０００７】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１を参
照して説明する。図１（ａ）は光スイッチの実施例を上
から視た図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）における線
ｂ−ｂ’に沿った断面を矢印の向きに視た図である。１
はシリコン基板、２は可動板である。可動板２は、シリ
コン基板１に形成されるアンカー部１１に対して、結合
部２１１、フレクチュア部２１、結合部２１２を介して
一体的に結合している。これらシリコン基板１、アンカ
ー部１１、結合部２１２、フレクチュア部２１、結合部
２１２は、シリコン基板１を原材料基板としてこれにフ
ォトリソグラフィ技術を適用することにより形成する。
１２は座ぐり部であり、原材料基板である正方形のシリ
コン基板１を貫通形成されている。２１３はフレクチュ
ア部２１の貫通孔であり、これを形成することによりフ
レクチュア部２１は図示される通りの枠形に構成され
る。結果として図１に示される形状構造のシリコン基板
１、アンカー部１１、可動板２、アンカー部１１と可動
板２との間を結合する結合部２１１、フレクチュア部２
１、結合部２１２が形成される。そして、可動板２の上
面にミラー３を形成する。以下、光スイッチの製造工程
を具体的に説明する。
照して説明する。図１（ａ）は光スイッチの実施例を上
から視た図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）における線
ｂ−ｂ’に沿った断面を矢印の向きに視た図である。１
はシリコン基板、２は可動板である。可動板２は、シリ
コン基板１に形成されるアンカー部１１に対して、結合
部２１１、フレクチュア部２１、結合部２１２を介して
一体的に結合している。これらシリコン基板１、アンカ
ー部１１、結合部２１２、フレクチュア部２１、結合部
２１２は、シリコン基板１を原材料基板としてこれにフ
ォトリソグラフィ技術を適用することにより形成する。
１２は座ぐり部であり、原材料基板である正方形のシリ
コン基板１を貫通形成されている。２１３はフレクチュ
ア部２１の貫通孔であり、これを形成することによりフ
レクチュア部２１は図示される通りの枠形に構成され
る。結果として図１に示される形状構造のシリコン基板
１、アンカー部１１、可動板２、アンカー部１１と可動
板２との間を結合する結合部２１１、フレクチュア部２
１、結合部２１２が形成される。そして、可動板２の上
面にミラー３を形成する。以下、光スイッチの製造工程
を具体的に説明する。
【０００８】原材料基板として特にシリコン基板を使用
し、これに対して薄膜成膜技術、フォトリソグラフィ技
術、エッチング技術を含むマイクロマシニング技術を適
用して光スイッチを製造する仕方を具体的に説明する。 （工程１） 原材料基板である正方形のシリコン基板１
を準備し、この上面全面に１μｍ厚のＳｉＯ2 被膜を形
成する。 （工程２） 可動板２がシリコン基板１に固定されると
ころであるアンカー部１１が形成されるべき領域に対応
するＳｉＯ2 被膜のみをフォトリソグラフィ技術とエッ
チング技術を適用して１０μｍ角に除去する。ここで、
原材料シリコン基板１上面の内の左右両辺の中間に１箇
所づつＳｉＯ2 被膜が除去された露出領域が形成され
た。
し、これに対して薄膜成膜技術、フォトリソグラフィ技
術、エッチング技術を含むマイクロマシニング技術を適
用して光スイッチを製造する仕方を具体的に説明する。 （工程１） 原材料基板である正方形のシリコン基板１
を準備し、この上面全面に１μｍ厚のＳｉＯ2 被膜を形
成する。 （工程２） 可動板２がシリコン基板１に固定されると
ころであるアンカー部１１が形成されるべき領域に対応
するＳｉＯ2 被膜のみをフォトリソグラフィ技術とエッ
チング技術を適用して１０μｍ角に除去する。ここで、
原材料シリコン基板１上面の内の左右両辺の中間に１箇
所づつＳｉＯ2 被膜が除去された露出領域が形成され
た。
【０００９】（工程３） シリコン基板１上面のＳｉＯ
2 被膜の上面に露出領域を含めて３μｍ厚のポリシリコ
ン膜を成膜する。ここで、ポリシリコン膜はシリコン基
板１上面の露出領域に一体化された状態でシリコン基板
１上面のＳｉＯ2 被膜の上面に成膜される。 （工程４） 工程３において成膜形成したポリシリコン
膜にフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を適用
し、これを図１において陰を施した領域の形状に形成
し、アンカー部１１、結合部２１２、フレクチュア部２
１、結合部２１２、可動板２を形成する。
2 被膜の上面に露出領域を含めて３μｍ厚のポリシリコ
ン膜を成膜する。ここで、ポリシリコン膜はシリコン基
板１上面の露出領域に一体化された状態でシリコン基板
１上面のＳｉＯ2 被膜の上面に成膜される。 （工程４） 工程３において成膜形成したポリシリコン
膜にフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を適用
し、これを図１において陰を施した領域の形状に形成
し、アンカー部１１、結合部２１２、フレクチュア部２
１、結合部２１２、可動板２を形成する。
【００１０】（工程５） 工程４に続いて、シリコン基
板１上面全面に２０μｍ厚のレジストを塗布し、可動板
２の上面に３により示されるミラー形状にパターンニン
グする。このミラー形状のパターンニングは、入射され
る光Ｌの方向に関して傾斜してなされる。図１において
は４５゜傾斜してパターンニングされる。 （工程６） Ｎｉメッキ液に浸し、２０μｍの高さのミ
ラー３を形成する。 （工程７） シリコン基板１全体をＳｉＯ2 膜で被覆す
る。 （工程８） 工程８において、シリコン基板１の下面に
ついて、そのＳｉＯ2膜にフォトリソグラフィ技術とエ
ッチング技術を適用し、１２により示される座ぐり部を
形成するに必要な形状のＳｉＯ2 膜を除去する。
板１上面全面に２０μｍ厚のレジストを塗布し、可動板
２の上面に３により示されるミラー形状にパターンニン
グする。このミラー形状のパターンニングは、入射され
る光Ｌの方向に関して傾斜してなされる。図１において
は４５゜傾斜してパターンニングされる。 （工程６） Ｎｉメッキ液に浸し、２０μｍの高さのミ
ラー３を形成する。 （工程７） シリコン基板１全体をＳｉＯ2 膜で被覆す
る。 （工程８） 工程８において、シリコン基板１の下面に
ついて、そのＳｉＯ2膜にフォトリソグラフィ技術とエ
ッチング技術を適用し、１２により示される座ぐり部を
形成するに必要な形状のＳｉＯ2 膜を除去する。
【００１１】（工程９） ＫＯＨ溶液に浸し、工程８に
おいてＳｉＯ2 膜を除去されて露出したシリコン基板１
の領域をエッチングして可動板２が上下移動することが
できる座ぐり部１２を貫通形成する。 （工程１０） 工程２および工程８において残存したＳ
ｉＯ2 膜と工程５において残存したレジストを除去す
る。 以上の通りにして、光スイッチの製造は終了する。とこ
ろで、この光スイッチを駆動するには、可動板２の下面
に図示されない一方の電極を形成すると共に、これに対
応する図示されない他方の電極をシリコン基板１が取り
付け固定される光学装置の座ぐり部１２の領域に形成
し、両電極間に電圧を印加して発生する静電力により静
電駆動することができる。
おいてＳｉＯ2 膜を除去されて露出したシリコン基板１
の領域をエッチングして可動板２が上下移動することが
できる座ぐり部１２を貫通形成する。 （工程１０） 工程２および工程８において残存したＳ
ｉＯ2 膜と工程５において残存したレジストを除去す
る。 以上の通りにして、光スイッチの製造は終了する。とこ
ろで、この光スイッチを駆動するには、可動板２の下面
に図示されない一方の電極を形成すると共に、これに対
応する図示されない他方の電極をシリコン基板１が取り
付け固定される光学装置の座ぐり部１２の領域に形成
し、両電極間に電圧を印加して発生する静電力により静
電駆動することができる。
【００１２】図１の実施例において、フレクチュア部２
１は左右１対形成してこれにより可動板２をシリコン基
板１に結合しているが、フレクチュア部２１を更に上下
にも１対形成して２対のフレクチュア部２１により可動
板２をシリコン基板１に対して結合することにより、可
動板２の駆動方向を安定化することができる。ここで、
図１を参照してこの発明の光スイッチによる空間的な光
路スイッチングを説明する。図１において、４は光出射
部を構成する出射側光ファイバ或いは光導波路であり、
５、５’は光出射方向およびミラーの光反射方向に位置
決め配置された光入射部を構成する入射側光ファイバ或
いは光導波路である。図１に図示される状態は、出射側
光ファイバ４を介して伝送されてきた光がその端面から
出射して空間を伝播し、ミラー３において反射し、入射
側光ファイバ５に入射して伝送される状態を示す。この
状態を定常状態とし、ここで、先の両電極間に電圧を印
加して両電極間に吸引する向きの静電力が発生したもの
とすると、下面に電極が形成される可動板２は下向きに
駆動され、フレクチュア部２１が変形することにより下
方に変位することとなる。可動板２が下方に変位するこ
とによりこの上面に形成されているミラー３も可動板２
と共に下方に変位し、ミラー３は出射側光ファイバ４端
面から出射する光の光路から下方に変位して外れる。出
射側光ファイバ４端面から出射する光の光路からミラー
３が外れたことにより、これにより遮断されていた空間
伝播光は、今度は、直進して直接光ＬS として入射側光
ファイバ５’に入射し、これを介して伝送される。入射
側光ファイバ５に対する反射光ＬR は消失する。
１は左右１対形成してこれにより可動板２をシリコン基
板１に結合しているが、フレクチュア部２１を更に上下
にも１対形成して２対のフレクチュア部２１により可動
板２をシリコン基板１に対して結合することにより、可
動板２の駆動方向を安定化することができる。ここで、
図１を参照してこの発明の光スイッチによる空間的な光
路スイッチングを説明する。図１において、４は光出射
部を構成する出射側光ファイバ或いは光導波路であり、
５、５’は光出射方向およびミラーの光反射方向に位置
決め配置された光入射部を構成する入射側光ファイバ或
いは光導波路である。図１に図示される状態は、出射側
光ファイバ４を介して伝送されてきた光がその端面から
出射して空間を伝播し、ミラー３において反射し、入射
側光ファイバ５に入射して伝送される状態を示す。この
状態を定常状態とし、ここで、先の両電極間に電圧を印
加して両電極間に吸引する向きの静電力が発生したもの
とすると、下面に電極が形成される可動板２は下向きに
駆動され、フレクチュア部２１が変形することにより下
方に変位することとなる。可動板２が下方に変位するこ
とによりこの上面に形成されているミラー３も可動板２
と共に下方に変位し、ミラー３は出射側光ファイバ４端
面から出射する光の光路から下方に変位して外れる。出
射側光ファイバ４端面から出射する光の光路からミラー
３が外れたことにより、これにより遮断されていた空間
伝播光は、今度は、直進して直接光ＬS として入射側光
ファイバ５’に入射し、これを介して伝送される。入射
側光ファイバ５に対する反射光ＬR は消失する。
【００１３】以上の通りにして、入射側光ファイバ５と
入射側光ファイバ５’に対して光路の切り替えを従来例
の如くに透明合成樹脂その他の固体の光導波路６を介す
ることなしに空間的に実施することができる。
入射側光ファイバ５’に対して光路の切り替えを従来例
の如くに透明合成樹脂その他の固体の光導波路６を介す
ることなしに空間的に実施することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明の光スイ
ッチは、空間的に光路を切り替えるものであるので、低
損失であると共に波長および偏波に対する特性の依存性
のない光路の切り替えを実施することができる。また、
この発明は、ミラーを可動板の上面に直角に入射光に関
して４５°傾斜して形成する構成を具備し、左右に１対
或いは上下左右に合計２対形成したフレクチュア部を介
してシリコン基板に結合される可動板を形成し、可動板
とミラーとが下方に垂直に変位する光スイッチとするこ
とにより、ミラーを形成した可動板を安定に上下移動す
ることができる効果を奏す。
ッチは、空間的に光路を切り替えるものであるので、低
損失であると共に波長および偏波に対する特性の依存性
のない光路の切り替えを実施することができる。また、
この発明は、ミラーを可動板の上面に直角に入射光に関
して４５°傾斜して形成する構成を具備し、左右に１対
或いは上下左右に合計２対形成したフレクチュア部を介
してシリコン基板に結合される可動板を形成し、可動板
とミラーとが下方に垂直に変位する光スイッチとするこ
とにより、ミラーを形成した可動板を安定に上下移動す
ることができる効果を奏す。
【図１】実施例を説明する図。
【図２】従来例を説明する図。
１ 基板 １１ アンカー部
１２ 座ぐり部 ２ 可動板
２１ フレクチュア部 ２１２ 結合部
３ ミラー
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−127105（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−148540（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−159938（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−15621（ＪＰ，Ａ)
Ｍ．ＭＩＴＡ，ｅｔ．ａｌ．，Ａｎ
ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ ｐｏｌｙｓ
ｉｌｉｃｏｎ ａｃｔｕａｔｏｒ ｗｉ
ｔｈ ａ ｓｍｏｏｔｈ ｖｅｒｔｉｃ
ａｌ ｍｉｒｒｏｒ ｆｏｒ ｏｐｔｉ
ｃａｌ ｆｉｂｅｒ ｓｗｉｔｃｈ ａ
ｐｐｌｉｃａｔ，Ｐａｐｅｒ ｉｎ：
1998 ＩＥＥＥ／ＬＥＯＳ Ｓｕｍｍｅ
ｒ Ｔｏｐｉｃａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇ
ｓ，1998年 ７月，ｐｐ．ＩＩ／33−Ｉ
Ｉ／34
Ｈ．ＴＯＳＨＩＹＯＳＨＩ，ｅｔ．ａ
ｌ．，Ｏｐｔｉｃａｌ ｃｒｏｓｓｃｏ
ｎｎｅｃｔｉｏｎ ｂｙ ｓｉｌｉｃｏ
ｎ ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ ｔｏ
ｒｓｉｏｎ ｍｉｒｒｏｒｓ，Ｐａｐｅ
ｒ ｉｎ：ＩＥＥＥ／ＬＥＯＳ 1996
Ｓｕｍｍｅｒ Ｔｏｐｉｃａｌ Ｍｅｅ
ｔｉｎｇｓ，1996年 ８月，ｐｐ．63−
64
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02B 26/02 - 26/08
ＪＳＴＰｌｕｓ（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板に座ぐり部を形成し、左右
に１対或いは上下左右に合計２対形成したフレクチュア
部を介してシリコン基板に結合される可動板を座ぐり部
に形成し、可動板の上面に直角に入射光に関して４５°
傾斜してミラーを形成し、可動板の下面に一方の電極を
形成し、この一方の電極と座ぐり部領域の下方に設置さ
れる他方の電極との間に発生する静電吸引力により可動
板とミラーとが下方に垂直に変位する構成としたことを
特徴とする光スイッチ。 - 【請求項２】 数μｍ厚のシリコン基板を準備し、シリコン基板 の上面に薄膜成膜技術、フォトリソグラフ
ィ技術、エッチング技術を適用して基板上面の中央部に
可動板形成領域とフレクチュア部形成領域を形成し、可
動板形成領域にフォトリソグラフィ技術およびメッキ技
術を適用してミラーを形成し、基板の下面をエッチング
除去して可動板とフレクチュア部を形成する光スイッチ
の製造方法において、シリコン基板 の上面全面にＳｉＯ2 被膜を形成し、 可動板が基板に固定されるところであるアンカー部が形
成されるべき領域に対応するＳｉＯ2 被膜のみをフォト
リソグラフィ技術とエッチング技術を適用して除去し、シリコン基板 上面のＳｉＯ2 被膜の上面に露出領域を含
めてポリシリコン膜を成膜し、 ポリシリコン膜にフォトリソグラフィ技術とエッチング
技術を適用してアンカー部、結合部、フレクチュア部、
可動板を形成する領域を形成し、シリコン基板 上面全面に比較的に厚みの大なるレジスト
を塗布し、可動板形成領域の上面にミラー形状のパター
ンニングをし、 Ｎｉメッキ液に浸してミラーを形成し、 シリコン基板全体をＳｉＯ2 膜で被覆し、シリコン基板 の下面にフォトリソグラフィ技術とエッチ
ング技術を適用して座ぐり部を形成するに必要な形状の
ＳｉＯ2 膜を除去し、 ＫＯＨ溶液に浸して可動板が上下移動する座ぐり部を形
成することを特徴とする光スイッチの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29503798A JP3451395B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光スイッチおよびその製造方法 |
| US09/519,883 US6463190B1 (en) | 1998-10-16 | 2000-03-06 | Optical switch and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29503798A JP3451395B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光スイッチおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000121967A JP2000121967A (ja) | 2000-04-28 |
| JP3451395B2 true JP3451395B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=17815514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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-
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| Ｍ．ＭＩＴＡ，ｅｔ．ａｌ．，Ａｎ ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ ａｃｔｕａｔｏｒ ｗｉｔｈ ａ ｓｍｏｏｔｈ ｖｅｒｔｉｃａｌ ｍｉｒｒｏｒ ｆｏｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｆｉｂｅｒ ｓｗｉｔｃｈ ａｐｐｌｉｃａｔ，Ｐａｐｅｒ ｉｎ：１９９８ ＩＥＥＥ／ＬＥＯＳ Ｓｕｍｍｅｒ Ｔｏｐｉｃａｌ Ｍｅｅｔｉｎｇｓ，１９９８年 ７月，ｐｐ．ＩＩ／３３−ＩＩ／３４ |
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