JP2000121967A - 光スイッチおよびその製造方法 - Google Patents
光スイッチおよびその製造方法Info
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- JP2000121967A JP2000121967A JP29503798A JP29503798A JP2000121967A JP 2000121967 A JP2000121967 A JP 2000121967A JP 29503798 A JP29503798 A JP 29503798A JP 29503798 A JP29503798 A JP 29503798A JP 2000121967 A JP2000121967 A JP 2000121967A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 空間的に光路をスイッチングする光スイッチ
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１に座ぐり部１２を形成し、フレク
チュア部２１を介して基板１に結合される可動板２を座
ぐり部１２に形成し、可動板２の上面にミラー３を形成
した光スイッチ。
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１に座ぐり部１２を形成し、フレク
チュア部２１を介して基板１に結合される可動板２を座
ぐり部１２に形成し、可動板２の上面にミラー３を形成
した光スイッチ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光スイッチおよ
びその製造方法に関し、特に、空間的に光路をスイッチ
ングする光スイッチおよびその製造方法に関する。
びその製造方法に関し、特に、空間的に光路をスイッチ
ングする光スイッチおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例を図２を参照して説明する。図２
において、１は半導体基板例えばシリコン基板である。
このシリコン基板１の上面には６により示される光導波
路が複数本形成されている。この複数本の光導波路６は
互いに平行に、或は方向を異にしてシリコン基板１の上
面に形成されている。シリコン基板１の上面に形成され
る光導波路６の延伸方向に光Ｌを放射し、その一方の端
面に対して光Ｌを入射すると、入射光は光導波路６を介
して伝送して他方の端面に到達し、ここから放射されて
入射側光ファイバ５に入射するに到る。
において、１は半導体基板例えばシリコン基板である。
このシリコン基板１の上面には６により示される光導波
路が複数本形成されている。この複数本の光導波路６は
互いに平行に、或は方向を異にしてシリコン基板１の上
面に形成されている。シリコン基板１の上面に形成され
る光導波路６の延伸方向に光Ｌを放射し、その一方の端
面に対して光Ｌを入射すると、入射光は光導波路６を介
して伝送して他方の端面に到達し、ここから放射されて
入射側光ファイバ５に入射するに到る。
【０００３】ここで、シリコン基板１を図２に示される
上下の矢印の方向に駆動することにより、放射される光
Ｌの入射される光導波路６を上側或は下側の何れかに切
り替えることができる。これにより、放射される光Ｌの
伝送される入射側光ファイバ５をスイッチングすること
ができる。
上下の矢印の方向に駆動することにより、放射される光
Ｌの入射される光導波路６を上側或は下側の何れかに切
り替えることができる。これにより、放射される光Ｌの
伝送される入射側光ファイバ５をスイッチングすること
ができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上の光スイッチは、
シリコン基板１の上面に形成される光導波路６を光路と
してスイッチングするものであるので、光導波路６の伝
送特性が光波長および偏波に依存して変化すると共に、
光伝送損失も比較的に大きい。この発明は、上述の問題
を解消した光スイッチおよびその製造方法を提供するも
のである。
シリコン基板１の上面に形成される光導波路６を光路と
してスイッチングするものであるので、光導波路６の伝
送特性が光波長および偏波に依存して変化すると共に、
光伝送損失も比較的に大きい。この発明は、上述の問題
を解消した光スイッチおよびその製造方法を提供するも
のである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１：基板１に座ぐ
り部１２を形成し、フレクチュア部２１を介して基板１
に結合される可動板２を座ぐり部１２に形成し、可動板
２の上面にミラー３を形成した光スイッチを構成した。
そして、請求項２：請求項１に記載される光スイッチに
おいて、フレクチュア部２１を２対形成して可動板２を
基板１に対して結合した光スイッチを構成した。
り部１２を形成し、フレクチュア部２１を介して基板１
に結合される可動板２を座ぐり部１２に形成し、可動板
２の上面にミラー３を形成した光スイッチを構成した。
そして、請求項２：請求項１に記載される光スイッチに
おいて、フレクチュア部２１を２対形成して可動板２を
基板１に対して結合した光スイッチを構成した。
【０００６】また、請求項３：請求項１ないし請求項２
の内の何れかに記載される光スイッチにおいて、ミラー
３は可動板２の上面に直角に、入射光Ｌに関して傾斜し
て形成されるものである光スイッチを構成した。また、
請求項４：請求項３に記載される光スイッチにおいて、
ミラー３は入射光Ｌに関して４５゜傾斜して形成される
ものである光スイッチを構成した。
の内の何れかに記載される光スイッチにおいて、ミラー
３は可動板２の上面に直角に、入射光Ｌに関して傾斜し
て形成されるものである光スイッチを構成した。また、
請求項４：請求項３に記載される光スイッチにおいて、
ミラー３は入射光Ｌに関して４５゜傾斜して形成される
ものである光スイッチを構成した。
【０００７】更に、請求項５：請求項１ないし請求項４
の内の何れかに記載される光スイッチにおいて、基板１
はシリコン基板である光スイッチを構成した。そして、
請求項６：請求項１ないし請求項５の内の何れかに記載
される光スイッチにおいて、フレクチュア部２１は環状
に構成されるものである光スイッチを構成した。
の内の何れかに記載される光スイッチにおいて、基板１
はシリコン基板である光スイッチを構成した。そして、
請求項６：請求項１ないし請求項５の内の何れかに記載
される光スイッチにおいて、フレクチュア部２１は環状
に構成されるものである光スイッチを構成した。
【０００８】ここで、請求項７：数μｍの厚さの基板１
を準備し、基板１の上面に薄膜成膜技術、フォトリソグ
ラフィ技術、エッチング技術を適用して基板１上面の中
央部に可動板２形成領域とフレクチュア部２１形成領域
を形成し、可動板２形成領域にフォトリソグラフィ技術
およびメッキ技術を適用してミラー３を形成し、基板１
の下面をエッチング除去して可動板２とフレクチュア部
２１を形成する光スイッチの製造方法を構成した。
を準備し、基板１の上面に薄膜成膜技術、フォトリソグ
ラフィ技術、エッチング技術を適用して基板１上面の中
央部に可動板２形成領域とフレクチュア部２１形成領域
を形成し、可動板２形成領域にフォトリソグラフィ技術
およびメッキ技術を適用してミラー３を形成し、基板１
の下面をエッチング除去して可動板２とフレクチュア部
２１を形成する光スイッチの製造方法を構成した。
【０００９】そして、請求項８：請求項７に記載される
光スイッチの製造方法において、基板１の上面全面にＳ
ｉＯ2 被膜を形成し、可動板２が基板１に固定されると
ころであるアンカー部２３が形成されるべき領域に対応
するＳｉＯ2 被膜のみをフォトリソグラフィ技術とエッ
チング技術を適用して除去し、基板１上面のＳｉＯ2被
膜の上面に露出領域を含めポリシリコン膜を成膜し、ポ
リシリコン膜にフォトリソグラフィ技術とエッチング技
術を適用してアンカー部１１、結合部２１２、フレクチ
ュア部２１、結合部２１２、可動板２を形成する領域を
形成し、基板１上面全面に比較的に厚みの大なるレジス
トを塗布し、可動板２形成領域の上面にミラー形状のパ
ターンニングをし、Ｎｉメッキ液に浸してミラー３を形
成し、シリコン基板１全体をＳｉＯ2 膜で被覆し、基板
１の下面にフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を
適用して座ぐり部１２を形成するに必要な形状のＳｉＯ
2膜を除去し、ＫＯＨ溶液に浸して可動板２が上下移動
する座ぐり部１２を形成する光スイッチの製造方法を構
成した。
光スイッチの製造方法において、基板１の上面全面にＳ
ｉＯ2 被膜を形成し、可動板２が基板１に固定されると
ころであるアンカー部２３が形成されるべき領域に対応
するＳｉＯ2 被膜のみをフォトリソグラフィ技術とエッ
チング技術を適用して除去し、基板１上面のＳｉＯ2被
膜の上面に露出領域を含めポリシリコン膜を成膜し、ポ
リシリコン膜にフォトリソグラフィ技術とエッチング技
術を適用してアンカー部１１、結合部２１２、フレクチ
ュア部２１、結合部２１２、可動板２を形成する領域を
形成し、基板１上面全面に比較的に厚みの大なるレジス
トを塗布し、可動板２形成領域の上面にミラー形状のパ
ターンニングをし、Ｎｉメッキ液に浸してミラー３を形
成し、シリコン基板１全体をＳｉＯ2 膜で被覆し、基板
１の下面にフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を
適用して座ぐり部１２を形成するに必要な形状のＳｉＯ
2膜を除去し、ＫＯＨ溶液に浸して可動板２が上下移動
する座ぐり部１２を形成する光スイッチの製造方法を構
成した。
【００１０】また、請求項９：請求項７および請求項８
の内の何れかに記載される光スイッチの製造方法におい
て、フレクチュア部２１はこれを環状に構成する光スイ
ッチの製造方法を構成した。更に、請求項１０：請求項
７ないし請求項９の内の何れかに記載される光スイッチ
の製造方法において、基板１としてシリコン基板を使用
する光スイッチの製造方法を構成した。
の内の何れかに記載される光スイッチの製造方法におい
て、フレクチュア部２１はこれを環状に構成する光スイ
ッチの製造方法を構成した。更に、請求項１０：請求項
７ないし請求項９の内の何れかに記載される光スイッチ
の製造方法において、基板１としてシリコン基板を使用
する光スイッチの製造方法を構成した。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１を参
照して説明する。図１（ａ）は光スイッチの実施例を上
から視た図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）における線
ｂ−ｂ’に沿った断面を矢印の向きに視た図である。１
はシリコン基板、２は可動板である。可動板２は、シリ
コン基板１に形成されるアンカー部１１に対して、結合
部２１１、フレクチュア部２１、結合部２１２を介して
一体的に結合している。これらシリコン基板１、アンカ
ー部１１、結合部２１２、フレクチュア部２１、結合部
２１２は、シリコン基板１を原材料基板としてこれにフ
ォトリソグラフィ技術を適用することにより形成する。
１２は座ぐり部であり、原材料基板である正方形のシリ
コン基板１を貫通形成されている。２１３は貫通孔であ
り、これによりフレクチュア部２１は図示される通りの
枠形に構成されている。結果として図１に示される形状
構造のシリコン基板１、アンカー部１１、可動板２、ア
ンカー部１１と可動板２との間を結合する結合部２１
１、フレクチュア部２１、結合部２１２が形成される。
そして、可動板２の上面にミラー３を形成する。以下、
光スイッチの製造工程を具体的に説明する。
照して説明する。図１（ａ）は光スイッチの実施例を上
から視た図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）における線
ｂ−ｂ’に沿った断面を矢印の向きに視た図である。１
はシリコン基板、２は可動板である。可動板２は、シリ
コン基板１に形成されるアンカー部１１に対して、結合
部２１１、フレクチュア部２１、結合部２１２を介して
一体的に結合している。これらシリコン基板１、アンカ
ー部１１、結合部２１２、フレクチュア部２１、結合部
２１２は、シリコン基板１を原材料基板としてこれにフ
ォトリソグラフィ技術を適用することにより形成する。
１２は座ぐり部であり、原材料基板である正方形のシリ
コン基板１を貫通形成されている。２１３は貫通孔であ
り、これによりフレクチュア部２１は図示される通りの
枠形に構成されている。結果として図１に示される形状
構造のシリコン基板１、アンカー部１１、可動板２、ア
ンカー部１１と可動板２との間を結合する結合部２１
１、フレクチュア部２１、結合部２１２が形成される。
そして、可動板２の上面にミラー３を形成する。以下、
光スイッチの製造工程を具体的に説明する。
【００１２】原材料基板として特にシリコン基板を使用
し、これに対して薄膜成膜技術、フォトリソグラフィ技
術、エッチング技術を適用して光スイッチを製造する仕
方を具体的に説明する。 （工程１） 原材料基板である正方形のシリコン基板１
を準備し、この上面全面に１μｍ厚のＳｉＯ2 被膜を形
成する。
し、これに対して薄膜成膜技術、フォトリソグラフィ技
術、エッチング技術を適用して光スイッチを製造する仕
方を具体的に説明する。 （工程１） 原材料基板である正方形のシリコン基板１
を準備し、この上面全面に１μｍ厚のＳｉＯ2 被膜を形
成する。
【００１３】（工程２） 可動板２がシリコン基板１に
固定されるところであるアンカー部１１が形成されるべ
き領域に対応するＳｉＯ2 被膜のみをフォトリソグラフ
ィ技術とエッチング技術を適用して１０μｍ角に除去す
る。ここで、原材料シリコン基板１上面の内の左右両辺
の中間に１箇所づつＳｉＯ2 被膜が除去された露出領域
が形成された。
固定されるところであるアンカー部１１が形成されるべ
き領域に対応するＳｉＯ2 被膜のみをフォトリソグラフ
ィ技術とエッチング技術を適用して１０μｍ角に除去す
る。ここで、原材料シリコン基板１上面の内の左右両辺
の中間に１箇所づつＳｉＯ2 被膜が除去された露出領域
が形成された。
【００１４】（工程３） シリコン基板１上面のＳｉＯ
2 被膜の上面に露出領域を含めて３μｍ厚のポリシリコ
ン膜を成膜する。ここで、ポリシリコン膜はシリコン基
板１上面の露出領域に一体化された状態でシリコン基板
１上面のＳｉＯ2 被膜の上面に成膜される。 （工程４） 工程３において成膜形成したポリシリコン
膜にフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を適用
し、これを図１において陰を施した領域の形状に形成
し、アンカー部１１、結合部２１２、フレクチュア部２
１、結合部２１２、可動板２を形成する。
2 被膜の上面に露出領域を含めて３μｍ厚のポリシリコ
ン膜を成膜する。ここで、ポリシリコン膜はシリコン基
板１上面の露出領域に一体化された状態でシリコン基板
１上面のＳｉＯ2 被膜の上面に成膜される。 （工程４） 工程３において成膜形成したポリシリコン
膜にフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を適用
し、これを図１において陰を施した領域の形状に形成
し、アンカー部１１、結合部２１２、フレクチュア部２
１、結合部２１２、可動板２を形成する。
【００１５】（工程５） 工程４に続いて、シリコン基
板１上面全面に２０μｍ厚のレジストを塗布し、可動板
２の上面に３により示されるミラー形状にパターンニン
グする。このミラー形状のパターンニングは、入射され
る光Ｌの方向に関して傾斜してなされる。図１において
は４５゜傾斜してパターンニングされる。 （工程６） Ｎｉメッキ液に浸し、２０μｍの高さのミ
ラー３を形成する。
板１上面全面に２０μｍ厚のレジストを塗布し、可動板
２の上面に３により示されるミラー形状にパターンニン
グする。このミラー形状のパターンニングは、入射され
る光Ｌの方向に関して傾斜してなされる。図１において
は４５゜傾斜してパターンニングされる。 （工程６） Ｎｉメッキ液に浸し、２０μｍの高さのミ
ラー３を形成する。
【００１６】（工程７） シリコン基板１全体をＳｉＯ
2 膜で被覆する。 （工程８） 工程８においては、シリコン基板１の下面
について、そのＳｉＯ 2 膜にフォトリソグラフィ技術と
エッチング技術を適用し、１２により示される座ぐり部
を形成するに必要な形状のＳｉＯ2 膜を除去する。 （工程９） ＫＯＨ溶液に浸し、工程８においてＳｉＯ
2 膜を除去されて露出したシリコン基板１の領域をエッ
チングして可動板２が上下移動することができる座ぐり
部１２を貫通形成する。
2 膜で被覆する。 （工程８） 工程８においては、シリコン基板１の下面
について、そのＳｉＯ 2 膜にフォトリソグラフィ技術と
エッチング技術を適用し、１２により示される座ぐり部
を形成するに必要な形状のＳｉＯ2 膜を除去する。 （工程９） ＫＯＨ溶液に浸し、工程８においてＳｉＯ
2 膜を除去されて露出したシリコン基板１の領域をエッ
チングして可動板２が上下移動することができる座ぐり
部１２を貫通形成する。
【００１７】（工程１０） 工程２および工程８におい
て残存したＳｉＯ2 膜と工程５において残存したレジス
トを除去する。 以上の通りにして、光スイッチの製造は終了する。とこ
ろで、この光スイッチを駆動するには、可動板２の下面
に図示されない一方の電極を形成すると共に、これに対
応する図示されない他方の電極をシリコン基板１が取り
付け固定される光学装置の座ぐり部１２の領域に形成
し、両電極間に電圧を印加して発生する静電力により静
電駆動することができる。
て残存したＳｉＯ2 膜と工程５において残存したレジス
トを除去する。 以上の通りにして、光スイッチの製造は終了する。とこ
ろで、この光スイッチを駆動するには、可動板２の下面
に図示されない一方の電極を形成すると共に、これに対
応する図示されない他方の電極をシリコン基板１が取り
付け固定される光学装置の座ぐり部１２の領域に形成
し、両電極間に電圧を印加して発生する静電力により静
電駆動することができる。
【００１８】図１の実施例において、フレクチュア部２
１は左右１対形成してこれにより可動板２をシリコン基
板１に結合しているが、フレクチュア部２１を更に上下
にも１対形成して２対のフレクチュア部２１により可動
板２をシリコン基板１に対して結合することにより、可
動板２の駆動方向を安定化することができる。ここで、
図１を参照してこの発明の光スイッチによる空間的な光
路スイッチングを説明する。図１において、４は出射側
光ファイバ或いは光導波路であり、５は入射側光ファイ
バ或いは光導波路である。図１に図示される状態は、出
射側光ファイバ４を介して伝送されてきた光がその端面
から出射して空間を伝播し、ミラー３において反射し、
入射側光ファイバ５に入射して伝送される状態を示す。
この状態を定常状態とし、ここで、先の両電極間に電圧
を印加して両電極間に吸引する向きの静電力が発生した
ものとすると、下面に電極が形成される可動板２は下向
きに駆動され、フレクチュア部２１が変形することによ
り下方に変位することとなる。可動板２が下方に変位す
ることによりこの上面に形成されているミラー３も可動
板２と共に下方に変位し、ミラー３は出射側光ファイバ
４端面から出射する光の光路から下方に変位して外れ
る。出射側光ファイバ４端面から出射する光の光路から
ミラー３が外れたことにより、これにより遮断されてい
た空間伝播光は、今度は、直進して直接光ＬS して入射
側光ファイバ５’に入射し、これを介して伝送される。
入射側光ファイバ５に対する反射光ＬR は消失する。
１は左右１対形成してこれにより可動板２をシリコン基
板１に結合しているが、フレクチュア部２１を更に上下
にも１対形成して２対のフレクチュア部２１により可動
板２をシリコン基板１に対して結合することにより、可
動板２の駆動方向を安定化することができる。ここで、
図１を参照してこの発明の光スイッチによる空間的な光
路スイッチングを説明する。図１において、４は出射側
光ファイバ或いは光導波路であり、５は入射側光ファイ
バ或いは光導波路である。図１に図示される状態は、出
射側光ファイバ４を介して伝送されてきた光がその端面
から出射して空間を伝播し、ミラー３において反射し、
入射側光ファイバ５に入射して伝送される状態を示す。
この状態を定常状態とし、ここで、先の両電極間に電圧
を印加して両電極間に吸引する向きの静電力が発生した
ものとすると、下面に電極が形成される可動板２は下向
きに駆動され、フレクチュア部２１が変形することによ
り下方に変位することとなる。可動板２が下方に変位す
ることによりこの上面に形成されているミラー３も可動
板２と共に下方に変位し、ミラー３は出射側光ファイバ
４端面から出射する光の光路から下方に変位して外れ
る。出射側光ファイバ４端面から出射する光の光路から
ミラー３が外れたことにより、これにより遮断されてい
た空間伝播光は、今度は、直進して直接光ＬS して入射
側光ファイバ５’に入射し、これを介して伝送される。
入射側光ファイバ５に対する反射光ＬR は消失する。
【００１９】以上の通りにして、入射側光ファイバ５と
入射側光ファイバ５’に対して光路の切り替えを従来例
の如くに透明合成樹脂その他の固体の光導波路を介する
ことなしに空間的に実施することができる。
入射側光ファイバ５’に対して光路の切り替えを従来例
の如くに透明合成樹脂その他の固体の光導波路を介する
ことなしに空間的に実施することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明の光スイ
ッチは、空間的に光路をスイッチングするものであるの
で、低損失であると共に波長および偏波に対する特性の
依存性のない光路のスイッチングを実施することができ
る。
ッチは、空間的に光路をスイッチングするものであるの
で、低損失であると共に波長および偏波に対する特性の
依存性のない光路のスイッチングを実施することができ
る。
【図１】実施例を説明する図。
【図２】従来例を説明する図。
１基板 １１アンカー部 １２座ぐり部 ２可動板 ２１フレクチュア部 ２１２結合部 ３ミラー
Claims (10)
- 【請求項１】 基板に座ぐり部を形成し、フレクチュア
部を介して基板に結合される可動板を座ぐり部に形成
し、可動板の上面にミラーを形成したことを特徴とする
光スイッチ。 - 【請求項２】 請求項１に記載される光スイッチにおい
て、 フレクチュア部を２対形成して可動板を基板に対して結
合したことを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項３】 請求項１ないし請求項２の内の何れかに
記載される光スイッチにおいて、 ミラーは可動板の上面に直角に、入射光Ｌに関して傾斜
して形成されるものであることを特徴とする光スイッ
チ。 - 【請求項４】 請求項３に記載される光スイッチにおい
て、 ミラーは入射光Ｌに関して４５゜傾斜して形成されるも
のであることを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４の内の何れかに
記載される光スイッチにおいて、 基板１はシリコン基板であることを特徴とする光スイッ
チ。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項５の内の何れかに
記載される光スイッチにおいて、 フレクチュア部は環状に構成されるものであることを特
徴とする光スイッチ。 - 【請求項７】 数μｍ厚の基板１を準備し、 基板１の上面に薄膜成膜技術、フォトリソグラフィ技
術、エッチング技術を適用して基板上面の中央部に可動
板形成領域とフレクチュア部形成領域を形成し、 可動板形成領域にフォトリソグラフィ技術およびメッキ
技術を適用してミラーを形成し、 基板の下面をエッチング除去して可動板とフレクチュア
部を形成することを特徴とする光スイッチの製造方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載される光スイッチの製造
方法において、 基板の上面全面にＳｉＯ2 被膜を形成し、 可動板が基板に固定されるところであるアンカー部が形
成されるべき領域に対応するＳｉＯ2 被膜のみをフォト
リソグラフィ技術とエッチング技術を適用して除去し、 基板上面のＳｉＯ2 被膜の上面に露出領域を含めてポリ
シリコン膜を成膜し、 ポリシリコン膜にフォトリソグラフィ技術とエッチング
技術を適用してアンカー部、結合部、フレクチュア部、
可動板を形成する領域を形成し、 基板上面全面に比較的に厚みの大なるレジストを塗布
し、可動板形成領域の上面にミラー形状のパターンニン
グをし、 Ｎｉメッキ液に浸してミラーを形成し、 シリコン基板全体をＳｉＯ2 膜で被覆し、 基板の下面にフォトリソグラフィ技術とエッチング技術
を適用して座ぐり部を形成するに必要な形状のＳｉＯ2
膜を除去し、 ＫＯＨ溶液に浸して可動板が上下移動する座ぐり部を形
成することを特徴とする光スイッチの製造方法。 - 【請求項９】 請求項７および請求項８の内の何れかに
記載される光スイッチの製造方法において、 フレクチュア部はこれを環状に構成することを特徴とす
る光スイッチの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項７ないし請求項９の内の何れか
に記載される光スイッチの製造方法において、 基板としてシリコン基板を使用することを特徴とする光
スイッチの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29503798A JP3451395B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光スイッチおよびその製造方法 |
| US09/519,883 US6463190B1 (en) | 1998-10-16 | 2000-03-06 | Optical switch and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29503798A JP3451395B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光スイッチおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000121967A true JP2000121967A (ja) | 2000-04-28 |
| JP3451395B2 JP3451395B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=17815514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29503798A Expired - Lifetime JP3451395B2 (ja) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 光スイッチおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3451395B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100402991B1 (ko) * | 2001-10-26 | 2003-10-23 | 한국과학기술연구원 | 초소형 광스위칭 장치 |
| US6670208B2 (en) | 2000-06-23 | 2003-12-30 | Nec Corporation | Optical circuit in which fabrication is easy |
| EP1346948A3 (en) * | 2002-03-19 | 2004-04-21 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Electrostatically operated optical switching or attenuating devices |
| US6807330B2 (en) | 2001-01-09 | 2004-10-19 | Minolta Co., Ltd. | Optical switch using an optical waveguide |
| US6829079B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-12-07 | Nec Corporation | Optical path control apparatus with mirror section, and manufacturing method for the same |
-
1998
- 1998-10-16 JP JP29503798A patent/JP3451395B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6670208B2 (en) | 2000-06-23 | 2003-12-30 | Nec Corporation | Optical circuit in which fabrication is easy |
| US7242828B2 (en) | 2000-06-23 | 2007-07-10 | Nec Corporation | Optical circuit in which fabrication is easy |
| US6829079B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-12-07 | Nec Corporation | Optical path control apparatus with mirror section, and manufacturing method for the same |
| US6807330B2 (en) | 2001-01-09 | 2004-10-19 | Minolta Co., Ltd. | Optical switch using an optical waveguide |
| KR100402991B1 (ko) * | 2001-10-26 | 2003-10-23 | 한국과학기술연구원 | 초소형 광스위칭 장치 |
| EP1346948A3 (en) * | 2002-03-19 | 2004-04-21 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Electrostatically operated optical switching or attenuating devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3451395B2 (ja) | 2003-09-29 |
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