CN101276660A - 电介质陶瓷组合物、复合电子部件和叠层陶瓷电容器 - Google Patents

Abstract

本发明提供包含含有选自钛酸钡、钛酸锶和钛酸钙的至少一种的主成分、含有B的氧化物的玻璃成分作为副成分的电介质陶瓷组合物，上述玻璃成分的含量相对于100重量％上述主成分为2～7重量％。根据该发明，提供通过相对地降低玻璃成分等含量，能对应薄层化、显示良好特性(相对介电常数、损耗Q值、绝缘电阻)的电介质磁器组合物和具有由该电介质陶瓷组合物构成的电介质层的叠层型滤波器等复合电子部件或叠层陶瓷电容器。

Description

电介质陶瓷组合物、复合电子部件和叠层陶瓷电容器

技术领域

本发明涉及在低温下可以烧结的电介质陶瓷组合物、具有该电介质陶瓷组合物作为电介质层的复合电子部件和叠层陶瓷电容器。

背景技术

伴随着对安装了电子部件的电子仪器的小型轻量化的要求，对小型叠层电子部件的需求正在飞速增长。接着，为了在电路基板上配置多个这样的电子部件相配合，作为将线圈和电容器一体化的复合电子部件的一种的叠层型滤波器，正在用于应对电路基板的高频噪声。

这样的叠层型滤波器因为是同时具有线圈部和电容器部的电子部件，其制造步骤中，必须同时烧成构成线圈部的磁性体材料和构成电容器部的电介质陶瓷组合物。一般，作为构成线圈部的磁性体材料使用的铁氧体其烧结温度在较低的800～900℃。因此，在叠层型滤波器的电容器部中使用的电介质陶瓷组合物的构成材料要求可以低温烧结。

例如，日本专利第3030557号公报中提出了在SrTiO₃中添加CuO或根据需要的MnO作为主成分，在该主成分中添加特定量的玻璃，形成能和Ag系的内部电极同时烧成的低温烧成电介质陶瓷组合物。

另一方面，伴随着近年来的电子仪器的进一步小型化，对叠层型滤波器的小型化、低高度化的要求更强了。为了维持叠层型滤波器的性能且满足小型化、低高度化，必须将电容器部的电介质层小型化、薄层化。

但是，在日本专利第3030557号公报中，因为由电介质陶瓷组合物构成的电介质层的厚度为50μm，薄层化时，不能保证其可靠性。并且，日本专利第3030557号公报中公开的电介质陶瓷组合物因为玻璃成分的含量较多，或者结晶粒径变得太大，或者结晶组织变得不均匀，认为难以薄层化。进而，玻璃成分的含量变多的话，不仅相对介电常数有降低的倾向，在形成外部电极时有镀敷液进入到元件内部(本体叠层部)的问题。并且，CuO的添加量太多的话，有分离且绝缘电阻降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于这样的现状提出的，目的在于提供一种能相对地减少玻璃成分等的含量且能对应薄层化、显示良好特性(相对介电常数、损耗Q值、绝缘电阻)的电解质陶瓷组合物及具有由该电介质陶瓷组合物构成的电介质层的叠层型滤波器等复合电子部件或叠层陶瓷电容器。

为了实现上述目的，本发明的电介质陶瓷组合物的特征在于包含含有选自钛酸钡、钛酸锶和钛酸钙的至少一种的主成分和含有B的氧化物的玻璃成分作为副成分，上述玻璃成分的含量相对于100重量％上述主成分，为2～7重量％。

本发明中，含有B的氧化物的玻璃成分是玻璃软化点为800℃以下的低熔点玻璃。通过含有上述范围的这样的玻璃成分，能相对地减少电介质陶瓷组合物中玻璃成分的含量，且能在低温下烧结。

优选上述玻璃成分不含有Bi的氧化物。另外，“不含Bi的氧化物”是指不含有超过杂质水平量的Bi的氧化物，只要含有杂质水平的量(例如含量为1000ppm以下)也是可以的。

优选上述电介质陶瓷组合物进而作为副成分含有Cu的氧化物，上述Cu的氧化物的含量相对于100重量％的上述主成分，以CuO计为多于0重量％、在10重量％以下。

优选上述电介质陶瓷组合物进而作为副成分含有Mn的氧化物，上述Mn的氧化物的含量相对于100重量％的上述主成分，以MnO计为多于0重量％、在1.5重量％以下。

除了上述主成分和作为副成分的玻璃成分，含有上述范围的Cu和/或Mn的氧化物，能在更低温度下烧结，且能提高特性(相对介电常数、损耗Q值、绝缘电阻等)。

或者优选代替上述电介质陶瓷组合物中含有的上述玻璃成分，构成上述玻璃成分的各成分作为氧化物含有，其含量合计为玻璃成分的含量，为2～7重量％。

构成上述玻璃成分的各成分以氧化物形式含有时，能获得和上述一样的效果。

本发明的复合电子部件是具有由线圈导体和磁性体层构成的线圈部和由内部电极层和电介质层构成的电容器部的复合电子部件，上述内部电极层作为导电材料含有Ag，上述电介质层由上述任何一项记载的电介质陶瓷组合物构成。

作为本发明的复合电子部件，没有特别限制，列举有叠层型滤波器、叠层型噪音滤波器等。

或者，本发明的叠层陶瓷电容器是内部电极层和电介质层交替叠层的叠层陶瓷电容器，上述内部电极层作为导电材料含有Ag，上述电介质层由上述任何之一记载的电介质陶瓷组合物构成。

根据本发明，相对于含有选自钛酸钡、钛酸锶和钛酸钙的至少一种的主成分，含有B的氧化物的玻璃成分的含量相对减少，能抑制结晶粒径的增大，在形成外部电极时能有效地防止电镀液进入到元件内部(本体叠层部)，能获得显示良好特性(相对介电常数、损耗Q值、绝缘电阻等)、具有高可靠性的电介质陶瓷组合物。玻璃成分因为含有B的氧化物、且玻璃的软化点在800℃以下，能在低温(例如950℃以下)下烧成。

在电介质层中应用这样的电介质陶瓷组合物，能有效地抑制由于结晶粒径的增大使得薄层化困难的问题或由于电镀液进入到元件中引起的可靠性的降低，且能获得具有良好特性的复合电子部件或叠层陶瓷电容器。作为内部电极层的导电材料，可以采用直流电阻低的Ag。

并且，本发明中优选在上述电介质陶瓷组合物中进一步含有Cu的氧化物和/或Mn的氧化物，进而能在更低温度下烧成，获得更良好的特性。因而，具有由该电介质陶瓷组合物构成的电介质层的复合电子部件或叠层陶瓷电容器能提高特性，获得高的可靠性。

进而，本发明中，构成上述玻璃成分的各成分不是作为玻璃成分，以氧化物形式含有时，能获得同样的效果。

附图说明

图1是本发明一个实施方式的叠层型滤波器的立体图，

图2是沿图1所示的II-II线的叠层型滤波器的截面图，

图3是表示本发明一个实施方式的叠层型滤波器的叠层结构的分解立体图，

图4(A)是T型电路的电路图，图4(B)是π型电路的电路图，图4(C)是L型电路的电路图，

图5是本发明的其他实施方式的叠层型滤波器的立体图，

图6是表示本发明的其他实施方式的叠层型滤波器的叠层结构的分解立体图，

图7是本发明的其他实施方式的叠层陶瓷电容器的截面图。

具体实施方式

下面，基于附图所示的实施方式来说明本发明。

叠层型滤波器1

如图1所示，本发明的一个实施方式的叠层型滤波器1以本体叠层部11作为主要部分，在图示的左侧面上具有外部电极21、22、23，在图示的右侧面上具有外部电极24、25、26。叠层型滤波器1的形状没有特别限制，通常是立方体状。并且，其尺寸没有特别限制，可以是根据用途制成适当的尺寸，通常是(0.6～5.6mm)×(0.3～5.0mm)×(0.3～1.9mm)左右。首先说明本实施方式的叠层型滤波器的结构。

图2是沿图1所示的II-II线的叠层型滤波器1的截面图。本实施方式的叠层型滤波器1是在下层部具有电容器部30，在上层部具有线圈部40。电容器部30在多个内部电极31间形成多个电介质层32，成为多层的电容器。另一方面，线圈部40是在磁性体层42中形成具有规定图案的线圈导体41。

构成电容器部30的电介质层32含有本发明的电介质陶瓷组合物。电介质陶瓷组合物作为主成分含有选自钛酸钡、钛酸锶和钛酸钙的至少一种，特别优选含有钛酸锶。

作为主成分含有的钛酸钡、钛酸锶和钛酸钙具有钙钛矿型结构，例如能用组成式ABO₃(A＝Ba、Sr、Ca；B＝Ti)表示。占据钙钛矿型结构的A位置的元素(Ba、Sr、Ca)和占据B位置的Ti的摩尔比用上述组成式中的A和B即A/B来表示。本实施方式中，可以使用0.98≤A/B≤1.10的产品等。

并且，电介质陶瓷组合物除了上述主成分以外，作为副成分含有包含B的氧化物的玻璃成分，优选玻璃成分不含Bi的氧化物。该玻璃成分是玻璃软化点在800℃以下的低熔点玻璃。另外，玻璃软化点是根据JIS-R-3103来测定的。

本实施方式的电介质陶瓷组合物因为具有玻璃软化点为800℃以下的低熔点玻璃成分，例如可以在950℃以下的低温下烧成，能适用于由直流电阻低的Ag构成内部电极31的电子部件中。

该玻璃成分只要含有B的氧化物，玻璃软化点为800℃以下，没有特别限制，具体能列举有B₂O₃-ZnO-SiO₂系玻璃、B₂O₃-SiO₂-BaO-CaO系玻璃、B₂O₃-ZnO-BaO系玻璃、B₂O₃-ZnO系玻璃、B₂O₃-ZnO-SiO₂-BaO系玻璃等，优选B₂O₃-ZnO系玻璃、B₂O₃-ZnO-SiO₂系玻璃。

玻璃成分的含量相对于100重量％主成分为2～7重量％，优选为2～5重量％。另外，相对于100重量％玻璃成分，B的氧化物成分优选为15重量％以上。

玻璃成分的含量太少的话，低温(例如950℃以下)下有得不到充分的烧结性的倾向。另一方面，太多的话，相对介电常数有降低的倾向，结果电子部件的小型化变困难，可靠性有欠缺的倾向。

并且，本发明中，代替上述的玻璃成分，构成该玻璃成分的各成分可以以氧化物方式来含有。

即，本实施方式的电介质陶瓷组合物不含上述玻璃成分时，代替该玻璃成分，至少含有B的氧化物。进而根据需要，构成上述玻璃成分的各成分(ZnO、SiO₂、BaO、CaO等)优选以氧化物来含有，特别优选含有Zn的氧化物、Si的氧化物。代替上述玻璃成分，以氧化物形式含有时，能获得同样的效果。另外，此时优选不含Bi的氧化物。

上述情况下，作为构成玻璃成分的各成分的氧化物合计含量和玻璃成分的含量相同，相对于100重量％主成分，优选为2～7重量％，更优选为2～5重量％。并且，此时B的氧化物含量相对于100重量％主成分，优选为0.3～1.8重量％。

本实施方式的电介质陶瓷组合物优选还含有Cu的氧化物。含有Cu的氧化物，能提高烧结性，能在更低温度下烧成。

Cu的氧化物的含量相对于100重量％主成分，优选多于0重量％、10重量％以下，更优选为0.1～3重量％。Cu的氧化物含量太多的话，损耗Q值或绝缘电阻降低，可靠性有欠缺的倾向。

并且，本实施方式的电介质陶瓷组合物优选还含有Mn的氧化物。含有Mn的氧化物，能提高损耗Q值或绝缘电阻，能提高作为电子部件的可靠性。

Mn的氧化物含量相对于100重量％主成分，优选多于0重量％、1.5重量％以下，更优选为0.1～1重量％。Mn的氧化物的含量太多的话，相对介电常数或绝缘电阻降低，可靠性有降低的倾向。

并且，本实施方式的电介质陶瓷组合物通过含有上述各成分，其收缩率能与后述的线圈部的磁性体层42的收缩率相近。结果，能抑制电介质层32和磁性体层42之间烧成时产生的剥离、弯曲、裂缝等结构缺陷。

构成电介质层32的烧结后电介质结晶粒子的平均结晶粒径优选为1.5μm以下，更优选为1.0μm以下。平均结晶粒径的下限没有特别限制，通常为0.5μm左右。电介质结晶粒子的平均结晶粒径太大的话，绝缘电阻有变差的倾向。

电介质结晶粒子的平均结晶粒径例如可以通过切断电介质层32，SEM观察切断面，测定规定数量的电介质结晶粒子的结晶粒径，基于该测定结果计算。另外，各电介质结晶粒子的结晶粒径例如可以通过将各结晶粒子假定为球的标记法来求得。并且，计算平均结晶粒径时，进行结晶粒径测定的粒子数量通常为100个以上。

在一对内部电极31中夹持部分的电介质层32的厚度(g)优选为20μm以下，更优选为10μm以下。由本发明的电介质陶瓷组合物构成电介质层，电介质层32的厚度(g)控制在上述范围，能实现薄层化。

构成电容器30的内部电极31中含有的导电材料没有特别限制，本发明的电介质陶瓷组合物因为可以在低温(例如950℃以下)下烧成，本实施方式中作为导电材料使用直流电阻低的银。

内部电极31的厚度没有特别限制，可以根据电介质层32的厚度适宜决定，但是对于电介质层的厚度的比优选为35％以下，更优选为30％以下。这样，通过将内部电极31的厚度控制在电介质层32的厚度的35％以下，进而在30％以下，能有效地防止称为分层的层间剥离现象。特别是通过控制在30％以下，能将分层的产生率几乎控制在0％。

构成线圈部40的磁性体层42含有磁性体材料。作为磁性体材料没有特别限制，但是作为主成分优选含有Ni的氧化物、Cu的氧化物、Zn的氧化物或Mn的氧化物等的铁氧体。作为这样的铁氧体，例如能列举有Ni-Cu-Zn系铁氧体、Cu-Zn系铁氧体、Ni-Cu系铁氧体、Ni-Cu-Zn-Mg系铁氧体等。它们中特别优选使用Ni-Cu-Zn系铁氧体或Cu-Zn系铁氧体。另外，磁性体层42除了上述主成分以外，根据需要也可以含有副成分。

作为在构成线圈部40的线圈导体41中含有的导电材料，可以使用和内部电极31一样的。

外部电极21～26没有特别限制，可以使用银电极，该银电极优选镀敷Cu-Ni-Sn、Ni-Sn、Ni-Au、Ni-Ag等。

叠层型滤波器1的制造方法

本实施方式的叠层型滤波器和现有的叠层型滤波器一样，是通过制造电介质生片和磁性体生片，将这些生片叠层，形成生材状态的本体叠层部11，烧成它们后，来形成外部电极21～26。下面具体说明制造方法。

电介质生片的制造

首先，准备构成电介质陶瓷组合物原料的各主成分原料和根据需要的其他副成分原料。

作为主成分原料，能使用钛酸钡、钛酸锶和钛酸钙或其混合物、复合氧化物，但是其他的通过烧成形成上述氧化物或复合氧化物的各种化合物，例如从碳酸盐、草酸盐、硝酸盐、氢氧化物、有机金属化合物等适宜选择，混合使用也可以。

作为副成分的玻璃成分的原料，可以使用构成该玻璃成分的氧化物或其混合物、复合氧化物，其他通过烧成形成构成该玻璃成分的氧化物或复合氧化物的各种化合物。

玻璃成分是将构成该玻璃成分的氧化物等原料混合，烧成，然后急冷，玻璃化来获得。

另外，代替玻璃成分，可以使用构成上述该玻璃成分的氧化物等作为副成分原料。

玻璃成分以外的副成分可以根据添加的副成分的种类适宜准备，例如优选使用Cu、Mn的氧化物或通过烧成形成Cu、Mn的氧化物的化合物。

接着，混合各主成分原料和副成分原料，制备混合粉末。各主成分原料和副成分原料进行混合的方法没有特别限制，例如可以通过以粉末状态干式混合原料粉末来进行，或者在原料粉末中添加水或有机溶剂等，使用球磨等进行湿式混合。

接着，对上述获得的混合粉末进行预备烧成，促进和副成分的反应，制造粉末。预备烧成的保持温度优选为500～850℃，更优选为600～850℃，温度保持时间优选为1～15小时。该预备烧成可以在大气中进行，并且也可以在比大气中的氧分压高的气氛或纯氧气氛中进行。

接着，预备烧成获得的粉末进行粉碎，制备烧成前的粉末。作为粉末的粉碎的方法没有特别限制，例如在粉末中添加水或有机溶剂等，使用球磨等，通过湿式混合来进行。接着，将获得的烧成前粉末涂料化，制备电介质层用糊料。

电介质层用糊料可以是混炼烧成前粉末和有机连结料(ビヒクル)的有机系涂料，也可以是水系涂料。

内部电极用糊料是将作为导电材料的银和上述有机连结料混炼来制备的。

上述的各糊料中的有机连结料的含量没有特别限制，通常的含量例如相对于100重量％的烧成前粉末，可以是粘合剂为5～15重量％左右，溶剂为50～150重量％左右。并且，各糊料中根据需要还可以含有选自各种分散剂、增塑剂等的添加物。它们的总含量优选为10重量％以下。

接着，通过刮刀法等将电介质层用糊料薄片化，形成电介质生片。

接着，在电介质生片上形成内部电极。内部电极的形成是通过丝网印刷等方法在电介质生片上形成内部电极用糊料。另外，内部电极的形成图案可以根据制造的叠层型滤波器的电路结构等适宜选择，本实施方式中，制得后述的各图案。

磁性体生片的制造

首先，准备在磁性体层用糊料中含有的磁性体材料，将其涂料化，制备磁性体层用糊料。

磁性体层用糊料可以是混炼磁性体材料和有机连结料的有机系涂料，也可以是水系涂料。

作为磁性体材料，作为主成分的起始原料，能适宜选择Fe、Ni、Cu、Zn、Mg的各氧化物或烧成后形成它们的各氧化物的各种化合物，例如碳酸盐、草酸盐、硝酸盐、氢氧化物、有机金属化合物等，混合使用也可以。并且，磁性体材料中除上述主成分以外，根据需要可以含有副成分的起始原料。

另外，磁性体材料可以在制成磁性体层用糊料之前，通过将构成磁性体材料的各起始原料煅烧合成等，也可以预先反应。

线圈导体用糊料例如将银等导电材料和上述有机连结料混炼来制备。

接着，通过刮刀法等将磁性体层用糊料薄片化，形成磁性体生片。

接着，由上述制造的磁性体生片上形成线圈导体。线圈导体的形成是通过丝网印刷等方法在磁性体生片上形成线圈导体用糊料。另外，线圈导体的形成图案可以根据要制造的叠层型滤波器的电路结构等适宜选择，在本实施方式中是后述的各图案。

接着，在磁性体生片上的线圈导体上形成贯通孔。作为贯通孔的形成方法没有特别限制，例如可以通过激光加工等来进行。另外，贯通孔的形成位置只要是在线圈导体上，没有特别限制，但是优选在线圈导体的端部上形成，本实施方式是在后述的各位置。

生片的叠层

接着，依次叠层上述制造的各电介质生片和磁性体的生片，形成生片状态的本体叠层体部11。

本实施方式中，生片状态的本体叠层部11如图3所示，将形成了构成电容器部的内部电极的电介质生片叠层多个，在其上叠层多个构成线圈的线圈导体形成的磁性体生片来制造。

下面详述生片的叠层步骤。

首先，配置在最下层未形成内部电极的电介质生片32c。未形成内部电极的电介质生片32c用于保护电容器部，其厚度可以适宜选择。

接着，在未形成内部电极的电介质生片32c上，叠层形成了内部电极31a的电介质生片32a，该内部电极31a具有从电介质生片的短方向X的后侧侧部向生片的端部突出的一对导出部24a和26a。

接着，在形成内部电极31a的电介质生片32a上，叠层形成了内部电极31b的电介质生片32b，该内部电极31a具有从电介质生片的短方向X的前侧和后侧分别向电介质生片的端部突出的一对导出部22a和25a。

接着，通过这样叠层形成了内部电极31a的电介质生片32a和形成了内部电极31b的电介质生片32b，形成由内部电极31a、31b和电介质生片32b构成的生片状态的单层电容器30b。

接着，在形成了内部电极31b的电介质生片32b之上，叠层形成了内部电极31a的电介质生片32a，同样形成由内部电极31a、31b和电介质生片32a构成的生片状态的单层电容器30a。

同样，通过交替叠层形成了内部电极31a的电介质生片32a和形成了内部电极31b的电介质生片32b，获得交替形成多个生片状态的单层电容器30a和30b的电容器部。另外，本实施方式中，列举了单层电容器30a、30b合计为6层进行叠层的方式，但是其叠层数没有特别限制，可以根据目的适宜选择。

接着，在上述形成的生片状态的电容器部上形成生片状态的线圈部。

首先，在电容器部上，叠层未形成线圈导体的磁性体生片42e。电容器部上叠层的、未形成线圈导体的磁性体生片42e是用于分离电容器部和线圈部的，其厚度可以适宜调整。另外，本实施方式中，为了分离电容器部和线圈部，列举了适宜的磁性体生片42e的方式，但是代替磁性体生片42e，可以使用电介质生片。

接着，在未形成线圈导体的磁性体生片42e上，叠层形成了一对线圈导体41a的磁性体生片42a，该线圈导体41a分别具有一端是磁性体生片的短方向X的前侧端部上突出的导出部21a和23a。

接着，在其上叠层形成了大致C型的一对线圈导体41b的磁性体生片42b。另外，大致C型的线圈导体41b以弯曲部配置在磁性体生片的长方向Y的前侧，进而在磁性体生片的短方向X的前侧一端上形成贯通孔51b。

并且，叠层形成了大致C型的一对线圈导体41b的磁性体生片42b时，使用导体糊料，通过在磁性体生片42b上形成的一对贯通孔51b，电接合线圈导体41a和线圈导体41b。另外，接合贯通孔时使用的导体糊料没有特别限制，但是优选使用银糊料。

接着，在磁性体生片42b上叠层形成了与线圈导体41b反图案的一对线圈导体41c的磁性体生片42c。即，在磁性体生片42c上，将线圈导体41c的弯曲部配置在磁性体生片42c的长方向Y的后侧，并且在该线圈导体41c上，在磁性体生片的短方向X的后侧一端形成一对贯通孔51c。接着，同样使用导体糊料，通过该贯通孔51c，电接合线圈导体41b和线圈导体41c。

同样，交替叠层多个形成了线圈导体41b的磁性体生片42b和形成了线圈导体41c的磁性体生片42c。接着在形成了线圈导体41b的磁性体生片42b上，叠层磁性体生片42d。该磁性体生片42d是形成一对线圈导体41d的磁性体生片，该线圈导体41d分别具有一端是磁性体生片42d的短方向X的后侧端部上突出的导出部24b和26b。另外，叠层磁性体生片42d时，通过在线圈导体41d上的短方向X的前侧一端形成的一对贯通孔51d，使用导体糊料，电接合线圈导体41b和线圈导体41d。

最后，在形成了线圈导体41d的磁性体生片42d上叠层未形成线圈导体的磁性体生片42f。该磁性体生片42f是为了保护线圈部、和调整叠层型滤波器的厚度尺寸而使用的，其厚度根据叠层型滤波器的厚度期望的厚度而适宜调整。

如上所述，通过各贯通孔，通过接合各磁性体生片上的线圈导体，用2个磁性体生片卷成1卷，形成线圈。

本体叠层部的烧成和外部电极的形成

接着，通过依次叠层电介质生片和磁性体生片，烧成生片状态的本体叠层部。作为烧成条件，升温速度优选为50～500℃/小时，更优选为200～300℃/小时，保持温度优选为840～900℃，温度保持时间优选为0.5～8小时，更优选为1～3小时，冷却速度优选为50～500℃/小时，更优选为200～300℃/小时。

接着，进行烧成的本体叠层部例如实施滚筒抛光或喷砂等端面研磨，在本体叠层部的两侧面上涂布外部电极用糊料，干燥后，通过烧结形成图1所示的外部电极21～26。外部电极用糊料例如可以混炼银等导电材料和上述有机连结料来制备。另外，这样形成的外部电极21～26上优选用Cu-Ni-Sn、Ni-Sn、Ni-Au、Ni-Ag等进行电镀。

形成外部电极时，外部电极21和23通过与图3所示的线圈部的导出部21a和23a连接，作为输入输出端子。并且，外部电极24通过连接在电容器部的各导出部24a和线圈部的导出部24b上，制成连接电容器部和线圈部的输入输出端子。接着，外部电极26也一样通过连接到电容器部的各导出部26a和线圈部的导出部26b上，制成连接电容器部和线圈部的输入输出端子。外部电极22和25分别连接到电容器部的各导出部22a和25a，作为接地端子。

如上所述，通过在本体叠层部11上形成各外部电极21～26，本实施方式的叠层型滤波器构成图4(A)所示的T型电路。

这样制造的本实施方式的叠层型滤波器通过软钎焊等安装到印刷基板上等，用于各种电子机器等中。

以上说明本发明的实施方式，但是本发明不限于上述实施方式的任何一种，在不超出本发明要点的范围内可以作各种改变。

例如，上述实施方式中列举了形成T型电路的叠层型滤波器，但是也可以是形成其他集总常数电路的叠层型滤波器。例如作为其他的集中常数电路，可以是通过图4(B)所示的π型或图4(C)所示的L型或二个π型电路形成的双π型，并且也可以是形成了4个图5、图6所示的L型电路的叠层型滤波器101。

对于形成了4个图5、图6所示的L型电路的叠层型滤波器101，构成上述实施方式和电介质层或磁性体层的材料可以使用相同的材料，并且电介质生片和磁性体生片可以和上述实施方式一样来制造。

在图5、图6所示的叠层型滤波器中，图5所示的外部电极121～124与图6所示的线圈部的各导出部121a～124a连接，形成输入输出端子。并且，同样的，外部电极125～128连接到电容器部的各导出部125a～128a和线圈部的各导出部125b～128b上，形成连接电容器部和线圈部的输入输出端子。进而，外部电极120、129分别连接到电容器部的各导出部120a、129a上，形成接地端子。

接着，图5、图6所示的叠层型滤波器101是由形成4个图4(C)所示的L型电路来构成。

并且，上述实施方式中，列举了作为本发明的复合电子部件的叠层型滤波器，但是作为本发明的复合电子部件，不限于叠层型滤波器，只要是具有由上述电介质陶瓷组合物构成的电介质层的产品都可以。

进而，如图7所示，可以是具有交替叠层了电介质层202和内部电极层203的元件本身210，在其两端部形成外部电极204的叠层陶瓷电容器201。此时，内部电极层优选将Ag作为导电体。

实施例

下面基于实施例来更详细地说明本发明，但是本发明不限于这些实施例。

实施例1

首先，作为构成电介质陶瓷组合物原料的主成分原料，准备SrTiO₃，作为副成分原料，准备B₂O₃-ZnO-SiO₂系玻璃、CuO、MnCO₃。另外，SrTiO₃的A/B比即Sr/Ti比为1.00，B₂O₃-ZnO-SiO₂系玻璃的玻璃软化点为630℃。并且，MnCO₃在烧成后作为MnO含有在电介质陶瓷组合物中。

并且，B₂O₃-ZnO-SiO₂系玻璃可以使用市售的玻璃。

另外，B₂O₃-ZnO-SiO₂系玻璃的组成为B₂O₃：20重量％，ZnO：65重量％，SiO₂：15重量％。

烧成后以表1所示的组成比称量混合这些原料，通过球磨湿式混合16小时。湿式混合后，用干燥机在150℃-24小时的条件下干燥获得的浆料，进而，在间歇生产炉、800℃下煅烧干燥的混合粉末，获得煅烧粉末。该煅烧粉末通过球磨湿式混合，用干燥机在150℃-24小时的条件下干燥获得的浆料，制造电介质陶瓷组合物原料。

接着，在该电介质陶瓷组合物原料中加入作为有机连结料的用溶剂稀释的丙烯酸树脂，制成颗粒后，加压成型，获得直径12mm、厚3mm的圆片状成形体。该成形体在空气中、900℃-2小时的条件下烧成，获得烧结体。

对获得的烧结体，从烧成前的成形物的尺寸和烧成后的烧结体的尺寸计算收缩率。结果示于表1中。并且，从烧成后的烧结体的尺寸和重量计算烧结体密度，计算出相对于理论密度的烧结体密度作为相对密度。相对密度为90％以上为良好。结果示于表1中。

进而，在获得的烧结体的两面上涂布In-Ga，制造电极，进行相对介电常数、损耗Q值和绝缘电阻的评价。

相对介电常数

相对于形成电极的烧结体，在基准温度为20℃下，用数字LCR测量器(YHP公司制造的4274A)在频率1MHz、输入信号水平(测定电压)1Vrms/μm的条件下，测定静电容量C。接着，从获得的静电容量、烧结体的电极面积和电极间的距离计算出相对介电常数(没有单位)。评价基准在200以上为良好。结果示于表1中。

损耗Q值

在和相对介电常数的测定条件相同的条件下，测定介质损耗(tanδ)，基于获得的介质损耗(tanδ)，计算出损耗Q值(＝1/tanδ)。损耗Q值优选高的一方。评价基准为200以上为良好。结果示于表1中。

绝缘电阻(ρ)

针对形成电极的烧结体，使用绝缘电阻计(HEWLETT PACKARD公司制造的E2377A mutilmeter)，在25℃下30秒间施加DC25V后，测定电阻值，从该测定值和烧结体的电极面积和厚度计算出绝缘电阻ρ。本实施例中，对20个样品进行测定，通过求出其平均值来评价。评价基准在1.0×10⁸Ω·m以上为良好。结果示于表1中。

表1

表中，“mE+n”是表示“m×10+n”。

根据表1，作为玻璃成分B₂O₃-ZnO-SiO₂系玻璃(玻璃软化点：630℃)在本发明范围内含有时(样品2～7a)，具有充分的烧结性，且能够使相对介电常数、损耗Q值和绝缘电阻全都良好。而且为了具有适度的收缩率，例如适用于LC复合电子部件的电容器部时，可以和线圈部的收缩率一致。

另一方面，玻璃成分的含量比本发明范围小时(样品1)，因为不烧结，能确认特性非常差。并且，玻璃成分的含量大于本发明范围时(样品8和9)，结果相对介电常数变低。

实施例2

除了玻璃成分和CuO的含量如表2所示以外，和样品2一样，制造电介质陶瓷组合物，和实施例1进行一样的评价。结果示于表2中。

表2

表中，“mE+n”是表示“m ×10+n”。

根据表2，比较样品11和样品12的话，通过含有CuO，能确认相对介电常数、损耗Q值和绝缘电阻的任何一项有较大提高。在样品13和样品14中，也发现同样的倾向。并且，CuO的含量在本发明优选的范围外时(样品18)，能确认损耗Q值和绝缘电阻变差的倾向。

实施例3

除了MnO的含量如表3所示以外，和样品3一样，制造电介质陶瓷组合物，和实施例1一样进行评价。结果示于表3中。

表3

表中，“mE+n”是表示“m×10+n”。

根据表3，比较样品3和样品19的话，通过含有MnO，能确认损耗Q值和绝缘电阻的提高。并且，MnO的含量在本发明优选的范围外时(样品22)，能确认相对介电常数、损耗Q值和绝缘电阻有变差的倾向。

实施例4

玻璃成分如表4所示以外，和样品3一样，制造电介质陶瓷组合物，和实施例1进行一样的评价。结果示于表4中。

另外，B₂O₃-SiO₂-BaO-CaO系玻璃(样品23)的组成是B₂O₃：30重量％，SiO₂：20重量％，BaO：25重量％，CaO：25重量％，

B₂O₃-ZnO-BaO系玻璃(样品24)的组成为B₂O₃：30重量％，ZnO：30重量％，BaO：40重量％，

B₂O₃-ZnO系玻璃(样品25)的组成为B₂O₃：65重量％，ZnO：35重量％，

B₂O₃-ZnO-SiO₂-BaO系玻璃(样品26)的组成为B₂O₃：45重量％，ZnO：20重量％，SiO₂：5重量％，BaO：30重量％。

并且，样品23～26的玻璃成分的玻璃软化点为800℃以下，样品27的玻璃成分(SiO₂-Al₂O₃-BaO)的玻璃软化点比800℃高。

表4

表中，“mE+n”是表示“m×10+n”。

根据表4，使用含有B₂O₃、玻璃软化点为800℃以下的玻璃成分的样品23～26任何一个都显示良好的特性。另一方面，不含B₂O₃、玻璃软化点比800℃高的样品27在900℃下不烧结。

实施例5

作为玻璃成分，B₂O₃-ZnO系玻璃的含量如表5所示(样品25和29)、构成该玻璃成分的B₂O₃和ZnO的氧化物的量如表5所示(样品28和30)，制造电介质陶瓷组合物，和实施例1进行同样的评价。结果示于表5中。

根据表5，作为氧化物在电介质陶瓷组合物中含有本发明的玻璃成分时，能确认相对介电常数、损耗Q值和绝缘电阻的任何一个都良好。

如上所述，根据本发明，能获得相对介电常数、损耗Q值和绝缘电阻的任何一个都良好的电介质陶瓷组合物。而且，即使在900℃下烧成，能充分烧成，且获得适度的收缩率。

因而，本发明的电介质陶瓷组合物适用于LC复合电子部件中时，可以和构成线圈部的磁性体层同时烧成，能提供具有显示上述良好特性的电介质层的复合电子部件。

并且，本发明的电介质陶瓷组合物也适合作为内部电极层由Ag构成的叠层陶瓷电容器的电介质层。

Claims (7)

1.一种电介质陶瓷组合物，其包含：

含有选自钛酸钡、钛酸锶和钛酸钙的至少一种的主成分、和

作为副成分，含有B的氧化物的玻璃成分，其特征在于，

上述玻璃成分的含量相对于100重量％上述主成分，为2～7重量％。

2.如权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其特征在于，上述玻璃成分不含Bi的氧化物。

3.如权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物，其中，上述电介质陶瓷组合物还含有Cu的氧化物作为副成分，

上述Cu的氧化物的含量相对于100重量％的上述主成分，以CuO计，多于0重量％，在10重量％以下。

4.如权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物，其中，上述电介质陶瓷组合物还含有Mn的氧化物作为副成分，

上述Mn的氧化物的含量相对于100重量％的上述主成分，以MnO计，多于0重量％，在1.5重量％以下。

5.如权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物，其中，代替上述玻璃成分，以氧化物的形式含有构成上述玻璃成分的各成分。

6.一种复合电子部件，其具有：

线圈导体和磁性体层构成的线圈部、和

内部电极层和电介质层构成的电容器部，

上述内部电极层作为导电材料含有Ag，

上述电介质层由权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物构成。

7.一种叠层陶瓷电容器，其具有内部电极层、电介质层交替叠层的元件本体，

上述内部电极层作为导电材料含有Ag，

上述电介质层由权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物构成。

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