CN101271850B - 树脂密封方法、树脂密封模和树脂密封设备 - Google Patents

树脂密封方法、树脂密封模和树脂密封设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种树脂密封方法、树脂密封模和树脂密封设备,该树脂密封方法包括步骤:在上模与下模之间设置中间模,所述中间模具有容置树脂密封部分的型腔形成部分;以及经由横浇口将密封树脂引入所述中间模的所述型腔形成部分以及所述中间模的另一主表面,所述横浇口设置在所述中间模的所述型腔形成部分的附近,并沿着厚度方向穿过所述中间模。本发明能够同时地、一次性全部将堆叠的多个布线板密封,因此能提高树脂密封步骤的生产效率,而不需增加制造成本。并且,能够简化树脂密封设备的结构,从而降低其制造成本。此外,能够减少连续进行整个密封操作时的周期时间。

Description

树脂密封方法、树脂密封模和树脂密封设备
技术领域
本发明一般地涉及树脂密封方法、树脂密封模(mold)和树脂密封设备。更具体地,本发明涉及一种电子部件的树脂密封方法、以及用于该树脂密封方法的模和树脂密封设备,其中将安装有电子部件(例如半导体元件)的薄片构件(例如引线框架或布线板)的至少一个表面用熔化树脂密封。 
背景技术
通常,使用树脂密封方法作为将安装在薄片构件(例如引线框架或布线板)上的半导体元件(电子部件)密封以形成半导体器件的密封方法中的一种。使用所谓的传递模塑(transfer mold)方法作为树脂密封方法。 
在传递模塑方法中,用上模和下模夹住薄片构件(例如布线板或引线框架)。在形成于上模和下模的至少其中一个内的型腔(cavity)形成部分中设置半导体元件、接合导线等等,其中半导体元件安装在薄片构件上,接合导线构造为将半导体元件的外侧连接端子与布线板或引线框架上的电极端子相连接。将熔化树脂注入(供应)到型腔形成部分中以完成树脂密封。 
在此方法中,为了提高制造效率,将多个半导体元件安装在薄片构件上,并在单个密封步骤中将其一次性全部密封。 
更具体而言,在所采用的方法中将多个薄片构件水平地设置在大的上、下模中并将这些薄片构件一次性全部处理。或者,采用的方法中将大量半导体元件安装在单个大薄片构件上。 
例如,在日本特开No.11-340263中提出了一种电子部件的树脂密封方法。在此方法中,将两个薄片构件在没有贴附电子部件的一侧接合。当在没有贴附电子部件的一侧将两个薄片构件接合时,电子部件嵌入分别设置在包括固定模和活动模的树脂封装模的型腔中。同时,熔化的树脂材料被注入并填充型腔。 
根据日本特开No.11-340263提出的方法,由于是在将两个薄片构件堆 叠的状态下进行树脂密封,所以不需要增加设置薄片构件的模的面积,就能够在单个密封步骤中将生产率(productivity)提高至大约两倍。 
但是,在将多个薄片构件水平地设置在大的上、下模中并将这些薄片构件一次性全部处理的情况下,上、下模的大尺寸导致模的挤压力增加,并且树脂密封设备的尺寸加大。这会造成制造成本的增加。 
在将大量半导体元件安装在单个大薄片构件上的情况下,薄片构件的大尺寸导致其曲率加大。这会造成生产率(yield rate)的下降。 
此外,根据日本特开No.11-340263所述的方法,薄片构件只有安装了电子部件的单个表面用树脂密封。因此,日本特开No.11-340263所述的方法不能应用于对薄片构件的两个表面进行树脂密封,例如对像QFP(四侧引脚扁平封装)或SOP(小型外壳封装)这样的半导体封装进行树脂密封。 
发明内容
根据本发明实施例的一个方案,提供一种树脂密封方法,包括步骤:在上模与下模之间设置中间模,所述中间模具有容置树脂密封部分的型腔形成部分;以及经由横浇口将密封树脂引入所述中间模的所述型腔形成部分以及所述中间模的另一主表面,所述横浇口设置在所述中间模的所述型腔形成部分的附近,并沿着厚度方向穿过所述中间模。 
根据本发明实施例的另一方案,提供一种树脂密封方法,包括步骤:在上模与下模之间设置多个中间模,所述中间模具有容置树脂密封部分的型腔形成部分;以及经由横浇口将密封树脂引入各个所述中间模的所述型腔形成部分,所述横浇口设置在堆叠的中间模的所述型腔形成部分的附近,并沿着堆叠方向穿过所述中间模。 
根据本发明实施例的另一方案,提供一种树脂密封模,包括:上模;下模;以及至少一个中间模,设置在所述上模与所述下模之间;其中所述中间模包括:型腔形成部分,形成在所述中间模的至少一个主表面,并构造为容置树脂密封部分;以及横浇口,设置在所述型腔形成部分的附近,并沿着厚度方向穿过所述中间模。 
根据本发明实施例的另一方案,提供一种树脂密封设备,包括:上模;下模;以及至少一个中间模,设置在所述上模与所述下模之间;其中所述中 间模包括:型腔形成部分,形成在所述中间模的至少一个主表面,并构造为容置树脂密封部分;以及横浇口,设置在所述型腔形成部分的附近,并沿着厚度方向穿过所述中间模。 
利用本发明,能够同时地、一次性全部将堆叠的多个布线板密封,因此能提高树脂密封步骤的生产效率,而不需增加制造成本。并且,能够简化树脂密封设备的结构,从而降低其制造成本。此外,还能够减少连续进行整个密封操作时的周期时间。 
附图说明
图1为在用于本发明第一实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的示意性横截面图; 
图2为图1所示上模1的平面图; 
图3为图1所示第二中间模4的平面图; 
图4为图1所示第一中间模3的平面图; 
图5为图1所示下模2的平面图; 
图6为说明使用图1所示的树脂密封模10的树脂密封方法的第一示意图; 
图7为说明使用图1所示的树脂密封模10的树脂密封方法的第二示意图; 
图8为说明使用图1所示的树脂密封模10的树脂密封方法的第三示意图; 
图9为说明使用图1所示的树脂密封模10的树脂密封方法的第四示意图; 
图10为说明使用图1所示的树脂密封模10的树脂密封方法的第五示意图; 
图11为说明使用图1所示的树脂密封模10的树脂密封方法的第六示意图; 
图12为说明使用图1所示的树脂密封模10的树脂密封方法的第七示意图; 
图13为在用于本发明第二实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密 封设备中设置的树脂密封模的第一示意性横截面图; 
图14为在用于本发明第二实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的第二示意性横截面图; 
图15为在用于本发明第二实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的第三示意性横截面图; 
图16为图13至图15所示的上模61的平面图; 
图17为图13至图15所示的第二中间模64的平面图; 
图18为图13至图15所示的第一中间模63的平面图; 
图19为图13至图15所示的下模62的平面图; 
图20为沿着图16至图19的线D-D的横截面图; 
图21为在用于本发明第三实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的示意性横截面图; 
图22为图21所示的中间模103的平面图; 
图23为在用于本发明第四实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的示意性横截面图; 
图24为用于本发明第五实施例的安装有半导体元件的引线框架的平面图; 
图25为在用于本发明第五实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的示意性横截面图; 
图26为图25所示的上模251的平面图; 
图27为图25所示的第一中间模254的平面图; 
图28为图25所示的第二中间模253的平面图; 
图29为图25所示的下模252的平面图; 
图30为说明使用弹出销300的弹出机构的结构的示意图; 
图31为说明使用图25中所示的树脂密封模250的树脂密封方法的第一示意图; 
图32为说明使用图25中所示的树脂密封模250的树脂密封方法的第二示意图; 
图33为说明使用图25中所示的树脂密封模250的树脂密封方法的第三示意图;以及 
图34为说明使用图25中所示的树脂密封模250的树脂密封方法的第四示意图。 
具体实施方式
下面参照图1至图34描述本发明的实施例。 
[第一实施例] 
图1为在用于本发明第一实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的示意性横截面图。图1也就是沿着下面要参考的图2至图5中的线X-X的横截面图。 
参照图1,本发明第一实施例的树脂密封模包括上模1、下模2、第一中间模3以及第二中间模4。上模1、下模2、第一中间模3以及第二中间模4各自的面积基本上相同。 
上模1固定在树脂密封设备的上模固定部分5。下模2固定在树脂密封设备的下模固定部分6。第一中间模3堆叠在下模2上。第二中间模4堆叠在第一中间模3上。上模固定部分5设置在第二中间模4上。 
通过将设置在上模1、下模2上的销(图1中未示出)与第一中间模3、第二中间模4的孔形成部分啮合,进行第一中间模3、第二中间模4与上模1、下模2之间的定位。 
在下模2、第一中间模3以及第二中间模4的上表面形成凹形型腔形成部分7至9。 
沿着下模2、第一中间模3以及第二中间模4上表面的型腔形成部分7至9的外周部分形成深度比型腔形成部分7至9的厚度小的布线板支撑部分14至16,以分别连接至型腔形成部分7至9的外周部分。 
布线板11的边缘部分设置在布线板支撑部分14至16上。安装在作为薄片构件的布线板11的主表面上的作为电子部件的多个半导体元件12、构造为将布线板11上的电极端子与半导体元件12的外侧连接端子相连接的接合导线13等等,位于型腔形成部分7至9内部。下模2、第一中间模3以及第二中间模4的上表面与布线板11的后表面形成同一表面。 
将熔化树脂注入(供应)到型腔形成部分7至9中,使得安装在布线板11上的多个半导体元件12以及接合导线13被树脂所密封。 
在下模2、第一中间模3以及第二中间模4的与型腔形成部分7至9分离的部分、以及下模固定部分6的与上述部分对应的部分中形成穿孔(piercing hole)。在穿孔的外周部分形成中空圆柱部分17。通过驱动部分(图1中未示出)的驱动,中空圆柱部分17能够在垂直方向上移动。在中空圆柱部分17内形成罐状部分(pot part)18。将密封树脂供应到罐状部分18中。在罐状部分18中设置活塞19。通过驱动部分(图1中未示出)的移动,活塞部分19能够在垂直方向上移动。上部开孔、即中空圆柱部分17的罐状部分18的开口表面连接到形成在上模1下表面的采集部分(cull part)20。由于活塞19的运动,罐状部分18中被加热至熔化的密封树脂流入采集部分20。 
下面结合图1参照图2。图2为图1所示上模1的平面图。图2中用双点划线示出在第二中间模4(设置在上模1的正下方)上设置布线板11的区域、以及设置多个半导体元件12的区域。 
参照图1和图2,形成在上模1下表面的采集部分20连接到形成在上模1下表面的上模横浇口(runner)部分21。因此,由于活塞19的运动而流入采集部分20的密封树脂又流入上模横浇口部分21。图2中用虚线示出采集部分20和上模横浇口部分21的下表面。 
下面结合图1参照图3。图3为图1所示第二中间模4的平面图。图3中用双点划线示出设置有多个半导体元件12的区域。 
如图1所示,上模1的上模横浇口部分21连接到形成在第二中间模4中的第二中间模横浇口部分22。第二中间模横浇口部分22设置在型腔形成部分9与内部形成有罐状部分18的中空圆柱部分17之间。 
如图3所示,第二中间模横浇口部分22具有熊掌形平面构造。直浇口(gate)部分23-1至23-4设置在第二中间模横浇口部分22与型腔形成部分9相连接的部分。图3中为了观看方便,附图标记23-1至23-4表示某一个第二中间模横浇口部分22的直浇口部分,而其它第二中间模横浇口部分22的直浇口部分的附图标记被省略。 
此外,如图1所示,在第二中间模横浇口部分22中设置第二中间模穿过横浇口部分24,以穿过第二中间模4。第二中间模穿过横浇口部分24的横截面为:第二中间模穿过横浇口部分24向第二中间模4的下表面逐渐变细。第二中间模横浇口部分22的底部向上倾斜到直浇口部分23。 
这样,经由采集部分20连接到罐状部分18的上模横浇口部分21通过第二中间模横浇口部分22与型腔形成部分9相连接。因此,从罐状部分8流入上模横浇口部分21的密封树脂经由第二中间模横浇口部分22的直浇口部分23被供应到型腔形成部分9,以在第二中间模穿过横浇口部分24中流动。 
下面结合图1参照图4。图4为图1所示第一中间模3的平面图。图4中用双点划线示出设置有多个半导体元件12的区域。 
如图1所示,第二中间模4的第二中间模穿过横浇口部分24连接到第一中间模3的第一中间模横浇口部分25。第一中间模横浇口部分22设置在型腔形成部分8与内部形成有罐状部分18的中空圆柱部分17之间。 
如图4所示,第一中间模横浇口部分25具有熊掌形平面构造。直浇口部分26-1至26-4设置在第一中间模横浇口部分25与型腔形成部分8相连接的部分。图4中为了观看方便,附图标记26-1至26-4表示某一个第一中间模横浇口部分25的直浇口部分,而其它第一中间模横浇口部分25的直浇口部分的附图标记被省略。 
此外,如图1所示,在第一中间模横浇口部分25中设置第一中间模穿过横浇口部分27,以穿过第一中间模3。第一中间模穿过横浇口部分27的横截面为:第一中间模穿过横浇口部分27向第一中间模3的下表面逐渐变细。第一中间模横浇口部分25的底部向上倾斜到直浇口部分26。 
这样,采集部分20、经由上模横浇口部分21连接到罐状部分18的第二中间模横浇口部分24、以及型腔形成部分8通过第一中间模横浇口部分25相连接。因此,流向第二中间模4的第二中间模穿过横浇口部分24的密封树脂经由第一中间模横浇口部分25的直浇口部分26被供应到型腔形成部分8,以在第一中间模穿过横浇口部分27中流动。 
下面结合图1参照图5。图5为图1所示下模2的平面图。图5中用双点划线示出设置有多个半导体元件12的区域。 
如图1所示,第一中间模3的第一中间模穿过横浇口部分27连接到形成在下模2中的下模横浇口部分28。下模横浇口部分28设置在型腔形成部分8与内部形成有罐状部分18的中空圆柱部分17之间。 
如图5所示,下模横浇口部分28具有熊掌形平面构造。直浇口部分29-1 至29-4设置在下模横浇口部分28与型腔形成部分7相连接的部分。图5中为了观看方便,附图标记29-1至29-4表示某一个下模横浇口部分28的直浇口部分,而其它下模横浇口部分28的直浇口部分的附图标记被省略。此外,如图1所示,下模横浇口部分28的底部向上倾斜到直浇口部分29。 
这样,经由采集部分20、上模横浇口部分21和第二中间模横浇口部分24连接到罐状部分18的第一中间模穿过横浇口部分27通过下模横浇口部分28与型腔形成部分7相连接。因此,流向第一中间模3的第一中间模穿过横浇口部分27的密封树脂经由下模横浇口部分28的直浇口部分29被供应给型腔形成部分7。 
下面参照图6至图12讨论使用树脂密封模10的树脂密封方法。这里,图6至图12为说明使用图1所示的树脂密封模10的树脂密封方法的第一至第七示意图。 
参照图6,首先,将主表面安装有多个半导体元件12的多个布线板11安置在固定于树脂密封设备的下模固定部分6的下模2、以及第一中间模3和第二中间模4上。 
图7为布线板11的部分平面图。如图7所示,经由粘合剂30将多个半导体元件12安装、固定在布线板11上。粘合剂30(例如晶片(die)接合膜)粘附在半导体元件12的没有形成电子电路元件、电子电路等等的后表面上。半导体元件12的外侧连接端子(电极焊盘)31与布线板11上的电极端子32通过接合导线13相连接。 
再参照图6,将布线板11安置在形成于下模2、第一中间模3以及第二中间模4的上表面的凹形型腔形成部分7至9中。 
更具体而言,将布线板11安置为使得布线板11的边缘部分被放置在深度比型腔形成部分7至9的厚度小的布线板支撑部分14至16上。此时,型腔形成部分7至9的上表面与布线板11的后表面具有相同的平面表面。 
此外,将安置有布线板11的第一中间模3和第二中间模4设置在固定于树脂密封设备的上模固定部分5的上模1与固定于树脂密封设备的下模固定部分6的下模2之间。 
更具体而言,将第一中间模3堆叠在下模2上,将第二中间模4堆叠在第一中间模3上。通过将设置在上模1、下模2上的销(未示出)与形成在第 一中间模3、第二中间模4中的孔形成部分(未示出)啮合,进行第一中间模3、第二中间模4相对于上模1、下模2的定位。 
在此阶段,通过设置于上模固定部分5和下模固定部分6的加热机构(未示出)例如增压头(pressurizing head)和工作台(stage),将上模1和下模2加热。 
此外,在此阶段,将能够通过驱动部分(未示出)沿着垂直方向在下模2、第一中间模3和第二中间模4中移动的中空圆柱部分17的上表面定位在与下模2的上表面相同的表面。 
接着如图8所示,在将第一中间模3堆叠在下模2上、将第二中间模4堆叠在第一中间模3上的状态下,将中空圆柱部分17在垂直方向上升高,直到中空圆柱部分17的上表面位于与第二中间模4的上表面相同的位置。结果,下模2、第一中间模3和第二中间模4的罐状部分18相连通。 
在此状态下,将固态密封树脂片(tablet)40从中空圆柱部分17的开口部分放下,设置在位于下模固定部分6的活塞19的上表面上。 
对于形成固态密封树脂片40的材料没有限制。例如,环氧树脂、无机填充物、固化剂、脱模剂等等可用作形成固态密封树脂片40的材料。这些实例可作为形成固态密封树脂片40的材料用于下面讨论的本发明的第二至第五实施例中。 
将第一中间模3堆叠在下模2上、将第二中间模4堆叠在第一中间模3上之前,可将固态密封树脂片40设置在活塞19的上表面,活塞19位于固定下模2的下模固定部分6的罐状部分18中。 
之后如图9所示,使固定于上模固定部分5的上模1与第二中间模4接触,用以模闭合,然后以规定的挤压力进行合模(mold clamping)。 
此时,通过加热机构(未示出)将第一中间模3和第二中间模4加热。结果,设置在活塞19上表面的固态密封树脂片40被熔化。通过以规定的温度加热第一中间模3和第二中间模4,能够使树脂40流入型腔形成部分7至9中时熔化的密封树脂40的流动性稳定。此外,能够减少连续进行密封操作时的周期时间。 
根据密封树脂40的材料,例如,可以以大约150至190℃的温度加热第一中间模3和第二中间模4,使得密封树脂40的温度变为大约60至95℃。此外,根据树脂密封模10的设计、树脂密封设备的尺寸等等,合模压力可等于或大于约29kN并等于或小于约490kN。这些条件也可以应用于本发明的第二至第五实施例。
接着如图10所示,由于驱动部分(图10中未示出),上表面设置有熔化树脂40的活塞在垂直方向上升高。 
结果,熔化树脂40从中空圆柱部分17的上部开孔(即罐状部分18的开口表面),经由形成于上模1的下表面的采集部分20以及与采集部分20相通的上模横浇口部分21流入第二中间模横浇口部分22。 
此外,熔化树脂40经由第二中间模横浇口部分22的直浇口部分23被供应给第二中间模4的型腔形成部分9,并流入第二中间模穿过横浇口部分24。此外,熔化树脂40经由与第二中间模穿过横浇口部分24相通的第一中间模横浇口部分25的直浇口部分26被供应给第一中间模3的型腔形成部分8,并流入第一中间模穿过横浇口部分27。此外,熔化树脂40经由与第一中间模穿过横浇口部分27相通的下模横浇口部分28的直浇口部分29被供应给下模2的型腔形成部分7。 
根据密封树脂40的材料、树脂密封模的设计、模制产品的结构等等,施加于型腔形成部分7至9的注入压力例如为大约5至20MPa。此外,当熔化树脂40为快速固化型树脂时,成型时间可等于或大于约25秒。当熔化树脂40为普通树脂时,成型时间可等于或大于约100秒。这些条件可应用于本发明的第二至第五实施例。 
这样,熔化树脂40被供应给下模2的型腔形成部分7、第一中间模3的型腔形成部分8以及第二中间模4的型腔形成部分9,使得安装在布线板11上的多个半导体元件12和位于型腔形成部分7至9内的接合导线13被浸入型腔形成部分7至9内的密封树脂40A中。 
在完成树脂密封后,如图11所示,进行开模,将主表面上密封了多个半导体元件12和接合导线13的布线板11从树脂密封模10中取出。 
此时,不仅型腔形成部分7至9中的密封树脂40A,而且填充在采集部分20、上模横浇口21、第二中间模横浇口部分22、直浇口部分23以及第二中间模穿过横浇口部分24中的密封树脂40B、填充在第一中间模横浇口部分27、第一中间模横浇口部分25以及直浇口部分26中的密封树脂40C、及填充在下模横浇口部分28以及直浇口部分29中的密封树脂40D都被固化。
在此步骤中,通过驱动部分(未示出),活塞19和表面与第二中间模4的上表面位于相同位置的中空圆柱部分17在垂直方向上降低。 
接着,打开模以将上模1、第一中间模3、第二中间模4和下模2松开。更具体而言,将第一中间模3、第二中间模4从树脂密封模10分开。 
当第一中间模3、第二中间模4从树脂密封模10分开后,密封树脂40B的接触上模1的部分、使密封树脂40B与密封树脂40C相接触的部分、以及使密封树脂40C与密封树脂40D相接触的部分被切割掉。 
第二中间模穿过横浇口部分24的横截面为:第二中间模穿过横浇口部分24向第二中间模4的下表面逐渐变细。第一中间模穿过横浇口部分27的横截面为:第一中间模穿过横浇口部分27向第一中间模3的下表面逐渐变细。因此,使密封树脂40B与密封树脂40C相接触的部分、以及使密封树脂40C与密封树脂40D相接触的部分容易被切割掉。 
接着,从下模2、第一中间模3、第二中间模4中取出布线板11。尽管对于取出布线板11的方法没有限制,但是如果必要的话,可通过使用设置在上模1、第一中间模3、第二中间模4和下模2中的弹出销(未示出)的弹出机构将布线板11取出。或者,在供应密封树脂40之前可预先在型腔形成部分7至9的底部设置例如由氟化物树脂制成的释放膜(未示出),利用释放膜可将模松开。 
当从下模2、第一中间模3和第二中间模4中取出布线板11时,将上述密封树脂40B、40C、40D从型腔形成部分7至9中的密封树脂40A分离。或者,可以在从下模2、第一中间模3和第二中间模4中取出布线板11之后,将上述密封树脂40B、40C、40D从密封树脂40A分离。第二中间模横浇口部分22的底部、第一中间模横浇口部分25的底部以及下模横浇口部分28的底部分别向上倾斜到直浇口部分23、26和29。因此,密封树脂40B、40C、40D与密封树脂40A接触的部分容易被切割掉。 
将安装、固定在布线板11主表面的多个半导体元件12和接合导线13用密封树脂40A一次性全部密封后,用恒温炉加热布线板11,从而将密封树脂40A完全固化。尽管取决于形成密封树脂40A的材料,但是加热温度和时间例如可以是175℃和四小时。之后,在布线板11另一主表面设置用焊球制成的多个外侧连接端子45。用切割锯(dicing saw)通过切割将布线板 11分割,每一片有密封树脂40A密封的一个半导体元件12和多个接合导线13。这样,形成半导体器件50(参见图12)。 
这样,在本发明的第一实施例中,在上模1和下模2夹着的第一中间模3、第二中间模4的型腔形成部分8和9中以及下模2的型腔形成部分7中,设置多个布线板11。下模2和第一中间模3、第二中间模4的型腔形成部分7至9的形成位置对应于布线板11的设置了半导体元件12和接合导线13的部分。 
下模横浇口部分28、第一中间模横浇口部分25、第二中间模横浇口部分22是连接到型腔形成部分7至9的树脂通道(path),形成在具有型腔形成部分7至9的下模2和中间模3、4中。经由采集部分20和上模横浇口部分21从罐状部分18(为单一树脂供应源)供应的树脂填充在型腔形成部分7至9中。 
因此,能够经由中间模3和4同时地、一次性全部地将堆叠的多个布线板密封。因此,能够提高树脂密封步骤的生产效率,而不需要加大上模1、下模2和布线板11的尺寸,也就是说不需要增加制造成本。 
此外,第一中间模穿过横浇口部分27和第二中间模穿过横浇口部分24形成在第一中间模横浇口部分25和第二中间模横浇口部分22中,作为分别穿过中间模3和4的树脂通道,第一中间模横浇口部分25和第二中间模横浇口部分22是连接到型腔形成部分8和9的树脂通道。 
下模横浇口部分28、第一中间模横浇口部分25、第二中间模横浇口部分22是构造为向堆叠在模10中的多个布线板11为了树脂密封而供应树脂的树脂通道,它们通过穿过树脂通道24和27相连通。因此,能够从罐状部分18(为单一树脂供应源)向下模2、中间模3和4供应树脂。因此,能够简化树脂密封设备的结构,从而降低树脂密封设备的制造成本。 
此外,树脂经由下模横浇口部分28、第一中间模横浇口部分25、第二中间模横浇口部分22的直浇口部分29、26和23沿着水平方向从型腔形成部分7至9的端部供应到型腔形成部分7至9中。因此,在将树脂沿着垂直方向供应到型腔形成部分7至9中的情况下,当将模松开时模制产品可能会受损。但是,在本发明的第一实施例中,由于是水平地将树脂供应到型腔形成部分7至9中,所以可避免此问题。 
此外,如上所述,通过将上模接触第二中间模4完成模闭合,然后通过加热机构(未示出)以规定的温度加热第一中间模3和第二中间模4,使整个树脂密封模10的温度均匀。因此,能够使熔化树脂40在型腔形成部分7至9中流动时的流动性稳定。此外,能够减少连续进行整个密封操作时的周期时间。 
[第二实施例] 
在本发明第一实施例中,罐状部分18(为单一树脂供应源)设置在形成有型腔形成部分7至9的下模2和中间模3、4中。树脂经由下模横浇口部分28、第一中间模横浇口部分25、第二中间模横浇口部分22从罐状部分18供应给型腔形成部分7至9,其中下模横浇口部分28、第一中间模横浇口部分25、第二中间模横浇口部分22是与型腔形成部分7至9相连通的树脂通道。 
但是本发明不限于该实例。本发明可应用于将熔化树脂独立地供应给堆叠模的各型腔形成部分的实例。 
图13为在用于本发明第二实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的第一示意性横截面图。图13是沿着图16至图19中的线A-A的横截面图。 
图14为在用于本发明第二实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的第二示意性横截面图。图14是沿着图16至图19中的线B-B的横截面图。 
图15为在用于本发明第二实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的第三示意性横截面图。图15是沿着图16至图19中的线C-C的横截面图。 
这里,图16为图13至图15中所示的上模61的平面图。图17为图13至图15中所示的第二中间模64的平面图。图18为图13至图15中所示的第一中间模63的平面图。图19为图13至图15中所示的下模62的平面图。图20为沿着图16至图19中的线D-D的横截面图。 
在图13至图20中,与图1至图12中同样的部分使用相同的附图标记,并且省略其描述。此外,为了说明的方便,图16至图19中未示出活塞19。 
参照图13至图15,本发明第二实施例的树脂密封模60包括上模61、下模62、第一中间模63和第二中间模64。上模61、下模62、第一中间模 63以及第二中间模64各自的面积基本上相同。 
上模61固定在树脂密封设备的上模固定部分5。下模62固定在树脂密封设备的下模固定部分6。第一中间模63堆叠在下模62上。第二中间模64堆叠在第一中间模63上。第二中间模64设置在上模61上。 
通过将设置在上模61、下模62上的销(未示出)与第一中间模63、第二中间模64的孔形成部分啮合,进行第一中间模63、第二中间模64与上模61、下模62之间的定位。 
在下模62、第一中间模63以及第二中间模64的上表面形成凹形型腔形成部分67至69。布线板11设置在型腔形成部分67至69中,使得安装在布线板11主表面上的多个半导体元件12、将半导体元件12的外侧连接端子与布线板上的电极端子相连接的接合导线13位于型腔形成部分67至69内部,并且下模62、第一中间模63以及第二中间模64的上表面与布线板11的后表面位于相同的位置。 
将熔化树脂注入(供应)到型腔形成部分67至69中,使得安装在布线板11上的多个半导体元件12以及接合导线13被树脂所密封。 
下面结合图13至图15参照图16至图19。 
在图16至图19中线A-A所示的位置,在下模62、第一中间模63、第二中间模64、以及下模固定部分6的部分中形成穿孔。在穿孔的外周部分形成第一中空圆柱部分17-1。通过驱动部分(未示出),第一中空圆柱部分17-1能够在垂直方向上移动。在第一中空圆柱部分17-1内形成第一罐状部分18-1。在第一罐状部分18-1中设置第一活塞19-1。通过驱动部分(未示出),第一活塞部分19-1能够在垂直方向上移动。上部开孔,即第一中空圆柱部分17-1的第一罐状部分18-1的开口表面连接到形成在上模61下表面的上模采集部分80。通过第一活塞19-1的运动,第一罐状部分18-1中被加热至熔化的密封树脂流入上模采集部分80。 
参照图16,形成在上模61下表面的上模采集部分80连接到形成在上模61下表面的上模横浇口部分81。因此,通过第一活塞19-1流入采集部分80的密封树脂又流入上模横浇口部分81。图16中用虚线示出上模采集部分80和上模横浇口部分81的下表面。此外,用双点划线示出设置了多个半导体元件12的布线板11的区域、以及位于设置了布线板11的上模61正下方的 第二中间模64的区域。 
如图13所示,上模61的上模横浇口部分81连接到第二中间模64中形成的第二中间模横浇口部分82。 
如图17所示,第二中间模横浇口部分82具有熊掌形平面构造。直浇口部分83-1至83-4设置在第二中间模横浇口部分82与型腔形成部分69相连接的部分。 
这样,经由上模采集部分80连接到第一罐状部分18-1的上模横浇口部分81通过第二中间模横浇口部分82与型腔形成部分69相连接。因此,从第一罐状部分18-1流入上模横浇口部分81的密封树脂经由第二中间模横浇口部分82的直浇口部分23被供应到型腔形成部分69。 
同时,如图14所示,在图16至图19中的线B-B所示的位置,在下模62、第一中间模63、第二中间模64以及下模固定部分6的部分中形成穿孔。在穿孔的外周部分形成第二中空圆柱部分17-2。通过驱动部分(未示出),第二中空圆柱部分17-2能够在垂直方向上移动。在第二中空圆柱部分17-2内形成第二罐状部分18-2。在第二罐状部分18-2中设置第二活塞19-2。通过驱动部分(未示出),第二活塞部分19-2能够在垂直方向上移动。上部开孔、即第二中空圆柱部分17-2的第二罐状部分18-2的开口表面连接到形成在第二中间模64下表面的第二中间模采集部分84。通过第二活塞19-2,第二罐状部分18-2中被加热至熔化的密封树脂流入第二中间模采集部分84。 
第二中间模采集部分84连接到形成在第二中间模64下表面的第二中间模横浇口部分85。因此,通过第二活塞19-2流入第二中间模采集部分84的密封树脂又流入第二中间模横浇口部分85。图17中用虚线示出第二中间模采集部分84和第二中间模横浇口部分85的下表面。此外,用双点划线示出设置在第二中间模64正下方的第一中间模63中安装在布线板上的多个半导体元件12的区域。 
如图14所示,第二中间模64的第二中间模横浇口部分85连接到形成在第一中间模63中的第一中间模横浇口部分86。 
如图18所示,第一中间模横浇口部分86具有熊掌形平面构造。直浇口部分87-1至87-6设置在第一中间模横浇口部分86与型腔形成部分68相连接的部分。 
这样,经由第二中间模采集部分84连接到第二罐状部分18-2的第二中间模横浇口部分85通过第一中间模横浇口部分86与型腔形成部分68相连接。因此,从第二罐状部分18-2流入第二中间模横浇口部分85的密封树脂经由第一中间模横浇口部分86的直浇口部分87被供应到型腔形成部分69。 
同时,如图15所示,在图16至图19中的线C-C所示的位置,在下模62、下模固定部分6的部分中形成穿孔。在穿孔的外周部分形成第三中空圆柱部分17-3。通过驱动部分(未示出),第三中空圆柱部分17-3能够在垂直方向上移动。在第三中空圆柱部分17-3内形成第三罐状部分18-3。在第三罐状部分18-3中设置第三活塞19-3。通过驱动部分(未示出),第三活塞部分19-3能够在垂直方向上移动。上部开孔、即第三中空圆柱部分17-3的第三罐状部分18-3的开口表面连接到形成在第一中间模63下表面的第一中间模采集部分88。通过第三活塞19-3的移动,第三罐状部分18-3中被加热至熔化的密封树脂流入第一中间模采集部分88。 
第一中间模采集部分88连接到形成在第一中间模63下表面的第一中间模横浇口部分89。因此,通过第三活塞19-3流入第一中间模采集部分88的密封树脂又流入第一中间模横浇口部分89。图18中用虚线示出第一中间模采集部分88和第一中间模横浇口部分89的下表面。此外,用双点划线示出设置在第一中间模62正下方的下模62中安装在布线板11上的多个半导体元件12的区域。 
如图15所示,第一中间模63的第一中间模横浇口部分89连接到形成在下模62中的下模横浇口部分90。 
如图19所示,下模横浇口部分90具有熊掌形平面构造。直浇口部分91-1至91-6设置在下模横浇口部分90与型腔形成部分67相连接的部分。 
这样,经由第一中间模采集部分88连接到第三罐状部分18-3的第一中间模横浇口部分89通过下模横浇口部分90与型腔形成部分67相连接。因此,从第三罐状部分18-3流入第一中间模横浇口部分89的密封树脂经由下模横浇口部分90的直浇口部分91被供应到型腔形成部分67。 
下面参照图13至图18讨论使用树脂密封模60的树脂密封方法。 
首先,将主表面安装有多个半导体元件12的布线板11安置在固定于树脂密封设备的下模固定部分6的下模62、以及第一中间模63和第二中间模 64上。 
此外,将安置了布线板11的第一中间模63和第二中间模64堆叠在固定于上模固定部分5的上模61以及固定于下模固定部分6的下模62上。 
在此阶段,通过设置于上模固定部分5和下模固定部分6的加热机构(未示出)例如增压头和工作台,将上模16和下模62加热。 
将第一中间模63堆叠在下模62上。在本实施例以及第一实施例中,将固态密封树脂片从第三中空圆柱部分17-3的开口部分放下,设置在位于下模固定部分6中的第三活塞19-3的上表面。接着,将第二中间模64堆叠在第一中间模63上。在本实施例以及第一实施例中,将固态密封树脂片从第二中空圆柱部分17-2的开口部分放下,设置在第二活塞19-2的上表面。接着,将上模61堆叠在第二中间模64上。在本实施例以及第一实施例中,将固态密封树脂片从第一中空圆柱部分17-1的开口部分放下,设置在第一活塞19-1的上表面。 
之后,通过使固定于上模固定部分5的上模61与第二中间模64接触,进行模闭合。然后以规定的压力进行合模。此外,在同一时间通过加热机构将第一中间模63和第二中间模64加热,使得整个树脂密封模10具有均匀的温度。 
接着如图20所示,通过驱动部分(图20中未示出),将上表面设置了熔化树脂40的各个活塞19沿着垂直方向升高。图20中未示出树脂。 
结果,熔化树脂从第一中空圆柱部分17-1的上部开孔、即第一罐状部分18-1的开口表面,经由上模采集部分80、上模横浇口部分81、第二中间模横浇口部分82以及直浇口部分83,沿着水平方向供应给第二中间模64的型腔形成部分69。熔化树脂从第二中空圆柱部分17-2的上部开孔、即第二罐状部分18-2的开口表面,经由第二中间模采集部分84、第二中间模横浇口部分85、第一中间模横浇口部分86以及直浇口部分87,沿着水平方向供应给第一中间模63的型腔形成部分68。熔化树脂从第三中空圆柱部分17-3的上部开孔、即第三罐状部分18-3的开口表面,经由第一中间模采集部分88、第一中间模横浇口部分89、下模横浇口部分90以及直浇口部分91,沿着水平方向供应给下模62的型腔形成部分67。结果,安装在布线板11上的多个半导体元件12以及接合导线13被浸入位于型腔形成部分67至69中的密封 树脂中,并独立地形成。 
完成树脂密封后,打开模,将主表面设置了多个半导体元件12以及接合导线13的布线板11取出。之后的步骤与本发明第一实施例的相同。 
这样,在本发明第二实施例中,树脂经由第一中间模采集部分88、第一中间模横浇口部分89、下模横浇口部分90以及直浇口部分91所形成的树脂通道独立地供应给下模62的型腔形成部分67;经由第二中间模采集部分84、第二中间模横浇口部分85、第一中间模横浇口部分86以及直浇口部分87所形成的树脂通道独立地供应给第一中间模63的型腔形成部分68;经由上模采集部分80、上模横浇口部分81、第二中间模横浇口部分82以及直浇口部分83独立地供应给第二中间模64的型腔形成部分69。 
因此,通过区别树脂供应条件,例如树脂材料、注入条件、注入时间等等,能够对每一个型腔形成部分67至69进行树脂成型。因此容易使产量稳定。 
例如,能够使各个型腔形成部分67至69的厚度(垂直方向上的尺寸)或构造变化。通过独立地向厚度或构造不同的型腔形成部分供应树脂,能够同时地、独立地将具有不同的半导体元件12安装位置和不同密封构造的布线板11密封。因此,能够容易地以简单结构使产量稳定。 
[第三实施例] 
在本发明的第一、第二实施例中,型腔形成部分7和67形成在除了第一中间模3和63以及第二中间模4和64之外的下模2和62中。但是本发明不限于这些实例。本发明可应用于这样的实例:型腔形成部分不是形成在上模和下模中,而是仅仅形成在夹在上模与下模之间的中间模的上、下表面。 
图21为在用于本发明第三实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的示意性横截面图。图22为图21所示的中间模103的平面图。图21是沿着图20中的线X-X的横截面图。 
图21、图22中,与图1至图12中同样的部件使用相同的附图标记,并省略其说明。此外,用双点划线示出布线板11的设置有多个半导体元件12的区域。 
参照图21和图22,本发明第三实施例的树脂密封模110包括上模101、下模102、中间模103。上模101、下模102以及中间模103各自的面积基本 上相同。 
上模101固定于树脂密封设备的上模固定部分5。下模102固定于树脂密封设备的下模固定部分6。中间模103堆叠在下模102上。上模101设置在中间模103上。 
通过将设置在上模101、下模102上的销(未示出)与中间模103的孔形成部分啮合,进行中间模103与上模101、下模102之间的定位。 
凹形型腔形成部分104和105形成在中间模103的上、下表面。 
布线板11设置在型腔形成部分104和105中,使得安装在布线板11主表面的多个半导体元件12以及将半导体元件12的外侧连接端子与布线板11上的电极端子相连接的接合导线13位于型腔形成部分104和105内。中间模103的上、下表面位于与布线板11的后表面相同的位置。 
将熔化树脂注入(供应)到型腔形成部分104和105中,使得安装在布线板11上的多个半导体元件12以及接合导线13被树脂密封。 
在下模102、下模固定部分6的部分中形成穿孔。在穿孔的外周部分形成中空圆柱部分17。通过驱动部分(未示出),中空圆柱部分17能够在垂直方向上移动。在中空圆柱部分17内形成罐状部分18。在罐状部分18中设置活塞19。通过驱动部分(未示出),活塞部分19能够在垂直方向上移动。上部开孔、即第一中空圆柱部分17的罐状部分18的开口表面连接到形成在中间模103下表面的多个采集部分106。由于活塞19的运动,罐状部分18中被加热至熔化的密封树脂流入上模采集部分106。 
采集部分106连接到形成在中间模103下表面的中间模下部横浇口部分107。因此,由于活塞19的运动而流入采集部分106的密封树脂又流入中间模下部横浇口部分107。图22中用虚线表示采集部分106和中间模下部横浇口部分107的下表面。 
中间模下部横浇口部分107具有熊掌形平面构造。直浇口部分108设置在中间模下部横浇口部分107与型腔形成部分105相连接的部分。 
经由采集部分106与罐状部分18相连通的中间模下部横浇口部分107又与型腔形成部分105相连通。因此,从罐状部分18流向中间模下部横浇口部分107的密封树脂经由中间模下部横浇口部分107的直浇口部分108流入型腔形成部分105。 
在垂直方向上穿过中间模103的穿过横浇口部分109连接到采集部分106。穿过横浇口部分109与形成在中间模103上表面的中间模上部横浇口部分111相连通。因此,通过活塞19的运动流入采集部分106的密封树脂又流入中间模上部横浇口部分111。穿过横浇口部分109的横截面为:穿过横浇口部分109向中间模103的上表面逐渐变细。 
中间模上部横浇口部分111具有熊掌形平面构造。直浇口部分112-1至112-3设置在中间模上部横浇口部分111与型腔形成部分104相连接的部分。 
经由采集部分106以及穿过横浇口部分109与罐状部分18相连通的中间模上部横浇口部分111又与型腔形成部分104相连通。因此,从罐状部分18流向中间模上部横浇口部分111的密封树脂经由中间模上部横浇口部分111的直浇口部分112流入型腔形成部分104。 
下面参照图21讨论使用树脂密封模110的树脂密封方法。 
首先,将主表面安装有多个半导体元件12的布线板11安置在固定于下模固定部分6的下模2上。通过将设置在下模102上的销与形成在布线板11中的孔形成部分啮合,进行布线板11相对于下模102的定位。 
在此阶段,通过设置于上模固定部分5和下模固定部分6的加热机构(未示出)例如增压头和工作台,将上模101和下模102加热。 
在此实施例以及第一实施例中,将固态密封树脂片从中空圆柱部分17的开口部分放下,设置在位于下模固定部分6中的活塞19的上表面。 
接着,将主表面安装有多个半导体元件12的布线板11安置在中间模103的上表面。将安置了布线板11的中间模103设置在固定于上模固定部分5的上模101与固定于下模固定部分6的下模102之间。 
之后,通过使固定于上模固定部分5的上模101与中间模103接触,进行模闭合。然后以规定的压力进行合模。此外,在同一时间通过加热机构将中间模103加热,使得整个树脂密封模110具有均匀的温度。 
接着,通过驱动部分(未示出)的运动,上表面设置了熔化树脂40的活塞19在垂直方向上升高。结果,熔化树脂从中空圆柱部分17的上部开孔、即罐状部分18的开口表面,经由采集部分106和中间模下部横浇口部分107的直浇口部分108沿着水平方向供应给型腔形成部分105,并经由采集部分106、穿过横浇口部分109、以及中间模上部横浇口部分111的直浇口部分 112沿着水平方向供应给型腔形成部分112。 
结果,安装在布线板11上的多个半导体元件12以及接合导线13被浸入密封树脂104、105中,并独立地形成。 
完成树脂密封后,打开模,将主表面设置了多个半导体元件12以及接合导线13的布线板11取出。之后的步骤与本发明第一实施例的相同。 
这样,在本发明的第三实施例中,型腔形成部分不是在上模101和下模102中。型腔形成部分104、105形成在被上模101与下模102夹住的中间模103的上、下表面。经由采集部分106从罐状部分18(作为单一树脂供应源)供应的树脂经由树脂通道被供应到型腔形成部分104、105。 
因此,能够同时地将设置在中间模103的上、下表面的布线板11密封,从而能够以简单的结构提高树脂密封步骤中的生产效率。 
[第四实施例] 
如上所述,在本发明的第三实施例中,型腔形成部分不是在上模101和下模102中。型腔形成部分104、105形成在被上模101与下模102夹住的中间模103的上、下表面。经由采集部分106从罐状部分18(作为单一树脂供应源)供应的树脂经由树脂通道被供应到型腔形成部分104、105。但是,本发明不限于这些实例。本发明可应用于将熔化树脂独立地供应给形成在中间模103的上、下表面中的型腔形成部分104、105的实例。 
图23为在用于本发明第四实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的示意性横截面图。图23中,与图1至图12中同样的部分使用相同的附图标记,并省略其说明。 
参照图23,本发明这一实施例的树脂密封模160包括上模161、下模162、中间模163。上模161、下模162以及中间模163各自的面积基本上相同。 
上模161固定于树脂密封设备的上模固定部分5。下模162固定于树脂密封设备的下模固定部分6。中间模163堆叠在下模162上。上模161设置在中间模163上。 
通过将设置在上模161、下模162上的销(未示出)与中间模163的孔形成部分啮合,进行中间模163与上模161、下模162之间的定位。 
凹形型腔形成部分104和105形成在中间模163的上、下表面。 
布线板11设置在型腔形成部分104和105中,使得安装在布线板11主 表面的多个半导体元件12以及将半导体元件12的外侧连接端子与布线板上的电极端子相连接的接合导线13位于型腔形成部分104和105内。中间模163的上、下表面位于与布线板11的后表面相同的位置。 
将熔化树脂注入(供应)到凹形型腔形成部分104和105中,使得安装在布线板11上的多个半导体元件12以及接合导线13被树脂密封。 
在图23中的型腔形成部分104和105的左侧部分,在下模162、中间模163以及下模固定部分6中形成穿孔。在穿孔的外周部分形成第一中空圆柱部分17-1。通过驱动部分(未示出),第一中空圆柱部分17-1能够在垂直方向上移动。在第一中空圆柱部分17-1内形成第一罐状部分18-1。在第一罐状部分18-1中设置第一活塞19-1。通过驱动部分(未示出),第一活塞19-1能够在垂直方向上移动。上部开孔、即第一中空圆柱部分17-1的第一罐状部分18-1的开口表面连接到形成在上模161下表面的上模采集部分165。通过第一活塞19-1的运动,第一罐状部分18-1中被加热至熔化的密封树脂流入上模采集部分165。 
上模采集部分165连接到形成在上模161下表面的中间模下部横浇口部分166。因此,通过第一活塞19-1的运动流入上模采集部分165的密封树脂也流入上模横浇口部分166。上模161的上模横浇口部分166与形成在中间模163中的第一中间模横浇口部分167相连通。设置直浇口部分作为第一中间模横浇口部分167与型腔形成部分104的连接部分。 
这样,经由上模采集部分165与第一罐状部分18-1相连通的上模横浇口部分166与型腔形成部分104经由第一中间模横浇口部分167相连通。因此,从第一罐状部分18-1流向上模横浇口部分166的密封树脂经由第一中间模横浇口部分167的直浇口部分168被供应给型腔形成部分104。 
在图23中的型腔形成部分104和105的右侧部分,在下模162、下模固定部分6中形成穿孔。 
在穿孔的外周部分形成第二中空圆柱部分17-2。通过驱动部分(未示出),第二中空圆柱部分17-2能够在垂直方向上移动。在第二中空圆柱部分17-2内形成第二罐状部分18-2。在第二罐状部分18-2中设置第二活塞19-2。通过驱动部分(未示出),第二活塞部分19-2能够在垂直方向上移动。上部开孔、即第二中空圆柱部分17-2的第二罐状部分18-2的开口表面连接到形成在中 间模163下表面的中间模采集部分169。通过第二活塞19-2的运动,第二罐状部分18-2中被加热至熔化的密封树脂流入中间模采集部分169。 
中间模采集部分169连接到形成在中间模163下表面的第二中间模横浇口部分170。因此,通过第二活塞19-1的运动流入中间模采集部分169的密封树脂又流入第二中间模横浇口部分170。直浇口部分171设置在第二中间模横浇口部分170与型腔形成部分105的连接部分。 
这样,经由中间模采集部分169与第二罐状部分18-2相连通的第二中间模横浇口部分170与型腔形成部分105相连通。因此,从第二罐状部分18-2流向中间模采集部分169的密封树脂经由第二中间模横浇口部分170的直浇口部分171被供应给型腔形成部分105。 
下面讨论使用树脂密封模160的树脂密封方法。 
首先,将主表面安装有多个半导体元件12的布线板11安置在固定于下模固定部分6的下模162上。通过将设置在下模162上的销与形成在布线板11中的孔形成部分啮合,进行布线板11与下模162的定位。 
在此阶段,通过设置于上模固定部分5和下模固定部分6的加热机构(未示出)例如增压头和工作台,将上模161和下模162加热。 
将固态密封树脂片从第二中空圆柱部分17-2的开口部分放下,设置在位于下模固定部分6中的活塞19-2的上表面。 
接着,将主表面安装有多个半导体元件12的布线板11安置在中间模163的上表面。将安置有布线板11的中间模163设置在固定于上模固定部分5的上模161与固定于下模固定部分6的下模162之间。 
此外,将固态密封树脂片从第一中空圆柱部分17-1的开口部分放下,设置在位于下模固定部分6的第一活塞19-1的上表面。 
之后,通过使固定于上模固定部分5的上模161与中间模163接触,进行模闭合。然后以规定的压力进行合模。此外,在同一时间通过加热机构将中间模163加热,使得整个树脂密封模160具有均匀的温度。 
接着,通过驱动部分(未示出),将上表面设置了熔化树脂40的活塞19在垂直方向上升高。 
结果,熔化树脂从第一中空圆柱部分17-1的上部开孔、即罐状部分18-1的开口表面经由上模采集部分165、上模横浇口部分166、第一中间模横浇 口部分167以及直浇口部分168沿着水平方向供应给型腔形成部分104,并从第二中空圆柱部分17-2的上部开孔、即罐状部分18-2的开口表面经由中间模采集部分169、中间模横浇口部分170以及直浇口部分171沿着水平方向供应给型腔形成部分105。 
结果,安装在布线板11上的多个半导体元件12以及接合导线13被浸入密封树脂104、105中,并独立地形成。 
完成树脂密封后,打开模,将主表面设置了多个半导体元件12以及接合导线13的布线板11取出。之后的步骤与本发明第一实施例的相同。 
这样,在本发明的第四实施例中,型腔形成部分不是在上模161和下模162中。型腔形成部分164、165形成在被上模161与下模162夹住的中间模163的上、下表面。树脂经由独立的树脂通道被独立地供应到型腔形成部分104、105。 
因此,能够同时地将设置在中间模163的上、下表面的布线板11密封,从而能够以简单的结构提高树脂密封步骤中的生产效率。 
此外,在本实施例中,由于密封树脂是独立地供应到型腔形成部分104、105,所以通过区别树脂供应条件例如树脂材料、注入条件、注入时间等等,能够对每一个型腔形成部分104、105进行树脂成型。因此容易使产量稳定。 
例如,能够使各个型腔形成部分104、105的厚度(垂直方向上的尺寸)或构造变化。通过独立地向厚度或构造不同的型腔形成部分104、105供应树脂,能够同时地、独立地将具有不同的半导体元件12安装位置和不同密封构造的布线板11密封。因此,能够容易地以简单结构使产量稳定。 
[第五实施例] 
在上述实施例中,布线板只有安装了半导体元件的单个表面被熔化树脂密封。但是,本发明不限于此实例。本发明可应用于作为薄片构件的引线框架安装了半导体元件的两个表面都被熔化树脂密封的实例。 
图24为用于本发明第五实施例的安装有半导体部件的引线框架的平面图。 
参照图24,用于本发明第五实施例的引线框架200例如由铜合金、铁镍合金等等制成。通过蚀刻或用模子冲压,在引线框架200中形成晶片焊盘(晶片台)201、内引线部分202、外引线部分203。形成在内引线部分202外侧的 外引线部分203充当外侧连接端子并连接到内引线部分202。此外,晶片焊盘(晶片台)201由连接到周围框架部分204的晶片焊盘支撑部分205支撑。半导体元件12经由粘合剂206粘附并固定在晶片焊盘(晶片台)上。 
在本发明第五实施例中,将安装有半导体元件12的引线框架200排列在树脂密封模中。 
图25为在用于本发明第五实施例的电子部件的树脂密封方法的树脂密封设备中设置的树脂密封模的示意性横截面图。图25是沿着图26至图29中的线X-X的横截面图。 
参照图25,本发明这一实施例的树脂密封模250包括上模251、下模252、第一中间模253和第二中间模254。上模251、下模252、第一中间模253以及第二中间模254各自的面积基本上相同。 
上模251固定在树脂密封设备的上模固定部分5。下模252固定在树脂密封设备的下模固定部分6。第一中间模253堆叠在下模252上。第二中间模254堆叠在第一中间模253上。上模251设置在第二中间模254上。 
通过将设置在上模251、下模252上的销(未示出)与第一中间模253、第二中间模254的孔形成部分啮合,进行第一中间模253、第二中间模254与上模251、下模252之间的定位。 
在第一中间模253、第二中间模254以及下模252的中心形成穿孔。在穿孔的外周部分形成第一中空圆柱部分17。通过驱动部分(未示出),第一中空圆柱部分17能够在垂直方向上移动。在第一中空圆柱部分17的左、右侧,在下模252的上表面和第一中间模253的下表面形成型腔形成部分260,在第二中间模254的下表面和第一中间模253的上表面形成型腔形成部分261,在第二中间模254的上表面和上模251的下表面形成型腔形成部分262。 
引线框架200设置在下模252、第一中间模253以及第二中间模254的上表面,使得安装在作为薄片构件的引线框架200的晶片焊盘(晶片台)201上的半导体元件、内引线部分202、以及将半导体元件12与内引线部分202相连接的接合导线位于型腔形成部分260-262内。为了观看的方便,图25中省略了位于最上左侧部分的型腔形成部分262的附图标记。 
将熔化树脂注入(供应)到型腔形成部分260-262中,使得安装在引线框架的晶片焊盘(晶片台)201上的多个半导体元件12、内引线部分202、以及 将半导体元件12与内引线部分202相连接的接合导线13被树脂密封。 
在中空圆柱部分17内形成罐状部分18。在罐状部分18中设置活塞19。通过驱动部分(未示出),活塞部分19能够在垂直方向上移动。上部开孔、即中空圆柱部分17的罐状部分18的开口表面连接到形成在上模251下表面的上模采集部分265。由于活塞19的运动,罐状部分18中被加热至熔化的密封树脂流入上模采集部分265。 
下面结合图25参照图26。图26为图25所示上模251的平面图。图26中用双点划线示出第二中间模254上设置了引线框架200的区域。 
参照图25和图26,形成在上模251下表面的采集部分265连接到形成在上模251下表面、采集部分265左右两侧的上模横浇口部分266。因此,从活塞19流向采集部分265的密封树脂流入上模横浇口部分266。 
图26中用虚线示出采集部分265下表面的型腔形成部分262、上模横浇口部分266的下表面、以及设置在上模251正下方的第二中间模254的区域。 
下面结合图25参照图27。图27为图25所示第二中间模254的平面图。图27中,设置第二中间模254上的引线框架200上的区域如双点划线所示。 
参照图25和图27,上模251的上模横浇口部分266与形成在第二中间模254中的第二中间模横浇口部分267相连通。设置直浇口部分268作为第二中间模横浇口部分267与型腔形成部分262的连接部分。 
在第二中间模横浇口部分267处设置第二中间模穿过横浇口部分269,以穿过第二中间模254。 
第二中间模穿过横浇口部分269的横截面为:第二中间模穿过横浇口部分269向第二中间模254的下表面逐渐变细。第二中间模横浇口部分267的直浇口部分268向上倾斜。 
这样,经由采集部分265与罐状部分18相连通的上模横浇口部分266经由第二中间模横浇口部分267与型腔形成部分262相连通。因此,从罐状部分18流向左、右上模横浇口部分266的密封树脂经由第二中间模横浇口部分267的直浇口部分268被供应给左、右型腔形成部分262,并被供应给第二中间模穿过横浇口部分269。 
下面结合图25参照图28。图28为图25所示第一中间模253的平面图。图28中,设置第一中间模253上的引线框架200上的区域如双点划线所示。 
参照图25和图28,第二中间模254的第二中间模穿过横浇口部分269与形成在第一中间模253中的第一中间模横浇口部分270相连通。直浇口部分271设置在第一中间模横浇口部分270与型腔形成部分261相连接的部分。 
此外,第一中间模穿过横浇口部分272连接到第一中间模横浇口部分270,以穿过第一中间模253。 
第一中间模穿过横浇口部分272的横截面为:第一中间模穿过横浇口部分272向第一中间模253的下表面逐渐变细。第一中间模横浇口部分270的直浇口部分271向上倾斜。 
这样,经由采集部分265与罐状部分18相连通的上模横浇口部分266,经由第二中间模254的第二中间模穿过横浇口部分269以及第一中间模横浇口部分270,与型腔形成部分261相连通。 
因此,从罐状部分18流向左、右上模横浇口部分266的密封树脂经由第二中间模254的第二中间模穿过横浇口部分269、第一中间模横浇口部分270、以及直浇口部分217沿着水平方向供应给左、右型腔形成部分261,并流入第一中间模穿过横浇口部分272。 
下面结合图25参照图29。图29为图25所示下模252的平面图。图29中,设置在下模252上的引线框架200上的区域用双点划线所示。 
参照图25和图29,第一中间模穿过横浇口部分272与形成在下模252中的下模横浇口部分273相连通。直浇口部分274设置在下模横浇口部分273与型腔形成部分274相连接的部分。 
下模横浇口部分273的直浇口部分274向上倾斜。 
这样,经由采集部分265、上模横浇口部分266、第二中间模穿过横浇口部分269与罐状部分18相连通的第一中间模横浇口部分270经由第一中间模穿过横浇口部分272和下模横浇口部分273与型腔形成部分260相连通。 
因此,从第一中间模253的第一中间模横浇口部分272流入的密封树脂经由下模横浇口部分273的直浇口部分274沿着水平方向被供应到型腔形成部分260。 
同时,如图25所示,在上模251中设置两个弹出销300以能够从型腔形成部分262的上表面突出,在第二中间模254中设置弹出销300以能够从型腔形成部分262的下表面以及从型腔形成部分261的上表面突出,在第一中间模253中设置弹出销300以能够从型腔形成部分261的下表面以及从型腔形成部分260的上表面突出,在下模252中设置弹出销300以能够从型腔形成部分260的下表面突出。
完成树脂密封后,通过弹出机构将引线框架200从树脂密封模250中取出。 
参照图30讨论使用弹出销300的弹出机构的结构。图30为说明使用弹出销300的弹出机构的结构的示意图。图30是型腔形成部分260至262及其附近的放大示意图。 
参照图30,本实施例的弹出机构包括两个弹出销300和两个用于推送的柱状部分301。 
弹出销300和柱状部分301由板形弹出销支撑部分302支撑,并固定在弹出销支撑部分302上。在模内,弹出销支撑部分302由三个压缩弹簧303弹性地支撑。在上模251、第二中间模254、第一中间模253、下模252互不接触、相互分离的状态下,弹出销300从型腔形成部分260至262突出,柱状部分301从上模251、第二中间模254、第一中间模253以及下模252将要相互接触的表面突出,如图30所示。 
下面参照图26以及图31至图34讨论使用树脂密封模250的树脂密封方法以及使用弹出销300的弹出机构的操作。这里,图31至图34为说明使用图25所示的树脂密封模250的树脂密封方法的第一至第四示意图。 
参照图25,将安装了半导体元件12的引线框架200设置在下模252、第一中间模253、第二中间模254的上表面。安装在引线框架200上的半导体元件12以及接合导线13位于型腔形成部分260至262内。 
此外,安置了引线框架200的第一中间模253和第二中间模254设置在固定于上模固定部分5的上模251与固定于下模固定部分6的下模252之间。 
更具体而言,第一中间模253堆叠在下模252上。第二中间模254堆叠在第一中间模253上。通过将设置在上模251、下模252上的销(未示出)与第一中间模253、第二中间模254的孔形成部分啮合,进行第一中间模253、第二中间模254与上模251、下模252之间的定位。 
在此阶段,通过设置于上模固定部分5和下模固定部分6的加热机构(未示出)例如增压头和工作台,将上模251和下模252加热。 
此外,在此阶段,能够在下模252、第一中间模253以及第二中间模254中沿着垂直方向运动的中空圆柱部分17的上表面位于与下模252的上表面相同的位置。 
接着,在第一中间模253堆叠在下模252上、第二中间模254堆叠在第一中间模253上的状态下,通过驱动部分(未示出)将中空圆柱部分17在垂直方向上升高,直到中空圆柱部分17的上表面位于与第二中间模254的上表面相同的位置。结果,下模252、第一中间模253以及第二中间模254中的多个罐状部分18相连通。 
在此状态下,将固态密封树脂片从中空圆柱部分17的开口部分放下,设置在位于下模固定部分6的活塞19的上表面。 
通过使固定于上模固定部分5的上模251与第二中间模254接触,进行模闭合。然后以规定的压力进行合模。 
合模之后,如图31所示,通过模251至254推动柱状部分301,使得支撑并固定弹出销300和柱状部分301的弹出销支撑部分302受压,并且弹出销300全体被操作。结果,压缩弹簧303被压缩,弹出销300沿着与型腔形成部分260至262相反的方向,也就是在设置弹出销300的模251至254的内部移动。 
通过加热机构(未示出)以规定的温度加热第一中间模253和第二中间模254,使整个树脂密封模250的温度均匀。因此,供应在活塞19上表面的固态密封树脂片40被熔化。通过以规定的温度加热第一中间模253和第二中间模254,能够使熔化树脂流入型腔形成部分260至262中时的流动性稳定。此外,能够减少连续进行整个密封操作时的周期时间。 
接着,通过驱动部分(未示出),将上表面设置有熔化树脂40的活塞19在垂直方向上升高。 
结果,熔化树脂从中空圆柱部分1的上部开孔、即罐状部分18的开口表面,经由形成在上模251下表面的采集部分265以及与采集部分265相连通的上模横浇口部分266被供应给第二中间模横浇口部分267。此外,熔化树脂经由第二中间模横浇口部分267的直浇口部分268沿着水平方向被供应给型腔形成部分262,并流入第二中间模穿过横浇口部分269。此外,熔化树脂经由与第二中间模穿过横浇口部分269相连通的第一中间模横浇口部分 270的直浇口部分271沿着水平方向被供应给型腔形成部分261,并流入第一中间模穿过横浇口部分272。此外,熔化树脂经由与第一中间模穿过横浇口部分272相连通的下模横浇口部分273的直浇口部分274沿着水平方向被供应给型腔形成部分260。 
结果,如图32所示,安装在引线框架200的晶片焊盘(晶片台)201上的半导体元件12、内引线部分202、以及将半导体元件12与内引线部分202相连接的接合导线被浸入型腔形成部分260-262中的密封树脂40E内。这样,在引线框架200的两个表面都设置了树脂。 
完成树脂密封后,如图33所示,进行开模,将设置有多个半导体元件12和接合导线13的主表面以及后表面被密封的引线框架200从树脂密封模250中取出。 
此时,不仅型腔形成部分260-262中的密封树脂40E,而且填充在采集部分265、上模横浇口部分266、第二中间模横浇口部分267、直浇口部分268、第二中间模穿过横浇口部分269、第一中间模穿过横浇口部分272、第一中间模横浇口270、直浇口部分271、下模横浇口273以及直浇口部分274中的密封树脂40F都被固化。 
在此步骤中,通过驱动部分(未示出),将上表面位于与第二中间模254的上表面相同位置的中空圆柱部分17在垂直方向上降低。此外,通过驱动部分(未示出),将活塞19在垂直方向上降低。 
接着,进行开模,将上模251、第一中间模253、第二中间模254以及下模252松开。更具体而言,将第一中间模253和第二中间模254从树脂密封模250中松开。 
结果,上模251的下表面与第二中间模254的上表面之间的接触、第二中间模254的下表面与第一中间模253的上表面之间的接触、第一中间模253的下表面与下模252的上表面之间的接触被解除。通过压缩弹簧300的弹力,位于模251至254内的柱状部分301从模251至254的表面突出,使得弹出销支撑部分302和弹出销300全体被操作,并从型腔形成部分260至262中突出。结果,能够将具有半导体元件12和接合导线13的表面和相对的表面被树脂密封的引线框架200从模250中取出。实际上通常对引线框架200应用电镀工艺。因此,能够容易地将填充在第二中间模267、直浇口部分268、 第一中间模横浇口部分270、直浇口部分271、下模横浇口273以及直浇口部分274中的密封树脂40F取出。 
在具有半导体元件12和接合导线13的表面和相对的表面的引线框架200被树脂全体密封后,将外引线部分203切断并弯曲,结果,形成具有下述结构的半导体器件400(参见图34)。也就是说,设置在晶片焊盘(晶片台)上的半导体元件12通过接合导线13与内引线部分202相连接。内引线部分202、半导体元件12以及接合导线13被密封树脂40E密封。外引线部分203从内引线部分202延伸到密封树脂40E外。 
这样,在本发明的第五实施例中,将引线框架200的设置有半导体元件12和接合导线13的表面以及相对的表面设置在型腔形成部分260至262中。熔化树脂经由采集部分265、上模横浇口部分266、第二中间模254、直浇口部分268、第二中间模穿过横浇口部分269、第一中间模穿过横浇口部分272、第一中间模横浇口270、直浇口部分271、下模横浇口部分273以及直浇口部分274形成的树脂通道,从罐状部分18(作为单一树脂供应源)供应到型腔形成部分260至262中。 
引线框架200设置在第二中间模254、第一中间模253以及下模252上。引线框架200的设置有半导体元件12和接合导线13的部分以及相对的部分同时被密封。 
因此,能够以简单的结构提高树脂密封步骤中的制造效率,不需要将上模251和下模252的尺寸加大,也就是不需要增加制造成本。 
此外,在本实施例以及本发明的第二实施例中,熔化树脂可独立地供应到各个堆叠模中。 
虽然为了完整、清楚地公开而对于具体实施例描述了本发明,但是所附权利要求书并不因此受限,而是应解释为具体实施本领域技术人员可想到的、完全落入在此提出的基本教义的所有变型和改型。 
例如,在本发明的上述各个实施例中,型腔形成部分的部件和模的横浇口部分可由烧结硬质合金制成,模的其它部分可由碳工具钢(SKS93、SK4、SK5等等)、马氏体不锈钢(SUS440C)等材料制成。 
本专利申请基于2007年3月19日提出的日本在先专利申请No.2007-71619,这里通过参考将该申请的全部内容合并于此。 

Claims (7)

1.一种树脂密封方法,包括步骤:
在上模与下模之间设置一个中间模,所述中间模具有在所述中间模的一个主表面上容置有树脂密封部分的第一型腔形成部分,和在另一个主表面上容置有另外的树脂密封部分的第二型腔形成部分;以及
通过将密封树脂经由横浇口从树脂供应源独立地供应给所述第一和第二型腔形成部分,将密封树脂引入位于所述中间模的一个主表面中的第一型腔形成部分以及位于所述中间模的另一主表面中的第二型腔形成部分,所述横浇口设置在所述中间模的所述型腔形成部分与所述树脂供应源之间。
2.如权利要求1所述的树脂密封方法,其中
在所述下模朝向所述中间模的表面中设置型腔形成部分;以及
将所述树脂密封部分容置在所述下模的所述型腔形成部分中。
3.如权利要求1所述的树脂密封方法,其中
在合模时以规定温度加热所述中间模。
4.一种树脂密封方法,包括步骤:
在上模与下模之间设置多个中间模,所述中间模具有在所述中间模的一个主表面上容置有树脂密封部分的第一型腔形成部分,和在另一个主表面上容置有另外的树脂密封部分的第二型腔形成部分;以及
通过将密封树脂经由横浇口从树脂供应源独立地供应给所述第一和第二型腔形成部分,将密封树脂引入位于所述中间模的一个主表面中的第一型腔形成部分以及位于所述中间模的另一主表面中的第二型腔形成部分,所述横浇口设置在堆叠的中间模的所述型腔形成部分与所述树脂供应源之间。
5.一种树脂密封模,包括:
上模;
下模;以及
多个中间模,设置在所述上模与所述下模之间;
其中所述中间模包括:
多个型腔形成部分,包括形成在所述中间模的一个主表面中的第一型腔形成部分和另一个主表面中的第二型腔形成部分,并构造为容置树脂密封部分;以及
横浇口,设置在所述型腔形成部分与树脂供应源之间,该横浇口用于将密封树脂从树脂供应源独立地供应给所述第一和第二型腔形成部分,从而将密封树脂引入位于所述中间模的一个主表面中的第一型腔形成部分以及位于所述中间模的另一主表面中的第二型腔形成部分。
6.一种树脂密封设备,包括:
上模;
下模;以及
多个中间模,设置在所述上模与所述下模之间;
其中所述中间模包括:
多个型腔形成部分,包括形成在所述中间模的一个主表面中的第一型腔形成部分和另一个主表面中的第二型腔形成部分,并构造为容置树脂密封部分;以及
横浇口,设置在所述型腔形成部分与树脂供应源之间,该横浇口用于将密封树脂从树脂供应源独立地供应给所述第一和第二型腔形成部分,从而将密封树脂引入位于所述中间模的一个主表面中的第一型腔形成部分以及位于所述中间模的另一主表面中的第二型腔形成部分。
7.如权利要求6所述的树脂密封设备,还包括:
加热部分,构造为在合模时以规定温度加热所述中间模。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101577236B (zh) * 2009-06-08 2011-01-12 美新半导体(无锡)有限公司 基板倒装式的电子器件环氧树脂灌封模具及其灌封方法
CN101692558B (zh) * 2009-09-30 2011-06-01 国营汉光机械厂 穿孔活动线束气密工艺
JP5759181B2 (ja) * 2011-01-12 2015-08-05 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形装置
KR20120100080A (ko) * 2011-03-03 2012-09-12 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 성형 장치
JP5468574B2 (ja) * 2011-06-29 2014-04-09 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP5387646B2 (ja) * 2011-10-07 2014-01-15 第一精工株式会社 樹脂封止装置
JP6058431B2 (ja) * 2013-03-08 2017-01-11 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置、および樹脂モールド方法
JP6169390B2 (ja) * 2013-03-29 2017-07-26 Nok株式会社 液状エラストマーの成形方法
GB2513012B (en) * 2014-03-26 2015-03-11 Dp Seals Ltd Mould tooling
US9484228B2 (en) * 2014-10-01 2016-11-01 Apple Inc. Simultaneous independently controlled dual side PCB molding technique
CN108453970A (zh) * 2018-03-27 2018-08-28 成都时代立夫科技有限公司 一种化学机械抛光垫的制造方法及其产品和模具
JP7149238B2 (ja) * 2019-08-09 2022-10-06 Towa株式会社 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
TWI726790B (zh) * 2020-03-26 2021-05-01 神盾股份有限公司 模組化模具及使用其製作指紋感測模組的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6840751B2 (en) * 2002-08-22 2005-01-11 Texas Instruments Incorporated Vertical mold die press machine

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1515319A (en) * 1920-12-30 1924-11-11 Valley Mould & Iron Corp Ingot mold and method of casting
US2698460A (en) * 1951-10-01 1955-01-04 M And W Company Inc Method and apparatus for producing injection molded products
US2992455A (en) * 1958-11-14 1961-07-18 Allied Record Mfg Company Automatic stockmold and curing press
US3663145A (en) * 1968-12-26 1972-05-16 Shoichi Teraoka Synthetic resin injection molding apparatus
US3647338A (en) * 1969-09-15 1972-03-07 Nippon Columbia Disc record injection molding machine
US3659997A (en) * 1970-03-04 1972-05-02 Husky Mfg Tool Works Ltd Injection-molding machine with transverse feed
GB1525707A (en) * 1975-02-22 1978-09-20 Booth & Co Ltd W H Casting metals
DE2834211C2 (de) * 1978-08-04 1982-08-05 Klöckner-Werke AG, 4100 Duisburg Formvorrichtung zum Herstellen von Formlingen aus wenigstens zwei miteinander verbundenen Teilformlingen aus formbarem Material, insbesondere Gummi
US4539171A (en) * 1982-07-15 1985-09-03 Primtec Displaced snorkel sandwich molding
US5110531A (en) * 1982-12-27 1992-05-05 Sri International Process and apparatus for casting multiple silicon wafer articles
DE3308184A1 (de) * 1983-03-10 1984-09-13 Sintokogio, Ltd., Nagoya, Aichi Formkastenapparat
JPS61185424A (ja) * 1985-02-06 1986-08-19 Toshiba Mach Co Ltd 射出成形方法および装置
JPS62150834A (ja) * 1985-12-25 1987-07-04 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体装置樹脂成形方法および樹脂成形装置
JPH0350841A (ja) * 1989-07-19 1991-03-05 Toshiba Corp 半導体樹脂封止用金型装置
US5030406A (en) * 1989-08-14 1991-07-09 Sorensen Jens Ole Sequentially injected multi-component shuttle-stack-molding
US5169655A (en) * 1990-06-04 1992-12-08 Von Holdt Sr John W Multiple cavity injection mold
KR950012857B1 (ko) * 1992-09-29 1995-10-23 삼성전자주식회사 1-포트(pot)형 반도체 플래스틱 몰딩(plastic molding) 장치
JPH0878451A (ja) * 1994-09-05 1996-03-22 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
DE19520931A1 (de) * 1995-06-08 1996-12-12 Polygram Manufacturing & Distr Zweietagen-Spritzgießmaschine
JP2997875B2 (ja) * 1996-11-19 2000-01-11 博敏 西田 樹脂封止成形品の射出成形方法
US6086808A (en) * 1997-08-19 2000-07-11 Universal Ventures Repositioning of articles between different positions within an intermittently accessible space
JP3795670B2 (ja) 1998-05-25 2006-07-12 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法
KR20000005517U (ko) * 1998-08-31 2000-03-25 전주범 다중 사출성형기
EP1738890B1 (en) * 1999-05-17 2010-01-20 Jes Tougaard Gram Mould with turnable middle section
DE10110611C2 (de) * 2001-03-06 2003-11-27 Lehmann Gmbh & Co Kg Vorrichtung zum Spritzgießen von Formkörpern aus Kunststoff
KR20050091566A (ko) * 2004-03-12 2005-09-15 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 양면 몰드

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6840751B2 (en) * 2002-08-22 2005-01-11 Texas Instruments Incorporated Vertical mold die press machine

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