CN101226892B - 测量装置及激光加工机 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种保持在卡盘工作台上的被加工物的测量装置及激光加工机。测量装置能可靠地测量被加工物的高度，并具有：白色光源；对白色光进行会聚的色差透镜；分束器，配设在白色光源和色差透镜之间，对照射到被加工物上的白色光的反射光进行分光；第一聚光透镜，对经分光的反射光进行会聚；掩模，其配设在第一聚光透镜的聚光点位置并具有针孔；第二聚光透镜，对通过了掩模的针孔的反射光进行会聚；衍射光栅，将通过第二聚光透镜而会聚的反射光转换为衍射光；第三聚光透镜，对通过衍射光栅而衍射的衍射光进行会聚；波长检测构件，检测通过第三聚光透镜会聚的衍射光的波长；以及控制构件，根据来自波长检测构件的波长信号求出被加工物的高度位置。

Description

测量装置及激光加工机
技术领域
本发明涉及测量保持在卡盘工作台上的半导体晶片等被加工物的上表面高度或厚度的测量装置及激光加工机，所述卡盘工作台装备在激光加工机等加工机上。 
背景技术
在半导体器件制造工序中，在大致为圆板形状的半导体晶片的表面上，通过呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分有多个区域，在该划分出的区域上形成IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(largescale integration：大规模集成电路)等器件。而且，通过将半导体晶片沿间隔道切断来分割形成有器件的区域，从而制造出一个个半导体芯片。 
此外，作为沿上述半导体晶片或光学器件等的间隔道进行分割的方法，还在尝试这样的激光加工方法：使用相对晶片具有透射性的脉冲激光光线，使聚光点对准在应分割区域的内部地照射脉冲激光光线。使用了该激光加工方法的分割方法是，从晶片的一个面侧以聚光点对准在内部的方式照射相对于晶片具有透射性的例如波长为1064nm的脉冲激光光线，在晶片的内部沿间隔道连续地形成变质层，沿着因该变质层的形成而导致强度降低了的间隔道施加外力，由此来对被加工物进行分割。(例如，参照专利文献1) 
专利文献1：日本专利第3408805号公报 
此外，作为将半导体晶片等板状被加工物分割的方法，提出有这样的方法：通过沿在被加工物上形成的间隔道照射脉冲激光光线来形成激光加工槽，并沿该激光加工槽利用机械断裂装置来进行割断(例如，参照专利文献2)。 
专利文献2：日本特开平10-305420号公报 
即使在这样沿着在被加工物上形成的间隔道来形成激光加工槽的情况下，将激光光线的聚光点定位在被加工物的预定高度位置处也是很重要的。 
此外，作为在半导体晶片表面上的形成有被称为焊盘的电极的位置处形成从背面到达焊盘的孔(通孔)的加工方法，尝试了从半导体晶片的背面照射脉冲激光光线的方法。然而，当半导体晶片的厚度存在波动时，不能正确地形成到达焊盘的孔(通孔)。因此，必须要正确地把握半导体晶片中的焊盘部的厚度。 
然而，由于半导体晶片等板状的被加工物中存在起伏，其厚度存在波动，所以难以实施均匀的激光加工。即，当在晶片的内部沿间隔道形成变质层的情况下，如果晶片的厚度存在波动，则在照射激光光线时无法利用折射率的关系在预定的深度位置处均匀地形成变质层。此外，即使在沿着形成于晶片上的间隔道来形成激光加工槽的情况下，若其厚度具有波动，也不能形成深度均匀的激光加工槽。再有，当在晶片上形成到达焊盘的孔(通孔)的情况下，如果晶片的厚度存在波动，则不能正确地形成到达焊盘的孔(通孔)。 
发明内容
本发明鉴于上述问题而完成，其主要技术课题是提供能可靠测量保持在卡盘工作台上的半导体晶片等被加工物的上表面高度或厚度的测量装置、以及装备了测量装置的激光加工机。 
为了解决上述主要技术课题，根据本发明，提供一种保持在卡盘工作台上的被加工物的测量装置，其是测量保持在卡盘工作台上的被加工物的高度的测量装置，所述卡盘工作台装备在加工机上，用于保持被加工物，其特征在于， 
所述保持在卡盘工作台上的被加工物的测量装置具有： 
白色光源，其发出白色光； 
色差透镜，其对所述白色光源发出的白色光进行会聚，并将其照射向保持在卡盘工作台上的被加工物； 
分束器，其配设在所述白色光源和所述色差透镜之间，对照射到被加工物上的白色光的反射光进行分光； 
第一聚光透镜，其对经所述分束器分光的反射光进行会聚； 
掩模，其配设在所述第一聚光透镜的聚光点位置上，并且具有使通过所述第一聚光透镜而会聚的反射光通过的针孔； 
第二聚光透镜，其对通过了所述掩模的针孔的反射光进行会聚； 
衍射光栅，其将通过所述第二聚光透镜而会聚的反射光转换为衍射光； 
第三聚光透镜，其对通过所述衍射光栅而衍射的衍射光进行会聚； 
波长检测构件，其检测通过所述第三聚光透镜而会聚的衍射光的波长；以及 
控制构件，其根据来自所述波长检测构件的波长信号，来求出保持在卡盘工作台上的被加工物的高度位置， 
所述控制构件具有存储控制图的存储器，该控制图设定了通过所述色差透镜而会聚的白色光的波长与焦距之间的关系，所述控制构件将来自所述波长检测构件的波长信号与所述控制图对照，求出距所述色差透镜的焦距，从而测量保持在卡盘工作台上的被加工物的高度位置。 
所述保持在卡盘工作台上的被加工物的测量装置具有：X轴移动构件，其使所述色差透镜和所述卡盘工作台在X轴方向上相对移动；Y轴移动构件，其使所述色差透镜和所述卡盘工作台在与X轴方向正交的Y轴方向上相对移动；所述卡盘工作台的X轴方向位置检测构件；以及所述卡盘工作台的Y轴方向位置检测构件， 
所述控制构件根据来自所述波长检测构件和所述X轴方向位置检测构件以及所述Y轴方向位置检测构件的检测信号，来求出被加工物在预定位置处的高度位置，所述控制构件具有存储所述被加工物在预定位置处的高度位置的存储器。 
此外，根据本发明，提供了一种激光加工机，其具有：卡盘工作台，其具有保持被加工物的保持面；加工用激光光线照射构件，其向保持在所述卡盘工作台上的被加工物照射加工用的激光光线；以及聚光点位置 调整构件，其使所述加工用激光光线照射构件在与卡盘工作台的所述保持面垂直的方向上移动，其特征在于， 
所述激光加工机配设有上述测量装置，该测量装置测量保持在所述卡盘工作台上的被加工物的高度位置。 
在本发明中，利用通过了色差透镜的白色光根据波长而具有不同的焦距这一情况，通过利用其反射光确定波长来求出焦距，所以可正确地测量保持在卡盘工作台上的被加工物的高度位置。 
附图说明
图1是根据本发明而构成的激光加工机的立体图。 
图2是装备在图1所示的激光加工机上的加工用激光光线照射单元的方框结构图。 
图3是装备在图1所示的激光加工机上的测量用光线照射单元的方框结构图。 
图4是表示控制图的图，该控制图存储于在图1所示的激光加工机上装备的控制构件的存储器中，该控制图设定了通过色差透镜而会聚的白色光的波长与焦距之间的关系。 
图5是作为由图1所示的激光加工机加工的被加工物的半导体晶片的立体图。 
图6是表示图5所示的半导体晶片与保持在图1所示激光加工机的卡盘工作台的预定位置处的状态下的坐标位置之间关系的说明图。 
图7是通过保持在卡盘工作台上的被加工物的测量装置实施的高度位置检测工序的说明图，其中，所述卡盘工作台上装备在图1所示的激光加工机上。 
图8是利用图1所示的激光加工机在图5所示的半导体晶片上形成变质层的加工工序的说明图。 
图9是表示被加工物的厚度较厚的情况下的加工工序的说明图。 
图10是利用保持在卡盘工作台上的被加工物的测量装置来测量被加工物的厚度的说明图，其中，所述卡盘工作台上装备在图1所示的激 光加工机上。 
标号说明： 
2：静止基座；3：卡盘工作台机构；31：导轨；36：卡盘工作台；37：加工进给构件；374：加工进给量检测构件；38：第一分度进给构件；4：激光光线照射单元支撑机构；41：导轨；42：可动支撑基座；43：第二分度进给构件；433：分度进给量检测构件；44：单元保持器；5：加工用激光光线照射单元；51：单元保持器；52：脉冲激光光线振荡构件；53：输出调整构件；54：聚光器；6：测量用光线照射单元；61：白色光源；62：色差透镜；63：分束器；64：第一聚光透镜；65：掩模；651：针孔；66：第二聚光透镜；67：衍射光栅；68：第三聚光透镜；69：波长检测构件；7：摄像构件；8：控制构件；10：半导体晶片。 
具体实施方式
下面参照附图来对根据本发明而构成的保持在卡盘工作台上的被加工物的测量装置及激光加工机的优选实施方式进行详细说明。 
在图1中示出了根据本发明而构成的装备了对保持在卡盘工作台上的被加工物的高度进行测量的测量装置的激光加工机的立体图。图1所示的激光加工机具有：静止基座2；卡盘工作台机构3，其以能够沿箭头X表示的加工进给方向(X轴方向)移动的方式配设在该静止基座2上，用于保持被加工物；激光光线照射单元支撑机构4，其以能够沿与上述箭头X表示的加工进给方向(X轴方向)成直角的、用箭头Y表示的分度进给方向(Y轴方向)移动的方式配设在静止基座2上；加工用激光光线照射单元5，其以能够沿用箭头Z表示的方向(Z轴方向)移动的方式配设在该激光光线照射单元支撑机构4上；以及测量用光线照射单元6，其构成对保持在卡盘工作台上的被加工物的高度进行测量的测量装置。该加工用激光光线照射单元5和测量用光线照射单元6安装在共用的单元保持器44上。 
上述卡盘工作台机构3具有：在静止基座2上沿箭头X所示的加工进给方向平行地配设的一对导轨31、31；以能够沿箭头X所示的加工进 给方向(X轴方向)移动的方式配设在该导轨31、31上的第一滑块32；以能够沿箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)移动的方式配设在该第一滑块32上的第二滑块33；通过圆筒部件34支撑在该第二滑块33上的覆盖工作台(cover table)35；和作为被加工物保持构件的卡盘工作台36。该卡盘工作台36具有由多孔性材料形成的吸附卡盘361，在吸附卡盘361上(保持面)通过未图示的抽吸构件来保持作为被加工物的半导体晶片。如此构成的卡盘工作台36通过在圆筒部件34内配设的未图示的脉冲电动机旋转。再有，在卡盘工作台36上配设有用于固定后述的环状框架的夹紧器362。 
上述第一滑块32在其下表面设有与上述一对导轨31、31配合的一对被导引槽321、321，并且在其上表面设有沿箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)平行地形成的一对导轨322、322。对于这样构成的第一滑块32，通过被导引槽321、321与一对导轨31、31的配合，而构成为可沿一对导轨31、31在箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)上移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构3具有加工进给构件37(X轴移动构件)，该加工进给构件37用于使第一滑块32沿一对导轨31、31在箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)上移动。加工进给构件37包括：平行地配设在上述一对导轨31和31之间的外螺纹杆371；和用于旋转驱动该外螺纹杆371的脉冲电动机372等驱动源。外螺纹杆371的一端可自由旋转地由固定在上述静止基座2上的轴承座373支撑，外螺纹杆371的另一端传动连接在上述脉冲电动机372的输出轴上。再有，外螺纹杆371螺合在内螺纹穿通孔中，该内螺纹穿通孔形成在突出设置于第一滑块32的中央部下表面的未图示的内螺纹块上。因此，通过用脉冲电动机372驱动外螺纹杆371正转和反转，第一滑块32沿导轨31、31在箭头X所示的加工进给方向(X轴方向)上移动。 
图示实施方式中的激光加工机具有用于检测上述卡盘工作台36的加工进给量的加工进给量检测构件374。加工进给量检测构件374由以下部件构成：沿导轨31配设的线性标度尺374a；和配设在第一滑块32上、并且与第一滑块32一同沿线性标度尺374a移动的读取头374b。该进给 量检测构件374的读取头374b在图示的实施方式中，每1μm将1脉冲的脉冲信号发送给后述的控制构件。而且，后述的控制构件通过对所输入的脉冲信号进行计数，来检测卡盘工作台36的加工进给量。因此，加工进给量检测构件374作为对卡盘工作台36的X轴方向位置进行检测的X轴方向位置检测构件发挥作用。再有，在使用脉冲电动机372来作为上述加工进给构件37的驱动源的情况下，通过对向脉冲电动机372输出驱动信号的后述控制构件的驱动脉冲进行计数，也能够检测卡盘工作台36的加工进给量。此外，在使用伺服电动机来作为上述加工进给构件37的驱动源的情况下，通过将检测伺服电动机的转速的旋转编码器所输出的脉冲信号发送给后述的控制构件，并由控制构件对所输入的脉冲信号进行计数，也能够检测卡盘工作台36的加工进给量。 
上述第二滑块33在其下表面设有与在上述第一滑块32的上表面上设置的一对导轨322、322配合的一对被导引槽331、331，通过将该被导引槽331、331与一对导轨322、322配合，该第二滑块33构成为可沿箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)移动。图示的实施方式中的卡盘工作台机构3具有第一分度进给构件38(Y轴移动构件)，该第一分度进给构件38用于使第二滑块33沿在第一滑块32上设置的一对导轨322、322在箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)上移动。第一分度进给构件38包括：平行地配设在上述一对导轨322和322之间的外螺纹杆381；和用于旋转驱动该外螺纹杆381的脉冲电动机382等驱动源。外螺纹杆381的一端可自由旋转地由固定在上述第一滑块32的上表面上的轴承座383支撑，外螺纹杆381的另一端传动连接在上述脉冲电动机382的输出轴上。再有，外螺纹杆381螺合在内螺纹穿通孔中，该内螺纹穿通孔形成在突出设置于第二滑块33的中央部下表面的、未图示的内螺纹块上。因此，通过用脉冲电动机382驱动外螺纹杆381正转和反转，第二滑块33沿导轨322、322在箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)上移动。 
图示实施方式的激光加工机具有用于检测上述第二滑块33的分度加工进给量的分度进给量检测构件384。分度进给量检测构件384由沿导轨322配设的线性标度尺384a和读取头384b构成，该读取头384b配设 在第二滑块33上，并且与第二滑块33一同沿线性标度尺384a移动。该分度进给量检测构件384的读取头384b在图示实施方式中每1μm就将1脉冲的脉冲信号发送给后述的控制构件。而且，后述的控制构件通过对所输入的脉冲信号进行计数，来检测卡盘工作台36的分度进给量。因此，分度进给量检测构件384作为对卡盘工作台36的Y轴方向位置进行检测的Y轴方向位置检测构件发挥作用。再有，在使用脉冲电动机382来作为上述第一分度进给构件38的驱动源的情况下，通过对向脉冲电动机382输出驱动信号的后述控制构件的驱动脉冲进行计数，也能够检测卡盘工作台36的分度进给量。此外，在使用伺服电动机来作为上述第一分度进给构件38的驱动源的情况下，通过将检测伺服电动机转速的旋转编码器所输出的脉冲信号发送给后述的控制构件，并由控制构件对所输入的脉冲信号进行计数，也能够检测卡盘工作台36的分度进给量。 
上述激光光线照射单元支撑机构4具有：在静止基座2上沿箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)平行地配设的一对导轨41、41；和可沿箭头Y所示的方向移动地配设在该导轨41、41上的可动支撑基座42。该可动支撑基座42由可移动地配设在导轨41、41上的移动支撑部421、和安装在该移动支撑部421上的安装部422构成。安装部422在一个侧面平行地设有在箭头Z所示的方向(Z轴方向)上延伸的一对导轨423、423。图示实施方式中的激光光线照射单元支撑机构4具有第二分度进给构件43(Y轴移动构件)，该第二分度进给构件43用于使可动支撑基座42沿一对导轨41、41在箭头Y所示的分度进给方向(Y轴方向)上移动。第二分度进给构件43包括：在上述一对导轨41、41之间平行地配设的外螺纹杆431；和用于旋转驱动该外螺纹杆431的脉冲电动机432等驱动源。外螺纹杆431的一端可自由旋转地由固定在上述静止基座2上的未图示的轴承座支撑，外螺纹杆431的另一端传动连接在上述脉冲电动机432的输出轴上。再有，外螺纹杆431螺合在内螺纹孔中，该内螺纹孔形成在突出设置于构成可动支撑基座42的移动支撑部421的中央部下表面的、未图示的内螺纹块上。因此，通过用脉冲电动机432驱动外螺纹杆431正转和反转，可动支撑基座42沿导轨41、41在箭头Y所示 的分度进给方向(Y轴方向)上移动。 
安装有上述加工用激光光线照射单元5和测量用光线照射单元6的共用的单元保持器44设有一对被导引槽441、441，该一对被导引槽441、441与在上述可动支撑基座42的安装部422上设置的一对导轨423、423可滑动地配合，通过使该被导引槽441、441与上述导轨423、423配合，单元保持器44被支撑为可在箭头Z所示的方向(Z轴方向)上移动。 
图示实施方式中的激光加工机具有聚光点位置调整构件45，聚光点位置调整构件45用于使单元保持器44沿一对导轨423、423在箭头Z所示的方向(Z轴方向)、即与卡盘工作台36的保持面垂直的方向上移动。聚光点位置调整构件45包括：在一对导轨423、423之间配设的外螺纹杆(未图示)；和用于旋转驱动该外螺纹杆的脉冲电动机452等驱动源，通过用脉冲电动机452驱动未图示的外螺纹杆正转和反转，使安装有加工用激光光线照射单元5和测量用光线照射单元6的单元保持器44沿导轨423、423在箭头Z所示的方向(Z轴方向)上移动。再有，在图示的实施方式中，通过正转驱动脉冲电动机452，使加工用激光光线照射单元5和测量用光线照射单元6向上方移动，通过反转驱动脉冲电动机452使加工用激光光线照射单元5和测量用光线照射单元6向下方移动。 
图示实施方式中的加工用激光光线照射单元5包括固定在上述单元保持器44上、且实质上水平伸出的圆筒形状的壳体51。此外，如图2所示，加工用激光光线照射单元5具有在壳体51内配设的脉冲激光光线振荡构件52和输出调整构件53、以及安装在上述壳体(单元保持器)51的前端的聚光器54。上述脉冲激光光线振荡构件52由脉冲激光光线振荡器521和附设在其上的重复频率设定构件522构成，脉冲激光光线振荡器521由YAG激光振荡器或者YVO4激光振荡器构成。 
在构成上述加工用激光光线照射单元5的壳体51的前端部，配设有摄像构件7。该摄像构件7除了利用可视光线进行摄像的普通摄像元件(CCD)以外，还利用以下等部件构成：向被加工物照射红外线的红外线照明构件；捕捉由该红外线照明构件照射出的红外线的光学系统；以及输出与由该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号的摄像元件(红外 线CCD)，摄像构件7将拍摄到的图像信号发送给后述的控制构件。 
接下来，参照图1和图3来对构成测量装置的测量用光线照射单元6进行说明，其中所述测量装置用于对保持在卡盘工作台上的被加工物的高度进行测量。 
图示实施方式中的测量用光线照射单元6包括固定在上述单元保持器44上、且实质上水平伸出的圆筒形状的壳体60。此外，如图3所示，测量用光线照射单元6具有：白色光源61，其配设在壳体60内，发出白色光；色差透镜62，其对所述白色光源61发出的白色光进行会聚，并使其照射向保持在卡盘工作台36上的被加工物W；以及分束器63，其配设在所述白色光源61和色差透镜62之间，并对照射到被加工物上的白色光的反射光进行分光。白色光源61可使用白光灯或发光二极管(LED)等。色差透镜62由梯度透镜(Gradium lens)等具有色差的透镜构成，其折射率根据光的波长而不同。因此，入射到色差透镜62的白色光的焦距(聚光位置)根据波长而不同。分束器63使白色光源61发出的白色光如实线所示那样朝向色差透镜62透射，并且使由被加工物W反射的反射光如虚线所示那样以90度的角度反射并分光。 
经分束器63分光的反射光通过第一聚光透镜64、掩模65、第二聚光透镜66、衍射光栅67、第三聚光透镜68而到达波长检测构件69。第一聚光透镜64由消色差透镜等没有色差等色差的透镜构成，第一聚光透镜64使经分束器63分光的反射光会聚。掩模65配设在第一聚光透镜64的聚光点位置，并具有使通过第一聚光透镜64而会聚的反射光通过的针孔651。再有，针孔651的直径为10～100μm即可。第二聚光透镜66由消色差透镜等没有色差等色差的透镜构成，第二聚光透镜66对通过了掩模65的针孔651的反射光进行会聚。衍射光栅67将通过第二聚光透镜66而会聚的反射光转换为衍射光。第三聚光透镜68使衍射光会聚并照射向波长检测构件69，该衍射光是反射光通过衍射光栅67转换而成的衍射光。波长检测构件69由CCD(Charge-Coupled Device：电荷耦合器件)CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor互补型金属氧化物半导体)、PSD(Phase-Sensitive Detetor：相位灵敏探测器)等构 成，波长检测构件69检测通过第三聚光透镜68而会聚的衍射光的波长，并将检测到的波长信号发送给后述的控制构件。 
对上述的测量用光线照射单元6的作用进行说明。 
上述白色光源61发出的白色光L如图3中实线所示那样透射过分束器63入射到色差透镜62，然后通过色差透镜62而会聚并照射向保持在卡盘工作台36上的被加工物W。此时，通过色差透镜62而会聚的白色光L由于折射率根据波长而不同，所以焦距因波长而不同。因此，虽然照射到被加工物W上的白色光L在被加工物W的上表面反射，但其中聚光点与被加工物W的上表面对齐的波长的光以最小的直径反射。在被加工物W的上表面反射后的、聚光点对齐的波长S1的反射光L1，如虚线所示那样通过分束器63被分光，并入射到第一聚光透镜64。入射到第一聚光透镜64的反射光L1会聚，并通过掩模65的针孔651，再通过第二聚光透镜66再次会聚并到达衍射光栅67。再有，聚光点不与被加工物W的上表面对齐的波长的反射光由于直径大，所以即使通过第一聚光透镜64会聚，也会被掩模65遮住，通过针孔651的量变得极小。到达了衍射光栅67的反射光被转换为与波长对应的衍射光，并以与波长对应的角度反射而到达第三聚光透镜68。到达了第三聚光透镜68的衍射光La被会聚并照射向波长检测构件69。波长检测构件69根据照射了衍射光La的位置来检测上述反射光L1的波长S1，并将检测到的波长信号发送向后述的控制构件。再有，被掩模65遮住的、聚光点与被加工物W的上表面不对齐的波长的通过了针孔651的反射光也通过衍射光栅67而分别以预定角度反射，并经过第三聚光透镜68而到达波长检测构件69，但由于如上所述光量极小，所以不会使波长检测构件69工作。后述的控制构件根据所输入的波长信号来求出上述色差透镜62的相对于波长的焦距，从而求出保持在卡盘工作台36上的被加工物W的上表面的高度位置。 
后述的控制构件具有控制图，该控制图如图4所示设定了通过色差透镜62会聚的白色光的波长与焦距之间关系，控制构件参照该控制图而求出与从上述波长检测构件69发送来的波长信号对应的焦距。因此，从 色差透镜62起与焦距对应的位置成为保持在卡盘工作台36上的被加工物W上表面的高度位置。例如，在图4所示的控制图中，在从上述波长检测构件69发送来的波长信号为0.8μm的情况下，从色差透镜62起焦距为29.4mm，所以保持在卡盘工作台36上的被加工物W的上表面的高度位置为从色差透镜62起向下方29.4mm的位置。 
回到图1继续说明，图示实施方式的激光加工装机具有控制构件8。控制构件8由计算机构成，其具有：按照控制程序进行运算处理的中央处理装置(CPU)81；存储控制程序等的只读存储器(ROM)82；存储运算结果等的可读写的随机存储器(RAM)83；计数器84；输入接口85以及输出接口86。向控制构件8的输入接口85输入来自上述加工进给量检测构件374、分度进给量检测构件384、波长检测构件69以及摄像构件7等的检测信号。而且，从控制构件8的输出接口86向上述脉冲电动机372、脉冲电动机382、脉冲电动机432、脉冲电动机532、加工用脉冲激光光线照射单元5、测量用光线照射单元6等输出控制信号。再有，上述随机存储器(RAM)83具有：存储上述图4所示的控制图的第一存储区域83a、存储后述的被加工物的设计值的数据的第二存储区域83b、存储后述的半导体晶片10的高度位置的第三存储区域83c以及其它存储区域。 
图示实施方式中的激光加工机如上述那样构成，下面对其作用进行说明。 
图5表示作为被激光加工的被加工物的半导体晶片10的立体图。图5所示的半导体晶片10由硅晶片构成，在其表面10a通过呈格子状排列的多个间隔道101划分有多个区域，在该划分出的区域中形成有IC、LSI等器件102。 
对如下的激光加工的实施方式进行说明：使用上述激光加工机，沿上述半导体晶片10的分割预定线101照射激光光线，在半导体晶片10的内部沿间隔道101形成变质层。再有，当在半导体晶片10的内部形成变质层时，如果半导体晶片的厚度存在波动，则不能如上述那样通过折射率的关系在预定深度处均匀地形成变质层。于是，在实施激光加工前， 利用上述测量装置对保持在卡盘工作台36上的半导体晶片10的高度位置进行测量。 
即，首先在上述图1所示的激光加工机的卡盘工作台36上载置半导体晶片10并使其背面10b朝上，并在该卡盘工作台36上抽吸保持半导体晶片10。抽吸保持有半导体晶片10的卡盘工作台36通过加工进给构件37被定位于摄像构件7的正下方。 
在使卡盘工作台36位于摄像构件7的正下时，通过摄像构件7和控制构件8来执行检测半导体晶片10的应进行激光加工的加工区域的对准作业。即，摄像构件7和控制构件8执行图案匹配等图像处理以进行高度检测位置的对准作业，所述图案匹配等图像处理用于进行间隔道101和测量用光线照射单元6的色差透镜62的对位，所述间隔道101形成在半导体晶片10的预定方向上，所述测量用光线照射单元6沿该间隔道101检测半导体晶片10的高度。此外，对于在与形成于半导体晶片10的预定方向正交的方向上所形成的间隔道101，也同样地进行高度检测位置的对准。此时，半导体晶片10的形成有间隔道101的表面10a位于下侧，但由于摄像构件7如上所述具有摄像构件，该摄像构件由红外线照明构件、捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等构成，所以摄像构件7可从半导体晶片10的背面10b透射来对间隔道101进行摄像。 
在如上述那样进行对准时，卡盘工作台36上的半导体晶片10成为定位于图6中的(a)所示的坐标位置上的状态。再有，图6中的(b)表示将卡盘工作台36即半导体晶片10从图6(a)所示的状态旋转90度后的状态。 
再有，关于在定位于图6(a)和图6(b)所示的坐标位置上的状态下的、形成在半导体晶片10上的各间隔道101的进给开始位置坐标值(A1、A2、A3…An)和进给结束位置坐标值(B1、B2、B3…Bn)以及进给开始位置坐标值(C1、C2、C3…Cn)和进给结束位置坐标值(D1、D2、D3…Dn)，它们的设计值的数据存储在上述随机存储器(RAM)83的第二存储区域83b中。 
在检测到如上述那样在保持于卡盘工作台36的半导体晶片10上形成的间隔道101，并进行了高度检测位置的对准后，移动卡盘工作台36使图6(a)中最上方的间隔道101定位于测量用光线照射单元6的色差透镜62的正下方。然后，如图7所示那样，将作为间隔道101的一端(图7中为左端)的进给开始位置坐标值A1(参照图6(a))定位于色差透镜62的正下方。然后，使测量用光线照射单元6工作，并且使卡盘工作台36在图7中箭头X1所示的方向上移动，直至移动到进给结束位置坐标值B1(高度位置检测工序)。其结果为，如上述那样测量半导体晶片10的图6(a)中最上方的间隔道101处的高度位置。该测量到的高度位置存储在上述随机存储器(RAM)83的第三存储区域83c中。这样，沿在半导体晶片10上形成的所有间隔道101实施高度位置检测工序，并将各间隔道101处的高度位置存储到上述随机存储器(RAM)83的第三存储区域83c中。 
在如以上那样沿形成于半导体晶片10上的所有间隔道101实施了高度位置检测工序之后，在半导体晶片10上实施在内部沿间隔道101形成变质层的激光加工。 
在实施激光加工时，首先移动卡盘工作台36，将图6(a)中最上方的间隔道101定位于加工用激光光线照射单元5的聚光器54的正下方。然后，再如图8(a)所示那样将作为间隔道101的一端(图8(a)中为左端)的进给开始位置坐标值A1(参照图6(a))定位于聚光器54的正下方。接着，使从聚光器54照射的脉冲激光光线的聚光点P对准在距半导体晶片10的背面10b(上表面)预定深度的位置。接下来，使加工用激光光线照射单元5工作，从聚光器54照射脉冲激光光线，并同时使卡盘工作台36在箭头X1所示的方向上以预定的加工进给速度移动(加工工序)。然后，在如图8(b)所示那样使聚光器54的照射位置到达了间隔道101的另一端(图8(b)中为右端)之后，停止脉冲激光光线的照射，并且停止卡盘工作台36的移动。在该加工工序中，控制构件8根据在随机存储器(RAM)83的第三存储区域83c中存储的半导体晶片10的间隔道101处的高度位置，来控制聚光点位置调整构件45的脉冲电机 452，如图8(b)所示那样使聚光器54对应于半导体晶片10的间隔道101处的高度位置而在上下方向上移动。其结果为，在半导体晶片10的内部，如图8(b)所示那样在距背面10b(上表面)预定深度的位置处与背面10b(上表面)平行地形成了变质层110。 
再有，上述加工工序中的加工条件例如如下述那样设定。 
激光：YVO4脉冲激光 
波长：1064nm 
重复频率：100kHz 
脉冲输出：2.5μJ 
聚光点直径：
Figure 2008100034411_0
1μm 
加工进给速度：100mm/秒 
再有，在半导体晶片10的厚度较厚的情况下，优选通过如图9所示那样分阶段地改变聚光点P来多次执行上述的激光光线照射工序，来形成多个变质层110a、110b、110c。该变质层110a、110b、110c的形成优选按照110a、110b、110c的顺序分阶段地移动激光光线的聚光点来进行。 
在如上述那样沿在半导体晶片10的预定方向上延伸的所有间隔道101执行了上述加工工序之后，使卡盘工作台36转动90度，沿与上述预定方向成直角地延伸的各间隔道101执行上述加工工序。这样，在沿形成于半导体晶片10的所有间隔道101执行了上述加工工序之后，保持有半导体晶片10的卡盘工作台36返回到最初抽吸保持半导体晶片10的位置，并在这里解除半导体晶片10的抽吸保持。然后，半导体晶片10由未图示的输送构件输送向分割工序。 
接下来，参照图10对利用上述测量装置来测量被加工物的厚度的示例进行说明。 
上述白色光源61发出的白色光L如图10中实线所示那样透射过分束器63并入射到色差透镜62，然后通过色差透镜62而会聚，并照射向保持在卡盘工作台36上的被加工物W。此时，通过色差透镜62而会聚的白色光中的、聚光点与被加工物W的上表面对齐的波长S1的光如上述那样反射，并且透射过被加工物W的光中的、聚光点与被加工物W的 下表面对齐的波长S2的光如图10中虚线所示那样反射。这样，在被加工物W的上表面和下表面反射的反射光L1、L2如上述那样如虚线所示经过分束器63、第一聚光透镜64、掩模65的针孔651、第二聚光透镜66而到达衍射光栅67。到达了衍射光栅67的反射光L1、L2被转换成与波长S1和波长S2对应的衍射光La、Lb，并分别以对应于波长的角度反射而到达第三聚光透镜68。到达了第三聚光透镜68的与波长S1和波长S2对应的衍射光分别被会聚，并且照射向波长检测构件69。例如，在波长为S1的衍射光La照射到波长检测构件69的0.8μm的位置、波长为S2的衍射光照射到波长检测构件69的0.9μm的位置的情况下，控制构件8根据来自波长检测构件69的波长信号与图4所示的控制图进行对照，从而可知：波长为S1的焦距为29.4mm，波长为S2的焦距为29.6mm。因此，控制构件8通过运算两焦距的差(29.6mm-29.4mm)而判定为被加工物W的厚度是0.2mm(200μm)。 
通过这样测量被加工物的厚度，例如在使用脉冲激光光线在半导体晶片上形成到达焊盘的孔(通孔)的情况下，可设定与被加工物的厚度对应的脉冲数，所以可正确地形成到达焊盘的孔(通孔)。 

Claims (3)

1.一种测量装置，其是测量保持在卡盘工作台上的被加工物的高度的测量装置，所述卡盘工作台装备在加工机上，用于保持被加工物，其特征在于，
所述保持在卡盘工作台上的被加工物的测量装置具有：
白色光源，其发出白色光；
色差透镜，其对所述白色光源发出的白色光进行会聚，并将其照射向保持在卡盘工作台上的被加工物；
分束器，其配设在所述白色光源和所述色差透镜之间，对照射到被加工物上的白色光的反射光进行分光；
第一聚光透镜，其对经所述分束器分光的反射光进行会聚；
掩模，其配设在所述第一聚光透镜的聚光点位置上，并且具有使通过所述第一聚光透镜而会聚的反射光通过的针孔；
第二聚光透镜，其对通过了所述掩模的针孔的反射光进行会聚；
衍射光栅，其将通过所述第二聚光透镜而会聚的反射光转换为衍射光；
第三聚光透镜，其对通过所述衍射光栅而衍射的衍射光进行会聚；
波长检测构件，其检测通过所述第三聚光透镜而会聚的衍射光的波长；以及
控制构件，其根据来自所述波长检测构件的波长信号，来求出保持在卡盘工作台上的被加工物的高度位置，
所述控制构件具有存储控制图的存储器，该控制图设定了通过所述色差透镜而会聚的白色光的波长与焦距之间的关系，所述控制构件将来自所述波长检测构件的波长信号与所述控制图对照，求出距所述色差透镜的焦距，从而测量保持在卡盘工作台上的被加工物的高度位置。
2.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，
所述保持在卡盘工作台上的被加工物的测量装置具有：X轴移动构件，其使所述色差透镜和所述卡盘工作台在X轴方向上相对移动；Y轴移动构件，其使所述色差透镜和所述卡盘工作台在与X轴方向正交的Y轴方向上相对移动；所述卡盘工作台的X轴方向位置检测构件；以及所述卡盘工作台的Y轴方向位置检测构件，
所述控制构件根据来自所述波长检测构件和所述X轴方向位置检测构件以及所述Y轴方向位置检测构件的检测信号，来求出被加工物在预定位置处的高度位置，所述控制构件具有存储所述被加工物在预定位置处的高度位置的存储器。
3.一种激光加工机，其具有：卡盘工作台，其具有保持被加工物的保持面；加工用激光光线照射构件，其向保持在所述卡盘工作台上的被加工物照射加工用的激光光线；以及聚光点位置调整构件，其使所述加工用激光光线照射构件在与卡盘工作台的所述保持面垂直的方向上移动，其特征在于，
所述激光加工机配设有权利要求1所述的测量装置，所述测量装置测量保持在所述卡盘工作台上的被加工物的高度位置。
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Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5248825B2 (ja) * 2007-09-06 2013-07-31 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置検出装置
KR101165720B1 (ko) * 2008-11-18 2012-07-18 한국전자통신연구원 휴대용 광바이오 센서 측정 장치 및 그 측정 방법
JP5318544B2 (ja) * 2008-12-01 2013-10-16 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP5425451B2 (ja) * 2008-12-01 2014-02-26 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP2010266407A (ja) * 2009-05-18 2010-11-25 Disco Abrasive Syst Ltd 高さ検出装置
KR20110006080A (ko) 2009-07-13 2011-01-20 삼성전자주식회사 구조물들 검측 방법
JP2011033383A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP2011122894A (ja) * 2009-12-09 2011-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
US20120074109A1 (en) * 2010-09-29 2012-03-29 General Electric Company Method and system for scribing a multilayer panel
JP5350350B2 (ja) * 2010-10-19 2013-11-27 セイコープレシジョン株式会社 Ｘ線位置計測装置、ｘ線位置計測装置の位置計測方法、及びｘ線位置計測装置の位置計測用プログラム
JP5912293B2 (ja) * 2011-05-24 2016-04-27 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP2012253298A (ja) * 2011-06-07 2012-12-20 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP5700436B2 (ja) * 2011-06-07 2015-04-15 株式会社ディスコ 加工装置
JP5828683B2 (ja) * 2011-06-07 2015-12-09 株式会社ディスコ 加工装置
FR2994734B1 (fr) * 2012-08-21 2017-08-25 Fogale Nanotech Dispositif et procede pour faire des mesures dimensionnelles sur des objets multi-couches tels que des wafers.
TWI498990B (zh) * 2012-12-19 2015-09-01 Genesis Photonics Inc 劈裂裝置
JP6138556B2 (ja) * 2013-04-05 2017-05-31 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6148075B2 (ja) * 2013-05-31 2017-06-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6250329B2 (ja) * 2013-08-19 2017-12-20 株式会社ディスコ 加工装置
JP6289980B2 (ja) * 2014-04-04 2018-03-07 株式会社ディスコ 加工方法
JP2015200537A (ja) * 2014-04-07 2015-11-12 株式会社ディスコ 凹凸検出装置
JP6272145B2 (ja) * 2014-05-29 2018-01-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6328521B2 (ja) * 2014-08-18 2018-05-23 株式会社ディスコ レーザー光線のスポット形状検出方法
JP6367048B2 (ja) * 2014-08-28 2018-08-01 株式会社ディスコ レーザー加工装置
WO2016121685A1 (ja) 2015-01-28 2016-08-04 株式会社東京精密 レーザーダイシング装置
JP6633429B2 (ja) * 2016-03-11 2020-01-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN105606033B (zh) * 2016-03-18 2018-04-20 清华大学深圳研究生院 绝对式光栅尺、其主光栅及其测量方法
CN105674900B (zh) * 2016-03-22 2018-04-03 嘉兴市兴嘉汽车零部件制造有限公司 皮带轮定位线检测装置及检测方法
JP6696842B2 (ja) * 2016-06-22 2020-05-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6767253B2 (ja) * 2016-12-13 2020-10-14 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6882045B2 (ja) * 2017-04-13 2021-06-02 株式会社ディスコ 集光点位置検出方法
JP6969459B2 (ja) 2018-03-15 2021-11-24 オムロン株式会社 センサヘッド
JP7034803B2 (ja) * 2018-03-30 2022-03-14 浜松ホトニクス株式会社 測距ユニット及び光照射装置
JP7210200B2 (ja) * 2018-09-21 2023-01-23 株式会社ディスコ 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた研削装置
CN109141254A (zh) * 2018-10-15 2019-01-04 西安交通大学 一种集成衍射光栅式高稳定性激光位移传感器
DE102018126846A1 (de) * 2018-10-26 2020-04-30 Bystronic Laser Ag Bearbeitungsvorrichtung zur Laserbearbeitung eines Werkstücks und Verfahren zur Laserbearbeitung eines Werkstücks
CN111174723B (zh) * 2018-11-13 2021-11-12 深圳市圭华智能科技有限公司 精密加工检测装置及检测方法
CN109300823B (zh) * 2018-11-28 2021-02-09 德淮半导体有限公司 超声波扫描系统以及用于对晶圆进行超声波扫描的方法
JP7235500B2 (ja) * 2018-12-27 2023-03-08 株式会社ディスコ 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置
JP7481090B2 (ja) * 2019-01-09 2024-05-10 株式会社ディスコ 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置
JP7286464B2 (ja) * 2019-08-02 2023-06-05 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7339086B2 (ja) * 2019-09-11 2023-09-05 株式会社ディスコ 計測装置
JP2022081918A (ja) 2020-11-20 2022-06-01 株式会社ディスコ 計測装置
JP2022112634A (ja) 2021-01-22 2022-08-03 株式会社ディスコ 計測装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6111690A (en) * 1997-01-23 2000-08-29 Yokogawa Electric Corporation Confocal microscopic equipment
EP1258766A2 (de) * 2001-05-14 2002-11-20 Robert Bosch Gmbh Optische Messvorrichtung zur Formvermessung
US6838650B1 (en) * 1999-11-16 2005-01-04 Agilent Technologies, Inc. Confocal imaging

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4340306A (en) * 1980-02-04 1982-07-20 Balasubramanian N Optical system for surface topography measurement
US4871257A (en) * 1982-12-01 1989-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Optical apparatus for observing patterned article
US4932781A (en) * 1983-11-04 1990-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Gap measuring apparatus using interference fringes of reflected light
US5105076A (en) * 1990-08-08 1992-04-14 Nikon Corporation Method and apparatus for detecting focusing errors utilizing chromatic aberration
US5785651A (en) 1995-06-07 1998-07-28 Keravision, Inc. Distance measuring confocal microscope
US6175754B1 (en) 1995-06-07 2001-01-16 Keravision, Inc. Method and apparatus for measuring corneal incisions
US5737084A (en) * 1995-09-29 1998-04-07 Takaoka Electric Mtg. Co., Ltd. Three-dimensional shape measuring apparatus
JPH109827A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Omron Corp 高さ判別装置および方法
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
DE19713362A1 (de) * 1997-03-29 1998-10-01 Zeiss Carl Jena Gmbh Konfokale mikroskopische Anordnung
JP2000098296A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Sharp Corp 投影型カラー画像表示装置
US6429943B1 (en) * 2000-03-29 2002-08-06 Therma-Wave, Inc. Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2002176240A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Shibuya Kogyo Co Ltd ビアホール加工方法及びその装置
DE10125971A1 (de) * 2001-05-29 2002-12-05 Leica Mikroskopie Systeme Ag H Verfahren zur Entfernungsmessung ausgedehnter Objekte in Verbindung mit einer optischen Betrachtungseinrichtung und Mikroskop zur Durchführung desselben
JP2003021541A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Tokyo Koon Denpa Kk 非接触デジタルフェーダ
JP2003106871A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Mitsutoyo Corp 発光ユニット、発光受光ユニットおよび光学式変位検出装置
IL146174A (en) 2001-10-25 2007-08-19 Camtek Ltd Confocal system for testing woofers
DE10155203A1 (de) 2001-11-09 2003-06-18 Bosch Gmbh Robert Laserbearbeitungsvorrichtung
US6813034B2 (en) * 2002-02-05 2004-11-02 Therma-Wave, Inc. Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements
JP2005019818A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜加工装置および加工方法
TW200604491A (en) * 2004-07-15 2006-02-01 Zygo Corp Transparent film measurements
JP2006250540A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Disco Abrasive Syst Ltd 溝深さ測定方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6111690A (en) * 1997-01-23 2000-08-29 Yokogawa Electric Corporation Confocal microscopic equipment
US6838650B1 (en) * 1999-11-16 2005-01-04 Agilent Technologies, Inc. Confocal imaging
EP1258766A2 (de) * 2001-05-14 2002-11-20 Robert Bosch Gmbh Optische Messvorrichtung zur Formvermessung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2000-098296A 2000.04.07

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