CN101154564A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置,防止由在基板表面形成的复杂构造(沟道和空穴)引起的干燥不良。在处理槽(31)中用纯水对基板(9)进行的清洗处理结束后,通过从酒精供给部(37)向处理槽(31)供给酒精,用酒精置换处理槽(31)内的处理液(91)。在容器(40)内的处理槽(41)中对基板(9)进行利用氟系溶剂液体的清洗,然后,从处理槽(41)中提升基板(9),在容器(40)内用氟系溶剂的气体进行干燥处理。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及除去在半导体晶片等基板表面残留的纯水的技术,更详细地说,涉及防止在基板表面形成的沟道和空穴那样的结构处发生干燥不良的技术。
背景技术
在半导体器件的制造工序中,在涂敷处理和腐蚀处理等中使用各式各样的处理液。因此,在半导体器件的制造工序中,在各工序之间必须适当地清洗基板。例如,专利文献1(JP特开2002-252201号公报)记载着清洗基板的基板处理装置。
另一方面,在半导体器件的制造工序中,在基板表面上形成有沟道和空穴那样复杂的构造,因而会有基板表面不平坦的情况。
由于那样复杂的构造是从基板表面突出或洼下的构造,所以会容易在基板表面残留使用于清洗的纯水,从而会产生干燥不良的问题。即,专利文献1记载的技术有纯水除去不充分的顾虑。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而研制的,其目的是防止基板表面的干燥不良。
为了解决所述课题,本发明提供一种处理基板的基板处理装置,其特征在于,包含:处理槽,其贮存氟系溶剂的液体;容器,其收容所述处理槽;保持机构,其在所述容器内处于保持着基板的状态下,使基板在设置于所述处理槽内的第一位置和设置于所述处理槽上方的第二位置之间移动;气体供给装置,其使保持着在所述第一位置通过氟系溶剂的液体而被处理过的基板的所述保持机构从所述第一位置向所述第二位置移动,并向所述保持机构上所保持的基板供给氟系溶剂的气体。
本发明的基板处理装置,其特征在于,该装置还包括:开闭机构,其在所述容器内,使收容所述处理槽的第一空间相对第二空间开闭,其中该第二空间收容移动到所述第二位置的所述保持机构;开闭控制装置,其在保持着基板的所述保持机构移动到所述第一位置时以及保持着基板的所述保持机构移动到所述第二位置时,控制所述开闭机构将所述第一空间和所述第二空间隔断,在保持着基板的所述保持机构在所述第一位置和所述第二位置之间移动时控制所述开闭机构将所述第一空间和所述第二空间连通。
本发明的基板处理装置,其特征在于,将所述处理槽作为第一处理槽,将所述保持机构作为第一保持机构,该基板处理装置还包括:第二处理槽,其用于贮存处理液;第一供给机构,其向所述第二处理槽供给纯水作为处理液;第二供给机构,其向处于贮存有纯水作为处理液的状态的所述第二处理槽内供给作为处理液的酒精;第二保持机构,其在保持着基板的状态下,使基板在设置于所述第二处理槽内的位置和所述第二处理槽上方的位置之间移动;输送机构,其从所述第二保持机构接收基板,而朝向所述容器输送,并且向所述第一保持机构交接基板。
本发明的基板处理装置,其特征在于,该装置还包括:第一供给机构,其向所述处理槽供给纯水;第二供给机构,其向所述处理槽供给酒精;第三供给机构,其向所述处理槽供给用于在所述处理槽中贮存的氟系溶剂的液体。
本发明的基板处理装置,其特征在于,所述第二供给机构向处于贮存有纯水状态的所述处理槽内供给酒精。
本发明的基板处理装置,其特征在于,所述第三供给机构向贮存有酒精状态的所述处理槽内供给氟系溶剂的液体。
本发明的基板处理装置,其特征在于,所述酒精包括异丙醇、乙醇或甲醇。
本发明的基板处理装置,其特征在于,所述氟系溶剂包括氢氟醚或氟烷。
在本发明中,使用氟系溶剂的液体和氟系溶剂的气体,从基板表面除去清洗所使用的纯水等的处理液,所以即使在基板表面形成沟道和空穴这种复杂的构造的情况,也能使处理液良好地干燥,从而能抑制干燥不良(特别是处理液引起的干燥不良)。
在本发明中,在第二处理槽内对基板进行利用纯水的处理后,进行利用酒精的处理。因而,在基板表面存在许多纯水的状况下,由于基板不会曝露在氧气存在下的气氛中,从而能抑制水印等干燥不良。
在本发明中,由于还包括向处理槽供给纯水的第一供给机构、向处理槽供给酒精的第二供给机构、和向处理槽供给贮存在处理槽中的氟系溶剂的液体的第三供给机构,用一个处理槽能实行从清洗处理到干燥处理的处理。因而,到最终的干燥处理结束不需要输送基板,由于在基板表面还存在纯水的状况下不需要输送基板,能抑制纯水在氧气存在的情况下干燥,能抑制水印等干燥不良。
在本发明中,在处理槽中对基板进行利用纯水的处理后,进行利用酒精的处理。因而,由于在基板表面还存在许多纯水的状况下基板不会曝露在氧气存在下的气氛中,从能抑制水印等干燥不良。
在本发明中,第三供给机构通过向处于贮存有酒精状态的处理槽内供给氟系溶剂的液体,置换酒精和氟系溶剂的液体。因此,在从利用酒精的处理过度到利用氟系溶剂液体的处理之间,在处理槽内基板没有曝露在含有氧气等的气氛中。因而,在基板表面还存在纯水的状况下基板不会曝露在氧气存在下的气氛中,从而能抑制水印等的干燥不良。
附图说明
图1是表示第一实施例的基板处理装置的图。
图2是表示第二实施例的基板处理装置的图。
图3是表示第二实施例的第三处理部的基板处理顺序的流程图。
具体实施方式
以下,边参照附图边详细说明本发明最佳的实施例。
<1.第一实施例>
图1是表示第一实施例的基板处理装置1的图。基板处理装置1包括输送机械手10、第一处理部2、第二处理部3、第三处理部4和控制部8。在图1中对图示进行了简略化,但在基板处理装置1中各结构与控制部8连接,并根据来自控制部8的信号而进行动作。
输送机械手10在后述的升降机22、32、42之间进行多块基板9的交接。输送机械手10在第一处理部2、第二处理部3、第三处理部4之间输送所保持的多块基板9,相当于本发明的输送机构。
第一处理部2包括:贮存药液90的处理槽21、使基板9在保持的状态沿上下方向升降的升降机22、作为药液90在处理槽21内循环时的流路的循环配管23、和使药液90循环用的泵24,并且,该第一处理部2具有用药液90处理基板9的功能。本实施例的第一处理部2使用BHF液作为药液90。
升降机22使从输送机械手10接受的基板9下降,并将该基板9搬入到处理槽21内。通过该动作使被升降机22保持的基板9浸渍于在处理槽21内贮存的药液90中。
此外,升降机22使所保持的基板9上升,并将处理槽21内的基板9搬出。通过该动作从药液90中提升基板9,从而结束利用药液90对基板9进行的处理。这样,从处理槽21搬出的基板9,从升降机22被交接给输送机械手10,然后向第二处理部3输送。
第二处理部3包括:贮存处理液的处理槽31、在保持基板9的状态沿上下方向升降的升降机32、作为向处理槽31供给处理液91时的流路并且下游侧被连通连接于处理槽31的底部的供给配管33、向处理槽31输送处理液91用的泵34、选择性开闭供给配管33的三通阀35、供给纯水的纯水供给部36、以及供给酒精的酒精供给部37,并且,该第二处理部3具有用处理液91对基板9进行清洗处理的功能。
处理槽31贮存纯水或酒精作为处理液91。即,处理槽31相当于本发明的第二处理槽。
升降机32使从输送机械手10接收的基板9下降,并将该基板9搬到处理槽31内。并且,升降机32使所保持的基板9上升,然后将处理槽31内的基板9搬出。
泵34根据来自控制部8的控制信号而被驱动。当泵34被驱动时,根据三通阀35的状态通过供给配管33向处理槽31输送纯水或酒精。
三通阀35根据来自控制部8的控制信号,将纯水供给部36或酒精供给部37与供给配管33连通连接。即,通过控制部8控制三通阀35,选择从供给配管33向处理槽31供给的处理液91。
纯水供给部36通过供给配管33向处理槽31供给「纯水」作为处理液91。即,纯水供给部36和供给配管33相当于本发明的第一供给机构。
酒精供给部37通过供给配管33向处理槽31供给「酒精」作为处理液91。即,酒精供给部37和供给配管33相当于本发明的第二供给机构。
接着,说明在第二处理部3中对基板9的处理动作。当用输送机械手10将基板9输送到第二处理部3时,在处理槽31的上方位置从输送机械手10向上升了的升降机32交接基板9,然后开始在第二处理部3的处理。
接收到基板9的升降机32在保持基板9的状态下下降。通过该动作将被升降机32保持的基板9搬入到处理槽31内,并浸渍于此时在处理槽31内贮存的处理液91中。
在基板处理装置1中,用升降机32将基板9搬入到处理槽31中之前,预先从纯水供给部36通过供给配管33向处理槽31供给纯水。即,在向处理槽31搬入基板9时,在处理槽31中贮存有作为处理液91的「纯水」。换句话说,在第二处理部3中进行的清洗处理是利用纯水进行清洗来开始的。
在充分进行了利用纯水的处理的时刻,用来自控制部8的控制信号转换三通阀35,通过供给配管33开始对处理槽31供给来自酒精供给部37的酒精。
这样,在本实施例的基板处理装置1中,利用纯水的处理和利用酒精的处理都在处理槽31内连续实行,这期间,不将基板9从纯水中提起进行输送。
在第三处理部3中,不是将处理槽31的纯水完全排出后再向处理槽31供给(液交换)酒精,而是对于处于仍然贮存有纯水的状态的处理槽31,从酒精供给部37向处理槽31供给(液置换)酒精。这时,纯水从处理槽31的上部通过溢出而排出,并且酒精浓度在处理槽31内慢慢上升。
这样,在从纯水向酒精进行液置换期间,控制部8一面从酒精供给部37向处理槽31供给酒精,一面用设置在处理槽31内的浓度计5监视处理液91的酒精浓度。然后,在处理液91的酒精浓度成为给定的值(例如,50%以上)的时刻,停止从酒精供给部37向处理槽31供给酒精。
如果不是进行从酒精向纯水的液置换,而进行将来自处理槽31的纯水排出的排水操作,则随着纯水贮存量的减少,纯水的液面会下降,从而基板9的表面会慢慢从纯水中露出。即,若不供给酒精就排出纯水,就会在基板9的表面形成的沟道和空穴的内部等残留了纯水的状态下,将基板9的表面曝露在有氧气等存在的气氛中。特别是,在气氛中存在氧气的状态下,若纯水蒸发,则会有产生水印等的干燥不良的担心。
可是,本实施例的基板处理装置1在不使基板9从纯水曝露在有氧气的气氛中的状态下,过度到利用酒精的脱水处理。因此,由于防止了纯水在氧气存在的气氛中干燥,因而能抑制干燥不良。另外,详细情况虽然没有图示,但液置换结束后到充分进行了利用酒精的处理期间,控制部8使含有酒精的处理液91对处理槽31循环。
当充分进行了利用酒精的处理后,根据来自控制部8的控制信号,升降机32在保持基板9的状态下上升。根据该动作,基板9从处理液91(给定浓度以上的酒精)中提升,从而结束利用酒精对基板9进行的处理。另外,是否充分进行了利用酒精的处理,要预先确定充分的处理时间,控制部8根据该处理时间的经过情况来进行判断。
在本实施例中,对使用酒精作为与纯水进行置换的液置换的处理液的情况进行了说明,作为酒精,异丙醇(CH3)2CHOH)、乙醇(C2HOH)、甲醇(CH3OH)都适宜。可是,不限定这些。这样的处理液,优选表面张力不仅比纯水低,而且与纯水亲和性(脱水效果)高,容易干燥且没有固体残留的挥发性高的液体。
这样,用升降机32将从处理槽31中搬出的基板9交接给输送机械手10,并向第三处理部4侧输送。以上是第二处理部3的处理动作的说明。
第三处理部4包括:容器40、处理槽41、升降机42、使处理槽41内的处理液92循环的循环配管43、输送循环配管43内的处理液92的泵44、和对流过循环配管43内的处理液92进行加热的加热器45。循环配管43的上游侧连通连接于处理槽41的底部,并从下游侧向处理槽41供给处理液。
关于升降机42,称在图1中用双点划线表示的位置为「第一位置」,称在图1中用实线表示的位置为「第二位置」。把容器40内的空间在上下方向分成第一空间93和第二空间94,第一空间93作为收容处理槽41的空间,第二空间94作为收容移动到第二位置的升降机42的空间。
处理槽41贮存氟系溶剂的液体作为处理液92。即,处理槽41相当于本发明的第一处理槽。贮存在处理槽41中的处理液92通过循环配管43和泵44进行循环,并通过设置在循环配管43上的加热器45而保持于给定的温度。
本实施例的第三处理部4使用氢氟醚(HFE)或氟烷(HFC)作为氟系溶剂。加热器45对循环的处理液92进行保温,以使得使含有氢氟醚或氟烷的处理液92的使用温度处于20℃至沸点之间。
升降器42,与升降器22、32同样,具有保持多个基板9的功能,在容器40的上方位置,与输送机械手10交接基板9。在容器40内,以保持基板9的状态,使基板9在处理槽41内沿上下方向配置的第一位置和在处理槽41外配置的第二位置之间移动。即,升降器42在容器40内具有在第一空间93和第二空间94之间移动基板9的功能。
第三处理部4包括:开闭机构46、排出喷嘴47、第一气体供给部48、第二气体供给部49和开闭阀50、51。
开闭机构46在第一空间93和第二空间94之间设置一对,根据来自控制部8的控制信号,在容器40内相对第二空间94来开闭第一空间93。即,开闭机构46在打开状态时将第一空间93和第二空间94连通连接,在关闭状态时将第一空间93和第二空间94隔断。
排出喷嘴47在第二空间94内的两侧设置一对,向容器40内的第二空间94排出从第一气体供给部48和第二气体供给部49供给的气体(氟系溶剂的气体或氮气)。
第一气体供给部48向排出喷嘴47供给氟系溶剂的气体。因此,第一气体供给部48通过排出喷嘴47向移动到第二位置的被升降机42保持的基板9供给氟系溶剂的气体。
第二气体供给部49向排出喷嘴47供给氮气。因此,第二气体供给部49通过排出喷嘴47向移动到第二位置的被升降机42保持的基板9供给氮气。
开闭阀50根据来自控制部8的控制信号,开闭排出喷嘴47和第一气体供给部48之间的气管。开闭阀50在打开状态时从第一气体供给部48向排出喷嘴47供给氟系溶剂的气体,并向容器40内的第二空间94内进行供给。另一方面,开闭阀50在关闭状态时停止来自第一气体供给部48的供给。
开闭阀51根据来自控制部8的控制信号,开闭排出喷嘴47和第二气体供给部49之间的气管。开闭阀51在打开状态时从第二气体供给部49向排出喷嘴47供给氮体,并向容器40内的第二空间94内进行供给。另一方面,开闭阀51在关闭状态时停止来自第二气体供给部49的供给。
另外,虽然对于详细结构没有进行图示,但第三处理部4还包括分别从第一空间93和第二空间94排气的排气机构。
接着,对在第三处理部4中基板9的处理动作进行说明。当用输送机械手10将基板9输送到第三处理部4时,从输送机械手10向上升起来的升降机42交接基板9,从而开始在第三处理部4的处理。这时,在第三处理部4中,开闭机构46成为打开状态,在处理槽41中已经贮存有作为氟系溶剂液体的处理液92。
接收到基板9的升降机42在保持基板9的状态下,下降到处理槽41内的第一位置。通过该动作,被升降机42保持基板9搬入到处理槽41内,并浸渍于在处理槽41内贮存的处理液92中。即,开始利用氟系溶剂的液体进行的基板9的处理。
在第二处理部3中处理过的基板9的表面上残留有在第二处理部3使用过的处理液91(酒精)。特别在基板9上形成沟道和空穴构造的情况下,在这些构造的间隙容易残留酒精。然而,通过将这样状态的基板9浸渍在以氟系溶剂液体作为处理液92中,就能有效地除掉残留在基板9上的酒精。
当升降机42下降到第一位置后,控制部8将开闭机构46设成关闭状态。因此,在利用氟系溶剂液体进行的基板9的处理中,第一空间93和第二空间94被隔断,这期间能抑制第一空间93的气氛向第二空间94混入。这时的第一空间93内的气氛,由于搬入实行利用处理液92的处理之前的基板9而成为比较脏的气氛。因而,通过隔断第一空间93和第二空间94,能保持第二空间94内清洁。
当充分进行了利用处理液92的处理之后,控制部8使开闭机构46成为打开状态。因此,第一空间93和第二空间94再次被连通连接。在利用氟系溶剂液体对基板9进行清洗的清洗处理中,第一空间93的气氛通过所述的排气机构被排向外部。因而,在这时刻,第一空间93的气氛比较清洁,因而第一空间93内的气氛混入到第二空间94所带来的危害降低。
当开闭机构46成为打开状态后,升降机42在保持基板9的状态向第二位置开始移动。因此,从处理液92提升基板9,从而结束利用处理液92对基板9进行的处理。
当升降机42移动到第二位置后,开闭机构46成为关闭状态,从而再次将第一空间93和第二空间94隔断。
接着,开闭阀50成为打开状态,通过排出喷嘴47从第一气体供给部48向第二空间94内排出氟系溶剂的气体。即,向移动到第二位置的被升降机42保持的基板9供给氟系溶剂的气体。因此,开始对基板9进行利用氟系溶剂的气体的干燥处理。
当充分进行了利用氟系溶剂的气体的处理后,将开闭阀50调整为关闭状态,停止供给氟系溶剂的气体,同时将开闭阀51调整为打开状态,从第二气体供给部49通过排出喷嘴47向第二空间94内排出氮气。由此,第二空间94内的气氛从氟系溶剂的气体被置换为氮气,从而开始了利用氮气的干燥处理。
这时,由于第一空间93和第二空间94被隔断,所以由于处理液92蒸发而在第一空间93内生成的氟系溶剂的气体不会混入到第一空间94内,而停留在第一空间93内。
由于第一空间93和第二空间94通过开闭机构46隔断,因此相对移动到第二位置的被升降机42保持的基板9的处理空间的容积减少。因而,在干燥处理中能抑制所消费的氮气的量。
当充分进行了利用氮气进行的处理后,将开闭阀51调整为关闭状态,同时使升降机42上升,将被升降机42保持的基板9向输送机械手10交接。输送机械手10将接收到的基板9从基板处理装置1取出。以上是第三处理部4的处理动作的说明。
控制部8由没有图示的CPU和存储装置构成,CPU根据存储装置存储的程序进行工作,来控制基板处理装置1的各结构。
例如,控制部8控制酒精供给部37,向处于贮存有作为处理液91的纯水的状态的处理槽31供给酒精。即,控制部8具有相当于本发明的供给控制装置的功能。
并且,控制部8控制开闭机构46,以使得在保持基板9的升降机42移动到第一位置时以及移动到第二位置时将第一空间93和第二空间94隔断。另一方面,保持基板9的升降机42在第一位置和第二位置之间移动的期间控制开闭机构46,以将第一空间93和第二空间94连通。即,控制部8具有相当于本发明的开闭控制装置的功能。
控制部8包括没有图示的操作部(键盘和按钮类)和显示部(液晶显示器)。而且,操作员通过操作操作部能对基板处理装置1提供适宜的指示,通过确认显示部的显示能确认基板处理装置1的状态等。
如以上那样,第一实施例的基板处理装置1,由于在第三处理部4使用了氟系溶剂的液体后,又使用氟系溶剂的气体进行干燥,所以即使基板的表面形成有复杂的构造,也能良好地干燥。
<2.第二实施例>
在第一实施例中,进行纯水和酒精处理的槽(处理槽31)和进行氟系溶剂液体的处理的槽(处理槽41)设置为不同的槽。可是,也可以用同一个槽实行这些处理。
图2是表示第二实施例的基板处理装置1a的图。在第二实施例的基板处理装置1a中,关于和第一实施例的基板处理装置1同样的结构,附加相同的附图标记并省略适宜说明。在以下的实施例,也是同样的。
本实施例的基板处理装置1a不包含相当于基板处理装置1的第二处理部3的结构,而包含第三处理部4a,代替第三处理部4。因而,在第一处理部2处理过的基板9用输送机械手10被输送到第三处理部4a侧。
在第三处理部4a内包括处理槽41a和辅助槽41b。处理槽41a是大致相当于第三处理部4中的处理槽41的槽,利用升降机42将基板9搬入到处理槽41a的内部。辅助槽41b以包围处理槽41a的周围的方式配置在处理槽41a的上部,并具有回收从处理槽41a的上部溢出的处理液92a的功能。
第三处理部4a包括循环配管43a、供给配管43b和排液配管43c作为形成液体的流路的配管。并且,包括分别配置在给定的位置并根据来自控制部8的控制来开闭配管的开闭阀52至56、以及根据来自控制部8的控制使两系统的配管选择性连通供给配管43b的三通阀58。
另外,在图2表示的实施例中,来自循环配管43a的配管和来自纯水供给部60的配管是三通阀58的第一系统的配管,来自酒精供给部61和氟系溶剂供给部62的配管成为三通阀58的第二系统的配管。但是,不限定于此。
循环配管43a是使处理液92a循环用的配管,主要通过开闭阀52来开闭。开闭阀52在打开状态且三通阀58选择第一系统的配管时,通过辅助槽41b回收到的从处理槽41a溢出的处理液92a被引导到上游侧连通连接于辅助槽41b的底部的循环配管43a,进而通过供给配管43b再返回处理槽41a。
供给配管43b是成为供给到处理槽41a中的液体的流路的配管。即,通过供给配管43b的液体向处理槽41a供给并成为处理液92a。作为向供给配管43b供给的液体,有从上述的循环配管43a供给的液体(循环的处理液92a)、从纯水供给部60供给的纯水、从酒精供给部61供给的酒精、和从氟系溶剂供给部62供给的氟系溶剂的液体。在第二实施例中,也和第一实施例同样地,用使用HFE作为氟系溶剂的液体的例子进行说明。
在向处理槽41a供给来自循环配管43a的液体或纯水时,在供给配管43b通过三通阀58连接有所述第一系统的配管。另一方面,在向处理槽41a供给酒精或HFE时,在供给配管43b通过三通阀58连接有所述第二系统的配管。
排液配管43c是向基板处理装置1a的外部排放液体用的配管,主要通过开闭阀53来开闭。开闭阀53在打开状态时,通过辅助槽41b回收到的从处理槽41a溢出的处理液92a被引导到排液配管43c,进而向外部排液。另外,为了有效进行处理液92a的排液,也可以在排液配管43c上设置泵。
第三处理部4a作为向处理槽41a供给各式各样液体用的结构,包括:纯水供给部60、酒精供给部61和氟系溶剂供给部62。纯水供给部60通过将开闭阀54调整为打开状态而向处理槽41a供给纯水。此外,酒精供给部61通过将开闭阀55调整为打开状态而向处理槽41a供给酒精。此外,氟系溶剂供给部62通过将开闭阀56调整为打开状态而向处理槽41a供给氟系溶剂的液体即HFE。
以上是第二实施例的基板处理装置1a的结构和功能的说明。下面,说明利用基板处理装置1a的第三处理部4a对基板9进行处理的方法。
图3是表示在第二实施例的第三处理部4a中基板9的处理顺序的流程图。在开始图3表示的处理之前,在第三处理部4a实行使处理液92a(纯水)充满处理槽41a用的给定的准备工序。
在准备工序中,控制部8使三通阀58选择第一系统的配管,同时设开闭阀52为关闭状态,且将开闭阀54控制成打开状态。在该状态下驱动泵44,开始来自纯水供给部60的纯水的供给。当从纯水供给部60供给了给定量的纯水后,控制部8将开闭阀54控制成关闭状态,停止来自纯水供给部60的纯水供给,并且设开闭阀52为打开状态,使纯水开始循环。这时,为了将循环的纯水的温度保持为一定,也可以用加热器45进行调温。
在这样的准备工序完成后,输送机械手10把基板9输送给第三处理部4a(步骤S1)。当输送基板9时,控制部8将开闭机构46控制在打开状态,同时升降机42从输送机械手10接收被输送来的基板9,然后开始下降。
升降机42下降到第一位置,从而基板9浸渍到贮存在处理槽41a内的处理液92a(纯水)中(步骤S2)。因此,在第三处理部4a中开始对基板9进行利用纯水的清洗处理。控制部8在升降机42移动到第一空间93的时刻将开闭机构46控制在关闭状态。
当经过了给定的时间,充分进行了利用纯水的清洗处理后,将处理槽41a内的处理液92a(纯水)置换成酒精(步骤S3),对基板9进行利用酒精的脱水处理。
在步骤S3,首先,控制部8使三通阀58选择第二系统的配管,同时控制开闭阀52为关闭状态,停止处理液92a的循环。并且,控制开闭阀53为打开状态,开始处理液92a的排液。和该动作并行,控制部8控制开闭阀55为打开状态,开始供给来自酒精供给部61的酒精。
通过从酒精供给部61供给酒精,使酒精浓度比较低的处理液92a从处理槽41a的上部溢出,而被辅助槽41b回收。这样回收到的处理液92a(酒精浓度比较低的处理液92a)通过排液配管43c被排到外部。因而,也与在第一实施例的处理槽31进行的处理相同,在处理槽41a中,处理液92a慢慢从纯水置换成酒精。
进而,与第一实施例同样地,当根据来自浓度计5的输出检测到酒精达到了给定的浓度(例如,50%以上)时,控制部8判定向酒精的置换完成。然后,使三通阀58选择第一系统的配管,同时控制开闭阀52为打开状态,且控制开闭阀53为关闭状态。因此,开始处理液92a(酒精)的循环,与第一实施例同样地,对基板9进行利用酒精的脱水处理。
这样,在第二实施例的基板处理装置1a中,在第三处理部3实行与第一实施例的基板处理装置1在第二处理部3实行的处理相同的处理(步骤S1至S3)。
当充分进行了利用酒精的处理后,将处理槽41a内的处理液92a(酒精)置换成HFE)(步骤S4),从而对基板9进行利用HFE的处理。
在步骤S4,首先,控制部8使三通阀58选择第二系统的配管,同时设开闭阀52为关闭状态,停止处理液92a的循环。并且,控制开闭阀53为打开状态,开始处理液92a的排液。和该动作并行,控制部8控制开闭阀56为打开状态,开始供给来自氟系溶剂供给部62的HFE。
通过从氟系溶剂供给部62供给HFE,使HFE浓度比较低的处理液92a从处理槽41a的上部溢出,而被辅助槽41b回收。这样回收到的处理液92a(HFE浓度比较低的处理液92a)通过排液配管43c向外部排液。因而,在处理槽41a中,处理液92a慢慢从酒精被置换成HFE。
当根据来自浓度计5的输出检测到酒精达到给定的浓度以下(例如,数%以下)时,控制部8判定向HFE的置换完成。然后,使三通阀58选择第一系统的配管,同时控制开闭阀52为打开状态,且控制开闭阀53为关闭状态。因此,开始处理槽41a的处理液92a(HFE)的循环,与第一实施例同样,对基板9进行利用HFE的处理。
第一实施例的基板处理装置1,在利用酒精的脱水处理结束的时刻,从酒精中取出基板9,并用输送机械手10输送基板9。然而,第二实施例的基板处理装置1a,不输送基板9,而按照所述工序(步骤S4),将酒精置换成HFE,实行利用HFE的处理。
当利用HFE的基板9的处理结束后,控制部8在处理槽41a内添加酒精(10%左右)(步骤S5)。因此,能进一步除去残留在基板9表面上复杂构造内的纯水。
在步骤S5,首先,控制部8使三通阀58选择第二系统的配管,同时设开闭阀52为关闭状态,停止处理液92a的循环。并且,控制开闭阀53为打开状态,开始处理液92a(HFE)的排液。与该动作并行,控制部8控制开闭阀55为打开状态,开始供给来自酒精供给部61的酒精。
通过从酒精供给部62供给酒精,HFE浓度比较高的处理液92a从处理槽41a的上部溢出,而被辅助槽41b回收。这样回收到的处理液92a(HFE浓度比较高的处理液92a)通过排液配管43c向外部排液。
然后,当根据来自浓度计5的输出检测到酒精达到给定的浓度(10%左右)时,控制部8使三通阀58选择第一系统的配管,同时控制开闭阀52为打开状态,而且控制开闭阀53为关闭状态。因此开始处理槽41a中的处理液92a(HFE+酒精)的循环。
当经过了给定的时间后,控制部8使开闭结构46变为打开状态。而且,升降机42在保持基板9的状态开始向第二位置上升,从处理槽41a中提升基板9(步骤S6)。
当升降机42移动到第二位置,基板9移动到第二空间94中之后,将开闭结构46设为关闭状态,从而将第一空间93和第二空间94再次隔断。
接着,开闭阀50成为打开状态,从第一气体供给部48通过排出喷嘴47向第二空间94内排出氟系溶剂的气体。即,向移动到第二位置的被升降机42保持的基板9供给氟系溶剂的气体。因此,与第一实施例的基板处理装置1同样地,实行利用氟系溶剂气体对基板9进行干燥的干燥处理(步骤S7)。
当充分进行了利用氟系溶剂气体的处理后,将开闭阀52设为关闭状态,停止氟系溶剂气体的供给,同时开闭阀51为打开状态,从第二气体供给部49通过排出喷嘴47向第二空间94内排出氮气。因此,与第一实施例的基板处理装置1同样地,实行利用氮气对基板9进行干燥的干燥处理(步骤S8)。
当充分进行了利用氮气的处理后,将开闭阀51设为关闭状态,同时升降机42上升,将被升降机42保持的基板9交接给输送机械手10。输送机械手10将接收到的基板9从基板处理装置1a取出(步骤S9)。
如以上那样,即使是第二实施例的基板处理装置1a,也能得到与第一实施例的基板处理装置1同样的效果。
基板处理装置1a由于包括向处理槽41a供给纯水的纯水供给机构60、向处理槽41a供给酒精的酒精供给机构61、和向处理槽41a供给贮存在处理槽41a中的HFE的氟系溶剂供给机构62,所以从利用纯水的清洗处理到利用HFE的处理都用一个处理槽41a来实行,因而能使装置小型化。
由于能用一个处理槽来实行从清洗处理到干燥处理的处理,所以直到最后的干燥处理结束为止,都不需要输送基板9。因而,由于在基板表面还存在纯水的状况下不需要输送基板9,能抑制纯水在氧气存在的条件下干燥,能抑制水印等的干燥不良。
氟系溶剂供给机构62向处于贮存有酒精的状态的处理槽41a内供给HFE。这样,对于酒精和HFE,不进行交换而进行置换,从而不必从酒精中取出基板9。一般地,第一空间93(第二空间94)内的气氛都要被调整到低氧气浓度,但仍不能达到完全无氧的状态。可是,本实施例的基板处理装置1a的结构是,全部的干燥处理结束之前(尽可能除去纯水之前),不使基板9曝露在第一空间93(第二空间94)内的气氛中。因而,能在氧气存在的条件下抑制纯水干燥,从而能抑制水印等的干燥不良。
<3.变形例>
以上说明了本发明的实施例,但不限定所述实施例,能各种各样的变形。
例如,在所述实施例中,采用第一气体供给部48和第二气体供给部49共有排出喷嘴47的构造并进行了说明,当然也可以各自具有排出喷嘴。
并且,也可以采用对隔断第一空间93和第二空间94的盖进行驱动的机构。
在第一实施例中,对在第三处理部4用氟系溶剂的液体进行给定的时间处理后原样提升基板9的情况进行了说明。可是,与第二实施例同样,也可以在提升基板9前向处理液92添加酒精(例如,10%左右)。
在所述实施例中,利用浓度计5测定酒精浓度,同时进行处理的切换。可是,例如,也可以预先测定达到给定的酒精浓度的时间,控制部8根据预先测定的时间(设定时间)来切换处理。
在第二实施例中,用第一处理部2的处理槽21中实行利用药液90的处理。可是,也可以通过设置将药液90向处理槽41a供给的供给机构,用第三处理部4a实行利用药液90的处理。在那种场合,从药液处理到干燥处理都能在一个处理槽41a中进行。

Claims (8)

1.一种基板处理装置,对基板进行处理,其特征在于,包括:
处理槽,其贮存氟系溶剂的液体;
容器,其收容所述处理槽;
保持机构,其在所述容器内处于保持着基板的状态下,使基板在设置于所述处理槽内的第一位置和设置于所述处理槽上方的第二位置之间移动;
气体供给装置,其使保持着在所述第一位置通过氟系溶剂的液体而被处理过的基板的所述保持机构从所述第一位置向所述第二位置移动,并向所述保持机构上所保持的基板供给氟系溶剂的气体。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
开闭机构,其在所述容器内,使收容所述处理槽的第一空间相对第二空间开闭,其中该第二空间收容移动到所述第二位置的所述保持机构;
开闭控制装置,其在保持着基板的所述保持机构移动到所述第一位置时以及保持着基板的所述保持机构移动到所述第二位置时,控制所述开闭机构将所述第一空间和所述第二空间隔断,在保持着基板的所述保持机构在所述第一位置和所述第二位置之间移动时控制所述开闭机构将所述第一空间和所述第二空间连通。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
将所述处理槽作为第一处理槽,将所述保持机构作为第一保持机构,
该基板处理装置还包括:
第二处理槽,其用于贮存处理液;
第一供给机构,其向所述第二处理槽供给纯水作为处理液;
第二供给机构,其向处于贮存有纯水作为处理液的状态的所述第二处理槽内供给作为处理液的酒精;
第二保持机构,其在保持着基板的状态下,使基板在设置于所述第二处理槽内的位置和所述第二处理槽上方的位置之间移动;
输送机构,其从所述第二保持机构接收基板,而朝向所述容器输送,并且向所述第一保持机构交接基板。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,还包括:
第一供给机构,其向所述处理槽供给纯水;
第二供给机构,其向所述处理槽供给酒精;
第三供给机构,其向所述处理槽供给用于在所述处理槽中贮存的氟系溶剂的液体。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二供给机构向处于贮存有纯水状态的所述处理槽内供给酒精。
6.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第三供给机构向处于贮存有酒精状态的所述处理槽内供给氟系溶剂的液体。
7.如权利要求3或4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述酒精包括异丙醇、乙醇或甲醇。
8.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述氟系溶剂包括氢氟醚或氟烷。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101780460A (zh) * 2010-03-19 2010-07-21 上海集成电路研发中心有限公司 高效率的硅片清洗水槽和清洗方法
CN102986003A (zh) * 2010-07-23 2013-03-20 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法
CN103426722A (zh) * 2012-05-23 2013-12-04 联华电子股份有限公司 基板的处理方法
CN105161399A (zh) * 2015-08-06 2015-12-16 浙江德西瑞光电科技有限公司 高效彩色多晶太阳能电池片的处理方法及其处理装置
CN105161400A (zh) * 2015-08-06 2015-12-16 浙江德西瑞光电科技有限公司 多晶四阻栅新型高效电池片的处理方法及其处理装置
CN112582501A (zh) * 2020-12-14 2021-03-30 张家港博佑光电科技有限公司 一种硅太阳能电池rena多晶制绒加工方法
CN114721231A (zh) * 2022-04-17 2022-07-08 江苏晟驰微电子有限公司 一种用于光刻版清洗的工装夹具

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20080236639A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Masahiro Kimura Substrate treating apparatus
JP5234985B2 (ja) * 2009-03-31 2013-07-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5497607B2 (ja) * 2010-10-01 2014-05-21 ファインマシーンカタオカ株式会社 カプセル型の洗浄機
EP2868398A1 (en) * 2013-10-29 2015-05-06 Cliris SA Device and Method for Ultrasonic Cleaning
JP6342343B2 (ja) 2014-03-13 2018-06-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11938524B2 (en) * 2019-08-29 2024-03-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5772784A (en) * 1994-11-14 1998-06-30 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor cleaner
JP3333830B2 (ja) * 1995-07-27 2002-10-15 株式会社タクマ 基板のリンス及び乾燥の方法及び装置
US6050275A (en) * 1996-09-27 2000-04-18 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US6045624A (en) * 1996-09-27 2000-04-04 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US6413355B1 (en) * 1996-09-27 2002-07-02 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
JP3916717B2 (ja) * 1997-01-14 2007-05-23 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 洗浄方法
JP3171807B2 (ja) * 1997-01-24 2001-06-04 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP3756321B2 (ja) 1998-05-28 2006-03-15 富士通ヴィエルエスアイ株式会社 基板処理装置および方法
JP2001144065A (ja) * 1999-11-16 2001-05-25 Tokyo Electron Ltd 洗浄・乾燥処理方法および装置
JP2002252201A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4219799B2 (ja) * 2003-02-26 2009-02-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2005175037A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2005191472A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 半導体装置の製造方法
KR100830485B1 (ko) * 2004-04-02 2008-05-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101780460A (zh) * 2010-03-19 2010-07-21 上海集成电路研发中心有限公司 高效率的硅片清洗水槽和清洗方法
CN101780460B (zh) * 2010-03-19 2015-04-29 上海集成电路研发中心有限公司 硅片清洗水槽和清洗方法
CN102986003A (zh) * 2010-07-23 2013-03-20 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法
CN102986003B (zh) * 2010-07-23 2015-10-14 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法
CN103426722A (zh) * 2012-05-23 2013-12-04 联华电子股份有限公司 基板的处理方法
CN105161399A (zh) * 2015-08-06 2015-12-16 浙江德西瑞光电科技有限公司 高效彩色多晶太阳能电池片的处理方法及其处理装置
CN105161400A (zh) * 2015-08-06 2015-12-16 浙江德西瑞光电科技有限公司 多晶四阻栅新型高效电池片的处理方法及其处理装置
CN105161400B (zh) * 2015-08-06 2018-07-17 浙江德西瑞新能源科技股份有限公司 多晶四阻栅电池片的处理方法及其处理装置
CN105161399B (zh) * 2015-08-06 2018-07-17 浙江德西瑞新能源科技股份有限公司 彩色多晶太阳能电池片的处理方法及其处理装置
CN112582501A (zh) * 2020-12-14 2021-03-30 张家港博佑光电科技有限公司 一种硅太阳能电池rena多晶制绒加工方法
CN114721231A (zh) * 2022-04-17 2022-07-08 江苏晟驰微电子有限公司 一种用于光刻版清洗的工装夹具

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JP5248058B2 (ja) 2013-07-31
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