CN102986003B - 液处理装置和液处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液处理装置，当在杯体内水平保持基板，供给药液对基板进行液处理时，该液处理装置能够抑制药液用的喷嘴的数目，并且以高的吞吐量进行处理。作为液处理列举显影处理时，准备两种显影喷嘴以能够应对两个种类的显影处理方式，对于两个方式当中喷嘴的约束时间较长的方式所使用的显影喷嘴，对第一液处理模块（1、2）单独设置，对于喷嘴的约束时间较短的方式所使用的显影喷嘴，对两个模块（1、2）共用化。并且共用化的显影喷嘴在两个模块（1、2）的中间位置待机。

Description

液处理装置和液处理方法

技术领域

本发明涉及将药液从喷嘴供给至基板的表面进行处理的液处理装置和液处理方法。

背景技术

在半导体制造工序中，存在将药液供给至基板的表面进行处理的工序。例如设置于用于抗蚀剂图案形成的涂敷、显影装置的显影处理装置构成为，在设置于形成处理区域的杯（cup）内的基板保持部上水平地保持基板，并从喷嘴供给作为药液的显影液。将显影液供给至基板之后，为了利用显影液使抗蚀剂膜的溶解性部位溶解，静止所需的时间，例如数十秒。

作为将显影液涂敷在基板的表面的方法，已知以下方法等：

（1）使喷嘴沿着基板的表面进行扫描的方法，上述喷嘴具有跨基板的有效区域的宽度以上的长度而形成的排出口；

（2）在使基板旋转的状态下，一边从具有由长度尺寸为数厘米左右的狭缝（slit）构成的排出口的喷嘴排出显影液，一边使该喷嘴从基板的一周边缘部移动至中央部的方法。

但是，逐渐要求涂敷、显影装置具有更高的吞吐量（throughput，生产量），例如一个小时处理240个。而且，还要求防止基板的污染，抑制部件数以使装置简化等。

在此，专利文献1中记载有，左右排列有两个杯，在这些杯的排列的两侧设置有待机容器（pot），通过一个显影液喷嘴对被搬入至两个杯的基板供给显影液的装置。另外该装置中，对每个杯配置有洗涤用的纯水喷嘴，该纯水喷嘴转动自如。

另外，专利文献2中记载有使显影液喷嘴在两个杯的中央待机的构成。

但是，专利文献1、2中都没有考虑根据基板的类别（lot：批），而药液的供给方法不同的情况。另外，在如专利文献1那样的构成中，由于根据基板的搬入的时机（timing，定时），显影液喷嘴跨静止显影中的基板而移动，于是显影液有可能从显影液喷嘴滴流到该基板上引起显影缺陷。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-100556号公报：图1

专利文献2：日本特开平4-118074号公报：第2图

发明内容

发明要解决的课题

本发明是在这种背景下完成的，其目的在于，提供一种能够抑制药液用的喷嘴的数目并且以高的吞吐量进行处理的液处理装置和液处理方法。

用于解决课题的技术方案

本发明的液处理装置，其特征在于，包括：

并排的第一处理区域和第二处理区域，用于水平配置各个基板并利用来自喷嘴的药液进行处理；

第一单独喷嘴和第二单独喷嘴，分别对应于上述第一处理区域和第二处理区域单独设置，将药液供给至基板的整个表面；

第一单独喷嘴搬送机构和第二单独喷嘴搬送机构，用于在待机位置和各处理区域的药液排出位置之间分别搬送上述第一单独喷嘴和第二单独喷嘴；

共用喷嘴，为了对上述基板供给药液而被上述第一处理区域和第二处理区域共同使用；

共用喷嘴搬送机构，在待机位置、上述第一处理区域的药液排出位置和上述第二处理区域的药液排出位置之间搬送该共用喷嘴；和

控制部，控制第一单独喷嘴搬送机构、第二单独喷嘴搬送机构和共用喷嘴搬送机构，

上述控制部控制各喷嘴搬送机构，使得上述共用喷嘴被约束在各处理区域的时间比上述单独喷嘴被约束在各处理区域的时间短。

本发明的液处理方法为用于在各个并排的第一处理区域和第二处理区域中水平配置基板，并利用来自喷嘴的药液进行处理的液处理方法，其特征在于，包括：

将一个批次的多个基板一个一个地交替搬入至第一处理区域和第二处理区域；

将对应于上述第一处理区域单独设置的第一单独喷嘴从待机位置搬送至上述第一处理区域的药液排出位置，将药液供给至上述一个批次的一个基板的整个表面来进行处理；

将对应于上述第二处理区域单独设置的第二单独喷嘴搬送至上述第二处理区域的药液排出位置，将药液供给至上述一个批次的另外的基板的整个表面来进行处理；

将另一个批次的多个基板一个一个地交替搬入至上述第一处理区域和第二处理区域；

将上述第一处理区域和上述第二处理区域中共用的共用喷嘴从待机位置搬送至第一处理区域的药液排出位置，将药液供给至上述另一个批次的一个基板；和

将上述共用喷嘴搬送至上述第二处理区域的药液排出位置，将药液供给至上述另一个批次的另外的基板，

上述共用喷嘴被约束于各处理区域的时间比上述单独喷嘴被约束于各处理区域的时间短。

发明效果

本发明中，使用分别对应于第一处理区域和第二处理区域设置的第一单独喷嘴和第二单独喷嘴将药液供给至基板的整个表面来进行处理，另一方面，在进行被约束（占有）在各处理区域的时间短于使用这些单独喷嘴的情况的液处理的情况下，使用被第一处理区域和第二处理区域共用的共用喷嘴。从而能够抑制药液用的喷嘴的数目，并且能够以高的吞吐量进行处理。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的液处理装置的整体的平面简图。

图2是表示上述实施方式的杯体的内部的侧视纵截面图。

图3是表示上述液处理装置的一部分的平面图。

图4是表示单独显影喷嘴和共用显影喷嘴的正视纵截面图。

图5是表示单独显影喷嘴的立体图。

图6是表示共用显影喷嘴的纵截面图。

图7是表示共用显影喷嘴的顶端部的平面图。

图8是表示将液处理装置组装在涂敷、显影处理装置的处理块中的例子的平面图。

图9是表示本发明的实施方式的控制部的构成图。

图10是表示液处理装置的作用的概略平面图。

图11是表示液处理装置的作用的概略平面图。

图12是表示液处理装置的作用的概略平面图。

图13是表示液处理装置的作用的概略平面图。

图14是表示液处理装置的作用的概略平面图。

图15是表示液处理装置的作用的概略侧视图。

图16是表示液处理装置的作用的概略侧视图。

图17是表示液处理装置的作用的概略侧视纵截面图。

图18是表示液处理装置的作用的概略侧视图。

图19是表示液处理装置的作用的概略平面图。

图20是表示液处理装置的作用的概略平面图。

图21是表示液处理装置的作用的概略平面图。

图22是表示液处理装置的作用的概略平面图。

图23是表示液处理装置的作用的概略平面图。

图24是表示液处理装置的作用的概略侧视图。

图25是表示液处理装置的作用的概略侧视图。

图26是表示液处理装置的作用的概略侧视图。

图27表示本发明的其他实施方式的一个例子的平面图。

图28表示本发明的其他实施方式的一个例子的平面图。

图29表示本发明的其他实施方式的一个例子的平面图。

具体实施方式

针对将本发明的液处理装置适用于对曝光后的半导体晶片（以下称为晶片）进行显影处理的显影处理装置的实施方式进行说明。该显影处理装置中，在方形的箱体3内，在X方向并排配置有两个杯体10和杯体20。图1中为了方便，简要地以一条线的圆表示这些杯体10、20，具体的详细结构如图2和图3所示。杯体10、20与其周边部件和周边机构一起构成第一液处理模块1和第二液处理模块2。这些液处理模块1、2各个都是相同的构成，因此针对其中之一的液处理模块1进行说明。

图2和图3中，11是构成基板保持部的旋转吸盘，其能够水平地对基板例如晶片W进行真空吸着并保持。如图2所示，该旋转吸盘11经由旋转轴12与设置于下方的作为旋转驱动部的例如旋转电机13连接，在保持晶片W的状态下能够围绕铅直轴旋转，而且能够进行升降。

另外，显影处理装置中以包围被保持在旋转吸盘11上的晶片W的方式设置有杯体10。该杯体10包括外杯10a和内杯10b，杯体10的上方侧开口。如图3所示，上述外杯10a的上部侧为四边形，下部侧为圆筒状。另外，如图2所示，在外杯10a的下端部形成有段部（台阶部）。于是，上述外杯10a能够通过设置于下方的升降部10c进行升降。上述内杯10b为圆筒状，上部侧向内侧倾斜。另外，内杯10b通过其下端面在上述外杯10a升降时与上述段部抵接，而被向上方推压。另外，图1中，为了避免附图变复杂，省略了外杯10a的图示。另外，包括载置晶片W的区域的杯体10、20的上部区域构成处理区域，第一液处理模块1的处理区域和第二液处理模块2的处理区域分别相当于第一处理区域和第二处理区域。

另外，在被保持在旋转吸盘11上的晶片W的下方侧设置有圆形板14，在该圆形板14的外侧设置有纵截面形状为山形的伞形引导部件15。上述伞形引导部件15用于将从晶片W洒落的显影液或洗净液向液体接收部16引导。该液体接收部16，其纵截面形状形成为凹形，在圆形板14的外缘下方遍及整个周围设置为环形。在该液体接收部16的底面从下方连接有废液管17。并且，虽没有图示，但废液管17与废液罐连接，在其中途设置有气液分离器，进行排气和废液的分离。

另外，如图2所示，在显影处理装置中，在圆形板14的下方例如设置有三个升降销18。该升降销18通过与该升降销18连接的升降销升降机构19升降自如，在搬送晶片W时，从下方贯通圆形板14而上升，在未图示的基板搬送臂和旋转吸盘11之间进行晶片W的交接。

另外，第一液处理模块1具有单独（专用）设置于该液处理模块1的单独显影喷嘴41和对于与该液处理模块1邻接的第二液处理模块2被共用的共用显影喷嘴5。单独显影喷嘴41和共用显影喷嘴5分别相当于技术方案的范围的单独喷嘴和共用喷嘴。

如图1和图3所示，单独显影喷嘴41被沿Y方向延伸的喷嘴臂42保持。喷嘴臂42构成为通过喷嘴搬送机构43能够在X方向移动，并且如图1和图3所示，在设定于杯体10的右侧附近位置的待机位置和对旋转吸盘11上的晶片W供给显影液的显影液排出位置之间搬送单独显影喷嘴41。喷嘴搬送机构43包括在X方向延伸的引导部件44和用于沿该引导部件44使单独显影喷嘴41移动的例如滚珠丝杆机构等驱动机构。

如图1和图3所示，共用显影喷嘴5被沿Y方向延伸的喷嘴臂52保持。喷嘴臂52构成为通过喷嘴搬送机构53能够在X方向移动，如图1和图3所示，在设定于杯体10和杯体20的中间位置的待机位置和对旋转吸盘11上的晶片W供给显影液的显影液排出位置之间搬送共用显影喷嘴5。喷嘴搬送机构53包括在X方向延伸的引导部件54和用于沿该引导部件54使共用显影喷嘴5移动的例如滚珠丝杆机构等驱动机构。

这些显影喷嘴41、5例如分别被保持在喷嘴臂42、52的下方侧，但是为了便于说明在图1和图3中描绘为分别位于喷嘴臂42、52的顶端部。另外，如图2所示，显影喷嘴41、5分别经由柔软（易弯曲的、flexible）的配管45、55与显影液供给系统46、56连接。显影液供给系统46、（56）包括显影液储存罐、泵和阀门等供给控制仪器等。

另外，如图4所示，喷嘴搬送机构43、53具有一边被引导部件44、54引导一边移动的支柱48、58，该支柱48、58上设置有通过未图示的升降机构能够进行升降的喷嘴臂42、52。并且，共用显影喷嘴5的喷嘴臂52为能够设定于高于单独显影喷嘴41的喷嘴臂42的位置，因此，共用显影喷嘴5能够越过单独显影喷嘴41水平移动。

如图5所示，单独显影喷嘴41，向其顶端部去图5的Y方向的宽度依次减小，在其下端面（顶端面）设置有例如长L1为8~15mm、宽L2为0.1~1mm的带状的排出口402。

如图6和图7所示，共用显影喷嘴5具有比晶片W的直径长的喷嘴主体501、以连通至该喷嘴主体501内的通液室的方式设置于该喷嘴主体501的下面侧的排出口502、和收纳于该排出口502内的缓冲棒503。在图7中排出口502描绘为狭缝（slit）状，但是也可以为在喷嘴主体501的长度方向隔开间隔排列有多个孔的结构。排出口502设定为覆盖晶片W的有效区域（器件形成区域）的长度尺寸。

单独显影喷嘴41和共用显影喷嘴5，作为药液的显影液的供给方式相互不同，比较对一枚晶片W进行显影处理中被约束（占有）在处理区域的时间（使用的时间）时，单独显影喷嘴41比共用显影喷嘴5长。说明两个喷嘴41、5的显影方式的概要，单独显影喷嘴41一边使晶片W旋转一边从晶片W的周缘遍及中心部地移动，来以涡旋状涂敷作为药液的显影液，接着在晶片W的中心部继续进行规定时间的显影液排出。共用显影喷嘴5一边从晶片W的一端遍及另一端地进行扫描，一边将作为药液的显影液供给至晶片W上盛放。

图1中，6为洗净喷嘴，其用于对被供给了显影液的晶片W供给例如由纯水构成的洗净液，进行洗净。如图1和图3所示，洗净喷嘴6被沿Y方向延伸的喷嘴臂62保持。喷嘴臂62构成为通过喷嘴搬送机构63能够在X方向移动，如图1和图3所示，在设定于杯体的左侧附近位置的待机位置和对旋转吸盘上的晶片W供给洗净液的洗净液排出位置之间搬送洗净喷嘴6。喷嘴搬送机构63兼用上述引导部件44，包括用于沿该引导部件44使洗净喷嘴6移动的例如滚珠丝杆机构等驱动机构。另外，如图2所示，洗净喷嘴6分别经由柔软的配管65与洗净液供给系统66连接。另外，为了良好地进行晶片W上的显影液的洗净处理，也可以单独在液处理模块1、2中设置对晶片W上喷射例如氮气等气体的气体喷嘴。

喷嘴搬送机构63也被设置为相对于支柱68喷嘴臂62通过未图示的升降机构能够升降，共用显影喷嘴5的喷嘴臂52能够越过洗净喷嘴6的喷嘴臂62移动。

在各喷嘴41、5和6的待机位置中，嵌合各喷嘴41、5和6的顶端部，设置有具备排液口的喷嘴座（nozzle base）47、57和67。

回到图1和图2，在箱体3的侧面设置有通过外部搬送臂对各液体处理模块1、2进行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口31，还设置有开闭各搬入搬出口31的开闭器（shutter）（未图示）。

在此，图8表示包括液处理装置的、涂敷、显影装置的一部分的构成例。在此例中，设置有包括沿主搬送路301移动的移动体302的晶片搬送机构303，该晶片搬送机构303构成为围绕铅直轴旋转自如，升降自如以及进退自如。并且，沿主搬送路301一列地配置有四个液处理模块1、2、1’和2’。液处理模块1’和2’与液处理模块1、2相同构成。另外，在主搬送路301的与液处理模块1、2、1’和2’的相反侧，沿主搬送路301配置有多个本例中为6个加热模块304。该加热模块304的群包括对曝光后、显影前的晶片W进行加热的加热模块和对显影后的晶片W进行加热的加热模块。晶片搬送机构303对液处理模块1、2、1’、2’以及加热模块304进行晶片W的交接。305是用于与其他的处理块进行晶片W的交接的交接平台（stage）。

图9表示用于控制显影处理装置的各部的控制部7。该控制部7为例如由CPU71、存储于程序存储部72的程序72a、数据总线73等构成的计算机。上述程序72a基于程序方案（process recipe）控制单独显影喷嘴的显影液供给系统46、共用显影喷嘴的显影液供给系统56、洗净喷嘴的洗净液供给系统66、单独显影喷嘴的搬送机构43、共用显影喷嘴的搬送机构、洗净喷嘴的搬送机构63以及旋转电机13。

接着，参照图10至图26说明上述的实施方式的作用。基于控制部7所具有的程序进行以下的各动作。现在，图10表示通过外部的晶片搬送机构例如图8所示的晶片搬送机构303将某批次的作为基板的晶片W搬入至第一处理模块1的旋转吸盘11的状态。通过晶片搬送机构303和升降销18的协同动作作用，进行晶片W的搬入动作。并且，利用喷嘴搬送机构53，共用显影喷嘴5从待机位置移动至晶片W的一端侧，一边从排出口502排出显影液一边从晶片W的一端侧移动至另一端侧，对晶片W的表面整体进行显影液的盛放。图15和图16表示该扫描涂敷的状况，另外图11表示共用显影喷嘴5通过晶片W的中央部的状态。图15和图16中D是显影液。

盛放有液体的晶片W以原样保持静置直到仅经过设定时间（例如30秒至40秒），并且如图12所示共用显影喷嘴5回到待机位置。并且，经过设定时间之后，如图13所示喷嘴搬送机构63使洗净喷嘴6从待机位置移动至晶片W的中心部的上方位置，排出纯水并且由旋转电机使晶片W旋转，利用离心力使纯水扩散将显影液从晶片W上除去（参照图17和图18）。该情况下，也可以使来自洗净喷嘴6的纯水的排出位置从晶片W的中心部向周缘移动，并且在该排出位置的旋转方向下游侧从气体喷嘴喷射气体，提高洗净效果。之后使晶片W高速旋转，甩落洗净液而使其干燥（旋转干燥）。

另外，在第一液处理模块1中对晶片W进行洗净的期间，如图13所示，后续的晶片W被搬入第二液处理模块2的旋转吸盘，由共用显影喷嘴5同样地进行显影液的盛放。进而在第二液处理模块2中，盛放显影液之后经过所谓的静止显影所需的设定时间时，如图14所示由单独设置于该液处理模块2的洗净喷嘴6同样地进行基板表面的洗净。其中，在该时刻，第一液处理模块1中的晶片W的洗净已结束，被搬出至外部。根据液处理模块的数量、其他的处理模块的处理时间、装置的布局等，晶片的搬入间隔改变，但是在此例中，共用显影喷嘴5从待机位置移动至晶片W上进行显影液的扫描涂敷，直到回到原来的待机位置的一系列的时间，也就是还包括待机位置与晶片W上之间的搬送时间的、被约束在第一液处理模块1的时间，比基于晶片搬送机构的晶片W的搬入间隔短。

上面的说明是使用共用显影喷嘴5进行处理的情况，接着说明通过单独显影喷嘴41对与上述的批次不同的其他批次的基板进行显影处理的情况。

现在，图19表示通过外部的晶片搬送机构将作为上述其他批次的基板的晶片W搬入第一处理模块1的旋转吸盘11上的状态。单独显影喷嘴41被喷嘴搬送机构43从待机位置移动至晶片W的一端侧，使旋转吸盘11例如以500rpm旋转。该喷嘴41的水平方向上的朝向预先设定为狭缝状的排出口402的长度方向与连接晶片W的周缘部和中心部的线一致。一边从单独显影喷嘴4排出显影液，一边使其排出位置从晶片W的周缘移动至中心部，以带状供给显影液，以涡旋状进行显影液的盛放。图24表示该处理的情况，另外图20表示单独显影喷嘴41到达晶片W的中心部上的状态。

之后，将晶片W的旋转数例如降至100rpm，以使显影液缓慢地向周缘扩散，在该状态下接着通过单独显影喷嘴41将显影液供给至晶片W的中心部（图25）。之后，一边继续供给显影液，一边使晶片的旋转数例如上升至2000rpm，之后停止显影液的供给并且使晶片W的旋转数降至显影液不会由于表面张力而从晶片W的周缘部被拉回且保持显影液的盛放的程度的低的旋转数，维持该状态例如40s左右（图26）。

另一方面，在第一液处理模块1中进行显影处理的期间，后续的晶片W被搬入至第二液处理模块2的旋转吸盘上，如图21所示该模块1中的单独显影喷嘴41通过喷嘴搬送机构43从待机位置被搬送至晶片W的一端侧。在第二液处理模块2中，也对该晶片W进行与在第一液处理模块1中说明的显影处理同样的处理。此时，第一液处理模块1中，已经经过供给显影液之后的静置时间，如图22所示由洗净喷嘴6，与上述的基于共用显影喷嘴5的显影处理后的洗净处理同样地去除洗净晶片W上的显影液，进而进行旋转干燥。

在第一液处理模块1中晶片W的一系列的处理结束时，该晶片W就被搬出，另一方面在第二液处理模块2显影处理结束之后，由洗净喷嘴6对晶片W进行洗净，进而进行旋转干燥（图23）。

如上所述，在该实施方式中，能够实施使用共用显影喷嘴5进行显影处理的方式和使用单独显影喷嘴41进行显影处理的方式，但是使用单独显影喷嘴41的方式具有即使在抗蚀剂膜的防水性高的情况下也能够进行均匀的显影的优点。因而，具有在抗蚀剂膜的防水性低的情况下显影液的使用量少于使用单独显影喷嘴41的情况这个优点，但是到底选择哪一种方式，要根据处理时间、抗蚀剂膜的类别、显影液的成本等决定。

根据上述的实施方式，备有两个种类的显影喷嘴以能够应对两个种类的显影处理方式，但是对于两个方式当中喷嘴的约束时间较长的方式所使用的显影喷嘴，对各第一液处理模块1、2单独设置，另外对于喷嘴的约束时间较短的方式所使用的显影喷嘴，对第一液处理模块1、2共用化。从而，能够从喷嘴的共用化的角度，抑制喷嘴的数目，并且使约束时间较长的喷嘴个别化，因此当将晶片W依次搬入至第一液处理模块1和第二液处理模块2时，即使搬入间隔短，也能够对搬入的晶片W立刻开始处理，因此能够维持高的吞吐量。

下面列举并记载本发明的变形例。

作为显影方式，并不限于上述的方式，例如也可以为如下的方式，即，将共用显影喷嘴5设定于靠近晶片W的表面的位置，例如离表面1mm左右的位置且晶片W的直径上，并且一边排出显影液一边使晶片W旋转180度进行液体盛放。

另外，在上述的实施方式中，共用显影喷嘴5和单独显影喷嘴41不限定于全都用于供给显影液，也可以共用显影喷嘴5用于对晶片W的表面供给信那水（稀薄剂）（有机溶剂），单独显影喷嘴41用于对晶片W供给显影液。该情况下，使晶片W的整个表面处于被信那水预先浸润的状态，发挥显影液易于扩散的作用。并且，作为单独显影喷嘴41，也可以与上述的实施方式的单独显影喷嘴41相同，但也可以与上述实施方式的共用显影喷嘴5相同。另外，作为单独显影喷嘴，也可以以能够应对之前的两种显影方式的方式设置两个显影喷嘴。

而且，另外共用显影喷嘴5的待机位置若设定在第一液处理模块1和第二液处理模块2之间，则与位于这些液处理模块1、2的排列的端侧的情况相比，优点在于，由于不会跨越显影中的晶片W地移动，因此显影液不会掉落在显影中的晶片W，而且喷嘴41、5或喷嘴臂42、52也不会被来自杯体内的气氛污染。但是，也可以将共用显影喷嘴5的待机位置设定于这种位置。另外，例如也可以代替使单独显影喷嘴41直线移动，使其在待机位置和处理位置之间旋转移动。

进而，说明有关共用显影喷嘴5的构成的其他的例子。图27为设置有两个共用显影喷嘴5A、5B的例子，利用不同的引导部件54A、54B搬送分别保持有共用显影喷嘴5A、5B的喷嘴臂52A、52B。这些引导部件54A、54B相互平行地配置在第一液处理模块1和第二液处理模块2的排列的一侧。53A、53B为喷嘴搬送机构，如图4所示喷嘴搬送机构53A、53B分别在支柱58A、58B上设置有升降自如的喷嘴臂52A、52B。另外，喷嘴臂52B能够移动至高于喷嘴臂52A的位置，在对第一液处理模块1使用共用显影喷嘴5B的情况下，共用显影喷嘴5B超越共用显影喷嘴5A进行移动。另外，当对第二液处理模块2使用共用显影喷嘴5A时，共用显影喷嘴5B退避至位于第二液处理模块2的右侧的待机位置9（退避位置）。图27所示的共用显影喷嘴5A、5B的位置为待机位置，虽然在图中看不见，但是在显影喷嘴5A、5B各自的下方设置有待机座。作为共用显影喷嘴5A、5B的使用方法的例子，一方面为用于排出含有界面活性剂的显影液的例子，另一方面为用于排出不含界面活性剂的显影液的例子。

另外，图28为在图27的实施方式中使引导部件54A、54B隔着第一液处理模块1和第二液处理模块2的排列相对配置的构成例。进而另外，图29是使引导部件54B、54B共用化的构成例，8、9分别为共用显影喷嘴5A、5B的退避位置。

以上的说明中，作为液处理装置举出的是显影处理装置，但是也可以应用于晶片W等基板的单枚洗净装置。该情况下，可举出，作为单独药液喷嘴采用排出药液的浓度小的洗净液的喷嘴，作为共用药液喷嘴采用排出药液的浓度大于上述浓度的洗净液的喷嘴，从共用药液喷嘴仅第一时间排出药液洗净基板的表面，接着从单独药液喷嘴仅短于第一时间的第二时间排出药液洗净基板的表面的情况等。

Claims (10)

1.一种液处理装置，其特征在于，包括：

并排的第一处理区域和第二处理区域，用于水平配置各个基板并利用来自喷嘴的药液来进行处理；

第一单独喷嘴和第二单独喷嘴，分别对应于所述第一处理区域和第二处理区域单独设置，将药液供给至基板的整个表面；

第一单独喷嘴搬送机构和第二单独喷嘴搬送机构，用于在待机位置和各处理区域的药液排出位置之间分别搬送所述第一单独喷嘴和第二单独喷嘴；

共用喷嘴，被所述第一处理区域和第二处理区域共同使用于将药液供给至所述基板；

共用喷嘴搬送机构，在待机位置、所述第一处理区域的药液排出位置和所述第二处理区域的药液排出位置之间搬送所述共用喷嘴；和

控制部，控制第一单独喷嘴搬送机构、第二单独喷嘴搬送机构和共用喷嘴搬送机构，

所述控制部控制各喷嘴搬送机构，使得所述共用喷嘴被约束在各处理区域的时间比所述单独喷嘴被约束在各处理区域的时间短。

2.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：

所述共用喷嘴的待机位置在俯视的情况下被设置在所述第一处理区域和第二处理区域之间。

3.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：

从共用喷嘴和单独喷嘴排出的药液为显影液，

供给显影液的方法在共用喷嘴和单独喷嘴之间不同。

4.如权利要求3所述的液处理装置，其特征在于：

共用喷嘴具有跨覆盖基板的宽度的长度而形成的排出口，该共用喷嘴一边从基板的一端贯穿移动至另一端，一边从所述排出口对基板供给显影液。

5.如权利要求3所述的液处理装置，其特征在于：

所述单独喷嘴用于一边使基板旋转一边使药液的排出位置从基板的周缘移动至中心部，之后将药液供给至基板的中心部。

6.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：

作为所述共用喷嘴，具有排出相互不同种类的药液的多个共用喷嘴。

7.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：

所述共用喷嘴、第一单独喷嘴和第二单独喷嘴能够沿着第一处理区域和第二处理区域的排列方向移动。

8.一种液处理方法，在并排的各个第一处理区域和第二处理区域中水平配置基板，并利用来自喷嘴的药液进行处理，所述液处理方法的特征在于，包括：

将一个批次的多个基板一个一个交替地搬入至第一处理区域和第二处理区域；

将对应于所述第一处理区域单独设置的第一单独喷嘴从待机位置搬送至所述第一处理区域的药液排出位置，将药液供给至所述一个批次的一个基板的整个表面来进行处理；

将对应于所述第二处理区域单独设置的第二单独喷嘴搬送至所述第二处理区域的药液排出位置，将药液供给至所述一个批次的另外的基板的整个表面来进行处理；

将另一个批次的多个基板一个一个交替地搬入至所述第一处理区域和第二处理区域；

将被所述第一处理区域和所述第二处理区域共同使用的共用喷嘴从待机位置搬送至第一处理区域的药液排出位置，将药液供给至所述另一个批次的一个基板；和

将所述共用喷嘴搬送至所述第二处理区域的药液排出位置，将药液供给至所述另一个批次的另外的基板，

所述共用喷嘴被约束在各处理区域的时间比所述单独喷嘴被约束在各处理区域的时间短。

9.如权利要求8所述的液处理方法，其特征在于：

所述共用喷嘴的待机位置在俯视的情况下被设置在所述第一处理区域和第二处理区域之间。

10.如权利要求8所述的液处理方法，其特征在于：

从共用喷嘴和单独喷嘴排出的药液为显影液，

供给显影液的方法在共用喷嘴和单独喷嘴之间不同。