JP2005175037A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板に静電気が発生することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 気相洗浄処理部の上方に複数のリンス乾燥処理部6が設けられている。気相洗浄処理部は、基板Wを所定の温度に維持しつつ低速回転させながら、基板Wにフッ酸蒸気を供給する。リンス乾燥処理部6は、基板プッシャ60、基板スライドガイド61、リンス液貯留タンク62、乾燥部63、基板ガイド64および基板キャッチャ65を有する。リンス液貯留タンク62と乾燥部63とは互いに密接して設けられている。リンス液貯留タンク62は、基板Wがリンス液貯留タンク62に進入するための進入口62aおよび基板Wをリンス液貯留タンク62から排出するための排出口62bを有する。リンス液貯留タンク62の進入口62aには、基板Wをリンス液貯留タンク62内に導くための基板スライドガイド61が接続されている。
【選択図】 図5
【解決手段】 気相洗浄処理部の上方に複数のリンス乾燥処理部6が設けられている。気相洗浄処理部は、基板Wを所定の温度に維持しつつ低速回転させながら、基板Wにフッ酸蒸気を供給する。リンス乾燥処理部6は、基板プッシャ60、基板スライドガイド61、リンス液貯留タンク62、乾燥部63、基板ガイド64および基板キャッチャ65を有する。リンス液貯留タンク62と乾燥部63とは互いに密接して設けられている。リンス液貯留タンク62は、基板Wがリンス液貯留タンク62に進入するための進入口62aおよび基板Wをリンス液貯留タンク62から排出するための排出口62bを有する。リンス液貯留タンク62の進入口62aには、基板Wをリンス液貯留タンク62内に導くための基板スライドガイド61が接続されている。
【選択図】 図5
Description
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来より、半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程では、半導体ウエハ、ガラス基板等の基板上の不純物を除去するためにフッ化水素(HF)の水溶液を用いた洗浄処理が行われている。例えば、特許文献1に示されている洗浄処理においては、基板を水平姿勢で回転させながら基板上にフッ化水素の水溶液等の薬液を供給することにより基板を洗浄する。
また、上記の洗浄処理が行われた後、基板上に残留するフッ化水素を洗い流すためのリンス処理が行われる。この場合、基板を水平姿勢で回転させながら基板上に純水を供給することにより基板をリンスする。また、基板のリンス処理後には、基板を高速回転(3000rpm(revolutions per minute)程度)させて基板表面の純水を遠心力によって振り切って乾燥(スピン乾燥)させる。
特開平4−287922号公報
しかしながら、上記洗浄処理およびリンス処理においては、基板の回転時に薬液や純水等の液体が基板上に供給されると基板と液体との衝突により静電気が発生する。その結果、静電気により基板上の素子が破壊される可能性がある。また、帯電した基板に塵埃等のパーティクルが付着しやすくなる。
本発明の目的は、基板に静電気が発生することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
本発明に係る基板処理装置は、所定の反応性ガスにより基板に気相洗浄処理を行う気相洗浄処理部と、気相洗浄処理部により気相洗浄処理が行われた基板にリンス処理および乾燥処理を行うリンス乾燥処理部とを備え、リンス乾燥処理部は、基板の進入口および排出口を有し、リンス液を貯留するリンス液貯留部と、リンス液貯留部の排出口側に設けられ、揮発性有機溶媒の蒸気により基板の乾燥を行う乾燥部と、基板を進入口からリンス液貯留部内のリンス液中に進入させ、排出口から排出させるとともに乾燥部を通過させる基板移動手段とを含むものである。
本発明に係る基板処理装置においては、気相洗浄処理部により気相洗浄処理が行われ、気相洗浄処理が行われた基板にリンス乾燥処理部によりリンス処理および乾燥処理が行われる。この場合、気相洗浄処理部では、基板には反応性ガスが供給され、基板に液体が供給されることはない。また、リンス乾燥処理部では、基板が基板移動手段によりリンス液貯留部の進入口からリンス液貯留部に進入し、リンス液貯留部内を通過することにより洗浄された後、リンス液貯留部の排出口から排出される。また、リンス液貯留部の排出口から排出された基板は、リンス液貯留部の排出口側に設けられた乾燥部を通過することにより揮発性有機溶媒の蒸気によって乾燥される。つまり、リンス乾燥処理部では、基板に液体(リンス液)が供給されるものの、基板が回転することはない。
このような基板処理装置においては、基板に液体が供給されている状態で基板が回転することがないので、基板上に静電気が発生しない。それにより、基板の洗浄処理開始から乾燥処理終了までの間、基板上の素子が静電気によって破壊されることを防止することができるとともに、帯電した基板に塵埃等のパーティクルが付着することを防止することができる。
揮発性有機溶媒は、アルコール系有機溶媒であってもよい。この場合、揮発性有機溶媒の蒸気により基板を乾燥させるので、乾燥むらによる基板上のしみの発生を防止することができる。
アルコール系有機溶媒は、イソプロピルアルコールであってもよい。それにより、乾燥時間を低減することができる。
反応性ガスはフッ化水素ガスを含んでもよい。この場合、効率的にかつ十分に基板が気相洗浄される。
リンス乾燥処理部は、気相洗浄処理部の上方に配置されてもよい。それにより、フットプリントを低減することができる。
本発明に係る基板処理方法は、所定の反応性ガスにより基板に気相洗浄処理を行うステップと、気相洗浄処理が行われた基板に対して、基板を回転させることなくリンス液により基板をリンス処理し、揮発性有機溶媒の蒸気により基板の乾燥処理を行うステップとを備えたものである。
本発明に係る基板処理方法においては、基板に液体が供給されている状態で基板が回転することがないので、基板上に静電気が発生しない。これにより、基板の洗浄処理開始から乾燥処理終了までの間、基板上の素子が静電気によって破壊されることを防止することができるとともに、帯電した基板に塵埃等のパーティクルが付着することを防止することができる。
本発明に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、基板に液体が供給されている状態で基板が回転することがないので、基板上に静電気が発生しない。それにより、基板の洗浄処理開始から乾燥処理終了までの間、基板上の素子が静電気によって破壊されることを防止することができるとともに、帯電した基板に塵埃等のパーティクルが付着することを防止することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
以下の説明において、基板とは、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
図1は本実施の形態に係る基板処理装置の下段の平面図である。また、図2は本実施の形態に係る基板処理装置の上段の平面図である。
図1に示すように、基板処理装置100の下段は、処理領域A,Bを有し、処理領域A,B間に搬送領域Cを有する。
処理領域Aには、制御部4、流体ボックス部2a,2bおよび複数の気相洗浄処理部VPCが配置されている。
流体ボックス部2a,2bは、それぞれ気相洗浄処理部VPCからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器を収納する。
気相洗浄処理部VPCでは、フッ酸等の蒸気による基板の気相洗浄が行われる。気相洗浄処理部VPCの詳細については後述する。
処理領域Bには、流体ボックス部2c,2dおよび複数の気相洗浄処理部VPCが配置されている。なお、処理領域Bに配置された気相洗浄処理部VPCは、処理領域Aに配置された気相洗浄処理部VPCと同様な処理を行う。
流体ボックス部2c,2dは、それぞれ気相洗浄処理部VPCからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器を収納する。また、搬送領域Cには、基板搬送ロボットCRが設けられている。
処理領域A,Bの一端部側には、基板の搬入および搬出を行うインデクサIDが配置されている。インデクサIDには、基板Wを収納するキャリア1が載置される。本実施の形態においては、キャリア1として、基板Wを密閉した状態で収納するFOUP(Front Opening Unified Pod)を用いているが、これに限定されるものではなく、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッド、OC(Open Cassette)等を用いてもよい。
図2に示すように、基板処理装置100の上段は、処理領域Dおよび処理領域Eを有する。図1の処理領域Aの上方に処理領域Dが設けられ、処理領域Bの上方に処理領域Eが設けられている。
処理領域D,Eの各々は、それぞれIPA(イソプロピルアルコール)生成部5、リンス乾燥処理部6およびスペース7を有する。IPA生成部5により生成されたIPAはリンス乾燥処理部6に供給される。リンス乾燥処理部6は、気相洗浄処理部VPCで気相洗浄された基板Wにリンス処理および乾燥処理を行う。リンス乾燥処理部6の詳細については後述する。リンス乾燥処理部6によるリンス処理および乾燥処理が終了した基板Wは、スペース7に一時待機する。
図1のインデクサIDのインデクサロボットIRは、矢印Uの方向に移動し、キャリア1から基板Wを取り出して基板搬送ロボットCRに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Wを基板搬送ロボットCRから受け取ってキャリア1に戻す。
基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから渡された基板Wを指定された気相洗浄処理部VPCに搬送し、または、気相洗浄処理部VPCから受け取った基板Wをリンス乾燥処理部6に搬送し、または、リンス乾燥処理部6から受け取った基板WをインデクサロボットIRに搬送する。
本実施の形態においては、複数の気相洗浄処理部VPCのいずれかにおいて基板Wの気相洗浄が行われた後に、基板搬送ロボットCRにより基板Wが気相洗浄処理部VPCから搬出され、リンス乾燥処理部6に搬入される。
制御部4は、CPU(中央演算処理装置)を含むコンピュータ等からなり、処理領域A,Bの気相洗浄処理部VPCの動作、搬送領域Cの基板搬送ロボットCRの動作、インデクサIDのインデクサロボットIRの動作および後述のリンス乾燥処理部6の動作を制御する。
基板処理装置100は、ダウンフロー(下降流)方式のクリーンルーム内等に設けられる。
図3は基板処理装置100の制御系の構成を示すブロック図である。
制御部4は、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRの基板搬送動作を制御する。また、制御部4は、気相洗浄処理部VPCの洗浄動作、IPA生成部5のIPA生成動作およびリンス乾燥処理部6のリンスおよび乾燥動作を制御する。
図4は気相洗浄処理部VPCの断面図である。図4に示すように、気相洗浄処理部VPCは、筒状のハウジング200を有する。このハウジング200内に、基板Wを気相洗浄するための処理液であるフッ酸を貯留するフッ酸タンク202が設けられている。フッ酸タンク202は、底壁202aを有する。
フッ酸タンク202の内部に、フッ酸蒸気を発生する蒸気発生部206が形成されている。フッ酸タンク202の上部は、カバー204で密閉されている。
フッ酸タンク202の下部には、フッ酸タンク202の底壁202aの最下面に密接するように筒状の内側ハウジング208が設けられている。この内側ハウジング208内に、洗浄すべき基板Wを保持するとともに鉛直軸回周りに回転可能な基板保持装置210が設けられるとともに、底壁202aと基板Wとの間にフッ酸蒸気を供給する蒸気供給部212が設けられている。なお、基板保持装置210は、後述のホットプレート214および支軸216を含む。なお、基板保持装置210は、100〜800rpm(revolutions per minute)程度で比較的に低速回転される。
ホットプレート214には、ヒータ(図示せず)が内蔵され、このホットプレート214の中心に支軸216が接続されている。そして、支軸216とハウジング200外に設けられた電動モータ218とがベルト式伝動機構220を介して連結されている。
ホットプレート214および支軸216の内部には基板Wを真空吸着するための真空吸引路222が形成されている。ホットプレート214に内蔵されたヒータは、温度制御装置(図示せず)により制御されている。この温度制御装置は、ホットプレート214の表面温度を蒸気供給部212の雰囲気温度と同一またはこの雰囲気温度よりも高い温度に維持している。
底壁202aの下面側に蒸気空間258が設けられている。蒸気空間258を覆うように多孔板256が底壁202aの下面に設けられている。これにより、蒸気供給部212が構成される。
ホットプレート214が設けられている高さとほぼ等しい高さにおいて、内側ハウジング208およびハウジング200にはそれぞれ基板Wの出し入れ用の開口208a,200aが形成されている。この開口208a,200aには、それぞれシャッタ224b,224cが開閉自在に設けられている。シャッタ224b,224cは、ラックギア(図示せず)にピニオンギア(図示せず)を噛み合わせ、このピニオンギアを電動モータ224aで回転駆動させることにより開閉される。
また、ハウジング200の開口200aの外方に屈伸アーム式の基板搬送機構226が設けられている。気相洗浄処理部VPC内への基板Wの搬入時には、シャッタ224b,224cが開かれた後、基板搬送機構226により基板Wが保持された状態で開口200a,208aを通してホットプレート214上に搬入される。その後、基板搬送機構226は、ハウジング200外に後退し、シャッタ224b,224cが閉じる。
シャッタ224b、224cが閉じられるとともに、基板Wがホットプレート214上に吸着保持される。一方、気相洗浄処理部VPC外への基板Wの搬出時には、シャッタ224b,224cが開かれた後、基板搬送機構226が開口200a,208aを通してホットプレート214上に進入する。その後、基板搬送機構226により基板Wが保持され、開口208a,200aを通してハウジング200外に基板Wが搬出され、シャッタ224b,224cが閉じる。
フッ酸タンク202の内部には、ホルダー(図示せず)により支持された温水配管228が設けられている。また、フッ酸タンク202の底壁202a内には、温水流路230が形成されている。
温水配管228は、温水供給管232を介してハウジング200外に設けられた温水供給源(図示せず)に接続されている。温水流路230は、温水を排出するための温水排出管234に接続されている。なお、温水がハウジング208内の下部に排出されるように、上記温水排出管234は、ハウジング208内の下部に向かって延びている。ハウジング208内の下部には、温水排出口(図示せず)が設けられている。
温水供給管232、温水配管228、温水流路230および温水排出管234により形成される循環路に温水が循環される。それにより、フッ酸タンク202内に貯留されるフッ酸が温水により加熱されて蒸発することによってフッ酸蒸気となる。
蒸気発生部206には、温度センサSが設けられている。温度センサSは、フッ酸タンク202内のフッ酸の温度を測定する。測定されたフッ酸の温度に基づいて温水配管228および温水流路230内を流動する温水の量が調節されることにより、フッ酸の温度が沸点未満の温度に保持されている。
フッ酸タンク202には、フッ酸のオーバーフロー用の流路236が接続されている。流路236は、自動開閉弁238を介してハウジング200外に設けられたオーバーフロー回収部(図示せず)に接続されている。
また、フッ酸タンク202には、フッ酸を供給するためのフッ酸供給管240が接続されている。フッ酸供給管240は、バルブ242を介してハウジング200外に設けられたフッ酸を貯留するためのフッ酸貯留槽(図示せず)に接続されている。
初期時およびフッ酸補充時において、フッ酸貯留槽に貯留されたフッ酸が、フッ酸供給管240を介してフッ酸タンク202内にオーバーフローするまで供給される。フッ酸のオーバーフローが生じた時点で、バルブ242を閉じる。それにより、適量のフッ酸がフッ酸タンク202内に貯留される。
フッ酸タンク202内に適量のフッ酸が貯留された後は、自動開閉弁238を閉じる。それにより、基板Wの気相洗浄時において、フッ酸蒸気が流路236を通って漏洩することを防止することができる。
蒸気発生部206内と蒸気供給部212内とを連通させるように蒸気供給路244が底壁202aに設けられている。また、カバー204上には、蒸気供給路244を自動的に開閉するための上下動可能な開閉部246が設けられている。
蒸気発生部206のカバー204には、フッ酸蒸気のキャリアガスとしての窒素(N2 )ガスを供給するガス供給管248が接続されている。ガス供給管248は、バルブ250を介してハウジング200外に設けられた窒素ガス供給源(図示せず)に接続されている。なお、窒素ガス供給源には、窒素ガスを加熱するためのヒータ(図示せず)が設けられている。
上記ヒータにより加熱された窒素ガスが、ガス供給管248を通って蒸気発生部206に導入されることにより、窒素ガスの流れとともに蒸気発生部206のフッ酸蒸気が蒸気供給路244に流入する。
また、蒸気供給部212には、フッ酸蒸気に混合される混合ガスとしての窒素ガスを供給する混合ガス供給管252が接続されている。混合ガス供給管252は、バルブ254を介してハウジング200外に設けられた混合ガス供給源(図示せず)に接続されている。
なお、ガス供給管248および混合ガス供給管252には、それぞれ窒素ガスの温度を設定温度に保持するための温度調整器(図示せず)が介挿されている。
蒸気供給路244に流入したフッ酸蒸気は、蒸気空間258に供給され、多孔板256の複数の孔部(図示せず)を通って、ホットプレート214上の基板Wの表面に供給される。
蒸気供給部212では、底壁202aに形成された温水流路230による加熱とホットプレート214からの加熱とによって、フッ酸蒸気の温度が露点を超える温度に保持されている。
内側ハウジング208の下部には、排気管262が接続されている。排気管262は、流量制御弁260を介してハウジング200外に設けられた吸引排気装置(図示せず)に接続されている。また、内側ハウジング208とハウジング200とで囲まれる領域における下部には、排気管266が接続されている。排気管266は、流量制御弁264を介してハウジング200外に設けられた吸引排気装置(図示せず)に接続されている。
ここで、流量制御弁260の開度が流量制御弁264の開度よりも大きくなるように設定されている。それにより、内側ハウジング208内からの吸引排気量が、内側ハウジング208とハウジング200とで囲まれる空間内からの吸引排気量よりも多くなる。これにより、基板Wに供給された後に排出されるフッ酸蒸気の外部への漏れを防止することができる。
図5はリンス乾燥処理部6の概略断面図である。図5に示すように、リンス乾燥処理部6は、基板プッシャ60、基板スライドガイド61、リンス液貯留タンク62、乾燥部63、基板ガイド64および基板キャッチャ65を有する。リンス液貯留部62は、基板Wをリンスするためのリンス液としての純水を貯留する。なお、本実施の形態では、リンス液として純水を採用しているが、これに限定されるものではなく、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水および低濃度の有機溶媒のうちいずれであってもよい。
リンス液貯留タンク62と乾燥部63とは互いに密接して設けられている。リンス液貯留タンク62は、基板Wがリンス液貯留タンク62に進入するための進入口62aおよび基板Wをリンス液貯留タンク62から排出するための排出口62bを有する。また、乾燥部63は、リンス液貯留タンク62と同様に、基板Wが乾燥部63に進入するための進入口63aおよび基板Wを乾燥部63から排出するための排出口63bを有する。
リンス液貯留タンク62の下部は、リンス液供給管62cを介してリンス液供給源(図示せず)に接続されている。このリンス液供給源は、リンス液貯留タンク62内にリンス液を供給する。また、リンス液貯留タンク62の上部は、真空排気管62dを介して真空ポンプ(図示せず)に接続されている。
乾燥部63の下部は、IPA供給管63cを介してIPA生成部5に接続されている。また、乾燥部63の側部は、排気管63dを介して排気装置(図示せず)に接続されている。
リンス液貯留タンク62の進入口62aおよび排出口62bならびに乾燥部63の進入口63aおよび排出口63bは、それぞれ同じ高さの位置に設けられている。
リンス液貯留タンク62の進入口62aから水平に延びるように、基板Wをリンス液貯留タンク62内に導くための基板スライドガイド61が設けられている。基板Wは、基板プッシャ60により押されることにより、基板スライドガイド61上をスライドし、進入口62aからリンス液貯留タンク62内に進入する。
リンス液貯留タンク62内に進入した基板Wは、リンス液貯留タンク62内を徐々に水平方向に進むことによって洗浄される。なお、リンス液貯留タンク62内が真空ポンプにより真空引きされていることにより、進入口62aおよび排出口62bからはリンス液はほとんど漏洩しない。
その後、基板Wは、リンス液貯留タンク62の排出口62bから排出されるとともに、乾燥部63の進入口63aから乾燥部63内に進入する。乾燥部63内に進入した基板Wは、IPA供給管63cから揮発性のIPA蒸気を供給されることにより乾燥する。この場合、IPA蒸気は、キャリアガスとしての窒素ガスにより基板W上に導かれる。なお、乾燥部63内は排気装置により排気されている。
その後、基板Wは、乾燥部63の排出口63bから排出される。このように、基板Wは、リンス液貯留タンク62内を通過することにより洗浄された後、乾燥部63内を通過することにより乾燥される。
排出口63bから排出された基板Wは、基板ガイド64および基板キャッチャ65により保持されながらスペース7へ導かれる。
本実施の形態においては、気相洗浄処理部VPCにより基板Wの気相洗浄処理が行われ、気相洗浄処理が行われた基板Wにリンス乾燥処理部6によりリンス処理および乾燥処理が行われる。この場合、気相洗浄処理部VPCは、基板Wを所定の温度に維持しつつ低速回転させながら、基板Wに反応性ガスとしてのフッ酸蒸気を供給する。すなわち、気相洗浄処理部VPCにおいては、基板Wに気体(反応性ガス)が供給されるものの液体が供給されることはない。リンス乾燥処理部6では、基板Wが基板プッシャ60によって押されることにより、リンス液貯留タンク62の進入口62aからリンス液貯留タンク62内に進入し、リンス液貯留タンク62内を通過することにより洗浄された後、リンス液貯留タンク62の排出口62bから排出される。また、リンス液貯留タンク62の排出口62bから排出された基板Wは、リンス液貯留タンク62の排出口62b側に設けられた乾燥部63内を通過することによりIPAの蒸気によって乾燥される。つまり、リンス乾燥処理部6では、基板Wに純水等の液体が供給されるものの基板Wが回転することはない。
このように、基板処理装置100では、基板Wに液体が供給された状態で基板Wが回転することがないので、基板W上に静電気が発生しない。それにより、基板Wの洗浄処理開始から乾燥処理終了までの間、基板W上の素子が静電気によって破壊されることを防止することができるとともに、帯電した基板Wに塵埃等のパーティクルが付着することを防止することができる。
また、IPAの蒸気により基板Wを乾燥させるので、乾燥むらによる基板W上のしみ(ウォーターマーク)の発生を防止することができる。
さらに、リンス乾燥処理部6が、気相洗浄処理部VPCの上方に配置されているので、フットプリントを低減することができる。
本実施の形態においては、リンス液貯留タンク62がリンス液貯留部に相当し、基板プッシャ60および基板スライドガイド61が基板移動手段に相当し、フッ酸蒸気がフッ化水素ガスに相当する。
なお、本実施の形態においては、リンス乾燥処理部6において、アルコール系有機溶媒の一種であるIPAを用いて基板Wを乾燥させているが、これに限定されるものではなく、他のアルコール系有機溶媒を用いてもよい。
本発明に係る基板処理装置および基板処理方法は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の種々の基板に処理を行うため等に利用することができる。
6 リンス乾燥処理部
60 基板プッシャ
61 基板スライドガイド
62 リンス液貯留タンク
62a 進入口
62b 排出口
63 乾燥部
64 基板ガイド
65 基板キャッチャ
100 基板処理装置
VPC 気相洗浄処理部
W 基板
60 基板プッシャ
61 基板スライドガイド
62 リンス液貯留タンク
62a 進入口
62b 排出口
63 乾燥部
64 基板ガイド
65 基板キャッチャ
100 基板処理装置
VPC 気相洗浄処理部
W 基板
Claims (6)
- 所定の反応性ガスにより基板に気相洗浄処理を行う気相洗浄処理部と、
前記気相洗浄処理部により気相洗浄処理が行われた基板にリンス処理および乾燥処理を行うリンス乾燥処理部とを備え、
前記リンス乾燥処理部は、
基板の進入口および排出口を有し、リンス液を貯留するリンス液貯留部と、
前記リンス液貯留部の前記排出口側に設けられ、揮発性有機溶媒の蒸気により基板の乾燥を行う乾燥部と、
基板を前記進入口から前記リンス液貯留部内のリンス液中に進入させ、前記排出口から排出させるとともに前記乾燥部を通過させる基板移動手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記揮発性有機溶媒は、アルコール系有機溶媒であることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記アルコール系有機溶媒は、イソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記反応性ガスはフッ化水素ガスを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記リンス乾燥処理部は、前記気相洗浄処理部の上方に配置されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 所定の反応性ガスにより基板に気相洗浄処理を行うステップと、
気相洗浄処理が行われた基板に対して、基板を回転させることなくリンス液により基板をリンス処理し、揮発性有機溶媒の蒸気により基板の乾燥処理を行うステップとを備えたことを特徴とする基板処理方法。
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Cited By (3)
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-
2003
- 2003-12-09 JP JP2003409894A patent/JP2005175037A/ja not_active Abandoned
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100922664B1 (ko) | 2006-09-26 | 2009-10-19 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 |
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US11373860B2 (en) | 2016-09-16 | 2022-06-28 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Method of restoring collapsed pattern, substrate processing method, and substrate processing device |
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