CN101140858A - 基板处理装置 - Google Patents
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Abstract
回收槽内存储的处理液，借助泵的抽吸，经由配管，通过杂质去除过滤器及离子成分去除过滤器后，贮存在精制槽内。在杂质去除过滤器中，除去处理液中含有的杂质(例如，水分、蚀刻残渣或颗粒等)。在离子成分去除过滤器中，除去含酸性液体、HFE及亲水性有机溶剂的处理液中的离子成分(主要为阴离子)。例如，当采用氢氟酸(HF)作为酸性液体时，通过离子成分去除过滤器除去氟离子(F－)。另外，采用离子成分去除过滤器，也可以除去处理液中含有的水分、亲水性有机溶剂或金属离子等。
Description
技术领域
本发明涉及对基板实施处理的基板处理装置。
背景技术
此前，在半导体元件、液晶显示器等制造工序中，在基板处理装置中对在基板上形成的氧化膜等进行蚀刻时、在洗涤基板表面时以及在去除基板上的聚合物残渣时等，采用各种药液。
在上述基板处理装置中，通过向旋转卡盘上保持的基板表面供给药液，对基板进行上述处理。
另外，采用这种基板处理装置时，设置处理杯，使其包围住旋转卡盘上保持的基板。把从通过旋转卡盘旋转的基板上振落下来的药液，用上述处理杯捕集，通过配管送至气液分离装置(例如，参见日本特开平09-064009号公报)。
在气液分离装置中，使用过的药液被分离成气体成分与液体成分。而且，通过气液分离装置分离出的气体成分被排至外部，液体成分被废弃。
用于对基板进行上述处理的药液一般是昂贵的。因此，当药液的用量增加时，处理成本(运行成本)显著增加。另一方面，使用过的药液由于浓度、成分等发生变化，难以再利用。
发明内容
本发明的目的是提供一种可降低处理成本的基板处理装置。
(1)本发明的一种方式的基板处理装置，其对基板实施处理，其中具有：供给部，该供给部向基板供给含有氟类有机溶剂及酸性液体的处理液；回收部，该回收部回收从供给部供给给基板的处理液；离子去除部，该离子去除部通过去除回收部回收到的处理液中的酸性液体的阴离子，得到阴离子被去除的去除后处理液；混合部，该混合部通过在离子去除部得到的去除后处理液中混合酸性液体，使处理液再生；第1循环系统，该第1循环系统将混合部再生的处理液返回至供给部。
在该基板处理装置中，通过供给部向基板供给含有氟类有机溶剂及酸性液体的处理液。供给给基板的处理液通过回收部进行回收。另外，回收的处理液中的酸性液体的阴离子，通过离子去除部去除，由此，能够得到阴离子被去除的去除后处理液。而且，通过混合部向得到的去除后处理液中混合酸性液体，可使处理液再生。再生过的处理液通过第1循环系统返回至供给部。
采用上述构成，通过去除处理液中的酸性液体的阴离子，可从处理液除去酸性液体，可得到含有氟类有机溶剂的去除后处理液。另外，通过向去除后处理液中混合酸性液体，可再生具有所希望的浓度及成分的处理液。因此，可以再利用昂贵的氟类有机溶剂。由此，可降低处理成本。
(2)氟类有机溶剂，也可以含有氢氟醚类、氢氟烃类及全氟卤代烷基醚类中的1种以上。
此时，通过在处理液中含有酸性液体及上述各种氟类有机溶剂，可以提高该酸性液体的基板处理精度。
(3)离子去除部也可以含有氧化铝构成的过滤器。此时，阴离子通过氧化铝被吸附，而从处理液中除去阴离子。由此，可有效地去除处理液中的酸性液体。
(4)基板处理装置，液可以再具有杂质去除部，用以去除回收部回收的处理液中含有的杂质。
此时，回收部回收得到的处理液中含有的杂质可通过杂质去除部去除，由此，可提高去除后处理液中含有的氟类有机溶剂的纯度。
(5)基板处理装置，也可以再具有贮藏部，贮藏由离子去除部得到的去除后处理液。
此时，为了进行基板处理，在必要的时候，可从贮藏部供给必要的量的去除后处理液。由此，可以谋求处理的迅速化。
(6)基板处理装置，也可以再具有浓度检测器，用以检测贮藏部中贮藏的去除后处理液中的至少1种成分的浓度，混合部也可根据浓度检测器的检测结果，向去除后处理液中混合酸性液体。
此时，通过浓度检测器检出贮藏部中贮藏的去除后处理液中的至少1种成分的浓度。而且，根据浓度检测器的检测结果，通过混合部向去除后处理液中混合酸性液体。因此，通过检测去除后处理液中的至少1种成分的浓度，可以调节混合部中混合的酸性液体的量。由此，可向基板供给对应于处理的种类的新的处理液。
(7)基板处理装置，也可再具有第2循环系统，其根据浓度检测器的检测结果，使贮藏部贮藏的去除后处理液返回至离子去除部的上游。
此时，根据浓度检测器的检测结果，通过第2循环系统，使贮藏部贮藏的去除后处理液，返回至离子去除部的上游。采用这种构成，即使未被除去的阴离子残留在去除后处理液中时，该去除后处理液再次返回至离子去除部，在该离子去除部中去除阴离子。由此，可以确实去除除去后处理液中的酸性液体，因而，去除后处理液中含有的氟类有机溶剂的纯度可达到十分高。
(8)酸性液体，也可含有氢氟酸、盐酸、硫酸及磷酸中的1种以上。
通过采用这种酸性液体，可有效地进行基板上膜的蚀刻处理、基板表面的洗涤处理或基板上残渣的去除处理等。
(9)从供给部向基板供给的处理液，可进一步含有亲水性有机溶剂；离子去除部可进一步去除通过回收部回收的处理液中的亲水性有机溶剂，混合部可进一步向离子去除部得到的去除后处理液中混合亲水性有机溶剂。
如上述，通过在供给部供给给基板的处理液中含有亲水性有机溶剂，酸性液体中难溶解的氟类有机溶剂可容易地混合在处理液中。
另外，通过离子去除部去除由回收部回收的处理液中的亲水性有机溶剂，通过混合部在通过离子去除部得到的去除后处理液中混合亲水性有机溶剂。采用这种构成，可以去除使用后的处理液中的不要的亲水性有机溶剂，同时对于基板处理，在必要时，可把必要量的亲水性有机溶剂，混合在去除后处理液中。
(10)亲水性有机溶剂，也可以含有醇类及酮类中的1种以上。
此时，通过使亲水性有机溶剂含有醇类及酮类中的1种以上，可容易地把氟类有机溶剂混合在处理液中。
(11)供给部，向基板供给处理液后，也可将未通过混合部混合酸性液体的去除后处理液供给至基板。
由此，可通过供给部把未混合酸性液体的氟类有机溶剂供给至基板。此时，通过供给部向基板供给漂洗处理中挥发性高的氟类有机溶剂，由此，可以提高漂洗处理后的基板干燥性，同时，也可以不设置漂洗处理时把纯水供给给基板的纯水喷嘴等，故可以谋求基板处理装置能够节省空间。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置的构成的剖面图。
图2是表示回收再利用装置的构成的模式框图。
图3是表示基板处理装置的控制系统的构成的框图。
具体实施方式
下面，边参照附图边对本发明一实施方式的基板处理装置进行说明。
下面的所谓基板，意指半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、PDP(等离子体显示器面板)用玻璃基板、光学掩膜用玻璃基板、以及光盘用基板等。
(1)基板处理装置的构成
下面，边参照附图边对本实施方式的基板处理装置的构成进行说明。
采用该基板处理装置，对基板上的膜进行蚀刻处理、对基板表面进行洗涤处理或对基板上的聚合物残渣(例如，抗蚀膜残渣)进行去除处理等。在下列说明中，对作为一例的基板上的对氧化膜进行的蚀刻处理加以说明。
图1是表示本实施方式的基板处理装置MP的构成的剖面图。
如图1所示，基板处理装置MP具有：壳体101；旋转卡盘21，其设置在内部同时与基板W大致保持水平并且围绕通过基板W大致中心的垂直轴线旋转；以及，风扇过滤器单元FFU，其设置成塞住壳体101上端开口。通过风扇过滤器单元FFU，在壳体101内形成下降流。另外，风扇过滤器单元FFU由风扇与过滤器构成。
旋转卡盘21，固定在通过卡盘旋转驱动机构36旋转的旋转轴25的上端。基板W，当用处理液进行蚀刻处理时，通过旋转卡盘21以保持在水平的状态下旋转。
在旋转卡盘21的外侧，设置第1马达60。第1马达60与第1旋转轴61连接。另外，第1旋转轴61，与第1臂62连接，使第1臂62在水平方向的延伸，在第1臂62的前端设置处理液喷嘴50。
处理液喷嘴50，把基板W上形成的氧化膜进行蚀刻的处理液供给至基板W上。对通过处理液喷嘴50向基板W上供给的处理液的详细情况，在后面进行说明。
在旋转卡盘21的外侧，设置有第2马达71。第2马达71与第2旋转轴72连接，第2旋转轴72与第2臂73连接。另外，在第2臂73的前端设置有纯水喷嘴70。纯水喷嘴70，在蚀刻处理后进行漂洗时向基板W上供给纯水。采用处理液喷嘴50进行蚀刻处理时，纯水喷嘴70退至规定的位置。
旋转卡盘21的旋转轴25由空心轴构成。在旋转轴25的内部插通处理液供给管26。向处理液供给管26供给纯水或蚀刻液的药液等处理液。处理液供给管26延伸至旋转卡盘21保持的基板W的下面的相邻的位置。在处理液供给管26的前端设置下面喷嘴27，向基板W的下面中央喷出处理液。
旋转卡盘21，收容在处理杯23内。在处理杯23的内侧，设置筒状的间隔壁33。另外，形成排液空间31，其围绕旋转卡盘21的周围，以用于排出基板W蚀刻处理时使用的处理液。另外，围绕排液空间31，在处理杯23与间隔壁33之间形成回收液空间32，用于回收基板W蚀刻处理时使用的处理液。
排液空间31与排液管34连接，该排液管用于向排液处理装置(未图示)导入处理液，回收液空间32与回收管35连接，该回收管用于向后述的回收再利用装置导入处理液。
在处理杯23的上方，设置保护装置24，用于防止处理液从基板W向外侧飞散。该保护装置24，对旋转轴25以旋转对称的形状构成。在保护装置24的上端部内面上，环状地形成有剖面为ㄑ状的排液引导槽41。
在保护装置24的下端部内表面上，形成回收液导向部42，其由向外侧下方倾斜的倾斜面构成。在回收液导向部42的上端附近形成隔壁收容槽43，用于收容处理杯23的隔壁33。上述保护装置24与采用滚珠螺杆机构等构成的保护装置升降驱动机构(未图示)连接。
保护装置升降驱动机构，使保护装置24，在回收液导向部42对着旋转卡盘21上保持的基板W的外周端面的回收位置与、排液引导槽41对着旋转卡盘21上保持的基板W的外周端面的排液位置之间上下移动。
当保护装置24处于回收位置(图1中所示的保护装置24的位置)时，从基板W向外侧飞散的处理液通过回收液导向部42引导至回收液空间32，通过回收管35加以回收。另一方面，当保护装置24处于排液位置时，从基板W向外侧飞散的处理液通过排液引导槽41引导至排液空间31，通过排液管34加以排液。采用上述构成，进行处理液的排液及回收。还有，当基板W移至旋转卡盘21时，保护装置升降驱动机构，使保护装置24退至比排液位置更下方处，使保护装置24的上端部24a移动达到比旋转卡盘21的基板W保持高度低的位置。
在旋转卡盘21的上方设置有在中心部具有开口的圆板状的遮挡板22。在臂28的前端附近的垂直的下方向上设置支持轴29，在该支持轴29下端，对着旋转卡盘21上保持的基板W的上表面安装遮挡板22。
在支持轴29的内部，插通与遮挡板22的开口连通的氮气供给管路30。向氮气供给管路30供给氮气(N2)。该氮气供给管路30，在用纯水漂洗处理后的干燥处理时，对基板W供给氮气。
另外，在氮气供给管路30的内部，插通与遮挡板22开口连通的纯水供给管路39。向纯水供给管路39供给纯水等。
臂28与遮挡板升降驱动机构37及遮挡板旋转驱动机构38连接。遮挡板升降驱动机构37，使遮挡板22，在旋转卡盘21上保持的基板W的上表面的相邻的位置与、从旋转卡盘21离开的上方的位置之间上下移动。另外，遮挡板旋转驱动机构38使遮挡板22旋转。
(2)回收再利用装置的构成
下面边参照附图边对回收再利用装置的构成进行说明，该回收再利用装置再利用通过图1的回收管35回收的处理液。
图2是表示回收再利用装置100的构成的模式框图。
如图2所示，回收再利用装置100具有回收槽110。回收管35延伸至回收槽110内。采用这种构成，处理液通过回收管35贮藏在回收槽110内。
回收槽110，通过配管111与精制槽112连接。配管111依次从回收槽110侧插入泵113、杂质去除过滤器114及离子成分去除过滤器115。
在本实施方式中，为了蚀刻基板W上形成的氧化膜，作为通过图1的处理液喷嘴50供给至基板W的处理液，可以采用在酸性药液(例如，氢氟酸(HF)、盐酸(HCl)、硫酸(H2SO4)、或磷酸(H3PO4)等)中混入挥发性高的氟类有机溶剂及亲水性有机溶剂的溶液。下面，把上述酸性药液称作酸性液体。
酸性液体中混入氟类有机溶剂是为了提高蚀刻处理的精度。但是，由于上述氟类有机溶剂是疏水性的，故在酸性液体中进行混合困难。
因此，在本实施方式中，在酸性液体及氟类有机溶剂中混合亲水性有机溶剂。由此，氟类有机溶剂可良好地在酸性液体中混合。
作为氟类有机溶剂的例子，可以举出氢氟醚类(Hydrofluoroethers：HFEs)、氢氟烃类(Hydrofluorocarbons：HFCs)以及全氟卤代烷基醚类(per-fluoroalkylhaloeters：PFAHEs)等。
作为氢氟醚类的具体例子，可以举出CH3OCF2CF2CF3、C2H5OCF2CF3、C2H5C(OCH3)CF(CF3)2、n-C3F7OCH3、(CF3)2CFOCH3、n-C4F9OCH3、(CF3)2CFCF2OCH3、n-C3F7OC2H5、n-C4F9OC2H5、(CF3)3COCH3、(CF3)3COC2H5、C4F9OC2F4H、C6F1 3OCF2H、HCH3F6OC3F6H、C3F7OCH2F、HCF2OCF2OCF2H、HC2OCF2CF2OCF2H、HC3F6OCH3、HCF2OCF2OC2F4OCF2H等。
另外，作为氢氟烃类的具体例子，可以举出CF3CHFCHFCF2CF3、CF3CH2CF2H、CF2HCF2CH2F、CH2FCF2CFH2、CF2HCH2CF2H、CF2HCFHCF2H、CF3CFHCF3、CF3CH2CF3、CHF2(CF2)H、CF3CF2CH2CH2F、CF3CH2CF3CH2F、CH3CHFCF2CF3、CF3CH2CH2CF3、CH2FCF2CF2CH2F、CF3CH2CF2CH3、CHF2CH(CF3)CF3、CHF(CF3)CF2CF3、CF3CH2CHFCF2CF3、CF3CHFCH2CF2CF3、CF3CH2CHFCF2CF3、CF3CHFCH2CF2CF3、CF3CH2CF2CH2CF3、CF3CHFCHFCF2CF3、CF3CH2CH2CF2CF3、CH3CHFCF2CF2CF3、CF3CF2CF2CH2CH3、CH3CF2CF2CF2CF3、CF3CH2CHFCH2CF3、CH2FCF2CF2CF2CF3、CHF2CF2CF2CF2CF3、CH3CF(CHFCHF2)CF3、CH3CH(CF2CF3)CF3、CHF2CH(CHF2)CF2CF3、CHF2CF(CHF2)CF2CF3、CHF2CF2CF(CHF2)CF2CF3、CHF2CF(CHF2)CF2CF3、CHF2CF2CF(CF3)2、CHF2(CF2)4CF2H、(CF3CH2)2CHCF3、CH3CHFCF2CHFCHFCF3、HCF2CHFCF2CF2CHFCF2H、H2CFCF2CF2CF2CF2CF2H、CHF2CF2CF2CF2CF2CHF2、CH3CF(CF2H)CHFCHFCF3、CH3CF(CF3)CHFCHFCF3、CH3CF(CF3)CF2CF2CF3、CHF2CF2CH(CF3)CF2CF3、CHF2CF2CF(CF3)CF2CF3、CH3CHFCH2CF2CHFCF2CF3、CH3(CF2)5CH3、CH3CH2(CF2)CF4CF3、CF3CH2CH2(CF2)3CF3、CH2FCF2CHF(CF2)3CF3、CF3CF2CF2CHFCHFCF2CF3、CF3CF2CF2CHFCFCHFCF2CF3、CF3CF2CF2CHFCF2CF2CF3、CH3CH(CF3)CF2CF2CF2CH3、CH3CF(CF3)CH2CFHCF2CF3、CH3CF(CF2CF3)CHFCF2CF3、CH3CH2CH(CF3)CF2CF2CF3、CHF2CF(CF3)(CF2)3CH2F、CH3CF2C(CF3)2CF2CH3、CHF2CF(CF3)(CF2)3CF3、CH3CH2CH2CH2CF2CF2CF2CF2CF3、CH3(CF2)6CH3、CHF2CF(CF3)(CF2)4CHF2、CHF2CF(CF3)(CF2)4CHF2、CH3CH2CH(CF3)CF2CF2CF2CF3、CH3CF(CF2CF3)CHFCF2CF2CF3、CH3CH2CH2CHFC(CF3)2CF3、CH3C(CF3)2CF2CF2CF2CH3、CH3CH2CH2CF(CF3)CF(CF3)2、CH2FCF2CF2CHF(CF2)3CF3等。
另外，作为全氟卤代烷基醚类的具体例子，可以举出c-C6F11-OCH2Cl、(CF3)2CFOCHCl2、(CF3)2CFOCH2Cl、CF3CF2CF2OCH2Cl、CF3CF2CF2OCHCl2、(CF3)2CFCF2OCHCl2、(CF3)2CFCF2OCH2Cl、CF3CF2CF2CF2OCH2Cl、(CF3)2CFCF2OHClCH3、CF3CF2CF2CF2OCHClCH3、(CF3)2CFCF(C2F5)OCH2Cl、(CF3)2CFCF2OCH2Br、CF3CF2CF2OCH2I等。另外，在本实施方式中，例如，作为氟类有机溶剂，采用氢氟醚类(下面简称HFE)。
HFE具有的特性是，其沸点比纯水及一般洗涤处理中使用的IPA(异丙醇)低，比重(密度)比IPA大，表面张力比纯水及IPA小。另外，HFE，在纯水中比在IPA中的溶解度低。
作为亲水性有机溶剂的例子，可以举出醇类及酮类(例如，丙酮)等。
在上述回收槽110内存储的处理液，采用泵113的抽吸操作，经由配管111，通过杂质去除过滤器114及离子成分去除过滤器115后，存储在上述精制槽112内。在杂质去除过滤器114中，处理液中含有的杂质(例如，水分、蚀刻残渣或颗粒等)被去除。
在上述离子成分去除过滤器115中，可以除去含酸性液体、HFE及亲水性有机溶剂的处理液中的离子成分(主要是阴离子)。
在本实施方式中，当采用氢氟酸(HF)作为酸性液体时，通过离子成分去除过滤器115除去氟离子(F-)，当采用盐酸(HCl)作为酸性液体时，通过离子成分去除过滤器115除去氯离子(Cl-)。
同样地，当采用硫酸(H2SO4)作为酸性液体时，通过离子成分去除过滤器115除去硫酸离子(SO4 2-)，当采用磷酸(H3PO4)作为酸性液体时，通过离子成分去除过滤器115除去磷酸离子(PO4 3-)。
此时，氢离子(H+)作为氢分子(H2)放出。由此，可从处理液中除去酸性液体。
还有，采用离子成分去除过滤器115，也可以除去处理液中含有的水分、亲水性有机溶剂或金属离子等。
由此，可从处理液中去除酸性液体、亲水性有机溶剂及杂质。
在本实施方式中，作为离子成分去除过滤器115，例如，可以采用氧化铝构成的过滤器。氧化铝是通过烧结氢氧化铝而得到的白色结晶粉末。高温下焙烧得到的氧化铝(α-氧化铝)，具有化学稳定、熔点高、机械强度及绝缘电阻大、硬度高的特性。氧化铝，由于具有羟基(-OH)且具有活性炭那样的气孔(细孔)分布，可以用作去除处理液中含有的离子成分的吸附材料。本例的离子成分去除过滤器115，把通过烧结上述结晶粉末得到的粒状烧结氧化铝球体填充在容器中而构成。
接下来，把采用离子成分去除过滤器115去除了上述离子成分的处理液通过配管111存储在精制槽112内。下面，把采用离子成分去除过滤器115去除了上述离子成分的处理液称作去除后处理液。
在精制槽112内设置浓度传感器S1，用于测定该精制槽112内的去除后处理液中残留的阴离子(例如，氟离子(F-)、氯离子(Cl-)、硫酸离子(SO4 2-)、或磷酸离子(PO4 3-))的浓度。另外，在精制槽112内设置浓度传感器S2，用于测定该精制槽112内的去除后处理液中残留的亲水性有机溶剂(例如，醇类或酮类)的浓度。
精制槽112，经由配管116与混合阀117的1个液体入口连接。配管116插入泵118。采用该构成，精制槽112内存储的去除后处理液，通过泵118的抽吸操作，经过配管116，送至混合阀117内。
混合阀117的另外2个液体入口分别经由配管119及配管112与酸性液体供给源120及亲水性有机溶剂供给源123连接。配管119中插入阀门121，配管124中插入阀门124。
上述酸性液体供给源120供给酸性液体(氢氟酸(HF)、盐酸(HCl)、硫酸(H2SO4)、或磷酸(H3PO4)等)，上述亲水性有机溶剂供给源123，供给亲水性有机溶剂(醇类或酮类)。
在该构成中，按照上述浓度传感器S1的测定结果，来自酸性液体供给源120的酸性液体，通过配管119及阀门121，供给给混合阀117。而且，在混合阀117中，去除后处理液与供给的上述酸性液体混合。
另外，按照上述浓度传感器S2的测定结果，来自亲水性有机溶剂供给源123的亲水性有机溶剂，通过配管122及阀门124，供给给混合阀117。而且，在混合阀117中，去除后处理液与供给的上述亲水性有机溶剂进行混合。
混合阀117的液体出口，通过配管125与图1的处理液喷嘴50连接。在混合阀117中，在去除后处理液中混合酸性液体及亲水性有机溶剂的一方或两方所生成的处理液(下面称作新处理液)，通过配管125及置于该配管125中的阀门125a，供给至图1的处理液喷嘴50。由此，通过处理液喷嘴50把新处理液供给到基板W上。
其中，精制槽112与配管126的一端连接。该配管126的另一端，与上述泵113与杂质去除过滤器114之间的配管111的部分连接。配管126中设置有泵128及逆流防止阀129。
浓度传感器S1测定的阴离子浓度或浓度传感器S2测定的亲水性有机溶剂的浓度当超过分别预先设定的阈值时，打开阀门127，精制槽112内的去除后处理液，通过泵128的抽吸动作，通过配管126及逆流防止阀129送至配管111内。
而且，送至配管111内的去除后处理液，通过杂质去除过滤器114及离子成分去除过滤器115去除杂质及离子成分的一方或两方，送至精制槽112内。浓度传感器S1测定的阴离子浓度及浓度传感器S2测定的亲水性有机溶剂的浓度，分别达到预先设定的阈值以下时，反复进行上述处理。由此，去除后处理液中的氟类有机溶剂纯度增高。
还有，通过回收再利用装置100回收而再利用的新处理液，例如，在基板W的批量处理终止后，也可通过未图示的配管及排出装置排至外部。
(3)基板处理装置的控制系统
图3是表示基板处理装置MP的控制系统的构成的框图。
在图3中，控制部200由CPU(中央运算处理装置)及存储器等构成。控制部200基于图1的基板处理装置MP的处理工序及浓度传感器S1、S2的测定结果，控制泵113、118、128及阀门121、124、125a、127。由此，能够在回收及再利用处理液中的氟类有机溶剂的同时进行通过基板处理装置MP进行的处理。
(4)本实施方式的效果
如上述，在本实施方式中，通过除去处理液中的酸性液体的阴离子，可从处理液除去酸性液体，得到含氟类有机溶剂的去除后处理液。另外，通过在去除后处理液中混合酸性液体，可以再生具有所希望浓度及成分的处理液。如上述，可以再利用昂贵的氟类有机溶剂。由此，可以降低处理成本。
另外，由于使用过的处理液中含有的杂质通过杂质去除过滤器114被除去，因而，能够使去除后处理液中含有的氟类有机溶剂的纯度增高。另外，由于基于浓度传感器S1、S2的测定结果而使去除后处理液能够返回至杂质去除过滤器114的上游，因而，能够使去除后处理液中含有的氟类有机溶剂的纯度达到更高。由此，混合阀117中可以生成纯度高的新处理液。
另外，在本实施方式中，在混合阀117中，在氟类有机溶剂中以规定量混合酸性液体及亲水性有机溶剂的一方或两方。因此，通过处理液喷嘴50可以调整供给基板W上的处理液的成分比。由此，可根据基板W上形成的膜的种类、处理条件等供给处理液。
(5)其他实施方式
在上述实施方式中，设置有向基板W上供给纯水的纯水喷嘴70，但本发明并不限于此，按照下列方法也可以不设置纯水喷嘴70。
即，通过关闭阀门121、124，在混合阀117中，在作为去除后处理液的氟类有机溶剂中不混合酸性液体及亲水性有机溶剂。由此，在漂洗处理时可从处理液喷嘴50向基板W上供给氟类有机溶剂。由此，在漂洗处理时采用挥发性高的氟类有机溶剂洗涤基板W，可以提高干燥性，同时也可以不设置纯水喷嘴70，故可以谋求基板处理装置MP节省空间。
另外，在上述实施方式中，把杂质去除过滤器114及离子成分去除过滤器115串联设置在配管111上，但本发明并不限于此，也可进行并列设置并同时分别设置阀门。此时，采用泵128，可选择性地使去除后处理液返回至杂质去除过滤器114及离子成分去除过滤器115的一方或两方。由此，可有效除去杂质、酸性液体及亲水性有机溶剂。
另外，在上述实施方式中，为了除去处理液中的离子成分、亲水性有机溶剂等，采用由氧化铝构成的离子成分去除过滤器115，但并不限于此，例如，也可采用离子交换机等回收及除去离子成分。
(6)权利要求的各构成要素与实施方式各要素的对应
下面，对权利要求的各构成要素与实施方式各要素的对应例子加以说明，但本发明不限于下列例子。
在上述实施方式中，处理液喷嘴50为供给部的例子，保护装置24、回收液空间32、回收管35及回收液导向部42为回收部的例子，离子成分去除过滤器115为离子去除部的例子，混合阀117为混合部的例子，配管125及阀门125a为第1循环系统的例子。
在上述实施方式中，杂质去除过滤器114为杂质去除部的例子，精制槽112为贮藏部的例子，浓度传感器S1或浓度传感器S2为浓度传感器的例子，配管126、阀门127及泵128是第2循环系统的例子。
另外，作为权利要求的各构成要素，也可以采用具有权利要求中记载的构成或功能的其他各种要素。
Claims (11)
1.一种基板处理装置，其对基板实施处理，其中具有：供给部，该供给部向基板供给含有氟类有机溶剂及酸性液体的处理液；回收部，该回收部回收从上述供给部供给给基板的处理液；离子去除部，该离子去除部通过去除上述回收部回收的处理液中的酸性液体的阴离子，得到上述阴离子被去除的去除后处理液；混合部，该混合部通过在上述离子去除部得到的去除后处理液中混合酸性液体，使处理液再生；第1循环系统，该第1循环系统将通过上述混合部再生的处理液返回至上述供给部。
2.按照权利要求1所述的基板处理装置，其中，上述氟类有机溶剂含有氢氟醚类、氢氟烃类及全氟卤代烷基醚类中的1种以上。
3.按照权利要求1所述的基板处理装置，其中，上述离子去除部含有由氧化铝构成的过滤器。
4.按照权利要求1所述的基板处理装置，其中，还具有杂质去除部，该杂质去除部用以去除上述回收部回收的处理液中含有的杂质。
5.按照权利要求1所述的基板处理装置，其中，还具有贮藏部，该贮藏部贮藏由上述离子去除部得到的去除后处理液。
6.按照权利要求5所述的基板处理装置，其中，还具有浓度检测器，该浓度检测器用以检测上述贮藏部中贮藏的去除后处理液中的至少1种成分的浓度；上述混合部根据浓度检测器的检测结果，向去除后处理液中混合酸性液体。
7.按照权利要求6所述的基板处理装置，其中，还具有第2循环系统，该第2循环系统根据上述浓度检测器的检测结果，将上述贮藏部贮藏的去除后处理液返回至上述离子去除部的上游。
8.按照权利要求1所述的基板处理装置，其中，上述酸性液体，含有氢氟酸、盐酸、硫酸及磷酸中的1种以上。
9.按照权利要求1所述的基板处理装置，其中，从上述供给部向基板供给的处理液，还含有亲水性有机溶剂；上述离子去除部还去除通过上述回收部回收的处理液中的亲水性有机溶剂；上述混合部还向上述离子去除部得到的去除后处理液中混合亲水性有机溶剂。
10.按照权利要求9所述的基板处理装置，其中，上述亲水性有机溶剂，含有醇类及酮类中的1种以上。
11.按照权利要求1所述的基板处理装置，其中，上述供给部，向基板供给处理液后，把在上述混合部未混合酸性液体的去除后处理液供给至基板。
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