CN101140254A - 提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 - Google Patents
提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101140254A CN101140254A CNA2007100471103A CN200710047110A CN101140254A CN 101140254 A CN101140254 A CN 101140254A CN A2007100471103 A CNA2007100471103 A CN A2007100471103A CN 200710047110 A CN200710047110 A CN 200710047110A CN 101140254 A CN101140254 A CN 101140254A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- semiconductor material
- noble metal
- metal oxide
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
本发明涉及一种用于提高氧化物半导体材料气敏性能的新方法，其特征是采用贵金属量子点作为催化剂，对氧化物半导体材料进行表面修饰，从而达到提高气体传感器灵敏度和选择性的目的。本发明制作的气体传感器可用于低浓度气体的检测。目前半导体型气体传感器的检测下限为一般为几个ppm左右，很难检测到ppb量级，这样的敏感性能不适用于环境或工业安全等领域的监测。而采用本发明方法制作的气体传感器完全可以满足这方面的要求。
Description
技术领域
本发明涉及一种提高氧化物半导体材料气敏性能的方法。
技术背景
金属氧化物半导体气体传感器是一类研究时间较长、应用水平较高的传感器。它主要利用材料表面吸附气体后电阻值发生变化的原理来检测气体，电阻的变化从Ra(洁净空气中的电阻)开始，在测试气体中达到一个稳定的阻值Rg(检测气氛中的电阻)，切断被测气体后又恢复为Ra。气体的灵敏度(S)可定义为Ra/Rg。气体的灵敏度S值越高，表明传感器测试标定气体变化的能力越强。半导体气体传感器通常使用烧结的多孔体、多晶半导体氧化物，如氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)、氧化铟(In2O3)、氧化铜(CuO)、氧化铁(Fe2O3)、氧化钨(WO3)、氧化镍(NiO)、氧化钛(TiO2)、氧化亚铜(Cu2O)，以及掺Sn的In2O3(ITO)等。其测量范围广泛、响应-恢复时间快、寿命长，尤其是成本低、制作简便、工艺成熟、使用维修方便。但这种金属氧化物半导体式气体传感器存在的问题主要是灵敏度较低以及选择性较差等。目前所采用的提高气敏性能的方式主要是添加贵金属催化剂。贵金属的增敏作用已经得到了广泛的证实，几乎所有商品化的气体传感器中都使用了贵金属催化剂。目前对于贵金属催化剂的添加方法主要有贵金属盐的浸渍掺杂和反应掺杂两种。然而，浸渍掺杂对材料灵敏度的提高程度有限，而反应掺杂往往会破坏纳米材料的形貌。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术中存在的不足，提供一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：将粒径为3-10nm的贵金属量子点在一定的介质中超声分散10-50min后，均匀滴加到金属氧化物半导体材料中，而后烘干。其中贵金属量子点的用量为金属氧化物半导体材料质量的0.1％-1％。
上述的贵金属量子点的制备方法为：将溶剂乙二醇EG回流10-60分钟后，加入聚乙烯吡咯烷酮PVP，搅拌至完全溶解，再滴加贵金属盐类，其中聚乙烯吡咯烷酮PVP与贵金属盐类的质量比为1∶2～1∶5；搅拌反应至溶液颜色改变；用丙酮和去离子水洗涤，真空干燥，即得到贵金属量子点。
上述的贵金属为Au、Ag、Pt、Pd、Rh、Ir、Os或Ru。
上述的金属氧化物半导体材料为：氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化铜、氧化铁、氧化钨、氧化镍、氧化钛、氧化亚铜或ITO
本发明制作的气体传感器可用于低浓度气体的检测。目前半导体型气体传感器的检测下限为一般为几个ppm左右，很难检测到ppb量级，这样的敏感性能不适用于环境或工业安全等领域的监测。而采用本发明方法制作的气体传感器完全可以满足这方面的要求。
附图说明
图1为粒径为4-8nm的Pd量子点的透射电镜照片
图2为本发明的Pd量子点修饰与未修饰的ZnO纳米线对浓度为50ppm的不同气体的灵敏度对比图
图3为产品在最佳工作电压下，元件对不同浓度H2S的灵敏度
图4为本发明方法与传统方法对相同H2S浓度(1ppm)的响应-恢复曲线对比图
图5为粒径为4-5nm的Pt量子点的透射电镜照片
图6为粒径为8-10nm的Ag量子点的透射电镜照片
图7为粒径为4-10nm的Au量子点的透射电镜照片
具体实施方式
实施例一：贵金属量子点为Pd量子点(参见附图1)，氧化物半导体材料为ZnO纳米线。
上述的贵金属Pd量子点的制备方法为：用移液管移取5mL的EG在15mL的三颈瓶中于110℃下回流1h，而后称取一定量的PVP和氯化钯(PdCl2)，分别溶于5mL的EG中，待溶解完全后，以缓慢的速度滴加至三颈瓶中，反应9h待溶液变成灰色后，分别用丙酮、去离子水洗涤干净，60℃下真空干燥，即可得到Pd量子点。
具体的掺杂方法是：将Pd量子点按质量分数0.5％的量，在乙醇溶液中超声分散50min后，均匀滴加到ZnO纳米线中，而后在红外烘箱中烘干即得到采用本发明方法修饰的ZnO纳米线。
接着，将本发明制得的Pd量子点修饰的ZnO纳米线制作成旁热式气敏元件，并进行了气敏性能测试。
参见附图2，从图中可以看出，经本发明方法修饰后的ZnO纳米线对硫化氢(H2S)气体有很高的灵敏度，而对其它气体灵敏度的提高不是很明显。因此采用Pd量子点修饰的ZnO纳米线可用来进行对H2S气体的选择性检测。
参见附图3，由图可知，在最佳工作温度下，元件对测试浓度范围内的H2S都有较高的灵敏度：当H2S的浓度为10ppm时，其灵敏度高达732.1，即使H2S浓度低至200ppb，其灵敏度仍可达2.0，具有较强的应用前景。
为了进一步说明该发明方法比传统方法对基体材料的增敏更有效，分别测试了Pd量子点和PdCl2溶液浸渍后的基体材料在相同浓度条件下的灵敏度。参见附图4，从图中可以看出Pd量子点修饰的ZnO纳米线对1ppm H2S下的灵敏度为38.6，而且响应-恢复时间短(分别为10s和5s)；而PdCl2溶液浸渍修饰后的基体材料对相同浓度H2S的灵敏度只有10.1。
实施例二：贵金属量子点为Pt量子点(参见附图5)，氧化物半导体材料为ZnO纳米颗粒。
上述的贵金属Pt量子点的制备方法为：用移液管移取7mL的EG在15mL的三颈瓶中于160℃下回流10分钟，而后称取一定量的氯铂酸(H2PtCl6)，溶于1mL的EG中，待溶解完全后，滴加至三颈瓶中，反应3-4分钟待溶液变黑后，分别用丙酮、去离子水洗涤干净，60℃下真空干燥，即可得到Pt量子点。
具体的掺杂方式及气敏元件制造方式同实施例一。
经本发明方法修饰后的ZnO纳米颗粒对浓度为50ppm的乙醇(C2H5OH)气体有很高的灵敏度(28.1)，且有较好的选择性，可用来进行对C2H5OH气体的选择性检测。
为了进一步说明该发明方法比传统方法对基体材料的增敏更有效，分别测试了Pt量子点和H2PtCl6溶液浸渍后的基体材料对不同浓度C2H5OH气体的灵敏度。经过Pt量子点修饰的ZnO纳米颗粒可以显著提高对C2H5OH气体的灵敏度，而且可以检测低浓度(250ppb)的C2H5OH气体。而H2PtCl6溶液浸渍修饰后的ZnO纳米颗粒只能检测至1ppm的C2H5OH气体。
实施例三：贵金属量子点为Pt量子点(参见附图5)，氧化物半导体材料为In2O3纳米颗粒。
贵金属Pt量子点的制备方法同实施例二。
具体的掺杂方式及气敏元件制造方式同实施例一。
经本发明方法修饰后的In2O3纳米颗粒可以显著提高对C2H5OH气体的灵敏度。当C2H5OH的浓度为1.3ppm时，其灵敏度高达5.5，即使C2H5OH浓度低至100ppb，其灵敏度仍可达1.7。
为了进一步说明该发明方法比传统方法对基体材料的增敏更有效，分别测试了Pt量子点和H2PtCl6溶液浸渍后的基体材料对不同浓度C2H5OH气体的灵敏度。经过Pt量子点修饰的In2O3纳米颗粒当C2H5OH的浓度为1.0ppm时，其灵敏度高达4.5，而H2PtCl6溶液浸渍修饰后的In2O3纳米颗粒在相同浓度下的灵敏度只有3.2。
实施例四：贵金属量子点为Ag量子点(参见附图6)，氧化物半导体材料为CuO纳米颗粒。
上述的贵金属Ag量子点的制备方法为：用移液管移取5mL的EG在15mL的三颈瓶中于110℃下回流60分钟，而后称取一定量的PVP和硝酸银(AgNO3)，分别溶于3mL的EG中，待溶解完全后，滴加至三颈瓶中，反应30分钟待溶液变黑后，分别用丙酮、去离子水洗涤干净，60℃下真空干燥，即可得到Ag量子点。
具体的掺杂方式及气敏元件制造方式同实施例一。
经本发明方法修饰后的CuO纳米颗粒可以显著提高对H2S的灵敏度。当H2S的浓度为50ppm时，其灵敏度高达172.1，而对其它气体灵敏度的提高不是很明显。并且选择性良好。
实施例五：贵金属量子点为Au量子点(参见附图7)，氧化物半导体材料为CuO纳米颗粒。
上述的贵金属Au量子点的制备方法为：用移液管移取5mL的EG在15mL的三颈瓶中于150℃下回流60分钟，而后称取一定量的PVP和氯金酸(HAuCl4)，分别溶于3mL的EG中，待溶解完全后，滴加至三颈瓶中，反应5h后，分别用丙酮、去离子水洗涤干净，60℃下真空干燥，即可得到Au量子点。
具体的掺杂方式及气敏元件制造方式同实施例一。
经本发明方法修饰后的CuO纳米颗粒可以显著提高对氯气(Cl2)的灵敏度。当Cl2的浓度为50ppm时，其灵敏度高达22.1，而对其它气体灵敏度的提高不是很明显。并且选择性良好。
Claims (4)
1.一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：将粒径为3-10nm的贵金属量子点在一定的介质中超声分散10-50min后，均匀滴加到金属氧化物半导体材料中，而后烘干。其中贵金属量子点的用量为金属氧化物半导体材料质量的0.1％-1％。
2.根据权利要求1所述的提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于上述的贵金属量子点的制备方法为：将溶剂乙二醇EG回流10-60分钟后，加入聚乙烯吡咯烷酮PVP，搅拌至完全溶解，再滴加贵金属盐类，其中聚乙烯吡咯烷酮PVP与贵金属盐类的质量比为1∶2～1∶5；搅拌反应至溶液颜色改变；用丙酮和去离子水洗涤，真空干燥，即得到贵金属量子点。
3.根据权利要求1或2所述的提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于上述的贵金属为Au、Ag、Pt、Pd、Rh、Ir、Os或Ru。
4.根据权利要求1所述的提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法，其特征在于上述的金属氧化物半导体材料为：氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化铜、氧化铁、氧化钨、氧化镍、氧化钛、氧化亚铜或ITO。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007100471103A CN101140254B (zh) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | 提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2007100471103A CN101140254B (zh) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | 提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101140254A true CN101140254A (zh) | 2008-03-12 |
| CN101140254B CN101140254B (zh) | 2010-08-11 |
Family
ID=39192290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007100471103A Expired - Fee Related CN101140254B (zh) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | 提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101140254B (zh) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101799446A (zh) * | 2010-04-16 | 2010-08-11 | 黑龙江大学 | 室温醇类薄膜气体传感器及其制备方法 |
| CN101368930B (zh) * | 2008-09-02 | 2011-10-12 | 徐州市精英电器技术有限公司 | 卤素制冷剂检测传感器敏感材料及气敏元件的制造方法 |
| CN101256166B (zh) * | 2008-04-16 | 2012-05-09 | 北京航空航天大学 | 氧化锌/二氧化钛复合自组装薄膜气敏器件的制备方法 |
| CN101493430B (zh) * | 2009-02-17 | 2012-05-30 | 武汉工程大学 | 硫化氢气敏材料及其制备以及硫化氢气敏器件的制作方法 |
| CN102507360A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-06-20 | 上海大学 | 基于硅基杂化介孔材料的dmmp气体传感器的制备方法 |
| CN103091369A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-05-08 | 郑州轻工业学院 | 一种Pd纳米粒子修饰多孔ZnO纳米片气敏材料及气敏元件的制备方法 |
| CN102109487B (zh) * | 2009-12-28 | 2013-06-05 | 华瑞科学仪器(上海)有限公司 | 超低浓度气体传感器 |
| CN103966697A (zh) * | 2014-05-16 | 2014-08-06 | 北京化工大学 | 一种p-n复合结构纳米金属氧化物及其制备方法和应用 |
| CN104122298A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-10-29 | 安徽芯核防务装备技术股份有限公司 | 公共交通安全危险品监测用气敏元件及气敏传感器 |
| CN104198540A (zh) * | 2014-09-18 | 2014-12-10 | 安徽工业大学 | 一种用于检测低浓度乙醛的气敏材料 |
| CN104391006A (zh) * | 2014-11-13 | 2015-03-04 | 无锡信大气象传感网科技有限公司 | 一种气体传感器的制备方法 |
| CN104677958A (zh) * | 2015-02-15 | 2015-06-03 | 南京益得冠电子科技有限公司 | 酒精敏感材料及半导体酒精传感器 |
| CN104713915A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-17 | 华中科技大学 | 一种基于叠层结构的高性能气敏传感器及其制备方法 |
| CN104990959A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-10-21 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种铜和氧化锡复合的硫化氢气敏材料的制备方法 |
| CN105203601A (zh) * | 2015-10-31 | 2015-12-30 | 武汉工程大学 | 氢气气敏材料及其制备以及氢气气敏器件的制备方法 |
| CN105823804A (zh) * | 2016-04-21 | 2016-08-03 | 林业城 | 一种基于可视化传感功能的电力巡检设备 |
| CN105823799A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-08-03 | 苏州捷德瑞精密机械有限公司 | 一种半导体气敏基体材料及其制备方法 |
| CN105911104A (zh) * | 2016-04-21 | 2016-08-31 | 林业城 | 一种具备气体可视化功能的机房环境监控系统 |
| CN105928993A (zh) * | 2016-04-14 | 2016-09-07 | 上海大学 | 一种多元金属纳米晶修饰金属氧化物气敏材料的制备方法 |
| CN106018480A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-10-12 | 重庆理工大学 | 一种旁热式氨气传感器及制备方法 |
| CN107039134A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-08-11 | 合肥仁德电子科技有限公司 | 一种提高热敏电阻灵敏性的方法 |
| CN108828019A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-11-16 | 吴刚 | 一种快速响应型气敏材料的制备方法 |
| CN108918632A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-30 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料制备方法与应用 |
| CN109761262A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-05-17 | 东北大学 | 一种贵金属浸渍共掺杂CuO纳米材料的制备方法及应用 |
| CN109991285A (zh) * | 2019-02-20 | 2019-07-09 | 梁士明 | 一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 |
| CN111551588A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-08-18 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种NiO和三氧化二铁改性二氧化锡纳米材料的制备方法及其产品和应用 |
| CN112683964A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-04-20 | 清华大学合肥公共安全研究院 | 一种提高半导体式甲烷传感器灵敏度和稳定性的方法 |
| CN112798649A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-05-14 | 西安交通大学 | 贵金属量子点修饰多层纳米复合薄膜气体传感器制备方法 |
| CN113173602A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-07-27 | 扬州大学 | 一种正壬醛挥发性气体敏感材料的制备方法 |
| CN113670540A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-19 | 上海普法芬电子科技有限公司 | 电池下线检测电解液泄漏的检测方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102175380B (zh) * | 2011-03-01 | 2012-08-08 | 上海大学 | 一种用于气体轴承气膜压力测量的方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW509985B (en) * | 1996-05-10 | 2002-11-11 | Sumitomo Chemical Co | Device for production of compound semiconductor |
| CN1156704C (zh) * | 2002-01-10 | 2004-07-07 | 河南省农业科学院生物技术研究所 | 动物体及其产品中药物残留快速检测试纸条 |
| CN1328170C (zh) * | 2004-03-30 | 2007-07-25 | 东华大学 | 一种银表面修饰纳米氧化锌及其制备方法 |
| CN1622283A (zh) * | 2004-12-15 | 2005-06-01 | 贺平 | 复合氧化物半导体纳米材料的制备方法 |
| CN1329338C (zh) * | 2005-05-19 | 2007-08-01 | 北京化工大学 | 一种贵金属掺杂复合金属氧化物气敏材料及其制备方法 |
-
2007
- 2007-10-16 CN CN2007100471103A patent/CN101140254B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101256166B (zh) * | 2008-04-16 | 2012-05-09 | 北京航空航天大学 | 氧化锌/二氧化钛复合自组装薄膜气敏器件的制备方法 |
| CN101368930B (zh) * | 2008-09-02 | 2011-10-12 | 徐州市精英电器技术有限公司 | 卤素制冷剂检测传感器敏感材料及气敏元件的制造方法 |
| CN101493430B (zh) * | 2009-02-17 | 2012-05-30 | 武汉工程大学 | 硫化氢气敏材料及其制备以及硫化氢气敏器件的制作方法 |
| CN102109487B (zh) * | 2009-12-28 | 2013-06-05 | 华瑞科学仪器(上海)有限公司 | 超低浓度气体传感器 |
| CN101799446A (zh) * | 2010-04-16 | 2010-08-11 | 黑龙江大学 | 室温醇类薄膜气体传感器及其制备方法 |
| CN101799446B (zh) * | 2010-04-16 | 2012-09-12 | 黑龙江大学 | 室温醇类薄膜气体传感器的制备方法 |
| CN102507360A (zh) * | 2011-10-11 | 2012-06-20 | 上海大学 | 基于硅基杂化介孔材料的dmmp气体传感器的制备方法 |
| CN102507360B (zh) * | 2011-10-11 | 2013-07-17 | 上海大学 | 基于硅基杂化介孔材料的dmmp气体传感器的制备方法 |
| CN103091369A (zh) * | 2012-11-30 | 2013-05-08 | 郑州轻工业学院 | 一种Pd纳米粒子修饰多孔ZnO纳米片气敏材料及气敏元件的制备方法 |
| CN103966697A (zh) * | 2014-05-16 | 2014-08-06 | 北京化工大学 | 一种p-n复合结构纳米金属氧化物及其制备方法和应用 |
| CN104122298A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-10-29 | 安徽芯核防务装备技术股份有限公司 | 公共交通安全危险品监测用气敏元件及气敏传感器 |
| CN104198540A (zh) * | 2014-09-18 | 2014-12-10 | 安徽工业大学 | 一种用于检测低浓度乙醛的气敏材料 |
| CN104391006A (zh) * | 2014-11-13 | 2015-03-04 | 无锡信大气象传感网科技有限公司 | 一种气体传感器的制备方法 |
| CN104677958A (zh) * | 2015-02-15 | 2015-06-03 | 南京益得冠电子科技有限公司 | 酒精敏感材料及半导体酒精传感器 |
| CN104713915A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-06-17 | 华中科技大学 | 一种基于叠层结构的高性能气敏传感器及其制备方法 |
| CN104713915B (zh) * | 2015-03-18 | 2017-12-08 | 华中科技大学 | 一种基于叠层结构的高性能气敏传感器及其制备方法 |
| CN104990959A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-10-21 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种铜和氧化锡复合的硫化氢气敏材料的制备方法 |
| CN104990959B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-07-13 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种铜和氧化锡复合的硫化氢气敏材料的制备方法 |
| CN105203601A (zh) * | 2015-10-31 | 2015-12-30 | 武汉工程大学 | 氢气气敏材料及其制备以及氢气气敏器件的制备方法 |
| CN105823799A (zh) * | 2016-03-22 | 2016-08-03 | 苏州捷德瑞精密机械有限公司 | 一种半导体气敏基体材料及其制备方法 |
| CN105928993A (zh) * | 2016-04-14 | 2016-09-07 | 上海大学 | 一种多元金属纳米晶修饰金属氧化物气敏材料的制备方法 |
| CN105928993B (zh) * | 2016-04-14 | 2018-10-23 | 上海大学 | 一种多元金属纳米晶修饰金属氧化物气敏材料的制备方法 |
| CN105911104A (zh) * | 2016-04-21 | 2016-08-31 | 林业城 | 一种具备气体可视化功能的机房环境监控系统 |
| CN105823804A (zh) * | 2016-04-21 | 2016-08-03 | 林业城 | 一种基于可视化传感功能的电力巡检设备 |
| CN106018480A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-10-12 | 重庆理工大学 | 一种旁热式氨气传感器及制备方法 |
| CN106018480B (zh) * | 2016-05-13 | 2018-08-24 | 重庆理工大学 | 一种旁热式氨气传感器及制备方法 |
| CN107039134A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-08-11 | 合肥仁德电子科技有限公司 | 一种提高热敏电阻灵敏性的方法 |
| CN107039134B (zh) * | 2017-03-22 | 2019-07-02 | 合肥安力电力工程有限公司 | 一种提高热敏电阻灵敏性的方法 |
| CN108828019A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-11-16 | 吴刚 | 一种快速响应型气敏材料的制备方法 |
| CN108918632A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-30 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料制备方法与应用 |
| CN108918632B (zh) * | 2018-06-29 | 2020-05-29 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种钯纳米颗粒修饰的氧化铟纳米片复合材料制备方法与应用 |
| CN109991285A (zh) * | 2019-02-20 | 2019-07-09 | 梁士明 | 一种提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 |
| CN109761262A (zh) * | 2019-03-14 | 2019-05-17 | 东北大学 | 一种贵金属浸渍共掺杂CuO纳米材料的制备方法及应用 |
| CN109761262B (zh) * | 2019-03-14 | 2021-04-23 | 东北大学 | 一种贵金属浸渍共掺杂CuO纳米材料的制备方法及应用 |
| CN111551588A (zh) * | 2020-05-12 | 2020-08-18 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种NiO和三氧化二铁改性二氧化锡纳米材料的制备方法及其产品和应用 |
| CN111551588B (zh) * | 2020-05-12 | 2023-07-18 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种NiO和三氧化二铁改性二氧化锡纳米材料的制备方法及其产品和应用 |
| CN112798649A (zh) * | 2020-12-25 | 2021-05-14 | 西安交通大学 | 贵金属量子点修饰多层纳米复合薄膜气体传感器制备方法 |
| CN112683964A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-04-20 | 清华大学合肥公共安全研究院 | 一种提高半导体式甲烷传感器灵敏度和稳定性的方法 |
| CN112683964B (zh) * | 2021-01-06 | 2024-03-15 | 清华大学合肥公共安全研究院 | 一种提高半导体式甲烷传感器灵敏度和稳定性的方法 |
| CN113173602A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-07-27 | 扬州大学 | 一种正壬醛挥发性气体敏感材料的制备方法 |
| CN113173602B (zh) * | 2021-04-14 | 2023-10-13 | 扬州大学 | 一种正壬醛挥发性气体敏感材料的制备方法 |
| CN113670540A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-11-19 | 上海普法芬电子科技有限公司 | 电池下线检测电解液泄漏的检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101140254B (zh) | 2010-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101140254B (zh) | 提高金属氧化物半导体材料气敏性能的方法 | |
| CN1329338C (zh) | 一种贵金属掺杂复合金属氧化物气敏材料及其制备方法 | |
| CN104713915B (zh) | 一种基于叠层结构的高性能气敏传感器及其制备方法 | |
| CN101585006A (zh) | 提高金属氧化物半导体材料光催化性能的方法 | |
| US8501269B2 (en) | Sensitive materials for gas sensing and method of making same | |
| CN105928993B (zh) | 一种多元金属纳米晶修饰金属氧化物气敏材料的制备方法 | |
| CN107827150B (zh) | 一种镍掺杂氧化锡纳米材料、甲醛气敏传感器及制备方法 | |
| WO2018082585A1 (zh) | 一种多孔氧化锌纳米片负载高分散纳米贵金属复合气敏材料的合成方法 | |
| CN106770497B (zh) | 一种基于Pt/α-Fe2O3多孔纳米球敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法 | |
| WO2016057692A1 (en) | Synthesis of colloidal precious metal nanoparticles with controlled size and morphology | |
| CN102692437A (zh) | 一种气敏材料、应用其的一氧化碳气敏元件及制备方法 | |
| CN105424757B (zh) | 高气敏性能的多元复合金属氧化物、制备方法及应用 | |
| CN109916966B (zh) | 一种α-Fe2O3/TiO2纳米复合材料及由其制备的H2S气敏传感器 | |
| Liu et al. | Mesoporous Au@ ZnO flower-like nanostructure for enhanced formaldehyde sensing performance | |
| CN105606656B (zh) | 一种抗硅抗硫中毒的热线型甲烷传感器 | |
| CN108732214A (zh) | 基于PdO@In2O3复合物纳米敏感材料的丙酮气体传感器及其制备方法 | |
| CN105665027B (zh) | 高分散负载型金属纳米催化剂的制备方法 | |
| CN113252736B (zh) | 增加多功能气敏传感器气体选择功能的方法和气敏传感器 | |
| CN109331860A (zh) | 一种用于空气净化的低铂合金复合纳米光催化剂及其制备方法和应用 | |
| CN115931981B (zh) | 氢气传感器及其制备方法 | |
| CN108927156A (zh) | 一种炔烃选择性加氢用负载型合金催化剂及其制备方法 | |
| CN104174411B (zh) | 一种提高VOCs催化剂催化氧化活性的方法 | |
| CN110687168A (zh) | Ag@Pt纳米晶及制备方法、基于Ag@Pt纳米晶的甲醛传感器及制备方法和应用 | |
| EP2966033A1 (en) | Metal oxide nanocomposite heterostructure methods and hydrogen sulfide sensors including the same | |
| CN112378968A (zh) | 一种肼检测用传感器、氮掺杂多孔碳负载铜钴纳米复合材料及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100811 Termination date: 20161016 |