CN101114820B - 压电振子的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种当在振动臂部的前端部形成频率调整用的金属膜时，能够节约金属并增大频率的调整幅度，由此能够抑制成品率下降的压电振子的制造方法。作为具体的解决手段，使形成有压电振动片的外形部分的基板与蚀刻液接触，使用在与上述槽部对应的部位具有开口部、并且在这些开口部以外的表面整体上形成有金属膜的掩膜，在多个振动臂部上分别形成槽部，然后，在基板的表面上形成抗蚀剂掩膜，使得抗蚀剂残留在成为频率调整用的金属膜的形成区域的上述振动臂部的前端部分，利用蚀刻将金属膜除去。然后，在将在上述振动臂部的前端部分残留的抗蚀剂膜剥离之后，形成电极膜。

Description

压电振子的制造方法
技术领域
本发明涉及使用例如由石英等构成的压电基板，制造例如音叉型的压电振子的技术。
背景技术
音叉型的石英振子因为小型、廉价、消耗电力低，所以一直以来被用作对手表的步调进行计量的信号源，且其用途还在进一步扩大。作为该石英振子，为了抑制电力损失，要求进一步减小CI(晶体阻抗)值，因此，使用在石英振子上形成槽部以提高振动效率的振子。
在该石英振子中，如图9所示，在基部1上设置有一对振动臂部2a和2b，在各振动臂部2a、2b的两主面上分别设置有槽部31、32。在这些槽部31、32和各振动臂部2a、2b上，形成有用于激发基于弯曲振动的音叉振动的未图示的激励电极。
上述的石英振子通过以下的工序制造(参照专利文献1)。此外，图10和图11是表示沿图9的A-A线的截面部分的制造工序的图。首先，在对已被切出的石英晶片10进行研磨加工并洗净之后，利用溅射法形成金属膜11(图10(a))。该金属膜11例如使用在铬(Cr)的基底膜上叠层金(Au)而形成的膜。
接着，在利用例如喷射法在这样的金属膜11上涂敷光致抗蚀剂之后(图10(b))，对该光致抗蚀剂进行曝光和显影，使其成为石英片形状、即音叉形状的图案，形成音叉形状的抗蚀剂膜12(图10(c))。此后，通过利用例如碘化钾(KI)溶液进行蚀刻，将金属膜11的未被抗蚀剂膜12覆盖的部分除去，将石英晶片10上残留的抗蚀剂膜12全部除去(图10(d))。
接着，利用例如喷射法在石英晶片10的整个面上涂敷光致抗蚀剂，形成抗蚀剂膜13(图10(e))。然后，利用光刻法形成抗蚀剂图案，使得石英片的外形保留、并且与图9所示的槽部31、32相当的部分开口(图11(f))。
然后，在抗蚀剂膜13在金属膜11上的状态下，将该金属膜11作为掩膜，将石英晶片10浸渍在作为蚀刻液的氢氟酸中进行湿蚀刻，由此形成石英片的外形(图11(g))。此外，图11中的14和15是相当于振动臂部2a、2b的部位，图11中的16和17用于从石英晶片取出一片石英片，为了方便，记载为外框部分。接着，将抗蚀剂膜13作为掩膜，利用例如KI溶液将与图9所示的槽部31、32相当的部分的金属膜11蚀刻除去(图11(h))。然后，将该石英晶片10浸渍在氢氟酸中进行湿蚀刻。由此，在石英片10的两主面上形成槽部31、32(图11(i))。
在将石英晶片10的表面残留的抗蚀剂膜13和金属膜11全部除去之后，在石英晶片10的表面形成电极图案。对该电极图案的形成工序进行说明，首先，利用溅射法在石英晶片10的两面上形成作为电极的金属膜14(图12(j))。该金属膜14例如使用在铬(Cr)的基底膜上叠层金(Au)而形成的膜。
接着，利用喷射法在这样的金属膜14上涂敷光致抗蚀剂(图12(k))。利用光刻法将成为电极图案的抗蚀剂膜15以外的抗蚀剂膜15除去(图12(l))。然后，对抗蚀剂膜15已被除去的地方的金属膜14进行蚀刻，形成电极图案(图12(m))。此后，将石英晶片10上残留的抗蚀剂膜15全部除去(图12(n))。这样，在这些槽部31、32和各振动臂部2a、2b上形成激励电极。
然后，在振动臂部2a、2b的前端部(图9中的33所示的区域)，利用激光等对在该前端部形成的金属膜(激励电极)14的表面进行削去，通过调整其厚度而进行振动频率的调整。
但是，在上述的振动频率的调整工序中，存在以下的问题。在图12(j)所示的工序中，在石英晶片10的表面形成的金属膜14的膜厚非常薄，例如为0.1μm。因此，当将该金属膜14直接用作用于调整振动频率的调整膜时，频率的调整幅度极小，因此存在成品率降低的问题。
为此，考虑在图12(j)所示的工序中增大金属膜14的厚度，但是，在金属的使用量增加、特别是使用金(Au)作为金属的情况下，存在成本升高的问题。
另外，在专利文献2中，记载有在形成与压电振动片的外形相当的形状的金属膜的工序之后，形成仅在压电振动片的前端部具有开口部的抗蚀剂掩膜，在该开口部露出并利用电镀法在金属膜上形成频率调整用的由Au构成的金属膜，但当在抗蚀剂掩膜上形成开口部之后，有形成频率调整用的金属膜的专用工序，因此工序数增加，存在作业变得烦杂的问题。
另外，在专利文献3中，记载有在石英板的表面依次形成电极材料、光致抗蚀剂，在将曝光后的抗蚀剂膜作为掩膜对电极材料进行蚀刻后，将该电极材料作为掩膜对石英板进行蚀刻，并将该电极材料残留在石英板的表面，作为激励电极使用，但关于频率调整用膜却没有任何记载。
专利文献1：特开2002-76806(段落0094～段落0113、图9～图13)
专利文献2：特开2006-108824(段落0036～段落0037、图4)
专利文献3：特开昭61-13704(图2)
发明内容
本发明鉴于上述情况而做出，其目的在于提供一种当在振动臂部的前端部形成频率调整用的金属膜时，能够节约金属并增大频率的调整幅度，由此能够抑制成品率下降的压电振子的制造方法。
本发明提供一种压电振子的制造方法，通过对压电基板进行蚀刻而制造多个压电振动片，该多个压电振动片包括基部、从该基部伸出的多个振动臂部、和在这些振动臂部的各个上形成的槽部，其特征在于，包括：
得到形成有压电振动片的外形部分和槽部、并且上述槽部以外的部位由金属膜覆盖的压电振动片的工序；
在上述压电基板的表面形成抗蚀剂掩膜，使得成为频率调整用的金属膜的形成区域的上述振动臂部的前端部分被覆盖而其它部位露出，并将露出的金属膜除去的工序；
除去上述抗蚀剂掩膜，在压电振动片的外形部分的整个面上形成用于形成电极的金属膜的工序；
在上述金属膜的表面形成新的抗蚀剂掩膜并对金属膜进行蚀刻，由此形成电极图案的工序；和
除去上述新的抗蚀剂掩膜，对在上述振动臂部的前端部分形成的频率调整用的金属膜进行削去，通过调整其厚度而调整振动频率的工序。
在上述制造方法中，优选：在上述振动臂部的前端部分形成的频率调整用的金属膜，在对厚度进行调整之前的厚度例如为0.3～0.5μm，频率调整用的金属膜以外的电极图案的厚度例如为0.1～0.2μm。
另外，本发明还提供一种压电振子的制造方法，通过对压电基板进行蚀刻而制造多个压电振动片，该多个压电振动片包括基部、从该基部伸出的多个振动臂部、和在这些振动臂部的各个上形成的槽部，其特征在于，包括：
在上述压电基板的两面上形成金属膜的工序；
在上述金属膜上形成具有与压电振动片的外形部分对应的图案的第一抗蚀剂掩膜，对上述金属膜进行蚀刻，使压电基板的表面露出的工序；
接着对压电基板的露出部位进行蚀刻，这样制造压电振动片的外形部分的工序；
除去上述第一抗蚀剂掩膜，形成在与上述槽部对应的部位具有开口部的第二抗蚀剂掩膜的工序；
使用该第二抗蚀剂掩膜对上述金属膜进行蚀刻，使压电基板的表面露出的工序；
接着对压电基板的露出部位进行蚀刻，这样形成槽部的工序；
除去上述第二抗蚀剂掩膜，接着在上述压电基板的表面形成第三抗蚀剂掩膜，使得成为频率调整用的金属膜的形成区域的上述振动臂部的前端部分被覆盖而其它部位露出，并将露出的金属膜除去的工序；
除去上述第三抗蚀剂掩膜，在压电振动片的外形部分的表面形成用于形成电极的金属膜的工序；
在上述金属膜的表面形成第四抗蚀剂掩膜并对金属膜进行蚀刻，由此形成电极图案的工序；和
除去上述第四抗蚀剂掩膜，对在上述振动臂部的前端部分形成的频率调整用的金属膜进行削去，通过调整其厚度而调整振动频率的工序。
在上述制造方法中，优选：在上述振动臂部的前端部分形成的频率调整用的金属膜，在对厚度进行调整之前的厚度例如为0.3～0.5μm，频率调整用的金属膜以外的电极图案的厚度例如为0.1～0.2μm。
根据本发明，在振动臂部的前端部分残留在形成压电振动片的外形部分和槽部时所使用的金属膜，此后，重新在基板的表面形成作为电极的金属膜。因此，在振动臂部的前端部分形成的金属膜的膜厚变厚，结果，频率的调整幅度变大。结果，能够抑制成品率的下降，并且能够抑制在下一个工序的电极图案的形成工序中作为电极的金属的使用量。因此，特别是在使用金(Au)作为金属的情况下，因为金的成本高，所以金属的节约效果大。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的音叉型石英振子的一个例子的立体图。
图2是表示本发明的实施方式的音叉型石英振子的制造方法的概略截面图。
图3是表示本发明的实施方式的音叉型石英振子的制造方法的概略截面图。
图4是表示本发明的实施方式的音叉型石英振子的制造方法的概略截面图。
图5是表示本发明的实施方式的音叉型石英振子的制造方法的概略截面图。
图6是表示本发明的实施方式的音叉型石英振子的制造方法的概略截面图。
图7是表示在本发明的实施方式的音叉型石英振子的制造工序中制造的石英振子的原型的一个例子的平面图。
图8是表示收存有本发明的实施方式的音叉型石英振子的石英振子封装体的一个例子的概略纵截面图和背面图。
图9是表示音叉型石英振子的一个例子的概略平面图。
图10是表示以往的音叉型石英振子的制造方法的概略截面图。
图11是表示以往的音叉型石英振子的制造方法的概略截面图。
图12是表示以往的音叉型石英振子的制造方法的概略截面图。
具体实施方式
作为本发明的实施方式，对作为压电振子的音叉型石英振子的制造方法进行说明。该实施方式的石英振子的结构，与在现有技术部分中使用图9所说明的石英振子相同，因此，将相同的部分的说明省略。
如图1所示，在振动臂部2中，在振动臂部2a上，在沿振动臂部2a的长度方向排列的多个槽部31、32、例如第一槽部31和第二槽部32的整个内面以及这些槽部31、32之间，形成有一方的激励电极41。即，通过在与第一槽部31和第二槽部32之间相当的可以说是桥部43上形成的激励电极41，振动臂部2a的各槽部31、32内的激励电极41彼此相互连接。在该振动臂部2a的两侧面21、21以及主面22、22(表侧和背侧)的前端部位，形成有另一方的激励电极51。另外，在振动臂部2a的前端部，设置有用于通过调整其重量而调整振动频率的金属膜、即调整用锤50。该调整用锤50构成激励电极51的一部分，但其它部位的电极改变了例如膜厚、电极材料。此外，在图1中，为了容易看清图面，分别使用斜线与黑的点散布区域表示激励电极41、51。因此，图1的斜线不是表示石英片的截面。
另外，在振动臂部2中，在振动臂部2b上，在沿振动臂部2b的长度方向排列的多个槽部、例如第一槽部31和第二槽部32的整个内面以及这些槽部31、32的各个之间，形成有另一方的激励电极51。在该振动臂部2b的两侧面21、21以及主面22、22(表侧和背侧)的前端部位，形成有一方的激励电极41。此外，在振动臂部2a的前端部，也同样设置有用于通过调整其重量而调整振动频率的调整用锤40。另外，在振动臂部2a、2b上设置的电极的配置，除了激励电极41、51是相互相反的关系之外，相互相同。在基部1的表面形成有由引出电极42构成的电极图案，使得这些一方的激励电极41彼此电连接。另外，在基部1的表面形成有由引出电极52构成的电极图案，使得另一方的激励电极51彼此连接。
接着，参照图2～图6，对图1所示的石英振子的制造方法进行说明。此外，图2～图6是对在一片压电基板的某一部分上制作的一个石英振子进行说明的图。另外，图2～图4是表示沿图1的C-C线的截面部分的制造工序的图，图5～图6是表示沿图1的B-B线和C-C线的截面部分的制造工序的图。首先，在对已被切出的压电基板、即石英晶片60进行研磨加工并洗净之后，利用溅射法形成金属膜61(图2(a))。该金属膜61例如使用在铬(Cr)的基底膜上叠层金(Au)而形成的膜。
接着，在利用例如喷射法在这样的金属膜61上涂敷光致抗蚀剂之后(图2(b))，对该光致抗蚀剂进行曝光和显影，形成具有石英片形状、即音叉形状的图案的抗蚀剂掩膜62(图2(c))。此后，使用上述抗蚀剂掩膜62，将石英晶片60浸渍在碘化钾(KI)溶液中进行湿蚀刻，将金属膜61的未被抗蚀剂掩膜62覆盖的部分除去(图2(d))。
然后，在抗蚀剂膜62在金属膜61上的状态下，将该金属膜61作为掩膜，将石英晶片60浸渍在作为蚀刻液的氢氟酸中进行湿蚀刻，形成石英片65的外形(图2(e))。这样，在作为压电基板的石英晶片60上形成多个石英片65。
接着，将石英晶片60上残留的抗蚀剂膜63全部除去(图3(f))。然后，利用例如喷射法在石英晶片60的整个面上涂敷光致抗蚀剂，形成抗蚀剂膜63(图3(g))。
接着，利用光刻法将与图1所示的槽部31、32相当的部分的抗蚀剂除去(图3(h))。接着，将上述抗蚀剂膜63作为掩膜，将石英晶片60浸渍在KI溶液中进行湿蚀刻，将抗蚀剂膜63已被除去的地方的金属膜61除去(图4(i))。
然后，在抗蚀剂膜63在金属膜61上的状态下，将该金属膜61作为掩膜，将石英晶片60浸渍在作为蚀刻液的氢氟酸中进行湿蚀刻，在石英晶片60的两主面上形成槽部31、32(图4(j))。此后，将石英晶片60上残留的抗蚀剂膜63全部除去(图4(k))。通过以上的工序，制造如图7所示在石英晶片60的表面上形成有金属膜61的原型6。此外，在图7中，斜线区域是表示金属膜61，而不是表示原型6的截面。
接着，对在上述振动臂部2a、2b的前端部分的频率调整用的金属膜的形成区域残留金属膜的工序进行说明。首先，利用例如喷射法在原型6的两面上涂敷光致抗蚀剂，形成抗蚀剂膜66(图5(l))。然后，利用光刻法将图1所示的振动臂部2a、2b的前端部分以外的抗蚀剂膜66除去(图5(m))。接着，将原型6浸渍在KI溶液中进行湿蚀刻，将抗蚀剂膜66已被除去的地方的金属膜61除去，此后，将振动臂部2a、2b的前端部分上残留的抗蚀剂膜66除去(图5(n))。
接着，对制作电极图案的工序进行说明。在图5(n)所示的工序之后，利用溅射法在原型6的两面形成作为电极的金属膜67(图5(o))。该金属膜67例如使用在铬(Cr)的基底膜上叠层金(Au)而形成的膜。
接着，利用喷射法在这样的金属膜67上涂敷光致抗蚀剂(图5(p))。然后，利用光刻法形成作为电极图案的抗蚀剂掩膜68。该掩膜68在如图1所示在振动臂部2a、2b的前端部设置的调整用锤40、50的区域以外的部位具有开口部(图6(q))。因此，在调整用锤40、50的区域残留有抗蚀剂膜68。
接着，使用上述抗蚀剂掩膜68对金属膜67进行蚀刻，形成电极图案(图6(r))。此后，将原型6上残留的抗蚀剂膜68全部除去(图6(s))。在振动臂部2a、2b的前端部形成的金属膜61、67的膜厚为0.4μm，在石英晶片60的其它表面上形成的金属膜67的膜厚为0.1μm。
然后，在振动臂部2a、2b的前端部，利用激光等对在该前端部形成的金属膜67的表面进行削去，通过调整其厚度而进行振动频率的调整。然后，从形成有电极图案的原型6，切出图1所示的石英振子。
根据上述的实施方式，在振动臂部2a、2b的前端部分残留有在振动臂部2a、2b上形成槽部31、32时所使用的金属膜61，此后，重新在石英晶片60的表面上形成作为电极的金属膜67，因此，在振动臂部2a、2b的前端部分形成的金属膜的膜厚变厚。结果，频率的调整幅度变大，因此能够抑制成品率的下降，并且能够抑制在图5(o)所示的工序中作为电极的金属的使用量。因此，特别是在使用金(Au)作为金属的情况下，因为金的成本高，所以金属的节约效果大。
另外，在上述的实施方式中，在形成石英片65的外形之后，在石英晶片60的两主面上形成槽部31、32，但也可以在石英晶片60的两主面上形成槽部31、32之后，形成石英片65的外形。具体地说，首先使用在与图1所示的槽部31、32对应的部位具有开口部的抗蚀剂掩膜将金属膜61除去，使石英晶片60的表面露出，将该露出的部位除去，在石英晶片60的两主面上形成槽部31、32。接着，使用具有与石英片65的外形部分对应的图案、并堵塞槽部31、32的抗蚀剂掩膜将金属膜61除去，使石英晶片60的表面露出，将该露出的部位除去，形成石英片65的外形部分。
另外，上述的石英振子，例如如图8所示，收存在由SMD(Surface Mounted Device：表面安装器件)结构的陶瓷构成的封装体(package)7中。该封装体7由上面开口的例如陶瓷制的壳体7a与例如金属制的盖体7b构成。上述壳体7a与盖体7b，例如通过由焊接材料构成的密封件7c进行缝焊，其内部成为真空状态。在上述封装体7的内部，石英振子70的基部1通过导电性粘结剂7d而被固定在台座71上。上述封装体7内的石英振子70的姿势状态，处于石英振子70的振动臂部2a、2b向封装体7内部的空间伸出的朝向侧面的姿势。另外，在上述台座71的表面，配置有导电线路72、73(73为纸面背侧的导电线路)，在基部1形成的引出电极42、52通过导电性粘结剂7d与上述导电线路72、73连接。另外，上述导电线路72、73分别与在壳体7a的外部底面的长度方向上相对而设置的电极74、75连接。结果，通过电极74、75、导电线路72、73以及导电性粘结剂7d，向基部1的引出电极42、52施加电压，由此，上述石英振子70振动。这样构成封装型石英振子。将该石英振子搭载在搭载有振荡电路的电路部件的未图示的配线基板上，由此构成电子部件。
[实施例]
在制造3.2kHz的石英振子的情况下，利用激光将在由图2～图6所示的工序制作出的本发明的石英振子的振动臂部2a、2b的前端部形成的金属膜61、67的表面全部削去，对频率变化多少进行了调查，约为15000ppm。此外，金属膜61、67的膜厚为0.4μm。将此作为实施例。
另外，利用激光将在由图10～图12所示的工序制作出的以往的石英振子的振动臂部2a、2b的前端部形成的金属膜14的表面全部削去，对频率变化多少进行了调查，约为4000ppm。此外，金属膜14的膜厚为0.1μm。将此作为比较例。
因而，在比较例中频率调整量为4000ppm，而在实施例中频率调整量为15000ppm，大约变大为4倍，因此能够提高成品率，例如能够达到100％。

Claims (4)

1.一种压电振子的制造方法，通过对压电基板进行蚀刻而制造多个压电振动片，该多个压电振动片包括基部、从该基部伸出的多个振动臂部、和在这些振动臂部的各个上形成的槽部，其特征在于，包括：
得到形成有压电振动片的外形部分和槽部、并且所述槽部以外的部位由金属膜覆盖的压电振动片的工序；
在所述压电基板的表面形成抗蚀剂掩膜，使得成为频率调整用的金属膜的形成区域的所述振动臂部的前端部分被覆盖而其它部位露出，并将露出的金属膜除去的工序；
除去所述抗蚀剂掩膜，在压电振动片的外形部分的整个面上形成用于形成电极的金属膜的工序；
在所述金属膜的表面形成新的抗蚀剂掩膜，并对形成于所述振动臂部的前端部分的金属膜以外的金属膜进行蚀刻，由此形成电极图案的工序；和
除去所述新的抗蚀剂掩膜，对在所述振动臂部的前端部分形成的频率调整用的金属膜进行削去，通过调整其厚度而调整振动频率的工序。
2.根据权利要求1所述的压电振子的制造方法，其特征在于：
在所述振动臂部的前端部分形成的频率调整用的金属膜，在对厚度进行调整之前的厚度为0.3～0.5μm，频率调整用的金属膜以外的电极图案的厚度为0.1～0.2μm。
3.一种压电振子的制造方法，通过对压电基板进行蚀刻而制造多个压电振动片，该多个压电振动片包括基部、从该基部伸出的多个振动臂部、和在这些振动臂部的各个上形成的槽部，其特征在于，包括：
在所述压电基板的两面上形成金属膜的工序；
在所述金属膜上形成具有与压电振动片的外形部分对应的图案的第一抗蚀剂掩膜，对所述金属膜进行蚀刻，使压电基板的表面露出的工序；
接着对压电基板的露出部位进行蚀刻，这样制造压电振动片的外形部分的工序；
除去所述第一抗蚀剂掩膜，形成在与所述槽部对应的部位具有开口部的第二抗蚀剂掩膜的工序；
使用该第二抗蚀剂掩膜对所述金属膜进行蚀刻，使压电基板的表面露出的工序；
接着对压电基板的露出部位进行蚀刻，这样形成槽部的工序；
除去所述第二抗蚀剂掩膜，接着在所述压电基板的表面形成第三抗蚀剂掩膜，使得成为频率调整用的金属膜的形成区域的所述振动臂部的前端部分被覆盖而其它部位露出，并将露出的金属膜除去的工序；
除去所述第三抗蚀剂掩膜，在压电振动片的外形部分的表面形成用于形成电极的金属膜的工序；
在所述金属膜的表面形成第四抗蚀剂掩膜，并对形成于所述振动臂部的前端部分的金属膜以外的金属膜进行蚀刻，由此形成电极图案的工序；和
除去所述第四抗蚀剂掩膜，对在所述振动臂部的前端部分形成的频率调整用的金属膜进行削去，通过调整其厚度而调整振动频率的工序。
4.根据权利要求3所述的压电振子的制造方法，其特征在于：
在所述振动臂部的前端部分形成的频率调整用的金属膜，在对厚度进行调整之前的厚度为0.3～0.5μm，频率调整用的金属膜以外的电极图案的厚度为0.1～0.2μm。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4075893B2 (ja) * 2004-05-21 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 水晶振動子の製造方法、その装置及び水晶振動子
JP2008079033A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電振動子の製造方法、圧電振動子及び電子部品
WO2009101733A1 (ja) * 2008-02-16 2009-08-20 Seiko Instruments Inc. 圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器及び電波時計
WO2010023727A1 (ja) * 2008-08-27 2010-03-04 セイコーインスツル株式会社 圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計並びに圧電振動子の製造方法
TW201131975A (en) * 2009-09-18 2011-09-16 Seiko Epson Corp Vibrating reed, vibrator, oscillator, and electronic device
JP2012060628A (ja) * 2010-08-07 2012-03-22 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス及びその製造方法
JP6007541B2 (ja) * 2012-03-28 2016-10-12 セイコーエプソン株式会社 振動片およびその製造方法並びにジャイロセンサーおよび電子機器および移動体
JP6349622B2 (ja) * 2013-03-14 2018-07-04 セイコーエプソン株式会社 振動素子、振動子、発振器、電子機器および移動体
JP6107333B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-05 セイコーエプソン株式会社 振動子、発振器、電子機器および移動体
CN103315775B (zh) * 2013-06-28 2015-02-11 深圳市理邦精密仪器股份有限公司 一种超声阵列换能器及其制备方法
WO2017212677A1 (ja) * 2016-06-08 2017-12-14 株式会社村田製作所 共振装置製造方法
JP6617928B2 (ja) * 2016-11-18 2019-12-11 株式会社村田製作所 圧電振動素子の製造方法
CN108055016A (zh) * 2017-12-29 2018-05-18 应达利电子股份有限公司 具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法
CN108512518A (zh) * 2018-03-28 2018-09-07 应达利电子股份有限公司 一种低等效串联电阻小型晶片制作方法及系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1706098A (zh) * 2003-03-28 2005-12-07 株式会社大真空 音叉型振子的频率调整方法和通过该方法调整频率的音叉型振子
CN1795609A (zh) * 2004-01-27 2006-06-28 株式会社村田制作所 压电谐振部件的频率调整方法及压电谐振部件

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4415827A (en) * 1981-05-27 1983-11-15 Statek Corporation Microresonator of tuning fork configuration operating at its second overtone frequency
JPS6113704A (ja) 1984-06-28 1986-01-22 Daiwa Shinku Kogyosho:Kk 音叉型水晶振動子の製造方法
JP3247161B2 (ja) 1992-10-06 2002-01-15 株式会社シマノ 釣り用リール
US5918354A (en) * 1996-04-02 1999-07-06 Seiko Epson Corporation Method of making a piezoelectric element
JP3729249B2 (ja) 2000-09-01 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 振動片の製造方法、振動片、振動片を有する振動子、発振器及び携帯電話装置
JP4329492B2 (ja) * 2003-10-28 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片と圧電デバイスおよびこれらの製造方法、ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器
JP2006108824A (ja) 2004-09-30 2006-04-20 Tdk Corp トリプレクサ
JP4301200B2 (ja) * 2004-10-20 2009-07-22 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片および圧電デバイス

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1706098A (zh) * 2003-03-28 2005-12-07 株式会社大真空 音叉型振子的频率调整方法和通过该方法调整频率的音叉型振子
CN1795609A (zh) * 2004-01-27 2006-06-28 株式会社村田制作所 压电谐振部件的频率调整方法及压电谐振部件

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