JP2009284218A - 圧電振動片を製造する製造方法、及び音叉型圧電振動片を製造する製造方法。 - Google Patents
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Abstract
【課題】 水晶ウエハ10の全面において圧電振動片(20)の溝部(27)の深さを個々に制御することができる圧電振動片の製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電ウエハ(10)から圧電振動片(20)を製造する製造方法は、複数の溝部(27)を有する圧電ウエハを用意する工程(S11)と、複数の溝部に対して、個々の溝部ごとにエッチング材を塗布する塗布工程(S18)と、複数の溝部からエッチング材を除去する除去工程(S19)と、複数の溝部(27)に電極パターンを形成する電極形成工程(S43)と、圧電ウエハ(10)から溝部(37)を有する個々の圧電振動片を切り出す振動片切り出し工程(S46)と、を備える。
【選択図】 図4
【解決手段】 圧電ウエハ(10)から圧電振動片(20)を製造する製造方法は、複数の溝部(27)を有する圧電ウエハを用意する工程(S11)と、複数の溝部に対して、個々の溝部ごとにエッチング材を塗布する塗布工程(S18)と、複数の溝部からエッチング材を除去する除去工程(S19)と、複数の溝部(27)に電極パターンを形成する電極形成工程(S43)と、圧電ウエハ(10)から溝部(37)を有する個々の圧電振動片を切り出す振動片切り出し工程(S46)と、を備える。
【選択図】 図4
Description
本発明は、圧電振動片を形成する際の溝部形成についての圧電振動片を製造する製造方法、及び音叉型圧電振動片を製造する製造方法に関する。
関する。
関する。
移動体通信機器やOA機器等の小型軽量化及び高周波数化に伴って、それらに用いられる圧電デバイスも、より一層の小型化への対応が求められ、また回路基板に表面実装(SMD:Surface Mount Device)の可能な圧電デバイスが要求されている。圧電振動片のATカット振動片では溝部を形成することで形状を逆メサ型にして小型化及び高周波数化していた。また、小型な圧電振動片の音叉型圧電振動片では振動腕に溝部を形成することで振動効率を高めてCI(クリスタルインピーダンス)値を低く保持している。
こうした圧電振動片の溝部の形成は水晶ウエハを公知のフォトリソグラフィ・エッチング技術により水晶ウエハに数百から数千の圧電振動片を形成するために、耐蝕膜(金属膜)を形成した水晶ウエハをエッチング液に漬けることで、微小な溝を形成していた。特許文献1ではサイズの異なるフォトマスクのウエットエッチングを繰り返すことで逆メサ型のATカット振動子を製造していた。また特許文献2では外形の形成と、溝部の形成を分離することで振動腕に溝部を形成していた。
特開2002−374135号公報
特開2002−076806号公報
しかしながら、圧電振動片が小型化されるに従い、水晶ウエハ全面の溝部の形成をエッチング液に漬けて同時に形成すると、外形及び溝部の窪みでエッチングの流れが淀むことで水晶ウエハ上の流れが不均一になり、水晶ウエハ全面で均一な溝部の深さを形成することが難しかった。不均一な溝部の深さはCI値、スプリアスの発生、及び周波数のバラツキの原因となり、製品の歩留まりを悪化させていた。
そこで本発明の溝部のエッチング方法は、水晶ウエハより圧電振動片を製造する過程の溝部を形成する工程で、個々の溝部でエッチング時間を制御することで、水晶ウエハ全面で均一な溝部の形成を行うことができる。
第1の観点の圧電ウエハから圧電振動片を製造する製造方法は、複数の溝部を有する圧電ウエハを用意する工程と、複数の溝部に対して、個々の溝部ごとにエッチング材を塗布する塗布工程と、複数の溝部からエッチング材を除去する除去工程と、複数の溝部に電極パターンを形成する電極形成工程と、圧電ウエハから溝部を有する個々の圧電振動片を切り出す振動片切り出し工程と、を備える。
この構成により、個々の溝部に対してエッチングを行うため圧電ウエハ全面で均一な溝部の深さを形成しやすくなる。また、個々の圧電振動片のばらつきを抑えることができる。
この構成により、個々の溝部に対してエッチングを行うため圧電ウエハ全面で均一な溝部の深さを形成しやすくなる。また、個々の圧電振動片のばらつきを抑えることができる。
第2の観点の製造方法は、塗布工程の前に、溝部を有する個々の圧電振動片の周波数振動を測定する測定工程を備え、塗布工程はその圧電振動片に求められる振動周波数と測定された振動周波数との差に応じて、時間差を設ける。
個々の溝部に時間差を設けてエッチングすることで、ウエハ単位においても周波数の微調整が可能となる。
個々の溝部に時間差を設けてエッチングすることで、ウエハ単位においても周波数の微調整が可能となる。
第3の観点の製造方法は、圧電振動片が逆メサタイプの振動片である。
特に逆メサタイプの振動周波数は圧電材料の厚さによって周波数が決まるため、この製造方法が適している。
特に逆メサタイプの振動周波数は圧電材料の厚さによって周波数が決まるため、この製造方法が適している。
第4の観点の製造方法は、溝部を有する音叉型圧電振動片が複数形成された圧電ウエハを用意する工程と、複数の溝部に対して個々の溝部ごとにエッチング材を塗布する塗布工程と、溝部からエッチング材を除去する除去工程と、複数の溝部に第1電極パターンを形成する第1電極形成工程と、圧電ウエハから溝部を有する個々の音叉型圧電振動片を切り出す振動片切り出し工程と、を備える。
振動腕の両面に溝部を有する音叉型圧電振動片は、溝部の深さによってCI値の変動及びスプリアスの発生が生じやすい。このため、個々の溝部ごとにエッチング材を塗布することで溝の深さを正確にエッチングすることができる。
振動腕の両面に溝部を有する音叉型圧電振動片は、溝部の深さによってCI値の変動及びスプリアスの発生が生じやすい。このため、個々の溝部ごとにエッチング材を塗布することで溝の深さを正確にエッチングすることができる。
第5の観点の製造方法は、第4の観点において、溝部に形成された電極パターンを形成する第2電極パターンを形成する第2電極形成工程と、第2電極パターンが形成された状態で個々の音叉型圧電振動片の周波数振動を測定する測定工程と、測定工程後に塗布工程の前に、溝部の第2電極パターンを削除する削除工程と、を備え、塗布工程は、音叉型圧電振動片に求められる振動周波数と測定された振動周波数との差に応じて、時間差を設ける。
一度溝部を形成して振動周波数を測定した後、その周波数振動に基づいて個々の溝部をエッチングする時間差を変えるようにしてエッチングを行う。このため、圧電ウエハ全体の溝部のエッチングであっても、個々の溝部の深さを調整することができる。
一度溝部を形成して振動周波数を測定した後、その周波数振動に基づいて個々の溝部をエッチングする時間差を変えるようにしてエッチングを行う。このため、圧電ウエハ全体の溝部のエッチングであっても、個々の溝部の深さを調整することができる。
第6の観点の製造方法の塗布工程は、第4または第5の観点において、振動腕の片面の溝部にエッチング材を塗布する。
第7の観点の製造方法のエッチング材は、第4から第6の観点において、液体である。
エッチング材が液体であると気体のエッチング材と比べてエッチング速度が速い。
エッチング材が液体であると気体のエッチング材と比べてエッチング速度が速い。
本発明の溝形成方法は水晶ウエハ全面において圧電振動片の溝部の深さを個々に制御することが可能であるため、発振周波数、及びCI値の安定した圧電振動片を製造することができる。つまり本発明の溝形成方法は水晶ウエハのどの位置においても均一な製品を提供でき、歩留まりを向上させ、製品単価を下げることができる。
<<実施形態1>>
<圧電振動デバイス50の構成>
<圧電振動デバイス50の構成>
図1(a)は、本実施形態に係るSMD(Surface Mount Device)タイプの圧電振動デバイス50を示す概略斜視図である。図1(b)は図1(a)の構成を示した概略側面図である。図1(c)は図1(a)の蓋体59を外した概略上面図である。なお、ここでは代表して音叉型水晶振動片20を内部に載置した圧電振動デバイス50について説明するが、逆メサ型ATカット振動片60(図11参照)も載置することができる。以下の説明においては主に音叉型水晶振動片20について説明する。
表面実装型の圧電振動デバイス50は、絶縁性のセラミックパッケージ51と圧電振動デバイス50のパッケージを覆う蓋体59とからなる。蓋体59は、コバール(鉄FeとニッケルNiとコバルトCoとの合金)製である。
セラミックパッケージ51は、アルミナを主原料とするセラミック粉末およびバインダ等を含むスラリーを用いたグリーンシートよりプレス抜きされた底面用セラミック層51a、壁用セラミック層51bおよび台座底面用セラミック層51cからなる。これら複数のセラミック層51a〜51cより構成されたパッケージは、キャビティ58を形成し、このキャビティ58内に、音叉型水晶振動片20を実装する。セラミックパッケージ51はこれらの複数の基板を積層し、焼結して形成されている。
音叉型水晶振動片20の基部29の配線は、導電性接着剤31と導通接続する接着領域を有している。音叉型水晶振動片20は、底面用セラミック層51aと水平になるように導電性接着剤31で接着されて、所定の振動を発生する。台座用セラミック層51cの上面の一部には、音叉型水晶振動片20の接着領域と導通を取る配線層42が形成されている。セラミックパッケージ51の下面に形成された少なくとも2つの外部端子電極43は、不図示のプリント基板に表面実装する際の外部端子である。また、内部配線44は配線層42、外部端子電極43を接続する電気的導通部である。壁用セラミック層51bの上端にはメタライズ層があり、蓋体59の接合のために、メタライズ層上に形成された低温金属ろう材からなる封止材57が形成されている。壁用セラミック層51bと蓋体59は、封止材57を介して溶着されている。なお、蓋体59はガラスで形成することもでき、低融点ガラスの封止材57で封止される。
<音叉型水晶振動片20の構成>
図2(a)は、音叉型水晶振動片20の全体構成を示した上面図である。図2(b)は、図2(a)の音叉型水晶振動片20の振動腕21のA−A断面図である。
図2(a)は、音叉型水晶振動片20の全体構成を示した上面図である。図2(b)は、図2(a)の音叉型水晶振動片20の振動腕21のA−A断面図である。
音叉型水晶振動片20の母材は、Z板に加工された水晶ウエハ10で形成されている。小型で必要な性能を得るために、図2(a)に示すように、音叉型水晶振動片20は、基部29と、この基部29の一端部から長さ方向(Y方向)に向けて二股に別れて平行に延びる一対の振動腕21を備えている。一対の振動腕21の根元26は、テーパー部を設けることによって、周囲温度の変化に起因する共振周波数の変動やバラツキを抑えている。根元26のテーパー部の形状はU字形状でもV字形状などでもよい。本実施形態では一対の振動腕21を備えた音叉型水晶振動片20で説明するが、3本または4本の振動腕21を備えた音叉型水晶振動片20であってもよい。
音叉型水晶振動片20は、たとえば32.768kHzで信号を発信する振動片で、極めて小型の振動片となっており、全体の長さが2.3mm程度、幅0.5mm程度である。
音叉型水晶振動片20の振動腕21の表裏両面には第1溝部27が形成されている。一本の振動腕21の表面には2つの第1溝部27が形成されており、振動腕21の裏面側にも同様に2つの第1溝部27が形成されている。つまり、一対の振動腕21には4箇所の第1溝部27が形成される。第1溝部27の深さは、水晶ウエハ10の厚さ、つまり音叉型水晶振動片20の厚さの約35〜45%であり、表裏両面に第1溝部27があるため、図2(b)に示すように、第1溝部27の断面は、略H型に形成されている。第1溝部27は、CI値の上昇を抑えるために設けられている。本実施形態では、たとえば水晶ウエハ10の厚さが100μmから120μm程度であり、第1溝部27の深さが表裏で80μmから100μm程度となる。
音叉型水晶振動片20の基部29は、その全体が略板状に形成されている。音叉型水晶振動片20に対する基部29の長さは36%程度となっている。音叉型水晶振動片20の基部29の一端には連結部28が2箇所設けられている。連結部28は、水晶ウエハ10から、図2(a)に示す音叉形状をフォトリソグラフィおよびウエットエッチングで形成する際に、水晶ウエハ10と音叉型水晶振動片20とを連結する部分である。
音叉型水晶振動片20の振動腕21および基部29には、第1電極パターン23が形成されている。第1電極パターン23は、50オングストローム〜1000オングストロームのクロム(Cr)層の上に100オングストローム〜1000オングストロームの金(Au)層が形成された構成になっている。すなわち、第1層と第2層とを合わせると、150オングストローム〜2000オングストロームの電極パターンの厚さになる。また、クロム(Cr)層の代わりに、タングステン(W)層、ニッケル(Ni)層、ニッケルタングステン層またはチタン(Ti)層を使用してもよく、また金(Au)層の代わりに、銀(Ag)層を使用してもよい。また、一層からなる場合もあり、このときは、たとえばアルミ(Al)層、銅(Cu)層またはケイ素(Si)層が用いられる。
音叉型水晶振動片20の基部29の上面には、図2(a)に示すように、基部電極23aが形成され、振動腕部21の第1溝部27には、溝電極23dがそれぞれ形成される。また、図2(b)に示すように、振動腕部21の両側面には、側面電極23cが形成されている。図示しない右側の振動腕部21の両側面には、側面電極23cが形成されている。音叉型水晶振動片20の下面は図示していないが、上面と対称関係になるように各電極が形成されている。
<水晶ウエハの構成>
図3は、音叉型水晶振動片の外形を形成した単結晶の水晶ウエハ10を示す平面図である。
図3は、音叉型水晶振動片の外形を形成した単結晶の水晶ウエハ10を示す平面図である。
図3(a)は、円形の水晶ウエハ10である。この円形の水晶ウエハ10は、たとえば厚さ120μmの人工水晶からなり、円形の水晶ウエハ10の直径は3インチまたは4インチである。さらに、円形の水晶ウエハ10の軸方向が特定できるように、水晶ウエハ10の周縁部の一部には、水晶の結晶方向を特定するオリエンテーションフラット10cが形成されている。
また、図3(b)は、矩形の水晶ウエハ15である。この矩形の水晶ウエハ15も、たとえば厚さ120μmの人工水晶からなり、その矩形の水晶ウエハ15の一辺は2インチである。そして、矩形の水晶ウエハ15の軸方向が特定できるように、矩形の水晶ウエハ15の周縁部の一部には、水晶の結晶方向を特定するオリエンテーションフラット15cが形成されている。
図3(a)の円形の水晶ウエハ10および図3(b)の矩形の水晶ウエハ15は、工程管理およびウエハ強度との関係で、複数の窓部18が設けられ、その窓部に複数の音叉型水晶振動片20が形成されている。各窓部18において、水晶ウエハ10と音叉型水晶振動片20とを接続するため連結部28が形成されている。以下は上記の水晶ウエハより音叉型水晶振動片20を製造する方法を示す。
<音叉型水晶振動デバイスの製造工程>
図4は音叉型水晶振動片20の外形、また第1溝部27を形成するための代表的な製造工程のフローチャートである。なお、図4の右図は図2(a)のA−A断面部分についての水晶ウエハ10を示している。
図4は音叉型水晶振動片20の外形、また第1溝部27を形成するための代表的な製造工程のフローチャートである。なお、図4の右図は図2(a)のA−A断面部分についての水晶ウエハ10を示している。
図4のステップS11では、研磨洗浄された水晶ウエハ10にスパッタ法で図4(a)で示すように金属膜32を形成する。この金属膜32は例えばクロム(Cr)の下地膜に金(Au)を積層したものが用いられる。
ステップS12では、金属膜32の上にフォトレジストを例えばスプレー法で全体を均一に塗布しレジスト膜36を形成する(図4(b))。ステップS13において音叉型水晶振動片20の外形パターンを露光及び現像して、音叉型水晶振動片20の外形をしたレジスト膜36を形成する(図4(c))。
ステップS14では、エッチングによりレジスト膜36で覆われていない金属膜32の部分を除去する。この工程は第1金属膜エッチング工程とする。次に、水晶ウエハ10に残るレジスト膜36を全て剥離する(図4(d))。
ステップS15では、水晶ウエハ10の全面に再度フォトレジストを例えばスプレー法で塗布し、振動腕21に第1溝部27を形成するためのパターンを露光する。フォトレジスト39は露光されたレジスト膜である。図4(e)は振動腕21に第1溝部27を形成するためのパターンを露光した断面図である。
ステップS16において、音叉形状の外形と第1溝部27との露光したレジスト膜39を剥離する(図4(f))。この状態では第1溝部27の箇所には金属膜32が残っているのでステップS17において水晶ウエハ10がエッチングされない。
ステップS17では、図4(g)で示すように水晶ウエハ10をエッチング液であるフッ酸を用いウエットエッチングすることで音叉型水晶振動片20の外形を形成する。この工程は第1圧電エッチング工程とする。
ステップS18では、ウエットエッチングを行うことで第1溝部27の金属膜32を除去する(図4(h))。この工程は第2金属膜エッチング工程とする。
ステップS19では、第1溝部27を形成するために、図4(i)で示すように水晶ウエハ10の第1溝部27ごとに、エッチング塗布ノズル72からエッチング液を塗布することで溝部の深さを調節する。この工程を第2圧電エッチング工程とし、塗布装置は図5及び図6を使って説明する。本実施形態では第1溝部27ごとにエッチング液を塗布することでエッチング液の対流の影響を除くことができ均一な深さの溝部を形成することができる。均一な深さの溝部は音叉型水晶振動片20の特性のバラツキを抑えCI値の良い、安定した音叉型水晶振動片20を製造することができる。なお、水晶ウエハ10の両面の第1溝部27にエッチング液を塗布するため、水晶ウエハ10の片面のエッチングが終了したら水晶ウエハ10を裏返して同様にエッチング塗布ノズル72からエッチング液を塗布する。
ステップS20では、エッチング終了後にエアーを噴射することでエッチング液を除去した後に水で洗浄する。それから、レジスト膜と金属膜32を除去することにより、第1溝部27を形成した音叉型水晶振動片20を製造することができる(図4(j))。
<第2圧電エッチング工程>
第2圧電エッチング工程における水晶ウエハ10の第1溝部27ごとの塗布方法は図5に示すような1次元のエッチング塗布装置70、及び図6に示すような2次元のエッチング塗布装置70’を用いることで可能となる。
第2圧電エッチング工程における水晶ウエハ10の第1溝部27ごとの塗布方法は図5に示すような1次元のエッチング塗布装置70、及び図6に示すような2次元のエッチング塗布装置70’を用いることで可能となる。
図5(a)に示す1次元のエッチング塗布装置70は可動ステージ71を備え、エッチング塗布ノズル72を1列に配置した装置であり、その上面図である。図5(b)は(a)の概略側面図である。エッチング塗布ノズル72の先端は第1溝部27の大きさと比べ小さな構造であり、エッチング塗布ノズル72から噴出するエッチング液は隣り合う第1溝部27に余分なエッチング液が流れ出すことがない量を正確に塗布することができる。
エッチング塗布ノズル72は、インクジェット方式又はディスペンサー方式を採用することができる。インクジェット方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。液滴塗布法は、材料の使用に無駄が少なくしかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できる。
1次元のエッチング塗布装置70は水晶ウエハ10を載置し可動ステージ71上のエッチング塗布アーム73を移動させることで第1溝部27の位置ごとにエッチング液を塗布する。1次元のエッチング塗布装置70は所定時間を経過した後に水晶ウエハ10を洗浄し、水晶ウエハ10を反転させる。そして再度水晶ウエハ10を可動ステージ71上に載置し、第1溝部27の位置ごとにエッチング液を塗布して所定時間を経過させる。
図6(a)に示す2次元のエッチング塗布装置70はエッチング塗布アーム73に多列のエッチング塗布ノズル72を配置した装置であり、その上面図である。図6(b)は(a)の概略側面図である。
2次元のエッチング塗布装置70’も塗布装置は1次元のエッチング塗布装置70’と同様に可動ステージ71上をエッチング塗布アーム73が動くことで水晶ウエハ10の第1溝部27ごとにエッチング液を塗布することができる。2次元のエッチング塗布装置70’は多列でエッチング液を塗布するため短時間に処理することができ、第1溝部27ごとの時間差が少なくなる。また2次元のエッチング塗布装置70’も片面ずつの第1溝部27の形成となるため、2次元のエッチング塗布装置70’も水晶ウエハ10を反転して同様にエッチングする。なお図6では水晶ウエハ10の半分程度を塗布することが可能な2次元のエッチング塗布装置70’を示しているが、水晶ウエハ10の全面を覆う形状でもよい。その場合は可動ステージが不要となり、1度に全面の第1溝部27の塗布をすることができる。
<第1電極パターン23の形成及びパッケージングの工程>
外形及び第1溝部27を形成した音叉型水晶振動片20は次に電極を形成し、周波数調整を行いパッケージングする。図7はその工程のフローチャートを示す。
外形及び第1溝部27を形成した音叉型水晶振動片20は次に電極を形成し、周波数調整を行いパッケージングする。図7はその工程のフローチャートを示す。
ステップS41では、音叉型水晶振動片20を純水で洗浄し、音叉型水晶振動片20の全面に駆動電極としての励振電極などを形成するための金属膜を蒸着またはスパッタリング等の手法により形成する。
ステップS42では、スプレー法などを用いて全面にフォトレジストを塗布する。音叉型水晶振動片20には第1溝部27などが形成されているため、第1溝部27にも均一にフォトレジストを塗布する。
ステップS42では、スプレー法などを用いて全面にフォトレジストを塗布する。音叉型水晶振動片20には第1溝部27などが形成されているため、第1溝部27にも均一にフォトレジストを塗布する。
ステップS43では、第1電極パターン23と対応したフォトマスクを用意して、第1電極パターン23をフォトレジスト層が塗布された水晶ウエハ10に露光する。第1電極パターン23は音叉型水晶振動片20の両面に形成する必要があるため、音叉型水晶振動片20の両面を露光する。
ステップS44では、フォトレジスト層を現像後、感光したフォトレジスト層を除去する。残るフォトレジストは第1電極パターン23と対応したフォトレジスト層になる。さらに電極となる金属膜32のエッチングを行う。例えば、第1電極パターン23と対応したフォトレジスト層から露出した金層をヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液でエッチングし、次にクロム層を硝酸第2セリウムアンモニウムと酢酸との水溶液でエッチングする。
続いて、ステップS45で、残ったフォトレジストを除去する。これらの工程を経て、音叉型水晶振動片20には励振電極などが正確な位置および電極幅で形成することができる。これまでの工程により、第1電極パターン23を形成した音叉型水晶振動片20が得られる。
続いて、ステップS45で、残ったフォトレジストを除去する。これらの工程を経て、音叉型水晶振動片20には励振電極などが正確な位置および電極幅で形成することができる。これまでの工程により、第1電極パターン23を形成した音叉型水晶振動片20が得られる。
ステップS46では、ダイシングなどにより水晶ウエハから切り出すことで数百から数千の音叉型水晶振動片20を得る。そして、図1(b)で示すセラミック製のパッケージ51に1個の音叉型水晶振動片20を導電性接着剤31で接着する。具体的には、音叉型水晶振動片20の基部29を、配線層42に塗布した導電性接着剤31の上に載置して、導電性接着剤31を仮硬化させる。次に、硬化炉で導電性接着剤31を本硬化することにより音叉型水晶振動片20を外部端子電極43に対して接合する。
ステップS47では、音叉型水晶振動片20を周波数調整する。周波数調整は振動腕21の先端の錘金属膜にレーザ光を照射して、錘金属層の一部を蒸散・昇華させ、質量削減方式により発振周波数が所望の周波数になるようにする。
ステップS48で、真空チャンバ内などに音叉型水晶振動片20を収容したパッケージ51を移し、蓋体59を封止材57により接合する。
ステップS49で、最後に圧電振動デバイス50の駆動特性などの検査を行い、圧電振動デバイス50を完成させる。蓋体59をガラスで形成した圧電振動デバイス50はステップS48で蓋体59を封止材57により接合した後でも周波数調整をすることができる。
ステップS48で、真空チャンバ内などに音叉型水晶振動片20を収容したパッケージ51を移し、蓋体59を封止材57により接合する。
ステップS49で、最後に圧電振動デバイス50の駆動特性などの検査を行い、圧電振動デバイス50を完成させる。蓋体59をガラスで形成した圧電振動デバイス50はステップS48で蓋体59を封止材57により接合した後でも周波数調整をすることができる。
<<実施形態2>>
実施形態1における第2圧電エッチング工程は均一な深さの第1溝部27を形成することができるが、上面と下面との処理時間がエッチング液に漬ける方法と比べ処理時間が約2倍となる。処理時間を短くするために本実施形態では第2圧電エッチング工程で第2電極パターン25を形成して音叉型水晶振動片20の特性を計測することで、水晶ウエハ10の中で補正が必要とする音叉型水晶振動片20に対してのみ選択的にエッチングをする。
実施形態1における第2圧電エッチング工程は均一な深さの第1溝部27を形成することができるが、上面と下面との処理時間がエッチング液に漬ける方法と比べ処理時間が約2倍となる。処理時間を短くするために本実施形態では第2圧電エッチング工程で第2電極パターン25を形成して音叉型水晶振動片20の特性を計測することで、水晶ウエハ10の中で補正が必要とする音叉型水晶振動片20に対してのみ選択的にエッチングをする。
図8は本実施形態の第2圧電エッチング工程において第1溝部27を選択処理するフローチャートである。
ステップS61では、従来の手法のように水晶ウエハ10の全面をエッチング液に漬けることで、所望の深さになるようにエッチングを行う。水晶ウエハ10の上面と下面との両面で処理することができるため処理時間の短縮ができる。処理時間は最初に所定の深さになる溝部の時間を設定しておくことで、エッチング時間を長くしすぎて溝部の深さが深くなりすぎることを防ぐ。
ステップS61では、従来の手法のように水晶ウエハ10の全面をエッチング液に漬けることで、所望の深さになるようにエッチングを行う。水晶ウエハ10の上面と下面との両面で処理することができるため処理時間の短縮ができる。処理時間は最初に所定の深さになる溝部の時間を設定しておくことで、エッチング時間を長くしすぎて溝部の深さが深くなりすぎることを防ぐ。
ステップS62では第2電極パターン25の形成をする。第2電極パターン25の形成は図7のステップS41からステップS45の工程と同様である。第2電極パターン25の形成は音叉型水晶振動片20の特性を計測するためのものであり、接続部28を介して図9に示すような計測用電極49を水晶ウエハ10に形成しておく。
ステップS63では、不図示の計測器のプローブを計測用電極49にあてて、電圧をかけることで水晶ウエハ10のすべての音叉型水晶振動片20を計測する。個々の音叉型水晶振動片20の周波数特性を調べる。
ステップS64では、ステップS63の計測した周波数特性に基づいて、複数の音叉型水晶振動片20から補正が必要な第1溝部27を特定する。また、その音叉型水晶振動片20に求められる振動周波数と測定された振動周波数との差に応じて補正すべき第1溝部27の深さを計算により求める。
ステップS65では、水晶ウエハ10に形成した第1溝部27の第2電極パターン25を除去する。補正が必要な第1溝部27の第2電極パターン25だけを除去してもよいしすべての第2電極パターン25を除去しても良い。第2電極パターン25の除去は金属エッチングすることで除去することができる。
ステップS66では1次元のエッチング塗布装置70及び2次元のエッチング塗布装置70’によりエッチング液を特定した上面及び下面の第1溝部27に塗布し、所定の時間エッチングする。例えばエッチング塗布ノズル72は、補正量が大きい第1溝部27に対して最初にエッチング液を塗布し、補正量が小さい第1溝部27に対して最後にエッチング液を塗布する。このように時間差を設けることでてすべての第1溝部27からエッチング液を除去することができる。本実施形態の第2圧電エッチング工程は、第1溝部27の深さを調整することで特性のバラツキのない、周波数の安定した音叉型水晶振動片20となる。
図8のステップS61で所望の深さの圧電エッチングを行ったが、所望の深さの半分程度のハーフエッチングを行い、第2電極パターン25を形成して音叉型水晶振動片20の特性を計測することでも、処理時間を短くして特性のバラツキのない、周波数の安定した音叉型水晶振動片20を製造できる。
またステップS65で補正すべき音叉型水晶振動片20が微調整するだけでよい場合は第1溝部27を片面のみを調整してもよい。また、第2圧電エッチング工程は、液体のエッチング液ではなく、エッチングガスを使ったドライエッチングを行ってもよい。
本実施形態では第1溝部27ごとに塗布するタイミングで時間差をつけることで、エッチング液の除去を同時に行うことができる。エッチング液の除去は、エアーを噴射することで除去した後に水で洗浄するなどして、エッチング液が第1溝部27に残ることのないようにする。
<実施形態3>
水晶ウエハ全面の溝部ごとに深さを調節する方法は、第2溝部67を形成する逆メサ型のATカット振動子についても同様に処理することができる。
水晶ウエハ全面の溝部ごとに深さを調節する方法は、第2溝部67を形成する逆メサ型のATカット振動子についても同様に処理することができる。
図10(a)は、第2溝部67を形成する逆メサ型ATカット振動片60の概略斜視図である。図10(b)は(a)の概略断面図である。なお逆メサ型ATカット振動片60の下面側も同様な形状をしている。逆メサ型ATカット振動片60は水晶ウエハ10からなり、エッチングで加工した第2溝部67の振動領域62と、厚みを持つ非振動領域63をもつ外周部とで構成される。両主面の振動領域62には励振電極64が形成され、非振動領域63には引出電極65が延出する。なお、外周部の非振動領域63は通常では保持領域となる。
逆メサ型ATカット振動片60では逆メサ型ATカット振動片60の電極膜を含めた厚みにより基本周波数が決定する。例えば、逆メサ型ATカット振動片60の基本周波数は、電極膜を含めた逆メサ型AT振動子の厚みをt(mm)とすると、f=1670/t(KHZ)となる。
逆メサ型ATカット振動片60の周波数の調整は厚めに製膜した逆メサ型ATカット振動片60の電極膜を解離することで厚みを薄くし、周波数を大きくさせる方法で目標とする周波数に合わせ込んでいる。エッチングで形成した逆メサ型ATカット振動片60の厚みにムラがあると、逆メサ型ATカット振動片60は周波数調整の工程で電極膜を解離しすぎて圧電基盤まで到達し不良品が発生してしまう。このため、第2溝部67の深さを調整することで製品の歩留まりが向上する。
第2溝部67の振動領域62は実施形態1の第2金属膜エッチング工程を行うことで水晶ウエハ10に第2溝部67以外をマスクし、実施形態1の第2圧電エッチング工程をとることで、図11に示すように水晶ウエハ10に数百から数千の逆メサ型ATカット振動片60を形成することができる。エッチング塗布ノズル72によるエッチング液の塗布で形成された第2溝部67は水晶ウエハ10の全面で均一な深さを形成することができる。また実施形態2の第2圧電エッチング工程をとることでも、同様に均一な深さを持つ振動領域を形成することができる。
逆メサ型ATカット振動片60の第2電極パターン25は実施形態1の第1電極パターン23と同様に形成する。第2電極パターン25を形成した逆メサ型ATカット振動片60は、図11に示すように上述した製造工程に従って縦及び横方向に連続して多数を形成することができる。次に、個々の逆メサ型ATカット振動片60を画定する縦及び横方向の切断線69a、69bに沿ってダイシングすることにより、個々の振動片に分割する。切断線69a、69bは、使用するダイシングブレードの刃厚を考慮して、所定の非振動領域63の外形寸法が得られるように設定する。このように個片化することによって、1枚の水晶ウエハから得られる振動片の個数をより多くすることができる。
以上、本発明の好適実施例について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において上記各実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば、水晶振動片のメサ形状は、異方性ウエットエッチング以外にドライエッチングや機械的加工方法により形成することもできる。更に、水晶ウエハから個々の振動片を個片化する際に、ダイシング以外の機械的加工やウエットエッチングを用いることができる。また、水晶以外の圧電材料からなる圧電振動片についても同様に適用することができる。
10 … 円形の水晶ウエハ、15 … 矩形の水晶ウエハ
18 … 窓部
20 … 音叉型水晶振動片
21 … 振動腕
23 … 第1電極パターン、25 … 第2電極パターン
27 … 第1溝部
28 … 連結部
29 … 基部
31 … 導電性接着剤
32 … 金属膜
36 … レジスト膜、39 … 露光されたレジスト膜
42 … 配線層、43 … 外部端子電極、44 … 内部配線
50 … 圧電振動デバイス
51 … セラミックパッケージ、51a … 底面用セラミック層、51b … 壁用セラミック層、51c … 台座用セラミック層
57 … 封止材
58 … キャビティ
59 … 蓋体
60 … 逆メサ型ATカット振動片
62 … 振動領域
63 … 非振動領域
64 … 励振電極
65 … 引出電極
67 … 第2溝部
71 … 可動ステージ
72 … エッチング塗布ノズル
73 … エッチング塗布アーム
18 … 窓部
20 … 音叉型水晶振動片
21 … 振動腕
23 … 第1電極パターン、25 … 第2電極パターン
27 … 第1溝部
28 … 連結部
29 … 基部
31 … 導電性接着剤
32 … 金属膜
36 … レジスト膜、39 … 露光されたレジスト膜
42 … 配線層、43 … 外部端子電極、44 … 内部配線
50 … 圧電振動デバイス
51 … セラミックパッケージ、51a … 底面用セラミック層、51b … 壁用セラミック層、51c … 台座用セラミック層
57 … 封止材
58 … キャビティ
59 … 蓋体
60 … 逆メサ型ATカット振動片
62 … 振動領域
63 … 非振動領域
64 … 励振電極
65 … 引出電極
67 … 第2溝部
71 … 可動ステージ
72 … エッチング塗布ノズル
73 … エッチング塗布アーム
Claims (7)
- 圧電ウエハから圧電振動片を製造する製造方法において、
複数の溝部を有する圧電ウエハを用意する工程と、
前記複数の溝部に対して、個々の溝部ごとにエッチング材を塗布する塗布工程と、
前記複数の溝部から前記エッチング材を除去する除去工程と、
前記複数の溝部に電極パターンを形成する電極形成工程と、
前記圧電ウエハから前記溝部を有する個々の圧電振動片を切り出す振動片切り出し工程と、
を備えることを特徴とする圧電振動片を製造する製造方法。 - 前記塗布工程の前に、前記溝部を有する個々の圧電振動片の周波数振動を測定する測定工程を備え、
前記塗布工程は、その圧電振動片に求められる振動周波数と測定された振動周波数との差に応じて、前記時間差を設けることを特徴とする請求項1に記載の圧電振動片を製造する製造方法。 - 前記圧電振動片は逆メサタイプの振動片であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の音叉型圧電振動片を製造する製造方法。
- 圧電ウエハから振動腕の両面に溝部を有する音叉型圧電振動片を製造する製造方法において、
前記溝部を有する音叉型圧電振動片が複数形成された圧電ウエハを用意する工程と、
複数の溝部に対して、個々の溝部ごとにエッチング材を塗布する塗布工程と、
前記溝部から前記エッチング材を除去する除去工程と、
前記複数の溝部に第1電極パターンを形成する第1電極形成工程と、
前記圧電ウエハから前記溝部を有する個々の音叉型圧電振動片を切り出す振動片切り出し工程と、
を備えることを特徴とする音叉型圧電振動片を製造する製造方法。 - 前記溝部に形成された電極パターンを形成する第2電極パターンを形成する第2電極形成工程と、
前記第2電極パターンが形成された状態で個々の音叉型圧電振動片の周波数振動を測定する測定工程と、
前記測定工程後に前記塗布工程の前に、前記溝部の第2電極パターンを削除する削除工程と、を備え、
前記塗布工程は、前記音叉型圧電振動片に求められる振動周波数と測定された振動周波数との差に応じて、前記時間差を設けることを特徴とする請求項4に記載の音叉型圧電振動片を製造する製造方法。 - 前記塗布工程は、前記振動腕の片面の溝部にエッチング材を塗布することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の音叉型圧電振動片を製造する製造方法。
- 前記エッチング材は液体であることを特徴とする請求項4から請求項6のいずれか一項に記載の音叉型圧電振動片を製造する製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008134157A JP2009284218A (ja) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | 圧電振動片を製造する製造方法、及び音叉型圧電振動片を製造する製造方法。 |
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ID=41454210
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JP2008134157A Pending JP2009284218A (ja) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | 圧電振動片を製造する製造方法、及び音叉型圧電振動片を製造する製造方法。 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017017407A (ja) * | 2015-06-29 | 2017-01-19 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 水晶振動素子集合ウエハ |
JP2017220666A (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-14 | シャープ株式会社 | 圧電性プレートを製造する方法、および圧電性プレートの流体アセンブリ溶剤 |
-
2008
- 2008-05-22 JP JP2008134157A patent/JP2009284218A/ja active Pending
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