CN108055016A - 具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法 - Google Patents
具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108055016A CN108055016A CN201711471836.XA CN201711471836A CN108055016A CN 108055016 A CN108055016 A CN 108055016A CN 201711471836 A CN201711471836 A CN 201711471836A CN 108055016 A CN108055016 A CN 108055016A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- small
- quartz wafer
- sized quartz
- sized
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 138
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 138
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 69
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 69
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，该方法包括：对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜，在已溅射金属保护膜的小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对该小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，对激光去膜处理后的小型石英晶片进行晶片腐蚀处理，及对晶片腐蚀处理后的小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。由于该小型石英晶片的指定位置无金属保护膜，使得在晶片腐蚀处理的过程中，小型石英晶片的指定位置被腐蚀，而具有金属保护膜的位置不被腐蚀，晶片的具体形状易于控制。且该方法成本低，能够有效的帮助大批量的生产制造具有低等效串联电阻的小型晶片，满足市场的需求。
Description
技术领域
本发明涉及石英晶体谐振器和振荡器所使用的低等效串联电阻(EquivalentSeries Resistance，ESR)小型晶片的制造技术领域，尤其涉及一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法。
背景技术
石英晶体谐振器由于其频率的准确性及稳定性的特点，在现代电子行业如通讯、电脑、娱乐设施及其他类型的产业，都是不可缺少的一部分。通常情况下，石英晶体谐振器的输出频率和所用的石英晶片的有效厚度成反比，频率越高，则晶片的厚度越薄，厚度和频率有如下关系：t＝1.65/F，其中，t表示石英晶片的厚度，单位为毫米，F表示频率，单位为兆赫兹。
由于各个应用领域的产品小型化，对石英晶体谐振器和振荡器的体积要求也越来越小，使得石英晶片的尺寸也越来越小。然而，石英晶片的尺寸变小，致使石英晶片的等效串联电阻变大，从而使能耗增大，降低石英晶体谐振器和振荡器的有效功效。因此，如何降低小型晶片的等效串联电阻是石英晶体谐振器和振荡器行业的一个技术关键，也使得在石英晶体谐振器和振荡器行业，努力制造具有低等效串联电阻的小型晶片成为了一种越来越大的趋势。
在石英晶体谐振理论中，从能陷理论中引申出来的一种实施方法就是使小型晶片中央部位的有效谐振面保持相对较厚而周边部位的无效谐振面保持相对较薄，这样就能将在晶片中央部位的有效谐振面上的能量尽量保持在中央部位而减少能量向周边部位的扩散，从而减少能量损耗，降低小型晶片的等效串联电阻，满足顾客需求。
在目前情况下，通常按照能陷理论而引申出来的实施方法是滚筒工艺。在这种技术中，按照一定比例将小型晶片和砂混合放入一个中间空的金属滚筒中，通过滚动金属筒来使小型晶片和砂一起在金属滚筒的内壁上摩擦。这样一来，理论上，可以从统计意义上来大量实现小型晶片的周边变薄，达到“能陷”的效果。然而，由于在通常的滚筒工艺过程中，非常难控制每个小晶片的具体运动状态，从而也难控制每个小晶片的形状。所以使用这类工艺所生产的小晶片，其在实施晶片能陷理论的设计要求时非常难控制，致使这类小型晶片的等效串联电阻很高，在应用中无法充分满足顾客的需求。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，可以解决现有技术中，滚筒工艺无法有效的控制晶片的具体运动状态，从而难以控制晶片的具体形状的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，所述方法包括：
对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜；
在已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对所述小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理；
对激光去膜处理后的所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理；
对晶片腐蚀处理后的所述小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。
本发明提供一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法。通过对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜，并在该小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对该小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，使得在晶片腐蚀处理的过程中，小型石英晶片的指定位置处由于不具有金属保护膜而被腐蚀，而具有金属保护膜的部分不被腐蚀，晶片的具体形状更易于控制。且该方法成本低，能够有效的帮助大批量的生产制造具有低等效串联电阻的小型晶片，满足市场对具有低等效串联电阻的小型晶片的需求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明第一实施例所提供的一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法的流程示意图；
图2为本发明第一实施例所提供的具有低等效串联电阻的小型石英晶片各阶段的外形示意图；
图3为本发明第二实施例所提供的一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
由于现有技术中存在滚筒工艺无法有效的控制晶片的具体运动状态，从而难以控制晶片的具体形状的技术问题。
为了解决上述技术问题，本发明提出一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法。通过对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜，并在该小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对该小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，使得在晶片腐蚀处理的过程中，小型石英晶片的指定位置处由于不具有金属保护膜而被腐蚀，而具有金属保护膜的部分不被腐蚀，晶片的具体形状更易于控制。且该方法成本低，能够有效的帮助大批量的生产制造具有低等效串联电阻的小型晶片，满足市场对具有低等效串联电阻的小型晶片的需求。
请参阅图1，为本发明第一实施例所提供的一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法的流程示意图。为便于理解采用该种方法制作时，小型石英晶片在各个阶段时的状态，请结合参阅图2，为本发明第一实施例所提供的具有低等效串联电阻的小型石英晶片各阶段的外形示意图。该方法包括：
步骤101：对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜；
需要说明的是，图2中201为对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜之后的该小型石英晶片的俯视图，201中的阴影部分表示金属保护膜。该金属保护膜能够承受石英晶体腐蚀液的腐蚀，且不限于一种金属，可以为合金。即，保护膜是可以抗石英金属腐蚀液的任何金属或者金属合金。可通过真空溅射技术使小型石英晶片的两个表面溅射有金属保护膜，也可采用其他相类似的技术，使小型石英晶片的两个表面形成有金属保护膜。金属保护膜的厚度依实际应用时，按设计要求而定，且金属保护膜的外形尺寸依小型石英晶片的外形尺寸而定。
步骤102：在已溅射金属保护膜的小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理；
需要说明的是，图2中202表示在小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理后的该小型石英晶片的俯视图，其中，指定位置为小型石英晶片的两端，阴影部分表示金属保护膜，无阴影部分表示已激光去除金属保护膜。对小型石英晶片的指定位置激光去膜处理，通常为使用激光在小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，在指定位置形成一定形状的开孔，使开孔部位无金属保护膜。开孔的形状和面积取决于设计要求和小型晶片的规格，且激光开孔部位位于小型石英晶片的两端或者四边。
步骤103：对激光去膜处理后的小型石英晶片进行晶片腐蚀处理；
需要说明的是，图2中203表示对激光去膜处理后的小型石英晶片进行晶片腐蚀处理后的该小型石英晶片的侧视图，其中，激光去膜处理的指定位置位于该小型石英晶片的两个表面上，且位于小型石英晶片的两端。对激光去膜处理后的小型石英晶片进行晶片腐蚀处理时，小型石英晶片的表面具有金属保护膜的部位不会受到晶体材料的腐蚀液腐蚀，而小型石英晶片的指定位置由于进行了激光去膜处理，因此指定位置由于不具有金属保护膜而被晶体材料的腐蚀液腐蚀，在腐蚀的作用下，指定位置变薄。若指定位置位于小型石英晶片的两端或者四边，则小型石英晶片会因晶体材料的腐蚀液腐蚀，而形成中部厚，两端或者四边薄的状态，形成能量“陷阱”，阻止小型石英晶片中央部位的能量向该小型石英晶片的周边扩散，减少了能量的损耗，从而降低了该小型石英晶片的等效串联电阻。其中，小型石英晶片的指定位置处，晶片被腐蚀的程度，依设计要求和小型石英晶片的规格来决定，除此之外，还需要考虑腐蚀液的浓度、温度和腐蚀时间等因素。
步骤104：对晶片腐蚀处理后的小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。
需要说明的是，图2中204为在203的基础上进行金属腐蚀处理的小型石英晶片的侧视图。在进行金属腐蚀处理时，使用金属腐蚀液腐蚀，金属腐蚀液会腐蚀小型石英晶片的金属保护膜，而不腐蚀指定位置处的石英晶体。当小型石英晶片的金属保护膜全部被腐蚀后，清洗小型石英晶片即可形成符合设计要求的小型石英晶片。
在本发明实施例中，通过对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜，并在该小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对该小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，使得在晶片腐蚀处理的过程中，小型石英晶片的指定位置处由于不具有金属保护膜而被腐蚀，而具有金属保护膜的部分不被腐蚀，晶片的具体形状更易于控制。且该方法成本低，能够有效的帮助大批量的生产制造具有低等效串联电阻的小型晶片，满足市场对具有低等效串联电阻的小型晶片的需求。
请参阅图3，为本发明第二实施例所提供的一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法的流程示意图。具体的：
步骤301：将初始的小型石英晶片放置在真空溅射工装内；
步骤302：使用真空溅射机对小型石英晶片的两个表面分别溅射一层金属保护膜；
步骤303：将已溅射金属保护膜的小型石英晶片从真空溅射工装内取出；
需要说明的是，步骤301、步骤302与步骤303为第一实施例中步骤101的细化步骤，相关说明可参阅第一实施例中步骤101的说明，此处不再赘述。
步骤304：将已溅射金属保护膜的小型石英晶片放置在激光工装内；
步骤305：在小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，使用激光对小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，使小型石英晶片的指定位置无金属保护膜；
步骤306：将激光去膜处理后的小型石英晶片从激光工装内取出；
需要说明的是，步骤304、步骤305与步骤306是第一实施例中步骤102的细化步骤，相关说明可参阅第一实施例中步骤102的说明，此处不再赘述。
步骤307：将激光去膜处理后的小型石英晶片放入装有石英晶体腐蚀液的腐蚀槽内，间隔预置第一时间后取出；
步骤308：将晶片腐蚀处理后的小型石英晶片放置在装有金属腐蚀液的腐蚀槽中，间隔预置第二时间后取出。
需要说明的是，步骤307的相关说明可参阅第一实施例中步骤103的相关说明，步骤308的相关说明可参阅第一实施例中步骤104的相关说明，此处不再赘述。
进一步的，在对小型石英晶片进行晶片腐蚀处理之后，对小型石英晶片进行清洗。
进一步的，在对小型石英晶片进行金属腐蚀处理之后，对小型石英晶片进行清洗。
进一步的，在对小型石英晶片进行晶片腐蚀处理及金属腐蚀处理时，小型石英晶片放置在腐蚀篮中。
另外，指定位置为小型石英晶片的两端或者四边。当指定位置位于小型石英晶片的两端或者四边时，能够制造出具有低等效串联电阻的小型石英晶片。这是由于当指定位置位于小型石英晶片的两端或者四边时，小型石英晶片的形状为中部厚、两端或者四边薄的状态，能够形成能量陷阱，阻止小型石英晶片中部的能量向该小型石英晶片的周边扩散，减少了能量损耗，降低小型石英晶片的等效串联电阻。
在本发明实施例中，使用真空溅射机对小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜，并在该小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，使用激光对该小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，使得将该小型石英晶片置于石英晶体腐蚀液中时，小型石英晶片的指定位置处由于不具有金属保护膜而被腐蚀，而具有金属保护膜的部分不被腐蚀，晶片的具体形状更易于控制。且该方法成本低，能够有效的帮助大批量的生产制造具有低等效串联电阻的小型晶片，满足市场对具有低等效串联电阻的小型晶片的需求。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，且在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
以上为对本发明所提供的一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法的描述，对于本领域的技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (9)
1.一种具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜；
在已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对所述小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理；
对激光去膜处理后的所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理；
对晶片腐蚀处理后的所述小型石英晶片进行金属腐蚀处理，以去除金属保护膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对初始的小型石英晶片的两个表面溅射金属保护膜的步骤包括：
将初始的小型石英晶片放置在真空溅射工装内；
使用真空溅射机对所述小型石英晶片的两个表面分别溅射一层金属保护膜；
将已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片从所述真空溅射工装内取出。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，对所述小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理的步骤包括：
将已溅射金属保护膜的所述小型石英晶片放置在激光工装内；
在所述小型石英晶片的一个表面或者两个表面上，使用激光对所述小型石英晶片的指定位置进行激光去膜处理，使所述小型石英晶片的指定位置无金属保护膜；
将激光去膜处理后的所述小型石英晶片从所述激光工装内取出。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对激光去膜处理后的所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理的步骤包括：
将激光去膜处理后的所述小型石英晶片放入装有石英晶体腐蚀液的腐蚀槽内，间隔预置第一时间后取出。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对晶片腐蚀处理后的所述小型石英晶片进行金属腐蚀处理的步骤包括：
将晶片腐蚀处理后的所述小型石英晶片放置在装有金属腐蚀液的腐蚀槽中，间隔预置第二时间后取出。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在对所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理之后，对所述小型石英晶片进行清洗。
7.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在对所述小型石英晶片进行金属腐蚀处理之后，对所述小型石英晶片进行清洗。
8.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，在对所述小型石英晶片进行晶片腐蚀处理及金属腐蚀处理时，所述小型石英晶片放置在腐蚀篮中。
9.根据权利要求1至5任意一项所述的方法，其特征在于，所述指定位置为所述小型石英晶片的两端或者四边。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711471836.XA CN108055016A (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711471836.XA CN108055016A (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108055016A true CN108055016A (zh) | 2018-05-18 |
Family
ID=62128487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711471836.XA Pending CN108055016A (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108055016A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109067377A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-12-21 | 深圳中电熊猫晶体科技有限公司 | 一种生产高基频石英晶体片的加工方法 |
| CN113690129A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-11-23 | 江苏天企奥科技有限公司 | 一种高精度压电式传感器用石英晶片制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003133875A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Seiko Epson Corp | 振動片の製造方法、振動片、振動子、発振器及び電子機器 |
| CN101114820A (zh) * | 2006-07-27 | 2008-01-30 | 日本电波工业株式会社 | 压电振子的制造方法 |
| CN101150301A (zh) * | 2006-09-21 | 2008-03-26 | 日本电波工业株式会社 | 压电振子的制造方法 |
| US20110191996A1 (en) * | 2002-04-23 | 2011-08-11 | Hirofumi Kawashima | Method for manufacturing quartz crystal resonator, quartz crystal unit and quartz crystal oscillator |
| CN104205360A (zh) * | 2012-01-23 | 2014-12-10 | 泰特拉桑有限公司 | 涂层从金属层的选择性去除及其在太阳能电池上的应用 |
| CN107161945A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-09-15 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种at切型石英晶片mems加工方法 |
-
2017
- 2017-12-29 CN CN201711471836.XA patent/CN108055016A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003133875A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Seiko Epson Corp | 振動片の製造方法、振動片、振動子、発振器及び電子機器 |
| US20110191996A1 (en) * | 2002-04-23 | 2011-08-11 | Hirofumi Kawashima | Method for manufacturing quartz crystal resonator, quartz crystal unit and quartz crystal oscillator |
| CN101114820A (zh) * | 2006-07-27 | 2008-01-30 | 日本电波工业株式会社 | 压电振子的制造方法 |
| CN101150301A (zh) * | 2006-09-21 | 2008-03-26 | 日本电波工业株式会社 | 压电振子的制造方法 |
| CN104205360A (zh) * | 2012-01-23 | 2014-12-10 | 泰特拉桑有限公司 | 涂层从金属层的选择性去除及其在太阳能电池上的应用 |
| CN107161945A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-09-15 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种at切型石英晶片mems加工方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 天津大学，哈尔滨工业大学: "《电子计时仪器原理 上》", 31 October 1981, 轻工业出版社 * |
| 李科杰: "《新编传感器技术手册》", 31 January 2002, 国防工业出版社 * |
| 杨培根: "《光电惯性技术》", 30 September 1999, 兵器工业出版社 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109067377A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-12-21 | 深圳中电熊猫晶体科技有限公司 | 一种生产高基频石英晶体片的加工方法 |
| CN113690129A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-11-23 | 江苏天企奥科技有限公司 | 一种高精度压电式传感器用石英晶片制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108055016A (zh) | 具有低等效串联电阻的小型石英晶片的制作方法 | |
| US5660640A (en) | Method of removing sputter deposition from components of vacuum deposition equipment | |
| KR20130111269A (ko) | 강화 유리 절단 방법 | |
| JP2019006669A (ja) | イオン交換された基板の個片化 | |
| US20140102775A1 (en) | Non-deleterious technique for creating continuous conductive circuits upon the surfaces of a non-conductive substrate | |
| CN105000530B (zh) | 制造强化的钟表组件的方法和相应的钟表组件和钟表 | |
| CN107161945B (zh) | 一种at切型石英晶片mems加工方法 | |
| JP3820787B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| CN107733389A (zh) | 一种石英晶体大片及利用其制造小型晶片的方法 | |
| EP0401314A1 (en) | CRYOGENIC METHOD FOR METAL DRAWING. | |
| JPS6055827B2 (ja) | フオトマスク基板の加工法 | |
| CN1557048B (zh) | 腐蚀方法及由该方法成形的腐蚀成形品 | |
| CN106057667B (zh) | 膜层图案的制作方法、基板的制作方法及基板、显示装置 | |
| Lee et al. | Development of SMD 32.768 kHz Tuning Fork-Type Crystals Using Photolithography and Selective Etching Process: Part I: Selective Etching of an Array of Quartz Tuning Fork Resonators | |
| CN108512518A (zh) | 一种低等效串联电阻小型晶片制作方法及系统 | |
| JP5936438B2 (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法 | |
| JP3663845B2 (ja) | 水晶の表面加工方法及び水晶片の製造方法 | |
| US3506506A (en) | Capacitor defect isolation | |
| CA1214091A (en) | Chemical deburring system with a soluble mask | |
| KR20210064172A (ko) | 질산을 사용하는 진공장비 파츠의 세정 방법 | |
| Liu et al. | Experimental investigation of damage formation and material removal in ultrasonic assisted grinding of RBSiC | |
| TWI245317B (en) | Method of wafer reclaiming, the wafer and producing method of the same | |
| JP3564564B2 (ja) | エッチング加工方法および該方法により加工された加工物 | |
| CN109227036A (zh) | 非晶合金精密零件的制造方法 | |
| RU2672034C1 (ru) | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20200928 Address after: 518000 south side of innovation Avenue and east side of Bianxi River, EBU Town, Shenzhen Special Cooperation Zone, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: Shenzhen Shenshan special cooperation zone Yingdali Electronic Technology Co.,Ltd. Address before: 518000 Guangdong, Shenzhen, Shenzhen, Guangdong, Baoan District Fuyong street, Fenghuang Second Industrial Park, Dapu Industrial Park, 3 building, building 3, East and C building. Applicant before: INTERQUIP ELECTRONICS (SHENZHEN) Co.,Ltd. |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180518 |