CN101088169A - Cis型薄膜光电模块、用于制造该光电模块的方法和分离该模块的方法 - Google Patents
Cis型薄膜光电模块、用于制造该光电模块的方法和分离该模块的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101088169A CN101088169A CNA2005800445822A CN200580044582A CN101088169A CN 101088169 A CN101088169 A CN 101088169A CN A2005800445822 A CNA2005800445822 A CN A2005800445822A CN 200580044582 A CN200580044582 A CN 200580044582A CN 101088169 A CN101088169 A CN 101088169A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resin
- type thin
- glass
- cis type
- sandwich construction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 186
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 186
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 65
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 64
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 claims description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 16
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 12
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 claims description 11
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 6
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 3
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 3
- QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N ethene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical compound C=C.FC(F)=C(F)F QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N (1r,3as,4s,5ar,5br,7r,7ar,11ar,11br,13as,13br)-4,7-dihydroxy-3a,5a,5b,8,8,11a-hexamethyl-1-prop-1-en-2-yl-2,3,4,5,6,7,7a,10,11,11b,12,13,13a,13b-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]chrysen-9-one Chemical compound C([C@@]12C)CC(=O)C(C)(C)[C@@H]1[C@H](O)C[C@]([C@]1(C)C[C@@H]3O)(C)[C@@H]2CC[C@H]1[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@H]1C(=C)C HBGPNLPABVUVKZ-POTXQNELSA-N 0.000 claims description 2
- PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 15alpha-hydroxylup-20(29)-en-3-one Natural products CC(=C)C1CCC2(C)CC(O)C3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 PFRGGOIBYLYVKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N Resinone Natural products CC(=C)C1CCC2(C)C(O)CC3(C)C(CCC4C5(C)CCC(=O)C(C)(C)C5CCC34C)C12 SOKRNBGSNZXYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 abstract 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 83
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 82
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 82
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- -1 Polypropylene Polymers 0.000 description 2
- VJMAITQRABEEKP-UHFFFAOYSA-N [6-(phenylmethoxymethyl)-1,4-dioxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O1C(COC(=O)C)COCC1COCC1=CC=CC=C1 VJMAITQRABEEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000006424 Flood reaction Methods 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
- B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
- B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
- B32B17/10018—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising only one glass sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
- B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
- B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
- B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
- B32B17/10788—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing ethylene vinylacetate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B7/00—Working up raw materials other than ores, e.g. scrap, to produce non-ferrous metals and compounds thereof; Methods of a general interest or applied to the winning of more than two metals
- C22B7/001—Dry processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
Abstract
在不降低输出特性和耐久性的前提下能将CIS型薄膜太阳能电池模块的组成组件进行分离并且再回收。在基底结构的薄膜太阳能电池模块(1)中,其中使用作为粘合剂的热交联EVA树脂(3)等将护罩玻璃(4)粘合到CIS型薄膜式太阳能电池装置(2)的入射光侧,非粘着塑性(例如聚酯)树脂(6)夹在太阳能电池装置(2)和EVA树脂(3)之间,使得能够分离每个组成组件,并且在随后的简单的分离方法中将组成组件分离和收集。
Description
技术领域
本发明涉及可再回收的CIS型薄膜光电模块、制造该光电模块的方法和分离该模块的方法
背景技术
光电模块在户外使用,且因此要求具有长寿命和具有使得该模块能够承受用于地球陆地上用途的各种环境的耐久性。因此,普遍使用的通用结构是这样的,其中热交联的乙烯/醋酸乙烯酯(在下文中缩写成EVA)树脂等用作密封材料或者用于将光电模块结合到护罩玻璃(前玻璃)或背板(背材料)上的粘合剂。在现在主要使用的晶体硅光电模块中,最昂贵的晶体硅太阳能电池包封在热交联EVA树脂中。考虑再回收组成材料的目的,正在尝试分离/分解光电模块和将组成材料从该模块中取出。在晶体硅太阳能电池模块中,已知可回收类型的光电模块(例如参见专利文献1)。
专利文献1:JP-A-2003-142720
如图8所示,在专利文献1中描述的该晶体硅光电模块1A具有这样的结构,该结构自入射阳光侧依次包括前玻璃4/EVA树脂(密封材料)3/非粘着片6/晶体硅太阳能电池2/非粘着片6/EVA树脂(密封材料)3/背材料5。该晶体硅光电模块1A具有这样的结构,其中晶体硅太阳能电池2的阳光入射侧和相反侧(背部)每一个均通过非粘着片6结合到EVA树脂(密封材料)3上以包封电池,也就是说,使用一对非粘着片6的结构。包封的该晶体硅太阳能电池2通常包括这样的结构(串(string)),正如图9中示出的,该结构由其前后侧交替与电极带连接的太阳能电池组成,以赋予输出特性。在由单元组成的晶体硅太阳能电池2的情况中,从一侧到另一侧延伸的用于EVA树脂注射的孔6A形成在非粘着片6中,以固定包括电极材料的太阳能电池2。EVA树脂注入到孔6A中,并且EVA树脂部分地将片6结合到其前后侧上的电池周边。因此,将晶体硅太阳能电池2保持和固定。非粘着片6大于太阳能电池所占据的部分,并且从电池部分突出的区域是切断余量6B。
在具有上述结构的再回收晶体硅太阳能电池装置2中,使用下列方法用于分离/切断。如图10所示(横截面),沿着切断线从背部切开该模块来切除切断余量6B。剥去两个非粘着片6,由此去除加在这些片之间并且与电极带连接的晶体硅太阳能电池2。
上述可回收类型的晶体硅光电模块需要用于固定每一个单元的步骤。因为单元之间的缝隙不能是零,所以就存在问题,即不能改善单元组装密度且导致了输出损失。
如上所述,因为使用在上侧和下侧布置的两个非粘着片并在每个非粘着片中形成通孔是必需的,所以可回收类型的晶体硅光电模块的结构和用于制造该光电模块的方法具有这样的问题,即制造步骤的数目增加并且工艺复杂化。
发明内容
本发明要解决的问题
本发明解决了上述问题。本发明的一个目的是制造不同于晶体硅光电模块的一体化类型的薄膜光电模块,该薄膜光电模块是在具有大尺寸或大面积的玻璃或另一基底上制造,特别是制造一种具有便于再回收结构的CIS型薄膜光电模块,其通过没有降低CIS型薄膜式太阳电池输出特性和耐久性的少量步骤的简单工艺来实现。另一个目的是通过简单的分离方法将此结构的CIS型薄膜光电模块分离为独立的组成材料,并由此能够分别回收该组成材料。
解决问题的手段
(1)解决了上述问题的本发明提供了一种CIS型薄膜光电模块,该CIS型薄膜光电模块包括:玻璃基底;包括叠置薄层的CIS型薄膜式太阳能电池装置,该叠置薄层每一层均形成在该玻璃基底上;和护罩玻璃,该护罩玻璃通过作为粘结剂的例如乙烯醋酸乙烯酯(EVA)的热交联树脂结合到太阳能电池装置的光入射侧,该CIS型薄膜光电模块具有便于再回收的结构,该结构包括夹在CIS型薄膜式太阳能电池装置和例如EVA树脂的树脂之间的非粘着塑性树脂。
(2)本发明提供一种用于制造CIS型薄膜光电模块的方法,该CIS型薄膜光电模块包括:玻璃基底;包括叠置薄层的CIS型薄膜式太阳电池装置,该叠置薄层每一层均形成在该玻璃基底上;护罩玻璃,其使用作为粘结剂的例如EVA树脂的热交联树脂结合到太阳能电池装置的光入射侧;和背板,其通过作为粘结剂的例如EVA树脂的热交联树脂结合到该玻璃基底背侧,即光入射侧的相反侧,其中在CIS型薄膜式太阳电池装置和例如EVA树脂的树脂之间保持非粘着塑性树脂的同时进行加热,以利用处于交联状态的例如EVA树脂的树脂将护罩玻璃结合到CIS型薄膜式太阳能电池装置的光入射侧。
(3)本发明提供一种根据上述(2)用于制造CIS型薄膜光电模块的方法,该方法包括将具有高透明度的由非粘着塑料制造的片夹在CIS型薄膜式太阳能电池装置和例如EVA树脂的树脂之间,将护罩玻璃布置在例如EVA树脂的树脂上,随后通过层压机等加热得到的整个集合体以使例如EVA树脂的树脂交联,并将该非粘着片固定在树脂之下。
(4)本发明提供一种根据上述(1)的CIS型薄膜光电模块或根据上述(2)或(3)用于制造CIS型薄膜光电模块的方法,其中该非粘着塑性树脂具有高透明度和透光性,并具有100-200℃的耐热性,并且被紫外线辐射不会变色。
(5)本发明提供一种根据上述(1)的CIS型薄膜光电模块或根据上述(2)或(3)的用于制造CIS型薄膜光电模块的方法,其中该非粘着塑性树脂是具有达到几十微米厚度的大面积片的形式,并且由聚碳酸酯树脂、ETFE树脂、聚酯树脂、聚丙烯树脂等的任意一种制成,期望地是由聚酯树脂制成。
(6)本发明提供一种CIS型薄膜光电模块分离方法,用于分离/回收根据上述(1)的CIS型薄膜光电模块的组成材料或通过根据上述(2)到(5)任意一种用于制造CIS型薄膜光电模块的方法制造的CIS型薄膜光电模块的组成材料,其中该CIS型薄膜光电模块分离方法包括分离步骤I到V:
该分离步骤I是这样的步骤,将包括从光入射侧依次叠置的护罩玻璃、例如EVA树脂的树脂、非粘着片、CIS型薄膜式太阳能电池装置、玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板的CIS型薄膜光电模块分离成:包括护罩玻璃和例如EVA树脂的树脂的第一多层结构;非粘着片;和包括CIS型薄膜式太阳能电池装置、玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板的第二多层结构,
该分离步骤II是这样的步骤,其中将CIS型薄膜式太阳能电池装置从在分离步骤I中分离的第二多层结构(包括CIS型薄膜式太阳能电池装置、玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)中去除,由此将第二多层结构分离成CIS型薄膜式太阳能电池装置和第三多层结构,该第三多层结构包括玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板,
该分离步骤III是这样的步骤,其中将例如EVA树脂的树脂从在分离步骤I中分离的第一多层结构(包括护罩玻璃和例如EVA树脂的树脂)中去除,由此将第一多层结构分离成护罩玻璃和例如EVA树脂的树脂,
该分离步骤IV是这样的步骤,将背板从在分离步骤II中分离的第三多层结构(包括玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)中去除,由此将第三多层结构分离成背板和第四多层结构,该第四多层结构包括玻璃基底和例如EVA树脂的树脂,以及,
该分离步骤V是这样的步骤,将例如EVA树脂的树脂从在分离步骤IV中分离的第四多层结构(包括玻璃基底和例如EVA树脂的树脂)中去除,由此将第四多层结构分离成例如EVA树脂的树脂和玻璃基底。
(7)本发明提供一种根据上述(6)的CIS型薄膜光电模块分离方法,其中该分离步骤I包括:利用刀或铰刀的切割工具从背部将相应于玻璃基底周边部分的CIS型薄膜光电模块的那部分切断,由此将该模块分离成邻接非粘着塑性树脂一侧的第一多层结构(包括护罩玻璃和例如EVA树脂的树脂)以及第二多层结构(包括CIS型薄膜式太阳能电池装置、玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)。
(8)本发明提供一种根据上述(6)的CIS型薄膜光电模块分离方法,其中该分离步骤II包括:通过例如喷砂、利用金属刀片刮削或这些组合的干燥机械方法,将CIS型薄膜式太阳能电池装置从第二多层结构(包括CIS型薄膜式太阳能电池装置、玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)中去除,以将第二多层结构分离成CIS型薄膜式太阳能电池装置和第三多层结构(包括玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)。
(9)本发明提供一种根据上述(6)的CIS型薄膜光电模块分离方法,其中该分离步骤III包括:通过例如喷砂的干燥机械去除方法或者例如沸腾、高温蒸汽吹扫或酸中浸渍的湿式化学去除方法,将例如EVA树脂的树脂从第一多层结构(包括护罩玻璃和例如EVA树脂的树脂)中去除,以将第一多层结构分离成例如EVA树脂的树脂和护罩玻璃。
(10)本发明提供一种根据上述(6)的CIS型薄膜光电模块分离方法,其中该分离步骤IV包括:通过机械剥离将背板从第三多层结构(包括玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)中去除,以将第三多层结构分离成背板和第四多层结构(包括玻璃基底、例如EVA树脂的树脂)。
(11)本发明提供一种根据上述(6)的CIS型薄膜光电模块分离方法,其中该分离步骤V包括:通过例如喷砂、利用金属刀片刮削或这些组合的干燥机械方法,将例如EVA树脂的树脂从第四多层结构(包括玻璃基底和例如EVA树脂的树脂)中去除,以将第四多层结构分离成例如EVA树脂的树脂和玻璃基底。
本发明的优势
根据本发明,通过使用这样一种结构,其中非粘着塑性片夹在太阳能电池装置的上部光入射侧和作为粘合剂的例如EVA树脂的树脂之间,在不降低CIS型薄膜光电模块的太阳能电池输出特性和耐久性的情况下,通过少量步骤的简单工艺,能够制造具有便于再回收的结构的CIS型薄膜光电模块。此外,这种结构的CIS型薄膜光电模块通过简单的分离方法能够分离成独立的组成材料,并且能够分别回收该组成材料。
附图说明
图1是显示本发明CIS型薄膜光电模块1的结构的视图(截面图)。
图2是显示如何将本发明CIS型薄膜光电模块1从上侧切断的视图(截面图)(分离步骤I)。
图3是显示在用于分离CIS型薄膜光电模块1的本发明分离方法中的分离步骤I的视图(截面图)。
图4是显示在用于分离CIS型薄膜光电模块1的本发明分离方法中的分离步骤II的视图(截面图)。
图5是显示在用于分离CIS型薄膜光电模块1的本发明分离方法中的分离步骤III的视图(截面图)。
图6是显示在用于分离CIS型薄膜光电模块1的本发明分离方法中的分离步骤IV的视图(截面图)。
图7是显示在用于分离CIS型薄膜光电模块1的本发明分离方法中的分离步骤V的视图(截面图)。
图8是显示相关技术中可回收类型的晶体硅光电模块1B的结构的视图(截面图)。
图9是显示相关技术中可回收类型的晶体硅光电模块1中的太阳能电池的串结构的视图(截面图)。
图10是显示相关技术中可回收类型的晶体硅光电模块1中切断位置(切削位置)的视图(截面图)。
参考数字与符号的描述
1 CIS型薄膜光电模块
1A 晶体型光电模块
2 CIS型薄膜式太阳能电池装置
2A 玻璃基底
2B CIS型薄膜式太阳能电池装置
3 EVA树脂(密封材料)
4 护罩玻璃
5 背板
6 非粘着片(薄膜)
6A 用于EVA树脂注射的孔
6B 切断余量
具体实施方式
本发明提供一种能够容易地再回收的CIS型薄膜光电模块、用于制造该光电模块的方法和分离该模块的方法。如图1所示,该CIS型薄膜光电模块1具有这样的结构,该结构包括:玻璃基底2A;包括叠置薄层的CIS型薄膜式太阳能电池装置1,其中该叠置薄层每一层均形成在玻璃基底2A上;护罩玻璃4,其利用热交联乙烯/醋酸乙烯酯(EVA)树脂3(或除EVA树脂之外的其它树脂)作为粘合剂结合到太阳能电池装置1的光入射侧;和背板5,其利用热交联EVA树脂3作为粘合剂结合到玻璃基底2A背侧,也就是光入射侧的相反侧;此外其还包括夹在CIS型薄膜式太阳能电池装置2和EVA树脂3之间的非粘着塑性树脂6。由于这样的结构,这些组成材料能够容易地被分离并且容易地被回收。
为了CIS型薄膜光电模块具有便于再回收的结构,其通过下列方法制造。
使用制造具有这样结构的CIS型薄膜光电模块的方法,该结构包括:玻璃基底2A;包括叠置薄层的CIS型薄膜式太阳能电池装置2B,其中该叠置薄层形成在玻璃基底2A上;护罩玻璃4,其利用作为粘合剂的热交联EVA树脂3结合到太阳能电池装置2B的光入射侧;和背板5,其利用作为粘合剂的热交联EVA树脂3结合到玻璃基底2A背侧,也就是光入射侧的相反侧,其中在CIS型薄膜式太阳能电池装置2B和EVA树脂3之间保持非粘着塑性树脂6的同时进行加热,使得利用交联状态的EVA树脂3将护罩玻璃4结合到CIS型薄膜式太阳能电池装置2B的光入射侧,并由此制造该CIS型薄膜光电模块。
更具体地说,非粘着塑性树脂6夹在CIS型薄膜式太阳能电池装置2B和EVA树脂3之间,该非粘着塑性树脂期望地是聚酯树脂,护罩玻璃4位于EVA树脂3上。其后,将得到的整个结合体在层压机中加热以使EVA树脂3交联。通过树脂的结合功能将护罩玻璃4结合到EVA树脂3上。
表1
非接触性树脂的选择结果
非接触性树脂 | 成本估计[日元/m2] | 模块制造后的输出[%] | 耐湿性测试结果 |
EVA无非接触性树脂 | 533 | 100 | 无问题。 |
聚碳酸酯(&EVA) | 不适合的:935 | 不适合的:92 | 不适合的:基底周边发生皱褶。起泡。 |
ETFT(&EVA) | 不适合的:690 | 99 | 不适合的:基底周边发生皱褶。起泡。 |
聚酯(&EVA) | 355 | 99 | 无问题。(必须抑制基底周边的皱褶) |
聚丙烯(&EVA) | 177 | 不适合的:91 | 无问题。(必须抑制基底周边的皱褶) |
PTCFE(&EVA) | 不适合的:4503 | 不适合的:96 | 不适合的:部分出现皱褶(耐热性不足)。起泡。 |
耐湿性测试:在温度85℃和85%相对湿度的黑暗环境中储存1,000小时(42天)
聚酯树脂作为非粘着塑性树脂6是理想的原因如下。正如表1中示出的试验结果给出的,得到下述结论。当使用EVA树脂(没有使用非粘着塑料树脂)制造的CIS型薄膜光电模块的输出作为100%时,在用EVA树脂制造并使用夹在当中的非粘着塑料树脂的CIS型薄膜光电模块之中,用EVA树脂制造并使用聚酯树脂作为夹在中间的非粘着塑性树脂的模块显示了为1%的最小的输出降低。此外,包括聚酯树脂的该模块是便宜的,并且有关高湿度试验(耐久性)的结果是没有问题的。
该非粘着塑性树脂6期望地是具有高透明度和透光性的树脂,具有100-200℃的耐热性,并且被紫外线辐射不会变色。
该非粘着塑性树脂6可以是(提供为)具有达到几十微米厚度的大面积片,且由聚碳酸酯树脂、ETFE树脂、聚酯树脂、聚丙烯树脂等的任意一种制造,期望地是聚酯树脂。
下面介绍分离(再回收)具有便于再回收结构的CIS型薄膜光电模块的方法。
本发明用于分离(再回收)CIS型薄膜光电模块1的方法是用于分离/回收具有上述结构的CIS型薄膜光电模块的组成材料或者通过上述CIS型薄膜光电模块制造工艺制造的CIS型薄膜光电模块的组成材料的方法,并且包括下列分离步骤I到分离步骤V。
在分离步骤I中,如图2所示,利用例如刀或铰刀的切割工具将相应于玻璃基底2A的边缘部分的CIS型薄膜光电模块1的部分从背部切断,也就是说从背板5侧切断。其后使用例如真空吸盘等真空吸持装置将该CIS型薄膜光电模块1的上侧(背板)吊起,该CIS型薄膜光电模块1包括从光入射侧依次叠置的护罩玻璃4、EVA树脂3、非粘着片6、CIS型薄膜式太阳能电池装置2B、玻璃基底2A、EVA树脂3和背板5,由此分离该模块1为:包括护罩玻璃4和EVA树脂3的第一多层结构;非粘着片6;和包括CIS型薄膜式太阳能电池装置2B、玻璃基底2A、EVA树脂3和背板5的第二多层结构,如图3所示。
在分离步骤II中,通过例如喷砂、利用金属刀片刮削或这些组合的干燥机械方法,将CIS型薄膜式太阳能电池装置2B从在分离步骤I中分离的第二多层结构(包括CIS型薄膜式太阳能电池装置2B、玻璃基底2A、EVA树脂3和背板5)中去除,以将第二多层结构分离成CIS型薄膜式太阳能电池装置2B和包括玻璃基底2A、EVA树脂3和背板5的第三多层结构,如图4所示。
在分离步骤III中,通过例如喷砂的干燥机械去除法或者例如沸腾、高温蒸汽吹扫或酸中浸渍的化学湿法将EVA树脂3从在分离步骤I中分离的第一多层结构(包括护罩玻璃4和EVA树脂3)中去除,以将第一多层结构分离成护罩玻璃4和EVA树脂3,如图5所示。
在分离步骤IV中,通过机械剥离将背板5从在分离步骤II中分离的第三多层结构(包括玻璃基底2A、EVA树脂3和背板5)中去除,以将第三多层结构分离成背板5和包括玻璃基底2A和EVA树脂3的第四多层结构,如图6所示。
在分离步骤V中,通过例如喷砂、利用金属刀片刮削或这些组合的干燥机械方法,将EVA树脂3从在分离步骤IV中分离的第四多层结构(包括玻璃基底2A和EVA树脂3)中去除,以将该第四多层结构分离成EVA树脂3和玻璃基底2A,如图7所示。
如上所述,易于回收的本发明CIS型薄膜光电模块1具有这样的结构,其中包括例如聚酯树脂的非粘着片(薄膜)6夹在作为模块1的组成材料的太阳能电池装置2B和EVA树脂3之间。具有这样结构的光电模块1经历包括分离步骤I到分离步骤V的分离工序。由此,该CIS型薄膜光电模块能够容易地被分离成其独立的组成材料,也就是说,玻璃基底2A、太阳能电池装置2B、EVA树脂3、护罩玻璃(前玻璃)4、背板(背材料)5和非粘着片(膜)6,并且这些组成材料能够作为资源分别再回收。
这些组成材料中,护罩玻璃(前玻璃)4很昂贵,并且玻璃基底2A和太阳能电池装置2B也是很昂贵的,因为太阳能电池是CIS薄膜型,所以其包括例如镓和铟的稀有金属。因此,能够有效地利用这种有价值的物质和稀有资源。
Claims (11)
1.一种CIS型薄膜光电模块,其包括:玻璃基底;包括叠置薄层的CIS型薄膜式太阳能电池装置,其中该叠置薄层的每一层均形成在该玻璃基底上;和护罩玻璃,该护罩玻璃通过作为粘合剂的例如乙烯/醋酸乙烯酯(EVA)树脂的热交联树脂结合到该太阳能电池装置的光入射侧,
其中该模块具有便于再回收的结构,该结构包括夹在该CIS型薄膜式太阳能电池装置和例如EVA树脂的树脂之间的非粘着塑性树脂。
2.一种制造CIS型薄膜光电模块的方法,该CIS型薄膜光电模块包括:玻璃基底;包括叠置薄层的CIS型薄膜式太阳能电池装置,其中该叠置薄层每一层均形成在该玻璃基底上;护罩玻璃,该护罩玻璃使用作为粘合剂的例如EVA树脂的热交联树脂结合到该太阳能电池装置的光入射侧;和背板,该背板通过作为粘合剂的例如EVA树脂的热交联树脂结合到该玻璃基底的背侧,也就是光入射侧的相反侧,
其中在将非粘着塑性树脂夹在CIS型薄膜式太阳能电池装置和例如EVA树脂的树脂之间的同时进行加热,以通过处于交联状态的例如EVA树脂的树脂将护罩玻璃结合到CIS型薄膜式太阳能电池装置的光入射侧。
3.根据权利要求2的制造CIS型薄膜光电模块的方法,其特征在于将具有高透明度的由非粘着塑料制造的片夹在CIS型薄膜式太阳能电池装置和例如EVA树脂的树脂之间,将护罩玻璃布置在例如EVA树脂的树脂上,随后通过层压机等加热得到的整个集合体以使例如EVA树脂的树脂交联,并将该非粘着片固定在树脂之下。
4.根据权利要求1的CIS型薄膜光电模块或者根据权利要求2或3的制造CIS型薄膜光电模块的方法,其中该非粘着塑性树脂具有高透明度和透光性,并具有100-200℃的耐热性,并且由紫外线辐射不会变色。
5.根据权利要求1的CIS型薄膜光电模块或根据权利要求2或3的制造CIS型薄膜光电模块的方法,其中该非粘着塑性树脂是具有达到几十微米厚度的大面积片,并且由聚碳酸酯树脂、ETFE树脂、聚酯树脂、聚丙烯树脂等的任意一种制成,期望地是由聚酯树脂制成。
6.一种CIS型薄膜光电模块分离方法,用于分离/回收根据权利要求1的CIS型薄膜光电模块或者通过根据权利要求2到5任意一种用于制造CIS型薄膜光电模块的方法制造的CIS型薄膜光电模块的组成材料,其特征在于包括分离步骤I到V:
分离步骤I是这样的步骤,将包括从光入射侧依次叠置的护罩玻璃、例如EVA树脂的树脂、非粘着片、CIS型薄膜式太阳能电池装置、玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板的CIS型薄膜光电模块分离成:包括护罩玻璃和例如EVA树脂的树脂的第一多层结构;非粘着片;和包括CIS型薄膜式太阳能电池装置、玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板的第二多层结构,
分离步骤II是这样的步骤,其中将CIS型薄膜式太阳能电池装置从在分离步骤I中分离的第二多层结构(包括CIS型薄膜式太阳能电池装置、玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)中去除,由此将第二多层结构分离成CIS型薄膜式太阳能电池装置和第三多层结构,该第三多层结构包括玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板,
分离步骤III是这样的步骤,其中将例如EVA树脂的树脂从在分离步骤I中分离的第一多层结构(包括护罩玻璃和例如EVA树脂的树脂)中去除,由此将第一多层结构分离成护罩玻璃和例如EVA树脂的树脂,
分离步骤IV是这样的步骤,将背板从在分离步骤II中分离的第三多层结构(包括玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)中去除,由此将第三多层结构分离成背板和第四多层结构,该第四多层结构包括玻璃基底和例如EVA树脂的树脂,以及
分离步骤V是这样的步骤,将例如EVA树脂的树脂从在分离步骤IV中分离的第四多层结构(包括玻璃基底和例如EVA树脂的树脂)中去除,由此将第四多层结构分离成例如EVA树脂的树脂和玻璃基底。
7.根据权利要求6的CIS型薄膜光电模块分离方法,其中该分离步骤I包括:利用刀或铰刀的切割工具从背部将相应于玻璃基底周边部分的CIS型薄膜光电模块的那部分切断,由此将该模块分离成邻接非粘着塑性树脂一侧的第一多层结构(包括护罩玻璃和例如EVA树脂的树脂)以及第二多层结构(包括CIS型薄膜式太阳能电池装置、玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)。
8.根据权利要求6的CIS型薄膜光电模块分离方法,其中该分离步骤II包括:通过例如喷砂、利用金属刀片刮削或其组合的干燥机械方法,将CIS型薄膜式太阳能电池装置从第二多层结构(包括CIS型薄膜式太阳能电池装置、玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)中去除,以将第二多层结构分离成CIS型薄膜式太阳能电池装置和第三多层结构(包括玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)。
9.根据权利要求6的CIS型薄膜光电模块分离方法,其中该分离步骤III包括:通过例如喷砂的干燥机械去除方法或例如沸腾、高温蒸汽吹扫或酸中浸渍的湿式化学去除方法,将例如EVA树脂的树脂从第一多层结构(包括护罩玻璃和例如EVA树脂的树脂)中去除,以将第一多层结构分离成例如EVA树脂的树脂和护罩玻璃。
10.根据权利要求6的CIS型薄膜光电模块分离方法,其中该分离步骤IV包括:通过机械剥离将背板从第三多层结构(包括玻璃基底、例如EVA树脂的树脂和背板)中去除,以将第三多层结构分离成背板和第四多层结构(包括玻璃基底和例如EVA树脂的树脂)
11.根据权利要求6的CIS型薄膜光电模块分离方法,其中该分离步骤V包括:通过例如喷砂、利用金属刀片刮削或这些组合的干燥机械方法,将例如EVA树脂的树脂从第四多层结构(包括玻璃基底和例如EVA树脂的1树脂)中去除,以将第四多层结构分离成例如EVA树脂的树脂和玻璃基底。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004370332A JP2006179626A (ja) | 2004-12-22 | 2004-12-22 | Cis系薄膜太陽電池モジュール、該太陽電池モジュールの製造方法及び分離方法 |
JP370332/2004 | 2004-12-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101088169A true CN101088169A (zh) | 2007-12-12 |
Family
ID=36601831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2005800445822A Pending CN101088169A (zh) | 2004-12-22 | 2005-12-22 | Cis型薄膜光电模块、用于制造该光电模块的方法和分离该模块的方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080105294A1 (zh) |
EP (1) | EP1830411A4 (zh) |
JP (1) | JP2006179626A (zh) |
KR (1) | KR20070090212A (zh) |
CN (1) | CN101088169A (zh) |
WO (1) | WO2006068234A1 (zh) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102371320A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-03-14 | 苏州工业园区高登威科技有限公司 | 一种太阳能电池板切割装置 |
CN102382595A (zh) * | 2010-08-31 | 2012-03-21 | 杜邦公司 | 改性的蒙脱石及包含其的粘合剂组合物 |
CN102903777A (zh) * | 2012-09-12 | 2013-01-30 | 上海晶澳太阳能科技有限公司 | 一种便于拆解的太阳能光伏组件及其制作方法 |
CN101933164B (zh) * | 2008-02-02 | 2013-05-01 | 雷诺丽特比利时股份有限公司 | 光电组件及制造方法 |
CN103460399A (zh) * | 2011-03-30 | 2013-12-18 | 琳得科株式会社 | 太阳能电池用保护片及其制造方法、以及太阳能电池模块 |
CN104685636A (zh) * | 2012-09-27 | 2015-06-03 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池组件 |
CN105489678A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-04-13 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 一种优化光伏组件封装损失的方法 |
CN107818922A (zh) * | 2016-09-13 | 2018-03-20 | 三星电子株式会社 | 制造半导体封装的方法 |
CN108717930A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-10-30 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池玻璃基板的回收方法 |
CN109092842A (zh) * | 2018-06-20 | 2018-12-28 | 常州瑞赛环保科技有限公司 | 报废光伏组件拆解方法 |
CN112703066A (zh) * | 2018-04-19 | 2021-04-23 | 太阳能先锋株式会社 | 太阳能电池模块的再利用方法以及再利用装置 |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4602872B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-12-22 | 昭和シェル石油株式会社 | Cis系薄膜太陽電池モジュールの構成部材回収方法 |
US9105776B2 (en) * | 2006-05-15 | 2015-08-11 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials |
US8017860B2 (en) * | 2006-05-15 | 2011-09-13 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials |
JP2008047614A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Showa Shell Sekiyu Kk | 吸着材を利用した改良型太陽電池モジュール |
WO2008102457A1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | Showa Shell Sekiyu K. K. | Method of recovering constituent member of cis type thin-film solar cell module |
US20080300918A1 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Commercenet Consortium, Inc. | System and method for facilitating hospital scheduling and support |
US8071179B2 (en) | 2007-06-29 | 2011-12-06 | Stion Corporation | Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials |
US7919400B2 (en) * | 2007-07-10 | 2011-04-05 | Stion Corporation | Methods for doping nanostructured materials and nanostructured thin films |
US8614396B2 (en) * | 2007-09-28 | 2013-12-24 | Stion Corporation | Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application |
US8058092B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-11-15 | Stion Corporation | Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application |
US20090087939A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Stion Corporation | Column structure thin film material using metal oxide bearing semiconductor material for solar cell devices |
US8287942B1 (en) | 2007-09-28 | 2012-10-16 | Stion Corporation | Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material |
US8759671B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-06-24 | Stion Corporation | Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices |
US7998762B1 (en) | 2007-11-14 | 2011-08-16 | Stion Corporation | Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration |
US8642138B2 (en) | 2008-06-11 | 2014-02-04 | Stion Corporation | Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions |
DE102008047675B4 (de) * | 2008-06-13 | 2014-05-15 | Ctf Solar Gmbh | Recycling-Verfahren für Dünnschichtsolarzellenmodule |
US8003432B2 (en) | 2008-06-25 | 2011-08-23 | Stion Corporation | Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material |
US9087943B2 (en) | 2008-06-25 | 2015-07-21 | Stion Corporation | High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material |
US7855089B2 (en) | 2008-09-10 | 2010-12-21 | Stion Corporation | Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials |
US8008112B1 (en) | 2008-09-29 | 2011-08-30 | Stion Corporation | Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
US8236597B1 (en) | 2008-09-29 | 2012-08-07 | Stion Corporation | Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
US8476104B1 (en) | 2008-09-29 | 2013-07-02 | Stion Corporation | Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
US8501521B1 (en) | 2008-09-29 | 2013-08-06 | Stion Corporation | Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
US8008110B1 (en) | 2008-09-29 | 2011-08-30 | Stion Corporation | Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
US8394662B1 (en) | 2008-09-29 | 2013-03-12 | Stion Corporation | Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
US8026122B1 (en) | 2008-09-29 | 2011-09-27 | Stion Corporation | Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
US7863074B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-01-04 | Stion Corporation | Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells |
US7910399B1 (en) * | 2008-09-30 | 2011-03-22 | Stion Corporation | Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates |
US8383450B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-02-26 | Stion Corporation | Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials |
US7947524B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-05-24 | Stion Corporation | Humidity control and method for thin film photovoltaic materials |
US8425739B1 (en) | 2008-09-30 | 2013-04-23 | Stion Corporation | In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials |
US8741689B2 (en) | 2008-10-01 | 2014-06-03 | Stion Corporation | Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials |
US20110018103A1 (en) | 2008-10-02 | 2011-01-27 | Stion Corporation | System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices |
US8003430B1 (en) | 2008-10-06 | 2011-08-23 | Stion Corporation | Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
US8435826B1 (en) | 2008-10-06 | 2013-05-07 | Stion Corporation | Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
USD625695S1 (en) | 2008-10-14 | 2010-10-19 | Stion Corporation | Patterned thin film photovoltaic module |
US8168463B2 (en) | 2008-10-17 | 2012-05-01 | Stion Corporation | Zinc oxide film method and structure for CIGS cell |
US8344243B2 (en) | 2008-11-20 | 2013-01-01 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction |
USD662040S1 (en) | 2009-06-12 | 2012-06-19 | Stion Corporation | Pin striped thin film solar module for garden lamp |
USD628332S1 (en) | 2009-06-12 | 2010-11-30 | Stion Corporation | Pin striped thin film solar module for street lamp |
USD632415S1 (en) | 2009-06-13 | 2011-02-08 | Stion Corporation | Pin striped thin film solar module for cluster lamp |
USD662041S1 (en) | 2009-06-23 | 2012-06-19 | Stion Corporation | Pin striped thin film solar module for laptop personal computer |
USD652262S1 (en) | 2009-06-23 | 2012-01-17 | Stion Corporation | Pin striped thin film solar module for cooler |
US8507786B1 (en) | 2009-06-27 | 2013-08-13 | Stion Corporation | Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells |
USD627696S1 (en) | 2009-07-01 | 2010-11-23 | Stion Corporation | Pin striped thin film solar module for recreational vehicle |
US8188363B2 (en) | 2009-08-07 | 2012-05-29 | Sunpower Corporation | Module level solutions to solar cell polarization |
US8398772B1 (en) | 2009-08-18 | 2013-03-19 | Stion Corporation | Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity |
US8809096B1 (en) | 2009-10-22 | 2014-08-19 | Stion Corporation | Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials |
KR101028228B1 (ko) * | 2009-10-28 | 2011-04-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 |
US20110155221A1 (en) * | 2009-12-31 | 2011-06-30 | Du Pont Apollo Limited | Solar panel with improved waterproof design |
US8859880B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-10-14 | Stion Corporation | Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices |
US9096930B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-08-04 | Stion Corporation | Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices |
TWI395806B (zh) | 2010-04-14 | 2013-05-11 | Ind Tech Res Inst | 封裝材料 |
WO2011149119A1 (ko) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | 주식회사 에스에너지 | 태양 전지 모듈 및 그 제조방법 |
US8461061B2 (en) | 2010-07-23 | 2013-06-11 | Stion Corporation | Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment |
US8628997B2 (en) | 2010-10-01 | 2014-01-14 | Stion Corporation | Method and device for cadmium-free solar cells |
US8998606B2 (en) | 2011-01-14 | 2015-04-07 | Stion Corporation | Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices |
US8728200B1 (en) | 2011-01-14 | 2014-05-20 | Stion Corporation | Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials |
CN103367496A (zh) * | 2012-04-10 | 2013-10-23 | 杜邦太阳能有限公司 | 非晶硅薄膜组件及双玻太阳能电池的密封结构 |
JP6167359B2 (ja) * | 2012-10-13 | 2017-07-26 | 宮崎県 | Cis系薄膜太陽電池からの有価物回収方法 |
JP6157904B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2017-07-05 | Dowaエコシステム株式会社 | 太陽電池モジュール部材の構成部材回収方法およびそのシステム |
CN108352418B (zh) * | 2015-09-18 | 2021-11-02 | 东邦化成株式会社 | 太阳能电池组件的再利用方法 |
JP6154924B1 (ja) * | 2016-02-10 | 2017-06-28 | ミクロンメタル株式会社 | 透明カバー層分離回収方法 |
CN105914263B (zh) * | 2016-06-06 | 2018-01-19 | 黄河水电光伏产业技术有限公司 | 一种太阳能电池组件的封装工艺 |
FR3070538B1 (fr) * | 2017-08-30 | 2020-02-21 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de desassemblage d'un module photovoltaique et installation associee |
FR3070541B1 (fr) * | 2017-08-30 | 2019-09-06 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de desassemblage d'un module photovoltaique et installation associee |
KR102178024B1 (ko) * | 2020-02-11 | 2020-11-12 | 박일남 | 태양광 폐모듈 처리용 가스 분리 포집 장치 |
CN111791571B (zh) * | 2020-08-31 | 2023-09-15 | 秦皇岛金辰太阳能设备有限公司 | 光伏组件与传输布分离装置及分离方法 |
DE102021129301B3 (de) * | 2021-11-10 | 2023-01-19 | SOLAR MATERIALS GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Verarbeiten eines Solarmoduls |
CN114951209A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-08-30 | 信阳师范学院 | 一种光伏层压件分离方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0945951A (ja) * | 1995-08-01 | 1997-02-14 | Nitto Denko Corp | 太陽電池モジュール |
JPH11289103A (ja) * | 1998-02-05 | 1999-10-19 | Canon Inc | 半導体装置および太陽電池モジュ―ル及びその解体方法 |
JP2003092422A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Canon Inc | 太陽電池モジュールの製造方法 |
JP4051430B2 (ja) * | 2001-11-06 | 2008-02-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | リサイクル対応型太陽電池モジュール |
JP4271412B2 (ja) * | 2002-06-06 | 2009-06-03 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュールの再生方法 |
JP4271433B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2009-06-03 | 昭和シェル石油株式会社 | Cis系薄膜太陽電池モジュールの構成部材回収方法 |
-
2004
- 2004-12-22 JP JP2004370332A patent/JP2006179626A/ja active Pending
-
2005
- 2005-12-22 US US11/721,684 patent/US20080105294A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-22 WO PCT/JP2005/023622 patent/WO2006068234A1/ja active Application Filing
- 2005-12-22 EP EP05820379A patent/EP1830411A4/en not_active Withdrawn
- 2005-12-22 KR KR1020077014369A patent/KR20070090212A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-12-22 CN CNA2005800445822A patent/CN101088169A/zh active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101933164B (zh) * | 2008-02-02 | 2013-05-01 | 雷诺丽特比利时股份有限公司 | 光电组件及制造方法 |
CN102382595A (zh) * | 2010-08-31 | 2012-03-21 | 杜邦公司 | 改性的蒙脱石及包含其的粘合剂组合物 |
CN103460399A (zh) * | 2011-03-30 | 2013-12-18 | 琳得科株式会社 | 太阳能电池用保护片及其制造方法、以及太阳能电池模块 |
CN102371320A (zh) * | 2011-04-29 | 2012-03-14 | 苏州工业园区高登威科技有限公司 | 一种太阳能电池板切割装置 |
CN102903777A (zh) * | 2012-09-12 | 2013-01-30 | 上海晶澳太阳能科技有限公司 | 一种便于拆解的太阳能光伏组件及其制作方法 |
CN102903777B (zh) * | 2012-09-12 | 2015-04-29 | 上海晶澳太阳能科技有限公司 | 一种便于拆解的太阳能光伏组件及其制作方法 |
CN104685636A (zh) * | 2012-09-27 | 2015-06-03 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池组件 |
CN105489678A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-04-13 | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 | 一种优化光伏组件封装损失的方法 |
CN107818922A (zh) * | 2016-09-13 | 2018-03-20 | 三星电子株式会社 | 制造半导体封装的方法 |
CN107818922B (zh) * | 2016-09-13 | 2020-11-17 | 三星电子株式会社 | 制造半导体封装的方法 |
CN112703066A (zh) * | 2018-04-19 | 2021-04-23 | 太阳能先锋株式会社 | 太阳能电池模块的再利用方法以及再利用装置 |
CN108717930A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-10-30 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池玻璃基板的回收方法 |
WO2019227789A1 (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池玻璃基板的回收方法 |
CN109092842A (zh) * | 2018-06-20 | 2018-12-28 | 常州瑞赛环保科技有限公司 | 报废光伏组件拆解方法 |
CN109092842B (zh) * | 2018-06-20 | 2021-07-30 | 常州瑞赛环保科技有限公司 | 报废光伏组件拆解方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1830411A1 (en) | 2007-09-05 |
US20080105294A1 (en) | 2008-05-08 |
EP1830411A4 (en) | 2009-03-25 |
WO2006068234A1 (ja) | 2006-06-29 |
KR20070090212A (ko) | 2007-09-05 |
JP2006179626A (ja) | 2006-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101088169A (zh) | Cis型薄膜光电模块、用于制造该光电模块的方法和分离该模块的方法 | |
JP2006179626A6 (ja) | Cis系薄膜太陽電池モジュール、該太陽電池モジュールの製造方法及び分離方法 | |
CN108428745B (zh) | 用于金属化的对准 | |
US4578526A (en) | Solar module | |
TWI415273B (zh) | Single crystal silicon solar cell manufacturing methods and single crystal silicon solar cells | |
EP2043154A2 (en) | Thin-film solar battery module and method of producing the same | |
US20130056044A1 (en) | Photovoltaic module fabrication with thin single crystal epitaxial silicon devices | |
US20170141720A9 (en) | Photovoltaic module fabrication with thin single crystal epitaxial silicon devices | |
CN103856163A (zh) | 用于背接触式光伏模块的组件 | |
JPH0661518A (ja) | 太陽電池モジュール | |
CN202058770U (zh) | 太阳能光电模块 | |
JP2003142720A (ja) | リサイクル対応型太陽電池モジュール | |
JP4340132B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
CN108511547A (zh) | 一种太阳能组件及其制备方法、太阳能装置 | |
KR102250714B1 (ko) | 분리 마스크를 이용한 결정질 태양광 모듈의 수리방법 | |
WO2004038814A1 (en) | Process for assembly of photovoltaic modules | |
US8124865B2 (en) | Method of fabrication of plastic film supported single crystal silicon photovoltaic cell structure | |
EP3792984B1 (en) | Method for making a solar module | |
JP4812584B2 (ja) | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 | |
CN113421939A (zh) | 一种高效叠层柔性组件及其制备方法 | |
JP2006156873A (ja) | 樹脂フィルムおよびそれを用いた半導体モジュールの製造方法 | |
KR20110085863A (ko) | 태양전지 모듈 | |
JP2000243996A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
EP0605994A1 (en) | Process for encapsulating photovoltaic cells in laminated glazings | |
KR102285924B1 (ko) | 포토리소그래피 공정을 이용한 결정질 태양광 모듈의 수리방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |