CN101084467B - 含硅的tarc/阻挡层 - Google Patents

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Abstract

公开了顶部抗反射涂覆材料(TARC)和阻挡层，和其在平版印刷工艺中的用途。TARC/阻挡层可以特别用于使用水作为成像介质的沉浸平版印刷。TARC/阻挡层包括一种聚合物，该聚合物包括至少一个含硅部分和至少一个含水碱溶性部分。合适的聚合物包括具有硅倍半氧烷(梯状或网络)结构的聚合物，如包含具有结构(I)的单体的聚合物：其中R1包括含水碱溶性部分，和x中约1-约1.95，更优选约1-约1.75。

Description

含硅的TARC/阻挡层
发明背景
发明领域
本发明涉及顶部抗反射涂覆材料(TARC)和阻挡层和其在平版印刷工艺中的用途。此TARC/阻挡层可以特别用于沉浸平版印刷，其中液体如水用作曝光工具的透镜夹具和光刻胶涂覆的晶片之间的曝光介质。
相关技术的描述
传统上，顶部涂层材料用于光刻法作为光刻胶顶部上的抗反射膜。顶部抗反射涂覆(TARC)材料可防止曝光期间在光刻胶层中发生的光的多次干扰。结果是，可以最小化由光刻胶膜的厚度变化引起的光刻胶图案的几何特性的临界尺寸(CD)变化。
为完全利用顶部涂层的抗反射效果，顶部涂层材料的折光率(nt)应当是大约曝光介质的折光率(nm)和下面的光刻胶的折光率(nr)的乘积的平方根。如果曝光介质是空气，如在″干燥″平版印刷的情况下，顶部涂层材料的最佳折光率(nt)应当是大约下面的光刻胶的折光率(nr)的平方根，这是由于空气的折光率大致是1。TARC也要求对曝光光的透明度以防止光到光刻胶的强度损失。
为了加工的容易，传统TARC材料设计为可溶于水和含水碱显影剂两者，使得可以将它们直接从水溶液施加和随后在显影阶段期间由含水碱显影剂脱除。已经开发许多顶部涂层材料以满足最佳折光率和溶解度的这两个要求。例如，U.S.专利Nos.5,744,537和6,057,080公开了含水溶解性TARC材料，该材料包括聚合物基料(binder)和氟碳化合物，和它的几乎理想折光率大约为1.3-1.4。U.S.专利No.5,879,853也公开了可由湿工艺脱除的TARC材料。U.S.专利No.5,595,861相似地公开了包括部分氟化化合物的TARC，它也可以是水溶性的。U.S.专利No.6,274,295公开了包括吸光化合物的TARC材料，该吸光化合物的最大吸收波长高于用于使光刻胶曝光的曝光波长。此TARC也可是水溶性的。U.S.专利No.5,240,812公开了用作酸催化的抗蚀剂组合物的外涂层膜的保护材料，以防止有机和无机碱的蒸气的污染。尽管不具体公开为TARC，外涂层也可是水溶性的。其它TARC材料包括在U.S.专利Nos.5,744,537和6,057,080，U.S.专利No.6,503,689，U.S.专利申请Pub.No.2003/0211417，U.S.专利申请Pub.No.2004/0013971，和U.S.专利申请Pub.No.2004/0033436中公开的那些。
沉浸平版印刷提供扩展光学平版印刷的用途以印刷更小特征的可能性。在沉浸平版印刷中，空气由在透镜和晶片之间的液体介质如水代替。折光率高于空气的介质的使用导致更大的数字孔径(NA)，条件是在介质中保持投影角恒定，和因此允许更小特征的印刷。
然而，沉浸平版印刷呈现以下一些关注：光刻胶中的某些组分可浸出到沉浸介质和改变光刻胶的性能，或沉浸介质可扩散到光刻胶中和影响酸产生和然后可干扰化学放大机理。许多努力致力于改性光刻胶配制剂以保证上述问题在沉浸曝光过程期间不发生，但未显影光刻胶，该光刻胶既与作为提出的沉浸介质的水相容和也具有可接受的性能特性。
为减轻沉浸平版印刷中这些光刻胶浸出和溶解度问题，顶部涂层材料可以在沉浸介质和抗蚀剂涂覆的晶片之间使用。这样的顶部涂层材料可防止光刻胶组分浸入沉浸介质，和也可防止沉浸介质渗透进入光刻胶膜。当然，顶部涂层材料的一个要求是它在沉浸介质中的不溶解度。优选，顶部涂层材料也可用作TARC层。
已建议水作为193nm沉浸平版印刷的沉浸介质。因此，传统水溶性TARC材料如以上所述的那些不能用作193nm沉浸平版印刷的顶部涂层。此外，由于水的折光率(在193nm下为1.437)高于空气(在193nm下为～1)，用于193nm沉浸平版印刷的TARC材料的最佳折光率也高于传统TARC的最佳折光率。
因此，存在着对不溶于水但溶于含水碱显影剂，和也具有所需光学性能使得它也可以用作TARC的顶部涂层材料的需求。
发明概述
在本发明的第一方面，提供包括聚合物的顶部抗反射涂覆和阻挡层材料。聚合物包括至少一个含硅部分和至少一个含水碱溶性部分。聚合物可说明性地包括至少一种具有如下结构的单体：
Figure S05837630520070509D000031
其中R1包括含水碱溶性部分，和x是约1-约1.95。
在本发明的第二方面，提供在衬底上形成有图案的材料层的方法。该方法包括：提供在其表面上含有材料层的衬底；在衬底上沉积光刻胶组合物以在材料层上形成光刻胶层；在光刻胶层上施加顶部抗反射涂覆和阻挡层材料，因此形成涂覆的衬底，顶部抗反射涂覆和阻挡层材料包括至少一个含硅部分和至少一个含水碱溶性部分；将涂覆的衬底成图案方式曝露于成像辐射；从涂覆的衬底同时脱除顶部抗反射涂覆和阻挡层材料和一部分光刻胶层，因此在材料层上形成有图案的光刻胶层；和转移光刻胶层图案到材料层上。
发明详述
本发明涉及容易施加，对193nm光透明，具有合适n和k数值以降低反射率的TARC/阻挡层。此外，本发明的TARC/阻挡层优选不溶于水但溶于显影剂，和因此可以用作沉浸平版印刷中的TARC/阻挡层和在显影阶段中脱除。
本发明涵盖了包括聚合物的顶部涂层材料，该聚合物包括至少一个含硅部分和至少一个含水碱溶性部分。顶部涂层优选不溶于水但溶于含水碱显影剂，使得它可用于沉浸平版印刷，特别地193nm沉浸平版印刷。另外，可以调节本发明的顶部涂层材料以用作TARC使得可以达到成像的更好工艺控制。对于使用水作为曝光介质的193nm沉浸平版印刷，TARC材料的最佳折光率是约1.5-1.7。
本发明的聚合物中的Si部分可以是，例如Si-Si、Si-C、Si-N或Si-O部分。优选的Si部分是SiO部分。包含SiO部分的聚合物可以是在聚合物主链中和/或在侧基中包含SiO部分的聚合物。优选，聚合物在它的主链中包含SiO部分。聚合物优选是有机硅氧烷，更优选有机硅倍半氧烷。聚合物应当具有有益于由常规旋涂形成层的溶液和成膜特性。
除SiO部分以外，聚合物也优选包含为了碱溶性特性沿聚合物分布的多个含水碱溶性部位。碱溶性部分可包括羟基、羧酸、磺酰胺、二羧酸酰亚胺、N-羟基二羧酸酰亚胺、任何其它氨基或任何亚氨基。优选，碱溶性部分是羟基，和更优选氟代醇部分。
合适TARC/阻挡层聚合物的例子包括具有硅倍半氧烷(梯状或网络)结构的聚合物。这样的聚合物优选包含具有如下结构的单体：
Figure S05837630520070509D000041
其中R1包括含水碱溶性部分，和x是约1-约1.95，更优选约1-约1.75。
R1中的含水碱溶性部分优选是羟基或羧酸部分，更优选羟基部分，最优选氟代醇。R1中的其它可接受含水碱溶性部分包括磺酰胺、二羧酸酰亚胺、N-羟基二羧酸酰亚胺、任何其它氨基或任何亚氨基。R1也可包括这样的溶解度促进部分的氟化变体。
上述聚合物最优选包含具有如下结构的单体：
Figure S05837630520070509D000042
其中：
每个R2独立地选自任意的氟、氟化的线性或支化烷基、氟环烷基、氟芳基、和其任何组合，和R2可任选地进一步包括任意的氧、硫或氮；
每个A独立地选自氧原子、硫原子、NR3、线性或支化烷基、线性或支化氟烷基、环烷基或氟环烷和氟芳基的任意一个；p是数值0或1的整数(即包括在硅倍半氧烷基团的硅原子和侧基的碳原子之间的单键)；和
每个R3独立地选自任意的氢、卤素、线性或支化烷基、线性或支化的氟烷基、环烷基、氟环烷基、氟芳基、和其任何组合；和R2和R3可任选地进一步包括任意的氧、硫、氮、或其任何组合。
在本发明的例示实施方案中，具有结构(II)的单体可包括，但不限于：
Figure S05837630520070509D000051
为调节TARC/阻挡层的溶解速率和n和k数值，本发明可进一步包括具有如下结构的单体单元：
Figure S05837630520070509D000052
R4包括可以选自内酯、酸酐、酯、醚和醇的极性有机部分，和这样的极性有机部分的氟化变体；和x是约1-约1.95，更优选约1-约1.75。
在本发明的例示实施方案中，具有结构(X1)的单体可包括，但不限于：
为提高在TARC/阻挡层下抗蚀剂的溶解对比度，本发明的聚合物可进一步包括具有如下结构的单体单元：
Figure S05837630520070509D000062
其中R5包括可以选自叔丁基酯、酸酐、酯、醚和醇的酸不稳定部分，和这样的酸不稳定部分的氟化变体；和x是约1-约1.95，更优选约1-约1.75。
R5中可酸分解基团的结构由如下结构式表达：
Figure S05837630520070509D000063
或
-X-R6(XVIII)
其中R6表示叔烷基如叔丁基、1-甲基环戊基、1-乙基环戊基、1-甲基环己基、和叔戊基，1-烷氧基乙基如异冰片基、1-乙氧基乙基、1-丁氧基乙基、1-异丁氧基乙基和1-环己氧基乙基，烷氧基甲基如1-甲氧基甲基、1-甲氧基丙基、1-甲氧基环己基和1-乙氧基甲基，3-氧代烷基、四氢吡喃基、四氢呋喃基、三烷基甲硅烷基酯基团、3-氧代环己基酯基团、2-甲基-2-金刚烷基、2-甲基-2-异冰片基、2-乙基-2-四环十二碳烯基、甲羟戊酸内酯残基和2-(γ-丁内酯基氧羰基)-2-丙基；和X表示氧原子、硫原子、-NH-、-NHSO2-和-NHSO2NH-。
在本发明的例示实施方案中，具有结构(XVI)的单体可包括，但不限于：
Figure S05837630520070509D000071
TARC/阻挡层可进一步包括至少一种溶剂，该溶剂优选与下面的光刻胶材料不混溶。合适的溶剂包括，但不限于：1-丁醇、甲醇、乙醇、1-丙醇、乙二醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、1，2-丙二醇、1-甲基-2-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、4-庚醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-甲基-1-戊醇、3-甲基-2-戊醇、3-甲基-3-戊醇、4-甲基-1-戊醇、4-甲基-2-戊醇、2，4-二甲基-3-戊醇、3-乙基-2-戊醇、1-甲基环戊醇、2-甲基-1-己醇、2-甲基-2-己醇、2-甲基-3-己醇、3-甲基-3-己醇、4-甲基-3-己醇、5-甲基-1-己醇、5-甲基-2-己醇、5-甲基-3-己醇、4-甲基环己醇、和1，3-丙二醇。
本发明的TARC/阻挡层优选不溶于水但溶于含水碱显影剂。此外，顶部涂层材料优选对下面的光刻胶材料的曝光辐射是基本光学透明的，以允许光刻胶材料的图案形成。
也优选TARC/阻挡层的折光率为约1.2-1.8。对于使用水作为曝光介质的193nm沉浸平版印刷，顶部涂层材料的折光率最优选为约1.5-1.7。
在本发明的另一方面，TARC/阻挡层可用于在衬底上形成有图案的材料层的方法。材料层可以是，例如陶瓷、电介质、金属和半导体层，如用于制造高性能集成电路器件和相关芯片载体包的那些。在该方法中，首先由已知措施将光刻胶组合物在衬底上沉积，以在材料上形成光刻胶层。然后在预曝光焙烧步骤中焙烧含有抗蚀剂层的衬底以从光刻胶组合物中脱除任何溶剂和改进抗蚀剂层的内聚性。典型的预曝光焙烧温度是约80-约150℃。典型的抗蚀剂厚度是约100-约500nm。
然后，将本发明的TARC/阻挡层在光刻胶层上施加，因此形成涂覆的衬底。然后将涂覆的衬底通过有图案的掩模对适当的辐射源曝光。在一个例示的实施方案中，成像辐射是193nm辐射。在另一个实施方案中，成像辐射是157nm辐射。在另一个实施方案中，成像辐射是248nm辐射。也可以将涂覆的衬底使用沉浸平版印刷对这样的成像辐射曝光，其中将成像介质在曝光之前施加到涂覆的衬底上。在优选的实施方案中，成像介质是水。
然后将涂覆的衬底与含水碱显影剂，如0.263N氢氧化四甲基铵(TMAH)接触，因此同时从涂覆的衬底上脱除顶部涂层材料和一部分光刻胶层。与显影剂的接触在材料层上形成了有图案的光刻胶层。
然后可以将光刻胶层中的图案转移到下面衬底上的材料层。典型地，转移由反应性离子蚀刻或一些其它蚀刻技术达到。本发明的方法可用于产生有图案的材料层结构如金属接线，用于接触的孔或通路，绝缘区段(如大马士革沟槽或浅沟槽隔离)，和用于电容器结构的沟槽，如可用于集成电路器件的设计。
制备这些(陶瓷、电介质、金属或半导体)特征的方法通常包括提供要形成图案的衬底的材料层或区段，在材料层或区段上施加抗蚀剂层，在抗蚀剂层上施加顶部涂层，将顶部涂层和抗蚀剂层成图案方式曝光于辐射，通过曝光的顶部涂层和抗蚀剂与显影剂接触显影图案，在图案中的间隔下蚀刻抗蚀剂层下面的层，因此形成有图案的材料层或衬底，和从衬底脱除任何剩余的抗蚀剂。在一些情况下，硬掩模可以在抗蚀剂层以下使用以促进图案到进一步下面的材料层或区段的转移。应当理解本发明不限于任何具体的平版印刷技术或器件结构。
TARC/阻挡层的典型厚度是约30-80nm。在本发明的另一个实施方案中，将TARC/阻挡层施加到约1-4μm的厚度以用作原位薄层，防止粒子或微气泡在抗蚀剂上产生缺陷。厚顶部涂层也改进光刻胶的工艺窗。
提供以下非限制性实施例以进一步说明本发明。由于仅为了说明性目的提供这些实施例，其中实施的本发明应当限于此。
实施例1.水处理评价
将聚(2-羟基-3，3，3-三氟丙基硅倍半氧烷)(以下说明的结构)溶于1-丁醇中以产生两个溶液：1.5wt％溶液和5wt％溶液。将这两个溶液然后在HMDS涂底漆的Si晶片上旋涂，和将膜在110℃下焙烧60秒。
Figure S05837630520070509D000091
然后进行如下水溶解度测试。将涂覆的衬底浸入水中3分钟。结果见表1。在沉浸之前和之后测量的厚度确认没有TARC/阻挡层材料在水中的厚度损失。轻微变化在测量误差的范围内。
表1.水处理评价
聚合物固体含量 在水处理之前的厚度(旋转速度) 在水处理3分钟之后的厚度
5％ 89.2nm(1500rpm) 90mm
1.5％ 33.6mm(2000rpm) 32.4mm
实施例2.活性TARC/阻挡层评价
将聚[2-羟基-3，3，3-三氟丙基硅倍半氧烷-共-5-(2-叔丁氧基-羰基)和降冰片基硅倍半氧烷](以下说明的结构)溶于1-丁醇中以提供含有1.5wt％固体的溶液。将此活性ARC/阻挡层在光刻胶(AMX2073，购自JSR)涂覆的石英盘上施加。光刻胶厚度是约280nm。将膜在110℃下焙烧60秒，和然后采用由Fusion System Corporation，Rockville，Maryland制造的泛曝光工具采用宽带DUV光泛曝光0.1秒。在曝光之后，然后将包含光刻胶和活性ARC/阻挡层的石英盘焙烧然后在0.263N TMAH中显影和采用由Maxtek，Inc制造的ResearchQuartz Crystal Microbalance(RQCM，RS-232)工具监视。
Figure S05837630520070509D000101
此试验表明将整个组合体在曝光之后在110℃下焙烧60秒时，整个堆叠体在小于一秒内溶解。当将整个组合体在曝光之后在110℃下焙烧20秒时，在最初1.5秒没有溶解，然后整个堆叠体需4.75秒溶解。对于单独的抗蚀剂在曝光之后的规则焙烧工艺是110℃下60秒。
实施例3.光学性能评价
将实施例1和2中制备的TARC/阻挡层组合物在硅晶片上旋涂，在热板上在110℃下焙烧60秒，然后采用由J.A.Woollam Co.Inc制造的VB-250 VASE Ellipsometer测量n和k数值。对于193nm辐射的膜的光学性能见下表2。
表2.光学性能评价
样品 聚合物组合物 在193nm下的n 在193nm下的k
实施例1配制剂 聚(2-羟基-3，3，3-三氟丙基硅倍半氧烷) 1.52  0.002
实施例2配制剂 聚[2-羟基-3，3，3-三氟丙基硅倍半氧烷-共-5-(2-叔丁氧基-羰基)和降冰片基硅倍半氧烷] 1.51  0.0015
实施例4.TARC/阻挡层的平版印刷评价
将商业193nm抗蚀剂膜和对应的ARC在TEL ACT8平版印刷加工装置上旋转流延在两个200mm硅晶片上。初如膜是约250nm厚度。将抗蚀剂膜在130℃下焙烧60秒。在这些晶片的一个上，将以上实施例1中所述的TARC材料(聚(2-羟基-3，3，3-三氟丙基硅倍半氧烷)的1.5wt％溶液)在40nm的厚度下旋转到抗蚀剂膜上。然后将晶片在110℃下焙烧60秒。
平版印刷曝光在两个晶片上采用193nm 0.75NA光学扫描器进行，常规照明和部分内聚是0.6。以正常65nm宽度的分离线特征使用衰减的相转移十字线。进行曝光后焙烧，和将抗蚀剂在0.26N TMAH显影剂中显影。TARC也溶于此显影剂，和容易脱除。变化曝光剂量以发现对于这些特征的合适固定剂量和获得横截面SEM。对照晶片的SEM显示分离线的193nm平版印刷图案形成而不施加TARC。第二晶片的SEM显示采用以上讨论的TARC的相同193nm平版印刷工艺，和展示顶涂层的施加不会任何显著程度地影响线宽度或平版印刷情况。
此实施例展示采用以上讨论的TARC配制剂的成功193nm平版印刷。注意，此情况仅是实施例，和许多其它光刻胶(包括双层193nm抗蚀剂)和加工条件和设备可以同样成功地使用。
尽管结合具体的优选实施方案和其它替代实施方案特别描述了本发明，明显的是按照上述描述，许多替代选择，改进和变化对本领域技术人员是显然的。因此希望所附的权利要求包括落入本发明的真实范围和精神中的所有这样的替代选择，改进和变化。

Claims (34)

1.在衬底上形成有图案的材料层的方法，该方法包括：
提供在其表面上含有材料层的衬底；
在衬底上沉积光刻胶组合物以在材料层上形成光刻胶层；
在光刻胶层上施加顶部抗反射涂料和阻挡层材料，因此形成涂覆的衬底，顶部抗反射涂料和阻挡层材料包括至少一个含硅部分和至少一个含水碱溶性部分；
将涂覆的衬底成图案方式曝露于成像辐射；
从涂覆的衬底上同时脱除顶部抗反射涂料和阻挡层材料和一部分光刻胶层，因此在材料层上形成有图案的光刻胶层；和
转移光刻胶层图案到材料层上，
其中，所述含硅部分包括Si-Si、Si-C、Si-N或Si-O，且所述含水碱溶性部分选自羟基、羧酸、磺酰胺、二羧酸酰亚胺、N-羟基二羧酸酰亚胺、氨基、和亚氨基。
2.权利要求1的方法，其中抗反射涂覆和阻挡层材料的折光率为1.5-1.7。
3.权利要求1的方法，其中该聚合物进一步包括至少一个含氟部分。
4.权利要求1的方法，其中该含硅部分包括SiO。
5.权利要求4的方法，其中该聚合物是有机硅氧烷。
6.权利要求5的方法，其中该聚合物是有机硅倍半氧烷。
7.权利要求1的方法，其中该至少一个含水碱溶性部分是氟代醇。
8.权利要求7的方法，其中该氟代醇是三氟甲醇或六氟甲醇。
9.权利要求1的方法，其中该聚合物进一步包括至少一个酸不稳定部分。
10.权利要求1的方法，其中，所述顶部抗反射涂覆和阻挡层材料进一步包括至少一种选自如下的溶剂：1-丁醇、甲醇、乙醇、1-丙醇、乙二醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、1，2-丙二醇、1-甲基-2-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、4-庚醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-甲基-1-戊醇、3-甲基-2-戊醇、3-甲基-3-戊醇、4-甲基-1-戊醇、4-甲基-2-戊醇、2，4-二甲基-3-戊醇、3-乙基-2-戊醇、1-甲基环戊醇、2-甲基-1-己醇、2-甲基-2-己醇、2-甲基-3-己醇、3-甲基-3-己醇、4-甲基-3-己醇、5-甲基-1-己醇、5-甲基-2-己醇、5-甲基-3-己醇、4-甲基环己醇、和1，3-丙二醇。
11.权利要求6的方法，其中该聚合物包括至少一种具有如下结构的单体：
Figure FA20191702200580037630501C00021
其中R1包括含水碱溶性部分，和x是1-1.95，
12.权利要求11的方法，其中该含水碱溶性部分是氟代醇。
13.权利要求1的方法，其中聚合物包括至少一种具有如下结构的单体：
其中，每个R2独立地选自氟、氟化的线性或支化烷基、氟环烷基、氟芳基、和其任何组合；
每个A独立地选自氧原子、硫原子、NR3、线性或支化烷基、线性或支化氟烷基、环烷基或氟环烷基、和氟芳基；p是0或1；和
每个R3独立地选自氢、卤素、线性或支化烷基、线性或支化的氟烷基、环烷基、氟环烷基、氟芳基、和其任何组合。
14.权利要求13的方法，其中R2和R3进一步包括氧、硫和氮的至少一个。
15.权利要求13的方法，其中至少一种单体选自：
Figure FA20191702200580037630501C00031
16.权利要求11的方法，其中聚合物进一步包括至少一种具有如下结构的共聚单体：
Figure FA20191702200580037630501C00032
其中R4包括选自酸酐、酯、醚和醇的极性有机部分；和x是1-1.95。
17.权利要求16的方法，其中所述酯为内酯。
18.权利要求16的方法，其中该共聚单体选自
Figure FA20191702200580037630501C00033
19.权利要求11的方法，其中聚合物进一步包括至少一种具有如下结构的共聚单体：
Figure FA20191702200580037630501C00041
其中R5包括选自酸酐、酯、醚和醇的酸不稳定部分；和x是1-1.95。
20.权利要求19的方法，其中所述酯为叔丁基酯。
21.权利要求19的方法，其中该酸不稳定部分选自：
Figure FA20191702200580037630501C00042
和
Figure FA20191702200580037630501C00043
其中R6选自叔烷基、1-烷氧基乙基、烷氧基甲基、3-氧代烷基、四氢吡喃基、四氢呋喃基、三烷基甲硅烷基酯基团、3-氧代环己基酯基团、2-甲基-2-金刚烷基、2-甲基-2-异冰片基、2-乙基-2-四环十二碳烯基、甲羟戊酸内酯残基和2-(γ-丁内酯基氧羰基)-2-丙基；和X选自氧、硫、-NH-、-NHSO2-和-NHSO2NH-。
22.权利要求21的方法，其中至少一种共聚单体选自：
Figure FA20191702200580037630501C00044
23.权利要求1-22中任意一项的方法，其中通过抗蚀剂层与含水碱性显影剂接触脱除顶部抗反射涂料和阻挡层材料和一部分光刻胶层。
24.权利要求23的方法，其中含水碱性显影剂是0.263N氢氧化四甲基铵。
25.权利要求1-22中任意一项的方法，其中材料层选自陶瓷、电介质、金属和半导体层。
26.权利要求1-22中任意一项的方法，其中成像辐射是193nm辐射。
27.权利要求1-22中任意一项的方法，其中成像辐射是157nm辐射。
28.权利要求1-22中任意一项的方法，其中成像辐射是248nm辐射。
29.权利要求1-22中任意一项的方法，进一步包括在将涂覆的衬底成图案方式曝露于成像辐射之前，施加成像介质到涂覆的衬底上的步骤。
30.权利要求29的方法，其中成像介质是水。
31.权利要求1-22中任意一项的方法，其中通过脱除未被有图案的光刻胶层覆盖的一部分材料层将光刻胶层图案转移到材料层上。
32.权利要求31的方法，其中通过在未被有图案的光刻胶层覆盖的区域中蚀刻材料层脱除一部分材料层。
33.权利要求32的方法，其中使用反应性离子蚀刻脱除一部分材料层。
34.权利要求1-22中任意一项的方法，其中顶部抗反射涂料和阻挡层材料的厚度为1-4μm。
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