JP2007024959A - 保護膜形成用材料、およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
で表される構成単位との共重合体および/または混合ポリマーであってもよい。かかる構成によって、アルカリ可溶性を向上させることができる。
(CnF2n+1SO2)2NH・・・・・(201)
(式中、nは、1〜5の整数である。)で示される炭化フッ素化合物と、
下記一般式(202)
CmF2m+1COOH・・・・・・(202)
(式中、mは、10〜15の整数である。)で示される炭化フッ素化合物と、
下記一般式(203)
(C4F9SO2)2NH・・・・・(205)
で表される化合物、または下記化学式(206)
(C3F7SO2)2NH・・・・・(206)
で表される炭化フッ素化合物が好適である。
C10F21COOH・・・・・(207)
で表される炭化フッ素化合物が好適である。
説明する。
電子線、X線、軟X線などの放射線を用いて行うことができる。それは、主に、レジスト膜の特性によって決定される。
本実施例では、本発明にかかる保護膜形成用材料を用いて基板上に保護膜を形成し、この保護膜の耐水性およびアルカリ現像液に対する溶解性を評価した。
ベースポリマーとして、下記一般式(VI)に示した共重合体(分子量4400、x:y=50:50(モル%))を用い、溶媒として2−メチル−1−プロパノールを用い、ポリマー濃度を3質量%に調製し、これを保護膜形成用材料とした。
その結果、目視による表面状態は良好であり、純水リンス前後での膜厚変動も見られず、さらに現像液による溶解速度をレジスト溶解分析器(Resist Dissolution Analyzer:RDA:リソテック・ジャパン社製)で測定したところ、100nm/秒以上であり、十分な特性を有していることが確認された。
有機系反射防止膜組成物「ARC−29A」(商品名、BrewerScience社製)を、スピナーを用いてシリコンウェハー上に塗布し、ホットプレート上で205℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚77nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、この反射防止膜上に、ポジ型レジストである「TArF−P6111ME(東京応化工業社製)」をスピナーを用いて塗布し、ホットプレート上で130℃、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、反射防止膜上に膜厚225nmのレジスト膜を形成した。
シリコンウェハー上にポジ型レジストである「TArF−P6111ME(東京応化工業社製)」をスピナーを用いて塗布し、ホットプレート上で130℃、90秒間プレベークして、乾燥させることにより、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。
このようにして得た65nmのラインアンドスペースパターンが1:1となるレジストパターンを走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、良好な形状のラインアンドスペースパターンが形成できた。
上記実施例2と同様のポジ型フォトレジストを用いて、保護膜を形成しなかった以外は全く同様の手段で、130nmのラインアンドスペースが1:1となるレジストパターンを形成したものの、走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、パターンのゆらぎ、膨潤等が発生しパターンは観察できなかった。
Claims (14)
- 基板上のホトレジスト膜上に積層される保護膜を形成するための保護膜形成材料であって、
下記一般式(I)で表される構成単位と下記一般式(II)で表される構成単位の少なくともいずれかを構成単位として有するアルカリ可溶性ポリマーをアルコール系溶剤に溶解してなることを特徴とする保護膜形成用材料。
- 液浸露光プロセスに用いられる保護膜形成用材料であることを特徴とする請求項1に記載の保護膜形成用材料。
- 前記アルコール系溶剤が炭素数1〜10のアルコール溶剤である請求項1〜5のいずれか1項に記載の保護膜形成用材料。
- 前記アルコール溶剤がn−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、および2−オクタノールの中から選ばれる少なくとも1種である請求項6に記載の保護膜形成用材料。
- 前記アルコール系溶剤が少なくともフッ素原子含有アルコール溶剤を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の保護膜形成用材料。
- 前記フッ素原子含有アルコール溶剤がC4F9CH2CH2OHおよび/またはC3F7CH2OHであることを特徴とする請求項8に記載の保護膜形成用材料。
- さらに酸性物質を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の保護膜形成用材料。
- 前記酸性物質が炭化フッ素化合物であることを特徴とする請求項10に記載の保護膜形成用材料。
- さらに架橋剤を含むことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の保護膜形成用材料。
- 前記架橋剤が、少なくとも2個の水素原子がヒドロキシアルキル基および/またはアルコキシアルキル基で置換された、アミノ基および/またはイミノ基を有する含窒素化合物であることを特徴とする請求項12に記載の保護膜形成用材料。
- 液浸露光プロセスを用いたホトレジストパターン形成方法であって、
基板上にホトレジスト膜を設けるホトレジスト形成工程と、
前記ホトレジスト膜上に請求項1〜13のいずれか1項に記載の保護膜形成用材料を用いて保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記基板の少なくとも前記保護膜上に液浸露光用液体を配置し、次いで、前記液浸露光用液体および前記保護膜を介して、前記ホトレジスト膜を選択的に露光する露光工程と、
前記ホトレジスト膜に対して、必要に応じて加熱処理を行った後、アルカリ現像液を用いて前記保護膜と前記ホトレジスト膜とを現像処理し、それによって、前記保護膜を除去すると同時にホトレジストパターンを得る現像工程と、
を有することを特徴とするホトレジストパターン形成方法。
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