KR100599146B1 - 포토레지스트용 반사 방지 코팅재 - Google Patents

포토레지스트용 반사 방지 코팅재 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (a) 하기 화학식 1로 정의된 중합체; (b) 불소 함유 수-난용성(물 중의 0.1 중량% 내지 10 중량%) 유기 C3-13 지방족 카르복실산; (c) 비금속 수산화물; 및 (d) 용매의 혼합물을 포함하는 반사 방지 코팅 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 그러한 반사 방지 코팅 조성물의 제조 방법 및 포토레지스트 조성물과 함께 그러한 반사 방지 코팅 조성물을 사용하여 마이크로전자 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다:
화학식 1
Figure 112002004173641-pct00008
상기 식에서,
R1 및 R2는 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
R3는 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸기이며,
R4 내지 R7은 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
n은 10 내지 50,000이다.

Description

포토레지스트용 반사 방지 코팅재{ANTIREFLECTIVE COATING MATERIAL FOR PHOTORESISTS}
본 발명은 포토레지스트와 함께 사용하기에 적절한 반사 방지 코팅 조성물, 바람직하게는 탑 반사 방지 코팅 조성물; 그러한 반사 방지 코팅 조성물의 제조 방법; 및 반도체 및 기타 마이크로전자 장치를 제조하기 위해 감광성 포토레지스트 조성물과 함께 그러한 반사 방지 코팅 조성물을 사용하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 감광성 포토레지스트 조성물로 코팅하기 전 또는 후에 그러한 반사 방지 코팅 조성물로 기판을 코팅하는 방법 뿐만 아니라, 그러한 반사 방지 코팅 조성물을 조합한 감광성 포토레지스트 조성물을 기판 상에 코팅, 이미지화 및 현상하는 방법에 관한 것이다.
박막 간섭은 마이크로전자 장치를 생산하는 데 사용되는 광학적 마이크로리토그래피의 공정 제어에서 중심 역할을 한다. 포토레지스트 코팅, 또는 포토레지스트 위 또는 아래에 코팅된 박막의 두께의 작은 변동은 커다란 노광 변동을 유발할 수 있으며, 이는 통상적으로 두 가지 부류의 바람직하지 않은 라인 폭 변동을 유발한다.
1. 박막 두께가 실행마다, 웨이퍼마다, 또는 웨이퍼 내에서 달라진다면, 라 인 폭은 실행마다, 웨이퍼마다, 또는 웨이퍼 내에서 달라질 것이다.
2. 패턴 형성이 웨이퍼 토포그래피에 대해 일어난다면, 포토레지스트 코팅 두께는 토포그래피 단부에서 불가피하게 변할 것이며, 라인 폭이 단부를 교차할 때 변하게 될 것이다.
그러한 박막 간섭 효과를 피하는 것이 x-선 리토그래피 또는 다층 포토레지스트 시스템과 같은 진보된 공정의 핵심 이점 중 하나이다. 그러나, 단층 레지스트(SLR) 공정이 그 간단성, 더 나은 비용 효율 및 건식 공정과 비교하였을 때 습식 현상 공정의 상대적 청정도 때문에 반도체 및 기타 마이크로전자 장치의 생산용 제조 라인으로 우세하다.
박막 간섭은 포토레지스트 코팅 두께에 대한 포지티브 포토레지스트를 클리어하는 데 요구되는 노광량(exposure dose)의 플롯(도즈 투 클리어; Dose To Clear)에서 주기적인 변동이 생기게 된다. 임의로, 포토레지스트 코팅 기판 상에서 광이 하부 반사면으로부터 반사되어(기판 및 박막의 효과에 의해 유발되는 "거울"), 상부 거울(포토레지스트/공기 계면)로부터의 광 반사를 간섭한다. 광학적 리토그래피는 더 짧은 노광 파장을 추구하기 때문에, 박막 간섭 효과는 더욱 더 중요하게 된다. 그러한 박막 간섭 강도의 보다 심각한 스윙은 노광 파장이 감소함에 따라 나타난다.
종래, 염색된 포토레지스트를 사용하여 이러한 반사성 문제를 해결하려는 시도가 있었다. 그러나, 일반적으로 염색된 포토레지스트는 기판으로부터의 반사를 감소시킬 뿐이지, 실질적으로 그것을 제거하는 것은 아니라고 알려져 있다. 또한, 염색된 포토레지스트는 염료의 가능한 승화 및, 염료와 포토레지스트 막 내의 다른 성분과의 비상용성과 함께 리토그래피 성능 감소를 종종 유발한다. 스윙률의 더 이상의 감소 또는 실질적인 제거가 요구되는 경우, 포토레지스트로 코팅하기 전 또는 후에, 그리고 노광 전에 반사 방지 코팅재를 기판에 코팅한다. 포토레지스트를 방사선에 이미지 노광시킨 후, 현상한다. 노광면의 반사 방지 코팅은 포토레지스트 전(상부 반사 방지 코팅) 또는 포토레지스트 후(하부 반사 방지 코팅)에 통상적으로 산소 플라즈마 내에서 실질적으로 에칭되며, 이로써 포토레지스트 패턴이 기판에 전사된다. 반사 방지 코팅의 에칭 속도는, 반사 방지 코팅이 에칭 공정 중에 미노광 보호 포토레지스트 막의 과다한 손실 없이 에칭될 수 있도록 포토레지스트에 비하여 비교적 높아야 한다.
양호한 코팅 성질을 제공하기 위한 흡광용 염료 및 유기 중합체를 함유하는 반사 방지 코팅 조성물은 종래 기술에 공지되어 있다. 그러나, 가열 중에 염료가 대기 및/또는 인접 포토레지스트 층으로 승화 및/또는 확산될 가능성은 이러한 유형의 반사 방지 코팅 조성물을 덜 바람직하게 만든다.
중합체 유기 반사 방지 코팅 조성물은 본 명세서에서 참고 인용하는 EP 583,205호에 기재된 바와 같이, 당업계에 공지되어 있다. 그러나, 그러한 반사 방지 코팅 조성물은 시클로헥산온 및 시클로펜탄온과 같은 유기 용매로부터 주조된다. 그러한 유기 용매를 함유하는 반사 방지 코팅재로 작업시 잠재적 위험의 우려가 본 발명의 반사 방지 코팅 조성물의 개발을 초래한 한 가지 이유이다.
포토레지스트 조성물은 컴퓨터 칩, 메모리 장치 및 집적 회로의 제조에서와 같은 소형화 전자 부품의 제조를 위한 마이크로리토그래피 공정에 사용된다. 일반적으로, 이러한 공정에서 포토레지스트 조성물의 박막을 집적 회로 및 기타 마이크로전자 장치 제조용 실리콘 웨이퍼와 같은 기판에 우선 도포한다. 그 후, 코팅된 기판을 베이크 처리하여 포토레지스트 조성물 중의 포토레지스트 용매를 실질적으로 증발시키고, 기판으로의 포토레지스트 코팅을 정착시킨다(접착을 개선한다). 그 다음, 기판의 베이크 처리되고 코팅된 면을 방사선, 보통 화학선에 이미지 노광시킨다.
포지티브형 포토레지스트 조성물에서, 이러한 방사선 노광은 코팅면의 노광 영역에서 화학적 변형을 유발한다. 가시광, 자외선(UV)광, 전자빔 및 X선 방사 에너지는 그러한 마이크로리토그래피 공정에서 현재 통상적으로 사용되는 방사선 유형이다. 이 이미지 노광 후, 코팅된 기판을 현상제 용액으로 처리하여 기판의 표면으로부터 포토레지스트의 방사선 노광 영역(포지티브형 포토레지스트) 또는 미노광 영역(네가티브형 포토레지스트)을 용해하고 제거한다. 가시광, 자외선(UV)광, 전자빔 및 X선 방사 에너지는 마이크로리토그래피 공정에서 현재 통상적으로 사용되는 방사선 유형이다. 이 이미지 노광 후, 코팅된 기판을 현상제 용액으로 처리하여 기판의 표면으로부터 포토레지스트의 방사선 노광 영역 또는 미노광 영역과 반사 방지 코팅의 모든 영역을 용해하여 제거한다.
네가티브형 포토레지스트 조성물을 방사선에 이미지 노광시키는 경우, 방사선에 노광된 레지스트 조성물의 영역은 현상제 용액에 대한 용해성이 적게되는(예를 들면, 가교 결합 반응이 생김) 한편, 포토레지스트 코팅의 미노광 영역은 그러 한 용액에 비교적 용해성을 유지한다. 따라서, 노광된 네가티브형 레지스트를 현상제로 처리하면, 포토레지스트 코팅의 미노광 영역이 제거되고, 코팅 중의 네가티브 이미지가 생성되어 포토레지스트 조성물이 부착되는 언더라잉 기판 표면의 소정 부분이 노출된다.
현상 후, 이제 부분 탈보호된 기판을 기판 에칭제 용액 또는 플라즈마 가스 등으로 처리할 수 있다. 에칭제 용액 또는 플라즈마 가스는, 포토레지스트 코팅이 현상 중에 제거된 기판의 부분을 에칭한다. 포토레지스트 코팅이 여전히 잔존하는 기판의 영역은 보호되며, 따라서 에칭된 패턴이 방사선의 이미지 노광에 사용되는 포토마스크에 해당하는 기판재에 형성된다. 후에, 포토레지스트 코팅의 잔존 영역은 스트리핑 조작 중에 제거하여 청정한 에칭된 기판 표면이 생성될 수 있다. 임의의 경우에서, 현상 단계 후 및 에칭 단계 전에 잔존하는 포토레지스트 층을 열처리하여 언더라잉 기판에 대한 접착력과 에칭 용액에 대한 내성을 증가시키는 것이 바람직하다.
현재, 포지티브형 포토레지스트 조성물이 네가티브형 레지스트에 비해 바람직한데, 그 이유는 포지티브형 포토레지스트가 대체로 해상 능력과 패턴 전사 특성이 더 우수하기 때문이다. 포토레지스트 해상은 레지스트 조성물을 노광 및 현상 후에 고도의 이미지 단부 정확도로 포토마스크에서 기판으로 전사할 수 있는 최소 형상으로 정의된다. 현재, 많은 제조 분야에서, 1.5 미크론 미만 정도의 레지스트 해상도가 필요하다. 또한, 현상된 포토레지스트 벽 프로파일이 기판에 대해 거의 수직일 것이 거의 늘 요망된다. 레지스트 코팅의 현상된 영역과 비현상된 영역 간 의 그러한 경계는 기판으로의 마스크 이미지의 정확한 패턴 전사로 해석된다.
발명의 개요
본 발명은 반사 방지 코팅 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 그러한 반사 방지 코팅 조성물의 제조 방법 및 마이크로전자 장치의 제조에서의 그러한 반사 방지 코팅 조성물의 사용 방법에 관한 것이다. 반사 방지 코팅 조성물은 포지티브형 포토레지스트가 일반적으로 바람직할지라도 네가티브형 또는 포지티브형일 수 있는 포토레지스트 조성물의 위(후) 또는 아래(전)에 도포된다.
또한, 본 발명은 마이크로전자 장치 제조용 포토리토그래피 공정에 유용한 반사 방지 코팅 조성물에 사용하기 적절한, 바람직하게는 수용성인 신규한 중합체에 관한 것이다. 본 발명의 중합체는 하기 화학식 1로 정의된다:
Figure 112002004173641-pct00001
상기 식에서,
R1 및 R2는 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
R3는 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸기이며,
R4 내지 R7은 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
n은 10 내지 50,000이다.
본 발명의 중합체는 이것이 물과 기타 저독성 용매에 용해성이기 때문에 수성 반사 방지 코팅 조성물에 유용하다.
또한, 본 발명은 반사 방지 코팅 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은:
(a) 하기 화학식 1로 정의된 중합체를 제공하는 단계:
화학식 1
Figure 112002004173641-pct00002
(상기 식에서,
R1 및 R2는 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
R3는 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸기이며,
R4 내지 R7은 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
n은 10 내지 50,000이다)
(b) (1) 중량 평균 분자량("MW")이 약 1,000 내지 500,000, 바람직하게는 약 2,000 내지 500,000, 가장 바람직하게는 약 5,000 내지 500,000인 단계 a)로부터의 중합체 약 1% 내지 약 5%, 바람직하게는 약 1% 내지 약 3%;
(2) 불소 함유 수-난용성(물 중의 0.1 중량% 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.5 중량% 내지 5 중량%) 유기 C3-13 지방족 카르복실산 약 2% 내지 약 10%, 바람직하게는 약 2% 내지 약 5%;
(3) 비금속 수산화물, 예컨대 수산화암모늄, 바람직하게는 수산화암모늄 테트라메틸 약 0.5% 내지 약 3%, 바람직하게는 약 0.5% 내지 약 1.5%; 및
(4) 용매, 바람직하게는 탈이온수("DI") 85% 이상, 바람직하게는 90% 이상
의 혼합물을 제공하여 반사 방지 코팅 조성물을 조제하는 단계
를 포함한다.
적절한 수-난용성 불소 함유 유기 C3-18 지방족 카르복실산으로는 불소화 카르복실산, 예컨대 펜타데카플루오로옥탄산 또는 퍼플루오로옥탄산이 있다. 본 발명의 반사 방지 코팅 조성물로 적절한 용매로는 물, 디글림, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), PGMEA와 PGME의 혼합물, 에틸 락테이트(EL), 에틸-3-에톡시프로피오네이트(EEP), EL과 EEP의 혼합물, 크실렌, n-부틸 아세테이트 및 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트가 있다. 용매는 조성물 중의 고형물의 약 85 중량% 내지 약 98 중량%, 바람직하게는 약 90 중량% 내지 약 98 중량%의 양으로 전체 반사 방지 코팅 조성물에 존재할 수 있다. 물론, 용매는 기판 상에 상부 반사 방지 코팅 조성물을 코팅한 후 실질적으로 제거된다.
또한, 본 발명은 그러한 반사 방지 코팅 조성물을 사용하여 반도체와 같은 마이크로전자 장치를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 방법은:
(a) 하기 화학식 1로 정의된 중합체를 제공하는 단계:
화학식 1
Figure 112002004173641-pct00003
(상기 식에서,
R1 및 R2는 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
R3는 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸기이며,
R4 내지 R7은 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
n은 10 내지 50,000이다)
(b) (1) 중량 평균 분자량("MW")이 약 1,000 내지 500,000, 바람직하게는 약 2,000 내지 500,000, 가장 바람직하게는 약 5,000 내지 500,000인 단계 a)로부터의 중합체 약 1% 내지 약 5%, 바람직하게는 약 1% 내지 약 3%;
(2) 불소 함유 수-난용성(물 중의 0.1 중량% 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.5 중량% 내지 5 중량%) 유기 C3-13 지방족 카르복실산 약 2% 내지 약 10%, 바람직하게는 약 2% 내지 약 5%;
(3) 비금속 수산화물, 예컨대 수산화암모늄, 바람직하게는 수산화암모늄 테트라메틸 약 0.5% 내지 약 3%, 바람직하게는 약 0.5% 내지 약 1.5%; 및
(4) 용매, 바람직하게는 탈이온수 85% 이상, 바람직하게는 90% 이상
의 혼합물을 제공하여 반사 방지 코팅 조성물을 조제하는 단계;
(c) 포토레지스트 조성물을 적절한 기판 상에 코팅하기 전 또는 후에, 침지, 분무, 교반 및 스핀 코팅을 비롯한, 포토레지스트 분야에 사용되는 임의의 통상의 방법에 의해 적절한 기판 상에 단계 b)로부터의 반사 방지 코팅재를 코팅하는 단계;
(d) 핫플레이트에서 약 30 초 내지 약 180 초 동안 약 70℃ 내지 약 110℃의 온도 또는 오븐 내에서 약 15 분 내지 약 90 분 동안 약 70℃ 내지 약 110℃의 온도에서 단계 c)로부터의 코팅된 기판을 가열하는 단계;
(e) 적절한 마스크, 네가티브, 스텐실, 주형 등을 사용하여 생성된 것과 같이 임의의 소정 패턴으로 단계 d)로부터의 코팅된 기판을 방사선, 예컨대 약 300 nm 내지 약 450 nm의 파장에서의 자외선, x-선, 전자빔, 이온빔 또는 레이저 방사선에 노광시키는 단계;
(f) 임의로 현상 전 또는 후에 단계 e)로부터의 기판을 후노광 제2 베이크 또는 열처리를 행하는 단계;
(g) 포지티브 포토레지스트의 이미지 노광 영역 또는 네가티브 포토레지스트의 미노광 영역을 제거하기 위하여 단계 f)의 후노광 제2 베이크 전 또는 후에 단계 e)로부터의 노광된 포토레지스트 코팅된 기판을 현상하는 단계
를 포함한다.
발명의 상세한 설명
포토레지스트 조성물을 적절한 기판에 코팅할 때, 포토레지스트 용액은 소정 두께의 코팅을 제공하기 위한 고형물 함량의 백분율, 사용된 스피닝 장치의 소정의 유형 및 스피닝 공정에 허용되는 시간의 양에 관하여 조정할 수 있다. 적절한 기판으로는 규소, 알루미늄, 중합체 수지, 이산화규소, 도핑된 이산화규소, 질화규소, 탄탈륨, 구리, 폴리실리콘, 세라믹, 알루미늄/구리 혼합물; 비소화갈륨 및 기타 그러한 III/V족 화합물이 있다. 본 발명의 반사 방지 코팅재에서, 반사 방지 코팅재의 고형물 성분은 독성 위험이 실질적으로 낮은 용매로부터 용해성이고 스핀 주조 가능하다. 그러한 저 독성을 가진 바람직한 용매로는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME) 및 에틸 락테이트(EL)가 있다. 보다 더 바람직하고, 보다 더 독성이 낮은 용매는 물이며, 또한, 취급 및 운송의 용이성의 이점을 가진다. 본 발명의 반사 방지 코팅재는 그러한 저 독성 용매, 바람직하게는 물, 또는 물과 혼화성인 저급 알킬(C1-5 알킬) 알콜, 저급 알킬 케톤 또는 저급 알킬 산 에스테르와 물과의 혼합물로부터 주조할 수 있다. 또한, 반사 방지 코팅재는 본 명세서에서 참고 인용하는 미국 특허 제5,525,457호 및 계류중인 미국 특허 출원 번호 제08/698,742호; 동제08/699,001호 및 동제08/724,109호가 있다. 그러나, 특정 유형의 기재된 단량체에 결합하는 경우, 본 발명의 반사 방지 코팅 조성물의 염료 작용성이 본 발명의 반사 방지 코팅 조성 물과 종래 기술의 조성물의 현격한 차이점이 된다. 본 발명의 반사 방지 코팅 조성물을 사용하는 다른 이점은 이들이 바람직하고, 저 독성인 용매에 용해성이며, 또한 이들 동일한 용매의 일부를 사용하여 반사 방지 코팅의 단부 비드를 제거할 수 있다는 것이다. 그러므로, 추가의 위험 또는 장치 비용이 생기지 않을 수 있다. 또한, 이러한 저 독성 용매의 대부분은 포토레지스트 및 포토레지스트 가공에 사용된다.
또한, 본 발명의 반사 방지 코팅 조성물은 양호한 용액 안정성을 가진다. 또한, 반사 방지 코팅과 인접 포토레지스트 막 간에 상호 혼합이 실질적으로 일어나지 않는다. 또한, 반사 방지 코팅은 포토레지스트에서 기판으로의 양호한 이미지 전사와 양호한 흡광 특성이 반사 노칭(notching) 및 라인 폭 변동을 실질적으로 방지할 수 있는 양호한 건조 에칭 성질을 가진다.
마이크로전자 장치의 제조에서 박막 간섭을 감소시키는 중요한 전략은 흡광성 반사 방지 코팅 조성물의 사용을 통하여 기판 반사를 감소시키는 것이다. 이것을 수행하는 한 가지 방법은 노광 전에 그러한 반사 방지 코팅재를 포토레지스트의 상부에 도포하는 것이다. 포토레지스트의 박막의 계면 반사는 레지스트/기판 계면에서 레지스트 패턴의 간섭 현상과 반사 노칭, 즉 언더커팅을 야기한다. 박막 간섭에 기인하는 반사 스윙률(Rmax/Rmin)의 간단한 분석 수학식은 다음과 같다:
Figure 112002004173641-pct00004
상기 식에서, R1은 포토레지스트/공기 또는 포토레지스트/반사 방지 코팅 계면에서의 반사도이고, R2는 포토레지스트/기판 계면으로부터의 반사도이며, α는 포토레지스트 흡광 계수이고, D는 스윙 곡선이 일어나는 포토레지스트의 평균 두께이다. 스윙률은 더 나은 라인 폭 제어를 위해 최소화되어야 하지만, 레지스트를 노광시키는 데 사용되는 광의 파장이 실질적으로 감소되는 경우(예를 들면, g-선에서 i-선으로, 그 다음 심자외선으로), 스윙률은 급격히 증가한다. 광의 파장이 더 감소하여 점점 더 작은 기하학적 형상을 인쇄할 수 있게 되면(예를 들면, 193 nm), 스윙률의 제어가 더욱 더 중요하게 된다.
반사 방지 코팅을 사용하면, 수학식 (1)에서 R1을 감소시킴으로써 스윙률을 상당히 감소시킬 수 있다. 비흡광 막과 정상적인 입사 방사선을 가정하면, n탑코트 = (n레지스트)1/2이고, 막 광학 두께가 1/4 파장(λ/4n탑코트)일 때 R1 은 0으로 감소된다. 이러한 두 가지 반사 방지 조건은 박막 광학 이론으로부터 잘 알려져 있다. 상부 반사 방지 코팅이 아닌 하부 반사 방지 코팅은 수학식 (1)의 R2를 크게 감소시킴으로써 반사 노칭을 감소시킬 것이다.
전술한 공정에 의해 생성된 반사 방지 코팅 조성물은 마이크로프로세서 및 기타 마이크로전자 장치의 제조에 사용되는 것과 같은, 열 성장 규소/이산화규소 코팅된 웨이퍼에 도포하기에 특히 적절하다. 알루미늄/산화알루미늄 웨이퍼도 사용할 수 있다. 기판도 여러 가지 중합체 수지, 특히 폴리에스테르와 같은 투명 중합 체를 포함할 수 있다. 또한, 기판은 헥사알킬 디실라잔, 예컨대 헥사메틸 디실라잔("HMDS")을 함유하는 것과 같은, 적절한 조성물의 접착 촉진층을 가질 수 있다.
반사 방지 코팅 조성물은 포토레지스트 조성물 위 또는 아래로 기판에 코팅한 다음, 코팅된 기판을 핫플레이트 상에서 약 30 초 내지 약 180 초 동안, 또는 오븐 내에서 약 15 분 내지 약 90 분 동안 약 70℃ 내지 약 110℃의 온도에서 처리한다. 이 온도 처리는 포토레지스트 막과 반사 방지 코팅 내 잔류 용매의 농도를 실질적으로 감소시키는 한편, 포토레지스트 조성물 내에서 감광제의 실질적인 열 분해가 유발되지 않도록 하기 위하여 선택된다. 일반적으로, 용매의 농도를 최소화시키는 것이 요구되며, 이 첫번째 온도 처리는 거의 모든 용매가 증발되고, 1 미크론 두께 정도의 포토레지스트 조성물의 얇은 코팅이 기판에 남아있을 때까지 수행한다.
바람직한 구체예에서, 온도는 약 85℃ 내지 약 95℃이다. 이 처리는 용매 제거의 변화율이 비교적 심각하지 않을 때까지 수행한다. 온도 및 시간 선택은 사용자가 원하는 포토레지스트 성질 뿐만 아니라, 사용되는 장치 및 상업적으로 요망되는 코팅 시간에 따른다. 그 다음, 코팅된 기판을 적절한 마스크, 네가티브, 스텐실, 주형 등의 사용에 의해 생성되는 임의의 소정 패턴으로 방사선, 예를 들면 약 300 nm 내지 약 450 nm의 파장에서의 자외선, x-선, 전자빔, 이온빔 또는 레이저 방사선에 노광시킨다.
그 다음, 기판을 현상 전 또는 후에 후노광 베이크 또는 열처리를 임의로 행 한다. 가열 온도는 약 90℃ 내지 약 120℃, 보다 바람직하게는 약 100℃ 내지 약 110℃ 범위일 수 있다. 가열은 핫플레이트 상에서 약 30 초 내지 약 2 분, 바람직하게는 약 60 초 내지 약 90 초, 또는 대류 오븐에 의해 약 30 분 내지 약 45 분 동안 실행할 수 있다.
그 후, 노광된 포토레지스트/반사 방지 코팅 조성물 코팅된 기판을, 예컨대 알칼리성 현상 용액에 침지하거나 분무 현상 공정을 이용함으로써 현상하여 이미지 노광 영역(포지티브 포토레지스트의 경우) 또는 미노광 영역(네가티브 포토레지스트의 경우)을 제거한다. 현상 용액을, 예를 들면 질소 버스트 진탕에 의해 진탕하는 것이 바람직하다. 기판은 모든 또는 거의 모든 포토레지스트 코팅이 노광 영역(포지티브 포토레지스트의 경우) 또는 미노광 영역(네가티브 포토레지스트의 경우)에 용해될 때까지 현상제 중에 체류시킨다. 사용될 수 있는 현상제로는 수산화암모늄의 수용액이 있다. 한 가지 바람직한 수산화물은 수산화암모늄 테트라메틸이다. 현상 공정으로부터 코팅된 웨이퍼를 제거한 후, 임의의 후현상 열처리 또는 베이크 처리를 수행하여 코팅의 접착력과, 에칭 용액 및 기타 물질에 대한 화학 내성을 증가시킬 수 있다. 후현상 열처리는 코팅의 연화점 아래에서 코팅 및 기판의 오븐 베이크 단계를 포함한다. 공업적 적용시, 특히 규소/이산화규소형 기판 상에 마이크로회로 유니트를 제조하는 경우, 현상된 기판을 예컨대, 완충된 불화수소산 베이스 에칭 용액으로 에칭할 수 있다.
하기 특정 실시예는 본 발명의 조성물을 제조하고 사용하는 방법을 상세하게 설명하고자 제공하는 것이다. 그러나, 이들 실시예는 어떠한 방식으로든 본 발명의 범주를 한정하거나 제한하고자 하는 것은 아니며, 본 발명을 실행하기 위해 포괄적으로 사용해야 하는 조건, 매개변수 또는 수치를 제공하는 것으로 해석해서는 안된다.
실시예 1
Aquazol(등록 상표)-50(폴리옥사졸린: MW 50,000) 3.30 g
FC-26(등록 상표)(퍼플루오로옥탄산) 6.90 g
TMAH(물 중의 2.38 중량% 용액) 2.0 g
탈이온수 188 g
으로 구성된 반사 방지 코팅 조성물은 세 성분을 탈이온수에 용해시킨 다음, 1.0 ㎛ 필터를 통하여 용액을 여과함으로써 제조하였다.
반사 방지 코팅 조성물은 4000 RPM으로 스핀 코팅하였을 때 772.7 Å 막을 형성하였으며, 코팅막의 굴절률은 1.40이었다.
실시예 2
Aquazol(등록 상표)-500(MW 500,000) 3.30 g
FC-26(등록 상표) 7.60 g
2.38% TMAH 2.05 g
탈이온수 188 g
으로 구성된 반사 방지 코팅 조성물은 세 성분을 탈이온수에 용해시킨 다음, 1.0 ㎛ 필터를 통하여 용액을 여과함으로써 제조하였다. 코팅은 6500 RPM으로 스핀 코팅하였을 때 800 Å 막을 형성하였으며, 코팅막의 굴절률은 1.39였다.
실시예 3
AZ(등록 상표) 7908 포토레지스트(비즈니스 유니트 일렉트로닉 머티어리얼 오브 클라리언트 코포레이션 제품)를 두 개의 헥사메틸디실라잔(HMDS) 하도 처리된 실리콘 웨이퍼 각각에 1.083 ㎛ 막 두께로 코팅한 다음, SVG(등록 상표) 8100 I-라인 핫플레이트 상에서 60 초 동안 90℃에서 소프트 베이크 처리하였다. 한 개의 코팅된 웨이퍼는 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼 및 NIKON(등록 상표) 해상 레티클을 사용하여 노광시켰다. 제2 코팅된 웨이퍼는 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼 상의 마스크를 갖춘 11X11 품질 제어("QC") 프로그램을 사용하여 노광시켰다. 두 개의 노광된 웨이퍼 모두를 인-라인 핫플레이트 상에서 70 초 동안 110℃에서 PEB(후노광 베이크)한 후, AZ(등록 상표) 300 MIF TMAH(수산화암모늄 테트라메틸 - 2.38 중량%) 현상제를 사용하여 현상하였다. 그 다음, HITACHI(등록 상표) S-4000 SEM(주사 전자 현미경)을 사용하여 현상된 웨이퍼를 실험하였다. 공칭 노광량(도즈 투 프린트, DTP)을 최상의 초점에서 측정하였는데, 상기 노광량은 소정의 형상을 정확하게 복제하는 데 요구되는 노광량이다. 해상도와 초점 깊이(DOF)를 측정하였으며, 하기 표 1에 나타내었다. 제1 클리어 다이의 에너지를 제2 웨이퍼로부터 기록하였으며(도즈 투 클리어, DTC), 결과를 또한 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 4
AZ(등록 상표) 7908의 샘플을 HMDS 하도 처리된 실리콘 웨이퍼 상에 1.083 ㎛ 막 두께로 코팅한 다음, SVG(등록 상표) 8100 인라인 핫플레이트 상에서 60 초 동안 90℃에서 소프트 베이크 처리하였다. 그 다음, 실시예 1로부터의 반사 방지 코팅 조성물을 이 포토레지스트의 상부에 0.077 ㎛ 막 두께로 코팅하였다. 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼 상에 마스크를 갖춘 11X11 "QC" 프로그램을 사용하여 웨이퍼를 먼저 노광시킨 다음, 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼 및 NIKON(등록 상표) 해상 레티클을 사용하여 노광 매트릭스를 코팅된 웨이퍼 상에 인쇄하였다. 노광된 웨이퍼를 인-라인 핫플레이트 상에 70 초 동안 110℃에서 후노광 베이크 처리하였다. 그 다음, AZ(등록 상표) 300 MIF TMAH 현상제를 사용하여 웨이퍼를 현상하였다. 현상된 웨이퍼를 HITACHI(등록 상표) S-4000 SEM을 사용하여 실험하였다. 도즈 투 클리어 및 도즈 투 프린트를 최상의 초점에서 측정하였다. 해상도와 초점 깊이(DOF)도 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
실시예 5
AZ(등록 상표) 7908 포토레지스트를 HMDS 하도 처리된 실리콘 웨이퍼 상에 1.083 ㎛ 막 두께로 코팅한 다음, SVG(등록 상표) 8100 인라인 핫플레이트 상에서 60 초 동안 90℃에서 소프트 베이크 처리하였다. 그 다음, 실시예 2로부터의 반사 방지 코팅 조성물을 이 포토레지스트의 상부에 0.077 ㎛ 막 두께로 코팅하였다. 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼 상에 마스크를 갖춘 11X11 "QC" 프로그램을 사용하여 웨이퍼를 먼저 노광시킨 다음, 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼 및 NIKON(등록 상표) 해상 레티클을 사용하여 노광 매트릭스를 코팅된 웨이퍼 상에 인쇄하였다. 노광된 웨이퍼를 인-라인 핫플레이트 상에 70 초 동안 110℃에서 후노광 베이크 처리하였다. 그 다음, AZ(등록 상표) 300 MIF TMAH 현상제를 사용하여 웨이퍼를 현상하였다. 현상된 웨이퍼를 HITACHI(등록 상표) S-4000 SEM을 사용하여 실험하였다. 도즈 투 클리어 및 도즈 투 프린트를 최상의 초점에서 측정하였다. 해상도와 초점 깊이(DOF)도 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
실시예 DTC DTP 해상도 DOF
mj/㎠ mj/㎠ ㎛ ㎛
실시예 3 78 196 0.30 검출안됨
실시예 4 66 160 0.28 검출안됨
실시예 5 72 168 0.28 검출안됨
실시예 7 77 180 0.32 1.0
실시예 8 62 140 0.30 1.2
실시예 9 54 120 0.36 1.2
실시예 10 45 100 0.32 1.8

실시예 6
본 발명의 반사 방지 코팅 조성물의 네 개의 로트(A, B, C 및 D)를 수산화암모늄 테트라메틸 0.83%, Aquazol(등록 상표)50 1.36% 및 FC-26(등록 상표) 2.83%를 탈이온수에 용해시킨 다음, 이 용액을 1.0 미크론 필터에 통과시켜 여과함으로써 각기 제조하였다. 각각의 로트에 대한 코팅 균질도(TD. DEV.), 4000 RPM에서 스핀 코팅하였을 때의 막 두께[FT(Å)], 굴절률(RI) 및 표준 편차(STD. DEV.)는 하기 표 2에 나타낸다.
로트 FT(Å) TD. DEV. RI STD. DEV.
A 568 28 1.3803 0.0062
B 571 17 1.3833 0.0066
C 580 36 1.3720 0.0054
D 571 10 1.3850 0.0091
실시예 7
AZ(등록 상표) 7900 포토레지스트(비즈니스 유니트 일렉트로닉 머티어리얼 오브 클라리언트 코포레이션 제품)를 두 개의 HMDS 하도 처리된 실리콘 웨이퍼 각각에 1.083 ㎛ 막 두께로 코팅한 다음, SVG(등록 상표) 8100 I-라인 핫플레이트 상에서 60 초 동안 90℃에서 소프트 베이크 처리하였다. 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼 및 NIKON(등록 상표) 해상 레티클을 사용하여 코팅된 웨이퍼 모두에 노광 매트릭스를 인쇄하였다. 그 후, 제2 코팅된 웨이퍼는 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-선 스테퍼 상의 마스크를 갖춘 11X11 "QC" 프로그램을 사용하여 웨이퍼 모두를 노광시켰다. 노광된 웨이퍼 모두를 인-라인 핫플레이트 상에서 70 초 동안 110℃에서 후노광 베이처리한 후, AZ(등록 상표) 300 MIF TMAH 현상제를 사용하여 현상하였다. 그 다음, HITACHI(등록 상표) S-4000 SEM을 사용하여 현상된 웨이퍼 모두를 실험하였다. 최상의 초점에서의 도즈 투 프린트, 해상도 및 초점 깊이를 한 개의 웨이퍼에 대해 측정하였다. 도즈 투 클리어는 다른 웨이퍼에 대해 측정하였다. 결과는 상기 표 1에 나타내었다.
실시예 8
실시예 7에서 사용된 것과 동일한 포토레지스트를 HMDS 하도 처리된 실리콘 웨이퍼에 1.083 ㎛ 막 두께로 코팅한 다음, SVG(등록 상표) 8100 인라인 핫플레이 트 상에서 60 초 동안 90℃에서 소프트 베이크 처리하였다. 실시예 6으로부터의 반사 방지 코팅 조성물의 로트 A를 이 포토레지스트의 상부에 0.077 ㎛ 막 두께로 코팅하였다. 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼 상의 마스크를 갖춘 11X11 "QC" 프로그램을 사용하여 웨이퍼를 우선 노광시킨 다음, 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼와 NIKON(등록 상표) 해상 레티클을 사용하여 노광 매트릭스를 코팅된 웨이퍼 상에 인쇄하였다. 노광된 웨이퍼를 인-라인 핫플레이트 상에서 70 초 동안 110℃에서 후노광 베이크 처리하였다. AZ(등록 상표) 300 MIF TMAH 현상제를 사용하여 현상하였다. 그 다음, HITACHI(등록 상표) S-4000 SEM을 사용하여 현상된 웨이퍼를 실험하였다. 도즈 투 클리어 및 도즈 투 프린트를 최상의 초점에서 측정하였다. 해상도 및 초점 깊이도 측정하였다. 결과는 상기 표 1에 나타내었다.
실시예 9
실시예 7에서 사용된 것과 동일한 포토레지스트를 두 개의 HMDS 하도 처리된 실리콘 웨이퍼 각각에 1.083 ㎛ 막 두께로 코팅한 다음, SVG(등록 상표) 8100 인라인 핫플레이트 상에서 60 초 동안 90℃에서 소프트 베이크 처리하였다. 54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼와 NIKON(등록 상표) 해상 레티클을 사용하여 노광 매트릭스를 코팅된 웨이퍼 상에 인쇄하였다. 제2 코팅된 웨이퍼는 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼 상의 마스크를 갖춘 11X11 "QC" 프로그램을 사용하여 노광시켰다. 두 개의 노광된 웨이퍼를 인-라인 핫플레이트 상에서 70 초 동안 110℃에서 후노광 베이크 처리한 다음, AZ(등록 상표) 300 MIF TMAH 현상제를 사용하여 현상하였다. HITACHI(등록 상표) S-4000 SEM을 사용하여 제1 현상된 웨이퍼를 실험 하였다. 최상의 초점에서의 도즈 투 프린트, 해상도 및 초점 깊이를 한 웨이퍼에 대해 측정하였다. 도즈 투 클리어를 다른 웨이퍼에 대해 측정하였다. 결과는 상기 표 1에 나타내었다.
실시예 10
실시예 7에서 사용된 것과 동일한 포토레지스트를 HMDS 하도 처리된 실리콘 웨이퍼에 1.083 ㎛ 막 두께로 코팅한 다음, SVG(등록 상표) 8100 인라인 핫플레이트 상에서 60 초 동안 90℃에서 소프트 베이크 처리하였다. 실시예 6으로부터의 반사 방지 코팅 조성물의 로트 A를 이 포토레지스트의 상부에 0.077 ㎛ 막 두께로 코팅하였다. 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼 상의 마스크를 갖춘 11X11 "QC" 프로그램을 사용하여 웨이퍼를 우선 노광시킨 다음, 0.54 NA NIKON(등록 상표) i-라인 스테퍼와 NIKON(등록 상표) 해상 레티클을 사용하여 노광 매트릭스를 코팅된 웨이퍼 상에 인쇄하였다. 노광된 웨이퍼를 인-라인 핫플레이트 상에서 70 초 동안 110℃에서 후노광 베이크 처리하였다. 그 다음, AZ(등록 상표) 300 MIF TMAH 현상제를 사용하여 현상하였다. 그 다음, HITACHI(등록 상표) S-4000 SEM을 사용하여 현상된 웨이퍼를 실험하였다. 도즈 투 클리어 및 도즈 투 프린트를 최상의 초점에서 측정하였다. 해상도 및 초점 깊이(DOF)도 측정하였다. 결과는 상기 표 1에 나타내었다.
실시예 11
본 발명의 반사 방지 코팅 조성물의 네 개의 추가 로트(로트 E, F, G 및 H)를 수산화암모늄 테트라메틸 0.71%, Aquazol(등록 상표)-500 1.17% 및 FC-26(등록 상표) 2.71%를 탈이온수에 용해시킨 다음, 이 용액을 1.0 미크론 필터에 통과시켜 여과함으로써 각기 제조하였다. 4000 RPM에서 각기 스핀 코팅한 각각의 로트에 대한 코팅 균질도, 막 두께, 표준 편차 및 굴절률을 하기 표 3에 나타낸다.
로트 FT(Å) TD. DEV. RI STD. DEV.
E 627 101 1.3277 0.0470
F 676 74 1.3507 0.0343
G 621 86 1.3109 0.0487
H 648 74 1.3490 0.0514

실시예 12
본 발명의 반사 방지 코팅 조성물의 네 개의 추가 로트(I, J, K 및 L)를 수산화암모늄 테트라메틸 1.02%, Aquazol(등록 상표)-5(MW 5,000) 1.64% 및 FC-26(등록 상표) 3.43%를 탈이온수에 용해시킨 다음, 이 용액을 1.0 미크론 필터에 통과시켜 여과함으로써 각기 제조하였다. 4000 RPM에서 네 개의 웨이퍼 중 하나에 각기 스핀 코팅한 각각의 로트에 대한 코팅 균질도, 막 두께, 표준 편차 및 굴절률을 하기 표 4에 나타낸다.
로트 FT(Å) TD. DEV. RI STD. DEV.
I 671 50 1.3080 0.0823
J 684 60 1.3301 0.0258
K 649 52 1.3370 0.0140
L 667 26 1.3315 0.0183

실시예 13
본 발명의 반사 방지 코팅 조성물의 네 개의 추가 로트(M, N, O 및 P)를 수산화암모늄 테트라메틸 1.02%, Aquazol(등록 상표)-200(MW 200,000) 1.64% 및 FC-26(등록 상표) 3.43%를 탈이온수에 용해시킨 다음, 이 용액을 1.0 미크론 필터에 통과시켜 여과함으로써 각기 제조하였다. 4000 RPM에서 네 개의 웨이퍼 중 하나에 각기 스핀 코팅한 각각의 로트에 대한 코팅 균질도, 막 두께, 표준 편차 및 굴절률을 하기 표 5에 나타낸다.
로트 FT(Å) TD. DEV. RI STD. DEV.
M 971 61 1.3134 0.0639
N 995 57 1.3446 0.0408
O 908 62 1.2823 0.0990
P 1073 29 1.3469 0.0129

실시예 14
본 발명의 반사 방지 코팅 조성물의 세 개의 추가 로트(R, S 및 T)를 수산화암모늄 테트라메틸 1.02%, Aquazol(등록 상표)-50 1.48% 및 FC-26(등록 상표)의 TMAH 염 3.30%를 탈이온수에 용해시킴으로써 각기 제조하였다. 그 후, 용액을 1.0 미크론 필터에 여과시켰다. 4000 RPM에서 세 개의 웨이퍼 중 하나에 각기 스핀 코팅한 각각의 로트에 대한 코팅 균질도, 막 두께, 표준 편차 및 굴절률을 하기 표 6에 나타낸다.
로트 FT(Å) TD. DEV. RI STD. DEV.
R 757 20 1.4156 0.00027
S 541 12 1.4200 0.0043
T 568 10 1.4117 0.0054

특별히 설명하지 않은 한, 모든 부와 %는 중량부와 중량%이며, 모든 중량은 GPC로 측정한 중량 평균 분자량(MW)이고, 모든 온도는 섭씨 온도이다.

Claims (17)

  1. (a) 하기 화학식 1로 정의된 중합체를 제공하는 단계:
    화학식 1
    Figure 112006032043574-pct00005
    (상기 식에서,
    R1 및 R2는 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
    R3는 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸기이며,
    R4 내지 R7은 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
    n은 10 내지 50,000이다)
    (b) (1) 중량 평균 분자량("MW")이 1,000 내지 500,000인 단계 a)로부터의 중합체;
    (2) 불소 함유 수-난용성(물 중의 0.1 중량% 내지 10 중량%) 유기 C3-13 지방족 카르복실산;
    (3) 비금속 수산화물; 및
    (4) 용매
    의 혼합물을 제공하여 반사 방지 코팅 조성물을 조제하는 단계
    를 포함하는, 반사 방지 코팅 조성물의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 단계(b)의 비금속 수산화물은 수산화암모늄인 것인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 비금속 수산화물은 수산화암모늄 테트라메틸, 수산화암모늄 테트라에틸, 수산화피리디늄 및 수산화피리디늄 메틸로 구성된 군 중에서 선택되는 수산화암모늄인 것인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 중합체는 분자량이 2,000 내지 500,000인 것인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 중합체는 분자량이 5,000 내지 500,000인 것인 방법.
  6. (a) 하기 화학식 1로 정의된 중합체:
    화학식 1
    Figure 112002004173641-pct00006
    (상기 식에서,
    R1 및 R2는 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
    R3는 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸기이며,
    R4 내지 R7은 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
    n은 10 내지 50,000이다)
    (b) 불소 함유 수-난용성(물 중의 0.1 중량% 내지 10 중량%) 유기 C3-13 지방족 카르복실산;
    (c) 비금속 수산화물; 및
    (d) 용매
    의 혼합물을 포함하는 반사 방지 코팅 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 비금속 수산화물은 수산화암모늄인 것인 반사 방지 코팅 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 비금속 수산화물은 수산화암모늄 테트라메틸, 수산화암모늄 테트라에틸, 수산화피리디늄 및 수산화피리디늄 메틸로 구성된 군 중에서 선택되는 수산화암모늄인 것인 반사 방지 코팅 조성물.
  9. 제6항에 있어서, 중합체는 분자량이 2,000 내지 500,000인 것인 반사 방지 코팅 조성물.
  10. 제6항에 있어서, 중합체는 분자량이 5,000 내지 500,000인 것인 반사 방지 코팅 조성물.
  11. (a) 하기 화학식 1로 정의된 중합체를 제공하는 단계:
    화학식 1
    Figure 112006032043574-pct00007
    (상기 식에서,
    R1 및 R2는 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
    R3는 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸기이며,
    R4 내지 R7은 독립적으로 수소 또는 C1-5 알킬이고,
    n은 10 내지 50,000이다)
    (b) (1) 중량 평균 분자량("MW")이 1,000 내지 500,000인 단계 a)로부터의 수용성 중합체;
    (2) 불소 함유 수-난용성(물 중의 0.1 중량% 내지 10 중량%) 유기 C3-13 지방족 카르복실산;
    (3) 비금속 수산화물; 및
    (4) 용매
    의 혼합물을 제공하여 반사 방지 코팅 조성물을 조제하는 단계
    (c) 포토레지스트 조성물을 적절한 기판 상에 코팅하기 전 또는 후에, 단계(b)로부터의 반사 방지 코팅을 상기 적절한 기판에 코팅하는 단계;
    (d) 핫플레이트 상에서 30 초 내지 180 초 동안 70℃ 내지 110℃의 온도 또는 오븐 내에서 15 분 내지 90 분 동안 70℃ 내지 110℃의 온도에서 단계 c)로부터의 코팅된 기판을 가열하는 단계;
    (e) 단계 d)로부터의 코팅된 기판을 방사선에 소정 패턴으로 노광시키는 단계;
    (f) 단계 e)로부터의 노광된 코팅된 기판을 현상하는 단계
    를 포함하는, 반사 방지 코팅 조성물을 사용하여 마이크로전자 장치를 제조하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 단계(b)의 비금속 수산화물은 수산화암모늄인 것인 방법.
  13. 제12항에 있어서, 비금속 수산화물은 수산화암모늄 테트라메틸, 수산화암모늄 테트라에틸, 수산화피리디늄 및 수산화피리디늄 메틸로 구성된 군 중에서 선택되는 수산화암모늄인 것인 방법.
  14. 제11항에 있어서, 중합체는 분자량이 2,000 내지 500,000인 것인 방법.
  15. 제11항에 있어서, 중합체는 분자량이 5,000 내지 100,000인 것인 방법.
  16. 제11항에 있어서, 포토레지스트는 반사 방지 코팅 조성물 전에 기판에 도포하는 것인 방법.
  17. 제11항에 있어서, 포토레지스트는 반사 방지 코팅 조성물 후에 기판에 도포하는 것인 방법.
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