CN101082891A - 并行闪存控制器 - Google Patents

并行闪存控制器 Download PDF

Info

Publication number
CN101082891A
CN101082891A CNA2007100743555A CN200710074355A CN101082891A CN 101082891 A CN101082891 A CN 101082891A CN A2007100743555 A CNA2007100743555 A CN A2007100743555A CN 200710074355 A CN200710074355 A CN 200710074355A CN 101082891 A CN101082891 A CN 101082891A
Authority
CN
China
Prior art keywords
flash memory
flash
instruction
chip
passage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007100743555A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100458751C (zh
Inventor
黄河
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhiyu Technology Co ltd
Original Assignee
Memoright Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Memoright Shenzhen Co Ltd filed Critical Memoright Shenzhen Co Ltd
Priority to CNB2007100743555A priority Critical patent/CN100458751C/zh
Priority to TW096136198A priority patent/TWI421680B/zh
Publication of CN101082891A publication Critical patent/CN101082891A/zh
Priority to PCT/CN2008/070884 priority patent/WO2008138249A1/en
Priority to US12/599,497 priority patent/US8661188B2/en
Priority to JP2010506793A priority patent/JP2010527059A/ja
Application granted granted Critical
Publication of CN100458751C publication Critical patent/CN100458751C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/38—Information transfer, e.g. on bus
    • G06F13/42—Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation
    • G06F13/4204—Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a parallel bus
    • G06F13/4234—Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a parallel bus being a memory bus
    • G06F13/4239—Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a parallel bus being a memory bus with asynchronous protocol
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

本发明公开了一种并行闪存控制器，用于控制多个闪存通道的闪存芯片组，包括：传输控制器、多个闪存控制单元、多个指令仲裁单元、多个指令队列单元；传输控制器通过片内数据总线与各闪存芯片进行数据交互；闪存通道内的闪存芯片划分成多个闪存行；闪存控制指令按通道并行下发到指令队列单元，指令队列单元解析并存储对应闪存通道的闪存控制指令，指令仲裁单元根据设定的仲裁规则确定闪存控制指令的发送顺序；闪存控制单元对通道内的闪存行按行进行分时复用方式的读写控制。采用本发明的闪存控制器的闪存存储器可以成倍提高读写速率，有效的解决了利用闪存芯片实现高速大容量存储设备存在的瓶颈问题。

Description

并行闪存控制器
技术领域
本发明涉及一种并行闪存控制器，具体的来讲，本发明涉及一种下挂按闪存通道和闪存行进行阵列组织的二维并行闪存控制器。
背景技术
随着PC技术的逐渐发展，用户对存储设备的要求也越来越高，其中不仅仅包括对容量、性能、速度，还包括功耗，外形体积，对外界综合环境的要求，以及很多特殊环境的要求等等。现在使用范围最广泛的存储设备，按照存储介质的类型大致可以分为闪存设备和硬盘设备两种。对于这两种存储设备来讲，硬盘设备由于其目前低廉的价格，因此是使用范围最广泛，市场占有率远远大于闪存设备，但是，其自身存在的很多缺点限制了广泛的应用，而闪存则根据其自身存在的一些优势，逐渐占领原属于硬盘的一部分应用领域。对于闪存设备来讲，其优点首先在于随机读写速度快；同时由于闪存是芯片操作不存在机械控制，因此数据稳定，同时功耗很低；还有，由于其数据存储单元为闪存芯片，因此对环境的适应性很强，无论温度、压强，还是湿度、空气纯净度，对其的影响都不大，因此适用领域比较广泛。对于硬盘来讲，由于其内部的机械结构决定了它比较大的功耗，庞大的外形体积，工作过程中会产生噪声，以及对外界环境的要求比较高；同时，由于其机械结构，决定其随机读写的速率很低。因此，在相当一部分使用领域，越来越不能满足市场要求，例如在便携的笔记本电脑中，由于其比较大的功耗，抗震性能不好，相对比较庞大的外形，使得其越来越不能匹配要求日益提高的此类计算机。此外，在一些性能要求比较高的特殊环境下，硬盘由于其机械构造，也大大限制了它的使用；而在此类环境下，闪存则表现了其优势所在。另一方面，由于闪存芯片自身的一些特性，限制了闪存的使用范围的逐渐扩大，这类限制主要集中在闪存存储设备的接口带宽一直不能得到显著的提高，所以，在大容量的存储设备领域特别是对设备读写速率要求比较高的环境一直受到限制，因此，如何提高其闪存存储设备的带宽是扩大闪存设备使用范围的关键所在。
目前常用的闪存芯片接口带宽在一般情况下平均可以达到10MBps或者几十MBps左右，而作为存储器常用接口的PATA和SATA远远大于这个值，一般平均可以达到100MBps以上，因此闪存芯片的接口带宽远小于设备接口的带宽，存储设备的瓶颈主要集中在闪存芯片的接口带宽上，所以，如何有效地提高闪存芯片与内部控制器之间的接口带宽成为闪存存储设备研发至关重要的因素。
此外，市场上出现了多通道闪存处理器，中国专利“多通道闪存传输控制器、芯片及存储设备”(公开号CN 1790308A)中提出了多通道的控制思想，但其没有实现真正的多通道并行工作，即各通道的控制信号线是复用的，这样一旦有一个闪存芯片没有完成操作任务，所有其他组就不可以开始新的操作。因此，这种做法虽然可以一定程度的提高闪存芯片的接口时序，但是，其做法工作效率比较低，同时还是远远小于PATA和SATA的接口时序。
发明内容
为了解决现有闪存芯片在读写等操作过程中出现的瓶颈问题，本发明提出了一种并行闪存控制器，通过闪存通道并行和闪存行并行的二维并行控制方式，有效地提高了存储器的读写速度。
本发明提出的并行闪存控制器，用于控制多个闪存通道的闪存芯片组，闪存控制器包括：传输控制器、多个闪存控制单元、多个指令仲裁单元、多个指令队列单元；每个闪存通道的闪存芯片组分别对应一个闪存控制单元、一个指令仲裁单元以及一个指令队列单元；传输控制器通过片内数据总线与各闪存芯片进行数据交互；闪存通道内的闪存芯片划分成多个闪存行；闪存控制指令按通道并行下发到指令队列单元，指令队列单元解析并存储对应闪存通道的闪存控制指令，指令仲裁单元根据设定的仲裁规则确定闪存控制指令的发送顺序；闪存控制单元接收指令仲裁单元下发的闪存控制指令，对通道内的闪存行按行进行分时复用方式的读写控制。
优选的，闪存控制单元对通道内的闪存行按行进行分时复用方式具体为：闪存控制单元选定通道内的一闪存行并下发读写控制指令后，立即再选定状态空闲的另一闪存行并下发读写控制指令；通道内接收到读写控制指令的闪存行并行执行读写操作。
优选的，所述指令队列单元中包括多个指令队列，每个指令队列存储的闪存控制指令对应为该闪存通道中的一个闪存行。
优选的，所述指令仲裁单元按照指令队列分时复用的方式确定闪存控制指令的发送顺序。
优选的，所述指令仲裁单元根据闪存通道中指令队列分时复用以及对应闪存控制单元的闪存芯片状态反馈信息确定下一个要发送的闪存控制指令。
优选的，所述闪存行中的闪存芯片划分成多个闪存层；闪存控制单元对于同一闪存行中不同层的闪存芯片串行发送闪存控制指令，同一闪存行中不同层的闪存芯片进行串行读写操作。
本发明并行闪存控制器的主要优势在于：实现了两个层次的并行处理，即实现了在多通道并行操作基础上，每个通道内的多行也可以并行处理。每个闪存控制单元对于每个通道内的不同行的闪存芯片发送流水线控制指令，即每个通道的不同行的闪存芯片在接收到流水线指令后也可以实现并行操作。这样做的好处在于，闪存芯片指令的解析以及发送在整个操作过程中占用时间非常小，操作时间最主要集中在闪存内部数据的拷贝以及擦除等操作上，这种流水线操作使得通道内各个收到指令的不同的闪存芯片同时执行这些操作，每个通道的闪存芯片数据总线的带宽就可以有效地得到提高。此外由于本发明还可以在各闪存行的上进行闪存层的划分，同一闪存行下不同层的闪存芯片进行串行处理，可以进一步增加闪存的存储空间。以4个通道4行即16个闪存芯片为例，采用本发明理论上此存储设备数据传输可以达到160MBps左右，经过测试设备接口数据传输速率读操作也可以达到80MBps以上，写操作60MBps以上，与现有闪存存储器相比成倍的提高了读写速率。
附图说明
图1为采用本发明并行闪存控制器的存储器装置基本结构示意图；
图2本发明优选实施例的并行闪存控制器结构框图；
图3为本发明闪存通道Cn中各闪存行的擦除操作时序图；
图4为本发明闪存芯片的阵列分布优选实施例示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施例并结合附图对本发明进行详细说明。
如图1所示的具有本发明并行闪存控制器的闪存存储设备的基本结构示意图，图中1为设备接口，本发明以PATA接口为例；图中2为接口控制器，本发明中可以为PATA接口控制器，接口控制器通过一组数据总线与SDRAM相连，通过一组控制信号总线与MCU相连；图中3为存储设备的主控MCU，图中4为只读存储器，是Firmware的载体，主要用来存储Firmware的程序代码；图中5所示为本发明并行闪存控制器；图中6所示为本发明涉及存储设备的闪存芯片阵列；图中7所示为一个SDRAM芯片，其主要作用是作为数据传输的缓冲以及存放映射表；图中8所示为ECC即错误纠正模块，其主要作用是对写入闪存芯片的数据产生错误纠正码，同时，在读取数据过程中，根据错误纠正码对数据进行错误纠正。
如图2所示为本发明的并行闪存控制器芯片内部结构示意图，图中11所示为MCU向控制器芯片发送的指令；图中12所示为片内控制总线，MCU通过其向传输控制器及多组指令队列发送控制指令；图中13为MCU与传输控制器的信号交互，包括MCU对传输控制器的控制信号以及传输控制的状态与错误中断反馈；图中14所示为闪存控制器与SDRAM之间的信号交互，包括传输控制器对SDRAM的控制以及SDRAM的状态信号；图中15所示为传输控制器与SDRAM的数据传输，在存储设备读操作过程中，传输控制器将数据传给外部的SDRAM，在存储设备写操作过程中，传输控制器将数据从外部SDRAM读入；图中16所示为传输控制器，其主要作用是控制数据在SDRAM和操作目的闪存芯片之间的传输；图中18为片内数据总线；图中17所示为传输控制器到片内数据总线的传输数据流；图中19所示为闪存阵列单元，其是存储设备数据存储的中心，是控制芯片的控制终端；图中20所示为MCU向各指令队列单元的发送的控制信号以及各指令队列单元对MCU的应答与反馈信号；图中21所示为所示为4个指令队列单元，其中每个包含4个指令队列，其主要作用是将MCU发来的指令解析成闪存行的基本操作；图中22为指令队列发给指令仲裁单元的解析控制指令以及指令仲裁反馈给指令队列组的状态信号以及应答信号，共有四个通道，每个通道包含四个行的闪存芯片的操作信号；图中23所示为指令仲裁单元，每个通道对应一个指令仲裁单元，其主要作用是对每个通道多个行的指令进行仲裁判断，决定指令队列发来的指令的操作顺序，同时根据指令操作情况产生反馈信号给指令队列；图中24所示为经过仲裁单元产生的对闪存控制单元的指令以及闪存控制单元的状态中断等反馈信号；图中25所示为闪存控制单元，其主要作用是将经过仲裁的闪存基本指令解析成闪存芯片操作信号发给对应位置的闪存芯片，同时，将控制单元自身及闪存阵列的状态以及中断等信号反馈给指令仲裁器；图中26为闪存控制单元对闪存芯片的控制信号以及闪存芯片的状态以及中断等反馈信号，图中27所示为每个通道的数据传输总线。指令队列单元21中的每个指令队列22存储的闪存控制指令对应为该闪存通道中的一行闪存芯片。指令仲裁单元按照闪存通道中指令队列分时复用的方式确定闪存控制指令的发送顺序。或者指令仲裁单元根据闪存通道中指令队列分时复用以及对应闪存控制单元的闪存芯片状态反馈信息确定下一个要发送的闪存控制指令。
如图3所示为闪存通道Cn(n＝0、1、2、3)在执行擦除操作的时序图，如图所示，tc为闪存控制器向闪存芯片发送指令所需时间，td为闪存芯片执行擦除指令所需时间，th为总线执行该擦除操作所需时间，从图中可以看到，指令队列组分时复用指令仲裁单元及闪存控制单元向通道内闪存芯片发送流水线指令，而对于闪存芯片操作来讲，无论擦除还是写入读出等指令，指令交互占用时间非常小，大部分的时间集中在闪存芯片内部操作上，因此，在MCU看来，在同一的时间里Cn通道内四个闪存芯片同时进行擦除操作，这种流水线操作的效果是并行的。
图4所示为闪存芯片可以分为：通道(Channel)，行(Row)，层(Layer)三个层次，本示例为一个4通道4行4层的闪存芯片阵列。每一个闪存控制器对应一个存通道下的多个闪存芯片的读写控制。闪存控制单元对对应通道中的各闪存行进行并行读写控制，对同一个闪存行中的不同层的闪存芯片进行串行读写控制。即每次操作的闪存芯片，某通道下不同行能够同时操作，单某通道某行只能起动唯一的对应层，即每个操作时间段都不可能有同通道同行不同层的闪存芯片同时操作。对于本实施例中综合考虑存储设备的接口协议带宽以及闪存芯片阵列的接口带宽，接口选择存储设备中广泛应用的PATA，闪存阵列选择4个通道4行即16个闪存芯片，理论上此存储设备数据传输一般可以达到160MBps左右，经过测试设备接口数据传输速率读操作也可以达到80MBps以上，写操作60MBps以上，成倍的提高了现有闪存存储器的读写速率，有效的解决了利用闪存芯片实现高速大容量存储设备存在的瓶颈问题。
上例中以4通道4行的闪存阵列为例，对本发明作了说明性的描述。此外，本发明的闪存阵列可以被扩展为n通道m行，其中n可以为2，4，8…，m可以为1，2，4…，之类的多种闪存阵列组合，同时，每行又可以增加若干层，以扩大闪存设备的容量，这些类似的变化都是在本发明主导思想之下，这些对于技术人员来说都是显然的。此外，本发明提出的二维并行闪存控制器可以通过ASIC、CPLD或者FPGA等来实现。因此，文中描述的本发明可以有多种变化，这些变化都不能认为是脱离本发明的主题思想和使用范围，对于以上这些对技术人员来说是显然的改变，都包含在本发明的范围内。

Claims (6)

1.一种并行闪存控制器，用于控制多个闪存通道的闪存芯片组，其特征在于，闪存控制器包括：传输控制器、多个闪存控制单元、多个指令仲裁单元、多个指令队列单元；每个闪存通道的闪存芯片组分别对应一个闪存控制单元、一个指令仲裁单元以及一个指令队列单元；传输控制器通过片内数据总线与各闪存芯片进行数据交互；闪存通道内的闪存芯片划分成多个闪存行；闪存控制指令按通道并行下发到指令队列单元，指令队列单元解析并存储对应闪存通道的闪存控制指令，指令仲裁单元根据设定的仲裁规则确定闪存控制指令的发送顺序；闪存控制单元接收指令仲裁单元下发的闪存控制指令，对通道内的闪存行按行进行分时复用方式的读写控制。
2.根据权利要求1所述的并行闪存控制器，其特征在于，闪存控制单元对通道内的闪存行按行进行分时复用方式具体为：闪存控制单元选定通道内的一闪存行并下发读写控制指令后，立即再选定状态空闲的另一闪存行并下发读写控制指令；通道内接收到读写控制指令的闪存行并行执行读写操作。
3.根据权利要求1所述的并行闪存控制器，其特征在于，所述指令队列单元中包括多个指令队列，每个指令队列存储的闪存控制指令对应为该闪存通道中的一个闪存行。
4.根据权利要求2或3所述的并行闪存控制器，其特征在于，所述指令仲裁单元按照指令队列分时复用的方式确定闪存控制指令的发送顺序。
5.根据权利要求2或3所述的并行闪存控制器，其特征在于，所述指令仲裁单元根据闪存通道中指令队列分时复用以及对应闪存控制单元的闪存芯片状态反馈信息确定下一个要发送的闪存控制指令。
6.根据权利要求1所述的并行闪存控制器，其特征在于，所述闪存行中的闪存芯片划分成多个闪存层；闪存控制单元对于同一闪存行中不同层的闪存芯片串行发送闪存控制指令，同一闪存行中不同层的闪存芯片进行串行读写操作。
CNB2007100743555A 2007-05-10 2007-05-10 并行闪存控制器 Active CN100458751C (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2007100743555A CN100458751C (zh) 2007-05-10 2007-05-10 并行闪存控制器
TW096136198A TWI421680B (zh) 2007-05-10 2007-09-28 Parallel flash memory controller
PCT/CN2008/070884 WO2008138249A1 (en) 2007-05-10 2008-05-05 Parallel flash memory controller, chip and control method thereof
US12/599,497 US8661188B2 (en) 2007-05-10 2008-05-05 Parallel flash memory controller, chip and control method thereof
JP2010506793A JP2010527059A (ja) 2007-05-10 2008-05-05 パラレルフラッシュメモリ制御装置、チップ及びその制御方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2007100743555A CN100458751C (zh) 2007-05-10 2007-05-10 并行闪存控制器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101082891A true CN101082891A (zh) 2007-12-05
CN100458751C CN100458751C (zh) 2009-02-04

Family

ID=38912470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2007100743555A Active CN100458751C (zh) 2007-05-10 2007-05-10 并行闪存控制器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8661188B2 (zh)
JP (1) JP2010527059A (zh)
CN (1) CN100458751C (zh)
TW (1) TWI421680B (zh)
WO (1) WO2008138249A1 (zh)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008138249A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-20 Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd Parallel flash memory controller, chip and control method thereof
CN101246450B (zh) * 2008-03-26 2010-04-21 普天信息技术研究院有限公司 一种闪存存储器及其存储空间管理方法
CN101740102A (zh) * 2008-11-11 2010-06-16 西安奇维测控科技有限公司 一种多通道闪存芯片阵列结构及其写入和读出方法
CN101980140A (zh) * 2010-11-15 2011-02-23 北京北方烽火科技有限公司 一种ssram访问控制系统
CN102081582A (zh) * 2010-12-08 2011-06-01 钰创科技股份有限公司 在一总线上操作闪存的方法
CN102222055A (zh) * 2011-06-02 2011-10-19 钟浩 提高大容量固态数据存储系统运行速度的装置及其方法
CN102591823A (zh) * 2011-01-17 2012-07-18 上海华虹集成电路有限责任公司 一种具有指令队列功能的Nandflash控制器
CN101739343B (zh) * 2008-11-24 2012-08-22 威刚科技股份有限公司 闪存系统及其运作方法
CN102708061A (zh) * 2011-03-28 2012-10-03 联咏科技股份有限公司 显示装置的内存架构及其控制方法
CN102763090A (zh) * 2010-01-28 2012-10-31 索尼爱立信移动通讯有限公司 用于利用nand存储器件同时读写的系统和方法
CN101556771B (zh) * 2008-04-08 2012-11-28 联咏科技股份有限公司 用于一液晶显示器控制器的微处理器装置及相关方法
CN102890617A (zh) * 2011-07-18 2013-01-23 群联电子股份有限公司 存储器控制方法、存储器控制器与存储器储存装置
CN103092781A (zh) * 2011-07-14 2013-05-08 Lsi公司 闪存接口的有效利用
CN103092782A (zh) * 2011-07-14 2013-05-08 Lsi公司 用于闪存器件的闪存控制器硬件架构
CN103493002A (zh) * 2011-04-05 2014-01-01 株式会社东芝 存储器系统
CN103500075A (zh) * 2013-10-11 2014-01-08 张维加 一种基于新材料的外接的计算机加速设备
CN103500076A (zh) * 2013-10-13 2014-01-08 张维加 一种基于多通道slc nand与dram缓存的新usb协议计算机加速设备
TWI449043B (zh) * 2009-12-17 2014-08-11 Novatek Microelectronics Corp 高速記憶體系統
CN105912307A (zh) * 2016-04-27 2016-08-31 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 一种Flash控制器数据处理方法及装置
CN106528465A (zh) * 2016-11-10 2017-03-22 郑州云海信息技术有限公司 一种Nand Flash控制器及方法
CN107229581A (zh) * 2016-03-25 2017-10-03 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
WO2018040038A1 (zh) * 2016-08-31 2018-03-08 华为技术有限公司 一种闪存介质的访问方法及控制器
CN109614049A (zh) * 2018-12-11 2019-04-12 湖南国科微电子股份有限公司 闪存控制方法、闪存控制器及闪存系统
CN112000276A (zh) * 2020-06-19 2020-11-27 浙江绍兴青逸信息科技有限责任公司 一种内存条
CN114902619A (zh) * 2019-12-31 2022-08-12 北京希姆计算科技有限公司 一种存储管理装置及芯片

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8843691B2 (en) 2008-06-25 2014-09-23 Stec, Inc. Prioritized erasure of data blocks in a flash storage device
KR101541344B1 (ko) 2008-12-05 2015-08-03 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 장치의 제어 방법
US8055816B2 (en) * 2009-04-09 2011-11-08 Micron Technology, Inc. Memory controllers, memory systems, solid state drives and methods for processing a number of commands
TW201044371A (en) * 2009-06-15 2010-12-16 Novatek Microelectronics Corp Memory architecture of display device and reading method thereof
CN102135946A (zh) * 2010-01-27 2011-07-27 中兴通讯股份有限公司 一种数据处理方法和装置
US9177609B2 (en) 2011-06-30 2015-11-03 Sandisk Technologies Inc. Smart bridge for memory core
US8806112B2 (en) 2011-07-14 2014-08-12 Lsi Corporation Meta data handling within a flash media controller
US8645618B2 (en) * 2011-07-14 2014-02-04 Lsi Corporation Flexible flash commands
US9208070B2 (en) * 2011-12-20 2015-12-08 Sandisk Technologies Inc. Wear leveling of multiple memory devices
US9336112B2 (en) 2012-06-19 2016-05-10 Apple Inc. Parallel status polling of multiple memory devices
KR102012740B1 (ko) 2012-07-18 2019-08-21 삼성전자주식회사 복수의 불휘발성 메모리 칩들을 포함하는 저장 장치 및 그것의 제어 방법
US9501437B2 (en) 2012-11-15 2016-11-22 Empire Technology Development Llc Scalable storage system having multiple storage channels
KR20140065678A (ko) * 2012-11-20 2014-05-30 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 동작 방법
US20170160952A1 (en) * 2014-07-28 2017-06-08 Sony Corporation Memory controller, memory system, and information processing system
US9772777B2 (en) * 2015-04-27 2017-09-26 Southwest Research Institute Systems and methods for improved access to flash memory devices
JP6363978B2 (ja) * 2015-08-05 2018-07-25 株式会社メガチップス 半導体記憶装置及びその制御方法
CN111913839A (zh) * 2019-05-10 2020-11-10 合肥格易集成电路有限公司 一种闪存芯片的老化验证装置和系统
CN112346646B (zh) * 2019-08-06 2023-05-23 天津光电通信技术有限公司 高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法
JP2021043536A (ja) 2019-09-06 2021-03-18 キオクシア株式会社 半導体装置、及び半導体装置の制御方法
US10790039B1 (en) * 2019-09-26 2020-09-29 Micron Technology, Inc. Semiconductor device having a test circuit
TWI747660B (zh) * 2020-12-14 2021-11-21 慧榮科技股份有限公司 多閃存晶片的資料讀取方法及裝置以及電腦程式產品
CN114625307A (zh) 2020-12-14 2022-06-14 慧荣科技股份有限公司 计算机可读存储介质、闪存芯片的数据读取方法及装置
CN114257263B (zh) * 2021-11-22 2023-06-09 中电科思仪科技股份有限公司 一种基于触发的高机动信道模拟装置及方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050160218A1 (en) * 2004-01-20 2005-07-21 Sun-Teck See Highly integrated mass storage device with an intelligent flash controller
US6721820B2 (en) * 2002-05-15 2004-04-13 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Method for improving performance of a flash-based storage system using specialized flash controllers
CN1466063A (zh) * 2002-06-14 2004-01-07 朱兴方 并行网络服务器
JP2005332443A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Sony Corp 半導体記憶装置および信号処理システム
US7748001B2 (en) * 2004-09-23 2010-06-29 Intel Corporation Multi-thread processing system for detecting and handling live-lock conditions by arbitrating livelock priority of logical processors based on a predertermined amount of time
KR100666169B1 (ko) * 2004-12-17 2007-01-09 삼성전자주식회사 플래쉬 메모리 데이터 저장장치
KR100621631B1 (ko) * 2005-01-11 2006-09-13 삼성전자주식회사 반도체 디스크 제어 장치
JP4086198B2 (ja) * 2005-03-02 2008-05-14 三菱電機株式会社 データ保存装置
CN2791752Y (zh) * 2005-04-04 2006-06-28 苏州鹞鹰数据技术有限公司 高速数据存储设备
CN100397380C (zh) * 2005-12-27 2008-06-25 北京中星微电子有限公司 多通道闪存传输控制器、芯片及存储设备
TW200732925A (en) * 2006-02-22 2007-09-01 Simpletech Inc Parallel data storage system
CN100458751C (zh) 2007-05-10 2009-02-04 忆正存储技术(深圳)有限公司 并行闪存控制器

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008138249A1 (en) * 2007-05-10 2008-11-20 Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd Parallel flash memory controller, chip and control method thereof
US8661188B2 (en) 2007-05-10 2014-02-25 Memoright Memoritech (Wuhan) Co., Ltd. Parallel flash memory controller, chip and control method thereof
CN101246450B (zh) * 2008-03-26 2010-04-21 普天信息技术研究院有限公司 一种闪存存储器及其存储空间管理方法
CN101556771B (zh) * 2008-04-08 2012-11-28 联咏科技股份有限公司 用于一液晶显示器控制器的微处理器装置及相关方法
CN101740102A (zh) * 2008-11-11 2010-06-16 西安奇维测控科技有限公司 一种多通道闪存芯片阵列结构及其写入和读出方法
CN101740102B (zh) * 2008-11-11 2014-03-26 西安奇维测控科技有限公司 一种多通道闪存芯片阵列结构及其写入和读出方法
CN101739343B (zh) * 2008-11-24 2012-08-22 威刚科技股份有限公司 闪存系统及其运作方法
TWI449043B (zh) * 2009-12-17 2014-08-11 Novatek Microelectronics Corp 高速記憶體系統
CN102763090A (zh) * 2010-01-28 2012-10-31 索尼爱立信移动通讯有限公司 用于利用nand存储器件同时读写的系统和方法
CN102763090B (zh) * 2010-01-28 2015-04-29 索尼爱立信移动通讯有限公司 用于利用nand存储器件同时读写的系统和方法
CN101980140A (zh) * 2010-11-15 2011-02-23 北京北方烽火科技有限公司 一种ssram访问控制系统
CN102081582A (zh) * 2010-12-08 2011-06-01 钰创科技股份有限公司 在一总线上操作闪存的方法
CN102591823A (zh) * 2011-01-17 2012-07-18 上海华虹集成电路有限责任公司 一种具有指令队列功能的Nandflash控制器
CN102708061A (zh) * 2011-03-28 2012-10-03 联咏科技股份有限公司 显示装置的内存架构及其控制方法
CN103493002A (zh) * 2011-04-05 2014-01-01 株式会社东芝 存储器系统
CN102222055A (zh) * 2011-06-02 2011-10-19 钟浩 提高大容量固态数据存储系统运行速度的装置及其方法
CN103092782A (zh) * 2011-07-14 2013-05-08 Lsi公司 用于闪存器件的闪存控制器硬件架构
CN103092781A (zh) * 2011-07-14 2013-05-08 Lsi公司 闪存接口的有效利用
CN102890617B (zh) * 2011-07-18 2015-06-10 群联电子股份有限公司 存储器控制方法、存储器控制器与存储器储存装置
CN102890617A (zh) * 2011-07-18 2013-01-23 群联电子股份有限公司 存储器控制方法、存储器控制器与存储器储存装置
CN103500075A (zh) * 2013-10-11 2014-01-08 张维加 一种基于新材料的外接的计算机加速设备
CN103500076A (zh) * 2013-10-13 2014-01-08 张维加 一种基于多通道slc nand与dram缓存的新usb协议计算机加速设备
CN107229581A (zh) * 2016-03-25 2017-10-03 爱思开海力士有限公司 数据存储装置及其操作方法
CN105912307B (zh) * 2016-04-27 2018-09-07 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 一种Flash控制器数据处理方法及装置
CN105912307A (zh) * 2016-04-27 2016-08-31 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 一种Flash控制器数据处理方法及装置
CN108156823B (zh) * 2016-08-31 2020-04-14 华为技术有限公司 一种闪存介质的访问方法及控制器
CN108156823A (zh) * 2016-08-31 2018-06-12 华为技术有限公司 一种闪存介质的访问方法及控制器
WO2018040038A1 (zh) * 2016-08-31 2018-03-08 华为技术有限公司 一种闪存介质的访问方法及控制器
US10802960B2 (en) 2016-08-31 2020-10-13 Huawei Technologies Co., Ltd. Flash medium access method and controller
CN106528465B (zh) * 2016-11-10 2019-08-02 郑州云海信息技术有限公司 一种Nand Flash控制器及方法
CN106528465A (zh) * 2016-11-10 2017-03-22 郑州云海信息技术有限公司 一种Nand Flash控制器及方法
CN109614049A (zh) * 2018-12-11 2019-04-12 湖南国科微电子股份有限公司 闪存控制方法、闪存控制器及闪存系统
CN109614049B (zh) * 2018-12-11 2022-03-25 湖南国科微电子股份有限公司 闪存控制方法、闪存控制器及闪存系统
CN114902619A (zh) * 2019-12-31 2022-08-12 北京希姆计算科技有限公司 一种存储管理装置及芯片
CN114902619B (zh) * 2019-12-31 2023-07-25 北京希姆计算科技有限公司 一种存储管理装置及芯片
CN112000276A (zh) * 2020-06-19 2020-11-27 浙江绍兴青逸信息科技有限责任公司 一种内存条
WO2021254368A1 (zh) * 2020-06-19 2021-12-23 浙江绍兴青逸信息科技有限责任公司 一种内存条、计算机和服务器

Also Published As

Publication number Publication date
US20100325346A1 (en) 2010-12-23
WO2008138249A1 (en) 2008-11-20
CN100458751C (zh) 2009-02-04
US8661188B2 (en) 2014-02-25
JP2010527059A (ja) 2010-08-05
TWI421680B (zh) 2014-01-01
TW200915066A (en) 2009-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100458751C (zh) 并行闪存控制器
US8606988B2 (en) Flash memory control circuit for interleavingly transmitting data into flash memories, flash memory storage system thereof, and data transfer method thereof
CN102122235B (zh) 一种raid4系统及其数据读写方法
CN101727293B (zh) 一种固态硬盘ssd存储的设置方法、装置和系统
EP2492916A1 (en) Multi-interface solid state disk (ssd), processing method and system thereof
CN103229136B (zh) 磁盘阵列刷盘方法及磁盘阵列刷盘装置
US7930565B2 (en) Power-optimizing memory analyzer, method of operating the analyzer and system employing the same
CN101763221A (zh) 一种存储方法、存储系统及控制器
CN103597461A (zh) 非易失性半导体存储系统
CN110309088A (zh) Zynq fpga芯片及其数据处理方法、存储介质
GB2486780A (en) Dynamic resource allocation for distributed cluster storage network
CN101710270A (zh) 一种基于闪存的高速大容量存储器及芯片数据管理方法
CN101964205B (zh) 基于固态硬盘的ecc模块动态复用系统及方法
CN201465566U (zh) 一种数据存储装置
JP2012063817A (ja) 通信装置
US9600187B2 (en) Virtual grouping of memory
US11775191B2 (en) Host load based dynamic storage system for configuration for increased performance
WO2009013877A1 (ja) メモリコントローラ、メモリカード、不揮発性メモリシステム
CN102236625A (zh) 一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器
JP6232936B2 (ja) 情報処理装置、記憶装置制御回路及び記憶装置の制御方法
WO2017188981A1 (en) Power usage modes of drives
EP3649544A1 (en) Interface components
US7856527B2 (en) Raid system and data transfer method in raid system
Liang et al. Improving read performance of SSDs via balanced redirected read
US20150254011A1 (en) Memory system, memory controller and control method of non-volatile memory

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: MEMORIGHT MEMORITECH (WUHAN) CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: MEMORIGHT MEMORITECH (SHENZHEN) CO., LTD.

Effective date: 20101110

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 518057 3/F, BUILDING W2A, SOUTH ZONE, NEW AND HIGH TECHNOLOGY INDUSTRIAL PARK, NANSHAN DISTRICT, SHENZHEN CITY, GUANGDONG PROVINCE TO: 430074 ROOM 301-303, RESEARCH AND DEVELOPMENT BUILDING, BUILDING C3, PHASE 3, GUANGGU SOFTWARE PARK, NO.1, GUANSHAN ROAD 1, WUHAN CITY, HUBEI PROVINCE

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20101110

Address after: 430074 Hubei city of Wuhan province Kuanshan Road, Optics Valley software park three building C3 room 301-303 building

Patentee after: MEMORIGHT (WUHAN)CO.,LTD.

Address before: 518057, W2A building, South District, Nanshan District hi tech Industrial Park, Guangdong, Shenzhen

Patentee before: Memoright Memoritech (Wuhan) Co.,Ltd.

DD01 Delivery of document by public notice

Addressee: Zhang Yue

Document name: Notification to Pay the Fees

DD01 Delivery of document by public notice

Addressee: MEMORIGHT (WUHAN)CO.,LTD.

Document name: Notification of Termination of Patent Right

DD01 Delivery of document by public notice

Addressee: MEMORIGHT (WUHAN)CO.,LTD.

Document name: Notification of Decision on Request for Restoration of Right

C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: 430074 Hubei city of Wuhan province East Lake New Technology Development Zone Road No. two high Guan Nan Industrial Park Building No. two West 3 floor

Patentee after: MEMORIGHT (WUHAN) Co.,Ltd.

Address before: 430074 Hubei city of Wuhan province Kuanshan Road, Optics Valley software park three building C3 room 301-303 building

Patentee before: MEMORIGHT (WUHAN)CO.,LTD.

DD01 Delivery of document by public notice

Addressee: Zhang Yue

Document name: Notification of Passing Examination on Formalities

CP03 Change of name, title or address

Address after: 430070 Wuhan, Hubei Wuhan East Lake New Technology Development Zone, high-tech two Road No. 1 South Guan Industrial Park 2 factory 2-3 floor West.

Patentee after: EXASCEND TECHNOLOGY (WUHAN) CO.,LTD.

Address before: 430074 west 3 floor, two Guan Nan Industrial Park, two new road, Wuhan, Hubei, East Lake.

Patentee before: MEMORIGHT (WUHAN) Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Parallel flash controller

Effective date of registration: 20220120

Granted publication date: 20090204

Pledgee: Wuhan area branch of Hubei pilot free trade zone of Bank of China Ltd.

Pledgor: EXASCEND TECHNOLOGY (WUHAN) CO.,LTD.

Registration number: Y2022420000020

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 430000 west of 2-3 / F, No.2 factory building, Guannan Industrial Park, No.1 Gaoxin 2nd Road, Wuhan Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province

Patentee after: Zhiyu Technology Co.,Ltd.

Address before: 430070 Wuhan, Hubei Wuhan East Lake New Technology Development Zone, high-tech two Road No. 1 South Guan Industrial Park 2 factory 2-3 floor West.

Patentee before: EXASCEND TECHNOLOGY (WUHAN) CO.,LTD.