CN101075500B - 固体电解质及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种固体电解质及其制造方法。该固体电解质含有x原子％的锂、y原子％的磷、z原子％的硫和w原子％的氧，其中x、y、z和w满足以下表达式(1)-(5)：20≤x≤45...(1)、10≤y≤20...(2)、35≤z≤60...(3)、1≤w≤10...(4)、x+y+z+w＝100...(5)，并且在利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法所测得的X射线衍射图中，X射线衍射峰的顶点分别位于X射线衍射图中的以下衍射角2θ：16.7°±0.25°、20.4°±0.25°、23.8°±0.25°、25.9°±0.25°、29.4°±0.25°、30.4°±0.25°、31.7°±0.25°、33.5°±0.25°、41.5°±0.25°、43.7°±0.25°和51.2°±0.25°，各X射线衍射峰的半宽均在0.5°以下。

Description

固体电解质及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种固体电解质及其制造方法；具体地涉及一种具有高离子电导率并且与电极材料的反应性低的固体电解质以及该固体电解质的制造方法。
背景技术
迄今为止，使用有机电解液的锂二次电池已经投入实际使用。这种使用有机电解液的锂二次电池的特征在于，与其他电池相比，该电池具有更高的单位体积或单位质量能量输出。因而，使用有机电解液的锂二次电池得以发展并投入实际使用，以用作移动通讯设备、个人笔记本电脑和电动车的电源。
对于使用有机电解液的传统锂二次电池，该有机电解液基本上是一种可燃性物质。因而，出现了有机电解液中温度升高的问题，或当有冲击施加到有机电解液上时，存在引发锂二次电池爆炸危险的问题。
对于使用有机电解液的锂二次电池，当使用含锂的金属等作为其负极以提高能量密度时，也会出现引发其爆炸危险的问题。这是由于在对电池进行重复充放电时，含锂金属可能在负极表面析出并以枝晶状(dendrite form)生长，枝晶状生长的含锂金属可造成正负极之间短路。
因而，最近考虑使用固体电解质代替传统锂二次电池所用的有机电解液，并对具有高锂离子电导率和化学稳定性的固体电解质进行了研究。
当这种固体电解质用于锂二次电池时，可克服使用有机电解液的锂二次电池出现的上述问题，此外，甚至在诸如200℃以上或-20℃以下的恶劣环境中稳定工作，然而使用有机电解液的传统锂二次电池在此环境下很难稳定工作。
例如，专利文献1(特开第2002-184455号公报)公开了一种形成固体电解质薄膜的方法，该固体电解质薄膜含有作为必要成分的锂和硫，并含有选自磷、硅、硼、锗和镓中的至少一种元素。根据专利文献1公开的方法，为提高离子电导率，进行将固体电解质薄膜加热到40℃以上200℃以下的步骤。
此外，专利文献2(特开第2002-109955号公报)公开了硫化物类结晶玻璃(sulfide-based crystallized glass)(固体电解质)，其是通过对主要成分为Li2S和P2S5的硫化物类玻璃进行煅烧处理得到的。这种硫化物类结晶玻璃(固体电解质)由主要成分为Li2S和P2S5的玻璃相以及含硫化物的结晶相构成。
专利文献3(特开第2005-228570号公报)公开了具有特定晶体结构的硫化物类结晶玻璃(固体电解质)，其是通过在150-360℃对组成为68-74mol％Li2S和26-32mol％P2S5的硫化物类玻璃进行煅烧处理得到的。
在上述专利文献2和3任一篇中，为使硫化物类结晶玻璃(固体电解质)结晶化，在玻璃化转变温度以上的温度进行煅烧处理是必要的。
此外，非专利文献1(Solid State Ionics170(2004)pp.173-180)和非专利文献2(Electrochemical and Solid-State Letters8(11)A603-A606(2005))都公开了一种由Li2S和P2S5制成的固体电解质。非专利文献1的第176页图2中和非专利文献2的图3中分别公开了X射线衍射法测得的固体电解质X射线衍射图。
发明内容
用于锂二次电池的固体电解质所要求的性质是具有高离子电导率、低电子电导率以及良好的耐电压特性(withstand voltage property)。
此外，当固体电解质用于锂二次电池时，抑制负极材料以及正极材料(例如锂)与固体电解质之间的氧化-还原反应是重要的。防止固体电解质引发与负极材料和正极材料的氧化-还原反应并防止固体电解质分解和劣化(degrade)也是重要的。
考虑到上述情况，本发明的目的是提供一种固体电解质及其制造方法，该固体电解质具有高离子电导率并且与电极材料的反应性低。
本发明涉及一种固体电解质，其含有x原子％的锂、y原子％的磷、z原子％的硫和w原子％的氧，其中
x、y、z以及w满足以下表达式(1)-(5)：
20≤x≤45   ...(1)
10≤y≤20   ...(2)
35≤z≤60   ...(3)
1≤w≤10   ...(4)
x+y+z+w＝100...(5)，并且
在利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法所测得的X射线衍射图中，X射线衍射峰的顶点分别位于该X射线衍射图中的以下衍射角20：16.7°±0.25°、20.4°±0.25°、23.8°±0.25°、25.9°±0.25°、29.4°±0.25°、30.4°±0.25°、31.7°±0.25°、33.5°±0.25°、41.5°±0.25°、43.7°±0.25°和51.2°±0.25°，以及各X射线衍射峰的半宽(half width)均在0.5°以下。
本发明的固体电解质中，25℃的离子电导率优选为至少1×10-3S/cm。
此外，在本发明的固体电解质中，活化能优选为35kJ/mol以下。在本发明中，活化能是指使锂离子传导通过固体电解质所需的能量。
此外，本发明是一种制造固体电解质的方法，其包括：第一步，通过气相沉积法，在基质材料(base material)上形成固体电解质前体，该前体包含x原子％的锂、y原子％的磷、z原子％的硫和w原子％的氧，x、y、z和w满足以下表达式(1)-(5)：
20≤x≤45    ...(1)
10≤y≤20    ...(2)
35≤z≤60    ...(3)
1≤w≤10     ...(4)
x+y+z+w＝100 ...(5)；以及
第二步，通过加热该固体电解质前体，使其形成固体电解质，该固体电解质为这样的材料，即在利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法所测得的X射线衍射图中，X射线衍射峰的顶点分别位于该X射线衍射图中的以下衍射角2θ：16.7°±0.25°、20.4°±0.25°、23.8°±0.25°、25.9°±0.25°、29.4°±0.25°、30.4°±0.25°、31.7°±0.25°、33.5°±0.25°、41.5°±0.25°、43.7°±0.25°和51.2°±0.25°，以及各X射线衍射峰的半宽均为0.5°以下。
在制造本发明固体电解质的方法中，第二步优选为以下步骤，即在固体电解质前体形成时和/或形成后，将所述固体电解质前体加热到高于200℃且低于其玻璃态转化温度的温度。
制造本发明固体电解质的方法中，优选将固体电解质前体加热到高于200℃且250℃以下的温度。
根据本发明，可提供一种具有高离子电导率并且与电极材料的反应性低的固体电解质及其制造方法。
通过以下详细说明对本发明的上述和其他目的、特征、方面以及优点进行阐述，参考所附附图对其进行理解。
附图说明
图1和图2为说明本发明测量半宽方法的图。
图3为本发明固体电解质实施例的阿伦纽斯图(Arrhenius plot)。
图4显示本发明固体电解质实施例的X射线衍射图，其中该X射线衍射图利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法得到。
图5显示对比实施例固体电解质的X射线衍射图，其中该X射线衍射图利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法得到。
具体实施方式
本发明的发明人经过详尽的研究，发现当固体电解质既不是所谓的无定型相也不是热力学稳定相，而是处于两者之间的一种状态，即热力学亚稳相(thermodymically-metastable phase)，该固体电解质显示出高离子电导率和抑制与电极材料发生氧化-还原反应的良好特性(对氧化-还原反应具有抗性)，从而完成本发明。
本发明的固体电解质是一种含x原子％的锂、y原子％的磷、z原子％的硫和w原子％的氧的固体电解质，其特征在于
x、y、z和w满足以下表达式(1)-(5)：
20≤x≤45     ...(1)
10≤y≤20     ...(2)
35≤z≤60     ...(3)
1≤w≤10      ...(4)
x+y+z+w＝100  ...(5)，并且
在利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法所测得的X射线衍射图中，X射线衍射峰的顶点分别位于该X射线衍射图中的以下衍射角2θ：16.7°±0.25°、20.4°±0.25°、23.8°±0.25°、25.9°±0.25°、29.4°±0.25°、30.4°±0.25°、317°±025°、33.5°±0.25°、41.5°±0.25°、43.7°±0.25°和51.2°±0.25°，以及各X射线衍射峰的半宽均在0.5°以下。
至于本发明的固体电解质，在通过X射线衍射法(Cu的Kα射线用作X射线)所测得的该固体电解质的X射线衍射图中，X射线衍射峰顶点位于上述范围的衍射角2θ，以及各X射线衍射峰的半宽均在0.5°以下。因而，本发明的固体电解质不同于X射线衍射峰的半宽大于10°的正常无定型相(normal amorphous phase)，并且本发明固体电解质的X射线衍射峰出现在范围不同于热力学稳定相的衍射角2θ，从而可认为本发明的固体电解质为热力学亚稳相。此外，随着X射线衍射峰半宽的减小，结晶性变得更好。因此X射线衍射峰的半宽优选尽可能小。然而，X射线衍射峰的半宽通常具有约0.01°的下限。
在X射线衍射法中，当使入射X射线相对测试样品以倾角θ入射时，通常在相对入射X射线倾角为2θ处探测到衍射X射线，因而在X射线衍射图中衍射角通常以2θ表示。因而，应当指出本发明X射线衍射图中衍射角也表示为2θ。
假设X射线衍射图中X射线衍射峰1，例如由如图1所示的曲线y＝f(x)表示，并且在f(x)表示局部最大值(X射线衍射峰1的顶点)的点外围设置曲线g(x)＝f(x)-b(x)。如图2所示，本发明中的半宽可通过测量x轴上xa和xb两点间的差来测定，在这两点处曲线g(x)表示局部最大值h的半值h/2。在X射线衍射图中，图1和图2中的x轴表示衍射角2θ(°)，同时y轴表示X射线衍射峰的强度。图1中，基于X射线衍射峰1不存在的假设，曲线y＝b(x)为虚拟曲线(virtual curve)。
本发明的为热力学亚稳相的固体电解质可含有混于其中的硫和氧，因而能够具有高离子电导率并抑制与正电极材料和负电极材料发生氧化-还原反应，因而对氧化-还原反应具有良好的抗性。应当指出，X射线衍射图中衍射峰的顶点可在上述衍射角2θ范围内随本发明固体电解质的组成变化。
本发明的固体电解质是一种含x原子％的锂、y原子％的磷、z原子％的硫和w原子％的氧的固体电解质，x、y、z和w满足上述表达式(1)-(5)。
本发明的固体电解质由包含锂、磷、硫、以及氧的成分组成，其主要成分是由这些成分构成的热力学亚稳相。此外，本发明的固体电解质仅包含少量诸如硫化物、氧化物和硫酸盐的热力学稳定相(结晶化合物)，该含量太少，以致于无法使用目前可商购的X射线衍射仪通过一些X射线衍射法进行测定。
本发明中，上述x、y、z和w满足上述表达式(1)-(5)，因而可得到具有高离子电导率和对氧化-还原反应具有良好抗性的固体电解质。
本发明固体电解质的氧含量为至少1原子％且至多为10原子％。这是由于若本发明固体电解质的氧含量低于1原子％，则无法获得对氧化-还原反应的抗性，若其氧含量超过10原子％，则热动力亚稳结构将变得不稳定，由此可能导致本发明的固体电解质分解并析出具有低离子电导率的结晶化合物，从而不能获得高离子电导率。
本发明的固体电解质25℃的离子电导率优选至少为1×10-3S/cm。此外，考虑到本发明的固体电解质用于锂二次电池的情况时，传导通过本发明固体电解质的离子优选为锂离子。
由此，当本发明的固体电解质具有至少1×10-3S/cm的高离子电导率时，在将本发明的固体电解质夹在正负极之间构成的锂二次电池中，锂离子可容易地在正负极间移动。因而，锂二次电池的能量输出趋于增加。
此外，本发明固体电解质优选具有35kJ/mol以下的活化能。
若本发明的固体电解质具有35kJ/mol以下的低活化能，本发明固体电解质的离子电导率趋于进一步增大。
例如，可如下制造本发明上述固体电解质。
首先，采用气相沉积法，在基底材料上形成含x原子％的锂、y原子％的磷、z原子％的硫和w原子％的氧的膜状固体电解质前体，x、y、z和w满足上述表达式(1)-(5)(第一步)。
此时，对于气相沉积法，可采用，例如，真空蒸镀法(vacuum evaporationmethod)、离子镀法(ion plating method)、溅射法或激光烧蚀法(laser abrasionmethod)等。对于形成固体电解质前体时所用的氛围气体(atmospheric gas)，适合采用诸如氦、氖、或氩的惰性气体。此外，在基质材料上形成固体电解质前体所用的气氛优选具有至少为10-3Pa，至多为10-1Pa的压力。
对于初始原料，可采用硫化物，例如Li2S或P2S5，以及氧化物，例如Li2O、P2O5或Li3PO4。此时，制备初始原料的组合物，使得将在基质材料上形成的固体电解质前体含有x原子％的锂、y原子％的磷、z原子％的硫和w原子％的氧，x、y、z和w满足上述表达式(1)-(5)。对于本发明固体电解质中所包含的氧，可通过将氧气混入形成固体电解质前体所用的氛围气体来调整氧含量。
接下来，加热固体电解质前体，以使其形成固体电解质，该固体电解质为这样的材料，其在利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法所测得的X射线衍射图中，X射线衍射峰的顶点分别位于该X射线衍射图中的以下衍射角20：16.7°±0.25°、20.4°±0.25°、23.8°±0.25°、25.9°±0.25°、29.4°±0.25°、30.4°±0.25°、31.7°±0.25°、33.5°±0.25°、41.5°±0.25°、43.7°±0.25°和51.2°±0.25°，以及各衍射峰的半宽均在0.5°以下(第二步)。
此时，可在固体电解质前体形成时和/或形成后，对其进行加热。
从使本发明固体电解质成为具有良好离子电导率并对氧化-还原反应具有抗性的热力学亚稳相的观点看，优选将固体电解质前体加热到高于200℃且低于固体电解质前体的玻璃态转化温度的温度。若将固体电解质前体加热到其玻璃态转化温度以上，则本发明固体电解质中将形成热力学稳定的结晶化合物(结晶化合物)，从而得到两种结晶化合物的混合物，这两种结晶化合物是锂、磷和硫构成的结晶化合物和锂、磷、氧构成的结晶化合物。若形成这种混合物，则在部分制得的固体电解质上析出不含氧的结晶化合物，从而不能获得高离子电导率且不能对氧化-还原反应具有良好的抗性。
从使本发明固体电解质成为具有良好离子电导率并对氧化-还原反应具有良好抗性的热力学亚稳相的观点看，考虑到本发明固体电解质的玻璃态转化温度通常在250℃以上300℃以下，优选将固体电解质前体加热到200℃以上250℃以下，更优选加热到220℃以上230℃以下。对上述固体电解质前体进行热处理所需的时间无特殊限定，可设定为，例如，至少1秒至多10秒。
若在固体电解质前体形成后对其进行加热，可合适地采用诸如氦、氖、或氩的惰性气体用作热处理时的氛围气体。
本发明固体电解质对氧化-还原反应具有良好的抗性，使其不太可能因为与正负极材料发生氧化-还原反应而分解和劣化，并且具有高离子电导率。当本发明固体电解质用于锂二次电池时，可使用含锂金属作为负极材料，从而可获得具有高能量密度并且即使重复充放电也能够抑制性能恶化的锂二次电池。
此外，本发明的固体电解质是不可燃的，因而可得到具有高安全性的锂二次电池。
可采用本发明制造固体电解质的方法制造本发明的这种固体电解质。
实施例
在以下过程中，通过激光烧蚀法在基质材料上形成含锂、磷、硫和氧的固体电解质。
首先，准备边长为25mm，厚度为1mm的具有正方表面的二氧化硅玻璃基底。将二氧化硅玻璃基底固定在激光烧蚀成膜设备中的基质材料支持台上。
通过在充满露点为-80℃的氩气的手套箱中混合1.1g硫化锂(Li2S)粉末和2.4g硫化磷(P2S5)粉末制成初始原料，并将混合粉末倒入模具中，以进行加压成型，获得直径为20mm的粒料。
将初始原料从手套箱中移出，同时防止将其暴露在空气中，并将其固定在激光烧蚀成膜设备中的靶托(target holder)上。
接下来，将激光烧蚀成膜设备中的压力调到1×10-2Pa，通过激光烧蚀法在二氧化硅玻璃基底上形成膜状固体电解质前体。
此时，对于形成固体电解质前体时所用的氛围气体，使用向氩气中加入氧气(氩气体积:氧气体积＝95:5)制得的混合气体。用针式轮廓曲线仪(stylus profilometer)测得基质材料上形成的固体电解质前体的厚度为0.5μm。使用X射线光电子能谱(XPS)分析仪(ULVAC-PHI INC.的ESCA5400MC)对基质材料上形成的固体电解质前体的组成进行分析，发现其中含有31原子％的锂、15原子％的磷、45原子％的硫和9原子％的氧。
随后，在露点为-90℃的氩气气氛中，在225℃对基质材料上形成的固体电解质前体加热2秒，制成固体电解质。固体电解质前体的玻璃态转化温度约为250℃。
接下来，冷却加热过的固体电解质，在经冷却的固体电解质的表面上形成梳型金电极(comb-like gold electrode)。对于其上形成梳型金电极的固体电解质，通过复阻抗方法(complex impedance method)测量固体电解质的离子电导率。此时，在露点为-90℃的氩气气氛下，测量从室温(25℃)到约200℃范围内各个温度下的离子电导率。
图3所示为通过上述离子电导率测量获得的阿伦纽斯图。图3中，纵坐标轴表示离子电导率(S/cm)，同时，横坐标轴表示上述离子电导率测量时温度的倒数(K-1)。
根据阿伦纽斯线的斜率，本实施例所得固体电解质的活化能确定为32kJ/mol。室温下(25℃)，本实施例所得固体电解质的离子电导率为1.5×10-3S/cm。
经过上述离子电导率的测量之后，在露点为-90℃的氩气气氛下，使用Cu的kα射线作为X射线，通过X射线衍射法测定本实施例所得固体电解质的X射线衍射图。其结果如图4所示。在图4所示X射线衍射图中，本实施例所得固体电解质的X射线衍射峰以白圈表示，同时，金电极的X射线衍射峰以黑三角表示。图4中，纵坐标轴表示X射线衍射峰的强度(次数/秒)，同时，横坐标轴表示衍射角2θ。
如图4所示，使用Cu的Kα射线，通过X射线衍射法测得的本实施例所得固体电解质的X射线衍射图中，X射线衍射峰的顶点分别位于此X射线衍射图中的以下衍射角20＝16.7°±0.25°、20.4°±0.25°、23.8°±0.25°、25.9°±0.25°、29.4°±0.25°、30.4°±0.25°、31.7°±0.25°、33.5°±0.25°、41.5°±0.25°、43.7°±0.25°、以及51.2°±0.25°，以及各X射线衍射峰的半宽均在0.5°以下。
含锂、磷、硫和氧且X射线衍射图如图4所示的固体电解质目前是未知的，显示本实施例所得固体电解质是全新的热力学亚稳相。
此外，证实了本实施例所得固体电解质具有32kJ/mol的活化能，因而化学上稳定且对氧化-还原反应具有良好的抗性。
此外，证实本实施例所得固体电解质室温(25℃)下离子电导率为1.5×10-3S/cm，因而，与用于锂二次电池的有机电解液相比，具有高离子电导率。
对比实施例
除不加热通过激光烧蚀方法在二氧化硅玻璃基底上形成的固体电解质前体以外，以类似实施例的方式，制成对比实施例中的固体电解质。
如实施例中，在对比实施例中固体电解质的表面上形成梳型金电极，以测量离子电导率。结果对比实施例中固体电解质在室温(25℃)的离子电导率为7×10-4S/cm，从而证实与实施例中固体电解质相比对比实施例的离子电导率大大降低。
经过上述离子电导率的测量之后，在露点为-90℃的氩气气氛下，使用Cu的kα射线作为X射线，通过X射线衍射法测定对比实施例中所得固体电解质的X射线衍射图。其结果如图5所示。在图5所示X射线衍射图中，对比实施例中所得固体电解质的X射线衍射峰以白圈表示，同时，金电极的X射线衍射峰以黑三角表示。图5中，纵坐标轴表示X射线衍射峰的强度(次数/秒)，同时，横坐标轴表示衍射角20。
如图5所示，证实对比实施例中固体电解质的X射线衍射峰的半宽中的一些超过0.5°。
如上所述，当本发明的固体电解质用于锂二次电池时，可抑制固体电解质由于与正极材料和/或负极材料之间的氧化-还原反应所发生的分解和劣化。
因而，使用本发明固体电解质的锂二次电池中，即使将含锂金属等用于锂二次电池的负极材料以提高其能量密度，也还是抑制了本发明固体电解质与负极之间界面上的还原反应，从而降低了负极表面上含锂金属的枝晶生长的几率。因而，使用本发明固体电解质的锂二次电池由于含锂金属以枝晶的形式生长导致正负极间短路所造成的爆炸危险性较低。
此外，本发明固体电解质对氧化-还原反应具有良好的抗性，因而甚至在印刷电路板上安装锂二次电池所进行的回流处理中也不太可能劣化。
本发明固体电解质具有如高离子电导率、与正负极材料低氧化-还原反应性的特征，因而适合用于硬币型(纽扣型)、叠层型、以及卷绕型锂二次电池。
制造本发明固体电解质的方法适合用于制造本发明固体电解质，其中固体电解质具有高离子电导率以及与正负极材料氧化还原的反应性低。
尽管对本发明进行了详细地描述和图示，但应当清楚地理解，本发明仅是图解和实例性的，而不是限制性的，本发明的精神和范围仅由所附权利要求书限定。

Claims (5)

1.一种制造固体电解质的方法，其包括：
第一步，通过气相沉积法，在基质材料上形成固体电解质前体，其含有x原子％的锂、y原子％的磷、z原子％的硫和w原子％的氧，所述x、y、z和w满足以下表达式(1)-(5)：
20≤x≤45      ...(1)
10≤y≤20      ...(2)
35≤z≤60      ...(3)
1≤w≤10       ...(4)
x+y+z+w＝100...(5)；以及
第二步，通过加热所述固体电解质前体，使所述固体电解质前体形成为固体电解质，该固体电解质是这样的，即在利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法所测得的X射线衍射图中，X射线衍射峰的顶点分别位于所述X射线衍射图中以下的衍射角2θ：16.7°±0.25°、20.4°±0.25°、23.8°±0.25°、25.9°±0.25°、29.4°±0.25°、30.4°±0.25°、31.7°±0.25°、33.5°±0.25°、41.5°±0.25°、43.7°±0.25°和51.2°±0.25°，以及各所述X射线衍射峰的半宽均在0.5°以下，
其中所述第二步是在所述固体电解质前体形成时和/或形成之后，将所述固体电解质前体加热到高于200℃且低于其玻璃态转化温度的温度的步骤。
2.根据权利要求1的制造固体电解质的方法，其中将所述固体电解质前体加热到高于200℃且250℃以下的温度。
3.根据权利要求1或2的方法制备的固体电解质，其含有x原子％的锂、y原子％的磷、z原子％的硫和w原子％的氧，其中
所述x、y、z和w满足以下表达式(1)-(5)：
20≤x≤45       ...(1)
10≤y≤20       ...(2)
35≤z≤60       ...(3)
1≤w≤10        ...(4)
x+y+z+w＝100    ...(5)，并且
在利用Cu的Kα射线通过X射线衍射法所测得的X射线衍射图中，X射线衍射峰的顶点分别位于所述X射线衍射图中的以下衍射角2θ：16.7°±0.25°、20.4°±0.25°、23.8°±0.25°、25.9°±0.25°、29.4°±0.25°、30.4°±0.25°、31.7°±0.25°、33.5°±0.25°、41.5°±0.25°、43.7°±0.25°和51.2°±0.25°，以及各所述X射线衍射峰的半宽均在0.5°以下。
4.根据权利要求3的固体电解质，其中25℃时离子电导率为至少1×10-3S/cm。
5.根据权利要求3的固体电解质，其具有35kJ/mol以下的活化能。
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