CN101073155A - 作为小型颜色可变光源的单片led - Google Patents
作为小型颜色可变光源的单片led Download PDFInfo
- Publication number
- CN101073155A CN101073155A CNA2005800418721A CN200580041872A CN101073155A CN 101073155 A CN101073155 A CN 101073155A CN A2005800418721 A CNA2005800418721 A CN A2005800418721A CN 200580041872 A CN200580041872 A CN 200580041872A CN 101073155 A CN101073155 A CN 101073155A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- array
- color
- led
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 44
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 38
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- ZLSWBLPERHFHIS-UHFFFAOYSA-N Fenoprop Chemical compound OC(=O)C(C)OC1=CC(Cl)=C(Cl)C=C1Cl ZLSWBLPERHFHIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005132 Calcium sulfide based phosphorescent agent Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N Aesculin Natural products OC[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1Oc2cc3C=CC(=O)Oc3cc2O PLXMOAALOJOTIY-FPTXNFDTSA-N 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Si] Chemical compound [AlH3].[Si] KMWBBMXGHHLDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- KXXXUIKPSVVSAW-UHFFFAOYSA-K pyranine Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].C1=C2C(O)=CC(S([O-])(=O)=O)=C(C=C3)C2=C2C3=C(S([O-])(=O)=O)C=C(S([O-])(=O)=O)C2=C1 KXXXUIKPSVVSAW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种颜色变化的发光装置，包括一个形成在一个高阻基板上的发光二极管的阵列，所述阵列包括设置成提供第一颜色光的至少一个发光二极管的第一组、设置成提供第二颜色光的至少一个发光二极管的第二组和设置成提供第三颜色光的至少一个发光二极管的第三组。这些组的至少一个组是可独立地寻址的。另外，所述阵列中的每个发光二极管具有到一个电路的单独连接，所述组的至少一个组包括通过所述电路串联地互连的至少两个发光二极管。因此，在例如相同组的分开的LED之间的所有连接可通过电路实现。这可以使得非常密集的封装阵列中的LED，因为不需要在阵列中设置阵列的不同LED之间的互连。
Description
技术领域
本发明涉及一种形成在一个高阻抗基板上的颜色可变发光二极管阵列，其包括至少一个的发光二极管的至少两组，每组发射一个单独颜色的光。
背景技术
发光二极管(LED)作为光源正变成对常用的灯泡的有吸引力替换。在例如停车尾灯和外门信号以及交通信号的汽车应用中，它们正在取代灯泡。从居室照明到舞台照明，它们也开始代替通常的灯泡。
应用LED的发光系统与标准的光源相比具有多个优点，例如具有更长的寿命周期、更可靠、较低的工作温度和低电压功率要求。
用于提供例如白光的LED发光系统一般地利用多个不同颜色的LED，且不同颜色混合在一起以获得白光或任何其他颜色的光。
为了取得优良的颜色混合，具有相互接近的不同颜色的LED是有益的。
另外，能够容易地控制由发光装置产生的颜色，例如白光的色温，将是有益的。
美国专利No.6547249公开了一种形成在一个高阻基板上的多个独立LED的阵列。
在该阵列中全部LED是相互连接的。因此，它们提供多个相互接近的LED。该美国专利No.6547249专利还公开了一种阵列，其中该阵列中的一些LED由磷光体覆盖以改变由这些LED产生的光的颜色。这提供了产生此种具有预定颜色的LED阵列的可能性。
然而，这样的一个阵列的颜色是固定的，并且甚至在阵列之间的磷光体厚度上的小变化导致不同的颜色以及因此导致大面元范围的此种阵列。
因此，仍需要基于小型LED的发光系统，其具有优良颜色混合特性以及提供单个LED阵列之间恒定颜色。
发明内容
本发明的目的之一是提供用于基于LED的发光系统的装置，该系统克服上面提到的问题。因此，本发明提供一种颜色可变的发光装置，其包括一个形成在一个高阻抗基板上的多个发光二极管的阵列。
该阵列包括：至少一个发光二极管的第一组，其被设置来提供第一颜色的光；至少一个发光二极管的第二组，其被设置来提供第二颜色的光；以及至少一个发光二极管的第三组，其被设置来提供第三颜色的光。该阵列可还包括其他的组，例如至少一个发光二极管的第四或第五组，来提供其他颜色的光，例如分别是第四或第五颜色。
该阵列设置在下底座(sub-mount)上，该下底座具有电路，该阵列的发光二极管连接到该电路。
在本发明的装置中，阵列中的每个发光二极管具有与所述电路的独立连接，且该第一、第二或第三组的至少之一具有至少两个发光二极管，经过电路串联地相互连接。
另外，本发明的装置中的电路包括外部连接器以独立地寻址第一、第二和第三组中的至少之一。
根据本发明的阵列的LED全部形成和定位在相同的基板上。这可与安装在下底座上的单独LED电路片阵列相区分。
通过在一个高阻抗的基板上形成几个LED的一个阵列，而不是一个由几个单独下底座安装的LED组成的阵列，可能更密集的封装二激光，以及通过这样的具有小区域的阵列，可产生高光通量。因此，因为发光区域的平均亮度高，所以可使得基于本发明的发光装置的照明系统较小。
由于不同颜色的发光源之间的距离彼此定位更近，所以通过阵列的小区域改进了阵列，该阵列包括具有小区域不同颜色的LED，作为颜色混合，以通过混合不同颜色的光取得所需颜色的光。这是进一步的优点。
该阵列提供至少三个颜色的光，其中的至少一个颜色的光通量可由其他的两个颜色独立地控制。这与阵列中LED的密集封装的可能性一起，使得提供具有优良颜色混合的可变颜色。
在本发明的阵列中，由至少一个LED的组的至少一组包括至少两个发光二极管，其中在这样的有两个或更多LED的组中的LED是串联地互连的。
通过串联地连接一组的LED，驱动电流和因此的光输出将对于该组中的全部LED是恒定的，与平行设置相反，其中一个LED的阻抗上的小变化导致穿过该组中的所有LED的电流变化，且这可导致在该组的分开的LED之间非常显著的光输出变化。另外，该阵列的每个LED具有连接到该电路的各个连接，因此分开的LED之间的所有连接，例如在相同的组中，可通过电路实现。这也允许在阵列中非常密集封装LED，因为没有该阵列中不同LED之间的互连需要设置在该阵列中。
为了允许独立地寻址阵列中不同的LED组，该电路包括外部连接器，LED驱动单元可连接到该外部连接器，用于这样的独立寻址。在根据本发明的装置中，该电路可包括几个独立的部分，其相互电绝缘。该电路的这样不同部分可用于独立地连接到阵列中LED的不同组以及寻址阵列中LED的不同组。在本发明的实施例中，该下底座是一种多层下底座，且该电路的不同部分设置在该多层下底座中的不同层上。
例如，连接到不同组发光二极管的电路不同部分可设置在该下底座的不同层。这样可有利于电路的布线图案，因为电路的不同部分，其驱动阵列的不同组LED，可设置在不同的层上。因此，该电路不同部分的交叉点的数量最小化。在本发明的实施例中，所述阵列的所有发光二极管发射相同颜色的光。为了取得一个多颜色的阵列，该第一组的发光二极管(一个或多个)具有第一变换波长的化合物，其被设置来变换由二极管(一个或多个)发射的光成为第一假定颜色的光。另外，第二组的发光二极管(一个或多个)具有第二变换波长的化合物，其被设置来变换由二极管(一个或多个)发射的光成为第二假定颜色的光。一个例子是，当全部二极管发射蓝光，第一设定颜色是绿色(波长从蓝色变换)以及第二设定颜色是红色(波长从蓝色变换)。在本发明的其他实施例中，还有第三组的发光二极管(一个或多个)具有第三变换波长的化合物，其被设置来变换由二极管(一个或多个)发射的光成为第三设定颜色的光。一个例子是，当全部二极管发射紫外光或近紫外光，第一设定颜色是绿色(波长从紫外变换)以及第二设定颜色是红色(波长从紫外变换)，第三设定颜色是蓝色(波长从紫外变换)。
来自某些本征颜色的某些LED的发射(波长分布和/或强度)强烈地取决于LED的温度和/或驱动LED的电流密度。这导致了问题，例如在能够产生白光的LED阵列中，因为该装置的温度或穿过该装置的电流的小变化导致发射光的颜色上的改变。
通过使用适当变换波长的化合物，可利用温度最稳定的LED且随之可将本征颜色变换成希望的颜色。
适用于本发明的变换波长的化合物优选地基本上与温度不相关。该希望的变换波长的化合物可直接地沉积在希望的LED的顶部。该变换波长的化合物可选择地包括在置于阵列上的一个层的区域中，其中该区域至少部分地覆盖希望的LED。
因此，本发明涉及一种颜色可变的发光装置，包括一个形成在一个高阻抗基板上的多个发光二极管的阵列，该阵列包括至少一个LED的第一、第二、和第三组，其被设置来分别地提供第一、第二和第三颜色的光。这些组的至少之一是独立地可寻址的。另外，阵列中每个发光二极管具有到电路的分开连接，且这些组的至少之一包括至少两个LED，其通过电路串联地相互连接。在分开的LED之间的全部连接，例如在相同的组中，可通过电路实现。这使得非常密集的封装阵列中的LED，因为没有该阵列不同LED之间的互连需要设置在该阵列中。
现将参照附图在优选实施例的详细描述中进一步说明本发明。
附图说明
图1示出了本发明的九折叠(nine-fold)阵列，包括九个有源部件的多折叠LED，其中的四个提供红颜色的光，四个提供绿颜色的光，以及一个提供蓝颜色的光，设置在3*3的方形结构中。
图2示出了用于图1中阵列的电路的例子。
图3沿线III-III的截面示出了图1中装置，其中该电路设置在多层下底座中，其中用于红色信道的电路设置在互连层1，用于绿色信道的电路设置在互连层2中，以及用于蓝色信道的电路设置在互连层3中。由经过多层下底座的多层的电通路提供在有源LED元件和互连层之间的相互连接。
图4示出了本发明的来自3000K白发射RGB阵列的光谱的例子。
具体实施方式
本发明的示例性实施例，如图1所示，包括一个九叠LED阵列1，以3*3方形结构形成在一个基片上。
该阵列分成LED的三个独立组，一个提供蓝光的LED的组2，四个提供红光的LED的组3，以及四个提供绿光的LED的组4。
该三个组分别地连接到LED驱动器单元6，LED驱动器单元6通过用于蓝色7(到阴极)和17(到阳极)、用于绿色8(到阴极)和18(到阳极)、用于红色9(到阴极)和19(到阳极)的各个连接器，可独立地控制通过三个独立组的电压和/或电流。可替换地，这些LED的组的阳极或阴极被连接，导致在LED驱动器单元和LED阵列之间只有四个电绝缘的连接。
图1中的阵列因此构成一个RGB单元，RGB单元在分别由蓝色、绿色和红色组的颜色点限定的颜色空间内可提供任何颜色的光。通过单独地控制穿过不同颜色组的电流，阵列的总颜色是可变的。
该阵列设置在具有单独地连接到该三个组的电路的底座5上。
在图2示意性地示出该电路，并示出该三个组分别地连接到相互绝缘的电路的不同部分。蓝色LED2连接到此前指定的电路的部分21，绿色LED3连接到之前指定的电路的部分22，以及红色LED4连接到之前指定的电路的部分23。
如图3所示，电路的三个组可设置在多层底座的三个不同的层上。因此，该“红”电路21设置在第一层31上，该“绿”电路22设置在第二层32上，以及“蓝”电路23设置在第三层33上。
然而，用于一组LED的电路不需要限制在至单个互连层的位置。使用在互连层之间以及穿过多层下底座的一个或多个层的电通路，多个互连层可用于特定颜色的一组LED。在一些结构中，这可能是有益的，例如对于减少互连层的数量以及由此减少多层下底座的厚度，这可导致减少下底座的热阻抗。一般地，本发明的多叠LED阵列包括大量的有源元件(LED)，其全部形成在相同的基板上，且其由通用基板构成一个整体部分。因此阵列中所有LED发射相同颜色的光。
适当的基板包括高阻抗的基板，例如蓝宝石、碳化硅或氮化镓。通过用化学蒸发沉积(CVD)、分子束外延(MBE)或任何其他适当的方法，在基板上生长用于在基板上形成发光二极管所需的半导体层，可以在基板上形成多个LED。另外，该基板优选地是一种具有低光学吸收的基板。
适合的LED的例子包括但不限于GaN、AlGaN、InGaN和AlInGaN二极管。
阵列的每个LED元件优选地具有其自己的从该元件的阳极和阴极到互连电路的连接器的组，该互连电路提供一组LED(发射基本相同颜色或波长变换颜色)的元件的串联连接。优选地，如此形成该元件(LED)，使得到阳极和阴极的连接器设置在LED阵列的相同侧，与光传播侧相对。因此，用于驱动LED阵列的全部电路可设置在阵列的一侧上，不妨碍任何发射的光。
图1中所示的阵列包括9个有源元件(LED)。然而，在一个基板上并以任何几何配置形成的或多或少LED的阵列也可包括在所附权利要求的范围内。另外，不仅有源元件的几何形状和数量可不同于如图1所示，而且在一个多折叠LED阵列内单个元件的大小可变化，例如用于同时最优化各种颜色的颜色混合以及所需的各种颜色的光通量分布。在本发明的一个多折叠LED阵列中，所有LED发射基本上同颜色的光。为了提供多颜色的阵列，由该阵列的LED发射的光，本征颜色，必须转变成该多色阵列的不同颜色。
变换波长的化合物或磷光体是吸收一个波长或波长间隔的光并发射一个不同的波长或波长间隔的光的发光化合物。许多这样的发光化合物对于本领域人员是公知的。该术语“发光化合物”指磷光或荧光化合物。
这样的变换波长的化合物可用于将本征颜色变换成多颜色阵列的不同颜色。
该在此使用的术语“本征颜色”指直接由LED发射的颜色，并取决于用于在基板上形成LED的材料，这对于本领域技术人员是已知的。
图1示出阵列中LED的三种不同颜色可通过几种方式实现。
例如，在发射紫外或近紫外光的有源元件(LED)的情况下，通过提供在具有紫外到蓝变换化合物的蓝色组中的元件形成蓝色信道。由此通过提供在分别具有紫外到绿和紫外到红的变换化合物的绿色组和红色组中的元件形成绿色信道和红色信道。
在另一种情况，其中有源元件(LED)发射蓝光，没有给蓝色信道提供任何变换波长的化合物，因此通过分别给绿色组和红色组中的元件提供蓝到绿和蓝到红的变换化合物形成绿色信道和红色信道。在图4中示出了来自根据这种具有本征蓝色信道和波长变换的绿色和红色信道的实施例的RGB阵列的波长光谱，产生色温3000K的白光。
对于本领域普通技术人员，如上所述的蓝到绿、蓝到红、紫外到蓝、紫外到绿和紫外到红变换化合物的变换波长化合物，以及其他变换波长化合物是公知的。
图1的阵列是一种RGB阵列。然而，本发明决不限于使用蓝色、绿色、和红色的组合来形成一种多颜色阵列。其他颜色和颜色的组合也可用于本发明的装置中，例如三颜色组合，比如青色、绿色、和红色；青色、黄色和红色；蓝色、黄色和红色；颜色组合包括白色，例如通过使蓝色穿过黄色磷光体层泄漏，比如白色、绿色和红色；白色、黄色和红色；或4颜色组合，比如白色、蓝色、绿色、红色；蓝色、青色、绿色、红色。
优选地是，本发明阵列的LED的本征颜色是紫外、近紫外或蓝色，因为具有短波长的光能容易地被变换成较长波长的光。优选地是，设定的颜色之一是在淡黄-红光谱范围，以允许产生黑体位置的全部颜色点。
将蓝光变换成红光的荧光材料的例子包括从SrS:Eu、Sr2Si5N8:Eu、CaS:Eu、Ca2Si5N8:Eu、(Sr1-XCaX)S:Eu和(Sr1-XCaX)2Si5N8:Eu和(x＝0-1)形成的组中选择的一些材料。表现出相对高稳定性的Sr2Si5N8:Eu是一种合适的发光材料。另外，Sr2Si5N8:Eu是避免使用硫化物的发光材料。SrS:Eu具有大约610nm的峰值波长，Sr2Si5N8:Eu具有大约620nm的峰值波长，CaS:Eu具有大约655nm的峰值波长，而Ca2Si5N8:Eu具有大约610nm的峰值波长。
将蓝光变换成绿光的荧光材料的例子包括选自由下面物质形成的组中的那些：(Ba1-XSrX)2SiO4:Eu(x＝0-1，优选x＝0.5)，SrGa2S4:Eu，Lu3Al5O12:Ce和SrSi2N2O2:Eu。在稳定性方面，Lu3Al5O12:Ce和SrSi2N2O2:Eu是非常合适的发光材料。另外，这些后面的发光材料避免使用硫化物。Ba0.5Sr0.5)2SiO4:Eu具有大约523nm的峰值波长，SrGa2S4:Eu具有大约535nm的峰值波长，Lu3Al5O12:Ce具有大约515nm和545nm的峰值波长，而SrSi2N2O2:Eu具有大约541nm的峰值波长。
适当的黄色/淡黄色的发光材料的一例子是(Y1-XGdX)3(Al1-YGaX)5O12:Ce x和y优选在0-0.5的范围)，其根据化学公式中的x和y值具有在560-590nm范围的峰值波长。
例如如上所述，使用变换波长的化合物来提供几种颜色的光，与使用具有不同本征颜色的LED相比，具有几个优点。
例如，广泛使用的发射淡黄色-红色的光的AlInGaP二极管的波长范围是温度敏感的。因此，包括这样的二极管的阵列的彩色再现指数随温度显著地变化。另外，AlInGaP材料是温度敏感的，且不能承受高温。例如，将AlInGaP二极管的温度从250C增加到1000C，来自二极管的光输出降低大概1/2。。
由此，通过利用变换波长化合物，其关于波长间隔和降级都是温度稳定的，混合发射光的选择色点几乎不或不依赖于温度，因为在工作温度范围具有很少热淬火的磷光体是可获得的，并且或直接或经过变换波长化合物由相同类型的LED产生所有颜色。
优选地将该变换波长的化合物与LED元件光接触地设置，其中该LED元件的光将被变换。
该变换波长化合物可直接地沉积在LED阵列的所希望的有源元件上。用于沉积的不同方法对于本领域的技术人员是公知的，包括分配、喷溅、丝网印刷和电泳沉积该化合物。
另外，包括变换波长化合物的预定形状小板的镶嵌可安装并光学连接到LED阵列上。在这种情况下，该变换波长化合物嵌入在例如光学聚合物、溶胶-凝胶玻璃、或低温熔化玻璃的光学矩阵中。可替换地，施加磷光体作为具有在陶瓷小板和LED之间适当光学互连的陶瓷小板。
该变换波长的化合物例如可沉积在一种溶胶凝胶矩阵中以承受更高的工作温度。
绕着阵列的每个有源元件将平版印刷地制造墙壁以提供其中将沉积变换波长化合物的井。这样的墙壁也可防止相邻LED之间的相互影响。
在其他的情况中，变换波长化合物可设置在一个薄膜上，薄膜又设置在阵列的顶部。这样的薄膜可以是聚合物薄膜，例如硅树脂。可选择地，该变换波长化合物可设置在一个布置于LED阵列顶部的玻璃板上或者在半透明或透明陶瓷板上。优选地，用在该薄膜或板与LED阵列之间的变换波长化合物安装该薄膜或板。
在图1和2所示的实施例中，所有的三色组是可独立地寻址的。这使得可以在由三种设定的颜色限定的颜色空间中自由选择颜色。然而，根据本发明，也可以是这样的情况，只有一个颜色组是可独立地寻址的，以及其它两个或更多的颜色组可一起寻址。在这样的情况中，可沿着颜色空间中的线选择由阵列提供的颜色，这是通过可单独寻址的颜色组的色点和以固定比例驱动的两个或更多颜色组的色点确定的。通过两种连接的颜色相对于独立颜色的相对分布的改变，可获得这条线上的任何色点。本发明的阵列设置在具有电路的下底座上。适当的下底座材料包括但不限于电绝缘材料，例如硅和AlN。
可提供例如氧化硅之类的电绝缘层，以进一步将LED和电导线或互连绝缘。
优选地，该下底座材料是高热传导的，以从多个LED扩散和传导热量。优选地，该下底座具有相对低的热膨胀系数(CTE)，这接近LED的CTE，以使得能够可靠地并坚固地在该下底座上安装LED。优选地，该下底座通过优良的热接触安装到一个另外的热扩展器、热导体、热传输单元或热散热器。优选的是例如铝或铜的金属或者例如铝碳化硅(aluminum silicon carbide)的混合物。
该下底座具有一个电路，使得多折叠LED阵列的每个LED可具有到该电路的分开连接。该电路包括电传导材料的图案，例如，但不限于金属，如铝、铅、钨、钼或铜，或者非金属电传导材料。该电路进一步包括多个适于连接到阵列的有源元件的连接器。这样的连接器可设置在该下底座的表面上。
所有到每一个LED或来自每个LED的连接是通过电路实现。在在阵列中的LED之间的互连，例如在相同颜色组中的LED之间的互连，也是通过电路实现的。因此，在阵列自身的设计中，不需要包括这样的互连，因为这可由任何阵列布置的下底座中的电路容易地处理。
这也允许非常密集地封装阵列中的LED，因为不需要在阵列中设置在该阵列的不同LED之间的互连。
该电路的设计将依赖于将连接到该电路的多折叠LED阵列的设计。
如在图3中示出，电路的分开部件可设置在多层下底座的分开层上。这便于电路的图案化，因为该电路的不同部分之间的全部交叉是在分开的层中实现的，并因此由下底座材料相互绝缘。
多层底座可由电绝缘陶瓷层构成，电绝缘陶瓷例如氧化铝、氮化铝、或氧化铍。
通过串联地连接一组的LED，驱动电流保持在合理的低电平，例如少于1A，使得电导线应用具有相对小截面而不导致由于热耗散的导线中显著电损耗。
若例如10个LED元件并联连接，以及若单独的LED元件由最大电流1A驱动，则电源将提供10A的电流，对此将需要具有大截面的导线。在充分高的调制频率以脉冲宽度调制(PWM)提供这样高的电流是非常难的任务，尽管PWM是驱动LED的优选方式。
提供上述优选实施例的描述仅是用于说明性的目的，且目的不在于限制本发明的范围。对于本领域的技术人员，对上述实施例的几种修改和变化是显而易见的，例如本发明涉及一种包括多个本发明的发光装置的照明装置。另外，阵列的构件的几种变化是可能的，例如其他的变换波长化合物、基板材料等。
Claims (10)
1、一种颜色变化的发光装置，包括：
一个形成在一个高抗基板(10)上的多个发光二极管(2，3，4)的阵列(1)，所述阵列至少包括设置成提供第一颜色光的至少一个发光二极管(2)的第一组、设置成提供第二颜色光的至少一个发光二极管(3)的第二组和设置成提供第三颜色光的至少一个发光二极管(4)的第三组；和
一个在其上设置所述阵列(1)的下底座(5)，所述下底座提供有电路(21，22，23)，所述发光二极管的阵列连接到该电路，特征在于所述阵列中的每个发光二极管具有到所述电路的单独连接；
所述组的至少一个组包括通过所述电路串联地互连的至少两个发光二极管；和
所述电路包括外部连接器(7，17，8，18，9，19)，用于独立地寻址所述至少第一、第二和第三组的至少之一。
2.根据权利要求1的装置，其中所述电路包括第一部分(22)和第二部分(23)，所述第一部分连接到所述可独立地寻址的发光二极管的组，且与所述第二部分电绝缘。
3.根据权利要求1或2的装置，其中所述下底座是一个多层下底座，所述电路(21，22，23)部分地设置在下底座的第一层(31)上以及部分地设置在下底座的第二层(32)上。
4.根据权利要求2或3的装置，其中所述电路的所述第一部分(22)设置在下底座的第一层(31)上，以及所述电路的所述第二部分(23)设置在下底座的第二层(32)上。
5.根据前面任何一个权利要求的装置，其中给所述第一组的发光二极管(一个或多个)提供第一变换波长化合物，该第一变换波长化合物设置成将由所述二极管(一个或多个)发射的光变换成所述第一设定颜色的光，给所述第二组的发光二极管(一个或多个)提供第二变换波长化合物，该第二变换波长化合物设置成将由所述二极管(一个或多个)发射的光变换成所述第二设定颜色的光。
6.根据权利要求5的装置，其中由所述发光二极管发射的光是蓝色光，以及其中所述第一设定颜色是绿色，所述第二设定颜色是红色。
7.根据前面任何一个权利要求的装置，其中所述第三组的发光二极管(一个或多个)提供有第三变换波长化合物，该第三变换波长化合物设置成将由所述二极管(一个或多个)发射的光变换成所述第三设定颜色的光。
8.根据权利要求7的装置，其中由所述发光二极管发射的光是紫外光，以及其中所述第一设定颜色是绿色，所述第二设定颜色是红色，所述第三设定颜色是蓝色。
9.根据权利要求5-8的任一权利要求所述的阵列，其中所述变换波长化合物沉积在所述发光二极管(一个或多个)上。
10.根据权利要求5-8的任一权利要求所述的阵列，其中所述变换波长化合物设置在布置于所述阵列上的一个层的一个区域中，所述区域覆盖所述发光二极管(一个或多个)的至少一部分。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP04106320.7 | 2004-12-06 | ||
| EP04106320 | 2004-12-06 | ||
| PCT/IB2005/053928 WO2006061728A2 (en) | 2004-12-06 | 2005-11-28 | Single chip led as compact color variable light source |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101073155A true CN101073155A (zh) | 2007-11-14 |
| CN101073155B CN101073155B (zh) | 2010-09-29 |
Family
ID=36578285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2005800418721A Active CN101073155B (zh) | 2004-12-06 | 2005-11-28 | 作为小型颜色可变光源的单片led |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8026532B2 (zh) |
| EP (1) | EP1825515B1 (zh) |
| JP (1) | JP5616000B2 (zh) |
| KR (1) | KR101199260B1 (zh) |
| CN (1) | CN101073155B (zh) |
| TW (1) | TW200640042A (zh) |
| WO (1) | WO2006061728A2 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106887486A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-06-23 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 用于白光led器件的条形码结构荧光陶瓷及其制备方法与应用 |
| CN108321285A (zh) * | 2018-04-02 | 2018-07-24 | 上海应用技术大学 | 一种白光led用图案化荧光薄膜结构及其制备方法 |
| CN110073489A (zh) * | 2016-12-21 | 2019-07-30 | 亮锐控股有限公司 | Led阵列模块 |
Families Citing this family (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005679B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
| US7614759B2 (en) | 2005-12-22 | 2009-11-10 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting device |
| US8441179B2 (en) | 2006-01-20 | 2013-05-14 | Cree, Inc. | Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources |
| US8998444B2 (en) | 2006-04-18 | 2015-04-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
| US7821194B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices including light mixtures |
| WO2008091837A2 (en) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters |
| EP2111641B1 (en) | 2007-01-22 | 2017-08-30 | Cree, Inc. | Illumination devices using externally interconnected arrays of light emitting devices, and method of fabricating same |
| US20080198572A1 (en) | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Medendorp Nicholas W | LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors |
| US7972030B2 (en) | 2007-03-05 | 2011-07-05 | Intematix Corporation | Light emitting diode (LED) based lighting systems |
| US7883226B2 (en) * | 2007-03-05 | 2011-02-08 | Intematix Corporation | LED signal lamp |
| JP4970095B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-07-04 | 富士フイルム株式会社 | 照明装置及びその発光方法、並びに撮影装置 |
| US8203260B2 (en) * | 2007-04-13 | 2012-06-19 | Intematix Corporation | Color temperature tunable white light source |
| US7703943B2 (en) * | 2007-05-07 | 2010-04-27 | Intematix Corporation | Color tunable light source |
| US7863635B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-01-04 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials |
| US8018135B2 (en) * | 2007-10-10 | 2011-09-13 | Cree, Inc. | Lighting device and method of making |
| WO2009055079A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same |
| KR100875961B1 (ko) * | 2007-11-29 | 2008-12-26 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드를 이용한 어레이 광원 및 이를 포함하는백라이트 유닛 |
| DE102008016525A1 (de) * | 2008-03-31 | 2009-11-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
| WO2009106063A1 (de) | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Monolithischer, optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines solchen |
| DE102008011848A1 (de) | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
| US8350461B2 (en) | 2008-03-28 | 2013-01-08 | Cree, Inc. | Apparatus and methods for combining light emitters |
| JP2009289957A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Yamaguchi Univ | 半導体発光装置、および撮像装置 |
| US20120181919A1 (en) * | 2008-08-27 | 2012-07-19 | Osram Sylvania Inc. | Luminescent Ceramic Composite Converter and Method of Making the Same |
| DE102008062933B4 (de) | 2008-12-23 | 2021-05-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Projektionsvorrichtung |
| US20100157586A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-24 | Joe Yang | Illuminative module for emitting white light via mixing the primary colors with fourth color |
| EP2211089A1 (en) * | 2009-01-26 | 2010-07-28 | GLP German Light Products GmbH | Apparatus and method for outputting a mixed-colored light beam |
| TWI466266B (zh) * | 2009-02-24 | 2014-12-21 | Epistar Corp | 陣列式發光元件及其裝置 |
| US8337030B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-25 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods |
| US8921876B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-12-30 | Cree, Inc. | Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements |
| FI20095967A (fi) | 2009-09-18 | 2011-03-19 | Valoya Oy | Valaisinsovitelma |
| CN102630288B (zh) | 2009-09-25 | 2015-09-09 | 科锐公司 | 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备 |
| US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
| US9275979B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation |
| US8684559B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-04-01 | Cree, Inc. | Solid state light source emitting warm light with high CRI |
| TW201200859A (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-01 | Yayatech Co Ltd | Fluoroscopy light source device |
| JP5257420B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2013-08-07 | ウシオ電機株式会社 | 光源装置 |
| US9648673B2 (en) | 2010-11-05 | 2017-05-09 | Cree, Inc. | Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters |
| US8556469B2 (en) | 2010-12-06 | 2013-10-15 | Cree, Inc. | High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires |
| US11251164B2 (en) | 2011-02-16 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting |
| US8723427B2 (en) | 2011-04-05 | 2014-05-13 | Abl Ip Holding Llc | Systems and methods for LED control using on-board intelligence |
| KR20130010283A (ko) * | 2011-07-18 | 2013-01-28 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 및 조명장치 |
| US10090442B2 (en) | 2012-04-06 | 2018-10-02 | Philips Lighting Holding B.V. | White light emitting module |
| US10197224B1 (en) | 2012-05-17 | 2019-02-05 | Colt International Clothing Inc. | Multicolored tube light with improved LED array |
| US9719642B1 (en) | 2012-05-17 | 2017-08-01 | Colt International Clothing Inc. | Tube light with improved LED array |
| JP6072472B2 (ja) * | 2012-08-27 | 2017-02-01 | シチズン電子株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
| DE102013206154A1 (de) * | 2013-04-08 | 2014-10-09 | Zumtobel Lighting Gmbh | Leuchtvorrichtung mit variabel einstellbarer Lichtfarbe |
| BR112015026793A2 (pt) * | 2013-04-22 | 2017-10-31 | Guizhou Gzgps Co Ltd | método de fabricação da ampola do diodo emissor de luz |
| CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
| US9198236B1 (en) | 2014-05-07 | 2015-11-24 | Grote Industries, Llc | System and method for controlling a multiple-color lighting device |
| WO2016152562A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | シャープ株式会社 | 発光装置、および発光装置パッケージ |
| JP6667237B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2020-03-18 | アルパッド株式会社 | 発光装置 |
| DE102016105989A1 (de) | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Modul |
| DE102016106493A1 (de) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| DE102016107493B4 (de) * | 2016-04-22 | 2021-10-14 | Tdk Electronics Ag | Trägersystem, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung desselben |
| FR3058570B1 (fr) * | 2016-11-10 | 2019-05-24 | Valeo Vision | Source lumineuse a unites electroluminescentes avec fonction de detection |
| US10923635B2 (en) | 2016-12-30 | 2021-02-16 | Lumileds Llc | Phosphor deposition system for LEDs |
| CN106684216A (zh) * | 2017-01-12 | 2017-05-17 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种用于白光led的复合透明荧光陶瓷片及其制备方法 |
| JP6986698B2 (ja) * | 2017-06-28 | 2021-12-22 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置及びそれを備える光学分析システム |
| DE102017117540A1 (de) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierender Halbleiterchip und Anzeigevorrichtung |
| DE102017119872A1 (de) * | 2017-08-30 | 2019-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
| KR102101422B1 (ko) * | 2019-04-15 | 2020-05-15 | 주식회사콘스탄텍 | 잉여 전압 제어를 통한 저전력 전광판 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06310763A (ja) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオードランプ |
| JPH0870141A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄランプ |
| US6600175B1 (en) * | 1996-03-26 | 2003-07-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
| JP3329716B2 (ja) * | 1997-12-15 | 2002-09-30 | 日亜化学工業株式会社 | チップタイプｌｅｄ |
| WO1999057945A1 (en) | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Fiber Optic Designs, Inc. | A lamp employing a monolithic led device |
| JP2001092381A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Nec Corp | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| US6486499B1 (en) * | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
| US6885035B2 (en) * | 1999-12-22 | 2005-04-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Multi-chip semiconductor LED assembly |
| US6661029B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-12-09 | General Electric Company | Color tunable organic electroluminescent light source |
| JP2002151250A (ja) | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Nippon Avionics Co Ltd | 平面発光パネルおよびその製造方法 |
| US6891200B2 (en) * | 2001-01-25 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units |
| US6547249B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-04-15 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Monolithic series/parallel led arrays formed on highly resistive substrates |
| DE10137042A1 (de) * | 2001-07-31 | 2003-02-20 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Planare Lichtquelle auf LED-Basis |
| US7858403B2 (en) * | 2001-10-31 | 2010-12-28 | Cree, Inc. | Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices |
| JP2004055772A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Citizen Electronics Co Ltd | Ｌｅｄ発光装置 |
| US7081704B2 (en) * | 2002-08-09 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7009199B2 (en) * | 2002-10-22 | 2006-03-07 | Cree, Inc. | Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current |
| JP2004220874A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Tohoku Pioneer Corp | 有機ｅｌ素子、およびその製造方法 |
| US20040206970A1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-10-21 | Martin Paul S. | Alternating current light emitting device |
| US7462502B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-12-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Color control by alteration of wavelength converting element |
-
2005
- 2005-11-28 CN CN2005800418721A patent/CN101073155B/zh active Active
- 2005-11-28 EP EP05807221.6A patent/EP1825515B1/en active Active
- 2005-11-28 US US11/720,629 patent/US8026532B2/en active Active
- 2005-11-28 KR KR1020077015432A patent/KR101199260B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-28 WO PCT/IB2005/053928 patent/WO2006061728A2/en active Application Filing
- 2005-11-28 JP JP2007543952A patent/JP5616000B2/ja active Active
- 2005-12-02 TW TW094142644A patent/TW200640042A/zh unknown
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110073489A (zh) * | 2016-12-21 | 2019-07-30 | 亮锐控股有限公司 | Led阵列模块 |
| CN110073489B (zh) * | 2016-12-21 | 2023-03-21 | 亮锐控股有限公司 | Led阵列模块 |
| US11817431B2 (en) | 2016-12-21 | 2023-11-14 | Lumileds Llc | LED array module |
| CN106887486A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-06-23 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 用于白光led器件的条形码结构荧光陶瓷及其制备方法与应用 |
| CN106887486B (zh) * | 2017-03-03 | 2019-11-15 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 用于白光led器件的条形码结构荧光陶瓷及其制备方法与应用 |
| CN108321285A (zh) * | 2018-04-02 | 2018-07-24 | 上海应用技术大学 | 一种白光led用图案化荧光薄膜结构及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1825515B1 (en) | 2015-11-25 |
| WO2006061728A3 (en) | 2006-11-30 |
| CN101073155B (zh) | 2010-09-29 |
| JP5616000B2 (ja) | 2014-10-29 |
| TW200640042A (en) | 2006-11-16 |
| KR101199260B1 (ko) | 2012-11-09 |
| JP2008523583A (ja) | 2008-07-03 |
| US20100109575A1 (en) | 2010-05-06 |
| WO2006061728A2 (en) | 2006-06-15 |
| US8026532B2 (en) | 2011-09-27 |
| EP1825515A2 (en) | 2007-08-29 |
| KR20070090234A (ko) | 2007-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101073155B (zh) | 作为小型颜色可变光源的单片led | |
| CN102272923B (zh) | 固态照明部件 | |
| CN102132424B (zh) | 固态照明部件 | |
| CN103828487B (zh) | 具有可选择和/或可调节色点的半导体发光器件以及相关方法 | |
| KR100924912B1 (ko) | 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈 | |
| US9335006B2 (en) | Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED | |
| EP2384088B1 (en) | Light emitting device for AC power operation | |
| CN104081112B (zh) | 高电压阵列发光二极管(led)器件、设备和方法 | |
| CN102203495B (zh) | 用于颜色混合的阵列布局 | |
| CN101855492B (zh) | 照明装置 | |
| CN102714897B (zh) | 固态照明设备、改变照明设备的发射光的方法及光引擎 | |
| EP1757170B1 (en) | Electroluminescent structure and led with an el structure | |
| US20100134043A1 (en) | Lighting device | |
| JP2008218485A (ja) | 発光装置 | |
| CN105309046A (zh) | 包括至少两组led的照明装置 | |
| US6120909A (en) | Monolithic silicon-based nitride display device | |
| KR101396583B1 (ko) | 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈 | |
| CN107637171A (zh) | 发光模块和具有发光模块的照明装置 | |
| JP5559338B2 (ja) | 発光装置とｌｅｄ電球 | |
| KR101274046B1 (ko) | 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈 | |
| JP7274013B2 (ja) | 照明装置および照明モジュール | |
| CN1601764A (zh) | 一种半导体发光二极管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Holland Ian Deho Finn Patentee after: KONINKLIJKE PHILIPS N.V. Address before: Holland Ian Deho Finn Patentee before: Koninklijke Philips Electronics N.V. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170316 Address after: Eindhoven Patentee after: KONINKLIJKE PHILIPS N.V. Address before: Holland Ian Deho Finn Patentee before: KONINKLIJKE PHILIPS N.V. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Eindhoven Patentee after: Signify Holdings Ltd. Address before: Eindhoven Patentee before: KONINKLIJKE PHILIPS N.V. |