JP5559338B2 - 発光装置とled電球 - Google Patents
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Description
一般式:(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)5(PO4)3・Cl …(1)
(式中、x、y、及びzは0≦x<0.5、0≦y<0.1、0.005≦z<0.1を満足する数である)
(式中、x、y、z、及びuは0≦x<0.2、0≦y<0.1、0.005<z<0.5、0.1<u<0.5を満足する数である)
一般式:(Sr1-x-y-z-uBaxMgyEuzMnu)2SiO4 …(3)
(式中、x、y、z、及びuは0.1≦x≦0.35、0.025≦y≦0.105、0.025≦z≦0.25、0.0005≦u≦0.02を満足する数である)
一般式:RE3AxAl5-x-yByO12:Cez …(4)
(式中、REはY、Lu、及びGdから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、A及びBは対をなす元素であって、(A,B)が(Mg,Si)、(B,Sc)、(B.In)のいずれかであり、x、y、及びzはx<2、y<2、0.9≦x/y≦1.1、0.05≦z≦0.5 を満足する数である)
一般式:(Si,Al)6(O,N)8:Eux …(5)
(式中、xは0<x<0.3を満足する数である)
一般式:(Sr1-xEux)αSiβAlγOδNω …(6)
(式中、x、α、β、γ、δ、及びωは0<x<1、0<α≦3、12≦β≦14、2≦γ≦3.5、1≦δ≦3、20≦ω≦22を満足する数である)
(式中、MはSm、Ga、Sb、及びSnから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、x及びyは0.08≦x<0.16、0.000001≦y<0.003を満足する数である)
一般式:(Y1-x-yEuxBiy)2O3 …(8)
(式中、x及びyは0.01≦x<0.15、0.001≦y<0.05を満足する数である)
一般式:(Ca1-x-ySrxEuy)SiAlN3 …(9)
(式中、x及びyは0≦x<0.4、0<y<0.5を満足する数である)
一般式:(Sr1-xEux)αSiβAlγOδNω …(10)
(式中、x、α、β、γ、δ、及びωは0<x<1、0<α≦3、5≦β≦9、1≦γ≦5、0.5≦δ≦2、5≦ω≦15を満足する数である)
一般式:(Ba1-x-y-z-uSrxMgyEuzMnu)2SiO4 …(11)
(式中、x、y、z、及びuは0.1≦x≦0.35、0.025≦y≦0.105、0.025≦z≦0.25、0.0005≦u≦0.02を満足する数である)
一般式:αMgO・βMgF2・(Ge1-xMnx)O2 …(12)
(式中、α、β、及びxは3.0≦α≦4.0、0.4≦β≦0.6、0.001≦x≦0.5を満足する数である)
まず、外形が30×30mmのアルミナ基板に、それぞれ表1に示すチップ間隔P1、P2でチップ形状が0.4×0.4mmのLEDチップを5直列×5並列に配置した。LEDチップの発光波長は表1に示す通りである。次いで、図1に示したように、直列接続されたチップ列をそれぞれ独立に透明なシリコーン樹脂で封止した。シリコーン樹脂は各チップ列のLEDチップを直線状に封止している。このようなLEDモジュール上にそれぞれ以下のようにして内面に蛍光膜を形成したカバー部材を設置することによって、実施例1〜4の白色発光装置を作製した。これら白色発光装置を後述する特性評価に供した。
5直列×5並列のLEDチップのチップ間隔P1、P2を、それぞれ表1に示す値に変更する以外は、実施例1と同様にして白色発光装置を作製した。これら白色発光装置を後述する特性評価に供した。
まず、外形が35×35mmのアルミナ基板に、それぞれ表3に示すチップ間隔P1、P2でチップ形状が0.6×0.6mmのLEDチップを4直列×4並列に配置した。LEDチップの発光波長は表3に示す通りである。次いで、図3に示したように、各LEDチップをそれぞれ個別に透明なシリコーン樹脂で封止した。このようなLEDモジュール上にそれぞれ以下のようにして内面に蛍光膜を形成したカバー部材を設置することによって、実施例5〜8の白色発光装置を作製した。これら白色発光装置の特性を実施例1と同様にして測定した。その結果を表4に示す。
4直列×4並列のLEDチップのチップ間隔P1、P2を、それぞれ表3に示す値に変更する以外は、実施例5と同様にして白色発光装置を作製した。これら白色発光装置の特性を実施例5と同様にして測定した。その結果を表4に示す。
まず、外形が25×25mmのアルミナ基板に、それぞれ表5に示すチップ間隔P1、P2でチップ形状が0.7×0.25mm(長辺と短辺の平均値:0.475mm)のLEDチップを5直列×5並列に配置した。LEDチップの発光波長は表5に示す通りである。次いで、図6に示したように、直列接続されたチップ列をそれぞれ独立に透明なシリコーン樹脂で封止した。このようなLEDモジュールを基体部(ヒートシンク)上に固定すると共に、それぞれ以下のようにして内面に蛍光膜を形成したグローブをLEDモジュール上に設置することによって、実施例9〜12のLED電球を作製した。これらLED電球の特性を実施例1と同様にして測定した。その結果を表6に示す。
5直列×5並列のLEDチップのチップ間隔P1、P2を、それぞれ表5に示す値に変更する以外は、実施例9と同様にしてLED電球を作製した。これらLED電球の特性を実施例9と同様にして測定した。その結果を表6に示す。
Claims (10)
- 基板と、前記基板上に配置された4個以上の紫外乃至紫色発光のLEDチップとを備え、前記4個以上のLEDチップは2個以上の前記LEDチップを直列接続した直列数が2列以上の直並列回路を構成しているLEDモジュールと、
前記LEDモジュールを覆うカバー部材と、
前記LEDチップから離間するように前記カバー部材に沿って設けられ、青色蛍光体、緑色乃至黄色蛍光体、及び赤色蛍光体を含有すると共に、前記LEDチップから出射された紫外乃至紫色光を吸収して白色光を発光する蛍光膜とを具備する発光装置であって、
前記4個以上のLEDチップは、それぞれ正方形又は長方形の形状を有し、かつ2.6L≦P≦10Lの条件(Pは1つの前記LEDチップの中心から最も近い位置に存在する他の前記LEDチップの中心までの距離、Lは前記LEDチップの形状が正方形の場合には一辺の長さ、長方形の場合には長辺と短辺の平均値である)を満足するように、マトリクス状に配置されていると共に、直列接続された各列の前記LEDチップをそれぞれ直線状に封止する透明樹脂層で覆われており、前記発光装置から出力される全光束が107ルーメンス以上であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1記載の発光装置において、
前記LEDチップから出射される前記紫外乃至紫色光は、発光ピーク波長が370nm以上415nm以下の範囲であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1記載の発光装置において、
前記青色蛍光体は
一般式:(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)5(PO4)3・Cl
(式中、x、y、及びzは0≦x<0.5、0≦y<0.1、0.005≦z<0.1を満足する数である)
で表される組成を有するユーロピウム付活アルカリ土類クロロ燐酸塩蛍光体からなり、
前記緑色乃至黄色蛍光体は
一般式:(Ba1-x-y-zSrxCayEuz)(Mg1-uMnu)Al10O17
(式中、x、y、z、及びuは0≦x<0.2、0≦y<0.1、0.005<z<0.5、0.1<u<0.5を満足する数である)
で表される組成を有するユーロピウム及びマンガン付活アルカリ土類アルミン酸塩蛍光体、
一般式:(Sr1-x-y-z-uBaxMgyEuzMnu)2SiO4
(式中、x、y、z、及びuは0.1≦x≦0.35、0.025≦y≦0.105、0.025≦z≦0.25、0.0005≦u≦0.02を満足する数である)
で表される組成を有するユーロピウム及びマンガン付活アルカリ土類珪酸塩蛍光体、
一般式:RE3AxAl5-x-yByO12:Cez
(式中、REはY、Lu、及びGdから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、A及びBは対をなす元素であって、(A,B)が(Mg,Si)、(B,Sc)、(B.In)のいずれかであり、x、y、及びzはx<2、y<2、0.9≦x/y≦1.1、0.05≦z≦0.5 を満足する数である)
で表される組成を有するセリウム付活希土類アルミン酸塩蛍光体、
一般式:(Si,Al)6(O,N)8:Eux
(式中、xは0<x<0.3を満足する数である)
で表される組成を有するユーロピウム付活サイアロン蛍光体、及び
一般式:(Sr1-xEux)αSiβAlγOδNω
(式中、x、α、β、γ、δ、及びωは0<x<1、0<α≦3、12≦β≦14、2≦γ≦3.5、1≦δ≦3、20≦ω≦22を満足する数である)
で表される組成を有するユーロピウム付活サイアロン蛍光体から選ばれる少なくとも1種からなり、
前記赤色蛍光体は
一般式:(La1-x-yEuxMy)2O2S
(式中、MはSm、Ga、Sb、及びSnから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、x及びyは0.08≦x<0.16、0.000001≦y<0.003を満足する数である)
で表される組成を有するユーロピウム付活酸硫化ランタン蛍光体、
一般式:(Y1-x-yEuxBiy)2O3
(式中、x及びyは0.01≦x<0.15、0.001≦y<0.05を満足する数である)
で表される組成を有するユーロピウム及びビスマス付活酸化イットリウム蛍光体、
一般式:(Ca1-x-ySrxEuy)SiAlN3
(式中、x及びyは0≦x<0.4、0<y<0.5を満足する数である)
で表される組成を有するユーロピウム付活カズン蛍光体、及び
一般式:(Sr1-xEux)αSiβAlγOδNω
(式中、x、α、β、γ、δ、及びωは0<x<1、0<α≦3、5≦β≦9、1≦γ≦5、0.5≦δ≦2、5≦ω≦15を満足する数である)
で表される組成を有するユーロピウム付活サイアロン蛍光体から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする発光装置。 - 請求項1記載の発光装置において、
前記蛍光膜は、さらに青緑色蛍光体及び深赤色蛍光体から選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする発光装置。 - 請求項4記載の発光装置において、
前記青緑色蛍光体は
一般式:(Ba1-x-y-z-uSrxMgyEuzMnu)2SiO4
(式中、x、y、z、及びuは0.1≦x≦0.35、0.025≦y≦0.105、0.025≦z≦0.25、0.0005≦u≦0.02を満足する数である)
で表される組成を有するユーロピウム及びマンガン付活アルカリ土類珪酸塩蛍光体からなり、
前記深赤色蛍光体は
一般式:αMgO・βMgF2・(Ge1-xMnx)O2
(式中、α、β、及びxは3.0≦α≦4.0、0.4≦β≦0.6、0.001≦x≦0.5を満足する数である)
で表される組成を有するマンガン付活マグネシウムフロロジャーマネート蛍光体からなることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の発光装置において、
前記基板はアルミナ焼結体からなることを特徴とする発光装置。 - 基板と、前記基板上に実装された4個以上の紫外乃至紫色発光のLEDチップとを備え、前記4個以上のLEDチップは2個以上の前記LEDチップを直列接続した直列数が2列以上の直並列回路を構成しているLEDモジュールと、
前記LEDモジュールが設置された基体部と、
前記LEDモジュールを覆うように前記基体部に取り付けられたグローブと、
前記グローブの内面に前記LEDチップから離間させて設けられ、青色蛍光体、緑色乃至黄色蛍光体、及び赤色蛍光体を含有すると共に、前記LEDチップから出射された紫外乃至紫色光を吸収して白色光を発光する蛍光膜と、
前記基体部内に設けられ、前記LEDチップを点灯させる点灯回路と、
前記点灯回路と電気的に接続された口金とを具備するLED電球であって、
前記4個以上のLEDチップは、それぞれ正方形又は長方形の形状を有し、かつ2.6L≦P≦10Lの条件(Pは1つの前記LEDチップの中心から最も近い位置に存在する他の前記LEDチップの中心までの距離、Lは前記LEDチップの形状が正方形の場合には一辺の長さ、長方形の場合には長辺と短辺の平均値である)を満足するように、マトリクス状に配置されていると共に、直列接続された各列の前記LEDチップをそれぞれ直線状に封止する透明樹脂層で覆われており、前記LED電球から出力される全光束が107ルーメンス以上であることを特徴とするLED電球。 - 請求項7記載のLED電球において、
前記蛍光膜は、さらに青緑色蛍光体及び深赤色蛍光体から選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とするLED電球。 - 請求項7又は請求項8記載のLED電球において、
前記基板はアルミナ焼結体からなることを特徴とするLED電球。 - 請求項7乃至請求項9のいずれか1項記載のLED電球において、
前記LEDモジュールは樹脂製ネジ又は金属製ネジで前記基体部に取り付けられていることを特徴とするLED電球。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006014857A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Lion Corp | 貼付剤製造用ロールサンド式塗工機及び貼付剤の製造方法 |
JP2006049857A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-02-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光源、および光源の作製方法、並びにカラー感熱プリンタ |
JP2007220432A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Erebamu:Kk | 発光装置 |
JP2008294309A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Showa Denko Kk | 発光装置、表示装置 |
JP2009107114A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Boeing Co:The | インテリジェントファスナ設置システム |
WO2009145259A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 株式会社東芝 | 白色光源、バックライト、液晶表示装置および照明装置 |
JP2010050236A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2010199145A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Ushio Inc | 光源装置 |
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---|---|---|---|---|
US6661029B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-12-09 | General Electric Company | Color tunable organic electroluminescent light source |
US20050285926A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light source assembly, method of producing light source assembly, and color thermal printer |
JP2009170114A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Led電球及び照明器具 |
JP2010050235A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006049857A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-02-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光源、および光源の作製方法、並びにカラー感熱プリンタ |
JP2006014857A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Lion Corp | 貼付剤製造用ロールサンド式塗工機及び貼付剤の製造方法 |
JP2007220432A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Erebamu:Kk | 発光装置 |
JP2008294309A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Showa Denko Kk | 発光装置、表示装置 |
JP2009107114A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Boeing Co:The | インテリジェントファスナ設置システム |
WO2009145259A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 株式会社東芝 | 白色光源、バックライト、液晶表示装置および照明装置 |
JP2010050236A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2010199145A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Ushio Inc | 光源装置 |
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