CN107637171A

CN107637171A - 发光模块和具有发光模块的照明装置

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Publication number: CN107637171A
Application number: CN201680027584.9A
Authority: CN
Inventors: 安永主; 金度烨; 孙彦镐; 辛美娜
Original assignee: LG Innotek Co Ltd
Current assignee: LG Innotek Co Ltd
Priority date: 2015-03-11
Filing date: 2016-03-09
Publication date: 2018-01-26
Also published as: US10412808B2; KR102271161B1; WO2016144103A1; US20180063916A1; KR20160109335A

Abstract

根据实施例的照明设备包括：电路板；多个发光模块，在电路板上具有用于发射不同颜色的第一至第三光源单元；控制单元，用于提供用于控制第一至第三光源单元中的每一个的电流的电流控制信号；驱动器，用于利用控制单元的电流控制信号控制第一至第三光源单元的电流；以及存储单元，用于存储多个发光模块中的每一个的第一至第三光源单元的光通量偏差数据，其中，第一光源单元包括用于发射红光的多个第一发光装置，第二光源单元包括用于发射绿光的多个第二发光装置，第三光源单元包括用于发射蓝光的多个第三发光装置，控制单元根据与光通量偏差数据对应的输入电流的强度值分别控制多个发光模块的第一、第二和第三光源单元的电流。

Description

发光模块和具有发光模块的照明装置

技术领域

实施例涉及发光模块和具有该发光模块的照明设备。

背景技术

诸如发光二极管的发光装置是一种将电能转换为光的半导体装置，其作为替代现有的荧光灯和白炽灯的下一代光源而受到重视。

发光二极管可以使用半导体装置产生光，因此与通过加热钨发光的白炽灯相比或与通过高压放电产生的紫外光撞击荧光粉而发光的荧光灯相比，消耗相对低的功率。

此外，由于发光二极管通过使用半导体装置的电位差来产生光，因此与常规光源相比，发光二极管具有更长的寿命、更快的响应特性和环境友好性。

因此，已经进行了用发光二极管代替常规光源的大量研究，并且发光二极管越来越多地被作为照明设备(诸如室内和室外环境中使用的各种灯、液晶显示器、电路板和路灯)的光源使用。

发明内容

技术问题

实施例提供了一种具有发射不同颜色的光的多个发光装置的发光模块。

实施例提供了一种发光模块，其中考虑到各个发光装置的发热特性来定位发光装置组。

实施例提供了一种发光模块，其中考虑到各个发光装置的发热特性来定位发射不同颜色的光的发光装置组。

实施例提供了一种发光模块，其中发射不同颜色的光的多个第一至第三发光装置设置在电路板上的反射构件的区域中。

实施例提供了一种照明设备，其中在发光模块的初始操作时发出的白光用对应于具有预定CCT(相关色温)的白光的输入电流的强度值进行补偿。

实施例提供了一种照明设备，其通过预先补偿从发光模块的红光、绿光和蓝光光源单元发射的白光的色度坐标和作为每个预定CCT的基准的白光的色度坐标之间的差异来控制红光、绿光和蓝光光源单元的输入电流的强度值。

实施例提供了一种照明设备，其具有控制单元，用于根据从发光模块检测到的温度将发光模块发出的白光控制到与具有预定CCT的白光相对应的输入电流的强度值。

实施例可以提供一种照明设备，其能够通过控制从不同发光模块发射的每种颜色的光通量以相同的值输出来减少从不同发光模块发射的光的色调差异。

实施例提供了一种允许高色彩再现和颜色控制的发光模块以及具有该发光模块的照明设备。

技术方案

有益效果

实施例可以改善发光模块的颜色均匀性。

实施例可以通过根据发热特性布置发光装置在发光模块中的位置来提高发光模块的散热效率。

实施例可以通过将发射不同颜色的发光装置的位置布置在发热中心来最小化电路板的尺寸。

实施例可以减小照明设备的预定CCT的颜色偏差。

实施例可以减小照明设备中的不同发光模块之间的色调差异。

实施例可以提高发光模块和具有该发光模块的照明设备的可靠性。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光模块的平面图。

图2是图1的发光模块的电路板的平面图。

图3是图1的发光模块的沿着A-A线的横截面图。

图4是图1的发光模块的电路配置图。

图5是示出在图1的发光模块中布置发光装置的示例的视图。

图6是示出图1的发光模块中的发光装置和布线的比较宽度的视图。

图7是用于说明在图1的发光模块中布置发光装置的形式的视图。

图8是根据第二实施例的发光模块的侧横截面图。

图9是图8的发光模块的沿线B-B的横截面图。

图10是图9的发光模块的沿着C-C线的横截面图。

图11是示出图8的发光模块的反射构件的另一示例的视图。

图12是示出根据第三实施例的发光模块作为图9的发光模块的另一示例的视图。

图13是图12的发光模块的沿D-D线的横截面图。

图14是图13的发光模块的反射构件的另一示例。

图15是根据第四实施例的发光模块的平面图。

图16是图15的发光模块的另一示例。

图17是图15的发光模块的侧横截面图。

图18是示出根据实施例的具有发光模块的灯单元的视图。

图19是示出根据实施例的发光模块的发光装置的一个示例的视图。

图20是示出根据实施例的发光模块的发光装置的第一变形示例的视图。

图21是示出根据实施例的发光模块的发光装置的第二变形示例的视图。

图22是示出根据实施例的发光模块的发光装置的第三变形示例的视图。

图23是示出根据实施例的具有发光模块的照明设备的视图。

图24是示出根据实施例的具有发光模块的照明设备的照明控制方法的视图。

图25是作为CIE 1931色度图示出了可从根据实施例的照明设备发出的光的色温的视图。

图26是CIE 1931色度图，其中，图25中示出的A被放大。

图27是示出了根据实施例的照明设备中的对图26的CIE 1931色度图的色度控制的示例的视图。

图28是示出了根据实施例的具有多个发光模块的照明设备的视图。

图29是示出了图28的照明设备的照明控制方法的视图。

图30是示出了根据实施例的发光模块的波长的视图。

具体实施方式

将详细描述本发明的实施例，使得它们可以由本发明所属领域的技术人员容易地实现。然而，本发明可以被实施为各种形式，并不限于此处描述的实施例。

通过整个说明书，相似的元件由相同的附图标记表示。如果提到一部分，诸如层、膜、区域或板，位于另一部分上，这种表达可以包括其间存在其它部分的情况以及其中该部分是直接位于所述另一部分上的情况。相反，如果提到一部分直接位于在另一部分上，则意味着它们之间不再有其它部分。

<发光模块>

在下文中，将参考图1至图7描述根据本发明的第一实施例的发光模块。

图1是根据第一实施例的发光模块的平面图。图2是图1的发光模块的电路板的平面图。图3是图1的发光模块的沿着线A-A的横截面图。图4是图1的发光模块的电路配置图。图5是示出了图1的发光模块中布置发光装置的示例的视图。图6是示出了图1的发光模块中的发光装置和布线的宽度比较的视图。图7是用于解释图1的发光模块中布置发光装置的形式的视图。

参考图1至图7，发光模块可以包括电路板10和设置在电路板10上并发光的光源单元4。

参见图1，光源单元4可以包括多个发射第一颜色的光的第一发光装置1A-1E、多个发射第二颜色的光的第二发光装置2A-2D、以及多个发射第三颜色的光的第三发光装置3A和3B。

可以布置不同数量的第一发光装置1A、1B、1C、1D和1E(以下称为1A-1E)、第二发光装置2A、2B、2C和2D(以下称为2A-2D)和第三发光装置3A和3B。

第一发光装置1A-1E可以设置在第二发光装置2A-2D和第三发光装置3A和3B的外部，第一发光装置1A-1E的数量多于第二发光装置2A-2D的数量或第三发光装置3A和3B的数量。

第一发光装置1A-1E所具有的发热特性可以高于第二发光装置2A-2D和第三发光装置3A和3B的发热特性。第二发光装置2A-2D所具有的发热特性可以等于或高于第三发光装置3A和3B的发热特性。

第一发光装置1A-1E所发射的光的波长可以大于第二发光装置2A-2D和第三发光装置3A和3B的峰值波长。第二发光装置2A-2D所发射的光的波长可以大于从第三发光装置3A和3B发射的光的峰值波长。在光源单元4中，可以设置数量更多的发射长波长的光的发光装置，同时可以设置数量更少的发射短波长的光的发光装置。

第一发光装置1A-1E可以是发射可见光谱中的红光的红光发射装置，并且可以发射具有614nm和620nm之间的峰值波长的光。

第二发光装置2A-2D可以是发射可见光谱中的绿光的绿光发射装置，并且可以发射具有540nm和550nm之间的峰值波长的光。

第三发光装置3A和3B可以是发射可见光谱中的蓝光的蓝光发射装置，并且可以发射具有455nm和470nm之间的峰值波长(Wp)的光。红色、绿光和蓝色的波长光谱将参照图30。

第一发光装置1A-1E可以发射红光，第二发光装置2A-2D可以发出绿光，第三发光装置3A和3B可以发出蓝光。因此，从光源单元4发射的光可以是白光。

参见图4，对于发光模块，多个第一发光装置1A-1E可以彼此串联连接，彼此串联连接的多个第二发光装置2A-2D的输入端子可以连接到多个第一发光装置1A-1E的输出端子。彼此串联连接的多个第三发光装置3A和3B的输入端子可以连接到多个第二发光装置2A-2D的输出端子。

光源单元4的发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B中的每个可以是发光二极管(LED)封装或芯片。

电路板10可以形成为树脂基印刷电路板(PCB)、金属芯PCB(MCPCB)和柔性PCB(FPCB)之一。在电路板10中，第一方向X上的距离X1可以比第二方向Y上的距离Y1长。第一方向X上的距离X1可以被定义为电路板10的宽度。

如图2和图3所示，电路板10可以包括用于散热的金属层L1、用于与金属层L1绝缘的绝缘层L2、以及绝缘层L2上的保护层L3和布线层L4。布线层L4可以选择性地连接到光源单元4。

电路板10的金属层L1可以具有对应于电路板10的厚度的60％或更大的厚度，并且可以由具有高导热系数的材料形成，例如，由铜、铝、银或金、或含有这些金属元素中的一种或更多种的合金形成。金属层L1的厚度可以为约300μm或更大，例如，为500μm或更大。

绝缘层L2可以使金属层L1和布线层L4彼此绝缘，并且可以包含环氧基或聚酰亚胺基树脂。在绝缘层L2的内部，可以分散有诸如填料、玻璃纤维等的固体成分，与此不同，可以分散诸如氧化物、氮化物等有机材料。绝缘层L2可以包含诸如SiO₂、TiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄和Al₂O₃的材料。绝缘层L2的厚度可以在5μm至7μm的范围内。

可以将电路板10的布线层L4蚀刻成预定的电路图案，并且可以将保护层L3暴露于电路图案的上表面的某些区域，由此该区域可以用作焊盘P1和P2。布线层L4可以由铜或含有铜的合金形成。可以用镍、银、金或钯、或含有这些元素中的一种或更多种的合金来处理布线层L4的表面。布线层L4的厚度可以为100μm或更大。布线层L4可以通过多个焊盘P1和P2连接到发光装置1A、1B、1C、1D、1E、2A、2B、2C、2D、3A和3B。

保护层L3可以是保护布线层L4的层。保护层L3作为阻挡除了焊盘之外的区域被暴露的层，可以包含绝缘材料，诸如阻焊剂。保护层L3可以呈现白色并且可以提高光反射效率。保护层L3的焊盘P1和P2可以敞开。敞开的区域可以选择性地被形成为选自圆形、半球形、多边形和非典型形状的形状，但不限于此。

如图1和图2所示，电路板10的布线层L4可以包括连接多个第一发光装置1A-1E的第一布线部分21、22、23、24、25和26、连接多个第二发光装置2A-2D的第二布线部分31、32、33和34、以及连接多个第三发光装置3A和3B的第三布线部分35和36。

第一布线部分21、22、23、24、25和26可以设置在第二布线部分31、32、33和34以及第三布线部分35和36的外部。第一布线部分21、22、23、24、25和26可以设置在第二发光装置2A、2B、2C和2D以及第三发光装置3A和3B的外部。第一布线部分21、22、23、24、25和26的布线可以彼此间隔开并且可以将多个第一发光装置1A-1E彼此连接。

第一布线部分21、22、23、24、25和26可以将第一发光装置1A-1E彼此串联连接。多个第二发光装置2A-2D可以设置在第一布线部分21、22、23、24、25和26的内部，并且可以通过第二布线部分31、32、33和34彼此串联连接。多个第三发光装置3A和3B可以设置在多个第一发光装置1A-1E之间，并且可以通过第三布线部分35和36彼此串联连接。

第一布线部分21、22、23、24、25和26可以包括多个布线，例如，第一布线至第六布线21、22、23、24、25和26。第一布线部分21、22、23、24、25和26的布线的数量可以例如比第一发光装置1A-1E的数量大1。

第一布线部分21、22、23、24、25和26的布线中的每个的上部面积可以大于第二布线部分31、32、32、33和34以及第三布线部分35和36的布线中的每个的上部面积。

第一布线部分21、22、23、24、25和26的两个端子布线可以通过线路布线连接到第一连接端子11和第二连接端子12。例如，第一布线21和第六布线26可以通过第一连接端子11和第二连接端子12连接到连接器(图4的70)。第一布线21和第六布线26中的每一个所具有的表面面积可以小于第二至第四布线22、23、24和25中的每一个的表面面积。第二至第四布线22、23、24和25的表面面积可以大于第一布线21和第六布线26的表面面积，从而防止从光源单元4产生的热量的集中。

由于第一布线部分21、22、23、24、25和26的第二至第四布线22、23、24、25的上部面积可以被设置成比第一布线21和第六布线26的上部面积更宽，所以可以提高第一发光装置1A-1E的散热效率，并且可以提高第一发光装置1A-1E的操作可靠性。

在电路板10上设置在连接端子11、12、13、14、15和16的相对侧的第二布线22和第三布线23的表面面积或上部面积可以比其余布线21、24、25和26的表面面积或上部面积更宽，由此，多个第一发光装置1A-1E中的设置在热集中区域中的第一装置1A、第二装置1B和第三装置1C产生的热可以被有效散发。

第一至第六布线21、22、23、24、25和26可以包括设置在第一发光装置1A-1E下方的焊盘P1和P2。例如，第一至第六布线21、22、23、24、25和26的焊盘P1和P2可以电连接到相应的第一发光装置1A-1E。焊盘P1和P2可以是保护层L3已被去除的区域。

多个第一发光装置1A-1E可以基于第二发光装置2A-2D和第三发光装置3A和3B的区域设置在相对侧。例如，在多个第一发光装置1A-1E中，第一装置1A与第三装置1C和第四装置1D可以彼此相对设置，并且第二装置1B和第五装置1E可以彼此相对设置。或者，多个第一发光装置1A-1E中的至少两个可以相对于彼此对称地定位，例如，第二装置1B和第五装置1E可以相对于彼此对称地定位。

第二布线部分31、32、33和34可以包括第七至第十布线31、32、33和34。第二布线部分31、32、33和34可以包括连接到第一布线部21、22、23、24、25和26(例如，第六布线26)的输出端子的第七布线31、与第七布线31相邻的第八布线32、与第八布线32相邻的第九布线33、以及与第九布线33相邻的第十布线34。

第一布线部分21、22、23、24、25和26的输出端子可以是第二布线部分31、32、33和34的输入端子。例如，第一布线部分21、22、23、24、25和26的第六布线26可以是第二布线部分31、32、33和34的输入布线。第二布线部分31、32、33和34可以将第二发光装置2A-2D的第一到第四装置2A-2D彼此串联。

第二布线部分31、32、33和34的输出端子可以与第三布线部分35和36的输入端子连接。例如，第二布线部分31、32、33和34的输出端子的第十布线34可以是第三布线部分35和36的输入端子的布线。第三布线部分35和36可以将第三发光装置3A和3B的第一装置3A和第二装置3B相互串联。

如在图4中，多个第一发光装置1A-1E的输出端子可以连接到多个第二发光装置2A-2D的输入端子，并且多个第二发光装置2A-2D的输出端子可以连接到多个第三发光装置3A和3B的输入端子。

第二发光装置2A-2D的至少两个装置2A和2B可以设置在第一发光装置1A-1E的第五装置1E与第三发光装置3A和3B之间的区域中，其余的至少两个装置可以设置在第一发光装置1A-1E的第二装置1B与第三发光装置3A和3B之间的区域中。

在第一发光装置1A-1E中，第二装置1B和第五装置IE之间的间隔可以大于第一装置1A与第三装置1C或第四装置1D之间的间隔。

多个第三发光装置3A和3B可以在第一方向X上设置在第一发光装置1A-1E的装置1A、1C和1D中间，并且可以在方向Y上设置在第二发光装置2A-2D的装置2A-2D中间。第一方向X可以是电路板10的宽度方向，第二方向Y可以是电路板10的比宽度X1长的长度Y1的方向。

多个第一发光装置1A-1E可以基于第二发光装置2A-2D和第三发光装置3A和3B的区域彼此设置在相对侧或彼此面对。

多个第二发光装置2A-2D可以基于第三发光装置3A和3B的区域彼此设置在相对侧或彼此面对。

多个第二发光装置2A-2D的数量可以小于第一发光装置1A-1E的数量，可以大于第三发光装置3A和3B的数量。第二发光装置2A-2D的数量可以是第三发光装置3A和3B的数量的150％或更多，例如，200％或更多。第三发光装置3A和3B可以包括至少两个第三发光装置。

第一发光装置1A-1E的数量可以是第二发光装置2A-2D的数量的125％或更多。第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B的各个装置可以根据发光强度而被设置为不同数量，从而可以提高从电路板10发射的光的亮度均匀性。

连接到第一发光装置1A-1E的第一布线部分21、22、23、24、25和26的表面面积可以比连接到第二发光装置2A-2D的第二布线部分31、32、33和34的表面面积宽。连接到第二发光装置2A-2D的第二布线部分31、32、33和34的表面面积可以比连接到第三发光装置3A和3B的第三布线部分35和36的表面面积宽。因此，具有最高发热特性的第一发光装置1A-1E可以被设置在光源单元4的最外部，从第一发光装置1A-1E发出的热可以被有效地散发。此外，可以防止从第一发光装置1A-1E发出的热影响其他第二发光装置2A-2D和第三发光装置3A和3B。

如在图1和图2中，多个开口51、52和53可以被设置在第一布线部分21、22、23、24、25和26的任意布线的外部。多个开口51、52和53可以包括设置在第一布线21的外部21A中的第一开口51、设置在第二布线22和第三布线23的外部21B中的第二开口52、以及设置在第四布线24和第五布线25的外部21C中的第三开口53。

将第一开口至第三开口51、52和53彼此连接的线性形状可以是三角形形状。多个开口51、52和53可以设置在光源单元4的外部，并且可以支撑稍后描述的反射构件的下部。

第一至第六布线21、22、23、24、25和26的焊盘P1和P2可以设置在第一至第三开口51、52和53的位置的内侧。光源单元4可以设置在第一虚拟圆C1的内侧，第一虚拟圆C1具有从电路板10的可选中心起的预定半径。第一虚拟圆C1的直径D1可以为19mm或更大，例如，22mm或更大，这样的直径D1可以根据光源单元4的第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B的大小和数量而变化。限定光源单元4的区域的第一虚拟圆C1可以在19mm至30mm的范围内，例如，在20mm至25mm的范围内。第一虚拟圆C1可以限定能够设置在光源单元4的外围部分中的反射构件的边界区域。可以考虑从光源单元4产生的光的亮度以及光通量的均匀性来设置第一虚拟圆C1的直径D1。

第一至第三布线部分21、22、23、24、25、26、31、32、33、34、35和36可以选择性地连接到连接端子11、12、13和14。测试焊盘71可以暴露于与连接端子11、12、13和14相邻的相应线路。可以通过测试焊盘71测试各个布线是否工作以及电流和电压等。

识别标记76可以设置在电路板10上。识别标记76可以设置在第一虚拟圆C1的外部。识别标记76可以是用于在表面贴装技术(SMT)时设定坐标的标记。识别标记76可以设置在第一布线部分21、22、23、24、25和26的外侧。

模块温度感测区域75可以设置在第一布线部分21、22、23、24、25和26的任意布线中，并且模块温度感测区域75可以是其中一部分布线被暴露的区域。模块温度感测区域75可以设置成与第一发光装置1A-1E的任意装置1D和1E相邻。因此，模块温度感测区域75可以设置成与对温度最敏感的第一发光装置1A-1E的任意装置1D和1E相邻，并且可以提供模块温度。

热感测装置5可以设置在电路板10上。热感测装置5可以设置在与第一发光装置1A-1E的任意装置(例如，第六装置1E)相邻的区域中。热感测装置5可以设置成与第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B中具有最高发热特性的第一发光装置1A-1E的任何装置1E相邻。

热感测装置5可以通过第四布线部分45和46连接到连接端子15和16。热感测装置5可以是热敏电阻器，具有根据温度而变化的电阻值的可变电阻器。热感测装置5可以是电阻系数随温度升高而降低的负温度系数(NTC)。或者，热感测装置5可以是正温度系数(PTC)。

连接器70可以设置在连接端子11、12、13、14、15和16以及外部连接端子73中。连接器70可以选择性地向连接端子11、12、13和14供电，并且驱动第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B以使其导通或截止。

如在图4中，可以选择性地驱动或者同时导通或截止第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B，但不限于此。光源单元4包括第一光源单元4A、第二光源单元4B和第三光源单元4C，第一光源单元4A为成组的多个第一发光装置1A-1E，第二光源单元4B为成组的多个第二发光装置2A-2D，第三光源单元4C为成组的多个第三发光装置3A和3B。第一至第三光源单元4A、4B、4C可以单独驱动。

在电路板10中，开口51、52或53与布线层L4之间的间隔D4可以为1.2mm或更大，例如，1.5mm或更大。间隔D4可以防止与布线层L3的电气干扰。

在电路板10中，第一布线部分21、22、23、24、25和26可以与电路板10的边缘隔开预定距离D2。距离D2可以是2.5mm或更大，例如，3mm或更大。当距离D2极小时，可能通过电路板10的边缘发生泄漏电流。

外部连接端子73可以与电路板10的边缘间隔开预定距离D3，并且距离D3可以比距离D2宽。距离D3可以为3.5mm或更大，例如，4mm或更大。距离D3可以根据电源电压而变化。

参考图5和图6，第二布线部分31、32、33和34的第七布线31的宽度W3可以比第九布线33的宽度W2窄。第二发光装置2A-2D的第一装置2A和第二装置2B与第三发光装置3A和3B之间的间隔W5可以等于第二发光装置2A-2D的第三装置2C和第四装置2D与第三发光装置3A和3B之间的间隔。尽管第七布线31的宽度W3和第九布线33的宽度W2彼此不同，但是可以提供相同的第二发光装置与第三发光装置3A和3B之间的间隔W5，由此第二布线部分31、32、33和34的第七布线31以及第三布线部35和36之间的连接布线14A的宽度W4可以通过第二布线部31、32、33和34的第九布线33的宽度W2来补偿。

第七布线31和第九布线33的焊盘P1和P2的宽度W1可以彼此相同，但不限于此。第七布线31和第九布线33的焊盘P1和P2的宽度W1可以与第二发光装置2A、2B、2C和2D在第二方向上的宽度(例如，W1)相同，但是不限于此。

第九布线33的宽度W2可以比第九布线33的焊盘P1和P2的宽度W1宽。

第二布线部分31、32、33和34的第八布线32可以包括与第七布线31相邻的第一区域R1、与第九布线33相邻的第二区域R2、以及第三区域R3，第三区域R3在第一发光装置1A-1E的第三装置1C和第四装置1D与第三发光装置3A和3B的第二装置3B之间的区域中分支出。第一区域R1的宽度可以与第七布线31的宽度W1相同，并且第三区域R3的宽度可以与第九布线33的宽度W2相同，但是可以比第一区域R1的宽度宽。第八布线32的第二区域R2的宽度可以比第二发光装置2A-2D在第二方向上的宽度(例如，W1)宽。

以这种方式，由于第二发光装置2A-2D的第一装置2A和第二装置2B与第三发光装置3A和3B之间的间隔W5可以与第二发光装置2A-2D的第三装置2C和第四装置2D之间的间隔相同，所以可以提供装置之间的亮度均匀性。

第三布线部分35和36可以将第三发光装置3A和3B彼此串联连接。第三布线部分35和36的布线的宽度可以与第三发光装置3A和3B的宽度相同。

参考图7，电路板10上的光源单元4的外边界线可以由第一虚拟圆C1来实现。第一虚拟圆C1的直径可以小于穿过多个开口51、52和53的虚拟圆C4的直径，并且其直径可以大于穿过多个第一发光装置1A-1E的第二虚拟圆C2的直径。第一虚拟圆C1可以具有围绕中心D11(多个第三发光装置3A和3B之间的区域)的预定半径。

多个第一发光装置1A-1E可以设置在第一虚拟圆C1的内侧。第一虚拟圆C1可以设置在多个第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B的外侧。与多个第二和第三发光装置2A-2D、3A和3B相比，多个第一发光装置1A-1E可以与第一虚拟圆C1更邻近。

作为穿过多个第一发光装置1A-1E的圆的第二虚拟圆C2可以设置在多个第二发光装置2A-2D的外侧。作为穿过多个第二发光装置2A-2D的圆的第三虚拟圆C3可以设置在多个第一发光装置1A-1E的内侧，并且可以设置在第三发光装置3A和3B的外侧。第一到第三虚拟圆C1、C2和C3的中心D11可以是光源单元4的中心，并且可以是多个第三发光装置3A和3B之间的区域。

第一虚拟圆C1的直径D1可以小于第一至第三开口之间的距离D5，其可以根据开口51、52和53的数量而变化。穿过多个第一发光装置1A-1E的第二虚拟圆C2可以设置在第一至第三开口51、52和53的位置的内侧。因此，考虑到热特性，光源单元4可以设置在最佳位置。光源单元4可以设置在第一虚拟圆C1的区域内。

图8是根据第二实施例的发光模块的侧横截面图。图9是图8的发光模块的沿线B-B截取的横截面图。图10是图9的发光模块的沿着C-C线的横截面图。

参考图8至图10，发光模块100可以包括电路板10上的具有根据实施例的多个第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B的光源单元4、以及设置在光源单元4的周围的反射构件61。

发光模块100可以包括根据实施例的在电路板10上具有多个第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B的光源单元4。将参考第一实施例的描述来提供这种配置。

反射构件61可以附接到电路板10上。反射构件61可以围绕具有多个第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B的光源单元4，并可反射所发射的光。

反射构件61可以具有反射来自第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B的光的反射表面。反射构件61可以相对于电路板10大致垂直，或者可以与电路板10的上表面形成锐角θ1。反射表面可以通过使用能够容易反射光的材料的涂覆方法或沉积方法形成。

与第二发光装置2A-2D和第三发光装置3A和3B相比，第一发光装置1A-1E可以与反射构件61更邻近。

反射构件61可以包含树脂材料或金属材料。树脂材料可以包括塑料材料或者诸如硅或环氧树脂的树脂材料。反射构件61可以包括诸如硅或环氧树脂的树脂材料，并且可以在反射构件61的内部添加金属氧化物。金属氧化物可以具有高于模制构件的折射率的折射率，并且例如，可以包括TIO₂、Al₂O₃或SiO₂。金属氧化物可以以5w％或更多的量添加到反射构件中，并且可以表现出对于入射光的50％或更大的反射率，例如，78％或更大的反射率。

当反射构件61由金属材料形成时，反射构件61可以与电路板10的第一至第三布线部分间隔开，并且可以包含铝(Al)、银(Ag)、铝合金或银合金中的至少一种。

反射构件61的高度H1可以是允许从光源单元4发射的光的颜色混合的高度，但不限于此。

反射构件61的高度H1可以大于图1和图9所示的第一虚拟圆C1的直径D1或反射构件61的直径，以便最小化色觉差异。反射构件61的高度H1可以在等于或大于图1所示的第一虚拟圆C1的直径D1或反射构件61的直径的150％至等于或小于其300％的范围内。反射构件61的高度H1可以在图1和图9所示的第一虚拟圆C1的直径D1或反射构件61的直径的150％至250％的范围内。当反射构件61的高度H1偏离该范围时，光反射效率或光提取效率可能劣化，从而导致色觉差异或亮度降低。

这里，热感测装置5可以设置在反射构件61的外侧。

发光模块可以设置在电路板10上，并且可以包括设置在反射构件61内的透光构件67。透光构件67可以包含诸如硅或环氧树脂的透明树脂材料。磷光体可以不添加到透光构件67中。作为另一示例，可以在透光构件67中添加分散剂、散射剂或磷光体中的至少一种，但是透光构件67不限于此。

透光构件67可以接触电路板10的上表面和反射构件61的内表面。透光构件67的厚度可以与反射构件61的高度相同或更高，但不限于此。透光构件67的上表面可以包括凸面，凹面或平面中的至少一种。

透光构件67的上部直径可以比其下部直径D3宽。

反射构件61可以设置在图9所示的第一虚拟圆C1的外部或边界线上。当从其顶部观察时，反射构件61可以具有圆形、椭圆形或多边形。

反射构件61可以结合到图9的电路板10的开口51、52和53。如在图9和图10中，反射构件61的下部62可以延伸到电路板10的开口51、52和53。电路板10的开口51、52和53可以在不同位置支撑反射构件61的下部62。反射构件61可以结合到设置在电路板10中的多个开口51、52和53，并且可以被支撑在电路板10上。作为另一示例，当反射构件61由金属材料形成时，其可以通过绝缘材料与电路板10的金属层L1和布线层L4绝缘。

反射构件61可以结合到开口，并且可以接触电路板10的上表面，例如，保护层L3。因此，反射构件61可以接触电路板10的上表面并反射光。

如在图10中，反射构件61可以设置在电路板10的保护层L3的上表面上。反射构件61的下表面的宽度可以等于或小于开口62的宽度W6，但不限于此。

如在图10中，反射构件61的下部62可以在开口51、52和53内接触电路板10的保护层L3、绝缘层L2和金属层L1。开口51、52和53的位置可以设置在不与电路板10的布线垂直叠置的区域中。因此，可以防止由于反射构件61引起的电短路的发生。

发光模块可以减少所发出的白光的光通量、显色指数(CRI)和相关色温(CCT)的变化。此外，可以提高颜色均匀性，并且可以降低色觉的差异。

图11是示出图10的反射构件的另一示例的视图。

参考图11，反射层61A可以设置在反射构件61的内表面上。反射层61A可以接触电路板10的上表面，例如，保护层L3，并且可以设置成不电连接到电路板10内的布线部分。作为另一示例，反射层61A可以与电路板10的上表面(例如，保护层L3)间隔开或可以处于与电路板10的上表面不接触的状态。

图12是示出作为图9的发光模块的另一示例的根据第三实施例的发光模块的视图。图13是图12的发光模块沿D-D线的横截面图。

参考图12和图13，发光模块可以包括具有设置在电路板10上的多个第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B的光源单元4、设置在光源单元4的周围的反射构件61以及设置在反射构件61内的支撑突起65。

反射构件61可以结合到设置在电路板10中的多个开口51、52和53。反射构件61可以包含塑料材料或者诸如硅或环氧树脂的树脂材料。反射构件61具有环形，并且可以设置在光源单元4的周围。反射构件61从其顶部观察时可以具有圆形形状或多边形形状。

反射构件61可以在其中包括多个支撑突起65。多个支撑突起65可以设置在反射构件61内以彼此间隔开。

支撑突起65的高度可以与反射构件61的高度相同，并且可以向外暴露。通过向外暴露，可以提高散热效率。

作为另一示例，支撑突起65可以具有低于反射构件61的高度的高度，并且可以嵌入在反射构件61中。支撑突起65未通过反射构件61向外暴露，由此，可以防止水分渗透。

多个支撑突起65可以设置在第一布线部分21、22、23、24、25和26的布线区域上。支撑突起65可以设置成与电路板10的第三布线部分35和36的布线垂直叠置。因此，从电路板10的第三布线部分35和36传导的热可以被散发。

多个支撑突起65可以在第一布线部分21、22、23、24、25和26的三条或更多条布线上设置为单个或多个。例如，两个或更多个突起65可以设置在第一布线部分21、22、23、24、25和26的设置在连接端子11、12、13、14、15和16的相对侧的第二布线22和第三布线23上。

多个支撑突起65可以由与反射构件61的材料不同的材料形成，例如，由金属材料形成。支撑突起65可以由铝材料、铜材料或银材料形成，但不限于此。

如在图13中，支撑突起65可以穿过电路板10的通孔55，并且可以通过绝缘材料56与金属层L1绝缘。支撑突起65可以不与电路板10的布线层L4电连接。

由于多个支撑突起65设置在第一布线部分21、22、23、24、25和26上，所以从连接到第一布线部分21、22、23、24、25和26的第一发光装置1A-1E发出的热，可以被有效地发散。也就是说，具有最高发热特性的第一发光装置1A-1E可以被热保护。

图14是图13的另一示例。

参考图14，反射构件61内的支撑突起65可以接触第一布线部分21、22、23、24、25和26的布线，如在图12中。因此，从第一布线部分21、22、23、24、25和26的布线传导的热可以通过支撑突起65发散。也就是说，由于布线和支撑突起65引起的散热表面面积可以增加。

作为另一个例子，反射构件61内的支撑突起65可以不与第一布线部分21、22、23、24、25和26的布线接触，并且可以接触电路板10的保护层L3的上表面。支撑突起65可以发散从保护层L3传导的热量。

图15是根据第四实施例的发光模块的视图。

参考图15，发光模块可以包括光源单元4，光源单元4具有在电路板10上的多个第一发光装置1A、1Aa、1B、1C、1D和1E、以及设置在第一发光装置1A、1Aa、1B、1C、1D和1E的内侧的第二发光装置2A-2D和第三发光装置3A和3B。根据第二实施例的反射构件61可以设置在光源单元4的周围。

多个第一发光装置1A、1Aa、1B、1C、1D和1E可以串联布置，并且可以沿着第一虚拟圆C1设置在第一虚拟圆C1的内侧。

多个第一发光装置1A、1Aa、1B、1C、1D和1E可以被布置成使得相对的装置可以彼此面对。例如，在第一发光装置1A、1Aa、1B、1C、1D和1E中，设置在相对侧的至少一对装置1A和1D、1Aa和1C或1B和E可以彼此面对或可以相互对应。也就是说，当设置偶数个第一发光装置时，可以将成对的装置设置成彼此面对。第一布线部分21、22A、22、23、24、35和26的布线可以将第一至第六装置1A、1Aa、1B、1C、1D和1E彼此串联连接。

多个第一发光装置1A、1Aa、1B、1C、1D和1E可以发射红光，并且可以设置在第二发光装置2A-2D和第三发光装置3A和3B的外侧。第二发光装置2A-2D可以发出绿光，并且可以设置在第三发光装置3A和3B的两侧。第三发光装置3A和3B可以发射蓝光，并且可以设置在第一发光装置1A、1Aa、1B、1C、1D和1E以及第二发光装置2A-2D的内侧。

图16是根据第四实施例的发光模块的视图。在描述图16时，将参照上面公开的实施例的描述来解释与上面公开的实施例相同的部分。

参考图16，发光模块可以包括其上设置有光源单元4的电路板10和设置在光源单元4的周围的反射构件61。发光模块可以包括图8的透光构件67。

光源单元4可以包括多个第一发光装置1A-1E、多个第二发光装置2A-2D和多个第三发光装置3A和3B。

多个第一发光装置1A-1E可以通过第一布线部分21、22、23、24、25和26彼此串联连接。连接到连接器(未示出)的第一连接端子11和第二连接端子11A可以设置在第一布线部分21、22、23、24、25和26的两个端子中。

多个第二发光装置2A-2D可以通过第二布线部分31、32、33和34A彼此串联连接。连接到连接器的第三连接端子12A和第四连接端子12B可以设置在第二布线部分31、32、33和34A的两个端子中。

多个第三发光装置3A和3B可以通过第三布线部分35A，35和36彼此串联连接。连接到连接器的第五连接端子13A和第六连接端子13B可以设置在第三布线部分35A、35和36的两个端子中。

第一布线部分21至26的布线21、22、23、24、25和26所设置的区域可以设置在第二布线部31、32、33和34A的外围。这里，第二布线部31、32、33、34A可以排除与第三连接端子12A和第四连接端子12B连接的连接线。

设置有第一布线部分21至26的布线21、22、23、24、25和26的区域可以设置在第三布线部分35A、35和36的外部。这里，第三布线部分35A、35和36可以排除连接到第五连接端子13A和第六连接端子13B的连接线。

第一布线部分21、22、23、24、25和26的输出侧布线可以与第二布线部分31、32、33和34A的输入侧布线分离，第二布线部分31、32、33和34A的输出侧布线可以与第三布线部35A、35和36的输入侧布线分离。

第一至第六连接端子11、11A、12A、12B、13A和13B可以控制向相应的第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B的电流供应，以根据其颜色驱动发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B。

多个第一发光装置1A-1E可以设置在多个第二和第三发光装置2A、2B、2C、2D、3A和3B的外侧与反射构件61之间。多个第一发光装置1A-1E的数量可以大于第二发光装置2A-2D的数量或第三发光装置3A和3B的数量。

反射构件61可以设置在多个第一至第三发光装置1A-1E、2A-2D、3A和3B的周围，即，在光源单元4的周围。反射构件61可以包含塑料或诸如硅或环氧树脂的树脂材料中的至少一种。由金属材料形成的反射层可以设置在反射构件61的内表面上。多个支撑突起可以设置在反射构件61内，但不限于此。

根据实施例的反射构件61可以结合到电路板10的开口51、52和53。

根据实施例的多个支撑突起可以结合到反射构件61的内部，但不限于此。

图17是根据第五实施例的发光模块的视图。

参考图17，发光模块可以包括电路板10、设置在电路板10上的根据实施例的光源单元4、设置在光源单元4上的反射构件61、设置在反射构件61内的透光构件67、以及设置在电路板10下方的散热器68。关于电路板10、光源单元4和反射构件61，请参考前述实施例中公开的说明。

透光构件67可以包含诸如硅或环氧树脂的透明树脂材料。磷光体可以不添加到透光构件67中。作为另一示例，可以在透光构件67中添加诸如黄色或红色磷光体的磷光体，但是透光构件67不限于此。

透光构件67可以接触电路板10的上表面和反射构件61的内表面。透光构件67的厚度可以与反射构件61的高度相同或更高，但不限于此。透光构件67的上表面可以包括凸面、凹面或平面中的至少一种。透光构件67的上部直径可以比其下部直径宽，但不限于此。

散热器68可以具有一个表面，在该一个表面上设置有光源单元4。这里，该一个表面可以是平坦表面，或者可以是具有预定曲线的表面。

散热器68的厚度可以比电路板10的厚度厚，并且可以比透光构件67的厚度薄。

散热器68可以具有散热片68A。散热片68A可以从散热器68的一侧向外突出或向外伸出。多个散热片68A可以在与设置电路板10的表面相反的方向上突出。散热片68A可以扩大散热器68的散热面积，以提高发光模块的散热效率。散热片68A的侧剖面形状可以是散热片68A的厚度沿向外方向减小的圆柱形状、多棱柱形状或柱状。

散热器68可以由具有优异的散热效率的金属材料或树脂材料形成，但不限于此。例如，散热器68的材料可以包含铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)和锡(Sn)中的至少一种。

图18是示出根据实施例的具有发光模块的灯单元的视图。

参考图18，灯单元可以包括电路板10、设置在电路板10上的根据实施例的光源单元4、设置在光源单元4的周围的反射构件61、设置在反射构件61内的透光构件67、设置在反射构件61上的光学构件69和设置在电路板10下方的散热器68。关于电路板10、光源单元4和反射构件61，请参照前述实施例中公开的说明。

可以不形成设置在反射构件61内的透光构件67，但不限于此。

光学构件69可以包括扩散片、水平和/或垂直棱镜片和亮度增强片中的至少一种。扩散片可以扩散入射光，水平和/或垂直棱镜片可以将入射光聚集到可选区域中，亮度增强片可以重新利用损耗光来改善亮度。

当透光构件67存在时，光学构件69可以接触透光构件67，但不限于此。透光构件67可以支撑光学构件69的下垂。

尽管在光学构件69被设置在单个发光模块上的结构中描述了光学构件69的宽度或面积，但是当布置多个发光模块时，光学构件69可以设置在多个发光模块上，但不限于此。

<发光装置>

图19是示出了根据实施例的发光装置设置在电路板上的示例的视图。

参考图19，发光模块可以包括电路板10和电路板10上的发光装置40。发光装置40可以是根据实施例的光源单元的发光装置之一，例如，第一至第三发光装置之一。

电路板10的焊盘P1和P2可以通过粘合构件98和99电连接到发光装置40。

电路板10可以是金属芯PCB(MCPCB)、基于树脂的PCB或柔性PCB(FPCB)，但不限于此。

电路板10可以包括例如金属层L1、绝缘层L2、布线层L4和保护层L3，但不限于此。布线层L4可以包括焊盘P1和P2。

发光装置40可以包括主体90、多个电极92和93、发光芯片94、接合构件95和模制构件97。

主体90可以包括从绝缘材料、透射材料和导电材料中选择的一种。例如，主体90可以由诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料、硅(Si)、金属材料、感光玻璃(PSG)、蓝宝石(Al₂O₃)、环氧模塑化合物(epoxy molding compound，EMC)、聚合物组(polymer group)和塑料基印刷电路板(PCB)中的至少一种形成。例如，主体90可以由选自诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料、硅或环氧类材料中的一种形成。从顶部观察时，主体90可以具有多边形形状、圆形形状或具有曲面的形状，但是实施例不限于此。

主体90可以包括腔91，腔91设置有敞开的上部和具有倾斜表面的外围部。例如，至少两个电极92和93可以设置在腔91的底表面上。电极92和93可以在腔91的底表面上彼此间隔开。腔91可以具有宽度比上部宽的下部，但是实施例不限于此。

电极92和93可以包括金属材料，例如，钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)中的至少一种，并且可以被配置为单个金属层或多金属层。

多个电极92和93之间的间隙部可以由等同于或不同于主体90的绝缘材料形成，但是实施例不限于此。

发光芯片94可以设置在多个电极92和93中的至少一个上。发光芯片94可以通过使用接合部件95结合或倒装结合至少一个电极92和93。接合部件95可以包括包含银(Ag)的糊状材料。

多个电极92和93可以通过粘合构件98和99电连接到电路板10的布线层L4的焊盘P1和P2。

发光芯片94可以选择性地发射在可见光波长和紫外(UV)波长之间的范围内的光。例如，发光芯片94可以选自红色LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、黄绿色LED芯片、UVLED芯片和白色LED芯片。发光芯片94包括III-V族元素和/或II-VI族元素的化合物半导体。尽管在本实施例中，发光芯片94以具有横向型(lateral type)电极结构的芯片结构来设置，但是发光芯片94可以以具有垂直型电极结构的芯片结构来设置，垂直型电极结构中两个电极沿垂直方向设置。发光芯片94通过诸如导线96的电连接构件电连接到多个电极92和93。

发光装置40可以是发射红光的第一发光装置，并且在第一发光装置中，发光芯片94可以由红色LED芯片形成，或者可以包括UV LED芯片和红色磷光体。

发光装置40可以是发射绿光的第二发光装置，并且在第二发光装置中，发光芯片94可以由绿色LED芯片形成，或者可以包括UV LED芯片和绿色磷光体。

发光装置40可以是发射蓝光的第三发光装置，并且在第三发光装置中，发光芯片94可以由蓝色LED芯片形成，或者可以包括UV LED芯片和蓝色磷光体。

一个或两个、更多个发光芯片94可以设置在腔91中。至少两个发光芯片可以彼此并联或串联连接，但是实施例不限于此。

具有树脂材料的模制构件97可以形成在腔91中。模制构件97可以包括诸如硅或环氧树脂的透明材料，并且可以形成为单层或多层结构。模制构件97的顶面可以包括平面形状、凹形和凸形中的至少一个。例如，模制构件97的上表面可以是凹面的或凸面的，并且可以用作发光芯片94的发光表面。

模制构件97可以包括磷光体，磷光体用于转换从包括在诸如硅或环氧树脂的树脂材料中的发光芯片94发射的光的波长。磷光体可以包括选自YAG、TAG、硅酸盐、氮化物和氮氧化物类的材料中的一种。磷光体可以包括红色磷光体、黄色磷光体和绿色磷光体中的至少一种，但是实施例不限于此。

可以在模制构件97上设置光学透镜(未示出)，并且光学透镜可以由折射率在1.4至1.7范围内的透明材料形成。此外，光学透镜可以包括诸如折射率为1.49的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、折射率为1.59的聚碳酸酯和环氧树脂(EP)的透明树脂材料、或透明玻璃。

图20是示出根据实施例的发光模块的发光装置的第一变形例的视图。

参考图20，发光模块可以包括电路板10和电路板10上的发光装置40A。发光装置40A可以是根据实施例的光源单元的发光装置之一，例如，第一至第三发光装置之一。

电路板10的焊盘P1和P2可以通过粘合构件161和162电连接到发光装置40A。

发光装置40A可以包括衬底111、第一半导体层113、发光结构120、电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143和支撑层140。

衬底111可以使用可透光的、绝缘的或导电的衬底。例如，衬底111可以使用蓝宝石(Al₂O₃)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge和Ga₂O₃中的至少一种。衬底111可以被定义为其上堆叠了半导体层的生长衬底。可以在衬底111的顶表面和底表面的至少一个或全部上形成多个凸部(未示出)，以提高光提取效率。每个凸部的侧截面形状可以包括半球形、半椭圆形或多边形中的至少一种。这里，可以在发光装置40A中去除衬底111，并且在这种情况下，可以将第一半导体层113或第一导电半导体层115设置为发光装置40A的顶层。

第一半导体层113可以形成在衬底111的下面。第一半导体层113可以使用II-V族化合物半导体形成。可以使用II-V族化合物半导体将第一半导体层113形成为至少一层或多层。第一半导体层113可以具有使用包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaAs、GaAsP、AlGaInP和GaP中的至少一种的III-V族化合物半导体的半导体层。第一半导体层113可以具有经验式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)，并且可以由缓冲层和未掺杂半导体层中的至少一种形成。缓冲层可以减小衬底和氮化物半导体层之间的晶格常数的差异，并且未掺杂半导体层可以提高半导体的晶体质量。这里，可以不形成第一半导体层113。

发光结构120可以形成在第一半导体层113的下方。发光结构120可以由II-V和III-V族化合物半导体选择性地形成，并且发射紫外谱带到可见光谱带的波长范围内的预定的峰值波长。

发光结构120包括第一导电半导体层115、第二导电半导体层119和形成在第一导电半导体层115和第二导电半导体层119之间的有源层117。另一半导体层可以进一步设置在层115、117和119中的每一层的上方或下方之一，但实施例不限于此。

第一导电半导体层115可以设置在第一半导体层113的下方，并且可以用掺杂有第一导电掺杂剂的半导体来实现，例如，n型半导体层。第一导电半导体层115包括经验公In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)。第一导电半导体层115的材料可以选自III-V族化合物半导体，例如，GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。第一导电掺杂剂是包括诸如Si、Ge、Sn、Se和Te的掺杂剂的n型掺杂剂。

有源层117设置在第一导电半导体层115的下方，选择性地包括单量子阱、多量子阱(MQW)、量子线结构或量子点结构，并且包括阱层和势垒层的周期。阱层/势垒层的周期包括成对的InGaN/GaN、GaN/AlGaN、AlGaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、AlGaAs/GaA、InGaAs/GaAs、InGaP/GaP、AlInGaP/InGaP和InP/GaAs中的至少一个。

第二导电半导体层119设置在有源层117的下方。第二导电半导体层119例如包括经验式In_xAl_yGa_1-x-y N(0≤x≤1,0≤y≤1，0≤x+y≤1)。第二导电半导体层119可以由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一种化合物半导体形成。第二导电半导体层119是p型半导体层，第一导电掺杂剂是p型掺杂剂，可以包括Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。

作为另一示例，在发光结构120中，可以使用p型半导体层来实现第一导电半导体层115，并且可以使用n型半导体层来实现第二导电半导体层119。可以在第二导电半导体层119上形成极性与第二导电半导体层119相反的第三导电半导体层。另外，发光结构120可以使用n-p结合结构、p-n结合结构、n-p-n结合结构和p-n-p结合结构之中的任意一种结构来实现。

电极层131形成在第二导电半导体层119的下方。电极层131可以包括反射层。电极层131可以包括与发光结构120的第二导电半导体层119接触的欧姆接触层。反射层的材料可以选自反射率为70％或更大的材料，例如，金属Al、Ag、Ru、Pd、Rh、Pt、Ir和两种或更多种上述金属的合金。反射层的金属可以在第二导电半导体层119的下面接触。欧姆接触层的材料可以选自透光材料和金属或非金属材料。

电极层131可以包括可透光电极层/反射层的堆叠结构，并且可透光电极层可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、AZO、氧化锑锡(ATO)、GZO、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf以及由上述选择性组合形成的材料来形成。金属反射层可以设置在可透光电极层的下方，并且可以由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、以及由上述选择性组合形成的材料来形成。作为另一示例，反射层可以由分布布拉格反射(DBR)结构形成，其中交替地设置有具有不同折射率的两个层。

可以在第二导电半导体层119和电极层131的至少一层的表面上形成诸如粗糙部的光提取结构，光提取结构可以改变入射光的临界角以改善光提取效率。

绝缘层133可以设置在电极层131的下方，并且可以设置在第二导电半导体层119的下表面、第二导电半导体层119和有源层117的侧表面、以及第一导电半导体层115的部分区域。绝缘层133形成在发光结构120的除电极层131、第一电极135和第二电极137之外的下部区域，以电保护发光结构12 0的下部。

绝缘层133包括绝缘材料或绝缘树脂，绝缘材料或绝缘树脂由具有Al、Cr、Si、Ti、Zn和Zr中的至少一种的氧化物、氮化物、氟化物和硫化物中的至少一种形成。例如，绝缘层133可以选择性地由SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃或TiO₂形成。绝缘层133可以形成为单层或多层，但是实施例不限于此。形成绝缘层133，以防止在发光结构120的下方形成用于结合的金属结构时发光结构120中的层间短缺。

绝缘层133可以由具有不同折射率的第一层和第二层交替设置的DBR结构形成。第一层可以由SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃和TiO₂中的任一种形成，并且第二层可以由除了第一层的材料之外的任何一种材料形成，但是实施例不限于此。此外，第一层和第二层可以由相同的材料形成，或由具有三层或更多层的一对形成。在这种情况下，可不形成电极层。

第一电极135可以设置在第一导电半导体层115的部分区域的下方，并且第二电极137可以设置在电极层131的一部分的下方。第一连接电极141设置在第一电极135下方，第二连接电极143设置在第二电极137下方。

第一电极135可以电连接到第一导电半导体层115和第一连接电极141，并且第二电极137可以电连接到第二导电半导体层119和第二连接电极143。

第一电极135和第二电极137可以由Cr、Ti、Co、Ni、V、Hf、Ag、Al、Ru、Rh、Pt、Pd、Ta、Mo、W或它们的合金中的至少一种形成，且可以形成为单层或多层。第一电极135和第二电极137可以以相同的堆叠结构或不同的堆叠结构形成。可以在第一电极135和第二电极137中的至少一个上进一步形成诸如臂或手指结构的电流扩散图案。此外，可以形成一个或多个第一电极135和第二电极137，并且第一电极135和第二电极137的数量不受限制。第一连接电极141和第二连接电极143中的至少一个可以设置为多个，但是实施例不限于此。

第一连接电极141和第二连接电极143提供功率和辐射路径的引导功能。第一连接电极141和第二连接电极143的形状可以包括圆形、多边形、圆柱形和多棱柱形中的至少一种。第一连接电极141和第二连接电极143可以由Ag、Al、Au、Cr、Co、Cu、Fe、Hf、In、Mo、Ni、Si、Sn、Ta、Ti、W和上述金属的选择性合金中的任一种形成。第一连接电极141和第二连接电极143可以镀有In、Sn、Ni、Cu及其选择性合金中的任一种，以改善与第一电极135和第二电极137的粘合力。

支撑层140可以包括导热材料，并且设置在第一电极135、第二电极137、第一连接电极141和第二连接电极143的周围。第一连接电极141和第二连接电极143的下表面可以暴露于支撑层140的下表面。

支撑层140用作支撑发光装置40A的层。支撑层140由绝缘材料形成，并且绝缘材料由诸如硅树脂或环氧树脂的树脂层形成。作为另一示例，绝缘材料可以包括糊剂或绝缘墨。绝缘材料可以由树脂形成，该树脂包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂(PPE)、聚苯醚(PPO)树脂、聚苯硫醚树脂、氰酸酯树脂、苯并环丁烯(BCB)、聚酰胺-胺(PAMAM)树枝状聚合物和聚丙烯-亚胺(PPI)树枝状聚合物、PAMAM内部结构和仅具有有机硅外表面的PAMAM-有机硅(OS)或其组合。支撑层140可以由与绝缘层133不同的材料形成。

可以将诸如具有Al、Cr、Si、Ti、Zn和Zr中的至少一种的氧化物、氮化物、氟化物和硫化物的至少一种化合物添加到支撑层140中。这里，添加到支撑层140中的化合物可以是热扩散剂，并且热扩散剂可以用作预定尺寸的粉末微粒、颗粒、填料和添加剂。热扩散剂包括陶瓷材料，陶瓷材料包括低温共烧陶瓷(LTCC)、高温共烧陶瓷(HTCC)、氧化铝、石英、锆酸钙、镁橄榄石、SiC、石墨、熔融石英、莫来石、堇青石、氧化锆、氧化铍和氮化铝。陶瓷材料可以由金属氮化物形成，该金属氮化物具有比诸如氮化物或氧化物的绝缘材料中的氮化物或氧化物高的导热率，并且金属氮化物可以包括例如导热率为140W/mK或更大的材料。陶瓷材料可以是诸如SiO₂、Si_xO_y、Si₃N₄、Si_xN_y、SiO_xN_y、Al₂O₃、BN、SiC(SiC-BeO)、BeO、CeO和AlN的陶瓷系列。导热材料可以包括C成分(金刚石、碳纳米管(CNT))。

发光装置40A的第一连接电极141和第二连接电极143可以通过粘合构件161和162安装在设置在电路板10上的焊盘P1和P2上。保护层(未示出)可以是设置在电路板10的上表面上。保护层可以包含反射材料，例如，可以由诸如白色抗蚀剂材料的抗蚀剂材料形成，但是实施例不限于此。

图21是示出根据实施例的发光模块的发光装置的第二变形例的视图。

参考图21，发光模块可以包括电路板10和在电路板10上的发光装置40B。发光装置40B可以是根据实施例的光源单元的发光装置之一，例如，第一至第三发光装置之一。

发光装置40B可以包括衬底111、第一半导体层113、发光结构120、电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143和支撑层140。可以去除衬底111和第一半导体层113。

发光装置40B和电路板10可以通过连接电极161和162彼此连接。电路板10的焊盘P1和P2可以通过连接电极161和162粘附到发光装置40B。

连接电极161和162可以包括导电块，即，焊料块。单个连接电极161或162或多个连接电极161和163可以布置在各个电极135和137的下方，但是实施例不限于此。绝缘层33可以暴露第一电极135和第二电极137，并且连接电极161和162可以将第一电极135和第二电极137与电路板10的焊盘P1和P2连接。

图22是示出根据实施例的发光模块的发光装置的第三变形例的视图。

参考图22，发光模块可以包括电路板10和电路板10上的发光装置40C。发光装置40C可以是根据实施例的光源单元的发光装置之一，例如，第一至第三发光装置之一。

发光装置40C可以连接到电路板10。发光装置40C包括发光结构225和多个电极245和247。发光结构225可以由II-VI族化合物半导体层形成，例如，由III-V族化合物半导体层或II-VI族化合物半导体层形成。多个电极245和247选择性地连接到发光结构225的半导体层以供电。

发光结构225包括第一导电半导体层222、有源层223和第二导电半导体层224。发光装置40C可以包括衬底221。衬底221设置在发光结构225上。衬底221可以是例如可透光的、绝缘衬底或导电衬底。

电极245和247设置在发光装置40C的下部，电极245和247包括第一电极245和第二电极247。第一电极245和第二电极247彼此分开设置在发光装置40C的下方。第一电极245电连接到第一导电半导体层222，第二电极247电连接到第二导电半导体层224。第一电极245和第二电极247的底部的形状可以是多边形形状或圆形形状，或形成为对应于电路板10的焊盘P1和P2的形状。第一电极245和第二电极247中的每一个的下表面面积可以形成为在尺寸上与第一电极415和第二电极417中的每一个的上表面相对应。

发光装置40C可以包括在衬底221和发光结构225之间的缓冲层(未示出)和未掺杂半导体层(未示出)中的至少一个。缓冲层是用于减轻衬底221和半导体层的晶格常数之间的差异的层，并且可以选择性地由II-VI族化合物半导体形成。可以在缓冲层的下方进一步形成未掺杂的III-V族化合物半导体层，但实施例不限于此。衬底221可以被去除。当去除衬底221时，可以暴露第一导电半导体层222的上表面或另一半导体层的上表面。

发光装置40C包括第一电极层241和第二电极层242、第三电极层243和绝缘层231和233。第一电极层241和第二电极层242中的每一个可以形成为单层或多层，并且可以用作电流扩散层。第一电极层241和第二电极层242可以包括设置在发光结构225下方的第一电极层241和设置在第一电极层241下方的第二电极层244。第一电极层241扩散电流，并且第二电极层242反射入射光。

第一电极层241和第二电极层242可以由不同的材料形成。第一电极层241可以由透光材料形成，例如，由金属氧化物或金属氮化物形成。第一电极层可以由ITO、ITO氮化物(ITON)、IZO、IZO氮化物(IZON)、IZTO、IAZO、IGZO、IFTO、AZO、ATO和GZO选择性地形成。第二电极层242可以与第一电极层241的下表面接触并用作反射电极层。第二电极层242包括例如Ag、Au或Al。当去除第一电极层241的部分区域时，第二电极层242可以部分地与发光结构225的下表面接触。

作为另一示例，第一电极层241和第二电极层242可以与全向反射器(ODR)层堆叠。ODR结构可以用具有低折射率的第一电极层241和与第一电极层241接触的高反射金属材料的第二电极层242的堆叠结构来形成。第一电极层241和第二电极层242可以由ITO/Ag的堆叠结构形成。在第一电极层241和第二电极层242之间的界面处可以改善全向反射角。

作为另一示例，第二电极层242可以被去除，并且可以形成为另一材料的反射层。反射层可以使用DBR结构形成。DBR结构包括其中交替设置具有不同折射率的两个电介质层的结构，并且可以包括例如SiO₂层、Si₃N₄层、TiO₂层、Al₂O₃层和MgO层中的任何不同的电介质层。作为另一示例，电极层241和242可以包括DBR结构和ODR结构两者，并且在这种情况下，可以提供具有98％或更大的光反射率的发光装置40C。由于在使用倒装法安装的发光装置40C中，从第二电极层242反射的光发射穿过衬底221，所以大多数光可以垂直向上发射。

第三电极层243设置在第二电极层242的下方，并与第一电极层241和第二电极层242电绝缘。第三电极层243包括Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag和P中的至少一种金属。第一电极245和第二电极247设置在第三电极层243的下方。绝缘层231和233阻止第一电极层241和第二电极层242、第三电极层243、第一电极245和第二电极247以及发光结构225之间的不必要的接触。绝缘层231和233包括第一绝缘层231和第二绝缘层233。第一绝缘层231设置在第三电极层243和第二电极层242之间。第二绝缘层233设置在第三电极层243和第一电极245或第二电极247之间。第一电极245和第二电极247可以包括与焊盘P1和P2相同的材料。

第三电极层243连接到第一导电半导体层222。第三电极层243的连接部分244可以作为过孔结构穿过发光结构225的下部而突出，并且可以接触第一导电半导体层222。连接部244可以设置为多个。第一绝缘层231的一部分232沿着连接部分244的圆周延伸以阻止第三电极层243与第一电极层241和第二电极层242、第二导电半导体层224和有源层223之间的电连接。绝缘层可以设置在发光结构225的侧表面处以保护侧表面，但是实施例不限于此。

第二电极247设置在第二绝缘层233的下方，并通过第二绝缘层233的敞开区域接触或连接到第一电极层241和第二电极层242中的至少一个。第一电极245设置在第二绝缘层233的下方并通过第二绝缘层233的敞开区域连接到第三电极层243。因此，第一焊盘247的突起248通过第一电极层241和第二电极层242电连接到第二导电半导体层224，以及第二焊盘248的突起246通过第三电极层243与第一导电半导体层222电连接。

第一电极245和第二电极247在发光装置40C的下部彼此间隔开，并且面对电路板10的焊盘P1和P2。第一电极245和第二电极247可以包括多边形形状的凹部271和273，并且凹部271和273朝向发光结构225凸状地形成。凹部271和273可以形成为具有与第一电极245和第二电极247的厚度相同或比其小的深度245和247，凹部271和273的深度可以增加第一电极245和第二电极247的表面面积。

接合构件255和257分别设置在第一电极245和第一焊盘P1之间的区域以及第二电极247和第二焊盘P2之间的区域中。接合构件255和257可以包括导电材料，并且具有设置在凹部271和273处的部分。由于接合构件255和257设置在凹部271和273处，所以接合构件255和257与第一电极245和第二电极247之间的接触面积可以增加。因此，由于第一电极245和第二电极247与第一焊盘P1和第二焊盘P2彼此接合，所以可以提高发光装置40C的电可靠性和辐射效率。

接合构件255和257可以包括焊膏材料。焊膏材料包括Au、Sn、Pb、Cu、Bi、In和Ag中的至少一种。由于接合构件255和257直接将热传导到电路板10，所以与使用封装的结构相比，可以提高导热效率。此外，由于接合构件255和257是热膨胀系数与第一电极245和第二电极247差异小的材料，所以可以提高导热效率。

作为另一示例，接合构件255和257可以包括导电膜，并且导电膜包括绝缘膜内的一个或更多个导电微粒。导电微粒可以包括例如金属、金属合金或碳中的至少一种。导电微粒可以包括Ni、Ag、Au、Al、Cr、Cu和C中的至少一种。导电膜可以包括各向异性导电膜或各向异性导电粘合剂。

粘合构件，例如导热膜，可以被包括在发光装置40C和电路板10之间。导热膜可以使用聚酯树脂(诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸丁二醇酯)、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯乙烯类树脂(诸如聚苯乙烯树脂和丙烯腈-苯乙烯树脂)、聚碳酸酯树脂、聚乳酸树脂和聚氨酯树脂。此外，导热膜可以包括聚烯烃树脂(诸如聚乙烯，聚丙烯和乙烯-丙烯共聚物)、乙烯基树脂(诸如聚氯乙烯树脂和聚偏二氯乙烯树脂)、聚酰胺树脂、基于磺的树脂(sulfon-based resin)、聚醚醚酮类树脂、芳基化物类树脂或上述树脂的共混物中的至少一种。

发光装置40C可以通过电路板10的表面和发光结构225的侧表面和上表面发光，以提高光提取效率。发光装置40C可以直接接合在电路板10上，从而简化工艺。此外，随着发光装置40C的辐射得到改善，发光装置40C可以有用地用于照明领域。

<照明设备>

图23是示出根据实施例的具有发光模块的照明设备的视图，图24是示出根据实施例的具有发光模块的照明设备的照明控制方法的视图，图25是作为CIE1931色度图示出了根据实施例的可从照明设备发出的光的色温的视图，图26是CIE1931色度图，其中，图25所示的A被放大，图27是示出了根据实施例的照明设备中的图26的CIE 1931色度图的色度控制的示例的视图。

参考图23，照明设备包括发光模块100、用于控制发光模块100的控制单元510、用于存储发光模块100的控制信息的存储部520、用于控制发光模块100的驱动的驱动器530。

发光模块100可以包括在实施例中公开的光源单元4和在光源单元4外部的热感测单元5，但是本发明不限于此。

光源单元4是指图1至图18所示的光源单元4，例如，可以包括具有多个第一发光装置1A-1E的第一光源单元4A、具有多个第二发光装置2A-2D的第二光源单元4B和具有多个第三发光装置3A和3B的第三光源单元4C。

在光源4的周围，可包括图8至图16的实施例中公开的反射构件65，在光源单元4的上部，上述的图18的光学片69可以包括例如扩散片。从光源单元4发射的光被混合以发出白光，从反射构件65反射，并且可以在反射构件65的混合空间中混合，然后通过光学片69出射到外部。

根据实施例的可以从发光模块100发射的光的相关色温(CCT)位于2700K和6500K之间，如图25所示。根据实施例的从发光模块100发射的光的CRI可以是88或更大，例如，CRI可以是90或更大。当CRI大于90时，根据实施例的可从发光模块100发射的光的相关色温可以位于2700K和5700K之间。

发光模块100的第一光源单元4A可以由驱动器530的第一驱动单元531的第一电流信号I_R驱动，第二光源单元4B可以由驱动器530的第二驱动单元532的第二电流信号I_G驱动，第三光源单元4C可以由驱动器530的第三驱动单元533的第二电流信号I_B驱动。发光模块100可以通过驱动器530的第一至第三电流信号I_R、I_G和I_B驱动第一至第三光源单元4A、4B和4C。发光模块100可以通过驱动第一至第三光源单元4A、4B和4C来发射具有预定CCT的白光。

控制单元510将第一至第三电流控制信号D_R、D_G和D_B发送到驱动器530的第一至第三驱动器531、532和533，使得从光源单元4发射的白光成为具有预定CCT的白光。

第一至第三电流控制信号D_R、D_G和D_B可以是到第一至第三光源单元4A、4B和4C的输入电流的强度值，从而发射具有预定CCT的白光。第一至第三电流控制信号D_R、D_G和D_B可以是脉冲宽度调制(PWM)信号、幅度调制信号或模拟型信号。在本发明的实施例中，描述将限于PWM信号。

驱动器530的第一至第三驱动单元531、532和533生成控制单元510的第一至第三电流控制信号D_R、D_G和D_B，例如，对应于PWM信号的驱动电流，然后将其输出到第一至第三光源单元4A、4B和4C。也就是说，驱动器530在每个时间段产生具有不同电流强度的驱动电流，以便在早晨、午餐或晚上产生自然光气氛。

存储部520存储补偿数据521和查找表522。存储部520可以是电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。

补偿数据521可以是每个发光模块的光学特性，例如，输入电流的强度值，其中每个发光模块100的白光可以是作为每个预定CCT的基准的色度坐标。

在查找表522中，存储第一至第三光源单元4A、4B和4C的输入电流的强度值，以便发射针对从发光模块100感测到的每个温度的具有预定CCT的白光。

通过参考存储部520的补偿数据521，控制单元510将与第一至第三光源单元4A、4B和4C的输入电流的强度值相对应的第一至第三电流控制信号D_R、D_G和D_B输出到驱动器530，以作为每个预定CCT的基准而进行补偿或发射白光。

控制单元510向驱动器530的第一至第三驱动单元D_R、D_G和D_B输出第一至第三电流控制信号D_R、D_G和D_B，其为与预定CCT相对应的输入电流的强度值，通过参考存储部520的查找表522而产生。

在查找表522中，与根据操作模式或用户选择所需的CCT相对应的基准电流值的比率被预先存储。基准电流值的比率可以是由设计者预先测量的实验数据。

作为另一示例，查找表522可以存储输入电流的强度值，输入电流的强度值可以根据每个发光模块100的温度特性补偿色度变化。也就是说，在查找表522中，可以存储输入电流的强度值，以便根据温度变化用预定的白光补偿从第一至第三光源4A、4B和4C发射的白光。

随着从发光模块100发射的白光的温度升高，颜色坐标可能偏移。因此，控制单元510在检测到输入电流的值后，根据由发光模块100的热感测装置5感测的温度数据，通过参考存储部520的查找表522，将第一至第三电流控制信号D_R、D_G和D_B发送到驱动器530。

这里，控制器510可以通过参照查找表522，根据色坐标随温度的移动以及用于发光模块100的白光的每个CCT的补偿数据521，控制从发光模块100发射的白光，以发出具有预定CCT值的白光。

参考图23，当针对图24描述根据实施例的照明设备的照明控制方法时，预先获得实施例中的每个发光模块的补偿数据。为此，在发光模块100的制造过程中，根据步骤S1中的任意CCT，以输入电流值驱动发光模块100，检测对应于从被驱动的发光模块100发出的红光、绿光和蓝光的光通量的色度数据。在步骤S2中计算CCT的检测到的色度数据和每个CCT的基准色度数据之间的偏差值，并且所计算的偏差值的补偿值可以是补偿数据521。也就是说，补偿数据521可以是对每个CCT的预定基准色度数据与从发光模块100检测的色度数据之间的差异补偿的输入电流的值。在实施例中，当设定发光模块100时，取决于不同发光模块100的光通量特性的每个CCT的色度数据的偏差被预先检测，并且在步骤S3中，补偿色度数据的补偿数据521被存储在存储部520中。

例如，如图27所示，例如在任意CCT下发光模块100发出的光通量的色度坐标被检测为在2700K的第一坐标值T1。当基准色度坐标是第一坐标值T1时，控制色度数据的输入电流的强度值，使得可以消除第二坐标值T2与第一坐标值T1之间的偏差。此时对输入电流的强度值的控制可以通过加减输入电流比和输入电流的峰值来进行控制。当在控制处理之后检测到作为任意CCT的基准的第二坐标值T2移位到第一坐标值T1所在的色度坐标时，将此时的输入电流的强度值作为每个CCT的补偿数据521来存储，其中可以发射对应于CCT的白光。

当补偿数据521存储在存储部520中时，在步骤S4中，控制单元510基于补偿数据521，通过发光模块100的输入电流强度值控制驱动。

然后，当在步骤S5中从热感测单元5感测到温度时，控制单元510参照查找表522加载与感测到的温度对应的输入电流值。然后，控制器510控制发光模块100的输入电流值，从而在步骤S6中，通过使用查找表522和每个CCT的补偿数据521，使其移动至每个CCT(图27中的M2)的基准白光。

控制单元510可以通过由发光模块100发出的白光，根据温度变化和补偿数据，通过参考查找表来控制要发射的具有预定CCT值的白光。

参考图26，可以从根据实施例的照明设备发射的光的色温可以设置在像“CCT可调谐”线这样的黑体轨迹上或与其非常接近，因此CRI高，这是因为可以从根据实施例的照明设备发射的光的色温设置在或靠近Ansi中心处。此外，从发光模块100发射的光的色度值可以作为存在于CIE-1931图表上的黑体轨迹的有限区域中的白光来发射。

此外，发射红光、绿光和蓝光的第一至第三光源单元4A、4B和4C组合，因此可以确认的是，可实现能够保持90或更大优选为95的CRI的白光。此外，可以确认的是，可以实现具有在3500K至6500K的范围内的CCT的白光。

根据实施例的照明设备可以设置有多个照明模块。例如，可以设置如图17和18所示的多个发光模块。多个发光模块中的每一个可以包括发射不同颜色的第一至第三光源单元。设置在每个发光模块中的第一至第三光源单元之间的光通量可以彼此不同。例如，设置在第一至第三发光模块中的红光发光装置之间、绿光发光装置之间或者蓝光发光装置之间的光通量可以彼此不同，在这种情况下，从不同的发光模块发出的白光的色调可以彼此不同。在红光、绿光和蓝光发光装置之间可能会发生色调偏差，因此可能不会获得均匀的色调。

对于用于降低这些不同发光模块中的每种相同颜色的发光装置之间的光通量差的照明设备，将参考图28和图29来描述。

图28是根据实施例的具有多个发光模块的照明设备，图29是示出了图28的照明设备的照明控制方法的流程图。在描述图28时，在上述实施例中描述的部件用相同的附图标记表示，并且将被描述。

参考图28，照明设备包括：控制单元510；多个发光模块100A、100B和100C，每个具有光源单元4(4A、4B和4C)；存储部520，其中存储有发光模块100A、100B、100C的控制信息；多个驱动器530A、530B和530C，每个具有多个驱动单元531、532和533。

发光模块100A、100B或100C可以是具有在实施例中公开的光源单元4和在光源单元4外部的热感测单元5的发光模块，但是本发明不限于此。

光源单元4可以包括图1至图18所示的光源单元4，例如，具有多个第一发光装置1A-1E的第一光源单元4A、具有多个第二发光装置2A-2D的第二光源单元4B和具有多个第三发光装置3A和3B的第二光源单元4C。第一发光装置1A-1E发出红光，第二发光装置2A-2D发出绿光，第三发光装置3A和3B发出蓝光。图8至图16的实施例中所示的反射构件65可以被包括在各光源单元4的周围。

在每个光源单元4的顶部上，上述光学片(图18中的69)可以包括扩散片和棱镜片中的至少一个或两个。作为另一示例，光学片(图18中的69)可以设置在多个发光模块100A、100B和100C的光源单元4上。从多个发光模块100A、100B和100C的光源单元4发射的光被混合以发出白光，从反射构件65反射，并且可以在反射构件65中的混合空间中混合，然后通过光学片69出射到外部。

如图25所示，根据相关色温(CCT)，可以从根据实施例的多个发光模块100A、100B和100C发射的光位于2700K和6500K之间。从根据实施例的发光模块100A、100B和100C发射的光的CRI可以是88或更大，例如，CRI可以是90或更大。如果CRI大于90，则可从根据实施例的发光模块100A、100B和100C发射的光的相关色温可以位于2700K和5700K之间。

第一发光模块100A的第一光源单元4A可以由第一驱动器530A的第一驱动单元531的第一电流信号I_R1驱动，第二光源单元4B可以由第一驱动器530A的第二驱动单元532的第二电流信号I_G1驱动，第三光源单元4C可以由第一驱动器530A的第三驱动单元533的第三电流信号I_B1驱动。第一发光模块100A可以通过第一驱动器530A的第一至第三电流信号I_R1、I_G1和I_B1驱动第一至第三光源单元4A、4B和4C。

第二发光模块100B可以通过第二驱动器530B的驱动单元531、532和533的第一至第三电流信号I_R2、I_G2和I_B2来驱动第一至第三光源单元4A、4B和4C。第三发光模块100C可以通过第三驱动器530C的驱动单元531、532和533的第一至第三电流信号I_R3、I_G3和I_B3来驱动第一至第三光源单元4A、4B和4C。

多个发光模块100A、100B和100C可以通过第一至第三光源单元4A、4B和4C发射具有CCT的白光。由多个发光模块100A、100B、100C发出的光由光学传感器550感测，并感测到的光学信息被发送到控制单元510。

热感测单元5感测各个发光模块100A、100B和100C的温度，并将感测到的温度信息传送到控制单元510。

控制单元510通过参考存储部520的查找表522来控制从光学传感器550和热检测装置5发送的信息的驱动。例如，通过参考从光学传感器550和热感测单元5发送的信息，控制单元510将第一至第三电流控制信号D_R1-R3、D_G1-G3和D_B1-B3发送到第一至第三驱动器530A、530B和530C的第一至第三驱动单元531、532和533，使得从第一至第三发光模块100A、100B和100C的每个的光源单元4发射的白光可以是具有查找表522中的预定CCT的白光。

第一至第三电流控制信号D_R1-R3、D_G1-G3和D_B1-B3可以是第一至第三发光模块100A、100B和100C的第一至第三光源单元4A、4B和4C的输入电流的强度值，从而发射具有CCT的白光。第一至第三电流控制信号D_R1-R3、D_G1-G3和D_B1-B3可以是脉冲宽度调制(PWM)信号、幅度调制信号或模拟型信号。在本发明的实施例中，描述将限于PWM信号。

第一至第三驱动器530A、530B和530C的第一至第三驱动单元531、532和533产生控制单元510的第一至第三电流控制信号D_R1-R3、D_G1-G3和D_B1-B3，例如，对应于PWM信号的驱动电流，然后其被输出到每个发光模块100A、100B和100C的第一至第三光源单元4A、4B和4C。也就是说，驱动器530A、530B和530C产生在每个时间段具有不同电流强度的驱动电流，以便在早晨、午餐或晚上产生自然光气氛。

存储部520包括查找表522和光通量偏差数据523。存储部520可以是电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，但是本发明不限于此。

在查找表522中，存储第一至第三光源单元4A、4B和4C的输入电流的强度值，从而发射对于从发光模块100A、100B和100C感测的每个光色度来讲具有预定CCT的白光。在查找表522中，存储第一至第三光源单元4A、4B和4C的输入电流的强度值，从而发射对于从发光模块100A、100B和100C感测的每个温度来讲具有预定CCT的白光。在查找表522中，存储调光信号的输入电流的强度值。输入电流的强度值可以由占空比表示，占空比表示上半部与脉冲持续时间的比例。

在查找表522中，预先存储与根据操作模式或用户选择所需的CCT相对应的基准电流值的比率。基准电流值的比率可以是由设计者预先测量的实验数据。

光通量偏差数据523存储这样的数据，即，该数据可被输出为对于不同发光模块100A、100B和100C的光源单元(例如，红光、绿光或蓝光LED)的每种颜色来讲具有相同光通量值的光通量值。相同的光通量值可以被存储为占空比，在该占空比下，从红光、绿光或蓝光发光装置发射的光通量值可以作为基准光通量值被输出。

例如，可以将包括在不同的发光模块100A、100B和100C中的红光发光装置控制为第一光通量值，可以将绿光发光装置控制为第二光通量值，并且可以将蓝光发光装置控制为第三光通量值。

第一光通量值可以被设定为可补偿红光发光装置的光通量偏差值的占空比，使得每个发光模块100A、100B和100C的红光发光装置的光通量变成红光的基准光通量。同样地，第二光通量值作为占空比可被设定为绿光发光装置的光通量偏差值。第三光通量值作为占空比可被存储为蓝光发光装置的光通量偏差值。

因此，从各个发光模块100A、100B和100C发射的第一至第三光通量值被预先测量和存储，从而使来自不同的发光模块100A、100B和100C的第一至第三光通量值可用一种颜色来实现。此外，从不同的发光模块100A、100B和100C发射的红光发光装置之间的色调差异、绿光发光装置之间的色调差异或蓝光发光装置之间的色调差异可以被消除。

在本实施例中，多个发光模块100A、100B和100C中的每个颜色的光通量值与基准光通量值之间的偏差被存储在光通量偏差数据523中，当驱动发光模块100A、100B和100C时，可以输出这样的占空比，即，该占空比通过光通量偏差数据523补偿光通量偏差，从而输出每种颜色的基准光通量值。例如，第一发光模块的绿光发光装置G1为140lm，第二发光模块的绿光发光装置G2为155lm，第三发光模块的绿光发光装置G3为175lm。为了获得与基准光通量值180lm的差值数据，当第一至第三绿光发光装置G1、G2和G3的输入电流的强度增加30％、20％和5％时，光通量偏差数据523可以存储为对于G1的30％、对于G2的20％、对于G3的5％。此外，从第一至第三绿光发光装置G1、G2和G3之中的具有最低光通量值的第一绿光发光装置G1的光通量值导出在180lm时的最大电流强度的占空比，然后获得第二至第三绿光发光装置G2和G3的占空比。

在查找表522中，每个发光模块的光学特性，例如，输入电流的强度值(其可以为每个发光模块100A、100B和100C的白光的色度坐标)可以作为每个CCT的基准而被存储。

控制单元510通过参考存储部520的模块的每种颜色的光通量偏差数据523，向驱动器530A、530B和530C输出与多个发光模块100A、100B和100C的第一至第三光源单元4A、4B和4C的输入电流的强度值对应的第一至第三电流控制信号D_R1-R3、D_G1-G3和D_B1-B3。

此外，光学传感器550感测从发光模块100A、100B和100C发射的白光的光通量，然后将感测到的光通量信息发送到控制单元510。控制单元510通过补偿每个占空比将第一至第三电流控制信号D_R1-R3、D_G1-G3和D_B1-B3发送到驱动器530A、530B和530C，使得测量的光通量值可以是基准光通量。

随着从发光模块100A、100B和100C发出的白光的温度升高，颜色坐标可能偏移。因此，控制单元510在检测到依赖于由发光模块100A、100B和100C的热感测装置5感测到的温度数据的输入电流的值之后，通过参照存储部520的查找表522，将第一至第三电流控制信号D_R1-R3、D_G1-G3和D_B1-B3发送到驱动器530A、530B和530C。这里，控制器510可以通过参考查找表522，根据依赖于温度的色坐标的偏移，控制从发光模块100A、100B和100C发出的白光。

图29示出了参考图28的照明设备的照明控制方法。获得根据实施例的多个发光模块的每种颜色的光通量偏差数据。为此，在步骤S11中设定不同发光模块的各种颜色的基准光通量。例如，分别设定不同发光模块的红光、绿光和蓝光发光装置的基准光通量。

当设定第一至第三光源单元的基准光通量时，在步骤S12中将用于每种颜色的设定的基准光通量的输入电流的强度值设定为最大值。最大电流值是包括电流值和误差的值，在该值处，可以考虑发光模块中的发光装置的数量、LED类型、驱动电压、电流特性等来输出基准光通量值，其是比基准光通量的电流强度值高约5％至10％的值。

此外，在步骤S13中，使用最大电流值来测量每个发光模块的各个光源单元的发光装置的光通量值，并且存储测量的光通量值。可以对每个光源单元依次执行这样的测量和存储，但是本发明不限于此。

在步骤S14中，将从各个发光模块的各个光源单元的发光装置测量的光通量与基准光通量进行比较。此时，当测量的光通量和基准光通量不相同时，在步骤S15中将调整占空比。例如，可以调整作为基准光通量的输入电流的强度值，使得每个颜色的测量通量被调整成为基准通量。

当测量的光通量和基准光通量相同时，在步骤S16中设定最大占空比。设定的占空比可以存储在光通量偏差数据523中。

在步骤S17中输入模块驱动信号时，分别在步骤S18中，通过具有光通量值的占空比来驱动第一至第三光源单元的发光装置。在最初驱动发光模块时，以设定的占空比输出用于控制每个发光模块的每个光源单元的控制信号，因此可以将从发光模块发射的每种颜色的光通量控制为基准光通量。从这些不同的发光模块发出的光通量可以是相同的颜色。此外，可以将红光、绿光和蓝光发光装置的各种颜色的光通量值控制为相同的光通量值。此外，可以解决通过根据各个发光模块的特性预先重置占空比来在驱动发光模块的初始阶段校正光通量的问题。

在实施例中，可以控制分开的通道上的不同占空比，而不是控制不同发光模块的不同颜色的一个占空比，因此可以将不同发光模块的各种颜色的光通量值控制为相同的值。因此，可以将从不同的发光模块发射的各种颜色的光通量值实现为相同的值。

当在步骤S19中从热感测单元5感测温度时，控制单元510通过参照查找表522，从如图27所示的第一坐标值T1或第三坐标值T3计算与感测到的温度相对应的输入电流强度值的偏差，然后在步骤S20中，控制器510补偿色度数据，使得发光模块100的输入电流值移动至每个CCT的基准白光(图27中的M1或M2)。控制单元510可以使用查找表522，根据温度变化来控制从发光模块100发射的白光作为具有预定CCT值的白光发射。

此外，发射红光、绿光和蓝光的第一至第三光源单元4A、4B和4C被组合，因此可以确保的是，可以实现能够保持90或更大、优选95的CRI的白光。此外，可以确保的是，可以实现具有在3500K至6500K范围内的CCT的白光。

当光学传感器550感测到光时，控制器510检查光通量变化，并且如果在步骤S21中存在光通量变化，则校正占空比，并且在步骤S22中调整每种颜色的输入电流的强度值。使用重置占空比补偿依赖于光通量变化的占空比的校正。

根据实施例的照明设备可以将从不同发光模块发射的各种颜色的光通量设定为相同的值，从而消除不同发光模块之间的色调差异。

根据实施例的发光模块和/或具有该发光模块的照明设备可以包括诸如室内灯、室外灯、路灯、汽车灯、移动装置的前照灯或尾灯、和指示灯的设备。

根据实施例的发光模块和/或具有该发光模块的照明设备可以应用于显示装置。显示装置可以设置为在诸如液晶显示面板的面板的背面中照射光的模块或单元。

在实施例中描述的特征、结构、效果等包括在本发明的至少一个实施例中，并不一定限于仅一个实施例。此外，每个实施例中描述的特征、结构、效果等可以由实施例所属领域的普通技术人员组合或修改。因此，应当理解，与这些变化和应用相关的内容包括在本发明的范围内。

另外，虽然上面已经主要描述了实施例，但是它们仅是示例而不限制本发明，并且本领域技术人员可以理解，在不脱离实施例的基本特征的情况下可以做出上面未给出的若干种变型和应用。例如，实施例中详细描述的每个组件可以以可修改的方式实施。因此，应当理解的是，与这些变化和应用有关的差异被包括在所附权利要求所限定的本发明的范围中。

【工业适用性】

实施例可以改善发光模块的颜色均匀性。

实施例可以提高发光模块的散热效率。

由于发射不同颜色的发光装置的最佳布置，实施例可以减小电路板和具有电路板的发光模块的尺寸。

Claims

1.一种照明设备，包括：

电路板；

多个发光模块，设置在电路板上并包括光源单元，光源单元具有用于发射红光、绿光和蓝光的第一光源单元、第二光源单元和第三光源单元；

控制器，用于为第一光源单元、第二光源单元和第三光源单元中的每个提供电流控制信号；

驱动器，用于通过控制单元的电流控制信号控制第一光源单元、第二光源单元和第三光源单元的电流；以及

存储部，用于存储所述多个发光模块中的第一光源单元、第二光源单元和第三光源单元的每个的光通量偏差数据，

其中，第一光源单元包括发射红光的多个第一发光装置，

第二光源单元包括发射绿光的多个第二发光装置，

第三光源单元包括发射蓝光的多个第三发光装置，

控制单元通过对应于光通量偏差数据的输入电流的强度值，分别控制所述多个发光模块的第一光源单元、第二光源单元和第三光源单元的电流。

2.根据权利要求1所述的照明设备，其中，存储部包括存储有输入电流的强度值的查找表，以基于温度变化将从第一光源单元、第二光源单元和第三光源单元发射的白光补偿为每个CCT的预定基准的白光。

3.根据权利要求2所述的照明设备，包括：光学传感器，用于感测从所述多个发光模块发射的光。

4.根据权利要求2所述的照明设备，其中，发光模块包括设置在第一发光装置外部的热感测单元，控制单元基于从热感测单元接收的温度，以查找表的输入电流的强度值向驱动器发送第一电流控制信号、第二电流控制信号和第三电流控制信号。

5.根据权利要求3所述的照明设备，其中，控制单元感测由光学传感器感测到的每个发光模块的光通量的变化，然后将各个发光模块的各个颜色模块的光通量校正为相同的值。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的照明设备，其中，第一发光装置、第二发光装置和第三发光装置设置在电路板上，所述多个第一发光装置设置在第二发光装置和第三发光装置的外侧的周围，所述多个第二发光装置设置在所述多个第三发光装置的相对侧，所述多个第一发光装置串联连接，所述多个第二发光装置串联连接，所述多个第三发光装置发光装置串联连接，其中，第一发光装置、第二发光装置和第三发光装置的数量不同。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的照明设备，其中，电路板包括设置在所述多个第一发光装置下方的第一布线部、设置在所述多个第二发光装置下方的第二布线部、以及设置在所述多个第三发光装置下方的第三布线部，第一布线部包括多个布线，并且所述多个布线中的每个包括比第二布线部和第三布线部的布线中的每个的顶表面面积大的顶表面面积。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的照明设备，其中，所包括的第一发光装置、第二发光装置和第三发光装置中的每个的数量随着发射的光的波长更长而更大。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的照明设备，包括：反射构件，设置在电路板上并设置在光源单元的周围，其中，所述多个第一发光装置被设置为在反射构件上与第二发光装置和第三发光装置相邻近。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的照明设备，其中，所包括的所述多个第一发光装置的数量比第二发光装置的数量大，所包括的所述多个第二发光装置的数量比第三发光装置的数量大。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的照明设备，其中，所包括的第二发光装置的数量等于或大于第三发光装置的数量的200％，并且所包括的第一发光装置为第二发光装置的数量的至少125％。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的照明设备，其中，所述多个第二发光装置设置在以所述多个第三发光装置之间的区域为中心并穿过所述多个第一发光装置的假想圆内，所述多个第三发光装置设置于在所述多个第三发光装置之间的区域的周围穿过所述多个第二发光装置的假想圆内。

13.根据权利要求9所述的照明设备，其中，所述多个第一发光装置的输出侧连接到所述多个第二发光装置的输入侧，并且所述多个第二发光装置的输出侧连接到所述多个第三发光装置的输入侧。

14.根据权利要求6所述的照明设备，其中，电路板包括多个孔，反射构件的下部与所述多个孔结合，并且所述多个孔设置在穿过所述多个第一发光装置的假想圆的外部。

15.根据权利要求11所述的照明设备，包括：在反射构件中的透光构件。

16.根据权利要求11所述的照明设备，包括：多个支撑突起，设置在反射构件中并突出到第一布线部上。

17.根据权利要求13所述的照明设备，其中，支撑突起包括金属材料，并且支撑突起中的至少一个从第一布线部的布线中的至少一个突出。

18.根据权利要求6所述的照明设备，其中，反射构件具有大于下部直径的上部直径，并且反射构件具有高于下部直径的高度。