KR20150011191A

KR20150011191A - 엘이디 발광장치

Info

Publication number: KR20150011191A
Application number: KR1020130086156A
Authority: KR
Inventors: 김경례; 국지은
Original assignee: 주식회사 포스코엘이디
Priority date: 2013-07-22
Filing date: 2013-07-22
Publication date: 2015-01-30

Abstract

엘이디 발광장치가 개시된다. 엘이디 발광장치는, 나이트라이드 계열 엘이디칩을 포함하고, 430 ~ 480nm 범위의 파장을 갖는 청색광을 발하는 제1 엘이디와; 나이트라이드 계열 엘이디칩을 포함하고, 490 ~ 530nm 범위의 파장을 갖는 녹색광을 발하는 제2 엘이디와; 나이트라이드 계열 엘이디칩과 형광물질을 포함하고, 550 ~ 615nm 범위의 파장을 갖는 광을 발하는 제3 엘이디와; 아세나이드 계열 또는 포스파이드 계열 엘이디칩을 포함하고, 645 ~ 700nm 범위의 파장을 갖는 적색광을 발하는 제4 엘이디와; 상기 제1 엘이디, 상기 제2 엘이디 및 상기 제3 엘이디를 포함하는 그룹에 대해 독립적으로 상기 제4 엘이디의 온도 변화에 따른 전류제어를 수행하는 제어부를 포함한다.

Description

엘이디 발광장치{LED Lighting Device}

본 발명은 엘이디 패키지, 엘이디 모듈, 엘이디 엔진 또는 엘이디 조명을 포함하는 엘이디 발광장치에 관한 것으로서, 특히, 적색광, 녹색광, 청색광 및 앰버광의 혼합에 의해 CRI(Color Rendering Index; 연색 지수)가 향상된 광을 만들어 방출하는 엘이디 발광장치에 관한 것이다

가시 스펙트럼에 걸쳐서 광을 생성하기 위해, 상이한 색의 엘이디들로부터 출력된 광들이 특정 비율로 혼합되어, 의도한 색의 광이 만들어질 수 있다. 예를 들면, 적색 엘이디, 녹색 엘이디 및 청색 엘이디로 구성된 RGB 엘이디 조합은 백색광을 만들어낼 수 있다. 하지만, RGB 조합으로만 이루어진 광은 CRI가 낮은데, CRI 조절을 위해, 앰버(amber) 색의 엘이디(즉, 앰버 엘이디)가 추가된 RGBA 조합의 엘이디 발광장치가 제안된 바 있다. 또한 앰버 엘이디와 함께 별도의 백색 엘이디가 CRI 조절을 위해 더 추가된 RGBAW 조합의 엘이디 발광장치도 제안된 바 있다. RGBA 또는 RGBAW 조합으로 이루어진 엘이디 모듈과 같은 엘이디 발광장치는 다양한 감성기능을 갖도록 CCT를 자유롭게 조절할 수 있다는 점에서 장점을 갖고 있다.

종래의 RGBA 또는 RGBAW 엘이디 발광장치에 있어서, 청색 엘이디와 녹색 엘이디는 청색 및 녹색광을 발하는 나이트라이드(Nitride) 계열, 더 구체적으로, GaN(Galium Nitirde) 계열의 엘이디칩이 형광물질 없이 이용되고 있으며, 적색 엘이디와 앰버 엘이디 또한 형광물질 없이 포스파이드 계열 또는 아세나이드 계열 엘이디칩이 이용되고 있다.

위와 같은 종래 RGBA 또는 RGBAW 조합의 엘이디 발광장치는, CRI가 20 ~ 80 정도로서, 아직도 정밀한 색상의 렌더링이 요구되는 조명에 적용하기에는 한계를 갖고 있다. 특히, 앰버 엘이디칩에서 발생한 앰버광의 스펙트럼 폭이 좁은 것은 엘이디 발광장치의 CRI를 향상시키는 데 있어서 큰 저해 원인이 되고 있다. 또한, 적색 엘이디는 엘이디 발광장치의 CRI 개선과 휘도 향상을 위해 필수적으로 요구되고, 앰버 엘이디 또한 CRI 조절 및 개선에 유효한 것이지만, 이들 엘이디에 포함된 엘이디칩들을 구성하는 반도체 재료 특성의 차이가 고려되지 않았던 종래 엘이디 발광장치는 생성된 광의 CCT(Correlated Color Temperature; 상관 색온도)를 원하는 정도로 제어하기 어렵다. 이는 나이트라이드 계열의 엘이디칩을 포함하는 청색 엘이디 및/또는 녹색 엘이디와, 포스파이드 또는 아세나이드 계열 엘이디칩을 포함하는 적색 및 앰버색(더 나아가, 주황색, 오렌지색 등) 엘이디 사이에 현저한 온도 의존 광 효율 드룹(efficiency droop) 차이가 존재하는 것으로부터 기인한다. 즉, 조합 내 엘이디들 사이에 온도 의존 광 효율 드룹이 큰 경우, 온도(또는, 정션 온도) 변화에 따라 조합 내 엘이디들로부터 나온 광의 광속의 변화를 심하게 하므로 엘이디 발광장치의 광을 원하는 CCT로 제어하기 어렵게 된다.

등록번호 10-0973078(등록일자: 2010. 07. 23.)

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 CRI 향상 및/또는 조절을 위해 부가된 엘이디, 특히, 앰버 엘이디의 광 스펙트럼 폭을 넓혀 CRI를 보다 향상시킴과 동시에 원하는 온도 변화에 관계없이 출력된 광의 CCT를 거의 일정하게 제어할 수 있는 엘이디 발광장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 일 측면에 따른 엘이디 발광장치는, 나이트라이드 계열 엘이디칩을 포함하고, 430 ~ 480nm 범위의 파장을 갖는 청색광을 발하는 제1 엘이디와; 나이트라이드 계열 엘이디칩을 포함하고, 490 ~ 540nm 범위의 파장을 갖는 녹색광을 발하는 제2 엘이디와; 나이트라이드 계열 엘이디칩과 형광물질을 포함하고, 550 ~ 615nm 범위의 파장을 갖는 광을 발하는 제3 엘이디와; 아세나이드 계열 또는 포스파이드 계열 엘이디칩을 포함하고, 610 ~ 700nm 범위의 파장을 갖는 적색광을 발하는 제4 엘이디와; 상기 제4 엘이디의 온도 변화에 따른 전류제어에 의해 상기 제4 엘이디의 광속률을 제어하는 제어부를 포함한다.

일 실시예에 따라, 상기 제3 엘이디는 갈륨 나이트라이드 계열의 청색 엘이디칩과, 상기 청색 엘이디칩으로부터 발생된 광을 앰버 광으로 변환하는 형광물질을 포함하는 PC(Phosphor Conversion)-앰버 엘이디인 것이 바람직하다.

일 실시예에 따라, 상기 제어부는, 상기 제1 엘이디, 상기 제2 엘이디 및 상기 제3 엘이디를 포함하는 그룹에 대해 독립적으로, 상기 제4 엘이디의 온도 변화에 따른 전류 제어를 함으로써, 상기 제4 엘이디의 광속률을 제어한다.

일 실시예에 따라, 상기 그룹은 나이트라이트 계열의 엘이디칩과 1종 이상의 형광물질의 조합에 의해 백색광을 만드는 제5 엘이디를 더 포함할 수 있다.

일 실시예에 따라, 상기 제어부는 상기 그룹 내 나이트라이드 계열 엘이디칩들에 공급되는 전류를 온도 증가에 따라 제1 전류 증가율로 증가시키도록 제어하고, 상기 적색 엘이디의 엘이디칩에 공급되는 전류를 상기 제1 전류 증가율과 다른 제2 전류 증가율로 증가시키도록 제어할 수 있다.

일 실시예에 따라, 상기 제어부는 상기 적색 엘이디의 엘이디칩에 공급되는 전류를 온도 증가에 따라 증가시키고, 상기 나이트라이트 계열 엘이디칩들에 공급되는 전류를 온도 증가에 관계없이 일정하게 유지시키도록 제어할 수 있다.

일 실시예에 따라, 상기 제1 엘이디와, 상기 제2 엘이디와, 상기 제4 엘이디는 형광물질 없는 엘이디들일 수 있다.

일 실시예에 따라, 상기 제1 엘이디와 상기 제4 엘이디는 형광물질 없는 엘이디들이고, 상기 제2 엘이디는 형광물질을 포함하는 PC-녹색 엘이디일 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 따른 엘이디 발광장치는, GaN 계열의 청색 엘이디칩에 의해 청색광을 발하는 청색 엘이디와; GaN 계열의 녹색 엘이디칩 또는 녹색 형광물질에 의해 녹색광을 발하는 녹색 엘이디와; GaN 계열의 청색 엘이디칩과 형광물질에 의해 앰버광을 발하는 앰버 엘이디와; 적색 엘이디칩에 의해 적색광을 발하는 적색 엘이디와; 상기 청색 엘이디, 상기 녹색 엘이디 및 상기 앰버 엘이디와 독립되게 상기 적색 엘이디에 공급되는 전류를 온도 변화에 따라 제어하여, 상기 앰버 엘이디의 광속률을 제어하는 제어부를 포함한다

일 실시예에 따라, 상기 제어부는 상기 청색 엘이디, 상기 녹색 엘이디 및 상기 앰버 엘이디에 대하여 온도 증가에 따라 동일한 증가율로 전류를 증가시키고 상기 적색 엘이디에 대하여는 다른 증가율로 전류를 증가시킨다.

일 실시예에 따라, 상기 제어부는 상기 청색 엘이디, 상기 녹색 엘이디 및 상기 앰버 엘이디에 공급되는 전류를 온도 증가에 관계없이 일정하게 유지시키도록 제어하고, 적색 엘이디의 전류 증가율을 더욱 확대할 수 있다.

본 명세서에 있어서, 용어 "엘이디 발광장치"는 엘이디 패키지, 엘이디 모듈, 엘이디 엔진, 엘이디 조명장치를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 적색 엘이디 및 청색 엘이디, 녹색 엘이디와 함께, CRI 향상 및/또는 조절을 위해 550 ~ 615nm 범위의 파장의 광을 발하는 엘이디, 더 바람직하게는, 580~600nm 범위 파장의 앰버 광을 발하는 앰버 엘이디를 이용하되, 그와 같은 엘이디로 단색광(특히, 청색광)을 다른 단색광(앰버광)으로 변환하는 형광물질(또는, 인광물질)을 포함하는 엘이디, 즉, 형광물질(또는, 인광물질) 변환 엘이디를 채용함으로써, 상기 550 ~ 615nm 범위 파장의 광을 발하는 엘이디, 더 바람직하게는, 앰버 엘이디의 광 스펙트럼을 크게 넓히고, 이에 의해, 엘이디 발광장치의 CRI를 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 위 구성에 의해, 적색 엘이디를 제외한 나머지 엘이디들에 나이트라이드 계열 엘이디 칩을 모두 적용할 수 있다. 이때, 적색 엘이디만을 다른 엘이디들에 대해 독립되게 온도에 따라 전류 증가를 제어함으로써, 온도 변화에도 불구하고 원하는 CCT의 광을 만들어 발생시키는 엘이디 발광장치를 구현할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 엘이디 발광장치의 일 실시예를 도시한 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 엘이디 발광장치의 다른 실시예를 도시한 구성도이다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 엘이디 발광장치 내 엘이디들의 광 스펙트럼을 설명하기 위한 그래프이다.
도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 엘이디 발광장치 내 엘이디들의 온도 변화에 따른 상대 광속율을 보여주는 그래프이다.
도 5는 PC-앰버 엘이디를 이용하는 본 발명에 따른 엘이디 발광장치와, 형광물질 없는 일반 앰버 엘이디를 이용하는 비교예에 따른 엘이디 발광장치 사이의 파장에 따른 상대 광속율 차이를 색온도 5700K에서 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 6은 PC-앰버 엘이디를 이용하는 본 발명에 따른 엘이디 발광장치와, 형광물질 없는 일반 앰버 엘이디를 이용하는 비교예에 따른 엘이디 발광장치 사이의 파장에 따른 상대 광속율 차이를 색온도 3000K에서 비교하여 나타낸 그래프이다.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 본 발명에 대한 설명은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 실시예들로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.

도 1은 본 발명에 따른 엘이디 발광장치의 일 실시예를 도시한 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 엘이디 발광장치의 다른 실시예를 도시한 구성도이고, 도 3은 도 1 내지 도 2에 도시된 엘이디 발광장치 내 엘이디들의 광 스펙트럼을 설명하기 위한 그래프이고, 도 4는 도 1 내지 도 2에 도시된 엘이디 발광장치 내 엘이디들의 온도 변화에 따른 상대 광속율을 보여주는 그래프이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 엘이디 발광장치는, 430 ~ 480nm 범위의 파장을 갖는 청색광을 발하는 제1 엘이디(1B)와, 490 ~ 540nm범위의 파장을 갖는 녹색광을 발하는 제2 엘이디(1G)와, 550 ~ 615nm 범위의 파장을 갖는 광을 발하는 제3 엘이디(1A)와, 610 ~ 700nm범위의 파장을 갖는 적색광을 발하는 제4 엘이디(1R)을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 엘이디 발광장치는 나이트라이트 계열의 엘이디칩과 1종 이상의 형광물질의 조합에 의해 백색광을 만드는 제5 엘이디(1W)를 더 포함할 수 있다.

제1 엘이디(1B)는, 나이트라이드 계열, 더 구체적으로는, InGaN을 포함하는 GaN 계열의 청색 엘이디칩을 포함하는 것으로서, 형광물질 없이, 청색 엘이디칩에서 발생한 청색광을 그대로 발하도록 구성될 수 있다. 상기 제2 엘이디(1G)는 나이트라이트 계열, 더 구체적으로는, GaN 계열의 녹색 엘이디칩만을 포함하거나, GaN 계열 청색 엘이디칩과, 그 청색 엘이디칩에서 나온 청색광을 녹색광을 변환하는 형광물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 엘이디(1A)는, 기존의 앰버 칩을 이용하는 대신에, 나이트라이드 계열, 더 구체적으로는, InGaN을 포함하는 GaN 계열의 청색 엘이디칩과, 청색 엘이디칩에서 나온 청색광을 전부 앰버광으로 변환하는 형광물질을 포함하는 PC-앰버 엘이디인 것이 바람직하다. 제4 엘이디(1R)은 포스파이드 또는 아세나이드 계열의 적색 엘이디칩, 더 구체적으로는, AlGaInP를 포함하는 포스파이드 계열 적색 엘이디칩을 포함하는 것으로서, 적색 엘이디칩에서 발생한 적색광을 그대로 발하도록 구성될 수 있다.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 엘이디 발광장치에 적용된 엘이디들, 즉, 제1 엘이디(청색 엘이디; 1B), 제2 엘이디(녹색 엘이디; 1G), 제3 엘이디(PC-앰버 엘이디; 1A) 및 제4 엘이디(적색 엘이디; 1R)의 파장에 따른 상대 광속율 및 스펙트럼을 분포를 볼 수 있다. 이에 따르면, 일반 형광물질 없는 앰버 엘이디와 비교할 때, 제3 엘이디(1A)로 채용된 PC-앰버 엘이디는 넓은 광 스펙트럼을 가져 엘이디 발광장치의 CRI를 향상시키는데 크게 기여한다.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 엘이디 발광장치에 적용된 엘이디들, 즉, 제1 엘이디(청색 엘이디; 1B), 제2 엘이디(녹색 엘이디; 1G), 제3 엘이디(PC-앰버 엘이디; 1A), 제4 엘이디(적색 엘이디; 1R) 및 제5 엘이디(1W)의 온도 변화에 따른 상대적인 광속율 변화를 볼 수 있다. 이에 따르면, 제1 엘이디, 제2 엘이디, 제3 엘이디 및 제5 엘이디로 채용된 청색 엘이디, 녹색 엘이디, 앰버 엘이디 및 백색 엘이디는 온도 변화에 따른 광속율 변화가 적고 상호간 광속율 변화 정도가 유사한데 반하여 제4 엘이디(1R)로 채용된 적색 엘이디의 경우 온도 증가에 따라 광속율 저하가 크다는 것을 알 수 있다. 또한, 비교예로서 표시한 형광물질 없는 앰버 엘이디의 경우 온도 증가에 따라 광속율 저하가 가장 크다는 것을 알 수 있다. 이는 청색 엘이디, 녹색 엘이디, PC-앰버 엘이디 및 백색 엘이디가 공통적으로 GaN 계열의 엘이디칩을 이용하는데 반해 적색 엘이디와 앰버 엘이디는 GaN 계열과 다른 계열의 반도체 재료로 이루어진 엘이디칩을 이용하는 것에 기인하다. 즉, GaN 계열의 엘이디칩을 이용하는 엘이디들의 경우, 온도 변화에 따른 광속율 드룹(droop)이 유사하고 또한 크지 않는데 반하여, 앰버 엘이디칩과 적색 엘이디칩은 온도 변화에 따른 광속율 드룹이 GaN 계열 엘이디칩과 비교할 때 크기 때문에, 도 4에 표시된 것과 같은 결과를 낳는다.

본 발명은 GaN 계열 엘이디칩들과 GaN 계열이 아닌 엘이디칩들 사이의 광속율 드룹 차이에 따른 엘이디들 사이의 온도 의존 광속율 차이를 보상하도록 이하에서 설명되는 것과 같은 제어부를 포함한다.

다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 엘이디 발광장치는 교류 전류를 직류 전류로 변환하여 제1 엘이디(1B), 제2 엘이디(1G), 제3 엘이디(1A), 제4 엘이디(1R) 및 제5 엘이디(1W)에 공급하기 위한 SMPS(Switching Mode Power Supply; 3)와, GaN 계열 엘이디칩을 이용하는 제1, 제2, 제3 및 제5 엘이디(1B, 1G, 1A, 1W)에 대해, 제4 엘이디(1R)의 온도 의존 전류 제어를 독립적으로 수행하는 제어부(2)를 포함한다.

이와 같이 상기 제어부(2)가 제4 엘이디(1R)의 온도 의존 전류량 제어를 다른 엘이디들에 대해 독립적으로 행함으로써, 엘이디 발광장치의 CCT 변화를 쉽게 제어할 수 있다.

도 1에 도시된 실시예에 따르면, 히트싱크와 결합된 PCB(5) 상에 상기 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 엘이디(1B, 1G, 1A, 1R 및 1W)가 실장되어 있고, 그 PCB(5) 상에는 온도센서(6)가 설치된다. 상기 온도센서(6)는 그 위치에서의 온도를 상기 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 엘이디(1B, 1G, 1A, 1R 및 1W)의 정션 온도 또는 그것을 연산 또는 예측할 수 있는 온도 정보로서 제어부(2)에 제공한다. 상기 제어부(2)는 상기 온도센서(6)에서 제공된 온도 정보에 따라 채널별로 GaN 계열 엘이디칩을 포함하는 엘이디들(1B, 1G, 1A 및 1W)의 그룹과 나머지 엘이디, 즉, 적색광을 발하는 제4 엘이디(1R)와 구분하여 다른 전류 증가율로 전류를 공급한다. 이때, 상기 제어부(2)는 상기 PCB(5) 상에 설치될 수 있다.

아래의 [표 1]은 위에서 설명된 실시예에 있어서 정션 온도(Tj)가 25℃에서 85℃로 증가할 때 전술한 제어부(2)가 GaN 계열 엘이디칩을 포함하는 엘이디들(즉, 청색 엘이디, 녹색 엘이디, 앰버 엘이디 및 백색 엘이디)과 적색 엘이디칩을 포함하는 엘이디를 다른 전류 증가율로 제어하여 원하는 CCT를 얻은 결과를 보여준다.

도 2에 도시된 실시예에 따르면, 히트싱크와 결합된 PCB(5) 상에 상기 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 엘이디(1B, 1G, 1A, 1R 및 1W)가 실장되어 있고, 그 PCB(5) 상에는 온도센서(6)가 설치된다. 상기 온도센서(6)는 그 위치에서의 온도를 상기 제4 엘이디(1R)의 정션 온도 또는 그것을 연산 또는 예측할 수 있는 온도 정보로서 제어부(2)에 제공한다. 상기 제어부(2)는 상기 온도센서(6)에서 제공된 온도 정보에 따라 GaN 계열 엘이디칩을 포함하지 않는 적색 엘이디(1R)에 대해서만 온도 변화에 따른 전류 증감을 제어한다. 제1, 제2, 제3 및 제5 엘이디(1B, 1G, 1A, 1W)는 광 효율 드룹이 작고 서로 유사한 GaN 계열 엘이디칩들을 이용하므로 온도 변화에 따른 별도의 전류 증감 제어를 하지 않는다.

아래의 [표 2]은 위에서 설명된 실시예에 있어서 정션 온도(Tj)가 25℃에서 85℃로 증가할 때 전술한 제어부(2)가 GaN 계열 엘이디칩을 포함하는 엘이디들(즉, 청색 엘이디, 녹색 엘이디, 앰버 엘이디 및 백색 엘이디)에 대해서는 온도 변화에 따른 전류 제어를 하지 않고, 적색 엘이디칩을 포함하는 적색 엘이디만을 온도 변화에 따라 전류 제어하여 원하는 CCT를 얻은 결과를 보여준다.

전술한 것과 같은 제어 방식 대신에 엘이디들 각각에 대하여 온도를 측정하여 각 엘이디 마다 온도에 따라 광출력(즉, 전류)을 조절하는 것도 고려될 수 있으나, 이 경우, 너무 많은 제어 소자가 사용되어 회로 구성이 복잡하게 되므로 경제성이 떨어진다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 PC-앰버 엘이디를 이용하는 RGBAW 조합의 엘이디 발광장치와, 형광물질 없는 일반 앰버 엘이디를 이용하는 비교예에 따른 엘이디 발광장치 사이의 파장에 따른 상대 광속율 차이를 색온도 5700K에서 비교하여 나타낸 그래프이며, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 PC-앰버 엘이디를 이용하는 RGBAW 발광장치와, 형광물질 없는 일반 앰버 엘이디를 이용하는 비교예에 따른 엘이디 발광장치 사이의 파장에 따른 상대 광속율 차이를 색온도 3000K에서 비교하여 나타낸 그래프이다.

도 5 및 도 6을 참조하면, 상관 색온도 5700K 및 3000K모두에서, 본 발명에 따른 RGBAW 조합 엘이디 발광장치는 PC 앰버 엘이디를 이용함으로써, 형광물질 없는 일반 앰버 엘이디를 이용하는 엘이디 발광장치와 달리, 기준(Ref)에 가까운 고연색성 발광 특성을 보임을 알 수 있다.

1B: 제1 엘이디(청색 엘이디) 1G: 제2 엘이디(녹색 엘이디)
1A: 제3 엘이디(PC-앰버 엘이디) 1R: 제4 엘이디(적색 엘이디)
1W: 제5 엘이디(백색 엘이디) 2: 제어부
3: SMPS 5: PCB
6: 온도센서

Claims

나이트라이드 계열 엘이디칩을 포함하고, 430 ~ 480nm 범위의 파장을 갖는 청색광을 발하는 제1 엘이디;
나이트라이드 계열 엘이디칩을 포함하고, 490 ~ 540nm 범위의 파장을 갖는 녹색광을 발하는 제2 엘이디;
나이트라이드 계열 엘이디칩과 형광물질을 포함하고, 550 ~ 615nm 범위의 파장을 갖는 광을 발하는 제3 엘이디;
아세나이드 계열 또는 포스파이드 계열 엘이디칩을 포함하고, 610 ~ 700nm 범위의 파장을 갖는 적색광을 발하는 제4 엘이디; 및
상기 제4 엘이디의 온도 변화에 따른 전류제어에 의해 상기 제4 엘이디의 광속률을 제어하는 제어부를 포함하는 엘이디 발광장치.
청구항 1에 있어서, 상기 제3 엘이디는 갈륨 나이트라이드 계열의 청색 엘이디칩과, 상기 청색 엘이디칩으로부터 발생된 광을 앰버 광으로 변환하는 형광물질을 포함하는 PC-앰버 엘이디이며, 상기 제어부는, 상기 제1 엘이디, 상기 제2 엘이디 및 상기 제3 엘이디를 포함하는 그룹에 대해 독립적으로, 상기 제4 엘이디의 온도 변화에 따른 전류 제어를 함으로써, 상기 제4 엘이디의 광속률을 제어하는 것을 특징으로 하는 엘이디 발광장치.
청구항 1에 있어서, 상기 그룹은 나이트라이트 계열의 엘이디칩과 1종 이상의 형광물질의 조합에 의해 백색광을 만드는 제5 엘이디를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 발광장치.
청구항 3에 있어서, 상기 제어부는 상기 그룹 내 나이트라이드 계열 엘이디칩들에 공급되는 전류를 온도 증가에 따라 제1 전류 증가율로 증가시키도록 제어하고, 상기 적색 엘이디의 엘이디칩에 공급되는 전류를 상기 제1 전류 증가율과 다른 제2 전류 증가율로 증가시키도록 제어하는 것을 특징으로 하는 엘이디 발광장치.
청구항 1에 있어서, 상기 제어부는 상기 적색 엘이디의 엘이디칩에 공급되는 전류를 온도 증가에 따라 증가시키고, 상기 나이트라이트 계열 엘이디칩들에 공급되는 전류를 온도 증가에 관계없이 일정하게 유지시키도록 제어하는 것을 특징으로 하는 엘이디 발광장치.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 엘이디와, 상기 제2 엘이디와, 상기 제4 엘이디는 형광물질 없는 엘이디들인 것을 특징으로 하는 엘이디 발광장치.
청구항 1에 있어서, 상기 제1 엘이디와 상기 제4 엘이디는 형광물질 없는 엘이디들이고, 상기 제2 엘이디는 형광물질을 포함하는 PC-녹색 엘이디인 것을 특징으로 하는 엘이디 발광장치.
GaN 계열의 청색 엘이디칩에 의해 청색광을 발하는 청색 엘이디;
GaN 계열의 녹색 엘이디칩 또는 녹색 형광물질에 의해 녹색광을 발하는 녹색 엘이디;
GaN 계열의 청색 엘이디칩과 형광물질에 의해 앰버광을 발하는 앰버 엘이디;
적색 엘이디칩에 의해 적색광을 발하는 적색 엘이디; 및
상기 청색 엘이디, 상기 녹색 엘이디 및 상기 앰버 엘이디와 독립되게 상기 적색 엘이디에 공급되는 전류를 온도 변화에 따라 제어하여, 상기 앰버 엘이디의 광속률을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 발광장치.
청구항 8에 있어서, 상기 제어부는 상기 청색 엘이디, 상기 녹색 엘이디 및 상기 앰버 엘이디에 대하여 온도 증가에 따라 동일한 증가율로 전류를 증가시키고 상기 적색 엘이디에 대하여는 다른 증가율로 전류를 증가시키는 것을 특징으로 하는 엘이디 발광장치.
청구항 8에 있어서, 상기 제어부는 상기 청색 엘이디, 상기 녹색 엘이디 및 상기 앰버 엘이디에 공급되는 전류를 온도 증가에 관계없이 일정하게 유지시키도록 제어하는 것을 특징으로 하는 엘이디 발광장치.