CN101061184B - 吲哚鎓化合物和光学记录材料 - Google Patents

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Abstract

本发明的吲哚鎓化合物以下述通式(I)表示，在进行高速记录的光学记录介质的光学记录层中使用的光学记录材料中显示更良好的热分解行为。在通式(I)中，环A表示苯环或萘环；Z表示可以被卤素基团取代或可以插入-O-、-CO-、-OCO-或-COO-的碳原子数为1～8的烷基等；R1和R2中的至少一个表示由通式(II)或(III)表示的基团，在其中仅一个表示由通式(II)或(III)表示的基团时，另一个表示碳原子数为1～30的有机基团；R3和R4表示氢原子、碳原子数为1～30的有机基团等；X表示可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为1～8的烷基等；Y1表示氢原子或碳原子数为1～30的有机基团；n表示0～4的整数；q表示0～4的整数；Anm-表示m价的阴离子；m表示1或2；p表示保持电荷为中性的系数。

Description

吲哚鎓化合物和光学记录材料 
技术领域
本发明涉及新型吲哚鎓化合物和含有该吲哚鎓化合物而形成的光学记录材料。该吲哚鎓化合物除了适合用于光学记录材料中之外，还可用作图像显示设备的滤光器用的光吸收材料。 
背景技术
在550～620nm的范围内具有高强度吸收的化合物、特别是在550～620nm中有最大吸收(λmax)的化合物被用作形成DVD-R等光学记录介质的光学记录层的光学记录材料。 
作为上述光学记录材料，由于具有吲哚环的吲哚鎓化合物具有感度高、可以对应记录的高速化的优点，因此其报告例较多。例如，在专利文献1～6中报告了苯乙烯基吲哚鎓化合物。另外，在专利文献7中报告了在吲哚环的3位引入苄基而得到的低温分解性的花青化合物。在低温下分解的化合物容易形成光学记录层的记录部分(凹坑，pit)，从而适应于高速记录介质。 
专利文献1：特开平11-34489号公报 
专利文献2：特开平11-170695号公报 
专利文献3：特开2001-342366号公报 
专利文献4：特开2002-206061号公报 
专利文献5：特开2003-313447号公报 
专利文献6：特开2003-321450号公报 
专利文献7：特开2003-231359号公报 
发明内容
因此，本发明的目的在于提供在用于进行高速记录的光学记录介质的光学记录层的光学记录材料中显示更良好的热分解行为的吲哚鎓化合物、和含有该吲哚鎓化合物而形成的光学记录材料。 
本发明人等进行了反复研究，结果发现具有特定阳离子结构的吲哚鎓化合物作为光学记录材料显示出良好的热分解行为。  本发明基于上述发现而完成，其提供以下述通式(I)表示的吲哚鎓化合物、以及用于在基体上形成光学记录层而得到的光学记录介质的该光学记录层中并含有上述吲哚鎓化合物而形成的光学记录材料。 
Figure A20058003683800061
(式中，环A表示苯环或萘环，Z表示可以被卤素基团取代或可以插入-O-、-CO-、-OCO-或-COO-的碳原子数为1～8的烷基、具有碳原子数为1～8的烃基的磺酰基、具有碳原子数为1～8的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为1～8的烷基的烷基氨基、具有碳原子数为1～8的烷基的二烷基氨基、氰基、硝基、羟基或卤素基团，R1和R2中的至少一个表示由下述通式(II)或(III)表示的基团，在其中仅一个表示由下述通式(II)或(III)表示的基团时，另一个表示碳原子数为1～30的有机基团，R3和R4表示氢原子、碳原子数为1～30的有机基团、当R3和R4键合后形成5～6员的不含不饱和键的杂环的基团或与NR3R4所键合的苯环连接后形成5～6员环结构的基团，X表示可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为1～8的烷基、可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为1～8的烷氧基、羟基、硝基、氰基或卤素基，Y1表示氢原子或碳原子数为1～30的有机基团，n表示0～4的整数、q表示0～4的整数、Anm-表示m价的阴离子，m表示1或2，p表示保持电荷为中性的系数。) 
Figure A20058003683800071
(通式(II)中，E和G之间的键是双键或三键，E表示碳原子，G表示碳原子、氧原子或氮原子，x、y和z表示0或1，R5表示氢原子、卤原子、可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷基或可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷氧基，R6、R7和R8表示氢原子、卤原子或可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷基，R6和R8可以键合形成环结构；通式(III)中，E’和G’之间的键是双键，E’表示碳原子，G’表示碳原子、氧原子或氮原子，含有E’和G’的环表示可以含有杂原子的5员环、可以含有杂原子的6员环、萘环、喹啉环、异喹啉环、蒽环或蒽醌环，含有E’和G’的这些环可以被卤原子、硝基、氰基、烷基或烷氧基取代。) 
附图说明
图1为实施例1中得到的本发明的吲哚鎓化合物(化合物No.1的六氟化磷盐)的1H-NMR图谱。 
图2为实施例2中得到的本发明的吲哚鎓化合物(化合物No.10的高氯酸盐)的1H-NMR图谱。 
图3为实施例3中得到的本发明的吲哚鎓化合物(化合物No.11的六氟化磷盐)的1H-NMR图谱。 
图4为实施例4中得到的本发明的吲哚鎓化合物(化合物No.18的六氟化磷盐)的1H-NMR图谱。 
图5为实施例5中得到的本发明的吲哚鎓化合物(化合物No.21的四氟化硼盐)的1H-NMR图谱。 
图6为实施例6中得到的本发明的吲哚鎓化合物(化合物No.30的 高氯酸盐)的1H-NMR图谱。 
图7为实施例7中得到的本发明的吲哚鎓化合物(化合物No.31的高氯酸盐)的1H-NMR图谱。 
图8为实施例8中得到的本发明的吲哚鎓化合物(化合物No.40的高氯酸盐)的1H-NMR图谱。 
具体实施方式
由上述通式(I)表示的本发明的吲哚鎓化合物的特征在于，在吲哚骨架的3位具有特定结构的基团，其与用于DVD-R用途的光学记录材料中的以往的吲哚鎓类化合物相比，分解温度更低，可以对应高速记录。 
对于上述通式(I)中由环A表示的苯环或萘环的取代基Z，在为可以被卤素基团取代或可以插入-O-、-CO-、-OCO-或-COO-的碳原子数为1～8的烷基时，该卤素基团的取代位置和-O-、-CO-、-OCO-或-COO-的插入位置是任意的，-O-、-CO-、-OCO-或-COO-也可以与环A直接键合。作为碳原子数为1～8的该烷基，可以列举出例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、三氟甲基、五氟乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异丁氧基、戊氧基、异戊氧基、叔戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、异庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、异辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基、氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、2-羟基乙氧基、2-甲基-2-羟基乙氧基、1-甲基-2-羟基乙氧基、3-羟基丙氧基、2-(2-羟基乙氧基)乙氧基、2-甲氧基乙氧基、2-丁氧基乙氧基、2-甲基-2-甲氧基乙氧基、1-甲基-2-甲氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基、乙酰基、丙酮基、丁烷-2-氧-1-基、丁烷-3-氧-1-基、环己烷-4-氧-1-基、三氯乙酰基、三氟乙酰基、乙酰氧基、乙烷羰氧基、丙烷羰氧基、丁烷羰氧基、三氟乙酰氧基等。另外，对于取代基Z，作为磺酰基 或亚磺酰基所具有的碳原子数为1～8的烃基，可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基甲基、2-环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基等烷基，乙烯基、1-甲基乙烯-1-基、丙烯-1-基、丙烯-2-基、丙烯-3-基、丁烯-1-基、丁烯-2-基、2-甲基丙烯-3-基、1，1-二甲基乙烯-2-基、1，1-二甲基丙烯-3-基等链烯基，苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-异丙基苯基、4-异丙基苯基、4-丁基苯基、4-异丁基苯基、4-叔丁基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3，5-二甲基苯基等芳基，苄基、2-甲基苄基、3-甲基苄基、4-甲基苄基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、苯乙烯基等芳烷基。另外，对于取代基Z，作为烷基氨基或二烷基氨基所具有的碳原子数为1～8的烷基，可以列举出上述例示的烷基。作为取代基Z的卤素基团，可以列举出氟、氯、溴、碘等。 
另外，作为以R1～R4和Y1表示的碳原子数为1～30的有机基团，没有特别限制，可以列举出例如甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、环己基甲基、2-环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、异壬基、癸基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基等烷基，乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基、丁烯基、异丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、十二烯基、十五烯基、1-苯基丙烯-3-基等链烯基，苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-异丙基苯基、4-异丙基苯基、4-丁基苯基、4-异丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-己基苯基、4-环己基苯基、4-辛基苯基、4-(2-乙基己基)苯基、4-硬脂基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3，5-二甲基苯基、2，4-二叔丁基苯基、环己基苯基等烷基芳基，苄基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、二苯基甲基、 三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基，以及这些烃基中插入醚键和/或硫醚键得到的化合物、例如2-甲氧基乙基、3-甲氧基丙基、4-甲氧基丁基、2-丁氧基乙基、甲氧基乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙氧基乙基、3-甲氧基丁基、2-苯氧基乙基、2-甲基硫代乙基、2-苯基硫代乙基。进而，这些基团也可以被烷氧基、链烯基、硝基、氰基、卤原子等取代。 
R1和R2中的仅一个表示由上述通式(II)或(III)表示的基团时，另一个表示上述碳原子数为1～30的有机基团，此时，从吲哚化合物的制造成本低、摩尔吸光系数大的观点出发，上述碳原子数为1～30的有机基团中优选碳原子数为1～8的烃基，特别优选碳原子数为1～4的烷基。另外，对于R3、R4和Y1，在为碳原子数为1～30的有机基团时，从同样的观点出发，上述碳原子数为1～30的有机基团中也优选碳原子数为1～8的烃基，特别优选碳原子数为1～8的烷基。 
作为R3和R4键合后形成的5～6员的不含不饱和键的杂环，可以列举出吡咯烷环、咪唑烷环、吡唑烷环、噻唑烷环、异噻唑烷环、噁唑烷环、异噁唑烷环、哌啶环、哌嗪环、吗啉环等。另外，作为与NR3R4 所键合的苯环连接后形成5～6员环结构时的R3和R4，可以列举出例如-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-CH＝CH-CH2-、-CH2-CH＝CH-等烃基、这些烃基的亚甲基中的一个被O、S或NH取代的基团、这些烃基的次甲基被N取代的基团。 
另外，作为以X表示的、可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为1～8的烷基，可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、环己基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、三氟甲基、五氟乙基、羟基甲基、2-羟基乙基、2-羟基丙基、4-羟基丁基、2-甲氧基乙基、2-丁氧基乙基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙基等。另外，作为以X表示的、可以具有卤原子或羟基作为取代基或者可以插入醚键的碳原子数为1～8的烷氧基，可以列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异丁氧基、戊氧基、异戊氧基、叔戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、异庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、异辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基、氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、2-羟基乙氧基、2-甲基-2-羟基乙氧基、1-甲基-2-羟基乙氧基、3-羟基丙氧基、2-(2-羟基乙氧基)乙氧基、2-甲氧基乙氧基、2-丁氧基乙氧基、2-甲基-2-甲氧基乙氧基、1-甲基-2-甲氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基等。另外，作为以X表示的卤素基团，可以列举出氟、氯、溴、碘。表示以X表示的基团的数目的q优选为0或1。 
在上述通式(I)中，作为以Anm-表示的阴离子，例如作为一价的阴离子，可以列举出氯阴离子、溴阴离子、碘阴离子、氟阴离子等卤素阴离子、高氯酸阴离子、氯酸阴离子、硫氰酸阴离子、六氟化磷阴离子、六氟化锑阴离子、四氟化硼阴离子等无机类阴离子、苯磺酸阴离子、甲苯磺酸阴离子、三氟甲磺酸阴离子、二苯胺-4-磺酸阴离子、2-氨基-4-甲基-5-氯苯磺酸阴离子、2-氨基-5-硝基苯磺酸阴离子等有机磺酸阴离子、辛基磷酸阴离子、十二烷基磷酸阴离子、十八烷基磷酸阴离子、苯基磷酸阴离子、壬基苯基磷酸阴离子、2，2’-亚甲基双(4，6-二叔丁基苯基)膦酸阴离子等有机磷酸类阴离子等；作为二价阴离子，可以列举出例如苯并二磺酸阴离子、萘并二磺酸阴离子等。另外，也可以根据需要使用具有使处于激发状态的活性分子去激发(淬火，quenching)功能的金属配位化合物类淬火阴离子、环戊烷二烯环上具有羰基、膦酸基、磺酸基等阴离子性基团的二茂铁、二茂钌(ルテォセン)等金属茂化合物阴离子等。 
作为上述金属配位化合物类淬火阴离子，可以列举出例如偶氮鳌合物配位化合物、以下述通式(A)或(B)表示的阴离子、在特开昭60-234892号公报、特开平5-43814号公报、特开平6-239028号公报、特开平9-309886号公报、特开平10-45767号公报等中记载的阴离子。 
Figure 716316DEST_PATH_RE-RE-G18697224150138000D000021
(式中，M表示镍原子或铜原子，R9和R10表示卤原子、碳原子数为1～8的烷基、碳原子数为6～30的芳基或-SO2-Z’基团，Z’表示烷基、可以被卤原子取代的芳基、二烷基氨基、二芳基氨基、哌啶基或吗啉基，a和b分别表示0～4。另外，R11、R12、R13和R14各自独立地表示烷基、烷基苯基、烷氧基苯基或卤化苯基。) 
在上述通式(II)中，作为以R5～R8表示的卤原子，可以列举出氟、氯、溴、碘，作为可以被以R5～R8表示的卤原子取代的碳原子数为1～4的烷基，可以列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、溴甲基、二溴甲基、三溴甲基、氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、2，2，2-三氟乙基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基等，作为可以被以R5表示的卤原子取代的碳原子数为1～4的烷氧基，可以列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、三氟甲氧基等，作为R6和R8键合形成的环结构，可以列举出环丁烯环、环戊烯环、环己烯环、吡咯环、二氢吡咯环、吡啶环等。 
在上述通式(III)中，作为含有E’和G’并可以含有杂原子的5员环，可以列举出环戊烯环、环戊二烯环、吡咯环、咪唑环、吡唑环、三唑环、噻吩环、呋喃环、噻唑环、异噻唑环、噁唑环、异噁唑环、二氢吡咯环、二氢咪唑环、二氢吡唑环、二氢噻吩环、二氢呋喃环、二氢噻唑环、二氢异噻唑环、二氢噁唑环、二氢异噁唑环等，作为含有E’和G’并可以含有杂原子的6员环，可以列举出环己烯环、苯环、吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、哒嗪环、吡喃环、噻喃环等，另外，含有E’和G’的这些环可以被以下基团取代：氟、氯、溴、碘等卤原子、硝基、氰基、甲 基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、三氟甲基等烷基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、三氟甲氧基等烷氧基。 
本发明的吲哚鎓化合物中，从制造成本低、摩尔吸光系数大的观点出发，优选为以下述通式(I’)表示的吲哚鎓化合物。 
Figure A20058003683800131
(式中，环A、Z、R3、R4、Anm-、n以及p与上述通式(I)中的定义相同，R’1和R’2中的至少一个表示以上述通式(II)或(III)表示的基团，当其中仅一个表示以上述通式(II)或(III)表示的基团时，另一个表示碳原子数为1～4的烷基，Y2表示碳原子数为1～8的烷基，q’表示0或1。) 
另外，对于上述通式(I)或(I’)中的R3和R4，从吲哚鎓化合物的制造成本低、摩尔吸光系数大的观点出发，特别优选为碳原子数为1～8的烷基、R3和R4键合后形成5～6员的不含有不饱和键的杂环的基团、或者与NR3R4所键合的苯环连接后形成5～6员环结构的基团。 
作为以上述通式(I)表示的本发明的吲哚鎓化合物的优选的具体例子，可以列举出下述化合物No.1～54。另外，以下的例示中，以省去了阴离子的吲哚鎓阳离子的形式表示。 
Figure 496053DEST_PATH_RE-G05836838520070712D000011
Figure 891262DEST_PATH_RE-G05836838520070712D000021
Figure 705635DEST_PATH_RE-G05836838520070712D000031
以上述通式(I)或(I’)表示的本发明的吲哚鎓化合物的制造方法没有限制，例如可以在2-甲基吲哚衍生物和芳香醛衍生物的稠合反应后通过进行盐交换反应来合成。 
另外，以上述通式(II)或(III)表示的具有不饱和键的基团，可以在得到作为中间体的上述2-甲基吲哚衍生物的过程中引入。作为其方法，例如可以列举出以芳基肼衍生物为起始物质，在通过以上述通式(II)或(III)表示的具有不饱和基团的2-丁酮衍生物而形成吲哚环的时候引入的方法、使卤化衍生物与吲哚环反应而引入的方法。另外，Y1可以通过与吲哚环的NH反应的Y1-D(D例如为氯、溴、碘等卤素基团、苯基磺酰氧基、4-甲基苯基磺酰氧基、4-氯苯基磺酰氧基等磺酰氧基)而引入。另外，以上述通式(II)或(III)表示的具有不饱和基团的上述2-丁酮衍生物可以通过使丙酮和具有相应取代基的苯甲醛发生反应而得到。 
本发明的光学记录材料用于形成在基体上形成光学记录层的薄膜而得到的光学记录介质的该光学记录层，其包括以上述通式(I)表示的本发明的吲哚鎓化合物本身、以及该吲哚鎓化合物和后述的有机溶剂和/或各种化合物的混合物。 
对于本发明的使用了光学记录材料的光学记录介质的光学记录层的形成方法没有特别限制。通常使用将在下述有机溶剂中溶解有本发明的吲哚鎓化合物和根据需要的后述的各种化合物的溶液通过旋转涂布、喷雾、浸渍涂布等在基体上进行涂布的湿式涂布法，所述有机溶剂为甲醇、乙醇等低级醇类、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、二乙二醇单丁醚等醚醇类、丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、二丙酮醇等酮类、醋酸乙酯、醋酸丁酯、醋酸甲氧基乙酯等酯类、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯类、2，2，2-三氟乙醇、全氟乙醇、2，2，3，3-四氟-1丙醇、全氟丙醇等氟化醇类、苯、甲苯、二甲苯等烃类、二氯甲烷、三氯乙烷、氯仿等氯代烃类等。作为其它方法，可以列举出蒸镀法、溅射法等。 
上述光学记录层的厚度通常为0.001～10μ，优选为0.01～5μ的范围。 
另外，在使光学记录介质的光学记录层中含有本发明的光学记录材料时，该光学记录层中以上述通式(I)表示的本发明的吲哚鎓化合物 的含量优选为25～100质量％。为了形成这种吲哚鎓化合物含量的光学记录层，对于本发明的光学记录材料，优选在其中含有以固态成分基准计为25～100质量％的本发明的吲哚鎓化合物。 
另外，上述光学记录层除了含有以上述通式(I)表示的本发明的吲哚鎓化合物之外，还可以根据需要含有其它花青类化合物、偶氮类化合物、酞菁类化合物、类菁(oxonol)类化合物、方酸内鎓盐类化合物、苯乙烯类化合物、卟吩类化合物、偶氮金属配位化合物等用于光学记录层中的色素化合物；聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯等树脂类；表面活性剂；防静电剂；润滑剂；阻燃剂；受阻胺等自由基捕捉剂；二茂铁衍生物等形成凹坑促进剂；分散剂；抗氧化剂；交联剂；耐光性赋予剂等。另外，上述光学记录层还可以含有芳香族亚硝基化合物、胺鎓化合物、亚胺鎓化合物、二亚胺鎓化合物、过渡金属鳌合物化合物等作为单态氧等的淬火剂。 
这些各种化合物在上述光学记录层中的使用量优选为0～75质量％。为此，在本发明的光学记录材料中，这些各种化合物在其中的含量优选以固态成分基准计为0～75质量％。 
对于设置上述光学记录层的上述基体的材质，只要是对写入(记录)光和读取(再生)光基本上是透明的材质即可，没有特别限制，例如可以使用聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯等树脂、玻璃等。另外，其形状根据用途可以制成带(tape)状、筒状、皮带(belt)状、圆盘状等任意形状。 
另外，在上述光学记录层上也可以使用金、银、铝、铜等通过蒸镀法或溅射法形成反射膜，也可以利用丙烯酸树脂、紫外线固化性树脂等形成保护层。 
本发明的光学记录材料适用于在记录和再生中使用半导体激光的光学记录介质，特别适用于高速记录型的DVD-R等光盘。 
另外，本发明的吲哚鎓化合物除了用作光学记录材料之外，还可以用作液晶显示器和等离子体显示器等图像显示设备的滤光器用的光吸 收材料。 
实施例 
下面，利用实施例和比较例来更加详细地说明本发明。但是，本发明并不受以下实施例等任何限制。 
[实施例1]化合物No.1的六氟化磷盐的制造 
在反应烧瓶中，装入0.01摩尔1，2，3-三甲基-3-丁烯基苯并吲哚的溴盐、0.01摩尔4-二乙基氨基苯甲醛以及23g氯仿，在55℃下搅拌8.5小时。用20g水洗涤该反应体系后，加入20g水和0.015摩尔六氟化磷钾，在45℃下搅拌30分钟。除去水相后，向其中加入20g水和0.0054摩尔六氟化磷钾，在45℃下搅拌30分钟。用20g水洗涤该体系3次后，蒸馏除去溶剂后得到残渣。将该残渣通过使用了醋酸乙酯溶剂和硅胶的柱色谱法进行粗精制，得到粗晶体。在该粗晶体中加入10g乙醇，回流1小时后冷却到25℃，滤出晶体，然后在130℃下真空干燥2.5小时，得到0.6g绿色晶体(收率为10.6％)。所得绿色晶体确认为目标物化合物No.1的六氟化磷盐。对该绿色晶体的分析结果如下。 
(分析结果) 
光学特性(氯仿，1.644×10-5摩尔/升) 
λmax：585.5nm，ε：1.01×105
分子量(TOF-质谱分析) 
568.6 
熔点(差示热分析DTA的吸收峰顶点，10℃/分钟，氮气100ml/分钟，试样5.87725mg) 
167.6℃ 
1H-NMR(溶剂：DMSO) 
图1显示1H-NMR图谱。 
[实施例2]化合物No.10的高氯酸盐的制造 
在反应烧瓶中，装入0.02摩尔1，2，3-三甲基-3-苄基苯并吲哚的溴盐、 0.02摩尔4-二乙基氨基苯甲醛以及45g甲醇，在55℃下搅拌2.5小时。向其中加入22.4g氯仿、44.7g水和0.03摩尔高氯酸钠一水合物，在45℃下搅拌30分钟。将该体系冷却到25℃，滤出析出的晶体。将该晶体依次用甲醇、水、甲醇洗涤后，在120℃下真空干燥2.5小时，得到7.9g绿色晶体(收率为70.8％)。所得绿色晶体确认为目标物化合物No.10的高氯酸盐。对该绿色晶体的分析结果如下。 
(分析结果) 
光学特性(氯仿，1.297×10-5摩尔/升) 
λmax：590.0nm，ε：1.02×105
分子量(TOF-质谱分析) 
559.1 
1H-NMR(溶剂：DMSO) 
图2显示1H-NMR图谱。 
[实施例3]化合物No.11的六氟化磷盐的制造 
在反应烧瓶中，装入0.01摩尔1，2，3-三甲基-3-(2-甲基苄基)苯并吲哚的溴盐、0.01摩尔4-二乙基氨基苯甲醛以及25g甲醇，在50℃下搅拌6.5小时。在该反应体系中加入25g氯仿、50g水和0.015摩尔六氟化磷钾，在45℃下搅拌30分钟。除去水相后，向其中加入30g水和0.0076摩尔六氟化磷钾，在45℃下搅拌30分钟。用30g水洗涤该体系2次后，蒸馏除去溶剂后得到残渣。向该残渣中加入25g甲醇进行晶析。滤出析出的晶体，用甲醇洗涤后在130℃下真空干燥2.5小时，得到5.05g绿色晶体(收率为81.6％)。所得绿色晶体确认为目标物化合物No.11的六氟化磷盐。对该绿色晶体的分析结果如下。 
(分析结果) 
光学特性(氯仿，1.810×10-5摩尔/升) 
λmax：589.0nm，ε：1.02×105
分子量(TOF-质谱分析) 
618.7 
熔点(差示热分析DTA的吸收峰顶点，10℃/分钟，氮气100ml/分钟，试样3.72686mg) 
203.0℃ 
1H-NMR(溶剂：DMSO) 
图3显示1H-NMR图谱。 
[实施例4]化合物No.18的六氟化磷盐的制造 
在反应烧瓶中，装入0.005摩尔1，2，3-三甲基-3-[(5-硝基呋喃-2-基)甲基]苯并吲哚的溴盐、0.005摩尔4-二乙基氨基苯甲醛以及13g甲醇，在55℃下搅拌6.5小时。在该反应体系中加入15g氯仿、30g水和0.0075摩尔六氟化磷钾，在45℃下搅拌30分钟。除去水相后，向其中加入30g水和0.0038摩尔六氟化磷钾，在45℃下搅拌30分钟。用30g水洗涤该体系2次后，蒸馏除去溶剂后得到残渣。在该残渣中加入4.0g甲醇和26g乙醇进行晶析。滤出析出的晶体，用乙醇洗涤后在130℃下真空干燥2.5小时，得到2.3g绿色晶体(收率为71.9％)。所得绿色晶体确认为目标物化合物No.18的六氟化磷盐。对该绿色晶体的分析结果如下。 
(分析结果) 
光学特性(氯仿，8.990×10-6摩尔/升) 
λmax：595.5nm，ε：1.12×105
分子量(TOF-质谱分析) 
639.6 
熔点(差示热分析DTA的吸收峰顶点，10℃/分钟，氮气100ml/分钟，试样2.41224mg) 
156.0℃ 
1H-NMR(溶剂：DMSO) 
图4显示1H-NMR图谱。 
[实施例5]化合物No.21的四氟化硼盐的制造 
在反应烧瓶中，装入0.02摩尔1，2-二甲基-3，3-二苄基-5-氯代吲哚的溴盐、0.02摩尔4-二乙基氨基苯甲醛以及49g甲醇，在45℃下搅拌6.5小时。在该反应体系中加入24g氯仿和49g水，搅拌30分钟后除去水相。然后，加入20g水和0.03摩尔四氟化硼钠，在45℃下搅拌30分钟，除去水相后，向其中加入20g水和0.0092摩尔四氟化硼钠，在45℃下搅拌30分钟。然后，除去水相后，用20g水洗涤2次后，蒸馏除去溶剂后得到残渣。在该残渣中加入64g醋酸乙酯，回流1小时。将其冷却到25℃后，滤出晶体，将该晶体用醋酸乙酯洗涤后在120℃下真空干燥2.5小时，得到8.8g绿色晶体(收率为72.2％)。所得绿色晶体确认为目标物化合物No.21的四氟化硼盐。对该绿色晶体的分析结果如下。 
(分析结果) 
光学特性(氯仿，1.005×10-5摩尔/升) 
λmax：585.0nm，ε：1.37×105
分子量(TOF-质谱分析) 
606.9 
熔点(差示热分析DTA的吸收峰顶点，10℃/分钟，氮气100ml/分钟，试样5.54875mg) 
157.8℃ 
1H-NMR(溶剂：DMSO) 
图5显示1H-NMR图谱。 
[实施例6]化合物No.30的高氯酸盐的制造 
在反应烧瓶中，装入0.02摩尔1，2，3-三甲基-3-苄基苯并吲哚的溴盐、0.02摩尔4-二乙基氨基水杨醛以及46g甲醇，在45℃下搅拌12小时。在该反应体系中加入50g氯仿和50g水，搅拌30分钟后除去水相。然后，加入50g水和0.03摩尔高氯酸钠一水合物，在45℃下搅拌30分钟，除去水相后，加入50g水和0.0071摩尔高氯酸钠一水合物，在45℃下搅拌30分钟，除去水相。然后，用50g水洗涤有机相2次后，蒸馏除去溶剂后得到残渣。在该残渣中加入7.7g甲醇并加热使其溶解。向其中加入78g醋酸乙酯，滤出析出的晶体。将其用醋酸乙酯洗涤后在130℃下真空干燥2.5小时，得到7.0g绿色晶体(收率为60.9％)。所得绿色晶体确认为目标物化合物No.30的高氯酸盐。对该绿色晶体的分析结果如下。 
(分析结果) 
光学特性(氯仿，1.495×10-5摩尔/升) 
λmax：584.5nm，ε：1.38×105
分子量(TOF-质谱分析) 
575.5 
熔点(差示热分析DTA的吸收峰顶点，10℃/分钟，氮气100ml/分钟，试样4.14182mg) 
194.3℃ 
1H-NMR(溶剂：DMSO) 
图6显示1H-NMR图谱。 
[实施例7]化合物No.31的高氯酸盐的制造 
在反应烧瓶中，装入0.02摩尔1，2，3-三甲基-3-(2-甲基苄基)苯并吲哚的溴盐、0.02摩尔4-二乙基氨基水杨醛以及47g甲醇，在55℃下搅拌10小时。在该反应体系中加入50g氯仿和60g水，搅拌30分钟后除去水相。然后，加入50g水和0.03摩尔高氯酸钠一水合物，在45℃下搅拌30分钟，除去水相后，加入50g水和0.011摩尔高氯酸钠一水合物，在45℃下搅拌30分钟，除去水相。然后，用50g水洗涤有机相2次后，蒸馏除去溶剂后得到残渣。在该残渣中加入16.5g甲醇并加热使其溶解。向其中加入33g醋酸乙酯，滤出析出的晶体。将其用醋酸乙酯洗涤后在130℃下真空干燥2.5小时，得到8.8g紫色晶体(收率为74.7％)。所得紫色晶体确认为目标物化合物No.31的高氯酸盐。对该紫色晶体的分析结果如下。 
(分析结果) 
光学特性(氯仿，9.760×10-6摩尔/升) 
λmax：584.0nm，ε：1.31×105
分子量(TOF-质谱分析) 
589.1 
熔点(差示热分析DTA的吸收峰顶点，10℃/分钟，氮气100ml/分钟，试样4.22797mg) 
200.9℃ 
1H-NMR(溶剂：DMSO) 
图7显示1H-NMR图谱。 
[实施例8]化合物No.40的高氯酸盐的制造 
在反应烧瓶中，装入0.003摩尔1，2，3-三甲基-3-(2-氟-4-溴苄基)吲哚的溴盐、0.003摩尔durolidine-9-甲醛以及9.45g氯仿，在45℃下搅拌15.5小时。在该反应体系中加入10g水，搅拌30分钟后除去水相。然后，加入10g水和0.006摩尔高氯酸钠一水合物，在45℃下搅拌30分钟，除去水相后，加入10g水和0.003摩尔高氯酸钠一水合物，在45℃下搅拌30分钟，除去水相。然后，用10g水洗涤有机相2次后，蒸馏除去溶剂后得到残渣。在该残渣中加入1.5g甲醇并加热使其溶解。向其中加入15g醋酸乙酯，滤出析出的晶体。将其用醋酸乙酯洗涤后在120℃下真空干燥2.5小时，得到0.9g紫色晶体(收率为47.6％)。所得紫色晶体确认为目标物化合物No.40的高氯酸盐。对该紫色晶体的分析结果如下。(分析结果) 
光学特性(氯仿，1.064×10-5摩尔/升) 
λmax：598.0nm，ε：1.43×105
分子量(TOF-质谱分析) 
630.0 
1H-NMR(溶剂：DMSO) 
图8显示1H-NMR图谱。 
[实施例9] 
对上述实施例中得到的吲哚鎓化合物和以下所示的比较化合物1及2进行差示热分析，测定热分解温度和由于分解导致的发热。热分解温度为在氮气中在10℃/分钟的升温条件下得到的DTA的发热的峰顶温度。结果示于表1。 
比较化合物1                              比较化合物2 
Figure DEST_PATH_RE-G05836838520070712D000041
                [表1] 
Figure DEST_PATH_RE-G05836838520070712D000042
由上述表1的结果可知，本发明的吲哚鎓化合物与类似的吲哚鎓化合物相比，在低温下会分解。由此可以确认本发明的吲哚鎓化合物作为光学记录材料会显示良好的热分解行为。 
根据本发明，可以提供在进行高速记录的光学记录介质的光学记录层中使用的光学记录材料中显示更良好的热分解行为的吲哚鎓化合物、以及含有该吲哚鎓化合物而形成的光学记录材料。 

Claims (3)

1.一种以下述通式(I)表示的吲哚鎓化合物，
式中，环A表示苯环或萘环；Z表示可以被卤素基团取代或可以插入-O-的碳原子数为1～8的烷基、氰基、硝基或卤素基团；R1和R2中的至少一个表示由下述通式(II)或(III)表示的基团，在其中仅一个表示由下述通式(II)或(III)表示的基团时，另一个表示碳原子数为1～4的烷基；R3和R4表示碳原子数为1～8的烷基、当R3和R4键合后形成5～6员的不含不饱和键的杂环的基团或者与NR3R4所键合的苯环连接后形成5～6员环结构的基团；X表示羟基；Y1表示碳原子数为1～8的烷基；n表示0～4的整数；q表示0～4的整数；Anm-表示一价的卤素阴离子、高氯酸阴离子、氯酸阴离子、硫氰酸阴离子、六氟化磷阴离子、六氟化锑阴离子、四氟化硼阴离子、有机磺酸阴离子、有机磷酸类阴离子；m表示1；p表示保持电荷为中性的系数；
Figure FSB00000288946400012
通式(II)中，E和G之间的键是双键或三键，E表示碳原子，G表示碳原子、氧原子或氮原子，x、y和z表示0或1，R5表示氢原子、卤原子、可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷基或可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷氧基，R6、R7和R8表示氢原子、卤原子或可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷基，R6和R8可以键合形成环结构；通式(III)中，E’和G’之间的键是双键，E’表示碳原子，G’表示碳原子或氮原子，含有E’和G’的环表示环戊烯环、环戊二烯环、吡咯环、噻吩环、呋喃环、异噁唑环、环己烯环、苯环、吡啶环，含有E’和G’的这些环可以被卤原子、硝基、氰基、烷基或烷氧基取代。
2.一种以下述通式(I’)表示的吲哚鎓化合物，
Figure FSB00000288946400021
式中，环A表示苯环或萘环；Z表示可以被卤素基团取代或可以插入-O-的碳原子数为1～8的烷基、氰基、硝基或卤素基团；R3和R4表示碳原子数为1～8的烷基、当R3和R4键合后形成5～6员的不含不饱和键的杂环的基团或者与NR3R4所键合的苯环连接后形成5～6员环结构的基团；n表示0～4的整数；Anm-表示一价的卤素阴离子、高氯酸阴离子、氯酸阴离子、硫氰酸阴离子、六氟化磷阴离子、六氟化锑阴离子、四氟化硼阴离子、有机磺酸阴离子、有机磷酸类阴离子；m表示1；p表示保持电荷为中性的系数；R’1和R’2中的至少一个表示以下述通式(II)或(III)表示的基团，当其中仅一个表示以所述通式(II)或(III)表示的基团时，另一个表示碳原子数为1～4的烷基；Y2表示碳原子数为1～8的烷基；q’表示0或1；
Figure FSB00000288946400022
通式(II)中，E和G之间的键是双键或三键，E表示碳原子，G表示碳原子、氧原子或氮原子，x、y和z表示0或1，R5表示氢原子、卤原子、可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷基或可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷氧基，R6、R7和R8表示氢原子、卤原子或可以被卤原子取代的碳原子数为1～4的烷基，R6和R8可以键合形成环结构；通式(III)中，E’和G’之间的键是双键，E’表示碳原子，G’表示碳原子或氮原子，含有E’和G’的环表示环戊烯环、环戊二烯环、吡咯环、噻吩环、呋喃环、异噁唑环、环己烯环、苯环、吡啶环，含有E’和G’的这些环可以被卤原子、硝基、氰基、烷基或烷氧基取代。
3.一种光学记录材料，其被用于在基体上形成光学记录层而得到的光学记录介质的该光学记录层中，且含有权利要求1或2所述的吲哚鎓化合物而形成。
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