CN101044263A - 在基板上敷设导电透明涂层的方法及设备 - Google Patents

在基板上敷设导电透明涂层的方法及设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101044263A
CN101044263A CNA200580035585XA CN200580035585A CN101044263A CN 101044263 A CN101044263 A CN 101044263A CN A200580035585X A CNA200580035585X A CN A200580035585XA CN 200580035585 A CN200580035585 A CN 200580035585A CN 101044263 A CN101044263 A CN 101044263A
Authority
CN
China
Prior art keywords
microwave
injection device
substrate
plasma
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA200580035585XA
Other languages
English (en)
Inventor
斯蒂芬·鲍尔
尼科·斯库尔特兹
克里斯蒂安·赫恩
安德列亚·安东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schott AG
Original Assignee
Schott Glaswerke AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schott Glaswerke AG filed Critical Schott Glaswerke AG
Publication of CN101044263A publication Critical patent/CN101044263A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
    • C23C16/029—Graded interfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/515—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using pulsed discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于在反应器的等离子腔内的基板上敷设导电透明涂层或TCO涂层的等离子脉冲CVD方法(PICVD方法)，通过微波注入设备将具有适当强度和脉冲持续时间的微波脉冲注入到所述等离子腔中以产生等离子体。通过使用保护设备专门抑制了导电涂层在微波注入设备上的形成，否则微波透射性的较大削弱将会造成等离子体强度的下降，最终抑制等离子体的形成。用于抑制层的形成的所述保护设备例如可以是位于等离子腔和微波注入设备之间的覆盖、屏蔽或分离设备，其例如是薄膜或胶带，可选地能够以特定的间隔被清洁或更换。基板本身也可以被用作覆盖或分离设备。通过控制等离子腔内的气体成分，也可以有效抑制不需要的层的形成。所述微波注入设备和/或所述保护设备可以被冷却到一定的温度水平，在这种温度水平下淀积出基本上不阻碍微波透射的非导电或弱导电的涂层。本发明还涉及一种用于实现上述方法的PICVD反应器。

Description

在基板上敷设导电透明涂层的方法及设备
本发明涉及一种在基板上、尤其是在玻璃或塑料基板上敷设导电透明涂层或TCO涂层(TCO＝透明导电氧化物)的等离子脉冲CVD方法。本发明还涉及一种实现上述方法的反应器设备。
在等离子脉冲CVD方法(或简称为PICVD方法，其中PICVD是等离子脉冲化学气相淀积(Plasma Impulse Chemical VaporDeposition)的缩写)中，所期望的涂层从等离子相(plasma phase)中淀积出来，所述等离子相是通过使用指定的微波注入设备在反应器设备的等离子腔或覆膜腔中注入具有适当密度及脉冲持续时间的微波脉冲而形成的。这里可通过适当选择用于形成等离子体的处理气体，按照需要控制所述涂层的成分。所述处理气体通常包括由一种或多种用于形成实际层的前导气体(precursor gas)、一种或多种掺杂气体以及一种或多种承载气体组成的对于层特定的气体混合物。可选地，也可以通过如下方式在各个微波脉冲之间任意地改变其化学成分，即在工艺流程或涂层操作期间淀积出针对应用特定的、定制的(made-to-measure)、由多个不同层组成的多层系统。所述脉冲操作模式是指，所述层的形成是通过小步骤实现的，从而形成了非常致密且均匀的层或层系统。也可以实现非常低的处理温度，因此PICVD方法也特别适合塑料的涂覆。
但是，当从等离子相进行淀积时，不仅仅如所希望的那样对基板进行涂覆，而且还在微波注入设备上淀积出相应的涂层，致使其电导率改变，愈加削弱了所需微波的透射性。这样一来，将逐渐减小所述等离子体的密度，最终完全阻碍了等离子体的形成，由于上述原因，通常认为长时间在基板上通过PICVD方法生成导电涂层是不可行的。因此，通常通过其他化学或物理淀积方法敷设相应的涂层，例如溅射法，如在EP 1220234中所描述的。另一方面，由于上述关于微波脉冲注入的问题，PICVD方法通常只能实际应用在非导电涂层或弱导电涂层的形成中。
DE 101 39 305 A1公开了一种PICVD方法，用于通过将至少一个屏蔽涂层淀积在适当的基板材料(例如塑料基板)的一侧从而生成合成材料。在这种情况下，所述屏蔽涂层特别是还可以包括导电层和SnOx层，其中x∈[0.2]。
DE 39 26 023 C2公开了一种用于形成介电层和金属层的PICVD涂层方法，该方法例如可应用在光学器件和光波导中。还描述了一种用于实现上述方法的设备。
然而，在上面提及的两篇文档中并未阐述之前所述的由于在微波注入设备上形成导电涂层而导致的微波透射性被逐渐削弱的问题，以及伴随微波脉冲注入而产生的问题。
DE 39 38 830 C2描述了一种微波等离子CVD反应器，其具有一个覆膜腔以及多个指定的微波注入窗口，这些微波注入窗口一个叠加在另一个之上，其中的一个微波注入窗口曝露于所述覆膜腔，并且可以在所述覆膜腔与一个相邻的刻蚀腔之间移动。当在覆膜腔内进行涂覆操作时，在该微波注入窗口上淀积的不希望产生的涂层将借助刻蚀腔内适当的刻蚀气体被侵蚀掉，从而对该微波注入窗口进行清洁，这样可以避免形成不需要的厚层，并实现了较长的操作时间，特别地，甚至是在高微波强度下也能实现上述效果。所描述的这种反应器用于通过一种MWPCVD方法(微波等离子CVD方法(Microwave PlasmaCVD method))淀积大面积的半导体层。而不会淀积出导电层。
本发明的目的在于提供一种简单且低成本的PICVD方法，用于淀积导电透明涂层或TCO涂层，这种方法使得在基本上恒定的等离子强度下的长时间操作成为可能。这里希望所述TCO涂层的透射性T大于可视光谱范围(VIS)中的约80％，而其电阻率ρ应当小于大约10Ω·cm。本发明的目的还在于提供一种用于实现上述方法的反应器设备。
根据本发明，该目标通过如权利要求1所述的方法以及如权利要求21所述的反应器设备来实现。根据本发明的优选方法变体以及实施例可从分别相关的从属权利要求得到。
在根据本发明的PICVD方法中，可以通过TCO保护设备专门抑制在微波注入设备上形成的不希望产生的导电涂层，这样，与常规PICVD方法不同的是，即使在相对长的操作时间内，微波也能基本上不受阻挡地穿过微波注入设备，从而始终可以在等离子腔内得到形成等离子体所需的足够高的微波强度。
特别地，还可以在等离子腔及微波注入设备之间设置一个微波可穿透的覆盖或分离设备例如作为TCO保护设备，如果其上生成了不可接受的厚涂层，它被可选地以特定时间间隔清洁或更换。微波发射设备例如可以被基本上完全由覆盖或分离设备所覆盖或屏蔽。然而，根据本发明，也可以为所述等离子腔使用一个分隔壁形式的、基本上不透射等离子的分离设备，作为微波注入设备的覆盖保护。
例如可以使用适当的薄膜，如Kapton薄膜，或者胶带(adhesivetape)作为所述覆盖或分离设备。
根据本发明，可选地，这里所述薄膜可以是循环薄膜(endlessfilm)的形式，在涂覆操作期间，例如通过卷绕和展开(winding-up andunwinding)设备或传送滚筒等适当的传送设备，持续地或基本上持续地以特定的速度移动，穿过所述微波注入设备或等离子腔，从而可以可靠地避免生成不可接受的厚层。
根据本发明，特别地，需要涂覆的基板通过以下方式设置后，其本身也可以用作覆盖或分离设备，即相对于所述等离子腔，以等离子不能穿透的方式基本上屏蔽所述微波注入设备。这里所述基板的朝向等离子腔的一侧被涂覆所希望的导电涂层，而所述基板的背对等离子腔且朝向微波注入设备的一侧、以及微波注入设备将保持没有被涂覆。根据本发明，在这种方法变体的情况下，所述基板在一侧被涂覆。可选地，通过随后翻转所述基板，也可以在双侧敷设涂层。跟据本发明，这种方法变体例如可以应用到对具有微波注入窗口的PICVD平面系统中的基本上呈平面状的基板进行涂覆的过程。这里，所述基板的不希望被涂覆的一侧放置或敷设到微波注入窗口上，使得所述微波注入窗基本上完全或完全被覆盖，从而有效地防止生成不希望产生的TCO涂层。
根据本发明，附加地或作为上述方法的替代，还可以通过适当控制等离子腔中的气体成分或气体传导来抑制不希望的导电涂层在微波注入设备上形成。例如，可使用一类屏蔽气体方案，通过使用适当的气体馈送设备使相应的承载气体分别在微波注入设备周围流动。附加地或作为上述方法的替代，通过相应的气体馈送设备可引导所述前导气体经过所述微波注入设备，直接引导到要被涂覆的基板上。这两种方法都具有使前导气体远离微波注入设备的效果，由此可以有效地抑制不希望产生的导电涂层的形成。
根据本发明，还可以通过冷却微波注入设备和/或保护设备(例如覆盖或分离设备)来抑制在微波注入设备上形成导电涂层，即通过一个指定的冷却设备将温度降为足够低的水平，在这种温度下仅能淀积出非导电层或弱导电层，并且可以允许微波基本上不受阻挡地穿过。这样，即使在相对长的操作时间内，也不能显著地阻挡或者甚至阻止等离子体的形成。在等离子腔中的实际处理温度以及基板温度基本上不会受到上述冷却措施的影响，因此使得所述基板本身被设置所需要的导电涂层。这里所述微波注入设备和/或保护设备最好被冷却到至少大约40℃的温度。为了实现上述冷却操作，例如将足够冷的空气从波导馈送通过所述冷却设备。但是也可以使用非导电的液体或流体进行冷却。
最好在基板温度为大约50℃至320℃之间时进行导电涂层的淀积，尤其是在塑料基板的情况下，使用小于大约100℃的基板温度。
由于这种非常低的温度水平，根据本发明的PICVD方法特别适用于涂覆刚性的或具有柔韧性的塑料基板。然而，其也可以有利地用于对无机基板、例如玻璃基板或陶瓷玻璃基板进行涂覆。所述基板也可以是等同于保护设备的一种薄膜。所述(塑料)薄膜需要(基本上)连续的涂覆。
在对塑料基板进行涂覆的情况下，在敷设导电涂层之前，首先要在塑料基板上敷设一个增进附着层或增进附着层系统。这里处理气体的成分在涂覆操作期间会以以下方式发生改变，即在基板一侧上形成一个具有基本上为有机成分的梯度层(gradient layer)或梯度层系统，并在TCO涂层一侧上形成一个具有基本上为无机成分的梯度层或梯度层系统，所述成分被选择为与基板或TCO涂层基本相同。所述增进附着层的前体(precursor)最好含有六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
所描述的根据本发明的PICVD方法最好被用于敷设含有掺杂ZnO2或掺杂SnO2的铟锡氧化物(indium tin oxide)或缩写为ITO(In2O3:SnO2)的导电涂层。
最好使用氧气、氮气或者这两种气体的混合物作为承载气体。特别地，对于掺杂的氧化锡SnO2，氯化锡SnCl4或四甲基锡(tetramethyltin)(TNT)可用作前导气体。现已证明使用四氯甲烷或氟作为掺杂气体的效果良好。对于ITO涂层，三甲基铟In(CH3)3、高氯酸铟In(ClO4)3或具有氯化锡SnCl4或四甲基锡Sn(CH3)3成分的三甲基铟In(C6H7O2)3可用作前导气体。对于ZnO:F，二甲基锌Zn(CH3)2或硫酸锌ZnSnO4可用作前导气体，CF4或F2作为掺杂气体。
根据本发明的PICVD方法最好被连续地或基本上连续地执行。
当前的PICVD方法被用于敷设透射性T大于可见光谱范围(VIS)中的大约80％而电阻率ρ小于约10Ω·Cm的TCO涂层。
根据本发明的用于实现上述PICVD方法的反应器设备包括具有进气口和出气口的等离子腔，所述进气口和出气口经由一个第一气体馈送设备可以连接或连接到一个指定的用于处理气体和/或气体冲洗的供气设备。所述等离子腔设置有一个微波注入设备，例如微波注入窗口或石英管，其经由一个微波导体可连接或连接到一个指定的微波发生器，所述微波发生器用于生成具有适当强度及适当脉冲持续时间的微波脉冲。根据本发明，在这里所述微波注入设备受到微波可穿透的TCO保护设备的保护，从而不会形成不希望的导电涂层。另外，还为要被涂覆的基板额外提供夹持、引导或传送设备。
特别地，所述保护设备包括一个微波可穿透的覆盖或分离设备，例如设置在等离子腔和微波注入设备之间的薄膜或胶带。这里所述覆盖或分离设备最好被如此形成，使得所述覆盖或分离设备能够被更换或清洁。它可以被直接敷设或粘附到所述微波注入设备上。然而，它也可以作为用于隔离等离子腔或覆膜腔的等离子不能穿透的分隔壁或分离设备。还可以为所述覆盖或分离设备提供一个传送设备，例如卷绕和展开设备。
根据对本发明的一个优选改进，所述保护设备还可包括一个用于夹持或引导设备和/或用于微波注入设备的第二气体馈送设备。
另外，根据本发明，所述保护设备还设置有为其自身和/或微波注入设备进行冷却的冷却设备。
特别地，所述反应器设备还可包括一个用于控制方法序列的控制设备。
下文的表1中示例性地编辑了通过本发明所述PICVD方法敷设的多个TCO层的重要特征数据，所述的层被敷设在上述类型的PICVD平面反应器的等离子或覆膜腔中，被敷设到基本上呈平面状的玻璃或塑料基板上。在商业上可以获得的、商品名为Kapton的聚碳酸脂(PC)和聚酰亚胺可用作所述塑料。
所述PICVD平面反应器包括一个用于注入所需微波的微波注入窗口，所述微波在一个指定的微波生成器中产生，并经过一个微波波导馈送到所述微波注入窗口。在微波功率输出在3-9千瓦时，所注入的微波脉冲的脉冲持续时间和脉冲间隔分别为1-4ms或10-80ms。
这里等离子腔中的工作压强通常为150-300μbar。
流经等离子腔的总的气流在每分钟100-400标准立方厘米(sccm)之间。掺杂有0.25-4sccm CF4的100-400sccm氧气被用作承载气体。浓度为承载气体中1％-66.7％的氯化锡或四甲基锡(TMT)被用作前导气体。
87-99sccm的氮气被用作等离子腔的冲洗气体。
基板温度Ts为PC基板的情况下适用的100℃与玻璃基板的情况下适用的最高320℃之间。
要被涂覆的基板上无需涂覆的一侧被放置或敷设到微波注入窗口上，以完全覆盖所述微波注入窗口，并可靠地防止形成不需要的TCO涂层。另一方面，所述基板朝向等离子腔的一侧设置了具有下面所列属性的所需导电SnO2:F涂层。
  Glass   Glass   Kapton   PC   PC
Rsq(Ω)   24   120   100   8000   500
ρ(Ω·cm)   0.0006   0.002   0.002   0.16   0.035
T(％)   ＞80   ＞80   ～29   ＞80   ～55
TS(℃)   320   120   200   100   100
d(nm)   210   223   200   200   700
Table 1
对于塑料基板的情况，在淀积SnO2:F涂层之前，首先敷设HMDSO增进附着梯度层。
在指定的示范性实施例的情况下，层的厚度d在0.2-0.7μm之间。然而，应用本发明所述的方法，淀积TCO涂层的层厚度d也可以达到大约8μm。另外，还可形成层厚度仅为约0.1μm的TCO层。
所指定的TCO层的电阻率ρ在玻璃基板情况下的6×10-4Ω·cm到PC基板情况下的0.16Ω·cm之间。
也可淀积出表面电阻率Rsq最高为大约108Ω的TCO层。
在使用玻璃基板和塑料基板这两种情况下，TCO层的透射性T在可视光谱范围(VIS)内有时超过了80％。

Claims (27)

1、一种用于在反应器设备的等离子腔内的基板上敷设导电透明涂层(TCO涂层)的等离子脉冲CVD方法(PICVD方法)，通过以下步骤实现：将一种承载气体和一种前导气体馈送到一种处理气体中，并通过一个微波注入设备注入微波脉冲以产生等离子体，其中通过一个保护设备抑制导电涂层在微波注入设备上的形成。
2、根据权利要求1所述的方法，其中一个设置在所述等离子腔和微波注入设备之间的微波可穿透的覆盖、屏蔽或分离设备被用作所述保护设备。
3、根据权利要求2所述的方法，其中以特定的间隔清洁或更换所述覆盖、屏蔽或分离设备，或者，所述覆盖、屏蔽或分离设备被连续地或基本上连续地以一定的速度移动，经过所述微波注入设备或等离子腔。
4、根据权利要求2或3所述的方法，其中使用薄膜或胶带作为所述覆盖、屏蔽或分离设备。
5、根据权利要求2或3所述的方法，其中使用所述基板本身作为所述覆盖或分离设备。
6、根据之前任一权利要求所述的方法，其中所述保护设备被用于控制所述等离子腔中的气体成分或气体传导。
7、根据权利要求6所述的方法，所述前导气体被直接引导到所述基板上。
8、根据之前任一权利要求所述的方法，其中使用氯化锡或四甲基锡作为所述前导气体。
9、根据权利要求6-8中任一项所述的方法，其中使所述承载气体在所述微波注入设备周围流动，从而使所述前导气体远离所述微波注入设备。
10、根据之前任一权利要求所述的方法，其中使用氧、氮或者这两种气体的混合气体作为承载气体。
11、根据之前任一权利要求所述的方法，其中所述处理气体包括掺杂CF4的气体或F2(氟)。
12、根据之前任一权利要求所述的方法，其中所述微波注入设备和/或保护设备被冷却到至少40℃。
13、根据权利要求12所述的方法，其中使用空气或非导电液体进行冷却。
14、根据之前任一权利要求所述的方法，其中所述淀积发生在基板温度为50℃至320℃时。
15、根据之前任一权利要求所述的方法，其中玻璃或塑料的基板、玻璃陶瓷或塑料的薄膜被涂覆。
16、根据权利要求15所述的方法，其中首先将一个增进附着层敷设到所述塑料基板上。
17、根据权利要求16所述的方法，其中所述增进附着层包括HMDSO(六甲基二硅氧烷)。
18、根据之前任一权利要求所述的方法，其中敷设包括掺杂ITO(In2O3:SnO2)的ZnO2或掺杂的SnO2的透明导电涂层。
19、根据之前任一权利要求所述的方法，其中所述方法被连续地或基本上连续地执行。
20、一种反应器设备，包括：
具有进气口和出气口的等离子腔；
指定的微波注入设备；以及
用于要涂覆的基板的夹持、引导或传送设备，其中所述夹持、引导或传送设备包括用于所述微波注入设备的保护设备。
21、根据权利要求20所述的反应器设备，其中所述保护设备包括用于所述微波注入设备的微波可穿透的覆盖、屏蔽或分离设备。
22、根据权利要求21所述的反应器设备，其中所述分离设备作为等离子腔分隔壁的形式形成。
23、根据权利要求21或22所述的反应器设备，其中所述覆盖、屏蔽或分离设备被形成为可更换的形式。
24、根据权利要求21-23中任一项所述的反应器设备，其中所述覆盖、屏蔽或分离设备包括薄膜或胶带。
25、根据权利要求21-24中任一项所述的反应器设备，其包括用于所述屏蔽或分离设备的传送设备。
26、根据权利要求21-25中任一项所述的反应器设备，其中所述保护设备包括用于所述基板的所述夹持、引导或传送设备和/或用于所述微波注入设备的气体馈送设备。
27、根据权利要求21-26中任一项所述的反应器设备，其中所述保护设备包括冷却设备。
CNA200580035585XA 2004-09-15 2005-09-07 在基板上敷设导电透明涂层的方法及设备 Pending CN101044263A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004045046.3 2004-09-15
DE200410045046 DE102004045046B4 (de) 2004-09-15 2004-09-15 Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer elektrisch leitfähigen transparenten Beschichtung auf ein Substrat

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101044263A true CN101044263A (zh) 2007-09-26

Family

ID=35385197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200580035585XA Pending CN101044263A (zh) 2004-09-15 2005-09-07 在基板上敷设导电透明涂层的方法及设备

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP1797217A1 (zh)
JP (1) JP2008513601A (zh)
CN (1) CN101044263A (zh)
DE (1) DE102004045046B4 (zh)
WO (1) WO2006029743A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102641823A (zh) * 2012-05-14 2012-08-22 中国科学院微电子研究所 一种微波匀胶装置及匀胶方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005056324A1 (de) * 2005-11-25 2007-06-06 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit auswechselbarer Prozesskammerdecke
JP5195354B2 (ja) * 2008-12-01 2013-05-08 セイコーエプソン株式会社 光学素子
DE102009033417C5 (de) * 2009-04-09 2022-10-06 Interpane Entwicklungs-Und Beratungsgesellschaft Mbh Verfahren und Anlage zur Herstellung eines beschichteten Gegenstands mittels Tempern
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
PL2251453T3 (pl) 2009-05-13 2014-05-30 Sio2 Medical Products Inc Uchwyt na pojemnik
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
US9554968B2 (en) 2013-03-11 2017-01-31 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging
EP2776603B1 (en) 2011-11-11 2019-03-06 SiO2 Medical Products, Inc. PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS
KR20130087354A (ko) 2012-01-27 2013-08-06 주식회사 유피케미칼 인듐을 포함한 산화막 및 이의 제조 방법
CN103074604A (zh) * 2012-04-23 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 用于化学气相沉积工艺的喷淋头和改善工艺均匀性的方法
CN104854257B (zh) 2012-11-01 2018-04-13 Sio2医药产品公司 涂层检查方法
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
BR112015012470B1 (pt) 2012-11-30 2022-08-02 Sio2 Medical Products, Inc Método de produção de um tambor médico para um cartucho ou seringa médica
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
US9662450B2 (en) 2013-03-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or CVD pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
EP3693493A1 (en) 2014-03-28 2020-08-12 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
KR20180048694A (ko) 2015-08-18 2018-05-10 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 산소 전달률이 낮은, 의약품 및 다른 제품의 포장용기

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3926023A1 (de) * 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
JPH02141578A (ja) * 1988-11-24 1990-05-30 Canon Inc 堆積膜形成装置
JPH02175878A (ja) * 1988-12-28 1990-07-09 Canon Inc 改良されたマイクロ波導入窓を有するマイクロ波プラズマｃｖｄ装置
JPH03122273A (ja) * 1989-10-06 1991-05-24 Hitachi Ltd マイクロ波を用いた成膜装置
DE4030900A1 (de) * 1990-09-29 1992-04-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren und einrichtung zum beschichten von teilen
JPH04329881A (ja) * 1991-05-01 1992-11-18 Canon Inc マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置
US5234526A (en) * 1991-05-24 1993-08-10 Lam Research Corporation Window for microwave plasma processing device
EP1326809B1 (de) * 2000-09-29 2006-09-06 Schott Ag Optisches substrat sowie ein verahren zur herstellung optischer substrate
DE10054653A1 (de) * 2000-11-03 2002-05-08 Ver Foerderung Inst Kunststoff Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Hohlkörper
DE10139305A1 (de) * 2001-08-07 2003-03-06 Schott Glas Verbundmaterial aus einem Substratmaterial und einem Barriereschichtmaterial
DE10254427B4 (de) * 2002-11-21 2005-03-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102641823A (zh) * 2012-05-14 2012-08-22 中国科学院微电子研究所 一种微波匀胶装置及匀胶方法
CN102641823B (zh) * 2012-05-14 2015-10-28 中国科学院微电子研究所 一种微波匀胶装置及匀胶方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004045046B4 (de) 2007-01-04
DE102004045046A1 (de) 2006-04-06
JP2008513601A (ja) 2008-05-01
EP1797217A1 (de) 2007-06-20
WO2006029743A1 (de) 2006-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101044263A (zh) 在基板上敷设导电透明涂层的方法及设备
KR101697806B1 (ko) 적층 필름의 제조 방법
AU666675B2 (en) Apparatus for rapid plasma treatments and method
Wakeham et al. Low temperature remote plasma sputtering of indium tin oxide for flexible display applications
JP5148864B2 (ja) 低温で酸化亜鉛を堆積させる方法およびそれにより形成される生成物
EP1792726A1 (en) Transparent gas barrier film
US20120295120A1 (en) Transparent conductive film, process for producing same, and electronic device employing transparent conductive film
US9297061B2 (en) Transparent electroconductive film and process for producing the same
US20050000794A1 (en) Transparent conductive oxides
KR101464715B1 (ko) 인듐을 함유하는 산화막 및 이의 제조 방법
EP0801145B1 (en) Oxide film, laminate and methods for their production
JP2009114478A (ja) 透明導電膜の製造方法
Kim et al. Surface modification of polymeric substrates to enhance the barrier properties of an Al2O3 layer formed by PEALD process
JPH1024520A (ja) 透明導電性積層体
JP3165143B2 (ja) 薄膜被着方法及び装置
EP2489065A1 (en) Deposition of doped zno films on polymer substrates by uv-assisted chemical vapor deposition
JP3511337B2 (ja) 透明導電性積層体及びその製造方法
JP4969919B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR20140012696A (ko) 가스 배리어 적층체, 그 제조 방법, 전자 디바이스용 부재 및 전자 디바이스
JP2005259628A (ja) 透明導電膜形成方法、該方法により形成された透明導電膜および該透明導電膜を有する物品
JP2004011014A (ja) 金属原子含有膜、金属原子含有膜材料及び金属原子含有膜の形成方法
JP4192505B2 (ja) 透明導電膜形成方法
JP2003303520A (ja) 透明導電膜積層体及びその製造方法並びに該透明導電膜積層体を用いた物品
JP2004039469A (ja) 透明導電性薄膜の形成方法、透明導電性物品及び透明導電性フィルム
JP4314779B2 (ja) 透明導電膜、その形成方法及びそれを有する物品

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication