CN101034262A - 一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法。包括以下步骤：首先，在衬底上形成第一层金属薄膜；用第一块掩膜版定义第一层金属薄膜的图案，形成栅极扫描线和栅电极。接下来，在栅极金属上面依次沉积第一层绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二层金属薄膜；使用第二块掩膜版，即第一块灰色调掩膜版先定义第二层金属薄膜的图案，形成源漏电极和数据扫描线；其次形成有源层孤岛和薄膜晶体管器件导电沟道。在第二层金属上面形成第二层绝缘薄膜。最后，使用第三块掩膜版，即第二块灰色调掩膜版定义第二层绝缘薄膜，形成第二层绝缘薄膜的图案，使得部分第二层金属和部分第二层绝缘层暴露出来，而其它部分则被光敏感材料保护。在此之上沉积一层透明导电薄膜，然后去除光敏感材料和其上附着的导电薄膜，最后形成导电薄膜的图案。

Description

一种薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板的制作方法

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的阵列基板的制作方法。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器产业中，减少阵列基板的掩膜工艺次数是有效降低生产成本的方法。传统的阵列基板制造工艺由六次掩膜工艺进化到五次掩膜工艺，进一步简化到四次掩膜工艺。通过减少光刻工艺的次数，可以降低材料的使用费和生产成本，同时亦可提高现有设备的利用效率和产能。目前工业界的主流制造工艺是五次掩膜工艺和四次掩膜工艺。

图1a和1b为目前主流的一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板单一像素的俯视图和截面示意图。此种背沟道刻蚀底栅结构的阵列基板主要由薄膜晶体管器件、透明像素电极10、栅极扫描线1以及数据扫描线5组成。其中薄膜晶体管器件由栅电极2、栅绝缘层4、半导体层3(包括有源层和欧姆接触层)、源电极6和漏电极7组成。用于构成存储电容的栅电极突出部11(与像素重叠的凸起部)和透明像素电极10一起形成存储电容。此种薄膜晶体管器件的漏电极7通过钝化层过孔9与透明像素电极10电连接。

图2是五次掩膜工艺流程图。它依次通过形成栅电极和栅极扫描线的掩膜工艺，形成栅绝缘层、有源层孤岛和欧姆接触层孤岛的掩膜工艺，形成源电极、漏电极和数据扫描线的掩膜工艺，形成钝化层过孔的掩膜工艺和形成透明像素电极的掩膜工艺等五步工艺完成。每一步工艺均由薄膜沉积、掩膜版曝光显影和刻蚀组成。

图2所示的五次掩膜工艺制造流程的详细工艺过程如下所述：在基板上沉积栅极金属薄膜，通过第一次掩膜工艺形成栅电极2及其栅极扫描线1，其俯视图和横截面图分别如图3a和图3b所示；在栅极金属上连续沉积栅绝缘层4和半导体层3(包括有源层和欧姆接触层)，通过第二次掩膜工艺形成非晶硅岛，其俯视图和横截面图分别如图4a和图4b所示；在基板上沉积源漏金属薄膜，通过第三次掩膜工艺形成源电极6、漏电极7和数据扫描线5，其俯视图和横截面图分别如图5a和图5b所示；在基板上沉积钝化层薄膜，通过第四次掩膜工艺形成钝化层过孔9，其俯视图和横截面图分别如图6a和图6b所示；最后在基板上沉积透明导电薄膜，通过第五次掩膜工艺形成透明像素电极10，其俯视图和横截面图分别如图1a和图1b所示。

在五次掩膜工艺基础上，近来薄膜晶体管液晶显示器产业界开发了一种利用灰色调掩膜版的四次掩膜工艺，其工艺流程如图8所示。利用灰色调掩膜版，把形成栅绝缘层、有源层和欧姆接触层的掩膜工艺以及形成源电极、漏电极和数据扫描线的掩膜工艺合并到同一次掩膜工艺当中。其方法是连续沉积栅绝缘层4、半导体层3、源漏金属层。首先完成源电极6、漏电极7和非晶硅岛的光刻，然后利用灰色调掩膜版和光刻胶灰化工艺在非晶硅岛上完成薄膜晶体管沟道部分14的刻蚀。改变掩膜版的设计和工艺次序，也有其它的五次掩膜和四次掩膜工艺技术。

前述薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的五次掩膜和四次掩膜工艺均存在光刻工艺复杂，使用掩膜版数量多的缺陷。在其他一些工艺中，为减少掩膜次数而使用半导体工艺中常用的离地剥离工艺，但所使用的特殊光刻胶剥离液不仅腐蚀光刻胶，还对其他材料进行腐蚀。以上缺陷造成了制造中良品率低、成本高等弊端。

发明内容

为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种不同于先前的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法。本发明的第一个目的是提供一种采用灰色调掩膜版和离地剥离工艺的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，使用三次掩膜完成液晶显示器件的阵列基板制作。减少了掩膜版的数目，简化了制造工艺。本发明的第二个目的是优化光刻胶曝光显影工艺、导电薄膜溅射工艺、和光刻胶灰化工艺，使光刻胶的侧壁垂直，从而在进行离地剥离工艺时，利用这种侧壁结构，可使用普通剥离液，仅对光刻胶进行剥离，而不需腐蚀其它材料，提高了离地剥离工艺的效率和可靠性，降低了成本。通过以下对本发明的描述以及具体实施例，还能了解到本发明的其它优点。

为实现上述目的，本发明提供一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，包括图9a所列步骤：首先，提供一个绝缘透明衬底；在绝缘衬底上依次形成第一层金属薄膜和一层光刻胶；使用第一块掩膜版定义光刻胶的图案，并刻蚀形成第一层金属薄膜的图案，即栅电极和栅极扫描；然后，在基板上沉积一层绝缘层薄膜、至少一层半导体层薄膜和第二层金属薄膜；在金属薄膜上涂布一层光刻胶；使用第二块掩膜版，即第一块灰色调掩膜版，经过曝光显影和刻蚀形成薄膜晶体管硅岛，利用光刻胶灰化工艺和刻蚀，形成源漏电极和薄膜晶体管开关器件的沟道；最后，在基板上沉积一层钝化层薄膜；在钝化层薄膜上涂布一层光刻胶；使用第三块掩膜版，即第二块灰色调掩膜版，经过曝光显影后得到无光刻胶的区域，保留部分光刻胶的区域和保留全部光刻胶的区域；刻蚀无光刻胶的区域得到钝化层过孔；完成刻蚀后，对光刻胶进行灰化工艺，全部去除保留部分光刻胶的区域的光刻胶，去除一部分厚度的保留全部光刻胶的区域的光刻胶；在阵列基板上沉积一层透明导电薄膜，并结合离地剥离工艺，剥离尚存的光刻胶，其上沉积的透明导电薄膜也随之去除，残留的透明导电薄膜就形成了透明像素电极图案并通过钝化层过孔与薄膜晶体管漏电极形成电连接。

灰色调掩膜版残留所述的两块灰色调掩膜版在基板上形成多层薄膜图案的方法包括下面一些步骤：在玻璃基板上沉积薄膜；在薄膜上涂布一层光刻胶；使用灰色调掩膜版对光刻胶进行曝光，形成一定的图案；所述灰色调掩膜版，包括完全透光区域、半透光区域和不明透光区域。半透光区域由有一定方向和间距的狭缝和窄条构成；灰色调掩膜版的不透光光部分也可以包含两层薄膜材料，半透光部分包含一层薄膜材料，完全透光部分没有上述薄膜材料。半透光部分的薄膜材料可以是氧化铬，不透光部分的薄膜材料可以是铬和氧化铬。这样完全透光区域和半透光区域是具有不同透光率的两个透光部分，使得照射在光刻胶上的光强不同；从而定义了曝光显影后无光刻胶的区域、曝光显影后保留部分光刻胶的区域和曝光显影后保留全部光刻胶的区域。由所述第一块灰色调掩膜版定义的曝光显影后无光刻胶的区域包括透明像素电极、栅极扫描线和部分与外部电路连接的部分；曝光显影后保留部分光刻胶的区域包括薄膜晶体管沟道部分；曝光显影后保留全部光刻胶的区域包括源电极、漏电极、数据扫描线和部分与外部电路连接的部分。由所述第二块灰色调掩膜版定义的曝光显影后无光刻胶的区域包括钝化层过孔的部分，刻蚀形成钝化层过孔；所述第二块灰色调掩膜版定义的曝光显影后保留部分光刻胶的区域包括透明像素电极的部分；利用光刻胶灰化工艺去除透明像素电极区域上因部分曝光而厚度较薄的光刻胶，露出其下的钝化层薄膜；其它部分为曝光显影后保留全部光刻胶的区域。在整个基板上沉积一层透明导电薄膜，同时透明导电薄膜填充钝化层过孔；利用离地剥离工艺，剥离尚存的光刻胶，其上沉积的透明导电薄膜也随之去除，残留的透明导电薄膜就形成了透明像素电极图案并通过钝化层过孔与薄膜晶体管漏电极形成电连接。其中在第二块灰色调掩膜版工艺中，通过控制光刻胶的曝光显影条件和灰化工艺条件，形成垂直侧壁的光刻胶图案；更进一步通过控制透明导电薄膜的沉积条件，优化沉积效果，使得透明导电薄膜不沉积于光刻胶侧壁上，从而在基板上形成断续的导电薄膜。而采用所述离地剥离工艺时，利用所述垂直的光刻胶侧壁形貌，可以使用不含腐蚀其他材料成分的普通光刻胶剥离液，例如丙酮、异丙醇、酒精或者上述溶剂的混合液等不含有酸性溶剂的剥离液，这种普通光刻胶剥离液只与光刻胶进行化学反应，不腐蚀包括透明导电薄膜在内的其它材料，从而仅对光刻胶进行剥离，光刻胶上的透明导电薄膜随光刻胶的剥离而被去除。

本发明提供一种三次掩膜工艺的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，使液晶显示器件的制造工艺得以简化，降低了液晶显示器件阵列基板制作的成本，提高了生产效率。其它的离地剥离工艺中使用特殊的剥离液，其除了对光刻胶进行剥离外，还腐蚀其他材料，而本发明优化了离地剥离工艺，提高了离地剥离工艺的效率和可靠性，降低了成本。上述特征以及优点在附图和具体实施例中得到更加明显的体现。

附图说明

图1a是先前工艺制作的一种典型薄膜晶体管像素结构的俯视图；

图1b是先前工艺制作的一种典型薄膜晶体管像素结构的截面图；

图2是一种典型的五次掩膜工艺流程；

图3a是一种典型的五次掩膜工艺中形成栅电极和栅极扫描线的掩膜工艺完成后像素的俯视图；

图3b是一种典型的五次掩膜工艺中形成栅电极和栅极扫描线的掩膜工艺完成后像素的截面图；

图4a是一种典型的五次掩膜工艺中形成栅极绝缘层、有源层和欧姆接触层的掩膜工艺完成后像素的俯视图；

图4b是一种典型的五次掩膜工艺中形成栅极绝缘层、有源层和欧姆接触层的掩膜工艺完成后像素的截面图；

图5a是一种典型的五次掩膜工艺中形成源漏电极和数据扫描线的掩膜工艺完成后像素的俯视图；

图5b是一种典型的五次掩膜工艺中形成源漏电极和数据扫描线的掩膜工艺完成后像素的截面图；

图6a是一种典型的五次掩膜工艺中形成钝化层过孔的掩膜工艺完成后像素的俯视图；

图6b是一种典型的五次掩膜工艺中形成钝化层过孔的掩膜工艺完成后像素的截面图；

图7是一种典型的四次掩膜工艺流程；

图8a是一种典型的四次掩膜工艺中形成栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和源漏电极以及数据扫描线的掩膜工艺完成后像素的俯视图；

图8b是一种典型的四次掩膜工艺中形成栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和源漏电极以及数据扫描线的掩膜工艺完成后像素的截面图；

图9a是本发明的三次掩膜工艺流程；

图9b是本发明的三次掩膜工艺制作的一种薄膜晶体管像素结构的俯视图；

图10a是本发明第三次掩膜工艺中光刻胶曝光显影完成后像素结构的俯视图；

图10b是本发明第三次掩膜工艺中光刻胶曝光显影完成后像素结构的截面图；

图10c是本发明第三次掩膜工艺中钝化层过孔刻蚀完成后像素结构的截面图；

图11a是本发明第三次掩膜工艺中光刻胶灰化完成后像素结构的俯视图；

图11b是本发明第三次掩膜工艺中光刻胶灰化完成后像素结构的截面图；

图12a是本发明第三次掩膜工艺中透明导电薄膜沉积完成后像素结构的截面图；

图12b是图12a中A处的细部放大图；

图12c是本发明第三次掩膜工艺中光刻胶离地剥离工艺完成后像素结构的截面图；

图中标识：1、栅极扫描线；2、栅电极；3、半导体层；4、栅绝缘层；5、数据扫描线；6、源电极；7、漏电极；8、钝化层；9、钝化层过孔；10、透明像素电极；11、用于构成存储电容的栅电极突出部；12、灰色调掩膜版半透光部分对应区域的光刻胶；13、灰色调掩膜版不透光部分对应区域的光刻胶；14、薄膜晶体管沟道部分。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，对本发明进行进一步详细说明：

首先，使用磁控溅射方法，在基板上制备一层厚度1000至7000的栅金属薄膜。栅金属薄膜的材料通常使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料的组合。如图3a和图3b所示，用第一块掩膜版进行曝光显影，然后进行化学刻蚀，在玻璃基板的一定区域上形成栅极扫描线1和栅电极2的图案。

然后，利用化学汽相沉积的方法在阵列基板上连续沉积厚度1000至6000的栅绝缘层4薄膜和厚度1000至6000的半导体层3薄膜(包括有源层和欧姆接触层)。栅绝缘层4材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。接下来为了制作源电极6和漏电极7，在半导体层3薄膜上沉积一层厚度在1000至7000类似于栅金属的的薄膜。此层金属薄膜采用和栅金属薄膜类似的方法在阵列基板上淀积制备。用第一块灰色调掩膜版进行曝光显影；灰色调掩膜版由完全透光区域、半透光区域和不透光区域构成。半透光区域由有一定方向和间距的狭缝和窄条构成；灰色调掩膜版的不透光部分也可以包含两层薄膜材料，半透光部分包含一层薄膜材料，完全透光部分没有上述薄膜材料。半透光部分的薄膜材料可以是氧化铬，不透光部分的薄膜材料可以是铬和氧化铬；所述第一块灰色调掩膜版定义的曝光显影后无光刻胶的区域包括透明像素电极10、栅极扫描线1和部分与外部电路连接的部分；曝光显影后保留部分光刻胶的区域包括薄膜晶体管沟道部分14；曝光显影后保留全部光刻胶的区域包括源电极6、漏电极7、数据扫描线5和部分与外部电路连接的部分。然后进行刻蚀形成非晶硅岛、源电极6、漏电极7和数据扫描线5。然后进行光刻胶灰化工艺，除去非晶硅岛处用于形成薄膜晶体管沟道14的部分之上的光刻胶，然后再次进行刻蚀形成薄膜晶体管沟道14，源电极6和漏电极7分别与欧姆接触层的两端相接触。完成后的俯视图和横截面图如图8a和8b所示。

最后，用和制备栅绝缘层相类似的方法，在整个阵列基板上沉积一层厚度在1000到6000的钝化层8。其材料通常是氮化硅。选择适当的光刻胶用第二块灰色调掩膜版进行曝光显影，所述第二块灰色调掩膜版定义的曝光显影后无光刻胶的区域包括钝化层过孔9的部分，曝光显影后保留部分光刻胶的区域包括透明像素电极10的部分，其余部分为曝光显影后保留全部光刻胶的区域。曝光显影后用于形成钝化层过孔9的部分上方的光刻胶被完全去除；用于形成透明像素电极10的部分之上的光刻胶被部分去除，形成厚度较薄的灰色调掩膜版半透光部分对应区域的光刻胶12，其形状与透明像素电极10的形状相同；而其它部分的灰色调掩膜版不透光部分对应区域的光刻胶13被完全保留。例如灰色调掩膜版半透光部分对应区域的光刻胶12的厚度在1000到10000之间，而灰色调掩膜版不透光部分对应区域的光刻胶13的厚度在10000到30000之间。选择合适的光刻胶显影液浓度和时间，还有合适的预烘焙和后烘焙温度及时间，例如50℃至200℃和0秒至200秒之间，形成垂直侧壁的光刻胶图形。完成后的形貌如图10a和10b所示。然后采用和非晶硅刻蚀类似的方法进行钝化层过孔刻蚀，形成如图10c所示的结构。完成刻蚀以后，对光刻胶进行灰化工艺，全部去除灰色调掩膜版半透光部分对应区域的光刻胶12，而灰色调掩膜版不透光部分对应区域的光刻胶13仍然保留一部分厚度，在对光刻胶进行灰化处理时，控制工艺条件，使残留的灰色调掩膜版不透光部分对应区域的光刻胶13形成垂直的侧壁形貌，完成后如图11a和11b所示。

接下来在阵列基板上面采用溅射方法淀积一层厚度在100到2000的透明导电薄膜如氧化铟锡、氧化铟锌等，完成后如图12a所示。由于残留的灰色调掩膜版不透光部分对应区域的光刻胶13的垂直侧壁形貌，以及在溅射沉积透明导电薄膜时，控制溅射室的真空条件和电极及其附件，这样使得灰色调掩膜版不透光部分对应区域的光刻胶13的侧壁上不会沉积上透明导电薄膜，侧壁细部形貌如图12b所示。同时控制透明导电薄膜的溅射条件，例如真空度在0.01Pa至10Pa之间，以及溅射功率和溅射间距等，可以防止光刻胶侧壁部分沉积透明导电薄膜。于是使用光刻胶离地剥离工艺剥离残留的灰色调掩膜版不透光部分对应区域的光刻胶13，沉积在其上的透明导电薄膜也随之被去除。由于灰色调掩膜版不透光部分对应区域的光刻胶13的侧壁上没有沉积上透明导电薄膜，普通的光刻胶剥离液如丙酮、异丙醇、酒精或者它们的混合液，就可以从灰色调掩膜版不透光部分对应区域的光刻胶13的侧壁处直接腐蚀光刻胶，而不需要使用特殊的剥离液对透明导电薄膜等其它材料进行腐蚀。为维持透明导电薄膜图案的完整性和其它材料的图案，光刻胶剥离液完全不含有酸性溶剂。为了完全剥离像素部分和钝化层过孔之外的光刻胶及其上附着的导电薄膜，在进行剥离工艺时，采用喷洒、振动摇晃、或者超声波等方法辅助进行。离地剥离完成后，钝化层过孔9中的透明导电薄膜以及作为透明像素电极的透明导电薄膜被保留下来。实现如图9b和图12c所示的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的结构。

通过上述步骤，使用三块掩膜版完成了薄膜晶体管阵列基板的制作。本实施例仅用于说明而不是限定本发明所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法。除非特别指出的部分，本发明不局限于上述描述的具体细节。在不偏离实质性特征和核心工艺技术的前提下，本发明还有其它的具体实施例。任何符合本发明特征的修改和变化，都在本发明的范围之内。

Claims (12)

1、一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：

首先，提供一个绝缘透明衬底；在绝缘衬底上依次形成第一层金属薄膜和一层光刻胶；使用第一块掩膜版定义光刻胶的图案，并刻蚀形成第一层金属薄膜的图案，即栅电极和栅极扫描线；

然后，在基板上沉积一层绝缘层薄膜、至少一层半导体层薄膜和第二层金属薄膜；在金属薄膜上涂布一层光刻胶；使用第二块掩膜版，即第一块灰色调掩膜版，经过曝光显影和刻蚀形成薄膜晶体管硅岛，利用光刻胶灰化工艺和刻蚀，形成源漏电极和薄膜晶体管开关器件的沟道；

最后，在基板上沉积一层钝化层薄膜；在钝化层薄膜上涂布一层光刻胶；使用第三块掩膜版，即第二块灰色调掩膜版，经过曝光显影后得到无光刻胶的区域，保留部分光刻胶的区域和保留全部光刻胶的区域；刻蚀无光刻胶的区域得到钝化层过孔；完成刻蚀后，对光刻胶进行灰化工艺，全部去除保留部分光刻胶的区域的光刻胶，去除一部分厚度的保留全部光刻胶的区域的光刻胶；在阵列基板上沉积一层透明像素电极薄膜，并结合离地剥离工艺，剥离尚存的光刻胶，其上沉积的透明导电薄膜也随之去除，残留的透明导电薄膜就形成了透明像素电极图案并通过钝化层过孔与薄膜晶体管漏电极形成电连接。

2、根据权利要求1所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：所述第一块灰色调掩膜版和第二块灰色调掩膜版分别定义各自曝光显影后无光刻胶的区域、曝光显影后保留部分光刻胶的区域和曝光显影后保留全部光刻胶的区域；由所述第一块灰色调掩膜版定义的曝光显影后无光刻胶的区域包括透明像素电极、栅极扫描线和部分与外部电路连接的部分；曝光显影后保留部分光刻胶的区域包括薄膜晶体管沟道部分；曝光显影后保留全部光刻胶的区域包括源电极、漏电极、数据扫描线和部分与外部电路连接的部分；由所述第二块灰色调掩膜版定义的曝光显影后无光刻胶的区域包括钝化层过孔的部分，曝光显影后保留部分光刻胶的区域包括透明像素电极的部分，其余部分为曝光显影后保留全部光刻胶的区域。

3、根据权利要求1或2所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：在所述第二块灰色调掩膜版工艺中，通过选择光刻胶和控制所述光刻胶的曝光显影条件和灰化工艺条件，使残留光刻胶的侧壁形成垂直的形貌。

4、根据权利要求1或2所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：所述沉积透明导电薄膜时，采用的是溅射方法，控制溅射室的真空条件和电极及其附件，使光刻胶侧壁没有透明导电薄膜沉积。

5、根据权利要求3所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：所述沉积透明导电薄膜时，采用的是溅射方法，控制溅射室的真空条件和电极及其附件，使光刻胶侧壁没有透明导电薄膜沉积。

6、根据权利要求4所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：采用所述离地剥离工艺时，剥离液只与光刻胶进行化学反应，不腐蚀包括透明导电薄膜在内的其它材料，光刻胶上的透明导电薄膜随光刻胶的剥离而被去除。

7、根据权利要求5所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：采用所述离地剥离工艺时，剥离液只与光刻胶进行化学反应，不腐蚀包括透明导电薄膜在内的其它材料，光刻胶上的透明导电薄膜随光刻胶的剥离而被去除。

8、根据权利要求7所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：所述剥离液为丙酮、异丙醇、酒精或者上述溶剂的混合液，不含有酸性溶剂

9、根据权利要求8所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：所述第一块灰色调掩膜版和第二块灰色调掩膜版，其不透光部分包含两层薄膜材料，半透光部分包含一层薄膜材料，完全透光部分没有上述薄膜材料，半透光部分的薄膜材料可以是氧化铬，不透光部分的薄膜材料可以是铬和氧化铬。

10、根据权利要求9所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：所述第一块灰色调掩膜版和第二块灰色调掩膜版的半透光区域包括有一定方向和间距的狭缝和窄条。

11、根据权利要求10所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：所述第一金属和第二金属为钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料的组合。

12、根据权利要求11所述的一种制作薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于：所述透明导电薄膜为氧化铟锡或氧化铟锌。

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