CN101957529A - Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种FFS型液晶显示器阵列基板及其制造方法，该方法包括：在透明基板上沉积第一金属薄膜，通过第一构图工艺，形成包括栅线、栅电极以及公共电极线的图形；沉积栅绝缘层、有源层薄膜以及第二金属薄膜，通过第二构图工艺，在数据线区域、源电极区域、漏电极区域以及TFT沟道区域保留有源层薄膜以及第二金属薄膜；沉积第一透明导电薄膜，通过第三次构图工艺，形成包括源电极、漏电极、TFT沟道以及像素电极的图形；沉积钝化层，通过第四次构图工艺，形成包括连接孔的图形，进行光刻胶灰化工艺，沉积第二透明导电层，通过离地剥离工艺形成包括公共电极的图形。本发明能够降低TFT沟道的过度刻蚀的程度，保障液晶显示器的显示性能。

Description

FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器，尤其是涉及一种能够降低TFT沟道过度刻蚀程度的FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)是一种主要的平板显示装置(Flat Panel Display，简称为FPD)。
根据驱动液晶的电场方向，TFT-LCD分为垂直电场型和水平电场型。其中，垂直电场型TFT-LCD需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极；然而水平电场型TFT-LCD需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。因此，制作水平电场型TFT-LCD的阵列基板时，需要额外增加一次形成公共电极的构图工艺。垂直电场型TFT-LCD包括：扭曲向列(TwistNematic，简称为TN)型TFT-LCD；水平电场型TFT-LCD包括：边缘电场切换(Fringe Field Switching，简称为FFS)型TFT-LCD，共平面切换(In-PlaneSwitching，简称为IPS)型TFT-LCD。水平电场型TFT-LCD，尤其是FFS型TFT-LCD具有广视角、开口率高等优点，广泛应用于液晶显示器领域。
目前，FFS型TFT-LCD阵列基板是通过多次构图工艺形成结构图形来完成，每一次构图工艺中又分别包括掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，其中刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀，所以构图工艺的次数可以衡量制造TFT-LCD阵列基板的繁简程度，减少构图工艺的次数就意味着制造成本的降低。现有技术的FFS型TFT-LCD阵列基板六次构图工艺包括：公共电极构图、栅线和栅电极构图、有源层构图、源电极/漏电极构图、过孔构图和像素电极构图。
现有技术中公开有大量的，通过减少构图工艺次数来降低制造成本，并通过工艺的简化来提高生产效率的技术文献。
现有的4次构图工艺制造FFS型液晶显示器的阵列基板的方法如下：
步骤1、沉积第一金属薄膜，通过第一构图工艺利用普通掩膜板形成栅线、公共电极线和栅电极的图形；
步骤2、沉积栅绝缘薄膜、有源层(半导体层和掺杂半导体层)薄膜，通过第二构图工艺利用普通掩膜板形成有源层(ACTIVE)的图形；
步骤3、依次沉积第一透明导电薄膜和第二金属薄膜，通过第三次构图工艺利用双调掩膜板形成像素电极、源电极、漏电极及TFT沟道；
步骤4、沉积钝化层及第二透明导电层，通过第四次构图工艺利用双调掩膜板形成钝化层、连接孔(用于将公共电极与公共电极线连接)、PAD区域连接孔(PAD区域为将驱动电路板的引线和阵列基板进行压接的区域，通过PAD区域连接孔将引线与阵列基板上的栅线、数据线及公共电极线等电连接)以及公共电极的图形。
上述的液晶显示器的阵列基板的制造方法中，虽然仅通过一次构图工艺就完成了像素电极、源电极、漏电极及TFT沟道的图形，节省了成本，但是本发明的发明人在实践中发现，这种现有的方法会导致液晶显示器的显示性能降低的重大缺陷。详述如下：
请一并参阅图1、图2及图3A-3F，图1为现有的FFS型TFT-LCD阵列基板的平面示意图。图2为图1的A-A向剖面图。图3A为现有的形成有栅电极、栅绝缘层、有源层的基板上，沉积了第一透明导电薄膜及源漏金属薄膜之后的基板的截面图；图3B为在图3A的结构上利用双调掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理后的截面图；图3C为对图3B的结构进行了刻蚀后的截面图；图3D为对图3C的结构上的光刻胶进行了灰化工艺后的截面图；图3E为对图3D的基板进行了刻蚀后的截面图。图3F为去掉了图3E的光刻胶后的截面图。
如图1所示，现有的FFS型TFT-LCD阵列基板(Array Substrate)包括：栅线1、数据线2、薄膜晶体管(Thin Firm Transistor，简称为TFT)3、像素电极4、公共电极6以及公共电极线5。栅线1横向设置在透明基板11上，数据线2纵向设置在透明基板11之上，栅线1与数据线2的交叉处设置有TFT3。TFT3为有源开关元件。像素电极4为板状电极，公共电极6为狭缝电极。公共电极6位于像素电极4的上方，且大部分重叠，与像素电极4形成用于驱动液晶的电场。公共电极线5与公共电极6通过连接孔连接。值得一提的是，图1中，附图标记“4”所指并非是长条状的狭缝，而是狭缝的下方的板状像素电极。
如图2所示，现有的FFS型TFT-LCD阵列基板具体还包括：透明基板11、像素电极4、公共电极6、栅电极12、栅绝缘层13、有源层(半导体层和掺杂半导体层)14、第一透明导电部15、源电极16、漏电极17、TFT沟道18以及钝化层19。栅电极12与栅线1一体成型，源电极16与数据线2一体成型，漏电极17与像素电极4直接连接。当栅线1中输入导通信号时，有源层14(半导体层和掺杂半导体层)导电，数据线2的数据信号可从源电极16经TFT沟道(channel)18到达漏电极17，最终输入至像素电极4。像素电极4得到信号后与公共电极6形成用于驱动液晶转动的电场。由于公共电极6具有狭缝，因此与像素电极4形成水平电场。
根据图3A-3F具体说明现有的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其包括如下步骤：
步骤1、在形成有栅线、栅电极12、栅绝缘层13及有源层14的图形的透明基板11上依次沉积第一透明导电薄膜100和源漏金属薄膜200，如图3A；
步骤2、涂上一层光刻胶1000，通过双调掩膜板进行曝光处理和显影处理，所述像素区域40的光刻胶1000的厚度比所述源电极区域160、漏电极区域170及数据线区域的光刻胶1000的厚度薄，TFT沟道区域180等其它区域无光刻胶1000，如图3B；
步骤3、对透明基板11进行第一次湿法刻蚀，刻蚀掉透明基板11上无光刻胶覆盖的区域的源漏金属薄膜200、第一透明导电薄膜100及部分有源层14，形成数据线、源电极16和TFT沟道18，如图3C；
步骤4、对光刻胶1000进行灰化工艺，使像素区域40的源漏金属层200暴露，如图3D；
步骤5、对透明基板11进行第二次湿法刻蚀，刻蚀掉基板上没有被光刻胶1000覆盖的区域的源漏金属层200，形成第一透明导电部15、像素电极4以及漏电极17，如图3E；
步骤6、去掉剩余光刻胶1000，如图3F。
上述步骤3和步骤5中，为了形成TFT沟道、源电极、漏电极及像素电极，需要对整个基板进行两次大面积刻蚀，这种大面积刻蚀，只能采用湿法刻蚀进行，即将基板浸泡于刻蚀液中，刻蚀掉没有被光刻胶所覆盖且可被该刻蚀液侵蚀的部分。上述方法中可以看出TFT沟道区域被湿法刻蚀了两次，即步骤3中形成TFT沟道时湿法刻蚀一次，步骤5中形成像素电极时TFT沟道再被刻蚀一次。由于湿法刻蚀很难控制刻蚀程度，因此，就不可避免的产生了TFT沟道过度刻蚀(Over Etch)的问题。对于阵列基板中有重大意义的TFT沟道，这种过度刻蚀是不可忽视的缺陷，会引起TFT沟道变宽，对液晶显示器的整体性能产生重大的不良影响。
发明内容
本发明的目的是提供一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，使其能够降低TFT沟道被过度刻蚀的程度，保障液晶显示器的显示性能。
为实现上述目的，本发明提供了一种FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括栅线区域、数据线区域、栅电极区域、公共电极线区域、源电极区域、漏电极区域、像素电极区域以及TFT沟道区域，包括：
步骤1：在透明基板上沉积第一金属薄膜，通过第一构图工艺，形成包括栅线、栅电极以及公共电极线的图形；
步骤2：沉积栅绝缘层、有源层薄膜以及第二金属薄膜，通过第二构图工艺，在所述数据线区域、源电极区域、漏电极区域以及TFT沟道区域保留所述有源层薄膜以及所述第二金属薄膜；
步骤3：沉积第一透明导电薄膜，通过第三次构图工艺，形成包括源电极、漏电极、TFT沟道以及像素电极的图形；
步骤4：沉积钝化层，通过第四次构图工艺，形成包括连接孔的图形，进行光刻胶灰化工艺，沉积第二透明导电层，通过离地剥离工艺形成包括公共电极的图形。
为实现上述目的，本发明还提供了一种根据上述FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法得到的FFS型TFT-LCD阵列基板。
本发明FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，具有如下的优点：
1、本发明的第三构图工艺中，先形成了像素电极，然后通过刻蚀TFT沟道区域形成了TFT沟道，可精确的刻蚀出TFT沟道。因此，也就不存在现有技术中的刻蚀出TFT沟道之后，形成像素电极时，需要对TFT沟道再一次进行刻蚀而引起TFT沟道过度刻蚀的问题。能够保证TFT沟道的参数，提高液晶显示器的良品率及性能。
2、本发明在没有增加构图工艺数的前提下，相比现有技术采用2个双调掩膜板的方法，只需采用1个双调掩膜板即可实现，节省了成本。
附图说明
图1为现有的FFS型TFT-LCD阵列基板的平面示意图；
图2为图1的A-A向剖面图；
图3A为现有的形成有栅电极、栅绝缘层、有源层的基板上，沉积了第一透明导电薄膜及源漏金属薄膜之后的基板的截面图；
图3B为在图3A的结构上利用双调掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理后的截面图；
图3C为对图3B的结构进行了刻蚀后的截面图；
图3D为对图3C的结构上的光刻胶进行了灰化工艺后的截面图；
图3E为对图3D的基板进行了刻蚀后的截面图；
图3F为去掉了图3E的光刻胶后的截面图；
图4为本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的结构剖面图；
图5为在透明基板上沉积了第一金属薄膜后的剖面图；
图6为在图5的结构上涂覆光刻胶后进行了曝光和显影处理后的剖面图；
图7为对图6的结构进行了第一刻蚀工艺后的剖面图；
图8为对图7的光刻胶进行了剥离后的剖面图；
图9为在图8的结构上沉积了栅绝缘层、有源层薄膜和第二金属薄膜后的剖面图；
图10为在图8的结构上涂覆光刻胶后进行了曝光和显影处理后的剖面图；
图11为对图10的结构进行了第二刻蚀工艺后的剖面图；
图12为对图11的结构上沉积了第一透明导电薄膜后的剖面图；
图13为在图12的结构上涂覆了光刻胶并进行了曝光和显影处理后的剖面图；
图14为对图13的结构进行了第三刻蚀工艺后的剖面图；
图15为对图14的结构进行了第四刻蚀工艺和第五刻蚀工艺后的剖面图；
图16为在图15的结构上剥离的光刻胶后的剖面图；
图17为在图16的结构上沉积了钝化层后的剖面图；
图18为在图17的结构上涂覆了光刻胶并进行了曝光和显影处理后的剖面图；
图19为对图18的结构进行了第六刻蚀工艺后的剖面图；
图20为对图19的结构进行了灰化工艺后的剖面图；
图21为在途20的结构上沉积了第二透明导电薄膜500之后的剖面图；
图22为对图21的结构上进行了离地剥离工艺后的剖面图。
具体实施方式
需要说明的是：
1、本发明中所述的例如“X设置于Y上”或“X上设置有Y”中的“上”包含了X与Y接触，并且X位于Y的上方的意思，本发明中如附图所示，将透明基板定义为设置于最下方；
2、本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺，光刻胶以正性光刻胶为例；
3、本发明中所述的“某某区域”是某某图形在透明基板上映射的区域，即该区域与某某图形具有相同的形状，例如栅线区域，即为栅线的图形在透明基板上的映射的区域，也可以理解为透明基板上将要设置栅线图形的区域。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图4为本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的结构剖面图。如图4所示，本发明的FFS型TFT-LCD阵列基板主要包括：透明基板21、栅线(未图示)、栅电极22、公共电极线5’、栅绝缘层23、有源层24、源电极26、漏电极27、像素电极4’、第二透明导电部25、TFT沟道28、钝化层29以及公共电极6’。透明基板21上设置有栅线、公共电极线5’以及栅电极22；栅绝缘层23覆盖住整个透明基板21，且仅在公共电极线5’上方留有连接孔，使得公共电极线5’与公共电极6’相连；栅绝缘层23上设置有有源层24，有源层24位于栅电极22的上方，并形成有TFT沟道28；有源层24上设置有源电极26和漏电极27，源电极26和漏电极27被TFT沟道28分隔，不导通；源电极26上设置有第二透明导电部25；漏电极27上设置有像素电极4’；像素电极4’的一部分设置在漏电极27上，与漏电极27直接连接，其余部分设置在栅绝缘层23上；第二透明导电部25、TFT沟道28以及像素电极4’被钝化层29所覆盖，钝化层29也设置连接孔，钝化层29的连接孔与栅绝缘层23的连接孔贯通，使得公共电极6’能够与公共电极线5’连接；钝化层29上形成有具有狭缝的公共电极6’；公共电极6’与像素电极4’大部分重叠，形成水平电场。
本发明的FFS型TFT-LCD阵列基板采用了4次构图工艺制造完成，具体为：
步骤1：沉积第一金属薄膜，通过第一构图工艺，在所述栅线区域、栅电极区域以及公共电极线区域分别形成栅线、栅电极以及公共电极线的图形；
步骤2：沉积栅绝缘层、有源层薄膜以及第二金属薄膜，通过第二构图工艺，在所述数据线区域、源电极区域、漏电极区域以及TFT沟道区域保留所述有源层薄膜以及所述第二金属薄膜，形成数据线的图形；
步骤3：沉积第一透明导电薄膜，通过第三次构图工艺，形成包括源电极、漏电极、TFT沟道以及像素电极的图形；
步骤4：沉积钝化层，通过第四次构图工艺，形成包括连接孔的图形，进行光刻胶灰化工艺，沉积第二透明导电层，通过离地剥离工艺形成包括公共电极的图形。
以下，结合图5-图23详细说明本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法。
图5为在透明基板上沉积了第一金属薄膜后的剖面图。如图5所示，首先采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)、磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在透明基板21(如玻璃基板或石英基板)上依次沉积第一金属薄膜100；第一金属薄膜可以是钼、铝、铝钕合金、钨、铬、铜等金属形成的单层薄膜，也可以是以上金属多层沉积形成的多层薄膜。
图6为在图5的结构上涂覆光刻胶后进行了曝光和显影处理后的剖面图。如图6所示，在第一金属薄膜100上涂覆了光刻胶2000，通过掩膜板对光刻胶2000进行曝光和显影处理，使得栅线区域(未图示)、栅电极区域220以及公共电极线区域50上保留光刻胶2000，其他区域无光刻胶。
图7为对图6的结构进行了第一刻蚀工艺后的剖面图。如图6、7所示，通过第一刻蚀工艺，刻蚀掉无光刻胶2000覆盖的第一金属薄膜100，刻蚀后仅在栅线区域(未图示)、栅电极区域220以及公共电极线区域50留有第一金属薄膜100，形成了栅线、栅电极22以及公共电极线5’的图形。第一刻蚀工艺可以通过磷酸和硝酸的混合物制得的刻蚀剂对第一金属薄膜进行刻蚀。
图8为对图7的光刻胶进行了剥离后的剖面图。
经图5-图8完成了本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法的第一构图工艺。
图9为在图8的结构上沉积了栅绝缘层、有源层薄膜和第二金属薄膜后的剖面图；如图9所示，依次沉积栅绝缘层23、有源层薄膜200以及第二金属薄膜300；第二金属薄膜300可以是钼、铝、铝钕合金、钨、铬、铜等金属形成的单层薄膜，也可以是以上金属多层沉积形成的多层薄膜。
图10为在图8的结构上涂覆光刻胶后进行了曝光和显影处理后的剖面图；如图10所示，在第二金属薄膜300上涂覆光刻胶3000，通过掩膜板对光刻胶3000进行曝光和显影处理，使得所述数据线区域(未图示)、源电极区域260、漏电极区域270以及TFT沟道区域280上保留光刻胶，其他区域无光刻胶；
图11为对图10的结构进行了第二刻蚀工艺后的剖面图。如图10、11所示，通过第二刻蚀工艺，对没有光刻胶3000覆盖的第二金属薄膜300和有源层薄膜200进行了刻蚀，保留了数据线区域(未图示)、源电极区域260、漏电极区域270以及TFT沟道区域280的第二金属薄膜300和有源层薄膜200，形成了数据线的图形，然后剥离光刻胶3000。
经图9-图11完成了本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法的第二构图工艺。
图12为对图11的结构上沉积了第一透明导电薄膜后的剖面图。如图12所示，在图11的结构上沉积了第一透明导电薄膜400，第一透明导电薄膜400可以为ITO、IZO等。
图13为在图12的结构上涂覆了光刻胶并进行了曝光和显影处理后的剖面图；如图13所示，在所述第一透明导电薄膜400上涂覆光刻胶4000，通过掩膜板对光刻胶4000进行曝光和显影处理，使得所述数据线区域(未图示)、源电极区域260、漏电极区域270以及像素电极区域40上保留光刻胶4000，其他区域无光刻胶。
图14为对图13的结构进行了第三刻蚀工艺后的剖面图。如图13、14所示，通过第三刻蚀工艺，刻蚀掉无光刻胶4000覆盖的第一透明导电薄膜400，在数据线区域(未图示)、源电极区域260、漏电极区域270以及像素电极区域40上留有第一透明导电薄膜400，形成了第二透明导电部25和像素电极4’的图形。
图15为对图14的结构进行了第四刻蚀工艺和第五刻蚀工艺后的剖面图。如图14、15所示，通过第四刻蚀工艺，刻蚀掉TFT区域的第二金属薄膜300，通过第五刻蚀工艺，刻蚀掉TFT区域的部分有源层薄膜200，即掺杂半导体薄膜，形成了源电极26、漏电极27以及TFT沟道28的图形。可以通过磷酸和硝酸的混合物制得的刻蚀剂对第二金属薄膜300进行刻蚀；优选，采用气体刻蚀剂对第二金属薄膜300进行干法刻蚀。另外，优选通过SF6、HCl、Cl2、He等气体对掺杂半导体薄膜(n+a-Si∶H)进行干法刻蚀。即优选采用可进行干法刻蚀的Mo或Mo/Al/Mo作为第二金属薄膜300，此时，掺杂半导体薄膜和第二金属薄膜300可以进行连续的干法刻蚀，可以精确控制刻蚀程度，避免过度刻蚀。
图16为在图15的结构上剥离的光刻胶后的剖面图。
经图12-图16完成了本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法的第三构图工艺。本发明的第三构图工艺中，先形成了像素电极，然后通过刻蚀TFT沟道区域形成了TFT沟道，可精确的刻蚀出TFT沟道。因此，也就不存在现有技术中的刻蚀出TFT沟道之后，形成像素电极时，需要对TFT沟道再一次进行刻蚀而引起TFT沟道过度刻蚀的问题。能够保证TFT沟道的参数，提高液晶显示器的良品率及性能。
图17为在图16的结构上沉积了钝化层后的剖面图。如图17所示，在图16的结构上沉积钝化层29，钝化层29可以采用SiNx、SiOx或SiOxNy的单层薄膜，或上述材料多层沉积形成的多层薄膜。
图18为在图17的结构上涂覆了光刻胶并进行了曝光和显影处理后的剖面图。如图18所示，在所述钝化层29上涂覆光刻胶5000，通过双调掩膜板对光刻胶5000进行曝光和显影处理，使得数据线区域、源电极区域260、漏电极区域270、TFT沟道区域280以及公共电极区域60的光刻胶5000具有第一厚度H，公共电极线区域50无光刻胶覆盖，其它区域的光刻胶5000具有第二厚度h，第一厚度H大于第二厚度h。
图19为对图18的结构进行了第六刻蚀工艺后的剖面图。如图19所示，通过第六刻蚀工艺，刻蚀掉没有被光刻胶5000覆盖的钝化层29和栅绝缘层23，在公共电极线区域50的上方形成钝化层的连接孔和栅绝缘层的连接孔。此时，可以在PAD区域，也就是栅线、数据线和公共电极线与外部的驱动电路板的引线压接的区域内，形成PAD区域连接孔，便于将阵列基板和驱动电路板进行电连接。
图20为对图19的结构进行了灰化工艺后的剖面图。如图19、20所示，对光刻胶5000进行了灰化工艺，去掉了第二厚度h的光刻胶5000，使得除了所述数据线区域、源电极区域260、漏电极区域270、TFT沟道区域280以及公共电极区域60还留有光刻胶5000外，其它区域无光刻胶覆盖。
图21为在图20的结构上沉积了第二透明导电薄膜500之后的剖面图；如图21所示，在图20的结构上沉积了第二透明导电薄膜500，第二透明导电薄膜500可以为ITO、IZO等。
图22为对图21的结构上进行了离地剥离工艺后的剖面图。如图21、22所示，经离地剥离工艺(lift off)后，光刻胶5000上方的第二透明导电薄膜500同光刻胶5000一起被剥离掉，形成了公共电极6’的图形。
经图17-图22完成了本发明FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法的第四构图工艺，得到了本发明的FFS型TFT-LCD阵列基板。本发明在没有增加构图工艺数的前提下，相比现有技术采用2个双调掩膜板的方法，只需采用1个双调掩膜板即可实现，节省了成本。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (6)

1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括栅线区域、数据线区域、栅电极区域、公共电极线区域、源电极区域、漏电极区域、像素电极区域以及TFT沟道区域，其特征在于，包括：
步骤1：在透明基板上沉积第一金属薄膜，通过第一构图工艺，形成包括栅线、栅电极以及公共电极线的图形；
步骤2：沉积栅绝缘层、有源层薄膜以及第二金属薄膜，通过第二构图工艺，在所述数据线区域、源电极区域、漏电极区域以及TFT沟道区域保留所述有源层薄膜以及所述第二金属薄膜；
步骤3：沉积第一透明导电薄膜，通过第三次构图工艺，形成包括源电极、漏电极、TFT沟道以及像素电极的图形；
步骤4：沉积钝化层，通过第四次构图工艺，形成包括连接孔的图形，进行光刻胶灰化工艺，沉积第二透明导电层，通过离地剥离工艺形成包括公共电极的图形。
2.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：
步骤11：在透明基板上沉积第一金属薄膜；
步骤12：在所述第一金属薄膜上涂覆光刻胶；
步骤13：通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，使得所述栅线区域、栅电极区域以及公共电极线区域上保留光刻胶，其他区域无光刻胶；
步骤14：进行第一刻蚀工艺，刻蚀掉无光刻胶的所述其他区域的所述第一金属薄膜；
步骤15：剥离剩余光刻胶。
3.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：
步骤21：依次沉积栅绝缘层、有源层薄膜以及第二金属薄膜；
步骤22：在所述第二金属薄膜上涂覆光刻胶；
步骤23：通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，使得所述数据线区域、源电极区域、漏电极区域以及TFT沟道区域上保留光刻胶，其他区域无光刻胶；
步骤24：进行第二刻蚀工艺，刻蚀掉无光刻胶的所述其他区域的所述第二金属薄膜和有源层薄膜；
步骤25：剥离剩余光刻胶。
4.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：
步骤31：沉积第一透明导电薄膜；
步骤32：在所述第一透明导电薄膜上涂覆光刻胶；
步骤33：通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，使得所述数据线区域、源电极区域、漏电极区域以及像素电极区域上保留光刻胶，其他区域无光刻胶；
步骤34：进行第三刻蚀工艺，刻蚀掉无光刻胶的所述其他区域的所述第一透明导电薄膜；
步骤35：进行第四刻蚀工艺，刻蚀掉TFT区域的所述第二金属薄膜；
步骤36：进行第五刻蚀工艺，刻蚀掉TFT区域的部分所述有源层薄膜；
步骤37：剥离剩余光刻胶。
5.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤4具体包括：
步骤41：沉积钝化层；
步骤42：在所述钝化层上涂覆光刻胶；
步骤43：通过双调掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，使得数据线区域、源电极区域、漏电极区域、TFT沟道区域以及公共电极区域的光刻胶具有第一厚度，公共电极线区域无光刻胶覆盖，其它区域的光刻胶具有第二厚度，所述第一厚度大于第二厚度；
步骤44：进行第六刻蚀工艺，刻蚀掉所述公共电极线区域的钝化层、栅绝缘层；
步骤45：进行光刻胶灰化工艺，去掉第二厚度的光刻胶，使得除了所述数据线区域、源电极区域、漏电极区域、TFT沟道区域以及公共电极区域还留有光刻胶外，其它区域无光刻胶覆盖；
步骤46：沉积第二透明导电薄膜；
步骤47：进行离地剥离工艺，剥离掉经灰化工艺后剩余的光刻胶。
6.一种根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板的制造方法制造的FFS型TFT-LCD阵列基板。
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