CN101010411A

CN101010411A - 荧光体的制造方法和荧光体以及等离子体显示板

Info

Publication number: CN101010411A
Application number: CNA2005800278904A
Authority: CN
Inventors: 午菴一贺
Original assignee: Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Current assignee: Konica Minolta Medical and Graphic Inc
Priority date: 2004-08-24
Filing date: 2005-08-11
Publication date: 2007-08-01
Also published as: US7399430B2; JPWO2006022150A1; US20060043338A1; WO2006022150A1; EP1790708A1

Abstract

本发明涉及谋求抑制蚀刻液引起的荧光体本身的损伤的荧光体的制造方法。该方法包括进行荧光体粒子的粉碎处理的粉碎处理工序和通过添加蚀刻液进行对分散在溶剂中的荧光体粒子进行表面处理的表面处理工序，其中，蚀刻液的添加速度为上述荧光体粒子的每1m²比表面积为1.2×10^－16～7.0×10^－15mol/min。

Description

荧光体的制造方法和荧光体以及等离子体显示板

技术领域

本发明涉及荧光体的制造方法和荧光体以及等离子体显示板，特别地，涉及对分散在溶剂中的荧光体进行采用酸的表面处理的荧光体的制造方法和荧光体以及等离子体显示板。

背景技术

近年来，作为代替CRT(Cathode Ray Tube)并利用新型图像显示方式的显示装置，已开发出了利用液晶面板的液晶显示器(LCD：Liquid CrystalDisplay)、利用电致发光(EL：Electro Luminescence)现象的EL显示器、利用等离子体显示板(以下称为PDP：Plasma Display Panel)的等离子体显示器等。

其中，等离子体显示器可以谋求薄型轻量化、结构的简单化以及大画面化，同时，可视范围，也就是视场角在水平和垂直方向上均为160度以上，因此，与液晶面板相比，从上下左右的广阔范围都可以看到鲜明的影象。另外，由于是采用点阵的固定图像的像素表示方式，因此，可以抑制彩色边纹的发生或画面的变形，即使是大画面，也可以显示出高图像质量的影象。

这些等离子体显示器中使用的PDP包括由具备电极的2片玻璃基板和由设置在基板之间的隔壁形成的多数放电单元，这些放电单元内部形成了涂布了荧光体的荧光体层。这样构成的PDP通过在电极间施加电压而选择性地使放电单元放电，产生起因于密封在放电单元内部的放电气体的真空紫外线(以下，VUV：Vacuum Ultravioelt)，通过该VUV激发荧光体发出可见光。

作为上述荧光体的通常的制造方法有：将含有构成荧光体母体的元素的化合物和含有赋活剂元素的化合物按照规定量混合后，进行烧成，从而进行固体间反应的固相法；将含有构成荧光体母体的元素的荧光体原料溶液和含有赋活剂元素的荧光体原料溶液混合，再将得到的荧光体前体沉淀进行固液分离之后，再进行烧成的液相法。

近年来，为了实现更加鲜明且高图像质量的影像，PDP的高微细化正在发展，对于高微细化的PDP来说，要求小粒径，且具有高的发光强度的荧光体。但是，通过固相法得到的荧光体粒子存在粒径大，并且粒径越小，发光效率和发光强度越会降低的问题。

另一方面，开发出以下方法，即，通过液相法制造荧光体后，进行粉碎处理，由此，将荧光体粒子微细化，使VUV高效接受光，从而谋求发光强度的提高，但由于经过粉碎处理，荧光体的表面层受到损伤，发光强度降低，并且存在粒径分布宽的问题。

另外，通过在烧成后的荧光体粒子表面上附着未反应物质和副产物等杂质，也会产生由于放电而产生的VUV被吸收，发光强度降低的其他问题。

因此，作为可以谋求荧光体的发光效率的提高的荧光体及其制造方法，开发出了以下方法，通过液相法合成荧光体后，对荧光体表面进行采用硝酸或盐酸等蚀刻液的化学处理，来制造除去受到损伤的荧光体粒子表面层或附着在荧光体粒子的表面的未反应物或副产物等杂质的荧光体(例如，参照专利文献1、2、3)。

专利文献1：特开2000-226577号公报

专利文献2：特开2001-172622号公报

专利文献3：特开2003-292950号公报

但是，在上述荧光体的制造方法的情况下，将荧光体浸渍于蚀刻液中时，荧光体本身被蚀刻液侵蚀，另外，由于照射VUV，会产生荧光体本身损伤，发光强度降低之类的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述各点而进行的，本发明的目的在于，提供可以谋求抑制由于蚀刻液引起的荧光体的损伤的荧光体制造方法和荧光体以及等离子体显示板。已知，本发明的技术方案可以通过采用以下技术方案中的任意一种而达到。

为了解决上述问题，技术方案1所述的发明涉及的荧光体的制造方法是下述荧光体的制造方法，该荧光体通过进行将上述荧光体粒子的粉碎处理的粉碎处理工序，通过添加蚀刻液对分散在溶剂中的上述荧光体粒子进行表面处理的后续表面处理工序来制造，其特征在于，上述蚀刻液的添加速度为上述荧光体粒子的每1m²比表面积为1.2×10^-16～7.0×10^-15mol/min。

(技术方案1)由于蚀刻液的添加速度为上述荧光体粒子的每1m²比表面积的为1.2×10^-16～7.0×10^-15mol/min，因此可以通过控制蚀刻液的添加速度将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液均匀混合。

(技术方案2)荧光体的制造方法，其中，上述蚀刻液的添加量为每1g荧光体为0.001～0.005mol。

另外，由于蚀刻液的添加量为每1g荧光体为0.001～0.005mol，因此可以通过控制蚀刻液的添加量将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液更加均匀地混合。

(技术方案3)荧光体的制造方法，其中，上述蚀刻液的添加温度为20～60℃。

另外，由于上述蚀刻液的添加温度为20～60℃，因此可以通过控制蚀刻液的添加温度将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液更加均匀地混合。

(技术方案4)荧光体的制造方法，其中，上述蚀刻液添加在分散上述荧光体粒子的溶剂中。

另外，由于上述蚀刻液添加在分散上述荧光体粒子的溶剂中，因此可以通过改变蚀刻液的添加位置将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液更加均匀地混合。

(技术方案5)按照权利要求1所述的荧光体的制造方法，其中，在上述表面处理工序后，进行洗净处理工序和干燥工序。

(技术方案6)荧光体的制造方法，其中，该方法使用如下构成的装置，所述构成是从第1流路供给的分散上述荧光体粒子的溶剂和从第2流路供给的上述蚀刻液同时排出到液体中。

另外，由于使用的装置是以从第1流路供给的分散上述荧光体粒子的溶剂和从第2流路供给的上述蚀刻液同时排出到液体中的方式构成的，因此，可以通过改变使用的装置的形态，将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液更加均匀地混合。

(技术方案7)荧光体的制造方法，该方法使用以下构成的装置，所述构成至少是，将从第1流路供给的分散上述荧光体粒子的溶剂和从第2流路供给的上述蚀刻液连续地碰撞并混合后，连续地供给到第3流路中，同时，以比分散上述荧光体粒子的溶剂和蚀刻液的流速大的流速供给碰撞和混合后的溶液，然后从第3流路连续地排出。

另外，由于使用了以下构成的装置，因此，可以通过改变使用的装置的形态，将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液更加均匀地混合，所述构成是，至少将从第1流路供给的分散上述荧光体粒子的溶剂和从第2流路供给的上述蚀刻液连续地碰撞并混合后，连续地供给到第3流路中，同时，以比分散上述荧光体粒子的溶剂和蚀刻液的流速大的流速供给碰撞和混合后的溶液，然后从第3流路连续地排出。

(技术方案8)荧光体的制造方法，上述表面处理工序在上述粉碎处理工序之后进行。

另外，由于上述表面处理工序在上述粉碎处理工序之后进行，因此，可以同时除去附着在荧光体粒子的表面的未反应物和副产物等杂质，和在粉碎处理工序中受到损伤的表面层。

(技术方案9)一种荧光体，其通过技术方案1～8中任意一项所述的制造方法来制造。

另外，由于通过技术方案1～8中任意一项所述的制造方法来制造，因此可以防止蚀刻液引起的荧光体本身的损伤。

(技术方案10)等离子体显示板，其包括含有技术方案9所述的荧光体的放电单元。

另外，由于放电单元的荧光体层中含有技术方案9所述的荧光体，因此可以谋求放电单元的发光强度的提高。

附图说明

[图1]是示出Y字型反应装置的概要图。

[图2]是示出通常的反应装置的概要图。

[图3]是示出双喷射反应装置的概要图。

[图4]是示出本发明涉及的等离子体显示板的一例的立体图。

[图5]是示出其他的放电单元的结构的立体图。

[图6]是示出其他的放电单元的结构的立体图。

[图7]是示出图2所示的反应装置的其他使用形式的概要图。

具体实施方式

下面，使用附图对用于实施本发明的的最佳方式进行说明。但是，在以下叙述的实施方式中，为了实施本发明而附加了技术上优选的各种限定，但发明的范围并不限定于以下的实施方式和图示例。

边参照图1～7，边对本发明涉及的荧光体的制造方法、荧光体和等离子体显示板的详细内容进行分别说明。

首先，对本发明涉及的荧光体进行说明。

本发明涉及的荧光体是由于表面层附近的组成而特别容易受到发光强度的影响的真空紫外线激发荧光体(以下，称为荧光体)，通过对这些荧光体粒子表面实施蚀刻处理，可以除去附着在表面上的杂质或荧光体粒子的表面层等(以下，称为杂质等)，通过高效地接受VUV，可以谋求发光强度的提高。具体地，实施蚀刻处理的荧光体粒子通过液相法制造，平均粒径优选20nm～5μm，粒径分布优选在平均粒径的±50％以内。

这里，所谓附着在表面上的杂质，是指在后述的烧成工序中，不反应而残留的未反应物，或烧成中生成的荧光体组成以外的微量物质。

另外，作为平均粒径，是指用电子显微镜(例如，日立制作所(株)制造的S-900等)测定300个荧光体粒子的粒径而得到的平均值。另外，这里所说的粒径，是指在荧光体粒子为立方体、八面体这些所谓的正常晶体的情况下，荧光体粒子的棱长。不是正常晶体的情况下，例如，荧光体粒子为球状、棒状或者平板状粒子的情况下，是指想象成与荧光体粒子的体积相等的球时的直径。

另外，蚀刻处理是为了除去荧光体粒子表面的杂质等而进行，可以仅除了附着在表面上的杂质，也可以是将荧光体粒子表面的发光效率低的表面层和杂质一起除去。这里，所谓荧光体粒子表面的发光效率低的表面层，是指从表面到直径的约0％～20％以内的范围，优选为1.5mol％以上，且低于20mol％。

以下示出作为这样的本发明的荧光体使用的无机荧光体的具体的化合物例子。

[蓝色发光荧光体化合物]

(BL-1)：Sr₂P₂O₇:Sn⁴⁺

(BL-2)：Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺

(BL-3)：BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺

(BL-4)：SrGa₂S₄:Ce³⁺

(BL-5)：CaGa₂S₄:Ce³⁺

(BL-6)：(Ba，Sr)(Mg，Mn)Al₁₀O₁₇:Eu²⁺

(BL-7)：(Sr，Ca，Ba，Mg)₁₀(PO₄)6Cl₂:Eu²⁺

(BL-8)：ZnS:Ag

(BL-9)：CaWO₄

(BL-10)：Y₂SiO₅:Ce

(BL-11)：ZnS:Ag，Ga，Cl

(BL-1 2)：Ca₂B₅O₉Cl:Eu²⁺

(BL-13)：BaMgAl₁₄O₂₃:Eu²⁺

(BL-14)：BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺，Tb³⁺，Sm²⁺

(BL-15)：BaMgAl₁₄O₂₃:Sm²⁺

(BL-16)：Ba₂Mg₂Al₁₂O₂₂:Eu²⁺

(BL-17)：Ba₂Mg₄Al₈O₁₈:Eu²⁺

(BL-18)：Ba₃Mg₅Al₁₈O₃₅:Eu²⁺

(BL-19)：(Ba，Sr，Ca)(Mg，Zn，Mn)Al₁₀O₁₇:Eu²⁺

[绿色发光荧光体化合物]

(GL-1)：(Ba，Mg)Al₁₆O₂₇:Eu²⁺，Mn²⁺

(GL-2)：Sr₄Al₁₄O₂₅:Eu²⁺

(GL-3)：(Sr，Ba)Al₂Si₂O₈:Eu²⁺

(GL-4)：(Ba，Mg)₂SiO₄:Eu²⁺

(GL-5)：Y₂SiO₅:Ce³⁺，Tb³⁺

(GL-6)：Sr₂P₂O₇-Sr₂B₂O₅:Eu²⁺

(GL-7)：(Ba，Ca，Mg)₅(PO₄)₃Cl:Eu²⁺

(GL-8)：Sr₂Si₃O₈-2SrCl₂:Eu²⁺

(GL-9)：Zr₂SiO₄，MgAl₁₁O₁₉:Ce³⁺，Tb³⁺

(GL-10)：Ba₂SiO₄:Eu²⁺

(GL-11)：ZnS:Cu，Al

(GL-12)：(Zn，Cd)S:Cu，Al

(GL-13)：ZnS:Cu，Au，Al

(GL-14)：Zn₂SiO₄:Mn²⁺

(GL-15)：ZnS:Ag，Cu

(GL-16)：(Zn，Cd)S:Cu

(GL-17)：ZnS:Cu

(GL-18)：Gd₂O₂S:Tb

(GL-19)：La₂O₂S:Tb

(GL-20)：Y₂SiO₅:Ce，Tb

(GL-21)：Zn₂GeO₄:Mn

(GL-22)：CeMgAl₁₁O₁₉:Tb

(GL-23)：SrGa₂S₄:Eu²⁺

(GL-24)：ZnS:Cu，Co

(GL-25)：MgO·nB₂O₃:Ce，Tb

(GL-26)：LaOBr:Tb，Tm

(GL-27)：La₂O₂S:Tb

(GL-28)：SrGa₂S₄:Eu²⁺，Tb³⁺，Sm²⁺

[红色发光荧光体化合物]

(RL-1)：Y₂O₂S:Eu³⁺

(RL-2)：(Ba，Mg)₂SiO₄:Eu³⁺

(RL-3)：Ca₂Y₈(SiO₄)₆O₂:Eu³⁺

(RL-4)：LiY₉(SiO₄)₆O₂:Eu³⁺

(RL-5)：(Ba，Mg)Al₁₆O₂₇:Eu³⁺

(RL-6)：(Ba，Ca，Mg)₅(PO₄)₃Cl:Eu³⁺

(RL-7)：YVO₄:Eu³⁺

(RL-8)：YVO₄:Eu³⁺，Bi³⁺

(RL-9)：CaS:Eu³⁺

(RL-10)：Y₂O₃:Eu³⁺

(RL-11)：3.5MgO，0.5MgF₂GeO₂:Mn

(RL-12)：YAlO₃:Eu³⁺

(RL-13)：YBO₃:Eu³⁺

(RL-14)：(Y，Gd)BO₃:Eu³⁺

另外，本发明涉及的荧光体优选使用上述(GL-14)Zn₂SiO₄:Mn²⁺。接着，对上述荧光体的制造方法进行说明。

本发明涉及的荧光体的制造方法由以下工序构成：形成荧光体的前体的前体形成工序，将通过前体形成工序得到的前体烧成得到的荧光体粒子的烧成工序，对烧成工序中得到的荧光体粒子实施分散处理减小粒径的分散处理工序，对在分散处理工序中得到的荧光体粒子的表面实施蚀刻处理除去杂质等的表面处理工序。

在前体形成工序中，通过液相法合成作为荧光体的中间生成物的前体，在后续的烧成工序中，通过在规定的温度下烧成前体可以得到荧光体粒子。

作为液相法，是在液体的存在下，或在液体中合成前体的方法，也叫液相合成法。在液相法中，由于荧光体原料在液相中反应，因此，进行构成荧光体的元素离子之间的反应，容易得到化学理论计算量的高纯度的荧光体。另外，与边重复进行固相间反应和粉碎工序，边制造荧光体的固相法相比，不进行粉碎工序并可以得到微小的粒径的粒子，因此，可以防止由于粉碎时施加的应力产生的结晶中的晶格缺陷，并可以防止发光效率的降低。

另外，本实施方式中的液相法可以使用以冷却结晶析出为代表的通常的结晶析出法、共沉淀法，特别优选使用反应结晶析出法。

所谓反应结晶析出法，是指利用结晶析出现象，通过将含有作为荧光体的原料的元素溶液或原料气体在液相或气相中混合，制造前体的方法。这里，所谓结晶析出现象，是指采用冷却、蒸发、pH调节、浓缩等的物理或化学的环境变化，或者，通过化学反应使混合体系的状态发生变化时等，固相从液相中析出的现象，反应结晶析出法是指采用引起这些结晶析出现象的发生的物理、化学操作的制造方法。

另外，使用反应结晶析出法时的溶剂，只要是可以溶解反应原料的溶剂，则可以使用其中的任何溶液，但从对过饱和度的控制的容易性的观点来看，优选水。另外，使用多种反应原料时，添加原料的顺序可以同时，也可以不同时，可以视活性适当选择合适的顺序。

另外，为了在前体的形成中，制造更加微小且粒径分布狭窄的荧光体，优选包括反应结晶析出法的将2种液体以上的原料溶液在保护胶体的存在下添加到不良溶剂的液中。

如图1所示，在本实施方式中的反应结晶析出法中使用其具有的多个流路的形态在平面上看呈Y字型的所谓Y字型反应装置1。其中，Y字型反应装置1包括一个贮存荧光体原料溶液A的第1罐3和另一个贮存荧光体原料溶液B的第2罐4，第1流路5和第2流路6的一端分别连接在第1罐3和第2罐4。在这些第1流路5和第2流路6的中途部分分别设计用于供给各荧光体原料溶液A、B的泵P1、P2。另外，各流路5、6的另一端，通过连接部C连接到第3流路7，在连接部C，通过各流路5、6连续地供给的荧光体原料溶液A、B发生碰撞并混合。

第3流路7将混合后的混合溶液连续地供给到设置在第3流路7的排出口下方的熟化用容器2，并且，混合溶液的流速比通过第1流路5和第2流路6供给的各溶液的流速大。

熟化用容器2具备用于搅拌贮存在内部的混合溶液的搅拌翼8，该搅拌翼8与作为旋转动力源的驱动装置9连接。

另外，使用的制造装置并不限定于Y字型反应装置1，也可以是流路的形态不同，在平面上看为T字型的所谓T字型制造装置。

第1、第2以及第3流路5、6、7成型为圆筒形状，各流路5、6、7的径尺寸形成约为1mm。

另外，第3流路7的径尺寸和长度并不限定于本实施方式，只要是由于在连接部C的碰撞混合即刻形成的粒子可以满足达到近乎稳定的状态的时间，即所谓的稳定时间，则可以是任何径尺寸和长度。这里，本实施例中的稳定时间设定为0.001秒以上。

另外，在Y字型反应装置1的内部移动并滞留的时间，即所谓的移动时间优选0.001秒以上，更加优选0.01秒以上，特别优选0.1秒以上。

另外，泵P1、P2只要是以往公知的泵中的任何一种泵都可以使用，但优选的是无脉动泵。

另外，虽然连接部C不具有动态搅拌机构，但并不限定于本实施方式，视目的，也可以具有搅拌翼等动态搅拌机构。

另一方面，熟化用容器2设置在上述Y字型反应装置1中的第3流路7的排出口的下方。该熟化用容器2具备用于搅拌贮存在内部的混合溶液的搅拌翼8，该搅拌翼8与作为旋转动力源的驱动装置9连接。

另外，各荧光体原料溶液A、B在通过第1和第2流路供给时，为防止在连接部C的周边发生逆流，并更为均匀地混合，优选实质上为紊流。

另外，更加优选根据荧光体的种类，调整反应中的温度、添加速度、搅拌速度、pH等各物性，也可以在反应中照射超声波。另外，为了控制粒径，也可以添加表面活性剂或聚合物。另外，添加原料后，可以视需要进行溶液的浓缩和熟化、或者浓缩或熟化中的任意之一。

保护胶体是在为了防止微粒化的前体粒子彼此凝聚方面发挥作用的物质，可以使用天然、人工的各种高分子化合物，其中，优选使用蛋白质。

另外，作为蛋白质，可以举出，例如，明胶、水溶性蛋白质、水溶性糖蛋白质。具体地，可以举出，白蛋白、卵白蛋白、酪蛋白、大豆蛋白、合成蛋白质、基因工程上合成的蛋白质等。

另外，作为明胶，可以举出，例如，石灰处理的明胶、酸处理的明胶，也可以同时使用它们。另外，还可以使用这些明胶的水解物、这些明胶的酶分解物。

保护胶体不必是单一的组成，也可以混合各种粘合剂。具体地，可以使用，例如，上述明胶和其他高分子的接枝聚合物。

另外，保护胶体的平均分子量优选10000以上，更加优选10000～300000，特别优选10000～30000。另外，保护胶体可以添加到一种以上的原料原料溶液中，也可以添加到全部原料溶液中，通过添加保护胶体的量或反应液的添加速度，可以控制前体的粒径。

另外，前体的性状大地左右着烧成后的荧光体粒子的粒径、粒径分布、发光特性等荧光体的各特性，因此，在前体形成工序中，优选通过对前体的粒径进行控制，充分减小前体。另外，将前体微粒化时，容易引起前体彼此的凝聚，因此，在通过添加保护胶体来防止前体彼此之间的凝聚的基础上合成前体是极为有效的，并且，粒径控制也容易。另外，在保护胶体的存在下进行反应时，必须充分考虑前体的粒径分布的控制或副盐等杂质的排除。

在这样的前体形成工序中，适当进行粒径控制等合成前体之后，视需要，通过过滤，蒸发干固，离心分离等方法回收前体，然后，优选进行洗净、脱盐处理工序。

脱盐处理工序是用于从前体中去除副盐等杂质的工序，可以采用使用各种膜分离法、凝聚沉降法、电透析法、离子交换树脂的方法、ヌ一デル水洗法等。

在本发明中，从谋求前体的生产性的提高的观点，或者从充分地除去副盐或杂质、防止粒子的粗大化、和粒径分布的扩大的观点来看，前体脱盐后的电导率优选0.01～20mS/cm的范围，更加优选0.01～10mS/cm的范围，特别优选0.01～5mS/cm的范围。

通过将电导率调整到落入上述范围内，可以谋求最终得到的荧光体的发光度的提高。另外，电导率的测定方法可以采用以往已知的测定方法，例如，可以使用市售的电导率测定器。

另外，在脱盐处理工序后，可以再进行干燥工序。干燥工序优选在洗净后或脱盐后进行，可以使用真空干燥、气流干燥、流动层干燥、喷雾干燥等任何方法。其中，干燥温度没有特别的限定，但优选使用的溶剂发生汽化的温度附近以上的温度，干燥温度过高时，在干燥的同时实施烧成，可以不进行后续的烧成处理而得到的荧光体，因此优选50～300℃的范围。

接着，说明烧成工序。

稀土类硼酸盐荧光体、硅酸盐荧光体以及铝酸荧光体等可以通过对各前体实施烧成处理而得到。以下，对烧成处理的条件进行说明。

烧成处理可以使用以往已知的方法，烧成温度和时间可以适当调整。例如，可以通过将前体填充在氧化铝舟皿中，在规定的氛围气体中以规定的温度进行烧成，得到期望的荧光体。作为气体氛围，可以根据前体的组成，从还原氛围气体下、氧化氛围气体下、硫化物存在下、非活性气体等条件中适当选择。

作为优选的烧成条件的实例，有在大气中，在600℃～1800℃之间烧成适当的时间。另外，在800℃左右进行烧成，氧化有机物后，在1100℃下在大气中烧成90分钟的方法也是有效的。

烧成装置或烧成容器可以使用以往已知的装置，优选使用箱型炉、坩埚炉、圆柱管型、舟型、回转炉等装置。

另外，烧成时，可以视需要添加烧结防止剂。添加烧结防止剂时，也可以在前体形成时，作为浆料添加，也可以将粉状的烧结防止剂与干燥后的前体混合进行烧成。

烧结防止剂没有特别的限制，可以根据荧光体的种类、烧成条件适当选择。例如，根据荧光体的烧成温度区域，在800℃以下的烧成中，优选使用TiO₂等金属氧化物，在1000℃以下的烧成中优选使用SiO₂，而在1700℃以下的烧成中优选使用Al₂O₃。

另外，烧成工序后，视需要可以实施还原处理或氧化处理等。另外，烧成处理工序后，可以实施冷却处理、表面处理等，还可以进行分级处理。

冷却处理是将烧成工序中得到的烧成物进行冷却的处理，可以在将这些烧成物填充在烧成装置中的状态下直接冷却。另外，冷却处理没有特别的限定，但可以从以下以往已知的方法中适当选择：通过放置使温度降低的方法，或使用冷却机控制温度并使温度强制降低的方法等。

表面处理是对烧成工序中得到的烧成物的表面进行吸附或包覆等的处理，在什么时刻进行表面处理工序，根据其目的而不同，可以适当选择。例如，在后续的分散处理工序前的任何时刻，用含有选自Si、Ti、Al、Zr、Zn、In、Sn中的至少一种元素的氧化物包覆荧光体的表面时，可以抑制分散处理时的荧光体的结晶性的降低，另外，通过防止激发能被荧光体的表面缺陷捕获，由此可以抑制发光强度的降低。另外，分散处理工序后的任何时刻采用有机高分子化合物等包覆荧光体的表面时，耐候向等特性提高，可以得到耐久性优异的荧光体。实施这些表面处理时的包覆层的厚度或包覆率等可以适当地任意控制。

接着，对分散处理工序进行说明。

作为分散处理中使用的装置，可以举出，例如，高速搅拌型的叶片性分散机、胶体磨、辊碾机、或者球磨机、振动球磨机、立式球磨机(アトライタ磨机)、行星式球磨机、砂磨机等使介质中间体在装置内运动，通过其碰撞或剪切力二者进行微粒化的装置、或者，切割磨机(カツタ一ミル)、锤式磨机、喷射磨等干型分散机、超声波分散机、高压均化器等。

其中，在本发明中，特别优选使用采用作为中间体的介质的湿式中间体型分散机，更加优选使用可以进行连续地分散处理的连续式湿式中间体型分散机。另外，也可以使用将多个连续式湿式中间体型分散机串联连接的方式等。

这里，所谓“可以连续地进行分散处理”是指，每小时以一定的量比例不间断地至少将荧光体和分散介质供给到分散机中，并进行分散处理，同时，以挤出到供给的形式不间断地将分散机内制造的分散物从分散机排出的形态。作为荧光体的制造方法中的分散处理工序，在使用采用作为中间体的介质的湿式中间体型分散机时，其分散室容器，即容器(ベツセル)可以适当选择立式或卧式。

通过在前体形成工序中采用液相法形成前体，上述烧成工序中得到的荧光体粒子可以是组成均匀并且未反应物的残量少的粒子。另外，在前体形成工序中，通过进行适当的粒径控制等，可以得到平均粒径为20nm～5μm的微粒的荧光体，并且是具有平均粒径的±50％以下的粒径分布的荧光体粒子。另外，荧光体分散溶液中的荧光体粒子的含量(重量％)为5～30％，优选10～20％。

由于荧光体粒子为微粒，并且，具有狭窄的粒径分布，因此可以将荧光体粒子密实地填充在设置在PDP中的荧光体层中，可以谋求提高PDP的发光强度。另外，由于粒子尺寸是均匀的，因此可以进行没有不均的绚丽的发光。

另外，从得到微粒子且粒径分布狭窄的荧光体粒子的观点来看，荧光体粒子优选使用液相法制造，但本发明涉及的荧光体的制造方法并不限定于此，只要是可以得到荧光体粒子的平均粒径为20nm～2μm或荧光体粒子的粒径分布为平均粒径的±50％以内的荧光体的方法，则可以使用以往已知的方法制造，并不限定于液相法，也可以使用固相法。

最后，对表面处理工序进行说明。

表面处理通过蚀刻处理进行，但可以根据荧光体粒子表面的杂质等进行适当选择。例如，通过微粒或离子溅射等切削表面的物理方法，但将荧光体粒子浸渍在蚀刻液中溶解表面的杂质等的化学方法是有效的。此时，蚀刻液侵蚀荧光体粒子本身时，发光强度变低，因此，有必要注意蚀刻进行的深度。

蚀刻处理可以使用图2所示的反应装置11，贮存在罐12中的蚀刻液通过泵P3，通过流路13，添加到贮存在容器14中的荧光体分散溶液中。另外，与上述Y字型反应装置1同样，具备连接在驱动装置15上的搅拌翼16，搅拌混合后的溶液。

另外，使用的反应装置不限定在图2所示的反应装置11，也可以是上述Y字型反应装置1，也可以是图3所示的、利用将2种反应溶液分别用喷嘴同时添加到液体中的双喷射法的双喷射反应装置21。

双喷射反应装置21具备第1罐22和第2罐23，第1流路24和第2流路25的一端分别连接在这些第1罐22和第2罐23上。另外，第1流路24和第2流路25的中途部分分别设置泵P4、P5。

在第1流路24和第2流路25的另一端的下方设置反应容器26，用于供给贮存在第1罐22和第2罐23中的溶液。另外，反应容器26具有与驱动装置27连接的搅拌翼28，用于搅拌混合后的溶液。

另外，象电致发光型荧光体那样，本发明涉及的荧光体由于不具有通过表面的凸部提高发光强度的作用，因此，从将荧光体粒子密实地填充到荧光体层的观点以及从对荧光体粒子的表面实施均匀的蚀刻处理的观点来看，优选对粒子的表面的凸部少，或没有凸部的荧光体粒子实施蚀刻处理。

另外，搅拌时间优选在添加酸结束后进行5分以上且低于2小时，更加优选20分钟以上且低于1小时。因为偏离该范围时，发光强度降低。

另外，蚀刻液的添加量优选每1g荧光体为0.001～0.005mol，更优选约0.002mol。

另外，蚀刻液的添加速度优选每1m²比表面积的荧光体为1.2×10^-16～7.0×10^-15mol/min，更加优选2.0×10^-16～5.0×10^-15mol/min。

另外，蚀刻液的温度优选20～60℃，更加优选30～50℃。

另外，蚀刻液的种类视杂质等决定，可以是酸性或碱性，也可以是水溶液或有机溶剂。此时，由于使用酸性的水溶液时效果显著，因此，特别优选使用强酸。

另外，作为强酸，可以使用盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、过氯酸等，但优选盐酸、硝酸、硫酸，特别优选盐酸。

随着强酸浓度的增高，溶出的物质的浓度也增高，从而产生蚀刻处理中除去的物质再吸附到粒子表面的可能性，同时由于除去的荧光体粒子的表面层的量增加，因此，工业效率降低。另外，在蚀刻时，容易引起浓度局部增大，难以对粒子间实施均匀的蚀刻处理，对发光强度的效果降低。

另一方面，强酸的浓度变低时，除去荧光体粒子表面的杂质等的量减少，杂质等残留在粒子表面，结果，发光强度的效果降低。

另外，由于对荧光体粒子实施蚀刻处理所必须的强酸的液体量增加，因此，工业上的操作变得困难。因此，强酸的浓度希望视情况调整为最优选的值。

这些强酸使用于蚀刻液时，该蚀刻液的浓度优选0.001N以上且低于6N，更加优选0.001N以上，且低于2.5N，特别优选0.001N以上且不足0.25N。通过使用0.001N以上且低于6N的强酸实施蚀刻处理，可以得到期望的效果，特别是，使用0.001N以上且低于0.25N的强酸时，可以高效地仅溶解杂质，溶出的物质的浓度低，除去物质不易再吸附到粒子表面上。另外，蚀刻时，可以抑制强酸的浓度局部增加，可以对粒子表面进行均匀的蚀刻处理。

例如，使用盐酸对Zn₂SiO₄:Mn²⁺实施蚀刻处理时，按照下述反应式，Zn₂SiO₄溶解在盐酸中，除去荧光体粒子的表面层。

Zn₂SiO₄+4HCl→2ZnCl₂+SiO₂+2H₂O

由上述反应式可知，通过改变每单位摩尔荧光体反应的强酸的量，可以控制溶解的Zn₂SiO₄量，即，通过蚀刻处理除去的量。例如，想要使1mol的荧光体粒子的2％溶解时，即，想要通过蚀刻处理除去时，可以与0.08mol的盐酸反应。

另外，通过蚀刻处理溶解荧光体粒子的表面进行除去的量优选荧光体粒子的1.5mol％以上且低于20mol％。另外，蚀刻后，优选进行水洗处理等，除去蚀刻液。

综上，本发明涉及的荧光体的制造方法中，由于表面处理工序中的蚀刻液的添加速度为每1m²比表面积的荧光体粒子为1.2×10^-16～7.0×10^-15mol/min，因此，可以通过控制蚀刻液的添加速度均匀混合分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液，由此，可以进行均匀的表面处理。

另外，通过本发明涉及的荧光体的制造方法制造的荧光体由于实施了均匀的表面处理，因此，可以防止由于蚀刻液引起的荧光体本身的损伤，由此，可以谋求荧光体的发光强度的提高。

最后，对利用上述荧光体的PDP进行说明。

通常，PDP从电极的结构和运转模式来看，可以大致区分为施加直流电压的DC型，和施加交流电压的AC型，但在本实施方式中，参照图4所示的AC型的PDP，对以下详细内容进行说明。

如图4所示，本实施方式中的PDP101具有成型为平板状的前面板102和与前面板102为大致同样形状并配置在与前面板102的一个面对置的位置的背面板103。这些基板102、103中，前面板102透过从放电单元发出的可见光，在基板上进行各种信息的显示，作为PDP101的显示画面而发挥功能。

该前面板102优选使用碱石灰玻璃，即，所谓的青板玻璃(青板ガラス)等透过可见光的材料，其厚度尺寸优选1～8mm范围，更加优选2mm。

另外，在前面板102上，在与前面板102的背面板103对置的面上每隔一定间隔配置多个显示电极104。这些显示电极104具有形成为宽幅的带状的透明电极105和形成为与透明电极105同一形状的总线电极(バス電極)106，并且成为总线电极106叠层在透明电极105的上面的结构。

显示电极104在平面上看与隔板112垂直，并设定规定的放电间隙，从而成为以对置位置关系配置的2个成为一组。

作为透明电极105，可以使用透明导电膜等透明电极，其片电阻优选为100Ω以下。另外，透明电极5的宽度优选10～200μm的范围。

总线电极106用于降低电阻，其通过Cr/Cu/Cr的溅射等形成。另外，总线电极106的宽度尺寸形成得比透明电极105小，优选5～50μm的范围。

设置在前面板102上的显示电极104其全部表面被介电体层107覆盖。该介电体层7可以由低熔点玻璃等介电物质形成，厚度尺寸优选20～30μm的范围。

介电体层107的上面的全部表面被保护层108覆盖。该保护层108可以使用MgO膜，其厚度尺寸优选0.5～50μm的范围。

另一方面，配置在与前面板102的一面对置位置的背面板103与前面板102同样，可以使用碱石灰玻璃，即，所谓的青板玻璃等，其厚度尺寸优选1～8mm的范围，更加优选2mm左右。

在该背面板103的与前面板102对置的面上配置多个地址电极(アドレス電極)109。这些地址电极109形成为与透明电极105和总线电极106同样的形状，在平面上看，以与上述的显示电极104垂直的方式，并按照每隔一定间隔地设置。另外，地址电极109可以使用Ag膜电极等的金属电极，其宽度尺寸优选100～200μm的范围。

另外，地址电极109的全部表面被介电体层110覆盖，该介电体层110可以由低熔点玻璃等介电物质形成，其厚度尺寸优选20～30μm的范围。

介电体层110的上面配置了相对于背面板3为垂直方向突出的形状的隔板111。这些隔板111形成为长条状，配置在地址电极109的两侧并且相邻的隔板111的长方向相互平行。另外，通过隔板111划分为规定形状的多个微小放电空间(以下，称为放电单元112)在平面上看形成为条带状。

隔板111可以由低熔点玻璃等介电物质形成，其宽度尺寸优选10～500μm的范围，更加优选100μm左右。另外，隔板111的高度尺寸通常为10～100μm的范围，更加优选50μm左右。

在本实施方式中的放电单元112中，在前面板102和背面板103水平配置时，由于隔板111以每隔规定的间隔平行配置，即，配置成条带状，因此，称为条带型。

另外，放电单元的结构并不限定于这样的条带型的结构，如图5所示，可以是在平面上看将隔板113设置为网格状的网格型放电单元114，也可以是图6所示的由相互对置的弯曲的一组隔板115构成的蜂窝状(八角形状)的放电单元116。

各放电单元112R、112G、112B中，以一定的顺序设置了由本实施例中制造的发出红(R)、绿(G)、蓝(B)任意一种光的荧光体构成的荧光体层117R、117G、117B中的任意一个。另外，在各放电单元112R、112G、112B的内部空心中封入放电气体，在平面上看，显示电极104和地址电极109至少设有一个交叉点。另外，各荧光体层117R、117G、117B的厚度尺寸没有特别限定，优选5～50μm的范围。

各荧光体层117R、117G、117B形成在隔板的侧面或底面。这些荧光体层117R、117G、117B通过首先将上述荧光体分散在粘合剂、溶剂、分散剂等混合物中，制造荧光体糊。并且，这些荧光体糊被调整为适当的粘度并涂布或填充到对应的各放电单元112R、112G、112B中，最后，通过干燥或烧成的方法形成。

另外，荧光体糊的调整可以通过以往已知的方法进行。另外，作为将荧光体糊涂布或填充到放电单元112R、112G、112B中的方法，可以使用丝网印刷法、光蚀膜法、喷墨法等各种方法。

包括上述构成的PDP101在进行显示时，在地址电极109和一组显示电极104、104中的任意一个显示电极104之间进行选择性的触发放电，由此选择进行显示的放电单元。然后，在选择的放电单元的内部，通过在一组显示电极104、104之间进行持续放电，由放电气体产生紫外线，从荧光体层117R、117G、117B发出可见光。

综上，本发明涉及的PDP1通过在各放电单元112R、112G、112B的荧光体层117R、117G、117B中含有由本发明涉及的制造方法得到的荧光体，因此，可以谋求提高放电单元112R、112G、112B的发光强度，由此，可以谋求PDP1的发光强度的提高。

实施例

下面，对本发明涉及的荧光体的制造方法以及荧光体的实施例进行说明。

[实施例1]

在本实施例中，采用以Zn₂SiO₄:Mn²⁺为原料的绿色荧光体合成荧光体1，对得到的荧光体1实施采用蚀刻液进行表面处理，由此得到表面处理后的荧光体2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13，基于这些各荧光体1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13的照射VUV前后的相对发光强度进行评价。

首先，对荧光体1的合成方法进行说明。

将含有45g二氧化硅的胶体二氧化硅(扶桑化学工业株式会社制造：PL-3)、浓度为28％的氨水219g和纯水混合，将液量调整为1500cc，作为A液。

另一方面，将424g硝酸锌6水合物(关东化学株式会社制造：纯度99.0％)和21.5g硝酸锰6水合物(关东化学株式会社制造：纯度98.0％)溶解于纯水中，将液量调整为1500cc，作为B液。

如图1所示，这些A液和B液分别贮存在Y字型反应装置1的各罐3、4中，在40℃的温度下保温。并且，通过泵P1、P2以1200cc/min的速度将A液和B液供给到熟化用容器2中，通过反应得到的沉淀物用纯水稀释后，通过加压过滤法进行固液分离，再通过在100℃的温度下干燥12小时，得到干燥完毕的前体。

最后，将得到的前体在100％氮气的氛围气体中于1200℃的温度下烧成7小时，由此得到荧光体1。

接着，上述荧光体1加入等量的纯水后，进行采用瓷罐球磨机的破碎和分散处理，为了除去微小粒子和巨大粒子，再进行采用过筛的分级处理。

并且，将分级后的荧光体分散溶液和2N盐酸分别贮存在图2所示反应装置11的反应容器14和罐12中，在40℃的温度下保温，通过泵P3，将2N盐酸添加到荧光体分散液的液中。此时，将盐酸的添加速度调整为荧光体的每1m²比表面积为1.2×10^-16mol/min，另外，将盐酸的添加量调整为每1g荧光体为0.001mol。

添加结束后，将得到的混合溶液搅拌20分钟，并进行采用纯水的洗净处理后，在100℃的温度下干燥12小时，得到荧光体12。

在上述荧光体的制造方法中，将盐酸的添加速度变为荧光体的每1m²比表面积为1.0×10^-16、5.0×10^-16、5.0×10^-15、7.0×10^-15、7.5×10^-15mol/min，同时，将盐酸的添加量变为每1g荧光体为0.002、0.003、0.005、0.0055mol，通过将组合这些盐酸的添加速度和添加量而得到的荧光体记为荧光体3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13，表1示出各荧光体的盐酸添加速度和添加量。

然后，对于VUV照射前后的相对发光强度的评价方法进行说明。

首先，将得到的荧光体1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13导入到0.1～1.5Pa的真空槽的内部，使用准分子146nm灯(ウシオ电机公司制造)照射VUV。并且，使用检测器(大塚电子株式会社制造：MCPD-3000)测定通过照射得到的绿色光的峰强度，计算出作为将表面处理前的发光强度作为100时的相对值的相对发光强度。这里，将此时计算出的相对发光强度作为“放电前的相对发光强度”，示于表1。

另外，用厚度为0.5mm的MgF₂板包覆各荧光体1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13，并导入充满了在氖中混合了5％的氙气的混合气体的放电空间的内部后，放电1小时，通过上述方法，算出相对发光强度。这里，将此时算出的相对发光强度作为“放电后的相对发光强度”，示于表1。

另外，上述放电后的相对发光强度除以放电前的相对发光强度，将换算为百分比的值作为维持率(％)，并示于表1。该维持率的数值越高，采用VUV的发光强度的降低越被抑制，即，盐酸越不会损伤荧光体本身，更可以除去由于粉碎处理损伤的表面层，或附着在表面的杂质等，而数值越低，盐酸越会损伤荧光体本身，或者不能除去表面层或杂质。

[表1]

荧光体编号	2N盐酸		相对发光强度		维持率(％)
	2N盐酸		相对发光强度			添加量[mol/荧光体g]	每1m³荧光体比表面积的添加速度[mol/min]	放电前	放电后
	1	-	-	100		添加量[mol/荧光体g]	每1m³荧光体比表面积的添加速度[mol/min]	放电前	放电后	70	70
2	1	-	-	100	0.001	1.2×10-16	120	108	90	70	70
2	3	0.002	1.0×10-16	110	0.001	1.2×10-16	120	108	90	80	73
4	3	0.002	1.0×10-16	110	0.002	5.0×10-16	135	128	95	80	73
4	5	0.002	5.0×10-15	135	0.002	5.0×10-16	135	128	95	128	95
6	5	0.002	5.0×10-15	135	0.002	7.0×10-15	135	125	93	128	95
6	7	0.002	7.5×10-15	135	0.002	7.0×10-15	135	125	93	100	74
8	7	0.002	7.5×10-15	135	0.003	5.0×10-15	138	125	91	100	74
8	9	0.003	7.5×10-15	138	0.003	5.0×10-15	138	125	91	105	76
10	9	0.003	7.5×10-15	138	0.005	5.0×10-15	135	125	93	105	76
10	11	0.005	7.5×10-15	135	0.005	5.0×10-15	135	125	93	100	74
12	11	0.005	7.5×10-15	135	0.0055	5.0×10-15	135	115	85	100	74
12	13	0.0055	7.5×10-15	135	0.0055	5.0×10-15	135	115	85	100	74

其结果表明，不实施采用盐酸的表面处理的荧光体1的维持率与实施了表面处理的荧光体2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13的维持率相比较，无论盐酸的添加量和添加速度如何，都是降低的。另外，盐酸的添加速度调整为1.2×10^-16～7.0×10^-15mol/min范围内的荧光体2、4、5、6、8、10、12的维持率与调整为偏离该范围的1.0×10^-16或7.5×10^-15mol/min的荧光体1、3、7、9、11、13的维持率相比，不论盐酸的添加量如何都是提高的，并且，盐酸的添加量限定于相同荧光体之间进行比较时，维持率的值提高约10～20。另外，着眼于上述荧光体2、4、5、6、8、10、12时，盐酸的添加量调整为0.0055mol的荧光体12的维持率为85％，与此相对，而调整为0.001～0.005mol的范围的荧光体2、4、5、6、8、10的维持率均为90％以上。

[实施例2]

将表面处理时的盐酸的温度变为15℃、25℃、40℃、55℃、65℃，并除此以外的条件与实施例1中的荧光体6为同样条件下进行表面处理，得到荧光体21、22、23、24、25。对得到的荧光体21、22、23、24、25通过与实施例1相同的方法，计算VUV照射前后的相对发光强度，与维持率一起示于表2。

[表2]

添加温度	相对发光强度		维持率(％)
	相对发光强度			放电前	放电后
	15℃	140		放电前	放电后	115	82
25℃	15℃	140	137	125	91	115	82
25℃	40℃	135	137	125	91	125	93
55℃	40℃	135	130	120	92	125	93
55℃	65℃	120	130	120	92	105	88

其结果表明，盐酸的温度调整为15℃和65℃的荧光体21、25的维持率分别为82％和88％，与此相对，而调整为25℃、40℃、55℃的荧光体22、23、24的维持率均为90％以上。

[实施例3]

如图2和图7所示，除了将盐酸的添加位置对于贮存在反应容器11中的荧光体分散溶液而言区分为液中(图2)和液面(图7)以外，在与实施例1中的荧光体6相同的条件下进行表面处理，得到荧光体31、32。对得到的荧光体31、32，通过与实施例1同样的方法，计算出相对于VUV照射前后的相对发光强度，与维持率一起示于表3。

[表3]

添加温度	相对发光强度		维持率(％)
	相对发光强度			放电前	放电后
	液中	135		放电前	放电后	125	93
液面	液中	135	130	115	88	125	93

其结果表明，盐酸添加到荧光体分散溶液中的位置调整为液面的荧光体31的维持率为88％，与此相对，而调整为液中的荧光体32的维持率为93％，通过液中添加制造的荧光体32在放电后的发光强度的减少被抑制。

[实施例4]

在图3所示的双喷射反应装置21的反应容器26中贮存纯水，在40℃的温度下保温。另外，在第1罐22和第2罐23中分别贮存实施例1中的分级后的荧光体分散液和2N盐酸，在40℃的温度下保温。然后，通过泵P4、P5将分级后的荧光体分散液和2N盐酸同时供给到贮存在反应容器26中的纯水中。此时，将盐酸的添加速度调整为荧光体的每1m²比表面积为5.0×10^-15mol/min，另外，盐酸的添加量调整为每1g荧光体为0.002mol。

供给结束后，将得到的混合溶液搅拌20分钟后，进行采用纯水的洗净处理，再在100℃的温度下，干燥12小时，得到荧光体41。

对得到的荧光体41，通过与实施例1相同的方法，计算VUV照射前后的相对发光强度，与维持率一起示于表4。另外，作为比较例，使盐酸的添加速度和添加量相同，仅使用的装置的形态不同的实施例1中的荧光体4的相对发光强度以及维持率合并示于表4。

[表4]

反应装置	相对发光强度		维持率(％)
	相对发光强度			放电前	放电后
	图2所示的反应装置	135		放电前	放电后	128	95
双喷射反应装置	图2所示的反应装置	135	140	135	96	128	95

其结果表明，使用反应装置11制造的实施例1的荧光体4的维持率为95％，使用双喷射反应装置21制造的荧光体41的维持率为96％，使用双喷射反应装置21制造的荧光体41在放电后的发光强度的减少被抑制。

[实施例5]

在图1所示的Y字型反应装置1的罐3或罐4中分别贮存荧光体分散液和2N盐酸，在40℃的温度下保温。并且，通过泵P1、P2将荧光体分散液和2N盐酸同时供给到熟化用容器2中。此时，盐酸的添加速度调整为荧光体的每1m²比表面积为5.0×10^-15mol/min，另外，盐酸的添加量调整为每1g荧光体为0.002mol。

供给结束后，将得到的混合溶液搅拌20分钟后，进行采用纯水的洗净处理，再在100℃的温度下，干燥12小时，得到荧光体51。

对得到的荧光体51，通过与实施例1相同的方法，计算VUV照射前后的相对发光强度，与维持率一起示于表5。另外，作为比较例，使盐酸的添加速度和添加量相同，仅使用的装置的形态不同的实施例1中的荧光体4的相对发光强度以及维持率合并示于表4。

[表5]

反应装置	相对发光强度		维持率(％)
	相对发光强度			放电前	放电后
	图2所示的反应装置	135		放电前	放电后	128	95
Y字型反应装置	图2所示的反应装置	135	140	137	98	128	95

其结果表明，使用反应装置11制造的实施例1的荧光体4的维持率为95％，而使用Y字型反应装置1制造的荧光体51的维持率为98％，使用Y字型反应装置1制造的荧光体51在放电后的发光强度的减少被抑制。

综上，按照本发明涉及的荧光体的制造方法和荧光体以及等离子体显示板，本发明的荧光体的制造方法包括进行荧光体粒子的粉碎处理的粉碎处理工序和通过添加蚀刻液进行对分散在溶剂中的荧光体粒子进行表面处理的表面处理工序，由于蚀刻液的添加速度为荧光体粒子的每1m²比表面积为1.2×10^-16～7.0×10^-15mol/min，因此，通过控制蚀刻液的添加速度可以进行稳定的表面处理，由此，可以进行均匀的表面处理，抑制蚀刻液引起的荧光体本身的损伤，并能够谋求荧光体和等离子体显示板的发光强度的提高。

工业实用性

按照技术方案1所述的发明，在包括进行荧光体粒子的粉碎处理的粉碎处理工序和通过添加蚀刻液进行对分散在溶剂中的荧光体粒子进行表面处理的表面处理工序的荧光体制造方法中，由于蚀刻液的添加速度为荧光体粒子的每1m²比表面积为1.2×10^-16～7.0×10^-15mol/min，因此，通过控制蚀刻液的添加速度可以使分散荧光体粒子的溶剂和蚀刻液均匀地混合，由此，可以进行均匀的表面处理。

按照技术方案2所述的发明，蚀刻液的添加量为每1g荧光体为0.001～0.005mol，因此可以通过控制蚀刻液的添加量将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液更加均匀地混合，由此得到更为优选的效果。

按照技术方案3所述的发明，蚀刻液的添加温度为20～60℃，因此可以通过控制蚀刻液的添加温度将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液更加均匀地混合，由此得到更为优选的效果。

按照技术方案4所述的发明，蚀刻液添加在分散上述荧光体粒子的溶剂中，因此可以通过改变蚀刻液的添加位置将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液更加均匀地混合，由此得到更为优选的效果。

按照技术方案6所述的发明，使用如下构成的装置，所述构成是从第1流路供给的分散上述荧光体粒子的溶剂和从第2流路供给的上述蚀刻液同时排出到液体中，因此，可以通过改变使用的装置的形态，将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液更加均匀地混合，由此得到更为优选的效果。

按照技术方案7所述的发明，使用以下构成的装置，所述构成是，至少将从第1流路供给的分散上述荧光体粒子的溶剂和从第2流路供给的上述蚀刻液连续地碰撞并混合后，连续地供给到第3流路中，同时，以比分散上述荧光体粒子的溶剂和蚀刻液的流速大的流速供给碰撞和混合后的溶液后，从第3流路连续地排出，因此，可以通过改变使用的装置的形态，将分散了荧光体粒子的溶剂和蚀刻液更加均匀地混合，由此得到更为优选的效果。

按照技术方案8所述的发明，表面处理工序在粉碎处理工序之后进行，因此，可以同时除去附着在荧光体粒子的表面的未反应物和副产物等杂质，和在粉碎处理工序中受到损伤的表面层，由此，可以减少工序数，谋求减轻操作者的负担。

按照技术方案9所述的发明，通过技术方案1～8中任意一项所述的制造方法来制造，因此可以防止蚀刻液引起的荧光体本身的损伤，由此，可以谋求荧光体的发光强度的提高。

按照技术方案10所述的发明，放电单元的荧光体层含有技术方案9所述的荧光体，因此，可以谋求放电单元的发光强度的提高，由此，可以谋求提高PDP的发光强度。

Claims

1.一种荧光体的制造方法，该荧光体的制造方法包括：进行将上述荧光体粒子进行动粉碎处理的粉碎处理工序；通过添加蚀刻液对分散在溶剂中的上述荧光体粒子进行表面处理的后续的表面处理工序，其中，上述蚀刻液的添加速度为上述荧光体粒子的每1m²比表面积为1.2×10^-16～7.0×10^-15mol/min。

2.权利要求1所述的荧光体的制造方法，其中，上述蚀刻液的添加量为每1g荧光体为0.001～0.005mol。

3.权利要求1所述的荧光体的制造方法，其中，上述蚀刻液的添加温度为20～60℃。

4.权利要求1所述的荧光体的制造方法，其中，上述蚀刻液添加在分散上述荧光体粒子的溶剂中。

5.权利要求1所述的荧光体的制造方法，其中，在上述表面处理工序后，进行洗净处理工序和干燥工序。

6.权利要求1所述的荧光体的制造方法，其中，该方法使用如下构成的装置，所述构成是从第1流路供给的分散上述荧光体粒子的溶剂和从第2流路供给的上述蚀刻液同时排出到液体中。

7.权利要求1所述的荧光体的制造方法，该方法使用以下构成的装置，所述构成是，至少将从第1流路供给的分散上述荧光体粒子的溶剂和从第2流路供给的上述蚀刻液连续地碰撞并混合后，连续地供给到第3流路中，同时，以比分散上述荧光体粒子的溶剂和蚀刻液的流速大的流速供给碰撞和混合后的溶液后，从第3流路连续地排出。

8.权利要求1所述的荧光体的制造方法，上述表面处理工序在上述粉碎处理工序之后进行。

9.一种荧光体，其通过权利要求1所述的制造方法来制造。

10.等离子体显示板，其包括含有权利要求9所述的荧光体的放电单元。