CN100583206C - 等离子体显示器及其电压生成器 - Google Patents

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Abstract

在等离子体显示器中，晶体管的第一电极和第二电极可以分别连接到扫描电极和用于提供扫描电压的电源。所述等离子体显示器可以包括扫描电极、第一晶体管、第一电阻和第二电阻。第一晶体管可以包括电连接到扫描电极的第一电极、电连接到电源的第二电极和控制电极。第一电阻可以电连接在扫描电极和第一晶体管的控制电极之间。第二电阻可以电连接在晶体管的控制电极和电源之间。

Description

等离子体显示器及其电压生成器
技术领域
本发明涉及等离子体显示器及其电压生成器。
背景技术
等离子体显示器包括使用由气体放电过程产生的等离子体来显示字符或者图像的等离子体显示板(PDP)。取决于它的尺寸，PDP包括排列在矩阵图案中的几十到数百万以上的像素。
这种等离子体显示器的一帧可以被分成具有权重值的多个子场。每个子场可以包括复位期、寻址期和维持期。复位期可以初始化每个放电室(discharge cell)以便利对放电室的寻址操作。寻址期可以选择导通放电室(turn-on cell)/关断放电室(turn-off cell)(即，待导通或者待关断的放电室)。维持期可以令放电室要么继续放电以在被寻址的放电室上显示图像要么保持非激活状态(inactive)。
在复位期期间，为了初始化放电室的状态，扫描电极的电压可以逐渐增加到Vset电压，并且可以逐渐降低到Vnf电压。在寻址期期间，具有扫描电压VscL的扫描脉冲和具有Va电压的寻址脉冲可以分别被施加到导通放电室的扫描电极和寻址电极。一般说来，所述VscL电压和Vnf电压可以是相等的。因此，由于在Vnf电压等于VscL电压时可能不能适当地产生寻址放电，因此可能会产生低放电(low discharge)。另外，当提高寻址电压电平以防止低放电时，在关断放电室中可能产生寻址放电，从而造成误点火(misfiring)。
在该背景技术部分公开的上述信息只是用于增强对发明背景的理解，因此它可能包含不构成在本国家内对于本领域普通技术人员而言是已知的现有技术的信息。
发明内容
因此，本发明致力于提供一种等离子体显示器及其电压生成器，其基本上克服了由相关领域的限制和缺点所带来的一个或多个问题。
因此本发明实施例的特征在于提供一种用于防止低放电的等离子体显示器。
因此本发明实施例的另一个特征在于提供一种电压生成器，其减少了等离子体显示器中用于防止低放电的电源的数量。
本发明的上述以及其它特征和优点中的至少一个可以通过提供一种包括扫描电极、电源、第一晶体管、第一电阻和第二电阻的等离子体显示器来实现。电源可以将扫描电压提供给扫描电极。第一晶体管可以具有电连接到扫描电极的第一电极和电连接到电源的第二电极。第一电阻可以电连接在第一晶体管的扫描电极和控制电极之间。第二电阻可以电连接在晶体管的控制电极和电源之间。这里，第一晶体管的第一电极处的电压可以是高于扫描电压的第一电压，而第一电压是在复位期期间最后施加于扫描电极的终止电压。
另外，该等离子体显示器还可以包括电连接在第一晶体管的第二电极和电源之间的第二晶体管。这里，第二晶体管可以用作斜坡开关，并且当所述第二晶体管导通时，在复位期期间，扫描电极处的电压可以逐渐减小到高于所述扫描电压的第一电压。
等离子体显示器还可以包括电连接在扫描电极和电源之间的第三晶体管，并且当第三晶体管导通时扫描电压可以被施加于扫描电极。
另外，第一和第二电阻中的至少一个可以是可变电阻，例如，可以是根据温度变化的可变电阻。
根据本发明实施例的示例性电压生成器可以从电源接收第一电压，并可以产生高于第一电压的第二电压。所述示例性电压生成器可以包括晶体管、第一电阻和第二电阻。晶体管可以具有电连接到电源的第一电极。第一电阻可以电连接在晶体管的第一电极和晶体管的控制电极之间。第二电阻可以电连接在晶体管的控制电极和晶体管的第二电极之间。第二电压可以是在第一晶体管的第二电极处产生的。
另外，第一和第二电阻中的至少一个可以是可变电阻，例如，可以是根据温度变化的可变电阻。
第一电压可以是施加于等离子体显示器的扫描电极的扫描电压，而第二电压可以是在等离子体显示器的复位期期间最后施加的终止电压。
附图说明
通过参照附图详细说明本发明的示例性实施例，将使本发明的上述及其他特征和优点对于本领域中普通技术人员而言变得更加显而易见，附图中：
图1示出了根据本发明示例性实施例的等离子体显示器的配置的示意图；
图2示出了根据本发明示例性实施例的等离子体显示器的驱动波形；
图3示出了根据本发明示例性实施例的扫描电极驱动器的示意图；
图4示出了根据本发明第一示例性实施例的ΔV电压生成器的示意图；
图5A、图5B和图5C分别示出了具有可变电阻的ΔV电压生成器的不同配置；
图6示出了根据本发明第二示例性实施例的ΔV电压生成器的示意图；和
图7示出了根据本发明第三示例性实施例的ΔV电压生成器的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图更加全面地描述本发明，在所述附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以依照多种不同的形式来实现，并且不应该将本发明看作是局限于本文所示出的实施例。相反地，提供这些实施例仅仅是为了使此公开内容全面并且完整，并且将本发明的范围充分传递给本领域技术人员。
贯穿附图，相同的参考标记始终指示相同的元件。
贯穿本说明书和随后的权利要求书，当描述到元件被“连接”到另一个元件时，所述元件可以是“直接连接”到另一个元件或者通过第三元件“电连接”到另一个元件。另外，除非明确地给出相反说明，否则单词“包括”将被理解为暗指包含所述元件但不排除任何其它元件。
另外，如下说明书中提到的壁电荷指的是在接近于放电室的电极的壁(例如，介电层)上形成和累积的电荷。壁电荷将被描述为“形成”或者“累积”在电极上，尽管壁电荷实际不接触电极。而且，壁电压指的是由壁电荷在放电室的壁上形成的电势差。
当说明书中描述到电压被维持时，不应该被理解为严格地暗指电压被精确地维持在预定电压。相反，即使两点之间的电压差发生变化，在所述变化在设计约束允许的范围之内的情况下，或者在所述变化是由于通常被本领域普通技术人员忽略的寄生元件引起的情况下，所述电压差也被表示为被维持在预定电压。另外，由于半导体元件(例如，晶体管和二极管)的阈值电压与放电电压相比非常低，所以它们被认为是0V。
现在参照附图描述根据本发明示例性实施例的等离子体显示器、和驱动方法及其电压生成器。
图1示出了根据本发明示例性实施例的等离子体显示器配置的示意图。
如图1所示，等离子体显示器可以包括等离子体显示板(PDP)100、控制器200、寻址电极驱动器300、扫描电极驱动器400、以及维持电极驱动器500。
PDP 100可以包括在列方向上延伸的多个寻址电极A1到Am，以及在行方向上延伸的多个成对的维持电极X1到Xn和扫描电极Y1到Yn。维持电极X1到Xn可以分别对应于扫描电极Y1到Yn而形成，并且维持电极X1到Xn的末端共同连接。另外，PDP 100可以包括具有维持电极X1到Xn和扫描电极Y1到Yn的第一基板(未示出)，和具有寻址电极A1到Am的第二基板(未示出)。这两个基板可以设置为彼此相对，在它们之间具有放电空间，以使扫描电极Y1到Yn和维持电极X1到Xn可以与寻址电极A1到Am交叉。这里，在寻址电极与X电极和Y电极的交叉区域提供的放电空间可以构成放电室。PDP 100只是示例，而本发明的实施例可以使用其它配置的PDP。
控制器200可以接收外部视频信号，并可以输出寻址驱动控制信号、维持电极驱动控制信号和扫描电极驱动控制信号。另外，控制器200可以将一帧划分为多个子场。每个子场可以顺序地具有复位期、寻址期和维持期。
从控制器200接收到寻址驱动控制信号之后，寻址电极驱动器300可以将用于选择要被显示的放电室的显示数据信号施加到各个寻址电极A1到Am。维持电极驱动器500可以从控制器200接收维持电极驱动控制信号，并可以将驱动电压施加到维持电极X1到Xn。扫描电极驱动器400可以从控制器200接收扫描电极驱动控制信号，并可以将驱动电压施加到扫描电极Y1到Yn。
现在将参照图2描述根据本发明示例性实施例的等离子体显示器的驱动波形。
图2示出了表示根据本发明示例性实施例的等离子体显示器的驱动波形的图。为方便描述起见，现在将描述施加于构成一个放电室的扫描电极(在下文中称为“Y电极”)、维持电极(在下文中称为“X电极”)、和寻址电极(在下文中称为“A电极”)的驱动波形。
如图2所示，子场可以包括复位期、寻址期和维持期，并且复位期可以包括上升期和下降期。
在复位期的上升期期间，当A电极和X电极可以维持在基准电压(图2中的0V)时，Y电极处的电压可以逐渐从Vs电压增大到Vset电压。在图2中，Y电极处的电压是以斜坡形式增大的。当Y电极处的电压增大时，会在Y电极和X电极之间、以及Y电极和A电极之间发生弱放电。因此，可能在Y电极上形成(-)壁电荷，并且可能在X电极和A电极上形成(+)壁电荷。当Y电极的电压逐渐如图2所示变化时，在放电室中发生的弱放电可以形成壁电荷，以使得外加电压和壁电荷的和可以维持在放电点火电压。美国专利No.5,745,086中公开了形成壁电荷的这种过程。Vset电压可以足够高以点火任何状态的放电室中的放电，因为每个放电室将会在复位期中被初始化。另外，Vs电压可以等于在维持期期间施加于Y电极的电压，并且可以低于用于点火Y电极和X电极之间的放电的电压。
在复位期的下降期期间，Y电极处的电压可以从Vs电压逐渐减小到负电压Vnf，同时A电极可以维持在基准电压，并且X电极被偏置到Ve电压。当Y电极的电压减小时，会在Y电极和X电极之间、以及Y电极和A电极之间发生弱放电。因此，在Y电极上形成的负(-)壁电荷以及在X电极和A电极上形成的正(+)壁电荷可以被消除。一般说来，Vnf电压通常被设定为接近于Y电极和X电极之间的放电点火电压。然后，Y电极和X电极之间的壁电压可以接近0V，并且因此可以防止在寻址期期间没有经历寻址放电的放电室在维持期期间被误点火(Y电极和X电极之间的误点火)。当A电极被维持在基准电压时，Y电极和A电极之间的壁电压可以由Vnf电压确定。
随后，在寻址期期间，负电压VscL的扫描脉冲和正电压Va的寻址脉冲可以分别施加于Y电极和A电极，以选择导通放电室，而X电极可以维持在Ve电压。未选择的Y电极可以被偏置在高于电压VscL的电压VscH，并且基准电压可以被施加到关断放电室(即要被关断的放电室)的A电极。被选择的Y电极可以接收VscL电压并且被选择的A电极可以接收Va电压，这导致在所选的放电室中产生寻址放电。因此，可以在所选的放电室的Y电极上形成(+)壁电荷，并且可以X电极和A电极上形成(-)壁电荷。对于这种操作，扫描电极驱动器400可以在扫描电极Y1到Yn当中选择接收扫描电压VscL的扫描脉冲的Y电极。例如，在单个驱动方法中，可以按照在垂直方向上扫描电极Y1到Yn的排列次序选择Y电极。当选择了一个Y电极时，寻址电极驱动器300可以在所选Y电极上形成的放电室当中选择导通放电室。也就是说，寻址电极驱动器300可以在寻址电极A1到Am当中选择可以向其施加Va电压的寻址脉冲的A电极。
更加详细地，当VscL电压的扫描脉冲被施加到第一行的扫描电极(图1中的Y1)时，Va电压的寻址脉冲可以被施加于位于第一行的导通放电室上的A电极。然后，可以在第一行的Y电极和接收Va电压的A电极之间产生放电。因此，可以在Y电极上形成(+)壁电荷，并且可以在A电极和X电极上形成(-)壁电荷。因此，可以在Y电极和X电极之间形成壁电压Vwxy，以使得Y电极的电势高于X电极的电势。随后，当VscL电压的扫描脉冲被施加到第二行的Y电极(图1中的Y2)时，Va电压的寻址脉冲可以被施加于位于第二行的导通放电室上的A电极。然后，在由接收Va电压的A电极和第二行的Y电极形成的放电室中可以产生寻址放电，并且在如上所述的放电室中可以形成壁电荷。以类似的方式，当VscL电压的扫描脉冲被顺序地施加于剩余行的Y电极时，Va电压的寻址脉冲可以施加于设置在导通放电室上的A电极，以形成壁电荷。
根据本发明示例性实施例的扫描电压VscL可以比Vnf电压低ΔV电压，所述Vnf电压是在复位期期间施加于Y电极的终止电压(final voltage)。现在将解释为什么当施加低于Vnf电压的扫描电压VscL并施加Va电压时在放电室中可以产生寻址放电，以及为什么防止了低放电。
在复位期期间，当Vnf电压也就是终止电压被施加到Y电极时，A电极与Y电极之间的壁电压和A电极与Y电极之间外部施加的Vnf电压的和可以被设置为A电极和Y电极之间的放电点火电压Vfay。
当在寻址期期间将扫描电压VscL施加到Y电极并且将0V施加到A电极时可以产生放电，因为在A电极和Y电极之间形成了高于Vfay电压的电压。然而，在上述情况中，由于放电延迟可能长于扫描脉冲和寻址脉冲的宽度，所以可能不会产生放电。
相反，当Va电压被施加到A电极并且扫描电压VscL被施加到Y电极时，在A电极和Y电极之间形成了高于Vfay电压的电压，放电延迟可以被减小为比扫描脉冲和寻址脉冲的宽度更短，并且放电可以产生。一般说来，当等于Vnf电压的扫描电压被施加到Y电极时，由于在A电极和Y电极之间形成了高于Vfay电压的电压，所以可以产生放电。然而，如在本发明的示例性实施例中那样，当比Vnf电压低ΔV电压的VscL电压被施加到Y电极时，A电极和Y电极之间的电压进一步升高，放电延迟可以进一步减少，因此可以适当地产生放电。因此，可以防止低寻址放电。
在维持期期间，相反相位的维持脉冲，例如，高电平电压Vs和低电平电压0V可以被施加于Y电极和X电极。然后，在寻址期期间所选的放电室中可以产生维持放电。这里，维持脉冲的数目对应于相应子场的权重值。
一般说来，为了提供两个不同的电压，即，作为复位期期间的终止电压的Vnf电压和作为寻址期期间的扫描电压的VscL电压，通常需要两个独立的电源，即，用于产生Vnf电压的电源和用于产生VscL电压的电源。在下文中，将描述利用单个电源产生两个电压的扫描电极驱动器400。
图3示出了表示根据本发明示例性实施例的扫描电极驱动器400的图。
如图3所示，扫描电极驱动器400可以包括多个扫描集成电路(IC)410、ΔV电压生成器420、晶体管Yfr和Yscl、以及其它Y电极驱动电路430。在图3中，各个晶体管被示为N沟道场效应晶体管(具体来说是N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管)，并且体二极管在从源极到漏极的方向上在各个晶体管中形成。也可代替NMOS晶体管使用具有类似功能的其它晶体管。另外，尽管在图3中晶体管被分别示为单个晶体管，但本发明并不限于此，例如，每个晶体管可以通过并联连接的多个晶体管来形成。
多个扫描IC 410分别可以同样包括晶体管YH、晶体管YL、端子Ta以及端子Tb。晶体管YH的漏极可以连接到端子Ta，并且晶体管YL的源极可以连接到端子Tb。晶体管YH的源极可以连接到晶体管YL的漏极，并且晶体管YH和YL的节点可以连接到扫描电极Y1到Yn的其中一个。可以由电源VscH将电压VscH施加到端子Ta。
晶体管Yscl的漏极可以连接到扫描IC 410的端子Tb，并且其源极可以连接到用于提供VscL电压的电源VscL。ΔV电压生成器420可以连接在端子Tb和晶体管Yfr的漏极之间，并且晶体管Yfr的源极可以连接到用于提供VscL电压的电源VscL。这里，晶体管Yfr可以作为斜坡开关，可以被导通以将预定的电流提供到Y电极并且可以逐渐减小Y电极处的电压。对于本领域技术人员而言，通过晶体管Yfr将预定电流提供到Y电极并且逐渐减小Y电极处的电压的方法是公知的，因此省略对其的详细说明。所述ΔV电压生成器420可以产生图2中示出的电压ΔV(Vnf-VscL)，而无需另外提供另一个电源。下面将参照图4到图7描述ΔV电压生成器420的各种配置。
其它Y电极驱动电路430可以连接到端子Tb和Y电极，并且可以产生要施加到Y电极的各种驱动波形(例如，复位期的上升波形和维持脉冲)。其它Y电极驱动电路430的配置不直接涉及本发明的示例性实施例，因此省略其描述。
在复位期的下降期期间，晶体管Yfr和多个扫描IC 410的各个晶体管YL可以被导通，并且Y电极处的电压可以由ΔV电压生成器420逐渐减小到电压Vnf，即，VscL+ΔV。当晶体管Yfr导通时，Y电极处的电压可以逐渐减小到VscL电压，但是当增加ΔV电压生成器420产生的ΔV电压时，被选择的Y电极处的电压可以减小到电压Vnf(VscL+ΔV)。
在寻址期期间，晶体管Yscl可以被导通。在对应于要选择的扫描电极的扫描IC中，晶体管YL可以被导通，并且扫描电压VscL可以被施加到相应的被选择的Y电极。在对应于不会被选择的扫描电极的扫描IC中，晶体管YH可以被导通，并且VscH电压可以被施加到相应的不会被选择的Y电极。
在下文中，将参照图4到图7更加详细地描述用于产生电压差ΔV的ΔV电压生成器420的各种配置。
图4示出了根据本发明第一示例性实施例的ΔV电压生成器420a的示意图。ΔV电压生成器420a可以包括晶体管Q1、电阻R1和电阻R2。这里，晶体管Q1可以是双极型晶体管。
晶体管Q1的集电极可以连接到多个扫描IC 410的端子Tb，并且其发射极可以连接到晶体管Yfr的漏极。电阻R1的端子可以连接到晶体管Q1的集电极(即，端子Tb)，并且电阻R1的另一个端子可以连接到晶体管Q1的基级。电阻R2的端子可以连接到晶体管Q1的基级，并且电阻R2的另一个端子可以连接到晶体管Q1的发射极。另外，电阻R1和R2可以彼此连接，并且其节点可以连接到晶体管Q1的基级。
当电流Io为低时，晶体管Q1是关断的，并且电流Io流向电阻R1和R2。然而，当电流Io足够大到导通晶体管Q1时，电流Io流向电阻R1和R2以及晶体管Q1。在此情况下，晶体管Q1的集电极-发射极电压VCE由公式1给出。
VCE＝I1*R1+I2*R2    (1)
在公式1中，当忽略晶体管Q1的基极电流时，电流I1可以近似为I1≈I2。电流I2可以近似为I2＝VBE/R2。因此，晶体管Q1的集电极-发射极电压VCE可以由公式2给出。
VCE＝(1+R1/R2)*VBE    (2)
这里，晶体管Q1的集电极-发射极电压VCE是由ΔV电压生成器420a产生的ΔV电压。参见公式2，当电阻R1和R2的大小比被调整时，可以将晶体管Q1的集电极-发射极电压(VCE＝ΔV)设为与晶体管Q1的基级-发射极电压VBE成比例的期望值。
也就是，根据本发明的第一示例性实施例，可以由ΔV电压生成器420a产生公式2给出的电压ΔV，并且ΔV的值可以由电阻R1和R2以及晶体管Q1的基级-发射极电压VBE的大小确定。当晶体管Q1的基级-发射极电压VBE由晶体管Q1的特性设定为预定值时，期望的ΔV可以通过改变电阻R1和R2的值获得。特别地，通过由根据本发明第一示例性实施例的ΔV电压生成器改变电阻R1和R2的值，可以将ΔV设置为不同的值。
另外，除了利用固定电阻，可变电阻也可以用于电阻R1和R2，如图5A、图5B和图5C所示。也就是说，可变电阻可以用于电阻R1和/或电阻R2。当可变电阻用于电阻R1和R2时，在设计之后，可以通过调节可变电阻来改变ΔV的值。因此，可以进一步改善低放电。
另外，根据温度变化的电阻可以用于电阻R1和R2。也就是说，电阻R1和R2可以被设置为具有正温度系数(PTC)(即，当温度升高时电阻增加的特性)，或者它们可以被设置为具有负温度系数(NTC)(即，当温度升高时电阻减小的特性)。当温度降低时，放电室中的壁电荷并不活跃地变化，于是低寻址放电恶化。在此情况下，当电阻R1被设置为具有NTC而电阻R2被设置为具有PTC时，当温度降低时ΔV的值可以进一步根据公式2增大。因此，可以解决在低温时低寻址放电的问题。在其它情况下，由温度所引起的问题可以通过适当地设定根据温度变化的电阻R1和R2来解决。
根据本发明第一示例性实施例已经描述过晶体管Q1是双极型晶体管，但是本发明并不限制于此。例如，可以使用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或者绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，现在将对其进行描述。
图6示出了根据本发明第二示例性实施例的ΔV电压生成器420b的示意图。如图6所示，根据本发明第二示例性实施例的ΔV电压生成器420b与本发明第一示例性实施例的ΔV电压生成器相同，除了双极型晶体管Q1被替换为MOSFET晶体管M1，因此将忽略已经描述过的部分。
由于根据本发明第二示例性实施例的ΔV电压生成器420b使用晶体管M1，因此ΔV电压，即晶体管M1的漏极-源极电压VDS，由公式3给出。
VDS＝(1+R1/R2)*VGS    (3)
在公式3中，VGS是晶体管M1的栅极-源极电压。如公式3所示，当利用晶体管M1时，公式2中晶体管Q1的基极-发射极电压VBE可以被替换为晶体管M1的栅极-源极电压VGS。
如上所述，在根据本发明第二示例性实施例的ΔV电压生成器420b中，如公式3所示，ΔV的值可以由晶体管M1的栅极-源极电压(VGS)和电阻R1和R2的值确定。
另外，在根据本发明第二示例性实施侧的ΔV电压生成器420b中，如上所述，电阻R1和R2可以是可变电阻或者可以是根据温度变化的电阻。
图7示出了表示根据本发明第三示例性实施例的ΔV电压生成器420c的图。如图7所示，根据本发明第三示例性实施例的ΔV电压生成器420c与本发明示例性实施例的ΔV电压生成器相同，除了双极型晶体管Q1被替换为IGBT晶体管Z1，因此将省略对已经描述过的部分的描述。
由于根据本发明第三示例性实施例的ΔV电压生成器420c使用IGBT晶体管Z1，因此ΔV电压，即晶体管Z1的集电极-发射极电压VCE，可以由公式4给出。
VCE＝(1+R1/R2)*VGE    (4)
在公式4中，VGE是晶体管Z1的栅极-发射极电压。如公式4所示，当晶体管Z1是IGBT时，公式2中双极型晶体管Q1的基极-发射极电压VBE可以被替换为晶体管Z1的栅极-发射极电压VGE。
如上所述，在根据本发明第三示例性实施例的ΔV电压生成器420c中，ΔV的值可以由晶体管Z1的栅极-发射极电压VGE和电阻R1和R2的值确定。
另外，在根据本发明第三示例性实施例的ΔV电压生成器420c中，如上所述，电阻R1和R2可以是可变的，或者可以是根据温度变化的电阻。
因此，由于可以利用根据本发明第一到第三示例性实施例的ΔV电压生成器420a、420b和420c中的任何一个来产生作为恒定电压的ΔV电压，所以Vnf电压可以通过利用单个电源VscL来产生。也就是说，具有不同电平的Vnf电压和VscL电压可以利用根据本发明第一到第三示例性实施例的ΔV电压生成器420a、420b和420c和单个电源VscL来提供。
一般说来，晶体管Q1的基极-发射极电压VBE、晶体管M1的栅极-源极电压VGS、和晶体管Z1的栅极-发射极电压VGE可以展现出NTC特性。也就是说，VBE、VGS和VCE的值随温度升高而降低。参照公式2、公式3和公式4，ΔV的值可以随温度升高而降低。在高温时，由于壁电荷在放电室中活跃地运动，所以需要低的ΔV值以防止低放电。因此，由于当在升高的温度下使用根据本发明第一到第三示例性实施例的ΔV电压生成器时ΔV的值减小，所以可以进一步改善高温时的低放电。另外，由于VBE、VGS、和VCE的值可以随着温度的降低而进一步增大，所以ΔV的值可以进一步增大。因此，可以防止由低温所引起的低放电。
根据本发明的示例性实施例，扫描电压和复位期的终止电压可以利用单个电源来产生。另外，ΔV的值可以通过简单地改变电阻R1和R2来多样地实现。这些电阻可以是可变的或者可以随温度而改变。而且，可以有效地防止低寻址放电。
本文已经公开了本发明的示例性实施例，虽然使用了特定的术语，但是仅仅是在通用和描述的意义上使用和解释它们，而并非为了限制的目的。因此，本领域中普通技术人员将会理解，在不脱离所附权利要求书所阐明的本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种变化。

Claims (10)

1、一种等离子体显示器，包括：
扫描电极；
电源，用于向该扫描电极提供扫描电压；
第一晶体管，具有电连接到该扫描电极的第一电极、电连接到该电源的第二电极和控制电极；
第一电阻，电连接在该扫描电极和该第一晶体管的控制电极之间；以及
第二电阻，电连接在该第一晶体管的控制电极和该电源之间。
2、如权利要求1所述的等离子体显示器，其中，在复位期期间施加到所述扫描电极的终止电压是高于所述扫描电压的第一电压。
3、如权利要求1所述的等离子体显示器，还包括电连接在所述第一晶体管的第二电极和所述电源之间的第二晶体管。
4、如权利要求3所述的等离子体显示器，其中，所述第二晶体管用作斜坡开关，并且，在复位期的下降期期间，当所述第二晶体管导通时，所述扫描电极处的电压逐渐减小到高于所述扫描电压的第一电压。
5、如权利要求4所述的等离子体显示器，还包括电连接在所述扫描电极和所述电源之间的第三晶体管，其中，当该第三晶体管导通时，所述扫描电压被施加于该扫描电极。
6、如权利要求1所述的等离子体显示器，其中，所述第一和第二电阻中的至少一个是可变电阻。
7、如权利要求1所述的等离子体显示器，其中，所述第一和第二电阻中的至少一个是根据温度变化的可变电阻。
8、如权利要求1所述的等离子体显示器，其中，所述第一晶体管是双极型晶体管。
9、如权利要求1所述的等离子体显示器，其中，所述第一晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管。
10、如权利要求1所述的等离子体显示器，其中，所述第一晶体管是绝缘栅双极型晶体管。
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